TWI768507B - 氣體輸送系統及半導體處理裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明揭露了一種氣體輸送系統及半導體處理裝置，包括氣體調節裝置，氣體調節裝置的輸入端接入處理氣體；複數個支路氣體管路，各支路氣體管路均包括依次連接的支路開關閥、緩衝器、第一氣動閥及質量流量控制器，支路開關閥的輸入端與氣體調節裝置的輸出端相連，質量流量控制器的輸出端連接相應的反應腔。將複數個支路氣體管路共用同一氣體調節裝置，能夠減少氣體輸送系統的組成部件而使其結構簡單、佔用面積小，且降低半導體處理裝置的成本；各支路氣體管路中均設置有緩衝器，以發揮穩定所在支路氣體管路的傳輸氣體的壓力的作用，並且進一步消除其他支路氣體管路在突然關閉或突然開啟時造成的傳輸氣體的壓力不穩的影響，提高半導體處理裝置性能。

Description

氣體輸送系統及半導體處理裝置
本發明涉及半導體處理技術領域，更為具體地說，涉及一種氣體輸送系統及半導體處理裝置。
用於積體電路的製造的半導體處理製程中包括有：化學氣相沉積製程、電漿處理製程等。其中主要是利用電漿處理製程實現對半導體基片的處理，電漿處理製程的原理包括：使用射頻功率源驅動電漿處理裝置(例如電感耦合線圈)產生較強的高頻交變磁場，使得低壓的處理氣體被電離產生電漿。電漿中含有大量的電子、離子、激發態的原子、分子和自由基等活性粒子，活性粒子可以和待處理半導體基片的表面發生多種物理和化學反應，使得晶圓表面的形貌發生改變，即完成電漿處理製程。
在電漿處理製程中需要向反應腔內通入特定流量、特定氣壓和特定氣體成分的反應氣體或者其它輔助氣體。而想要獲得這些具有特定參數的反應氣體或輔助氣體需要一個能精確控制氣體流量、壓力的輸送系統連接在氣源和反應腔之間。而根據現有的設備廠商提供的設備，為節省占地面積，半導體設備通常為複數個反應腔室組成的簇群，由於反應製程的需要，各反應腔內都需要輸送多路反應氣體，因此，電漿處理裝置中的氣體輸送系統不僅要精確控制流量，更需要儘量精簡、集成，以減小占地面積，同時節約設備成本。
有鑑於此，本發明提供了一種氣體輸送系統及半導體處理裝置，有效解決先前技術存在的技術問題，提高了半導體處理裝置的性能。
為實現上述目的，本發明提供的技術方案如下：
一種氣體輸送系統，包括：氣體調節裝置，氣體調節裝置的輸入端接入處理氣體，氣體調節裝置用於調節處理氣體的壓力後輸出；以及，複數個支路氣體管路，各支路氣體管路均包括依次連接的支路開關閥、緩衝器、第一氣動閥及質量流量控制器，其中，支路開關閥的輸入端與氣體調節裝置的輸出端相連，質量流量控制器的輸出端連接相應的反應腔。較佳地，氣體調節裝置包括依次連接的主開關閥和調壓閥，其中，主開關閥的輸入端接入處理氣體，調壓閥的輸出端連接支路開關閥的輸入端。
較佳地，氣體調節裝置進一步包括連接於調壓閥與支路開關閥之間的過濾器。
較佳地，氣體調節裝置進一步包括連接於調壓閥與支路開關閥之間的壓力錶。
較佳地，緩衝器包括依次連接的輸入管道、緩衝腔體和輸出管道，其中，在垂直氣體流向的方向上，緩衝腔體的截面寬度大於輸入管道及輸出管道的截面寬度。
較佳地，緩衝器進一步包括：設置於緩衝腔體內的平衡板；固定於平衡板朝向輸出管道一側，且與輸出管道的端口相對應的提升閥；以及，連接於緩衝腔體的內壁與平衡板朝向輸出管道一側板面的第一彈簧組件，及連接於緩衝腔體的內壁與平衡板朝向輸入管道一側板面的第二彈簧組件。
較佳地，平衡板在垂直氣體流向的方向上的側壁進一步設置有密封圈，且密封圈與緩衝腔體的內壁接觸；以及，平衡板上設置有複數個氣體通孔。
較佳地，質量流量控制器為壓力式質量流量控制器。
較佳地，支路氣體管路進一步包括連接於質量流量控制器與反應腔之間的第二氣動閥。
相應的，本發明進一步提供了一種半導體處理裝置，半導體處理裝置包括至少一個反應腔，及至少一個如上所述的氣體輸送系統；其中，任意一個反應腔與至少一個氣體輸送系統相連。
較佳地，半導體處理裝置為電漿處理裝置。
相較於先前技術，本發明提供的技術方案至少具有以下優點：
本發明提供了一種氣體輸送系統及半導體處理裝置，包括：氣體調節裝置，氣體調節裝置的輸入端接入處理氣體，氣體調節裝置用於調節處理氣體的壓力後輸出；以及，複數個支路氣體管路，各支路氣體管路均包括依次連接的支路開關閥、緩衝器、第一氣動閥及質量流量控制器，其中，支路開關閥的輸入端與氣體調節裝置的輸出端相連，質量流量控制器的輸出端連接相應的反應腔。
由上述內容可知，本發明提供的技術方案，在保證氣體輸送系統能夠將處理氣體輸送到反應腔的基礎上，使複數個支路氣體管路共用同一個氣體調節裝置，進而能夠減少氣體輸送系統的組成部件而使其結構簡單、佔用面積小，且能夠降低半導體處理裝置的成本。並且，各支路氣體管路中均設置有緩衝器，不僅能夠發揮穩定所在支路氣體管路的傳輸氣體的壓力的作用，更能夠進一步消除其他支路氣體管路在突然關閉或突然開啟時造成的傳輸氣體的壓 力不穩的影響，進而提高了半導體處理裝置的性能。
100:氣體調節裝置
110:主開關閥
120:調壓閥
130:過濾器
140:壓力錶
200:支路氣體管路
210:支路開關閥
220:緩衝器
221:輸入管道
222:緩衝腔體
223:輸出管道
224:平衡板
225:提升閥
226:第一彈簧組件
227:第二彈簧組件
228:密封圈
229:氣體通孔
230:第一氣動閥
240:質量流量控制器
250:第二氣動閥
為了更清楚地說明本發明實施例或先前技術中的技術方案，下面將對實施例或先前技術說明中所需要使用的附圖作簡單地介紹。顯而易見地，下面說明中的附圖僅僅是本發明的實施例，對於本領域具有通常知識者而言，在不付出創造性勞動的前提下，可以進一步根據提供的附圖獲得其他的附圖。
圖1為本發明實施例提供的一種氣體輸送系統的結構示意圖；圖2為本發明實施例提供的另一種氣體輸送系統的結構示意圖；圖3為本發明實施例提供的又一種氣體輸送系統的結構示意圖；圖4為本發明實施例提供的一種緩衝器的結構示意圖；圖5為本發明實施例提供的另一種緩衝器的結構示意圖；圖6為本發明實施例提供的又一種緩衝器的結構示意圖。
下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地說明。顯而易見的是，所說明的實施例僅僅是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基於本發明中的實施例，本領域具有通常知識者在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬本發明保護的範圍。
正如先前技術所述，在電漿處理製程中需要向反應腔內通入特定流量、特定氣壓和特定氣體成分的反應氣體或者其它輔助氣體。而想要獲得這些具有特定參數的反應氣體或輔助氣體需要一個能精確控制氣體流量及壓力的 輸送系統連接在氣源和反應腔之間。而根據現有的設備廠商提供的設備，為節省占地面積，半導體設備通常為複數個反應腔室組成的簇群，由於反應製程的需要，各反應腔內都需要輸送多路反應氣體，因此，電漿處理裝置中的氣體輸送系統不僅要精確控制流量，更需要儘量精簡、集成，以減小占地面積，同時節約設備成本。
有鑑於此，本發明實施例提供了一種氣體輸送系統及半導體處理裝置，有效解決先前技術中存在的技術問題，提高了半導體處理裝置的性能。為實現上述目的，本發明實施例提供的技術方案如下，將結合圖1至圖6對本發明實施例提供的技術方案進行具體且詳細的說明。
參考圖1所示，為本發明實施例提供的一種氣體輸送系統的結構示意圖，根據圖1所示，各氣體輸送系統用於向複數個不同的反應腔室供應一種或數種特定的製程反應所需氣體。具體而言，本發明實施例提供的氣體輸送系統包括：氣體調節裝置100，氣體調節裝置100的輸入端接入處理氣體，氣體調節裝置100用於調節處理氣體的壓力後輸出；以及，複數個支路氣體管路200，各支路氣體管路200均包括依次連接的支路開關閥210、緩衝器220、第一氣動閥230及質量流量控制器240，其中，支路開關閥210的輸入端與氣體調節裝置100的輸出端相連，質量流量控制器240的輸出端連接相應的反應腔。
進一步的，本發明提供的支路氣體管路200進一步包括連接於質量流量控制器240與反應腔之間的第二氣動閥250，其中，第二氣動閥250的輸出端連接相應的反應腔，以進一步提高對支路氣體管路200的氣體輸送控制能力。
可以理解的是，本發明實施例提供的技術方案，在保證氣體輸送系統能夠將處理氣體輸送到反應腔的基礎上，使輸送同類型處理氣體的複數個支路氣體管路200共用同一個氣體調節裝置100，進而減少氣體輸送系統的組成部件而使其結構簡單、佔用面積小，且能夠降低半導體處理裝置的成本。並且， 各支路氣體管路200中均設置有緩衝器220，不僅能夠發揮穩定所在支路氣體管路200的傳輸氣體的壓力的作用，更能夠消除其他支路氣體管路200在突然關閉或突然開啟時造成的傳輸氣體的壓力不穩的影響，進而提高了半導體處理裝置的性能。
在本發明一實施例中，本發明所提供的質量流量控制器240(Mass Flow Controller，MFC)可以為對壓力不敏感的質量流量控制器(pressure insensitive MFC)。較佳地，本發明實施例提供的質量流量控制器240為壓力式質量流量控制器。
可以理解的是，本發明實施例提供的氣體輸送系統採用壓力式質量流量控制器，其能夠提高氣體流量的控制精度而消除氣體控制不穩定性影響。其次，由於壓力式質量流量控制器無需對其內部進行加熱而降低了內壁與處理氣體之間的反應能力，進而增加了其抗腐蝕的性能；同時可以進一步對質量流量控制器240內部進行可熔性聚四氟乙烯(Polytetrafluoro ethylene，PFA)鍍膜，以進一步提高抗腐蝕性能。
在本發明一實施例中，本發明提供的氣體調節裝置100主要用於對處理氣體進行壓力調節後輸出，且將輸送同類型處理氣體的複數個支路氣體管路200共用同一個氣體調節裝置100，進而能夠降低半導體處理裝置的成本。其中，本發明實施例提供的氣體調節裝置100可以包括開關閥及調壓閥120。具體參考圖2所示，圖2為本發明實施例提供的另一種氣體輸送系統的結構示意圖。其中，本發明實施例提供的氣體調節裝置100包括依次連接的主開關閥110和調壓閥120。其中，主開關閥110的輸入端接入處理氣體，調壓閥120的輸出端連接支路開關閥210的輸入端。
在本發明一實施例中，本發明提供的支路開關閥210及主開關閥110可以為手動閥。以及，本發明實施例提供的主開關閥110及調壓閥120之間可以進一步設置氣動閥，對此本發明不作具體限制。
進一步的，為了提高輸送的處理氣體的品質，本發明實施例提供的氣體調節裝置100進一步包括連接於調壓閥120與支路開關閥210之間的過濾器130。參考圖3所示，圖3為本發明實施例提供的又一種氣體輸送系統的結構示意圖。其中，在調壓閥120與支路開關閥210之間進一步連接有過濾器130，以對處理氣體進行過濾處理。
以及參考圖3所示，本發明實施例提供的氣體調節裝置100進一步包括連接於調壓閥120與支路開關閥210之間的壓力錶140，其中，透過壓力錶140進一步監測調壓閥120對處理氣體調壓後的壓力，保證氣體調節裝置100對處理氣體進行壓力調節的精確度高。
在本發明一實施例中，本發明提供的支路氣體管路200中設置有緩衝器220，進而透過緩衝器220解決其所在支路氣體管路200的傳輸氣體壓力波動問題，同時更能夠進一步消除其他支路氣體管路200在突然關閉或突然開啟時造成的傳輸氣體的壓力不穩的影響。參考圖4所示，圖4為本發明實施例提供的一種緩衝器的結構示意圖。其中，本發明實施例提供的緩衝器220包括依次連接的輸入管道221、緩衝腔體222和輸出管道223。其中，在垂直氣體流向X的方向Y上，緩衝腔體222的截面寬度大於輸入管道221及輸出管道223的截面寬度。即，本發明實施例提供的緩衝器220可以為一個簡單的容器結構，透過該容器結構來解決傳輸氣體的壓力波動問題。
進一步地，本發明可以對緩衝器220進行結構最佳化，以進一步提高緩衝器220的性能，進而達到提高氣體輸送系統的性能的目的。參考圖5所示，圖5為本發明實施例提供的另一種緩衝器的結構示意圖。其中，本發明實施 例提供的緩衝器220包括依次連接的輸入管道221、緩衝腔體222和輸出管道223。其中，在垂直氣體流向X的方向Y上，緩衝腔體222的截面寬度大於輸入管道221及輸出管道223的截面寬度。以及，本發明提供的緩衝器220進一步包括：設置於緩衝腔體222內的平衡板224；固定於平衡板224朝向輸出管道223一側，且與輸出管道223的端口相對應的提升閥225；以及，連接於緩衝腔體222的內壁與平衡板224朝向輸出管道223一側板面的第一彈簧組件226，及連接於緩衝腔體222的內壁與平衡板224朝向輸入管道221一側板面的第二彈簧組件227。
可以理解的是，本發明提供的緩衝器220中的彈簧組件能夠發揮支撐作用。其中緩衝器220的工作原理為：當輸入管道221處壓力突然變大時，平衡板224朝向輸入管道221側受力比朝向輸出管道223側受力大，進而推動提升閥225朝向輸出管道223運動，亦即，朝堵塞提升閥225與輸出管道223之間進氣口的趨勢運動；隨著提升閥225與輸出管道223之間進氣口變小，而產生流阻以避免輸出管道223後端壓力突然變大。而後，隨著輸出管道223後端壓力緩慢增加而漸漸建立壓力平衡點，最終使平衡板224恢復到初始位置，進而完成整個緩衝過程。
進一步的，本發明進一步可以對緩衝器220進行結構進行更詳細最佳化，參考圖6所示，圖6為本發明實施例提供的又一種緩衝器的結構示意圖。其中，本發明實施例提供的緩衝器220包括依次連接的輸入管道221、緩衝腔體222和輸出管道223。其中，在垂直氣體流向X的方向Y上，緩衝腔體222的截面寬度大於輸入管道221及輸出管道223的截面寬度。以及，本發明提供的緩衝器220進一步包括：設置於緩衝腔體222內的平衡板224；固定於平衡板224朝向輸出管道223一側，且與輸出管道223的端口相對應的提升閥225；以及，連接於緩衝腔體222的內壁與平衡板224朝向輸出管道223一側板面的第一彈簧組件226， 及連接於緩衝腔體222的內壁與平衡板224朝向輸入管道221一側板面的第二彈簧組件227。
以及，本發明實施例提供的平衡板224在垂直氣體流向X的方向Y上的側壁進一步設置有密封圈228，且密封圈228與緩衝腔體222的內壁接觸；以及，平衡板224上設置有複數個氣體通孔229。
可以理解的，本發明實施例提供的平衡板224的側壁可以嵌入密封圈228，且本發明提供的密封圈228可以為O-Ring密封圈，對此本發明不作具體限制。進一步地，透過密封圈228與緩衝腔體222的內壁的摩擦力來進一步緩衝傳輸氣體的壓力波動。
相應的，本發明實施例進一步提供了一種半導體處理裝置，半導體處理裝置包括至少一個反應腔，及至少一個如上述任意一實施例所提供的氣體輸送系統；其中，任意一個反應腔與至少一個氣體輸送系統相連。
在本發明一實施例中，本發明提供的半導體處理裝置可以為電漿處理裝置，對此本發明不作具體限制。
本發明實施例提供了一種氣體輸送系統及半導體處理裝置，包括：氣體調節裝置，氣體調節裝置的輸入端接入處理氣體，氣體調節裝置用於調節處理氣體的壓力後輸出；以及，複數個支路氣體管路，各支路氣體管路均包括依次連接的支路開關閥、緩衝器、第一氣動閥及質量流量控制器，其中，支路開關閥的輸入端與氣體調節裝置的輸出端相連，質量流量控制器的輸出端連接相應的反應腔。
由上述內容可知，本發明實施例提供的技術方案，在保證氣體輸送系統能夠將處理氣體輸送到反應腔的基礎上，使輸送同類型處理氣體的複數個支路氣體管路共用同一個氣體調節裝置，進而能夠減少氣體輸送系統的組成部件而使其結構簡單、佔用面積小，且能夠降低半導體處理裝置的成本。並且， 各支路氣體管路中均設置有緩衝器，不僅能夠發揮穩定所在支路氣體管路的傳輸氣體的壓力的作用，更能夠進一步消除其他支路氣體管路在突然關閉或突然開啟時造成的傳輸氣體的壓力不穩的影響，進而提高了半導體處理裝置的性能。
對所揭露的實施例的上述說明，使本領域具有通常知識者能夠實現或使用本發明。對這些實施例的多種修改對本領域具有通常知識者來說將是顯而易見的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本發明的精神或範圍的情況下，在其它實施例中實現。因此，本發明將不限定於本文所示的這些實施例，而是要符合與本文所揭露的原理和新穎特點相一致的最寬的範圍。
100:氣體調節裝置
200:支路氣體管路
210:支路開關閥
220:緩衝器
230:第一氣動閥
240:質量流量控制器
250:第二氣動閥

Claims (11)

  1. 一種氣體輸送系統，包括：一氣體調節裝置，該氣體調節裝置的輸入端接入一處理氣體，該氣體調節裝置用於調節該處理氣體的壓力後輸出；以及，複數個支路氣體管路，各該支路氣體管路均包括依次連接的一支路開關閥、一緩衝器、一第一氣動閥及一質量流量控制器，其中，該支路開關閥的輸入端與該氣體調節裝置的輸出端相連，該質量流量控制器的輸出端連接相應的一反應腔。
  2. 如請求項1所述之氣體輸送系統，其中該氣體調節裝置包括依次連接的一主開關閥和一調壓閥，其中，該主開關閥的輸入端接入該處理氣體，該調壓閥的輸出端連接該支路開關閥的輸入端。
  3. 如請求項2所述之氣體輸送系統，其中該氣體調節裝置進一步包括連接於該調壓閥與該支路開關閥之間的一過濾器。
  4. 如請求項2所述之氣體輸送系統，其中該氣體調節裝置進一步包括連接於該調壓閥與該支路開關閥之間的一壓力錶。
  5. 如請求項1所述之氣體輸送系統，其中該緩衝器包括依次連接的一輸入管道、一緩衝腔體和一輸出管道，其中，在垂直氣體流向的方向上，該緩衝腔體的截面寬度大於該輸入管道及該輸出管道的截面寬度。
  6. 如請求項5所述之氣體輸送系統，其中該緩衝器進一步包括： 設置於該緩衝腔體內的一平衡板；固定於該平衡板朝向該輸出管道一側，且與該輸出管道的端口相對應的一提升閥；以及，連接於該緩衝腔體的內壁與該平衡板朝向該輸出管道一側板面的一第一彈簧組件，及連接於該緩衝腔體的內壁與該平衡板朝向該輸入管道一側板面的一第二彈簧組件。
  7. 如請求項6所述之氣體輸送系統，其中該平衡板在垂直氣體流向的方向上的側壁進一步設置有一密封圈，且該密封圈與該緩衝腔體的內壁接觸；以及，該平衡板上設置有複數個氣體通孔。
  8. 如請求項1所述之氣體輸送系統，其中該質量流量控制器為壓力式質量流量控制器。
  9. 如請求項1所述之氣體輸送系統，其中該支路氣體管路進一步包括連接於該質量流量控制器和該反應腔之間的一第二氣動閥。
  10. 一種半導體處理裝置，其中該半導體處理裝置包括至少一反應腔，及至少一個如請求項1至請求項9中的任意一項所述之氣體輸送系統；其中，任意一個該反應腔與至少一個該氣體輸送系統相連。
  11. 如請求項10所述之半導體處理裝置，其中該半導體處理裝置為電漿處理裝置。
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Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW440926B (en) * 1999-02-16 2001-06-16 Komatsu Denshi Kinzoku Kk Gas mixing and feeding method and its device
TW501196B (en) * 1999-08-05 2002-09-01 Tokyo Electron Ltd Cleaning device, cleaning system, treating device and cleaning method
WO2012020190A1 (fr) * 2010-08-12 2012-02-16 Snecma Propulseur electrique, procede d'arret d'un moteur electrique compris dans un tel propulseur et satellite comprenant un tel propulseur
US20140193977A1 (en) * 2011-08-31 2014-07-10 Tokyo Electron Limited Plasma etching method and plasma etching apparatus
US20160372348A1 (en) * 2015-06-19 2016-12-22 Tokyo Electron Limited Gas supply system, gas supply control method and gas replacement method
US20180108523A1 (en) * 2015-05-18 2018-04-19 National Institute Of Metrology, China Mass Spectrometry Device and Analysis Method for Gas Phase Molecule-ion Reaction

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5762102A (en) * 1995-06-01 1998-06-09 Becker Precision Equipment, Inc. Pneumatically controlled no-bleed valve and variable pressure regulator
CN2246224Y (zh) * 1995-09-18 1997-01-29 杨元昌 流体输送自动平衡控制器
DE102010062440B4 (de) * 2010-12-06 2022-12-01 Robert Bosch Gmbh Kraftstoffeinspritzsystem für eine Brennkraftmaschine
TWI587115B (zh) * 2013-08-27 2017-06-11 Acm Res (Shanghai) Inc Cleaning fluid flow control system and control method
DE102014223240A1 (de) * 2014-11-14 2016-05-19 Robert Bosch Gmbh Niederdruckregelsystem einer Kraftstofffördereinrichtung eines Kraftstoffeinspritzsystems sowie ein Absteuerventil dazu
CN106641361B (zh) * 2016-11-29 2021-02-19 广州华凌制冷设备有限公司 一种自适应节流阀、空调系统
CN207315536U (zh) * 2017-09-29 2018-05-04 福州大学 一种车用lng供气系统
CN210866115U (zh) * 2019-11-05 2020-06-26 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种气体输送系统及半导体处理装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW440926B (en) * 1999-02-16 2001-06-16 Komatsu Denshi Kinzoku Kk Gas mixing and feeding method and its device
TW501196B (en) * 1999-08-05 2002-09-01 Tokyo Electron Ltd Cleaning device, cleaning system, treating device and cleaning method
WO2012020190A1 (fr) * 2010-08-12 2012-02-16 Snecma Propulseur electrique, procede d'arret d'un moteur electrique compris dans un tel propulseur et satellite comprenant un tel propulseur
US20140193977A1 (en) * 2011-08-31 2014-07-10 Tokyo Electron Limited Plasma etching method and plasma etching apparatus
US20180108523A1 (en) * 2015-05-18 2018-04-19 National Institute Of Metrology, China Mass Spectrometry Device and Analysis Method for Gas Phase Molecule-ion Reaction
US20160372348A1 (en) * 2015-06-19 2016-12-22 Tokyo Electron Limited Gas supply system, gas supply control method and gas replacement method

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