TWI761414B - 基於超出規格點之減少之用於對準量測的取樣圖之判定 - Google Patents

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Abstract

一種用於判定用於對準量測的一樣本圖之系統包含一度量衡工具及一控制器。該控制器定義包含複數個量測位置之一全取樣圖。該控制器引導該度量衡工具針對複數個樣本在該全取樣圖之各量測位置處量測對準以產生一參考對準資料集，且該控制器產生各自為該全取樣圖之一子集之候選取樣圖。該控制器進一步可基於該兩個或更多個候選取樣圖在該全取樣圖之各量測位置處依據位置估計對準，且藉由比較該估計對準與該參考對準資料集且選擇具有超過一選定容限之最小數目個對準估計之候選取樣圖而判定一工作取樣圖。

Description

基於超出規格點之減少之用於對準量測的取樣圖之判定
本發明大體上係關於對準度量衡，且更特定言之係關於判定用於對準度量衡之取樣位置。
在一製程之各個步驟，必須將半導體晶圓準確地定位於製造工具內以適當地產生印刷特徵。因此，可在整個一製程中利用度量衡工具來監測晶圓在一製造工具內之對準及/或晶圓上之印刷層之疊對。例如，一度量衡工具可在一曝露步驟之前量測一晶圓在一微影工具中之對準以確保一待曝露圖案與樣本上之現有特徵適當對準。藉由另一實例，一度量衡工具可量測晶圓上之兩個或更多個印刷層之疊對以特性化製程之精度。因此，對準資料可包含但不限於與樣本在一製造工具中之對準相關聯之樣本對準資料或與晶圓之兩個或更多個印刷層之對準相關聯之疊對資料。 度量衡工具通常可在跨一晶圓之多個位置處量測對準且產生一數學模型，以跨晶圓之至少一部分估計對準。然而，在一生產環境中執行之對準量測之數目必須經選擇以平衡模型之準確性與對處理量之影響。因此，將期望提供一種用於解決諸如上文識別的缺陷之缺陷之系統及方法。
本發明揭示一種根據本發明之一或多項闡釋性實施例之系統。在一項闡釋性實施例中，該系統包含一度量衡工具。在另一闡釋性實施例中，該系統包含一控制器。在一項闡釋性實施例中，該控制器定義包含複數個量測位置之一全取樣圖。在另一闡釋性實施例中，該控制器引導該度量衡工具針對複數個樣本在該全取樣圖之各量測位置處量測對準以產生一參考對準資料集，其中一經量測對準係基於由偵測器收集之自該樣本放射之輻射。在另一闡釋性實施例中，該控制器產生兩個或更多個候選取樣圖，其中該兩個或更多個候選取樣圖之各者係該全取樣圖之一子集。根據本發明之一或多項闡釋性實施例，該控制器基於該兩個或更多個候選取樣圖定義兩個或更多個候選取樣圖模型以依據位置估計對準。在另一闡釋性實施例中，該控制器基於該兩個或更多個候選取樣模型計算兩個或更多個估計對準資料集，其中該兩個或更多個估計對準資料集包含在該全取樣圖之該複數個量測位置處進行之對準估計。在另一闡釋性實施例中，該控制器藉由比較該兩個或更多個估計對準資料集與該參考對準資料集而自該兩個或更多個候選取樣圖判定一工作取樣圖，其中該工作取樣圖包含超過一選定容限之最小數目個對準估計。 本發明揭示一種根據本發明之一或多項闡釋性實施例之系統。在一項闡釋性實施例中，該系統包含一控制器。在另一闡釋性實施例中，該控制器定義包含複數個量測位置之一全取樣圖。在另一闡釋性實施例中，該控制器引導度量衡工具針對複數個樣本在該全取樣圖之各量測位置處量測對準以產生一參考對準資料集，其中一經量測對準係基於由偵測器收集之回應於來自一照明源之照明而自該樣本放射之輻射。在另一闡釋性實施例中，該控制器產生兩個或更多個候選取樣圖，其中該兩個或更多個候選取樣圖之各者係該全取樣圖之一子集。在另一闡釋性實施例中，該控制器基於該兩個或更多個候選取樣圖定義兩個或更多個候選取樣圖模型以依據位置估計對準。在另一闡釋性實施例中，該控制器基於該兩個或更多個候選取樣模型計算兩個或更多個估計對準資料集，其中該兩個或更多個估計對準資料集包含在該全取樣圖之該複數個量測位置處進行之對準估計。在另一闡釋性實施例中，該控制器藉由比較該兩個或更多個估計對準資料集與該參考對準資料集而自該兩個或更多個候選取樣圖判定一工作取樣圖，其中該工作取樣圖包含超過一選定容限之最小數目個對準估計。 本發明揭示一種根據本發明之一或多項闡釋性實施例之系統。在一項闡釋性實施例中，該系統包含一度量衡工具。在另一闡釋性實施例中，該系統包含一控制器。在另一闡釋性實施例中，該控制器定義包含複數個量測位置之一全取樣圖。在另一闡釋性實施例中，該控制器引導該度量衡工具針對複數個樣本在該全取樣圖之各量測位置處量測對準以產生一參考對準資料集，其中一經量測對準係基於由偵測器收集之自該樣本放射之輻射。在另一闡釋性實施例中，該控制器基於該參考對準資料集定義一參考取樣圖模型以依據位置估計對準。在另一闡釋性實施例中，該控制器基於該參考對準資料集計算一參考對準估計資料集，其中該參考對準估計資料集包含在兩個或更多個選定位置處進行之對準估計。在另一闡釋性實施例中，該控制器產生兩個或更多個候選取樣圖，該兩個或更多個候選取樣圖之各者係該全取樣圖之一子集。在另一闡釋性實施例中，該控制器基於該兩個或更多個候選取樣圖定義兩個或更多個候選取樣圖模型以依據位置估計對準。在另一闡釋性實施例中，該控制器基於該兩個或更多個候選取樣模型計算兩個或更多個估計對準資料集，其中該兩個或更多個估計對準資料集包含在該兩個或更多個選定位置處進行之對準估計。在另一闡釋性實施例中，該控制器藉由比較該兩個或更多個估計對準資料集與該參考對準估計資料集而自該兩個或更多個候選取樣圖判定一工作取樣圖，其中該工作取樣圖包含超過一選定容限之最小數目個對準估計。 本發明揭示一種根據本發明之一或多項闡釋性實施例之用於選擇一樣本圖之方法。在一項闡釋性實施例中，該方法包含定義包含複數個量測位置之一全取樣圖。在另一闡釋性實施例中，該方法包含針對複數個樣本在該全取樣圖之各量測位置處量測對準以產生一參考對準資料集。在另一闡釋性實施例中，該方法包含產生兩個或更多個候選取樣圖，其中該兩個或更多個候選取樣圖之各者係該全取樣圖之一子集。在另一闡釋性實施例中，該方法包含基於該兩個或更多個候選取樣圖定義兩個或更多個候選取樣圖模型以依據位置估計對準。在另一闡釋性實施例中，該方法包含基於該兩個或更多個候選取樣模型計算兩個或更多個估計對準資料集，其中該兩個或更多個估計對準資料集包含在該全取樣圖之該複數個量測位置處進行之對準估計。在另一闡釋性實施例中，該方法包含藉由比較該兩個或更多個估計對準資料集與該參考對準資料集而自該兩個或更多個候選取樣圖判定一工作取樣圖，其中該工作取樣圖包含超過一選定容限之最小數目個對準估計。 應瞭解，前述一般描述及以下[實施方式]兩者僅為例示性的及說明性的，且不一定限制如所主張之本發明。併入於本說明書中且構成本說明書之一部分之隨附圖式繪示本發明之實施例且連同一般描述一起用來說明本發明之原理。
相關申請案之交叉參考 本申請案依據35 U.S.C. § 119(e)規定主張2017年1月5日申請之以Brent Allen Riggs、Onur Nihat Demirer及William Pierson為發明者之標題為SAMPLING OPTIMIZATION METHODS FOR OVERLAY AND ALIGNMENT OUT OF SPEC POINT REDUCTION之美國臨時申請案序號62/442,843之權利，該案之全文以引用的方式併入本文中。 現將詳細參考在隨附圖式中繪示之所揭示標的。已關於某些實施例及其之特定特徵特別地展示且描述本發明。本文中闡述之實施例被視為闡釋性的而非限制性的。一般技術者應容易明白，可在不脫離本發明之精神及範疇之情況下進行形式及細節之各種改變及修改。 本發明之實施例係關於用於判定用於在半導體晶圓上量測對準的包含量測位置之取樣圖的系統及方法。例如，一度量衡工具可在跨樣本之多個位置處量測對準資料。對準資料可包含但不限於與樣本在一製造工具或一生產工具中之對準相關聯之樣本對準資料，或與樣本之兩個或更多個印刷層之對準相關聯之疊對資料。此外，可在一生產環境中之當前度量衡工具或未來工具中利用對準資料產生用於樣本之對準校正。 在一般意義上，對一晶圓執行之若干對準量測可增大已知跨晶圓之對準誤差之精度但亦可降低處理量。因此，可期望在有限數目個量測位點處量測對準且產生依據位置而變化之一對準模型。在此方面，可估計樣本之任何位置處之對準。額外實施例係關於產生選定數目個候選取樣圖以提供跨一晶圓之量測位點之不同數目及/或位置，及比較跨晶圓之估計對準資料與一參考資料集以選擇一工作取樣圖。進一步實施例係關於基於一選定容限將工作取樣圖選擇為具有最小數目個超出規格對準估計之候選取樣圖之一者。選定容限可包含一估計對準值與一參考對準量測之間的一絕對值差(例如，一殘差)。此外，選定容限可在一單一方向上定義(此係因為在不同方向上具有不同容限)或其係基於估計誤差之量值。基於最小化超出規格對準估計之數目之一選擇度量可藉由明確地拒絕提供超出基於估計誤差的一選定容限之對準估計的取樣圖而與額外度量(例如，最小化跨整個晶圓之估計對準值與參考對準量測之間的差之一統計分析)相比提供增大的對準準確性。 如在本發明各處所使用，術語「樣本」一般指代由一半導體或非半導體材料(例如，一晶圓或類似者)形成之一基板。例如，一半導體或非半導體材料可包含但不限於單晶矽、砷化鎵及磷化銦。為本發明之目的，術語樣本及晶圓應解釋為可互換的。 一半導體裝置可形成為印刷元件之多個層。例如，此等層可包含但不限於一抗蝕劑、一介電材料、一導電材料及一半導電材料。此項技術中已知許多不同類型之此等層，且如本文中使用之術語樣本意欲涵蓋其上可形成全部類型之此等層之一樣本。形成於一樣本上之一或多個層可經圖案化或未經圖案化。例如，一樣本可包含複數個晶粒，各晶粒具有可重複圖案化特徵。此等材料層之形成及處理最終可導致完成裝置。許多不同類型之裝置可形成於一樣本上，且如本文中使用之術語樣本意欲涵蓋正在其上製造此項技術中已知之任何類型的裝置之一樣本。 可透過一系列加性或減性程序步驟而製造一樣本上與一程序層相關聯之印刷特徵，該等程序步驟諸如但不限於一或多個材料沈積步驟、一或多個微影步驟、一或多個蝕刻步驟或一或多個剝離步驟。例如，用於印刷特徵之一微影蝕刻(LE)程序可包含但不限於：將一光敏材料之一層沈積至一樣本(例如，一抗蝕層)上；將具有用以修改光敏材料之抗蝕性之一圖案遮罩之一影像的樣本曝露於一蝕刻劑；及蝕除光敏層之經曝露部分或未曝露部分以留下對應於圖案遮罩之影像之印刷特徵。此外，光敏材料可用作一硬遮罩，使得一蝕刻步驟可包含：蝕刻經過光敏材料而至光敏材料下方之樣本之一或多個層中。可視需要藉由後續程序步驟移除光敏材料。 必須在特定容限內製造各程序層以適當地構造最終裝置。通常期望一給定程序層相對於樣本上之現有特徵準確地對準。因此，可利用度量衡工具在一製程之各個階段監測對準。 本發明之額外實施例係關於量測一樣本在一生產工具(例如，一微影工具或類似者)內之對準。在此方面，一度量衡工具可產生樣本上之一或多個位置處之對準資料。對準資料可包含但不限於樣本在生產工具內之一階或高階平移、旋轉或放大。例如，一度量衡工具可產生與跨樣本分佈之一或多個對準標記相關聯之對準資料。對準標記可指示單向對準資訊(例如，笛卡爾(Cartesian)座標中之僅X或僅Y對準資訊)或雙向對準資訊(例如，X及Y資訊兩者)。此外，一度量衡工具可(但不要求)判定對準標記相對於一倍縮光罩上用於對準判定之一標稱位置或圖案之相對位置。本發明之進一步實施例係關於以一回饋方式及/或一前饋方式利用樣本對準資料。例如，可即時利用樣本對準資料以在一指定容限內將一樣本對準或定向於生產工具中。 本發明之額外實施例係關於量測一樣本上之兩個或更多個印刷層之疊對。在此方面，可分析一或多個生產程序之準確性。例如，一度量衡工具可產生與一或多個疊對目標相關聯之疊對資料。疊對目標可為此項技術中已知之任何類型之疊對目標，諸如但不限於先進成像度量衡(AIM)目標、盒中盒目標或散射量測目標。本發明之進一步實施例係關於以一回饋方式及/或一前饋方式利用疊對資料。例如，可將疊對資料回饋至生產工具以補償未來生產運作上之疊對誤差。藉由另一實例，可將疊對資料提供至額外生產工具以在涉及一樣本之未來製造步驟中補償該樣本之任何經量測疊對不準確性。 圖1A係繪示根據本發明之一或多項實施例之一度量衡系統100之一概念圖。度量衡系統100可使用此項技術中已知之任何方法來量測對準。在一項實施例中，度量衡系統100包含用以基於一樣本之一或多個影像之產生而量測對準資料之一基於影像之度量衡工具。在另一實施例中，度量衡系統100包含用以基於來自樣本之光之散射(反射、繞射、漫散射或類似者)而量測度量衡資料之一基於散射量測之度量衡工具。 在一項實施例中，度量衡系統100包含用以產生一度量衡照明光束104之一度量衡照明源102。度量衡照明光束104可包含一或多個選定波長之光，包含但不限於紫外線(UV)輻射、可見光輻射或紅外線(IR)輻射。 在另一實施例中，度量衡照明源102經由一照明路徑108將度量衡照明光束104引導至一樣本106。照明路徑108可包含適於修改及/或調節度量衡照明光束104之一或多個透鏡110或額外光學組件112。例如，一或多個光學組件112可包含但不限於一或多個偏光器、一或多個濾光片、一或多個光束分離器、一或多個漫射體、一或多個均質器、一或多個變跡器或者一或多個光束整形器。在另一實施例中，度量衡系統100包含用以將度量衡照明光束104聚焦至樣本106上之一物鏡114。 在另一實施例中，樣本106經安置於一樣本載台116上。樣本載台116可包含適於將樣本106定位於度量衡系統100內之任何裝置。例如，樣本載台116可包含線性平移載台、旋轉載台、翻轉/傾斜(tip/tilt)載台或類似者之任何組合。 在另一實施例中，度量衡系統100包含經組態以透過一收集路徑120捕獲自樣本106放射之輻射之一偵測器118。例如，可接收由收集路徑120中之元件(例如，物鏡114、更多透鏡122或類似者)提供之樣本106之一影像。藉由另一實例，一偵測器118可接收自樣本106反射或散射(例如，經由鏡面反射、漫反射及類似者)之輻射。藉由另一實例，一偵測器118可接收由樣本106產生之輻射(例如，與度量衡照明光束104之吸收相關聯之發光或類似者)。藉由另一實例，一偵測器118可接收來自樣本106之一或多個繞射階輻射(例如，0階繞射、±1階繞射、±2階繞射及類似者)。 偵測器118可包含此項技術中已知之適於量測自樣本106接收之照明之任何類型之光學偵測器。例如，一偵測器118可包含但不限於一CCD偵測器、一TDI偵測器、一光電倍增管(PMT)、一雪崩光二極體(APD)或類似者。在另一實施例中，一偵測器118可包含適於識別自樣本106放射之輻射之波長之一光譜偵測器。 收集路徑120進一步可包含用以引導及/或修改由物鏡114收集之照明之任何數目個光學元件，包含但不限於一或多個透鏡122、一或多個濾光片、一或多個偏光器或一或多個光束擋塊。 在一項實施例中，如圖1A中繪示，度量衡系統100包含一光束分離器124，其經定向使得物鏡114可同時將度量衡照明光束104引導至樣本106且收集自樣本106放射之輻射。在此方面，度量衡系統100可以一落射照明(epi-illumination)模式組態。 在另一實施例中，度量衡系統100包含一控制器126。在另一實施例中，控制器126包含經組態以執行保存在一記憶媒體130上之程式指令之一或多個處理器128。在此方面，控制器126之一或多個處理器128可執行在本發明各處描述之各種程序步驟之任一者。此外，控制器126可經組態以接收包含但不限於度量衡資料(例如，對準量測結果、目標之影像、光瞳影像及類似者)或度量衡度量(例如，精度、工具誘發之移位、靈敏度、繞射效率及類似者)之資料。 一控制器126之一或多個處理器128可包含此項技術中已知之任何處理元件。在此意義上，一或多個處理器128可包含經組態以執行演算法及/或指令之任何微處理器型裝置。在一項實施例中，一或多個處理器128可由以下各者組成：一桌上型電腦、主機電腦系統、工作站、影像電腦、平行處理器，或經組態以執行經組態以如在本發明各處描述般操作度量衡系統100之一程式之任何其他電腦系統(例如，網路電腦)。進一步認識到，術語「處理器」可廣泛定義為涵蓋具有執行來自一非暫時性記憶媒體130之程式指令之一或多個處理元件的任何裝置。此外，在本發明各處描述之步驟可由一單一控制器126或者多個控制器實行。另外，控制器126可包含容置於一共同外殼中或容置於多個外殼內之一或多個控制器。以此方式，可將任何控制器或控制器組合單獨封裝為適於整合至度量衡系統100中之一模組。此外，控制器126可分析自偵測器118接收之資料且將資料饋送至度量衡系統100內或度量衡系統100外部之額外組件。 記憶媒體130可包含此項技術中已知之適於儲存可由相關聯之一或多個處理器128執行之程式指令的任何儲存媒體。例如，記憶媒體130可包含一非暫時性記憶媒體。藉由另一實例，記憶媒體130可包含但不限於一唯讀記憶體、一隨機存取記憶體、一磁性或光學記憶體裝置(例如，磁碟)、一磁帶、一固態硬碟及類似者。進一步應注意，記憶媒體130可與一或多個處理器128容置於一共同控制器外殼中。在一項實施例中，記憶媒體130可相對於一或多個處理器128及控制器126之實體位置遠端地定位。例如，控制器126之一或多個處理器128可存取可透過一網路(例如，網際網路、內聯網路及類似者)存取之一遠端記憶體(例如，伺服器)。因此，上文描述不應解釋為對本發明之一限制而是僅為一繪示。 圖1B係繪示根據本發明之一或多項實施例之一度量衡系統100之一概念圖，其中一照明路徑108及一收集路徑120包含分開元件。例如，照明路徑108可利用一第一聚焦元件132來將度量衡照明光束104聚焦至樣本106上，且收集路徑120可利用一第二聚焦元件134來收集來自樣本106之輻射。在此方面，第一聚焦元件132及第二聚焦元件134之數值孔徑可為不同的。此外，本文中應注意，圖1B中描繪之度量衡系統100可促進對樣本106之多角度照明及/或一個以上度量衡照明源102 (例如，耦合至一或多個額外偵測器118)。在此方面，圖1B中描繪之度量衡系統100可執行多個度量衡量測。在另一實施例中，一或多個光學組件可經安裝至繞樣本106樞轉之一可旋轉臂(未展示)，使得度量衡照明光束104在樣本106上之入射角度可由可旋轉臂之位置控制。 在另一實施例中，度量衡系統100可包含多個偵測器118 (例如，與由一或多個光束分離器產生之多個光束路徑相關聯)以促進由度量衡系統100進行之多個度量衡量測(例如，多個度量衡工具)。 在另一實施例中，度量衡照明光束104在樣本106上之入射角度係可調整的。例如，度量衡照明光束104穿過光束分離器124及物鏡114之路徑可經調整以控制度量衡照明光束104在樣本106上之入射角度。在此方面，度量衡照明光束104可具有穿過光束分離器124及物鏡114之一標稱路徑，使得度量衡照明光束104在樣本106上具有一法向入射角。此外，可藉由修改度量衡照明光束104在光束分離器124上之位置及/或角度(例如，藉由可旋轉鏡、一空間光調變器、一自由形式照明源或類似者)而控制度量衡照明光束104在樣本106上之入射角度。在另一實施例中，度量衡照明源102以一角度(例如，一掠射角、一45度角或類似者)將一或多個度量衡照明光束104引導至樣本106。 在另一實施例中，控制器126通信地耦合至度量衡照明源102及/或照明路徑108之元件以引導度量衡照明光束104與樣本106之間的入射角度之調整。在另一實施例中，控制器126引導度量衡照明源102提供一或多個選定波長之照明(例如，回應於回饋)。在一般意義上，控制器126可與度量衡系統100內之任何元件通信地耦合。 圖2係繪示根據本發明之一或多項實施例之在一方法200中執行之步驟之一流程圖，該方法200用於判定用於對準量測的一取樣圖。申請人強調，本文中先前在度量衡系統100之內容背景中描述之實施例及使能技術應解釋為擴展至方法200。然而，進一步應注意，方法200不限於度量衡系統100之架構。 可將一樣本劃分為多個圖場(field)。例如，可將一樣本劃分為基於一樣本上之製造特徵(例如，晶片)之分組的圖場。藉由另一實例，可將一樣本劃分為對應於一或多個生產工具(例如，微影工具、度量衡工具或類似者)之一視域之圖場。例如，一微影步進器工具可循序地曝露一樣本上之一系列圖場，其中各圖場之大小對應於微影步進器工具之一視域。因此，可針對樣本之各圖場量測對準(例如，樣本對準、疊對對準或類似者)且可對其進行校正。此外，樣本之各圖場可具有可量測對準之多個位置。 在樣本之各圖場內之多個位置處量測對準可為不切實際的或不期望的。因此，可期望在各圖場內之一單一位置處量測該圖場，或在一些情況中，在樣本上之圖場之一子集處量測圖場。在此等情況中，可在由一工作取樣圖定義之可能量測位置之一子集處量測對準，且可基於在此等位置處量測之對準產生一模型以依據樣本上之位置估計對準。 在一項實施例中，方法200包含一步驟202：定義包含複數個量測位置之一全取樣圖。 圖3係根據本發明之一或多項實施例之一全取樣圖302之一概念圖。在一項實施例中，一全取樣圖302包含複數個量測位置304，可在該等量測位置304處量測一樣本上之對準。例如，全取樣圖302之各量測位置304可包含一或多個對準標記或一或多個疊對目標，使得一度量衡工具(例如，與一度量衡系統100相關聯)可在各量測位置304處量測對準。 一全取樣圖302可包含足夠數目個量測位置304以根據一選定精度特性化一樣本上之對準。例如，一全取樣圖302在一樣本(例如，樣本106)之各圖場306內可包含(但不要求包含)至少一個量測位置。在一般意義上，可量測及因此校正對準之精度隨量測位置304之數目而增大。 在一項實施例中，全取樣圖302之各圖場306包含多個量測位置304。例如，如圖3中繪示，各圖場306可包含但不限於全取樣圖302內之四個量測位置304。在此方面，可透過分析在一特定圖場306內進行之多個對準量測而產生與該圖場306相關聯之一對準量測。在一個例項中，可藉由平均化在圖場306內進行之多個對準量測而產生一對準量測。在另一例項中，可藉由取得在圖場306內進行之多個對準量測之一中值而產生一對準量測。 各圖場306內之量測位置304可根據任何分佈而分佈。在一項實施例中，如圖3中繪示，各圖場306之量測位置可為恆定的。在另一實施例(未展示)中，不同圖場306之量測位置可變化。 在另一實施例中，全取樣圖302之各圖場306包含一單一量測位置304。在另一實施例中，全取樣圖302可針對圖場306之一子集包含量測位置304。 在另一實施例中，方法200包含一步驟204：針對複數個樣本在全取樣圖302之各量測位置處量測對準以產生一參考對準資料集。 本文中認識到，對準誤差可因多種誤差源而產生，包含但不限於晶圓級誤差、圖場級誤差或雜訊。晶圓級誤差可包含但不限於載台控制誤差(例如，與樣本載台116相關聯之抖動、重複性誤差或類似者)或晶圓變形。圖場級誤差可包含但不限於與照明源相關聯之圖場間照明條件之變動，或倍縮光罩對準誤差。另外，誤差可能與熱梯度有關(例如，與掃描器中或浸入式掃描器之晶圓載台上的透鏡加熱相關聯)，或可能歸因於其中對準或疊對標記之實體降級誘發誤差之處理步驟(例如，在一化學機械平坦化(CMP)程序或類似者期間)。此外，可因一生產程序之任何階段期間的污染而引入誤差。在一般意義上，一些誤差可為系統性的且可相對不斷地出現在一系列樣本上，而其他誤差可隨機波動。 因此，可基於來自任何數目個樣本之對準量測而產生一參考對準資料集，以提供一穩健的對準誤差表示用於選擇一工作取樣圖。例如，可基於來自一單一樣本(例如，一參考樣本、一校準樣本或類似者)上之對準量測而產生參考對準資料集。藉由另一實例，可基於來自多個樣本之對準量測而產生參考對準資料集。此外，可基於來自多個批次之一或多個樣本之對準量測而產生參考對準資料集。 在一項實施例中，參考對準資料集包含與全部經量測樣本之各量測位置304相關聯之全部對準量測。在另一實施例中，參考對準資料集包含與經量測樣本之各量測位置304相關聯之對準量測之一或多個統計表示。例如，參考對準資料集中之一對準資料點可包含經量測樣本之經量測對準誤差之值之一表示(例如，一平均值、一中值或類似者)。藉由另一實例，參考對準資料集中之一對準資料點可包含經量測樣本之經量測對準誤差之變異性之一表示(例如，一標準差(standard deviation)、一方差(variance(或譯作變異數))或類似者)。藉由又一實例，參考對準資料集中之一對準資料點可包含表示經量測對準誤差之值與變異性之一組合之一度量，諸如但不限於經量測對準誤差之平均對準誤差外加三倍的標準差(例如，M3σ值)。 在另一實施例中，方法200包含一步驟206：產生兩個或更多個候選取樣圖，其中該兩個或更多個候選取樣圖之各者係全取樣圖之一子集。 圖4A及圖4B係根據本發明之一或多項實施例之候選取樣圖402之概念圖。在一項實施例中，一候選取樣圖402包含候選量測位置404，其等係全取樣圖302之量測位置304之一子集。例如，如圖4A及圖4B中繪示，將全取樣圖302之量測位置304繪示為空心圓且將候選量測位置404繪示為實心圓。在此方面，針對一給定候選取樣圖402，僅選擇繪示為實心圓之候選量測位置404用於對準量測。 步驟206可包含產生任何數目個候選取樣圖402。在一般意義上，增加在步驟206中產生之候選取樣圖402之數目可改良將自候選取樣圖402選擇之一工作樣本圖之精度。 此外，一候選取樣圖402之候選量測位置404可根據任何分佈而配置。在一項實施例中，一候選取樣圖402之候選量測位置404分佈成一隨機分佈。 在另一實施例中，一候選取樣圖402之候選量測位置404分佈成一週期性分佈。例如，多個候選取樣圖402可包含以不同週期性(例如，沿一或多個方向以不同週期性)分佈之候選量測位置404。藉由另一實例，多個候選取樣圖402可包含在一或多個方向上以一共同週期性及變化的偏移分佈之候選量測位置404。 在另一實施例中，基於樣本上之一或多個製造特徵而分佈一候選取樣圖402之候選量測位置404。本文中認識到，將在一樣本上製造之特徵之大小及/或密度可影響最終印刷特徵之相對位置(例如，圖案放置誤差)。因此，可基於樣本之不同部分上之經製造特徵之間的已知差異而分佈一候選取樣圖402之候選量測位置404。 在另一實施例中，基於歷史對準資料而分佈一候選取樣圖402之候選量測位置404。因此，一候選取樣圖402之候選量測位置404可經配置以補償已知誤差源。例如，一特定製程工具可在一樣本之邊緣附近展現相對於該樣本之一中心區域增加的誤差。在此情況中，步驟206可包含：產生候選取樣圖402使其與一中心區域相比具有沿邊緣分佈之相對較多候選量測位置404。 此外，一候選取樣圖402在一給定圖場306中可包含任何數目個候選量測位置404。在一項實施例中，如圖4A及圖4B中繪示，一給定圖場306中之候選量測位置404之數目會有所變化。例如，參考圖4A，圖場306a包含四個候選量測位置404，圖場306b包含三個候選量測位置404，圖場306c包含兩個候選量測位置404，且圖場306d包含一個候選量測位置404。 在另一實施例(未展示)中，至少一個候選取樣圖402在各圖場306內包含共同數目個候選量測位置404。 在又一實施例中，可基於定義候選量測位置404之一所要分佈之一或多個規則(例如，加權或空間規則、圖場平衡規則、目標平衡規則或類似者)而判定取樣圖。例如，可基於其中樣本之不同部分(例如，邊緣部分、中心部分、選定象限或類似者)中之候選量測位置404之數目及/或密度根據應用於樣本之各部分之規則而變化之規則來判定取樣圖。 在另一實施例中，步驟206包含產生至少一個候選取樣圖402使其在選定數目個圖場306內具有候選量測位置404。例如，對於具有N個圖場306之樣本，一第一候選取樣圖402可包含具有候選量測位置404之N個圖場306，一第二候選取樣圖402可包含具有候選量測位置404之N-1個圖場306，一第三候選取樣圖402可包含具有候選量測位置404之N-2個圖場306，等等。因此，可在一指定容限內最佳化具有候選量測位置404之圖場306之數目。在一般意義上，一候選取樣圖402可在任何數目個圖場306中具有候選量測位置404。 在另一實施例中，方法200包含一步驟208：基於兩個或更多個候選取樣圖402定義兩個或更多個候選取樣圖模型以依據位置估計對準。一候選取樣圖模型可包含適於基於一有限資料集而依據位置計算對準之一或多個數學表達式。例如，一候選取樣圖模型可包含(但不要求包含)與一座標系統(例如，包含X座標及Y座標之一笛卡爾座標系統、包含量值及極角座標之一極座標系統或類似者)之各座標方向相關聯之一表達式。 在一項實施例中，步驟208包含基於在步驟206中產生之各候選取樣圖402過濾參考對準資料以產生各候選取樣圖402之一候選資料集。在此方面，過濾參考對準資料模擬用各候選取樣圖402對參考對準資料集進行取樣。此外，步驟208可包含基於候選資料集定義各候選取樣圖402之一候選取樣圖模型。 可透過此項技術中已知之適於基於一資料集而依據位置估計對準之任何技術來形成候選取樣圖模型。在一項實施例中，可藉由一內插技術(諸如但不限於線性內插、多項式內插或樣條內插)而產生一候選取樣圖模型。在此方面，一候選取樣圖模型可完美地估計候選量測位置404處之對準且可估計候選量測位置404之間的位置處之對準。在另一實施例中，可藉由一曲線擬合及/或一迴歸技術(例如，多項式迴歸、最小平方迴歸、一平滑運算(smoothing operation)或類似者)而產生一候選取樣圖模型，使得候選取樣圖模型可能並未在候選量測位置404處完美地估計，但可減少參考對準資料集中之離群點。 在另一實施例中，方法200包含一步驟210：基於兩個或更多個候選取樣模型計算兩個或更多個估計對準資料集，其中該兩個或更多個估計對準資料集包含在全取樣圖之複數個量測位置處進行之對準估計。 圖5包含根據本發明之一或多項實施例之一估計對準資料集502之一概念圖。在一項實施例中，估計對準資料集之各資料點包含基於一候選取樣圖402之一候選資料集及一候選取樣圖模型而提供估計對準(例如，估計對準誤差)之量值及方向的一向量504。 因此，步驟210可包含基於由候選取樣圖402取樣之參考對準資料集之部分而估計參考對準資料集，且模型化參考對準資料集之缺失部分。 在另一實施例中，方法200包含一步驟212：藉由比較兩個或更多個估計對準資料集與參考對準資料集而自兩個或更多個候選取樣圖判定一工作取樣圖。例如，可基於一選定容限而選擇工作取樣圖，其中該工作取樣圖包含超過一選定容限之最小數目個對準估計。在此方面，可基於可重新產生參考對準資料集之缺失部分的準確性而比較不同候選取樣圖402。此外，可基於超出一指定容限之估計對準資料點之一數目而評估可重新產生參考對準資料集之缺失部分的準確性。 可關於估計對準資料(例如，來自步驟210)或關於一估計對準(例如，來自與一候選取樣圖402相關聯之一估計對準資料集)與來自參考對準資料集之一參考對準量測之間的一差(例如，一殘差)來定義一容限。此外，一容限可包含最大或最小限制。例如，一容限可定義估計對準資料之最大或最小限制。藉由另一實例，一容限可定義殘差資料之一最大或最小值。因此，步驟212可包含針對各候選取樣圖402判定超出規格位置之一數目，在該等位置處，步驟210之估計對準超過(例如，違反)一選定最大或最小限制。 在一項實施例中，選定容限包含與一估計對準(例如，來自與一候選取樣圖402相關聯之一估計對準資料集)與來自參考對準資料集之一參考對準量測之間的一差(例如，一殘差)相關聯之一臨限值。例如，如本文中先前描述，參考對準資料集中之一對準資料點可包含經量測對準誤差之值之一表示(例如，一平均值、一中值或類似者)。因此，選定容限可包含(但不要求包含)一殘差之絕對值。在此方面，包含一殘差之一絕對值之一容限可同樣考量在全部方向上之誤差，而包含一純殘差之一容限可基於方向區分誤差。 可沿一座標系統之一或多個座標方向定義容限。在一項實施例中，一容限包含沿一座標系統之一單一座標(例如，一笛卡爾座標系統中之一X座標或一Y座標、一極座標系統中之一量值座標或一極角座標，或類似者)之一殘差之一最大值。例如，一容限可經定義使得一殘差可不超過一選定量值(例如，選擇奈米數，或類似者)。藉由另一實例，一容限可經定義使得沿一X方向量測之一殘差可不超過一選定值。 在另一實施例中，一容限包含：一第一容限值，其包含沿一座標系統之一第一座標之一殘差之一最大值；及一第二容限值，其包含沿座標系統之一第二座標之一殘差之一最大值。例如，一容限可包含沿一X方向之4 nm及沿一Y方向之6 nm之最大殘差值。在此方面，沿不同座標之對準誤差可經不同地加權。 在另一實施例中，一容限可被定義為一殘差相對於來自參考對準資料集之對準資料之一百分比。例如，一容限可包含一殘差可從來自參考對準資料集之對準資料變化之一最大百分比。 在另一實施例中，步驟212進一步包含針對各候選取樣圖402基於對跨一整個樣本之殘差資料之一統計分析而判定一工作取樣圖。例如，可基於殘差計算一平均值外加三個標準差(M3σ)度量以促進判定一工作樣本圖。例如，可能有多個候選取樣圖402提供相同或類似數目個超出規格對準估計的情況。因此，對殘差資料之一統計分析可促進工作取樣圖之判定。 在另一實施例中，在不包含為全取樣圖302中之量測位置304之兩個或更多個選定位置處自兩個或更多個候選取樣圖判定一工作取樣圖。例如，可期望評估候選取樣圖402在每圖場之一個點(例如，各圖場之中心)處準確地估計對準的能力，而不管候選取樣圖402在各圖場內是否包含一候選量測位置404。在此方面，每圖場之單一對準估計可提供一可校正量作為一或多個生產工具(例如，一步進器或類似者)之回饋。在此情況中，方法200可包含：產生一參考取樣圖模型以依據位置估計對準，且在兩個或更多個選定位置處評估參考取樣圖模型以及候選取樣圖模型之各者。此外，方法200可包含將一工作取樣圖判定為提供超過一選定容限之最小數目個對準估計之候選取樣圖402。 再次參考圖1A及圖1B，本發明之實施例可併有此項技術中已知之任何類型之度量衡系統，包含但不限於具有一或多個照明角度之一光譜橢偏儀、用於量測穆勒(Mueller)矩陣元素(例如，使用旋轉補償器)之一光譜橢偏儀、一單波長橢偏儀、一角度解析橢偏儀(例如，一光束輪廓橢偏儀)、一光譜反射計、一單波長反射計、一角度解析反射計(例如，一光束輪廓反射計)、一成像系統、一光瞳成像系統、一光譜成像系統或一散射儀。此外，度量衡系統可包含一單一度量衡工具或多個度量衡工具。美國專利第7,478,019號中大體上描述併有多個度量衡工具之一度量衡系統。美國專利第6,429,943號大體上描述具有同時多個入射角度照明之高數值孔徑工具之使用，該案之全文以引用的方式併入本文中。Lee等人之「Quantifying imaging performance bounds of extreme dipole illumination in high NA optical lithography」 (Proc. of SPIE第9985卷，99850X-1 (2016))中大體上描述量化高NA光學微影之成像效能，該案之全文以引用的方式併入本文中。 本文中進一步認識到，一度量衡工具可量測樣本上之一或多個目標之特性，諸如但不限於對準位置或疊對。目標可包含性質為週期性之某些所關注區域，諸如(舉例而言)一記憶體晶粒中之光柵。度量衡目標進一步可擁有各種空間特性且通常由一或多個單元構造，該一或多個單元可包含可能已在一或多次微影相異曝露中印刷之一或多個層中之特徵。目標或單元可擁有各種對稱，諸如雙重或四重旋轉對稱、反射對稱。美國專利第6,985,618號中描述此等度量衡結構之實例，該案之全文以引用的方式包含於本文中。不同單元或單元組合可屬於相異層或相異曝露步驟。個別單元可包括隔離式非週期性特徵，或者其等可由一維、二維或三維週期性結構或非週期性結構與週期性結構之組合構造。週期性結構可為非分段式的，或其等可由精細分段之特徵構造，該等特徵可處於或接近用以印刷該等特徵之微影程序之最小設計規則。2016年3月22日頒佈之美國專利第9,291,554號中大體上描述用以特性化非週期性目標之一度量衡工具之使用，該案之全文以引用的方式併入本文中。 度量衡目標與度量衡結構之相同層中或上方、下方之一層中或層中間的模擬結構(dummification structure)可為並置的或緊密接近的。目標可包含多個層(例如，膜)，其等之厚度可藉由度量衡工具進行量測。 目標可包含置放於半導體晶圓上以供使用(例如，運用對準、疊對校準(overlay registration)操作及類似者)之目標設計。此外，目標可定位於半導體晶圓上之多個位點處。例如，目標可定位於刻劃道內(例如，在晶粒之間)及/或定位於晶粒自身中。可藉由如美國專利第7,478,019號中描述之相同或多個度量衡工具來同時地或連續地量測多個目標，該案之全文以引用的方式併入本文中。 另外，對所關注參數之量測可涉及若干演算法。例如，可使用(但不限於)一電磁(EM)解算器來模型化度量衡照明光束104與樣本106上之一度量衡目標之光學相互作用。此外，EM解算器可利用此項技術中已知之任何方法，包含但不限於嚴格耦合波分析(RCWA)、有限元素法分析、動差分析方法、一表面積分技術、一體積積分技術或一有限差分時域分析。另外，可使用資料擬合及最佳化技術來分析所收集資料，該等技術包含但不限於程式庫、快速降階模型、迴歸、諸如神經網路之機器學習演算法、支援向量機(SVM)、降維演算法(例如，主分量分析(PCA)、獨立分量分析(ICA)、局部線性嵌入(LLE)及類似者)、稀疏資料表示(例如，傅立葉或小波變換、卡爾曼(Kalman)過濾器、促成來自相同或不同工具類型之匹配之演算法，及類似者)。例如，資料收集及/或擬合可(但不要求)由KLA-TENCOR所提供之信號回應度量衡(SRM)軟體產品執行。 在另一實施例中，藉由不包含模型化、最佳化及/或擬合(例如，相位特性化或類似者)之演算法來分析由一度量衡工具產生之原始資料。2015年7月23日發表之美國專利公開案第2015/0204664號中大體上描述散射量測疊對度量衡中對稱目標設計之使用，該案之全文以引用的方式併入本文中。本文中應注意，由控制器執行之運算演算法可(但不要求)透過使用平行化、分佈式運算、負載平衡、多重服務支援、運算硬體之設計及實施或動態負載最佳化而針對度量衡應用定製。此外，演算法之各種實施方案可(但不要求)由控制器(例如，透過韌體、軟體或場可程式化閘陣列(FPGA)及類似者)或與度量衡工具相關聯之一或多個可程式化光學元件執行。2014年6月19日發表之美國專利公開案第2014/0172394號中大體上描述程序模型化之使用，該案之全文以引用的方式併入本文中。 本文中描述之標的有時繪示含於其他組件內或與其他組件連接之不同組件。應瞭解，此等所描繪架構僅為例示性的，且事實上可實施許多其他架構而達成相同功能性。在一概念意義上，達成相同功能性之任何組件配置經有效「相關聯」使得達成所要功能性。因此，在本文中組合以達成一特定功能性之任兩個組件可被視為彼此「相關聯」使得達成所要功能性，而與架構或中間組件無關。同樣地，如此相關聯之任兩個組件亦可被視為彼此「連接」或「耦合」以達成所要功能性，且能夠如此相關聯之任兩個組件亦可被視為彼此「可耦合」以達成所要功能性。可耦合之特定實例包含但不限於可實體相互作用及/或實體上相互作用之組件、及/或可無線相互作用及/或無線相互作用之組件，及/或可邏輯相互作用及/或邏輯相互作用之組件。 據信，藉由前文描述將理解本發明及其之許多伴隨優點，且將明白，可在組件之形式、構造及配置方面進行各種改變而不脫離所揭示標的或不犧牲全部其材料優點。所描述之形式僅為說明性的，且以下申請專利範圍意欲涵蓋且包含此等改變。此外，應瞭解，本發明係由隨附申請專利範圍定義。
100‧‧‧度量衡系統102‧‧‧度量衡照明源104‧‧‧度量衡照明光束106‧‧‧樣本108‧‧‧照明路徑110‧‧‧透鏡112‧‧‧光學組件114‧‧‧物鏡116‧‧‧樣本載台118‧‧‧偵測器120‧‧‧收集路徑122‧‧‧透鏡124‧‧‧光束分離器126‧‧‧控制器128‧‧‧處理器130‧‧‧記憶媒體132‧‧‧第一聚焦元件134‧‧‧第二聚焦元件200‧‧‧方法202‧‧‧步驟204‧‧‧步驟206‧‧‧步驟208‧‧‧步驟210‧‧‧步驟212‧‧‧步驟302‧‧‧全取樣圖304‧‧‧量測位置306‧‧‧圖場306a‧‧‧圖場306b‧‧‧圖場306c‧‧‧圖場306d‧‧‧圖場402‧‧‧候選取樣圖404‧‧‧候選量測位置502‧‧‧估計對準資料集504‧‧‧向量
藉由參考附圖，熟習此項技術者可更佳理解本發明之許多優點，其中： 圖1A係繪示根據本發明之一或多項實施例之一度量衡系統之一概念圖。 圖1B係繪示根據本發明之一或多項實施例之一度量衡系統之一概念圖，其中一照明路徑及一收集路徑包含分開元件。 圖2係繪示根據本發明之一或多項實施例之在一方法中執行之步驟之一流程圖，該方法用於判定用於對準量測的一取樣圖。 圖3係根據本發明之一或多項實施例之一全取樣圖之一概念圖。 圖4A係根據本發明之一或多項實施例之一候選取樣圖之一概念圖。 圖4B係根據本發明之一或多項實施例之一候選取樣圖之一概念圖。 圖5包含根據本發明之一或多項實施例之一估計對準資料集之一概念圖。
200‧‧‧方法
202‧‧‧步驟
204‧‧‧步驟
206‧‧‧步驟
208‧‧‧步驟
210‧‧‧步驟
212‧‧‧步驟

Claims (20)

  1. 一種對準度量衡之系統，其包括：一度量衡工具；及一控制器，其通信地耦合至該度量衡工具，該控制器包含經組態以執行程式指令之一或多個處理器，該等程式指令經組態以引起該一或多個處理器：定義包含複數個量測位置之一全取樣圖(full sampling map)；引導該度量衡工具針對複數個樣本在該全取樣圖之各量測位置處來量測對準(alignment)以建立一經量測的對準並產生一參考對準資料集，其中該經量測的對準係基於由一偵測器收集之自一樣本放射之輻射；產生兩個或更多個候選取樣圖，該兩個或更多個候選取樣圖之各者係該全取樣圖之一子集；基於該兩個或更多個候選取樣圖定義兩個或更多個候選取樣圖模型(candidate sampling map models)以依據位置估計對準；基於該兩個或更多個候選取樣模型計算兩個或更多個估計對準資料集，其中該兩個或更多個估計對準資料集包含在該全取樣圖之該複數個量測位置的一些量測位置處的對準估計；及藉由比較該兩個或更多個估計對準資料集與該參考對準資料集而自該兩個或更多個候選取樣圖判定一工作取樣圖，其中該工作取樣圖包含超過一選定容限之最小數目個對準估計，其中該選定容限包括：一第一容限值及一第二容限值，該第一容限值包含沿該第一座 標之一估計對準與一參考對準量測之間的一絕對值差，該第二容限值包含沿該第二座標之一估計對準與一參考對準量測之間的一絕對值差。
  2. 如請求項1之系統，其中該一或多個處理器進一步經組態以執行程式指令，該等程式指令經組態以引起該一或多個處理器引導該度量衡工具在由該工作取樣圖定義之量測位置處量測至少一個額外樣本之對準。
  3. 如請求項1之系統，其中該參考對準資料集或該兩個或更多個估計對準資料集之一對準資料點包含表示一對準誤差之一向量。
  4. 如請求項3之系統，其中關於與一座標系統相關聯之該第一座標及該第二座標提供表示對準誤差之該向量。
  5. 如請求項4之系統，其中該座標系統係一笛卡爾座標系統，其中該第一座標係一X座標，其中該第二座標係一Y座標。
  6. 如請求項4之系統，其中該座標系統係一極座標系統，其中該第一座標係表示該對準誤差之該向量之一量值，其中該第二座標係一極角。
  7. 如請求項4之系統，其中該選定容限包括沿該第一座標之一估計對準與一參考對準量測之間的一絕對值差。
  8. 如請求項1之系統，其中該第一容限值及該第二容限值差係相等的。
  9. 如請求項1之系統，其中該第一容限值不同於該第二容限值差。
  10. 如請求項1之系統，其中該兩個或更多個候選取樣圖模型包括：一逐圖場對準模型或一複合圖場對準模型之至少一者。
  11. 如請求項1之系統，其中該參考對準資料集之一對準資料點包括：一樣本在該度量衡工具中之一對準誤差。
  12. 如請求項1之系統，其中該參考對準資料集之一對準資料點包括：由該度量衡工具量測之一樣本之兩個或更多個層之一疊對誤差。
  13. 如請求項1之系統，其中該參考對準資料集包括：該複數個樣本之該全取樣圖之各量測位置處的經量測對準資料點之一平均值或一中值之至少一者。
  14. 如請求項1之系統，其中該參考對準資料集包括：該複數個樣本之該全取樣圖之各量測位置處的經量測對準資料點之一標準差或一方差之至少一者。
  15. 如請求項1之系統，其中該度量衡工具包括：一照明源，其經組態以產生一照明光束； 一或多個照明光學元件，其經組態以將該照明光束之一部分引導至一樣本；該偵測器；及一或多個收集光學元件，其經組態以將自該樣本放射之輻射引導至該偵測器。
  16. 一種對準度量衡之系統，其包括：一控制器，其通信地耦合至一度量衡工具，該控制器包含經組態以執行程式指令之一或多個處理器，該等程式指令經組態以引起該一或多個處理器：定義包含複數個量測位置之一全取樣圖；引導該度量衡工具針對複數個樣本在該全取樣圖之各量測位置處來量測對準以建立一經量測的對準並產生一參考對準資料集，其中該經量測的對準係基於回應於來自一照明源之照明而由一偵測器所收集來自一樣本放射之輻射；產生兩個或更多個候選取樣圖，該兩個或更多個候選取樣圖之各者係該全取樣圖之一子集；基於該兩個或更多個候選取樣圖定義兩個或更多個候選取樣圖模型以依據位置估計對準；基於該兩個或更多個候選取樣模型計算兩個或更多個估計對準資料集，其中該兩個或更多個估計對準資料集包含在該全取樣圖之該複數個量測位置的一些量測位置處的對準估計；及藉由比較該兩個或更多個估計對準資料集與該參考對準資料集而 自該兩個或更多個候選取樣圖判定一工作取樣圖，其中該工作取樣圖包含超過一選定容限之最小數目個對準估計，其中該選定容限包括：一第一容限值及一第二容限值，該第一容限值包含沿該第一座標之一估計對準與一參考對準量測之間的一絕對值差，該第二容限值包含沿該第二座標之一估計對準與一參考對準量測之間的一絕對值差。
  17. 一種對準度量衡之系統，其包括：一度量衡工具；及一控制器，其通信地耦合至該度量衡工具，該控制器包含經組態以執行程式指令之一或多個處理器，該等程式指令經組態以引起該一或多個處理器：定義包含複數個量測位置之一全取樣圖；引導該度量衡工具針對複數個樣本在該全取樣圖之各量測位置處來量測對準以建立一經量測的對準並產生一參考對準資料集，其中該經量測的對準係基於由一偵測器收集之自一樣本放射之輻射；基於該參考對準資料集定義一參考取樣圖模型以依據位置估計對準；基於該參考對準資料集計算一參考對準估計資料集，其中該參考對準估計資料集包含在兩個或更多個選定位置處進行之對準估計；產生兩個或更多個候選取樣圖，該兩個或更多個候選取樣圖之各者係該全取樣圖之一子集；基於該兩個或更多個候選取樣圖定義兩個或更多個候選取樣圖模 型以依據位置估計對準；基於該兩個或更多個候選取樣模型計算兩個或更多個估計對準資料集，其中該兩個或更多個估計對準資料集包含在該兩個或更多個選定位置處的對準估計；及藉由比較該兩個或更多個估計對準資料集與該參考對準估計資料集而自該兩個或更多個候選取樣圖判定一工作取樣圖，其中該工作取樣圖包含超過一選定容限之最小數目個對準估計，其中該選定容限包括：一第一容限值及一第二容限值，該第一容限值包含沿該第一座標之一估計對準與一參考對準量測之間的一絕對值差，該第二容限值包含沿該第二座標之一估計對準與一參考對準量測之間的一絕對值差。
  18. 如請求項17之系統，其中該兩個或更多個選定位置之各選定位置對應於一樣本上之一圖場。
  19. 如請求項18之系統，其中選定位置之一數目與一樣本上之圖場之一數目相同。
  20. 一種用於選擇一樣本圖之方法，該方法包括：定義包含複數個量測位置之一全取樣圖；針對複數個樣本在該全取樣圖之各量測位置處量測對準以產生一參考對準資料集；產生兩個或更多個候選取樣圖，該兩個或更多個候選取樣圖之各者 係該全取樣圖之一子集；基於該兩個或更多個候選取樣圖定義兩個或更多個候選取樣圖模型以依據位置估計對準；基於該兩個或更多個候選取樣模型計算兩個或更多個估計對準資料集，其中該兩個或更多個估計對準資料集包含在該全取樣圖之該複數個量測位置處的對準估計；及藉由比較該兩個或更多個估計對準資料集與該參考對準資料集而自該兩個或更多個候選取樣圖判定一工作取樣圖，其中該工作取樣圖包含超過一選定容限之最小數目個對準估計，其中該選定容限包括：一第一容限值及一第二容限值，該第一容限值包含沿該第一座標之一估計對準與一參考對準量測之間的一絕對值差，該第二容限值包含沿該第二座標之一估計對準與一參考對準量測之間的一絕對值差。
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