TWI759483B - 具有改良熱均勻性的熱腔室 - Google Patents

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Abstract

本揭示案的實施例一般係關於一種半導體處理腔室。在一個實施例中，揭露了半導體處理腔室且該半導體處理腔室包括腔室主體及一或多個吸收器主體，該腔室主體具有界定內部體積的底部和側壁，該側壁具有形成在其中的基板移送端口，該一或多個吸收器主體定位在該內部體積中與該基板移送端口相對的一位置中。

Description

具有改良熱均勻性的熱腔室
本說明書揭露的實施例一般係關於一種半導體處理腔室，且更具體地係關於熱處理(treatment)腔室，諸如退火腔室。
在基板上製造電子元件中，基板（諸如半導體基板）經受許多熱製程。熱製程通常在專用處理腔室中執行，在專用處理腔室中沉積或去除材料，或者以受控方式加熱基板。這些製程包括磊晶沉積、化學氣相沉積（CVD）、電漿增強化學氣相沉積（PECVD）、蝕刻、退火等。
通常將基板支撐在處理腔室中並暴露於熱源以升高基板的溫度。然而，處理腔室的部分可用作散熱器，該散熱器防止基板的一些部分以與基板的其他部分相同的速率被加熱。這導致被加熱的基板之溫度不均勻性。
因此，需要改善熱處理腔室中的熱均勻性。
本揭示案的實施例一般係關於一種半導體處理腔室。在一個實施例中，揭露了半導體處理腔室且該半導體處理腔室包括腔室主體及一或多個吸收器主體，該腔室主體具有界定內部體積的底部和側壁，該側壁具有形成在其中的基板移送端口，該一或多個吸收器主體定位在該內部體積中與該基板移送端口相對的一位置中。
在另一個實施例中，提供了一種半導體處理腔室，該半導體處理腔室包括腔室主體及一或多個吸收器主體，該腔室主體具有界定內部體積的底部和側壁，該側壁具有形成在其中的基板移送端口，基板支撐件設置在該內部體積中，該一或多個吸收器主體定位在繞該基板支撐件的該內部體積中與該基板移送端口相對的一位置中。
在另一個實施例中，提供了一種半導體處理腔室，該半導體處理腔室包括腔室主體，該腔室主體具有界定內部體積的底部和側壁，該側壁具有形成在其中的基板移送端口，以及基板支撐件設置在該內部體積中，該基板支撐件包括面向該基板移送端口的第一區段，以及鄰近該第一區域的第二區域和第三區域，其中一或多個吸收器主體定位在鄰近該第二區域和該第三區域的該內部體積中。
本揭示案的實施例一般係關於一種半導體處理腔室，且更具體地係關於熱處理腔室。以下參照退火腔室示例性地描述本說明書揭露的實施例。可適於從本說明書所述的實施例中受益的基板處理系統的實例包括PRODUCER® SE CVD系統、PRODUCER® GT™CVD系統或DXZ® CVD系統，所有這些系統皆可自加州聖克拉拉的應用材料公司購得。Producer® SE CVD系統（例如，200 mm或300 mm）具有可用於退火基板之兩個隔離的處理區域。儘管示例性實施例包括兩個處理區域，但是可以預期，本說明書所述的實施例可有利地用於具有單個處理區域或超過兩個處理區域的系統。 亦可以預期的是，本說明書所述之實施例可有利地用於其他熱處理腔室，諸如電漿腔室，蝕刻腔室、離子注入腔室、退火腔室和剝離腔室等。可以進一步預期，本說明書描述的實施例可有利地用於可自其他製造商取得的處理腔室。
本說明書描述的處理腔室的實施例解決了處理期間對基板的溫度控制的需求。當將基板從約室溫加熱到400℃或400℃以上的溫度時，本說明書描述的某些實施例提供更大程度的溫度控制，其中基板內溫度梯度為最小（約10℃或更低，諸如約7℃）。
圖1是根據本說明書描述的實施例的具有基板支撐組件102的示例性基板處理系統100的局部截面圖。如本說明書所述，基板支撐組件102包括主動加熱系統，該主動加熱系統允許在基板經受諸多製程和腔室條件時在很大溫度範圍內主動控制位於基板支撐組件102上的基板的溫度。系統100通常包括處理腔室主體104，處理腔室主體104具有界定一對處理區域112A和112B的側壁106、底壁108和內側壁110。處理區域112A-B的各者以類似的方式配置，且為了簡潔起見，將僅描述處理區域112B中的部件。
基板支撐主體114通過腔室主體104的底壁108中形成的通道116設置在處理區域112B中。基板支撐主體114適於將基板（未圖示）支撐在其上表面上。在一些實施例中，基板支撐主體114可包括真空吸盤。基板支撐主體114可包括加熱元件115（例如電阻加熱元件）以將基板加熱並控制在所需的處理溫度下。每個加熱元件115可用於加熱定位在基板支撐主體114的上表面上或上方的基板（未圖示）。加熱元件115提供的加熱可將基板從約室溫加熱至約500℃或更高。基板支撐主體114可由氮化鋁或另一種陶瓷材料製成。
基板支撐組件102包括耦接至軸118的基板支撐主體114。以這種方式，基板支撐組件102可以是基座。軸118耦接至電力出口或電力箱120，電力出口或電力箱120可包括控制處理區域112B內的基板支撐主體114的升高和移動的驅動系統。軸118也包含電力介面以將電力提供至基板支撐主體114。軸118亦包括在其中形成的冷卻劑通道。電力箱120亦包括用於電力和溫度指示器的介面，諸如熱電偶介面。軸118亦包括適於可拆卸式地耦接到電力箱120的基部組件122。在電力箱120上方圖示周邊環124。在一個實施例中，周邊環124是適於作為機械止動件或連接盤（land）的肩部，該肩部經配置提供基部組件122和電力箱120的上表面之間的機械介面。
桿126通過底壁108中形成的通道128設置，並用於啟動通過基板支撐主體114設置的基板升舉銷130。基板升舉銷130選擇性地將基板與基板支撐主體114間隔開以促進基板與機器人（未圖示）的交換，機器人用於通過基板移送端口132（例如，與狹縫閥通道耦接的狹縫閥）將基板移送進出處理區域112B。
基板處理系統100可包括腔室蓋件134，腔室蓋件134耦接至腔室主體104的頂部部分。蓋件134容納與其耦接的一或多個氣體分配系統136。氣體分配系統136包括氣體入口通道140，氣體入口通道140可透過噴頭組件142將處理氣體輸送到處理區域112B中。噴頭組件142可包括環形基底板144，環形基底板144具有設置在反射面板146中間的阻隔板148。反射面板146可被穿孔以允許氣體流過。熱隔離器152設置在蓋件134和噴頭組件142之間。遮蔽環154可設置在基板支撐主體114的周邊上，基板支撐主體114的周邊在基板支撐主體114的期望高度處接合基板。
可選地，冷卻通道156形成在氣體分配系統136的環形基底板144中以在操作期間冷卻環形基底板144。傳熱流體（諸如水、乙二醇、氣體或類似物）可循環通過冷卻通道156，使得基底板144保持在預定溫度。
處理區域112A和112B包括內側壁158，內側壁158可以是腔室主體104的側壁110、106的表面。周邊泵送腔160耦接至泵送系統164，泵送系統164經配置為排出來自處理區域112A和112B的氣體和副產物並控制處理區域112A和112B內的壓力。複數個排氣口166可與泵送腔160流體連通。排氣口166經配置為允許以促進系統100內的處理的方式將氣體從處理區域112A和112B流到周邊泵送腔160。此外，可利用冷卻劑通道168來冷卻腔室主體104。
在退火製程的一個實例中，可將基板（未圖示）通過基板移送端口132移送到基板升舉銷130上，基板升舉銷130將基板與基板支撐主體114間隔開（例如，間隔約1毫米）。當基板由基板支撐主體114上方的基板升舉銷130支撐時，可預熱基板達一特定的時間週期。預熱的週期可以是暫態（transient）加熱週期。預熱處理可用於防止可能使基板變形之基板的快速加熱。在預熱處理之後，基板升舉銷130可縮回，使得基板靜置在基板支撐主體114上以用於進一步的加熱處理（穩態加熱）。
在這兩種加熱處理期間，基板內的溫度均勻性是合乎需要的。然而，腔室的內部部分可用作散熱器，來自基板支撐主體114的熱能可傳遞到腔室的內部部分，從而使得其他部分更熱。例如，內側壁158可以是反射性的，且可用於將來自基板支撐主體114的熱能反射到基板。然而，側壁158不均勻，例如基板移送端口132佔用的面積不均勻，以及因此熱均勻性的條件不均勻。例如，在基板移送端口132佔用的區域中，可能不會發生反射，以及靠近基板移送端口132的基板的邊緣可能比基板的其他部分更冷。 在圖1中，補償這種不均勻性的一個選項是襯墊170（以橫截面圖示）位於相對於基板移送端口132之腔室主體104的區域中或其區域上。
下文的圖式是補償基板中這種溫度不均勻性的選項的實例。圖2至圖7繪示可用於促進如上所述之預熱處理期間（亦即，當使用基板升舉銷130將基板與基板支撐主體114的上表面分隔開時而預熱基板的時候）基板的溫度均勻性之腔室主體104的實施例。圖8至圖9繪示在如上所述之穩態加熱處理期間可用於促進基板的溫度均勻性的基板支撐主體114的變化之實施例。
圖2是可用於圖1的基板處理系統100中的基板支撐組件102的示意性等角視圖。腔室主體104以虛線圖示，以便更清楚地圖示與狹縫閥通道201耦接的內部體積。
基板（未圖示）可被移送到基板支撐主體114的表面上。在如上所述之預熱處理期間，基板可如上所述與基板支撐主體114的上表面間隔開。所示支架在基板支撐主體114上，以指示出周邊（外部）區段200A、200B和200C（大致120度的區段），由於腔室內的條件而使周邊（外部）區段200A、200B和200C中所支撐的基板可具有與其他部分不同的溫度。例如，鄰近基板移送端口132的區段200A可比腔室主體104的其他部分更冷。這種相對冷卻的原因可能是由於缺乏來自腔室主體104的內側壁158的反射表面（示於圖1中）。此較冷區域可能導致鄰近區段200B和200C的基板部分相對於鄰近區段200A的基板部分更熱。例如，鄰近區段200B和200C的基板部分可能由於溫度差而垂陷（sag）。
為了補償此較冷區域和/或改善在基板支撐主體114上被加熱的基板的溫度均勻性，可將襯墊205定位成與基板移送端口132成相對關係。襯墊205可在加熱期間作為鄰近區段200B和200C的基板部分之散熱器。例如，襯墊205可冷卻鄰近區段200B和200C的基板邊緣。襯墊205亦可抵銷（counterbalance）在基板支撐主體114的相對側上（例如，鄰近區段200A）之基板上的基板移送端口132的冷卻效應。
在所示的實施例中，襯墊205包括由深色材料（dark material，諸如陽極化的鋁）製成的一或多個構件210。襯墊205可以是深褐色或黑色的且可類似於黑體（亦即，吸收2微米至7微米範圍內的紅外輻射的顏色）。襯墊205是吸收器主體，該吸收器主體以比周圍材料（諸如腔室壁或腔室底板）更高的速率吸收輻射。襯墊205可具有模仿基板移送端口132的散熱特性的吸收特性。一或多個構件210中的各者可以是弧形的。每個構件210在平面圖上可類似於菜豆（kidney-bean）形狀。當兩個構件210一起使用時，該組件在平面圖上（亦即，從上面看）可類似馬蹄形。根據襯墊205的角度（方位角）範圍，襯墊可具有弧形或任何其他形狀。一或多個構件210中的各者可包括間距銷（stand-off pin） 215，間距銷215將與底壁108的內表面接觸（圖1所示）。間距銷215可用於將構件210與底壁108的表面間隔開達約2至5毫米。此間隔可用於防止可能由構件210的材料和腔室主體104的材料之膨脹係數的差異引起的顆粒產生。間距銷215也可用作對準特徵，其與腔室底部中形成的相應凹陷部接合。每個間距銷215可由不銹鋼或其他製程抗性的材料製成。
每個構件210可具有熱操作（寬/厚）部分和一或多個支撐（窄/薄）部分。熱操作部分可具有約60至70 mm的徑向範圍或厚度以及8至12 mm的軸向（垂直）範圍或厚度。每個熱操作部分的角度（方位角）範圍可以是約30-70度。支撐部分從熱操作部分的端部延伸並且可以將兩個或更多個熱操作部分連接在一起。支撐部分可具有約10至15 mm的徑向範圍、8至12 mm的軸向範圍（實質上等於熱操作部分的軸向範圍）以及約10至20度的方位角範圍。在一個實施例中，存在支撐部分所連接的兩個熱操作部分，其中在熱操作部分的相對端處具有額外的支撐部分。因此，在一些實施例中，襯墊205具有80-150度的角度（方位角）範圍，諸如100-140度，例如120度。
圖3是可用於圖1的基板處理系統100中的基板支撐組件102的示意性等角視圖。腔室主體104以虛線圖示，以便更清楚地圖示與狹縫閥通道201耦接的內部體積。
在此實施例中，圖示襯墊組件300，其可用於補償圖2中所述之較冷區域和/或改善基板支撐主體114上正被加熱的基板的溫度均勻性。襯墊組件300可經定位成相對於基板移送端口132。襯墊組件300可在加熱期間作為鄰近區段200B和200C（示於圖2中）的基板部分之散熱器。例如，襯墊205可冷卻鄰近區段200B和200C的基板邊緣。襯墊205亦可抵銷在基板支撐主體114的相對側上之基板上的基板移送端口132的冷卻效應。
在所示的實施例中，襯墊組件300可以是深色材料（諸如陽極化的鋁）的一或多個構件305與310。構件305、310可以是深褐色或黑色的且可類似於黑體（亦即，吸收2微米至7微米範圍內的紅外輻射的顏色）。類似於襯墊205，襯墊組件300的構件305和310中的一或多個是吸收器主體，如上面結合圖2所述。一或多個構件305、310中的各者可以是弧形的。當兩個構件305一起使用時，襯墊組件300在平面圖上可類似馬蹄形。根據襯墊組件300的角度（方位角）範圍，襯墊組件300可以具有弧形或任何其他形狀。每個構件305可藉由支撐構件315耦接至構件310以形成子組件320。子組件320可藉由耦接構件325而耦接在一起。支撐構件315和耦接構件可以是不銹鋼。每個子組件320在正視圖上可以類似L形。儘管圖示兩個子組件320，但是襯墊組件300可包括單一結構（單件）。
構件305在實質上平行於基板支撐組件102的支撐表面的平面上具有長度和寬度。構件310具有沿著腔室內表面的圓周延伸的弧形長度，以及平行於腔室的軸的線性寬度，每個構件310具有兩個彎曲邊緣。在一些實施例中，構件305具有約20至60 mm的線性寬度以及約100至140度的角度（方位角）尺寸。在一些實施例中，構件310具有約20至60 mm的線性寬度以及約100至140度的角度（方位角）尺寸。在一些實施例中，角度或方位角尺寸可以從80度到150度。支撐構件315從構件305延伸到構件310，構件310實質上平行於構件310的寬度方向。每個子組件320包括兩個支撐構件315，每個支撐構件315可附接到構件305面向腔室側壁的邊緣以及構件310面向腔室側壁的一側。每個支撐構件315從構件305延伸到構件310的彎曲邊緣之間的中心間隔的點，每個支撐構件315實質上垂直於構件305的長度和寬度的平面且實質上平行於構件310的寬度方向。襯墊組件300的方位角或角度範圍可以是80至150度，諸如100至140度，例如120度。
圖4是可用於圖1的基板處理系統100中的基板支撐組件102的示意性等角視圖。腔室主體104以虛線圖示，以便更清楚地圖示經由基板移送端口132與狹縫閥通道201耦接的內部體積。
在此實施例中，圖示襯墊組件400，其可用於補償結合圖2所述之較冷區域和/或改善基板支撐主體114上正被加熱的基板的溫度均勻性。襯墊組件400可經定位成相對於基板移送端口132。襯墊組件400可在加熱期間作為鄰近區段200B和200C（示於圖2中）的基板部分之散熱器。例如，襯墊組件400可冷卻鄰近區段200B和200C的基板邊緣。襯墊組件400亦可抵銷在相對於基板移送端口132的基板支撐主體114的基板側之邊緣上的基板移送端口132的冷卻效應。
在所示的實施例中，襯墊組件400可以是深色材料（諸如陽極化的鋁）的一或多個圓柱形插件405。圓柱形插件405可以是深褐色或黑色的且可類似於黑體（亦即，吸收2微米至7微米範圍內的紅外輻射的顏色）。如同襯墊205和襯墊組件300一樣，襯墊組件400的圓柱形插件405是吸收器主體。每個圓柱形插件405可以是弧形的且適於耦接到腔室主體104的內側壁158（示於圖1中）。在一些實施例中，圓柱形插件405藉由緊固件或熱穩定黏合劑耦接到腔室主體104的內側壁158（示於圖1中）。儘管圖示了兩個圓柱形插件405，但是襯墊組件400可包括單一結構（單件）。在一些實施例中，構件405具有約20至60 mm的線性寬度，以及具有約100至140度的角度（方位角）尺寸。
襯墊205、襯墊組件300和襯墊組件400可具有一徑向範圍，其經選擇以提供所需的熱質量和/或吸收截面。面向基板支撐組件102的襯墊表面可位於腔室的特定半徑處，以達到選擇用來吸收所需熱輻射通量的吸收截面。可改變半徑，或者可改變面向基板支撐組件102的表面尺寸，以達到所需的吸收截面。此外，可改變襯墊205、襯墊組件300或襯墊組件400的徑向範圍，以改變襯墊的熱質量以提供所需的輻射吸收特性。最後，可使用多於一個的襯墊205、襯墊組件300或襯墊組件400。
圖5是可用於圖1的基板處理系統100中之腔室主體104的示意性等角視圖。腔室主體104以虛線圖示，以便更清楚地圖示經由基板移送端口132與狹縫閥通道201耦接的內部體積。
在此實施例中，圖示襯墊組件500，其可用於補償結合圖2所述之較冷區域和/或改善基板支撐主體114上正被加熱的基板的溫度均勻性。除了基板移送端口132之外，襯墊組件500覆蓋腔室主體104的底部的內壁和/或內表面。襯墊組件500是深色材料，諸如陽極化的鋁。襯墊組件500可以是深褐色或黑色的且可類似於黑體（亦即，吸收2微米至7微米範圍內的紅外輻射的顏色）。
圖5的襯墊組件500是熱吸收性的，以便減少反射回基板支撐主體114的圓周表面505的熱通量。在傳統的基板支撐件中，位於基板支撐件上且鄰近軸的基板的區域是中心冷（center cold）的，但襯墊組件500藉由作為散熱器來減少此中心冷效應。因此，襯墊組件500增強了基板支撐主體114的熱均勻性。
圖6是可用於圖1的基板處理系統100中的基板支撐組件102的示意性等角視圖。腔室主體104並未圖示，以便更清楚地圖示與狹縫閥通道201耦接的內部體積。
在此實施例中，在如上所述的預熱處理期間，可利用額外的基板升舉銷130來促進基板的溫度均勻性。例如，基板升舉銷130可以不相稱地（disproportionally）添加到基板支撐主體114。已經觀察到，基板升舉銷130用作從基板去除熱能的散熱器。在所示的實施例中，提供額外的基板升舉銷130以支撐與區段200B和200C相鄰的基板部分。這可防止在與區段200B和200C對應的基板邊緣處垂陷和/或促進其中更均勻的溫度。
圖7是與噴頭組件142相鄰的基板支撐主體114的示意性等角視圖。噴頭組件142包括反射面板146。反射面板146可包括反射塗層或反射表面修整，以便向設置在基板升舉銷130上（且與基板支撐主體114的上表面間隔開）的基板500提供反射的熱通量。在如上所述的預熱處理或穩態加熱處理期間，所反射的熱通量可促進基板500的溫度均勻性。在一些實施例中，反射面板146將一些輻射熱反射回基板500。這可以幫助基板500更快地達到更高的預熱溫度。這也可以在距基板支撐主體114的表面更遠的距離處提供預熱基板500，同時還減少基板500的邊緣的垂陷。反射面板146可包括鎳塗層。
圖8是基板支撐主體114的一個實施例的示意性截面圖。在此視圖中未圖示基板升舉銷。在此實施例中，基板支撐主體114的上表面700經成形以提供差別的傳導加熱。例如，在凸起的中心區域710和凸起的周邊區域715之間形成碟形（dished）區域705。凸起的中心區域710和凸起的周邊區域715可用於在穩態加熱處理期間分別支撐基板500的中心和基板500的邊緣。在一些實施例中，碟形區域705可包括凹坑或凸部720。凸部720可以是徑向定向的肋部或環形（連續的或不連續的）。
凸起的中心區域710可用於保持基板500在其中心處的溫度以補償通過軸118的熱損失。在傳統的基板支撐件中，與軸相鄰的基板的區域是中心冷的（center cold），但是凸起的中心區域710可藉由補償通過軸118的熱損失來使溫度不均勻性最小化。
圖9是基板支撐主體114的另一個實施例的示意性截面圖。在此視圖中未圖示基板升舉銷。在此實施例中，基板支撐主體114的上表面700經成形以提供差別的傳導加熱。例如，凸部720形成在上表面700上。與從中心區域徑向向外移動的凸部720的長度相比，中心區域中的凸部720可以更短。
中心區域處較短的凸部720可用於維持基板500在其中心處的溫度以補償通過軸118的熱損失。
圖10是可用於圖1的基板處理系統100中的基部組件122的截面圖。基部組件122包括軸118和耦接到電力箱120的配接器主體800。配接器主體800由具有低導熱率性質的材料（諸如不銹鋼）製成。軸118藉由緊固件805耦接到配接器主體800。每個緊固件805在對應於凸出表面或凸起的凸座（boss）810的位置處螺接到配接器主體800中。凸起的凸座810之間的區域界定軸118的下表面820和配接器主體800的上表面825之間的間隙815。間隙815減少軸118與配接器主體800之間的接觸，這減少了它們之間的傳導熱傳遞。在一個實例中，間隙815包括約0.002英吋至約0.008英吋的尺寸830，例如約0.004英吋至約0.006英吋之間的尺寸830。密封件835（諸如O形環）亦設置在軸118的下表面820和配接器主體800的上表面825之間。因此，配接器主體800和軸118之間的傳導熱傳遞受限於鄰近凸起的凸座810和密封件835的區域。配接器主體800與軸118之間的傳導熱傳遞也受限於配接器主體800的材料。
配接器主體800是具有螺紋金屬插件840的雙金屬構件，螺紋金屬插件840在凸起的凸座810中形成的開口845中提供。每個螺紋金屬插件840是沃斯田（austenitic）不銹鋼合金，諸如以商品名NITRONIC® 銷售的氮化不銹鋼。每個螺紋金屬插件840螺接到相應的開口845中，且螺紋金屬插件840包括與每個緊固件805耦接的第一螺紋介面850。每個螺紋金屬插件840由與不銹鋼相比在形成用於緊固件805的第一螺紋介面850時不易磨損的材料製成。例如，螺紋介面850包括比第二螺紋介面855的螺紋更精細的（finer）螺紋，第二螺紋介面855用於將配接器主體800耦接到螺紋金屬插件840。因此，螺紋金屬插件840為緊固件805提供更精細的螺紋，同時最小化磨損。第二螺紋介面855包括比第一螺紋介面850更粗的（coarser）螺紋，且第二螺紋介面855較粗的螺紋不太可能在配接器主體800的開口845中磨損不銹鋼材料。
圖11是配接器主體800的等角視圖。所示複數個凸起的凸座810係繞配接器主體800的上表面825的周邊。所示槽860及兩個圓形槽865形成在配接器主體800的上表面825中。槽860和槽865經調整尺寸以接收圖10的密封件835。凹陷區域865形成在槽860內的配接器主體800中。凹陷區域865包括用於流體、電力線和/或熱電偶引線的複數個開口。每個槽865包括可用於流體、電力線和/或熱電偶引線的開口870。
圖12是圖11的配接器主體800的一部分的放大圖。圖示凸起的凸座810中的一個，但亦表示在配接器主體800上形成的其他凸起的凸座810。凸起的凸座810包括從配接器主體800的上表面825正交延伸的凸壁872。凸壁872的高度等於圖10中所示與所述的間隙815的尺寸830。凸壁872包括靠近配接器主體800的上表面825的第一半徑875。凸壁872亦在第二半徑885處與配接器主體800的外周表面880接合，第二半徑885與配接器主體800的外周表面880的外直徑相同。第二半徑885大於第一半徑875。
圖示對使用配接器主體800藉由如本說明書所述之軸118耦接到基板支撐主體114的基部組件122之測試，其減少了沿軸118的傳導熱損失。例如，在約攝氏425度下的處理中的一個測試中，在基部組件122處量測的溫度比在傳統基部組件處量測的溫度低約攝氏80度。
儘管前面所述係針對本揭示案的實施例，但在不背離本揭示案的基本範圍的情況下，可設計本揭示案的其他與進一步的實施例，且本揭示案的範圍由以下申請專利範圍所界定。
100‧‧‧基板處理系統102‧‧‧基板支撐組件104‧‧‧處理腔室主體106‧‧‧側壁108‧‧‧底壁110‧‧‧內側壁112A、112B‧‧‧處理區域114‧‧‧基板支撐主體115‧‧‧加熱元件116‧‧‧通道118‧‧‧軸120‧‧‧電力箱122‧‧‧基部組件124‧‧‧周邊環126‧‧‧桿128‧‧‧通道130‧‧‧基板升舉銷132‧‧‧基板移送端口134‧‧‧腔室蓋件136‧‧‧氣體分配系統140‧‧‧氣體入口通道142‧‧‧噴頭組件144‧‧‧環形基底板146‧‧‧反射面板148‧‧‧阻隔板152‧‧‧熱隔離器154‧‧‧遮蔽環156‧‧‧冷卻通道158‧‧‧內側壁160‧‧‧周邊泵送腔164‧‧‧泵送系統166‧‧‧排氣口168‧‧‧冷卻劑通道170‧‧‧襯墊200A、200B、200C‧‧‧區段201‧‧‧狹縫閥通道205‧‧‧襯墊210‧‧‧構件215‧‧‧間距銷300‧‧‧襯墊組件305‧‧‧構件310‧‧‧構件315‧‧‧支撐構件320‧‧‧子組件325‧‧‧耦接構件400‧‧‧襯墊組件405‧‧‧圓柱形插件500‧‧‧襯墊組件505‧‧‧圓周表面700‧‧‧上表面705‧‧‧碟形區域710‧‧‧凸起的中心區域715‧‧‧凸起的周邊區域720‧‧‧凸部800‧‧‧配接器主體805‧‧‧緊固件810‧‧‧凸起的凸座815‧‧‧間隙820‧‧‧下表面825‧‧‧上表面830‧‧‧尺寸835‧‧‧密封件840‧‧‧螺紋金屬插件845‧‧‧開口850‧‧‧第一螺紋介面855‧‧‧第二螺紋介面860‧‧‧槽865‧‧‧圓形槽870‧‧‧開口872‧‧‧凸壁875‧‧‧第一半徑880‧‧‧周邊表面885‧‧‧第二半徑
為了能夠詳細理解本揭示案之上文闡述特徵所用方式，上文所簡要概述的本揭示案的更特定描述可藉由參考實施例來得到，該等實施例中的一些實施例繪示於所附圖式中。然而，值得注意的是，所附圖式僅繪示了本揭示案的典型實施例，而由於本揭示案可允許其他等效之實施例，因此所附圖式並不會視為本揭示案範圍之限制。
圖1是示例性基板處理系統之部分截面圖。
圖2是可用於具有襯墊的一個實施例的圖1基板處理系統中之基板支撐組件和腔室主體（以虛線表示）的示意性等角視圖。
圖3是可用於具有襯墊的另一個實施例的圖1基板處理系統中之基板支撐組件和腔室主體（以虛線表示）的示意性等角視圖。
圖4是可用於具有襯墊的另一個實施例的圖1基板處理系統中之基板支撐組件和腔室主體（以虛線表示）的示意性等角視圖。
圖5是可用於圖1的基板處理系統中之腔室主體的示意性等角視圖。
圖6是可用於圖1的基板處理系統中之基板支撐件的另一實施例的示意性等角視圖，其中未圖示圍繞基板支撐組件的腔室主體。
圖7是與噴頭組件的一個實施例相鄰的基板支撐主體的示意性等角視圖。
圖8是可用於圖1的基板處理系統中之基板支撐主體的一個實施例的示意性截面圖。
圖9是可用於圖1的基板處理系統中之基板支撐主體的另一實施例的示意性截面圖。
圖10是可用於圖1的基板處理系統中的雙金屬基部組件的截面圖。
圖11是圖10的配接器主體的等角視圖。
圖12是圖11的配接器主體的一部分的放大圖。
為便於理解，在可能的情況下，使用相同的元件符號代表圖示中共有的相同元件。可以預期的是一個實施例中的元件與特徵可有利地併入其他實施例中而無需贅述。
國內寄存資訊 (請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無
國外寄存資訊 (請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無
100‧‧‧基板處理系統
102‧‧‧基板支撐組件
104‧‧‧處理腔室主體
106‧‧‧側壁
108‧‧‧底壁
110‧‧‧內側壁
112A、112B‧‧‧處理區域
114‧‧‧基板支撐主體
115‧‧‧加熱元件
116‧‧‧通道
118‧‧‧軸
120‧‧‧電力箱
122‧‧‧基部組件
124‧‧‧周邊環
126‧‧‧桿
128‧‧‧通道
130‧‧‧基板升舉銷
132‧‧‧基板移送端口
134‧‧‧腔室蓋件
136‧‧‧氣體分配系統
140‧‧‧氣體入口通道
142‧‧‧噴頭組件
144‧‧‧環形基底板
146‧‧‧反射面板
148‧‧‧阻隔板
152‧‧‧熱隔離器
154‧‧‧遮蔽環
156‧‧‧冷卻通道
158‧‧‧內側壁
160‧‧‧周邊泵送腔
164‧‧‧泵送系統
166‧‧‧排氣口
168‧‧‧冷卻劑通道
170‧‧‧襯墊

Claims (18)

  1. 一種半導體處理腔室，包括：一腔室主體，該腔室主體具有界定一內部體積的一底部和一側壁，該側壁具有形成在其中的一基板移送端口；一基板支撐件與一噴頭，該基板支撐件與該噴頭設置在該內部體積中；複數個吸收器主體，該複數個吸收器主體設置在該內部體積中，該複數個吸收器主體僅佔據該底部的一部分且位於與該基板移送端口相對的一位置中，各吸收器主體由一或多個間距銷支撐，該一或多個間距銷將各吸收器主體與該底部分隔開，其中各吸收器主體的形狀是一弧形的一部分。
  2. 如請求項1所述之腔室，其中該複數個吸收器主體由兩個構件組成，該等兩個構件在平面圖上具有一主表面，該主表面設置在平行於該基板支撐件的一支撐表面的一平面中。
  3. 如請求項1所述之腔室，其中各吸收器主體包括吸收2微米至7微米範圍內的紅外輻射的一材料。
  4. 如請求項1所述之腔室，其中該基板支撐件具有一成形的上表面。
  5. 如請求項4所述之腔室，其中該成形的上表面包括複數個凸部，該複數個凸部形成在該基板支撐件的一基板接收表面上。
  6. 如請求項5所述之腔室，其中該基板接收表面包括一中心區域，且該等凸部具有從該中心區域往其一周邊區域增加的一長度。
  7. 如請求項4所述之腔室，其中該成形的上表面包括一碟形區域，該碟形區域在該基板支撐件的一基板接收表面之一凸起的中心區域和一凸起的周邊區域之間形成。
  8. 如請求項1所述之腔室，進一步包括：一反射面板，該反射面板耦接至該噴頭，該噴頭面向一基板支撐件的一上表面。
  9. 如請求項1所述之腔室，其中該基板支撐件包括面向該基板移送端口的一第一區域，以及鄰近該第一區域的一第二區域和一第三區域，及該基板支撐件進一步包括升舉銷，該等升舉銷不相稱地(disproportionally)定位於該第二和第三區域中或不相稱地定位於該第二和第三區域上。
  10. 如請求項1所述之腔室，其中該基板支撐件耦接到一軸與一基部組件，該基部組件包括一配接器主體，該配接器主體包含複數個凸出表面與間隙， 以減少該軸與該配接器主體之間的熱傳遞。
  11. 一種半導體處理腔室，包括：一腔室主體，該腔室主體具有界定一內部體積的一底部和一側壁，該側壁具有形成在其中的一基板移送端口；一基板支撐件，該基板支撐件設置在該內部體積中；及複數個吸收器主體，該複數個吸收器主體定位在繞該基板支撐件的該內部體積中與該基板移送端口相對的一位置中且僅佔據該底部的一部分，該等吸收器主體中的各者由一或多個間距銷支撐，該一或多個間距銷將該個別吸收器主體與該底部分隔開，其中該等吸收器主體中的各者包含一黑體材料，該黑體材料在平面圖上具有一馬蹄形形狀，且該等吸收器主體中的各者包含一第一部分與一第二部分，該第一部分比該第二部分厚。
  12. 如請求項11所述之腔室，其中該基板支撐件包括一成形的上表面。
  13. 如請求項12所述之腔室，其中該成形的上表面包括複數個凸部，該複數個凸部形成在該基板支撐件的一基板接收表面上。
  14. 如請求項13所述之腔室，其中該基板接收 表面包括一中心區域，且該等凸部具有從該中心區域往其一周邊區域增加的一長度。
  15. 如請求項12所述之腔室，其中該成形的上部包括一碟形區域，該碟形區域在該基板支撐件的一基板接收表面之一凸起的中心區域和一凸起的周邊區域之間形成。
  16. 如請求項11所述之腔室，進一步包括：一反射面板，該反射面板耦接至該噴頭，該噴頭面向一基板支撐件的一上表面。
  17. 如請求項11所述之腔室，其中該基板支撐件包括面向該基板移送端口的一第一區域，以及鄰近該第一區域的一第二區域和一第三區域，及該基板支撐件進一步包括升舉銷，該等升舉銷不相稱地定位於該第二和第三區域中或不相稱地定位於該第二和第三區域上。
  18. 一種半導體處理腔室，包括：一腔室主體，該腔室主體具有界定一內部體積的一底部和一側壁，該側壁具有形成在其中的一基板移送端口；及一基板支撐件與一噴頭，該基板支撐件與該噴頭設置在該內部體積中，該基板支撐件包括面向該基板移送端口的一第一區域，以及鄰近該第一區域的一第二 區段和一第三區段，其中一吸收器主體定位在同時鄰近該第二區段和該第三區段的該內部體積中，及其中該吸收器主體僅佔據該內部體積的一部分且位於與該基板移送端口相對的一位置中，及其中該吸收器主體包含吸收2微米至7微米範圍內的紅外輻射的一陽極化的材料且包含一第一部分與一第二部分，該第一部分比該第二部分厚，及該吸收器主體在平面圖上的形狀為一部分弧形。
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