TWI758848B

TWI758848B - 薄膜電晶體感光電路、顯示面板以及使用其之行動裝置

Info

Publication number: TWI758848B
Application number: TW109130376A
Authority: TW
Inventors: 戴亞翔; 杜承哲; 張育嘉; 蕭培宏
Original assignee: 敦泰電子股份有限公司
Priority date: 2020-09-04
Filing date: 2020-09-04
Publication date: 2022-03-21
Also published as: TW202211200A

Abstract

本發明提供一種薄膜電晶體感光電路、顯示面板以及使用其之行動裝置。此薄膜電晶體感光電路包括M×N個感光單元、M個讀取緩衝器以及一控制電路，每一感光單元包括一感光電路、一儲能電路以及一開關電路。感光電路的感光部分由間隙型薄膜電晶體構成，藉由控制感光電路的控制端，控制感光電路整體的積分時間，之後，再藉由控制開關電路，將每一個感光電路的積分結果一一讀出。故，相較於先前的被動感光元件，每一個感光電路的積分時間可以一致，且可以同時進行積分。

Description

薄膜電晶體感光電路、顯示面板以及使用其之行動裝置

本發明係關於一種感光電路，更進一步來說，本發明係關於一種薄膜電晶體感光電路、顯示面板以及使用其之行動裝置。

指紋辨識技術是一種生物辨識技術，指紋辨識系統是一套包括指紋圖像取得、處理、特徵提取和比對等模組的圖型識別系統。常用於需要人員身分確認的場所，如門禁系統、考勤系統、筆記型電腦、行動裝置、銀行內部處理與銀行支付等。目前應用於行動裝置使用的光學式指紋辨識分為按鈕式與屏下式。按鈕式指紋辨識裝置一般配置於行動裝置的開機按鈕或HOME按鈕，而屏下式指紋辨識裝置一般是配置在有機發光二極體面板下方的特定位置。然而，若使用者的手指不在特定位置，上述屏下式指紋辨識裝置則無法辨識指紋。

另外，屏下式指紋辨識裝置需要有影像擷取裝置，一般影像擷取裝置主要是採用畫素感測器陣列，畫素感測器陣列包含被動式畫素感測器(Passive Pixel Sensor，PPS)與主動式畫素感測器(Active Pixel Sensor，APS)。兩種畫素感測器陣列主要的差別在於被動式畫素感測器的電路，是由單一個電晶體所構成的選擇開關。其中，當光線激發出上述電晶體的電子後，電子將儲存於電容器中，再讓位於每一行末端的放大器讀取出行、列交會處的畫素所積存的電訊號，再將此電訊號放大。被動式畫素感測器的優點是電路單純且不會因為占掉太多感光的面積而影響到感測器的靈敏度，缺點則是訊號的輸出線路阻抗極高，容易產生隨機雜訊造成影像的品質不佳。

主動式畫素感測器的電路是在每個畫素耦接電晶體所構成的放大器，此外主動式畫素感測器的設計解決了被動式畫素感測器容易產生隨機雜訊的問題；不過由於放大器的線路占掉畫素太多的感光面積，使感測器的單位面積內能放的畫素降低，解析度也隨之降低。此外，畫素上的放大器特性不容易做到每個都一致，導致有些畫素的電壓被放得較大，有些畫素的電壓放大的較小。製程完成後，這些放大器特性都不能更動。因此，會產生所謂的固定圖案雜訊，使擷取到的影像有如透過骯髒窗戶所看到的景物一般，所以目前大部分的產品所用的感測器還是以被動式畫素感測器為主。

傳統的被動式畫素感測器之照光積分時間是被設定在兩個圖框掃描時間之間。因此，積分時間的長短會因陣列中面板的掃描線數量而受影響。被動式畫素感測器在解析度較高的情況下，感光時間常常是非常的短，但是，若要讓平面顯示面板(如液晶顯示面板、有機發光二極體顯示面板等)上，製作光學指紋辨識功能，由於材料因素，感光時間需要較長，常常會不足以完成積分，導致影像模糊不清。

本發明的一目的在於提供一種薄膜電晶體感光電路、顯示面板以及使用其之行動裝置，用以在薄膜電晶體感光速度較低的情況下，能夠達成快速影像擷取，適合用在面板上的光學指紋辨識。

有鑒於此，本發明提供一種薄膜電晶體感光電路，此薄膜電晶體感光電路包括M×N個感光單元、M個讀取緩衝器以及一控制電路。每一感光單元包括一感光電路、一儲能電路以及一開關電路。感光電路的感光部分由間隙型薄膜電晶體構成，此感光電路包括一控制端、一第一端以及一第二端，其中，感光電路的第一端耦接一第一電源端。儲能電路耦接感光電路的第二端。開關電路包括一第一端、一第二端以及一控制端，其中，開關電路的第一端耦接該感光電路的第二端。每一讀取緩衝器包括一輸入端以及一輸出端，第K個讀取緩衝器的輸入端，耦接第K列的N個開關電路的第二端。

控制電路耦接上述感光單元的感光電路的控制端以及上述感光單元的開關電路的控制端，其中，控制電路控制上述感光單元的該感光電路的控制端以控制每一個感光單元的積分時間，控制電路控制上述感光單元的開關電路的控制端以控制感光單元輸出給M個讀取緩衝器的感光訊號。

本發明另外提供一種顯示面板，此顯示面板包括一薄膜電晶體感光電路，此薄膜電晶體感光電路包括M×N個感光單元、M個讀取緩衝器以及一控制電路。每一感光單元包括一感光電路、一儲能電路以及一開關電路。感光電路的感光部分由間隙型薄膜電晶體構成，此感光電路包括一控制端、一第一端以及一第二端，其中，感光電路的第一端耦接一第一電源端。儲能電路耦接感光電路的第二端。開關電路包括一第一端、一第二端以及一控制端，其中，開關電路的第一端耦接該感光電路的第二端。每一讀取緩衝器包括一輸入端以及一輸出端，第K個讀取緩衝器的輸入端，耦接第K列的N個開關電路的第二端。

本發明另外提供一種行動裝置，此行動裝置包括一顯示面板，此顯示面板包括一薄膜電晶體感光電路，此薄膜電晶體感光電路包括M×N個感光單元、M個讀取緩衝器以及一控制電路。每一感光單元包括一感光電路、一儲能電路以及一開關電路。感光電路的感光部分由間隙型薄膜電晶體構成，此感光電路包括一控制端、一第一端以及一第二端，其中，感光電路的第一端耦接一第一電源端。儲能電路耦接感光電路的第二端。開關電路包括一第一端、一第二端以及一控制端，其中，開關電路的第一端耦接該感光電路的第二端。每一讀取緩衝器包括一輸入端以及一輸出端，第K個讀取緩衝器的輸入端，耦接第K列的N個開關電路的第二端。

依照本發明較佳實施例所述之薄膜電晶體感光電路、顯示面板以及使用其之行動裝置，上述感光電路包括一間隙型薄膜電晶體，此間隙型薄膜電晶體包括一閘極、一第一源汲極以及一第二源汲極，其中，間隙型薄膜電晶體的閘極耦接該感光電路的控制端，間隙型薄膜電晶體的第一源汲極耦接該感光電路的第一端，間隙型薄膜電晶體的第二源汲極耦接該感光電路的第二端，其中至少該第一源汲極和該第二源汲極之其一未覆蓋該閘極。

依照本發明較佳實施例所述之薄膜電晶體感光電路、顯示面板以及使用其之行動裝置，上述儲能電路包括一電容器，包括一第一端以及一第二端，其中，該電容器的第一端耦接該間隙型薄膜電晶體第二源汲極，該電容器的第二端耦接一第二電源端。

依照本發明較佳實施例所述之薄膜電晶體感光電路、顯示面板以及使用其之行動裝置，上述開關電路包括一薄膜電晶體，此薄膜電晶體包括一閘極、一第一源汲極以及一第二源汲極，其中，薄膜電晶體的閘極耦接開關電路的控制端，薄膜電晶體的第一源汲極耦接開關電路的第一端，薄膜電晶體的第二源汲極耦接開關電路的第二端。

依照本發明較佳實施例所述之薄膜電晶體感光電路、顯示面板以及使用其之行動裝置，上述感光電路包括一間隙型薄膜電晶體以及一薄膜電晶體。此間隙型薄膜電晶體包括一閘極、一第一源汲極以及一第二源汲極，其中，間隙型薄膜電晶體的閘極以及間隙型薄膜電晶體的第一源汲極耦接感光電路的第一端。薄膜電晶體包括一閘極、一第一源汲極以及一第二源汲極，其中，薄膜電晶體的閘極耦接感光電路的控制端，薄膜電晶體的第一源汲極耦接間隙型薄膜電晶體的第二源汲極，薄膜電晶體的第二源汲極耦接感光電路的第二端。該間隙型薄膜電晶體之該第一源汲極和該第二源汲極間的間隙大於該薄膜電晶體之該第一源汲極和該第二源汲極間的間隙。

依照本發明較佳實施例所述之薄膜電晶體感光電路、顯示面板以及使用其之行動裝置，上述儲能電路包括一電容器，此電容器包括一第一端以及一第二端，其中，電容器的第一端耦接該薄膜電晶體第二源汲極，電容器的第二端耦接開關電路的第二端。

依照本發明較佳實施例所述之薄膜電晶體感光電路、顯示面板以及使用其之行動裝置，上述控制電路包括一積分控制接腳，該積分控制接腳耦接至上述M×N個感光單元的該感光電路的控制端，以同時致能與關閉每一個感光單元。

本發明的精神在於藉由控制感光電路的控制端，控制感光電路整體的積分時間，之後，在藉由控制開關電路，將每一個感光電路的積分結果一一讀出。故，相較於先前的被動感光元件，每一個感光電路的積分時間可以一致，且可以同時進行積分。

為讓本發明之上述和其他目的、特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下。

100:具有光學讀取功能之液晶顯示面板

201:感光單元

202:讀取緩衝器

203:控制電路

301:閘極金屬

302:閘極氧化層

303:通道

304:摻雜非晶矽

305:源汲極金屬

40、50:感光單元

41、51:讀取緩衝器

42、52:控制電路

MG:間隙型薄膜電晶體

M1、M2:薄膜電晶體

401、501:感光電路

402、502:儲能電路

403、503:開關電路

INT:積分控制接腳

Sel_1、Sel_2、Sel_M:選擇訊號

DAT_1、DAT_2、DAT_M:資料

第1圖繪示為本發明一較佳實施例的行動裝置之示意圖。

第2圖繪示為本發明一較佳實施例的具有光學讀取功能之液晶顯示面板之電路方塊圖。

第3圖繪示為本發明一較佳實施例的間隙型薄膜電晶體之結構示意圖。

第4圖繪示為本發明一較佳實施例的薄膜電晶體感光電路之電路圖。

第5圖繪示為本發明一較佳實施例的薄膜電晶體感光電路之電路圖。

第1圖繪示為本發明一較佳實施例的行動裝置之示意圖。請參考第1圖，此行動裝置包括一具有光學讀取功能之液晶顯示面板100。一般來說，面板上的光學讀取功能最常用的應用是指紋辨識，以下皆以指紋辨識作為舉例。第2圖繪示為本發明一較佳實施例的具有光學讀取功能之液晶顯示面板之電路方塊圖。請參考第2圖，此具有光學讀取功能之液晶顯示面板包括M×N個感光單元201、M個讀取緩衝器202以及控制電路203。

感光單元201係配置在液晶顯示面板上，由薄膜電晶體與間隙型薄膜電晶體構成，其中，間隙型薄膜電晶體的結構一般來說如第3圖所示，其繪示為本發明一較佳實施例的間隙型薄膜電晶體之結構示意圖。請參考第3圖，301為閘極金屬；302為閘極氧化層；303為通道，一般是用非晶矽的半導體材料製作，但不以此為限；304為摻雜非晶矽；305為源汲極金屬。由第3圖可以看出，上述間隙型薄膜電晶體係以非對稱的結構，且露出非常大部分的薄膜電晶體通道，用以接收光線。也就是說，相較傳統的薄膜電極體，本實施例間隙薄膜電晶體的源汲極彼此間隔一間隙，用以曝露出非常大部份的通道303，以及底下的閘極金屬301。藉此，間隙型薄膜電晶體便可以依照所接收的光線之不同，導通狀況也會跟著不同，若其後耦接儲能元件，便可以將電荷累積，再依照電荷累積的不同，判斷所接收的光線的亮暗程度。而一般習知技術中的薄膜電晶體則是對稱結構，且通道露出較小。換言之，為了曝露出大部份通道303及底下閘極金屬301，間隙薄膜電晶體的兩源汲極金屬305其中之一可設置未覆蓋閘極金屬301，如圖3所示，僅一側源汲極金屬305覆蓋閘極金屬301。

第4圖繪示為本發明一較佳實施例的薄膜電晶體感光電路之電路圖。請參考第4圖，在此實施例中，為了方便說明本發明的精神，僅繪示2×2的感光單元，然所屬技術領域具有通常知識者應當知道，感光單元的數量與配置可以依照不同設計而擴展，故本發明不以此為限。此薄膜電晶體感光電路包括多個感光單元40、多個讀取緩衝器41、控制電路42，每一個感光單元40包括一感光電路401、一儲能電路402以及一開關電路403。感光電路401在此實施例例如是以單一個間隙型薄膜電晶體MG所構成，在第4圖的圖式內是以閘極電極一半來表示。儲能電路402是以電容器來實施。開關電路403則是以普通薄膜電晶體M2實施。值得一提的是，間隙薄膜電晶體401源汲極間彼此間隔之間隙可以是大於普通薄膜電晶體403源汲極間的間隙，以曝露出大部分通道及底下閘極。

由上述第4圖的實施例可以看出，控制電路42僅利用一根積分控制接腳INT控制所有的感光電路401。因此，控制電路42可以僅透過一根積分控制接腳INT控制感光單元40的積分時間。當進行積分時，感光電路401根據所照射的光線，決定感光電路401的導通程度，電源電壓VDD透過感光電路401對儲能電路402進行充電(積分)。當積分時間結束，控制電路42透過積分控制接腳INT控制每一個感光電路401，使每一個感光電路401關閉，電流無法通過。之後，控制電路42只要依序控制選擇訊號Sel_1、Sel_2，來控制開關電路403，就可以將儲存在儲能電路402的能量，透過讀取緩衝器41讀取出資料dAT_1。控制電路42便可以擷取到影像的電訊號。

由上述實施例可以看出，先前技術無論是被動式畫素感測器或主動式畫素感測器，皆必須要想辦法控制其積分時間與重置時間，並且依序讀出積分後的電訊號。由於先前技術，積分時間是一個圖框重置完(frame reset)之後到轉移電流或電荷的讀取(readout)階段之間的時間，積分時間的長短將因此被掃描線的數量所分配到的時間長短所限制。因此，在先前技術中，若感測元件光電流過大導致積分時間過長而得到超出範圍的電荷或電流，將導致指紋辨識的圖像失真，產生後端電路無法使用的資料。或者，在先前技術中，感測元件的光反應時間(rising time及falling time)過長而導致積分時間不足，也會導致無法正常操作的問題。

由於本案是採用所謂的全域積分(Global Integration)，每一個畫素的積分時間都可以控制在相同的時間，因此，可以免除因積分飽和導致圖像失真，亦可以防止積分時間不足的問題。另外，先前技術的畫素感測器則是持續不斷的在積分與讀取，然本發明實施例的感光電路401因為是以閘極控制，因此，可以選定在適當的時間開啟所有的感光電路401，使所有列全部統一被控制。當不需要進行感光時，可以控制所有的感光電路401停止積分。

第5圖繪示為本發明一較佳實施例的薄膜電晶體感光電路之電路圖。請參考第5圖，在此實施例中，同樣地，為了方便說明本發明的精神，僅繪示2×2的感光單元，然所屬技術領域具有通常知識者應當知道，感光單元可以依照不同設計而擴展，故本發明不以此為限。此薄膜電晶體感光電路包括多個感光單元50、多個讀取緩衝器51、控制電路52，每一個感光單元50包括一感光電路501、一儲能電路502以及一開關電路503。請同時參考第4圖以及第5圖，在此實施例中，感光電路501是以一個間隙型薄膜電晶體MG以及一個薄膜電晶體M1構成。第5圖中的間隙型薄膜電晶體MG同樣是以閘極電極一半來表示，作為和普通薄膜電晶體的區隔。儲能電路502同樣是以電容器來實施。開關電路503則是以普通薄膜電晶體M2實施。

在此實施例中，控制電路42同樣地僅用一根積分控制接腳INT控制所有的感光電路501。而第5圖與第4圖的實施例差別在於，感光電路501內的間隙型薄膜電晶體MG例如是二極體電晶體(diode connected FET)的耦接方式，換句話說，間隙型薄膜電晶體MG可以當作是一個光電二極體(Photodiode)。感光電路501的積分控制接腳INT則例如是控制薄膜電晶體M1，也就是說，控制電路52是透過積分控制接腳INT控制薄膜電晶體M1，進一步控制感光單元50的積分時間。當進行積分時，間隙型薄膜電晶體MG根據所照射的光線，決定間隙型薄膜電晶體MG的導通程度。當薄膜電晶體M1導通時，電源電壓VDD透過間隙型薄膜電晶體MG對儲能電路502進行充電(積分)。當積分時間結束，控制電路52透過積分控制接腳INT控制薄膜電晶體M1關閉，電流無法通過，之後，控制電路52只要依序控制選擇訊號Sel_1、Sel_2.....，以控制開關電路503，將儲存在儲能電路502的能量，透過讀取緩衝器51讀取出，控制電路52便可以擷取到影像的電訊號。

本發明實施例採用所謂的全域積分的原因在於，一般薄膜電晶體(無論是液晶顯示面板的薄膜電晶體或有機發光二極體顯示面板的薄膜電晶體)，其作為感光元件時，積分速度都比一般感光元件需要更長的時間，因此，若採用以往的掃描線積分方式，積分時間會嚴重不足，導致鎖讀取的影像不清晰。對於光學指紋辨識來說，影像清晰度會是非常決定性的關鍵因素。由於本發明的控制方式，可以讓所有感光元件同時進行積分，如此一來，積分時間從先前技術的一條線的時間，增加為整個圖框的時間，比起先前技術來說，可以增加數百倍或千倍的積分時間，對於影像清晰度來說是很有利的。設計者可以調控的範圍也會增加很多，良率也會跟著上升。

另外，由於本案採用薄膜電晶體製程，故本案可以應用的範圍相當廣泛，例如手機面板上指紋辨識、電視、智慧手錶的指紋辨識等等，只要應用薄膜電晶體製程，皆可以採用本發明的技術。在上述實施例中，顯示面板例如是以液晶顯示面板為例，但本領域具有通常知識者應當可以推知，本發明也可應用於有機發光二極體顯示面板或其他型態的顯示面板，故本發明不限於此。

綜上所述，本發明的精神在於藉由擷取指紋影像前，指紋影像擷取電路先獲得目前各像素被驅動的極性狀態，藉此，當指紋擷取後，可以針對極性造成的干擾，進行後端影像處理，使指紋辨識率大幅度提升。

在較佳實施例之詳細說明中所提出之具體實施例僅用以方便說明本發明之技術內容，而非將本發明狹義地限制於上述實施例，在不超出本發明之精神及以下申請專利範圍之情況，所做之種種變化實施，皆屬於本發明之範圍。因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

40:感光單元

41:讀取緩衝器

42:控制電路

MG:間隙型薄膜電晶體

M2:薄膜電晶體

401:感光電路

402:儲能電路

403:開關電路

INT:積分控制接腳

Sel_1、Sel_2:選擇訊號

Claims

一種薄膜電晶體感光電路，該薄膜電晶體感光電路包括：M×N個感光單元，每一該些感光單元包括：一感光電路，包括一控制端、一第一端以及一第二端，其中，該感光電路的第一端耦接一第一電源端，其中該感光電路的感光部分由一間隙型薄膜電晶體所構成；一儲能電路，耦接該感光電路的第二端；以及一開關電路，包括一第一端、一第二端以及一控制端，其中，該開關電路的第一端耦接該感光電路的第二端；M個讀取緩衝器，每一該些讀取緩衝器包括一輸入端以及一輸出端，第K個讀取緩衝器的輸入端，耦接第K列的N個開關電路的第二端；一控制電路，耦接該感光單元中該感光電路的控制端以及該開關電路的控制端，其中，該控制電路控制該感光單元中該感光電路的控制端，以控制每一個感光單元的積分時間，該控制電路控制該感光單元中該開關電路的控制端，以控制感光單元輸出給該M個讀取緩衝器的感光訊號。
如請求項1所記載之薄膜電晶體感光電路，其中，該控制電路包括一積分控制接腳，該積分控制接腳耦接至該感光單元中該感光電路的控制端，以同時致能與關閉每一個感光單元。
如請求項1所記載之薄膜電晶體感光電路，其中，該感光電路中該間隙型薄膜電晶體，包括一閘極、一第一源汲極以及一第二源汲極，其中，該間隙型薄膜電晶體的閘極耦接該感光電路的控制端，該間隙型薄膜電晶體的第一源汲極耦接該感光電路的第一端，該間隙型薄膜電晶體的第二源汲極耦接該感光電路的第二端，其中至少該第一源汲極和該第二源汲極之其一未覆蓋該閘極。
如請求項3所記載之薄膜電晶體感光電路，其中，該儲能電路包括：一電容器，包括一第一端以及一第二端，其中，該電容器的第一端耦接該間隙型薄膜電晶體第二源汲極，該電容器的第二端耦接一第二電源端。
如請求項1所記載之薄膜電晶體感光電路，其中，該開關電路包括：一薄膜電晶體，包括一閘極、一第一源汲極以及一第二源汲極，其中，該薄膜電晶體的閘極耦接該開關電路的控制端，該薄膜電晶體的第一源汲極耦接該開關電路的第一端，該薄膜電晶體的第二源汲極耦接該開關電路的第二端。
如請求項1所記載之薄膜電晶體感光電路，其中，該感光電路包括：該間隙型薄膜電晶體，包括一閘極、一第一源汲極以及一第二源汲極，其中，該間隙型薄膜電晶體的閘極以及該間隙型薄膜電晶體的第一源汲極耦接該感光電路的第一端；以及一薄膜電晶體，包括一閘極、一第一源汲極以及一第二源汲極，其中，該薄膜電晶體的閘極耦接該感光電路的控制端，該薄膜電晶體的第一源汲極耦接該間隙型薄膜電晶體的第二源汲極，該薄膜電晶體的第二源汲極耦接該感光電路的第二端；其中，該間隙型薄膜電晶體之該第一源汲極和該第二源汲極間的間隙大於該薄膜電晶體之該第一源汲極和該第二源汲極間的間隙。
如請求項6所記載之薄膜電晶體感光電路，其中，該儲能電路包括：一電容器，包括一第一端以及一第二端，其中，該電容器的第一端耦接該薄膜電晶體第二源汲極，該電容器的第二端耦接該開關電路的第二端。
一種顯示面板，包括：一薄膜電晶體感光電路，包括：M×N個感光單元，每一該些感光單元包括：一感光電路，包括一控制端、一第一端以及一第二端，其中，該感光電路的第一端耦接一第一電源端；一儲能電路，耦接該感光電路的第二端；以及一開關電路，包括一第一端、一第二端以及一控制端，其中，該開關電路的第一端耦接該感光電路的第二端； M個讀取緩衝器，每一該些讀取緩衝器包括一輸入端以及一輸出端，第K個讀取緩衝器的輸入端，耦接第K列的N個開關電路的第二端；一控制電路，耦接該感光單元中該感光電路的控制端以及該開關電路的控制端，其中，該控制電路控制該感光單元中該感光電路的控制端，以控制每一個感光單元的積分時間，該控制電路控制該感光單元中該開關電路的控制端，以控制感光單元輸出給M個讀取緩衝器的感光訊號。
如請求項8所記載之顯示面板，其中，該控制電路包括一積分控制接腳，該積分控制接腳耦接至該感光單元中該感光電路的控制端，以同時致能與關閉每一個感光單元。
如請求項8所記載之顯示面板，其中，該感光電路包括：一間隙型薄膜電晶體，包括一閘極、一第一源汲極以及一第二源汲極，其中，該間隙型薄膜電晶體的閘極耦接該感光電路的控制端，該間隙型薄膜電晶體的第一源汲極耦接該感光電路的第一端，該間隙型薄膜電晶體的第二源汲極耦接該感光電路的第二端，其中至少該第一源汲極和該第二源汲極之其一未覆蓋該閘極。
如請求項10所記載之顯示面板，其中，該儲能電路包括：一電容器，包括一第一端以及一第二端，其中，該電容器的第一端耦接該間隙型薄膜電晶體第二源汲極，該電容器的第二端耦接一第二電源端。
如請求項8所記載之顯示面板，其中，該開關電路包括：一薄膜電晶體，包括一閘極、一第一源汲極以及一第二源汲極，其中，該薄膜電晶體的閘極耦接該開關電路的控制端，該薄膜電晶體的第一源汲極耦接該開關電路的第一端，該薄膜電晶體的第二源汲極耦接該開關電路的第二端。
如請求項8所記載之顯示面板，其中，該感光電路包括：一間隙型薄膜電晶體，包括一閘極、一第一源汲極以及一第二源汲極，其中，該間隙型薄膜電晶體的閘極以及該間隙型薄膜電晶體的第一源汲極耦接該感光電路的第一端；以及一薄膜電晶體，包括一閘極、一第一源汲極以及一第二源汲極，其中，該薄膜電晶體的閘極耦接該感光電路的控制端，該薄膜電晶體的第一源汲極耦接該間隙型薄膜電晶體的第二源汲極，該薄膜電晶體的第二源汲極耦接該感光電路的第二端；其中，該間隙型薄膜電晶體之該第一源汲極和該第二源汲極間的間隙大於該薄膜電晶體之該第一源汲極和該第二源汲極間的間隙。
如請求項13所記載之顯示面板，其中，該儲能電路包括：一電容器，包括一第一端以及一第二端，其中，該電容器的第一端耦接該薄膜電晶體第二源汲極，該電容器的第二端耦接該開關電路的第二端。
一種行動裝置，包括如請求項8~14中任一之顯示面板。