CN115412684A - 薄膜晶体管感光电路、显示面板以及使用其的行动装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供薄膜晶体管感光电路、显示面板以及使用其的行动装置。此薄膜晶体管感光电路包括N×M个感光单元、M个读取电路以及一控制电路。每一感光单元包括一感光电路以及一开关电路。感光电路的感光部分由间隙型薄膜晶体管构成。由于感光电路系采用间隙型薄膜晶体管制作，故感光所需时间远小于光电二极管，在本发明中，无须特别给予积分时间，控制电路只要开启感光电路进行感光后，即刻可以由M个读取电路直接读取感光结果。故感光与扫描读取可以同时进行。

Description

薄膜晶体管感光电路、显示面板以及使用其的行动装置

技术领域

本发明是关于一种生物辨识的技术，尤指采用薄膜晶体管感光电路的生物辨识技术、显示面板以及使用其的行动装置。

背景技术

指纹辨识技术是一种生物辨识技术，指纹辨识系统是一套包括指纹图像取得、处理、特征提取和比对等模块的图像识别系统。常用于需要人员身份确认的场所，如门禁系统、考勤系统、笔记型计算机、行动装置、银行内部处理与银行支付等。目前应用于行动装置使用的光学式指纹辨识分为按钮式与屏下式。按钮式指纹辨识装置一般配置于行动装置的开机按钮或HOME按钮，而屏下式指纹辨识装置一般是配置在有机发光二极管面板下方的特定位置。然而，若使用者的手指不在特定位置，上述屏下式指纹辨识装置则无法辨识使用者的指纹。

另外，屏下式指纹辨识装置需要有影像撷取装置，一般影像撷取装置主要是采用像素传感器阵列，像素传感器阵列包含被动式像素传感器(Passive Pixel Sensor，PPS)与主动式像素传感器(Active Pixel Sensor，APS)。两种像素传感器阵列主要的差别在于被动式像素传感器的电路，是由单一个晶体管所构成的选择开关。其中，当光线激发出上述晶体管的电子后，电子将储存于电容器中，再让位于每一列末端的放大器读取出行、列交会处的像素所积存的电信号，再将此电信号放大。被动式像素传感器的优点是电路单纯且不会因为占掉太多感光的面积而影响到传感器的灵敏度，缺点则是信号的输出线路阻抗极高，容易产生随机噪声造成影像的质量不佳。

主动式像素传感器的电路是在每个像素耦接晶体管所构成的放大器，此外主动式像素传感器的设计解决了被动式像素传感器容易产生随机噪声的问题，不过由于放大器的线路占掉像素太多的感光面积，使传感器的单位面积内能放的像素降低，分辨率也随之降低。此外，像素上的放大器特性不容易做到每个都一致，导致有些像素的电压被放得较大，有些像素的电压放大的较小。制程完成后，这些放大器特性都不能更动。因此，会产生所谓的固定图案噪声，使撷取到的影像有如透过肮脏窗户所看到的景物一般，所以目前大部分的产品所用的传感器还是以被动式像素传感器为主。

图1所示为现有技术的光学指纹辨识装置的影像撷取装置的电路图。请参考图1，在此实施例中，影像撷取装置包括N×M个影像撷取单元与M个读取电路110，每一个影像撷取单元包括一开关M1、储能元件101以及一光电二极管(photodiode)102。一般来说，光电二极管102会采用P-I-N二极管结构，而P-I-N指的是P型掺杂、本质层(intrinsic layer)以及N型掺杂。也就是P型掺杂与N型掺杂之间，额外配置本质层。图2所示为现有技术的光学指纹辨识装置的影像撷取装置的操作示意图。请参考图2，在此例中，每一行都需要很长的积分时间，让上述影像撷取单元内的储能元件101累积电荷。在积分时间结束后，读取电路110才可以读取，并进行重置。然而，此类型的光学指纹辨识装置的积分时间太长，且需要非常高强度的光源，对于屏下指纹辨识来说，常常会导致信号噪声比(SNR)不足使得指纹不清晰，甚至无法辨识。另外，若需要增加信号噪声比，则需要更长的时间读取指纹，对产品来说，是一个很大的缺陷。

发明内容

本发明的一目的在于提供一种薄膜晶体管感光电路、显示面板以及使用其的行动装置，用以采用薄膜晶体管制程制造感光速度快速的感光电路，能够达成快速影像撷取，适合用在面板下方的光学指纹辨识。

为此，本发明提供一种薄膜晶体管感光电路，配置于一玻璃基板上，此薄膜晶体管感光电路包括N×M个感光单元、M个读取电路以及一控制电路。每一感光单元包括一感光电路以及一开关电路。感光电路的感光部分由间隙型薄膜晶体管构成，包括一控制端、一第一端以及一第二端，其中，该感光电路的第一端耦接一第一电源端。开关电路包括一第一端、一第二端以及一控制端，其中，开关电路的第一端耦接感光电路的第二端。每一读取电路包括一输入端以及一输出端，第K个读取电路的输入端，耦接第K行的N个开关电路的第二端。控制电路包括N个扫描端，第K个扫描端耦接第K行的M个感光电路的控制端以及M个开关电路的控制端。控制电路透过上述N个扫描端，依序扫描第一行～第N行的M个感光单元，以依序读取出每一行的M个感光信号，其中，当第K个扫描端致能时，第K行的M个感光电路以及M个开关电路同时被导通。

本发明另外提供一种显示面板，此显示面板包括一指纹辨识装置，配置于显示面板下，此指纹辨识装置包括一薄膜晶体管感光电路，此薄膜晶体管感光电路配置于一玻璃基板上，此薄膜晶体管感光电路如上所述。

本发明另外提供一种行动装置，此行动装置包括一显示面板以及一指纹辨识装置。指纹辨识装置，配置于显示面板下，此指纹辨识装置包括一薄膜晶体管感光电路，此薄膜晶体管感光电路配置于一玻璃基板上，此薄膜晶体管感光电路如上所述。

依照本发明较佳实施例所述的薄膜晶体管感光电路、显示面板以及使用其的行动装置，上述感光电路包括一间隙型薄膜晶体管，包括一闸极、一第一源漏极以及一第二源漏极，其中，间隙型薄膜晶体管的闸极耦接感光电路的控制端，间隙型薄膜晶体管的第一源漏极耦接感光电路的第一端，间隙型薄膜晶体管的第二源漏极耦接感光电路的第二端，其中，间隙型薄膜晶体管的非晶硅通道仅覆盖一部分闸极。

依照本发明较佳实施例所述的薄膜晶体管感光电路、显示面板以及使用其的行动装置，上述间隙型薄膜晶体管的闸极到第二源漏极的间隙长度介于2μm～10μm。

依照本发明较佳实施例所述的薄膜晶体管感光电路、显示面板以及使用其的行动装置，上述读取电路包括一电阻电路以及一模拟数字转换器。第K个读取电路的电阻电路的输入端耦接第K行的开关电路的第二端。模拟数字转换器的输入端耦接电阻电路的输出端，其中，第K个读取电路的模拟数字转换器的输出端输出被致能的第K个感光单元的感光数据。

依照本发明较佳实施例所述的薄膜晶体管感光电路、显示面板以及使用其的行动装置，上述每一读取电路还包括一可控制电流源，包括一输入端，其中，第K个可控制电流源的输入端耦接第K行的开关电路的第二端，可根据环境光线强度，调整可控制电流源的电流。

依照本发明较佳实施例所述的薄膜晶体管感光电路、显示面板以及使用其的行动装置，上述可控制电流源包括一第一晶体管、一第二晶体管、一阻抗元件以及一数字模拟转换器。第一晶体管的第一源漏极耦接一电源电压，第一晶体管的闸极耦接第一晶体管的第二源漏极，第一晶体管的第二源漏极耦接可控制电流源的输入端。第二晶体管的第一源漏极耦接一电源电压，第二晶体管的闸极耦接该第一晶体管的闸极。阻抗元件的第一端耦接第二晶体管的第二源漏极，阻抗元件的第二端耦接一共接电压。数字模拟转换器的输出端耦接第二晶体管的第二源漏极。其中，根据环境光线强度，调整数字模拟转换器的数据，以控制第一晶体管的电流。

本发明的精神在于利用间隙型薄膜晶体管作为感光电路，并且在玻璃基板上，以面板制程制作出间隙型薄膜晶体管的感光电路，除了具有非常大的成本优势外，尺寸亦可以做的比硅基(silicon base)半导体更大。且感光效果远大于光电二极管。故可以无须采用电容积分的方式，直接便可以读取出感光结果。即便在薄膜晶体管的载子迁移率(mobility)远小于硅基半导体材料的情况下，仍旧可以做到极快速的感光。

附图说明

图1所示为现有技术的光学指纹辨识装置的影像撷取装置的电路图。

图2所示为现有技术的光学指纹辨识装置的影像撷取装置的操作示意图。

图3所示为本发明一较佳实施例的行动装置的示意图。

图4所示为本发明一较佳实施例的薄膜晶体管感光电路301的电路方块图。

图5所示为本发明一较佳实施例的间隙型薄膜晶体管的结构示意图。

图6所示为现有技术的薄膜晶体管的结构示意图。

图7所示为本发明一较佳实施例的薄膜晶体管感光电路的电路图。

图8所示为本发明一较佳实施例的薄膜晶体管感光电路的电路图。

图9所示为本发明一较佳实施例的可控制电流源801的电路图。

图10所示为本发明一较佳实施例的间隙型薄膜晶体管的结构示意图。

图中，M1：开关

101：储能元件

102：光电二极管

110：读取电路

300：具有光学读取功能的显示面板

301：配置于显示面板300屏下的薄膜晶体管感光电路

401：N×M个感光单元

402：M个读取电路

403：控制电路

501：闸极金属

502：闸极氧化层

503：通道

504：掺杂非晶硅

505：源漏极金属

60：感光单元

61：读取电路

62：控制电路

601：感光电路

602：开关电路

MG：间隙型薄膜晶体管

M2：薄膜晶体管

611：电阻电路

612：模拟数字转换器

711：积分器

801：可控制电流源

901：第一晶体管

902：第二晶体管

903：阻抗元件

904：数字模拟转换器

VDD：电源电压

1001、1002：闸极金属

具体实施方式

图3所示为本发明一较佳实施例的行动装置的示意图。请参考图3，此行动装置包括一具有光学读取功能的显示面板300以及配置于显示面板300屏下的薄膜晶体管感光电路301。一般来说，面板下的光学读取功能最常用的应用是指纹辨识，以下皆以指纹辨识作为举例。显示面板300例如为有机发光二极管面板。然本发明不以此为限。

图4所示为本发明一较佳实施例的薄膜晶体管感光电路301的电路方块图。请参考图4，此薄膜晶体管感光电路301包括N×M个感光单元401、M个读取电路402以及控制电路403。感光单元401系配置在显示面板下，例如由薄膜晶体管与间隙型薄膜晶体管构成。且感光单元401是采用面板制程，制作于玻璃基版上。

图5所示为本发明一较佳实施例的间隙型薄膜晶体管的结构示意图。请参考图5，501为闸极金属；502为闸极氧化层；503为通道，一般是用非晶硅制作；504为掺杂非晶硅；505为源漏极金属。由图5可以看出，上述间隙型薄膜晶体管系以非对称的结构，且露出非常大部分的薄膜晶体管通道，用以接收光线。在此实施例的间隙型薄膜晶体管的图式中，标示出未重叠通道部份Li。藉此，间隙型薄膜晶体管便可以依照所接收的光线的不同，导通状况也会跟着不同，进而判断所接收的光线的亮暗程度。然而，现有技术中的薄膜晶体管则是通道与闸极电极完全重叠，如图6所示。通过比较图5及图6，可以看出，一般薄膜晶体管的通道LTFT和闸极完全重叠，且可以是对称结构。

图7所示为本发明一较佳实施例的薄膜晶体管感光电路的电路图。请参考图7，在此实施例中，为了方便说明本发明的精神，仅画出2×2的感光单元，然所属技术领域具有通常知识者应当知道，感光单元的数量与配置可以依照不同设计而扩展，故本发明不以此为限。此薄膜晶体管感光电路包括多个感光单元60、多个读取电路61以及控制电路62，每一个感光单元60包括一感光电路601以及一开关电路602。感光电路601在此实施例例如是以单一个间隙型薄膜晶体管MG所构成，在图7的图式内是以闸极电极一半来表示。开关电路602例如以普通薄膜晶体管M2实施。读取电路61例如以电阻电路611以及模拟数字转换器612实施。

在此实施例中，感光电路601与开关电路602的控制端皆耦接于控制电路62，且控制电路62例如以扫描的方式进行感光，也就是说，在第一扫描时间，控制电路62控制扫描线G0致能，并透过读取电路61读取出资料DAT_1与DAT_2。接着，在第二扫描时间，控制电路62控制扫描线G1致能，并透过读取电路61读取出资料DAT_1与DAT_2…以此类推。然而，较为特别的是，在此实施例中，感光电路601的间隙型薄膜晶体管MG的一源漏极并未耦接储能元件，而是耦接开关电路602，间隙型薄膜晶体管MG的另一源漏极则耦接电源端。由于在此实施例中，间隙型薄膜晶体管MG的光电流比起现有技术的光电二极管的光电流超过千倍，故在此实施例中，读取电路61仅采用简单的电阻电路611以及模拟数字转换器612结构，并没有如现有技术采用积分器，原因在于，本发明实施例的感光电路601的光电流已够大到可以使用电阻直接读取感光后的电压，所需累积(积分)的时间也可以大幅减少。故在此实施例中，每行的闸极会依序被开启，开启的同时便可以读取信号值。故本发明实施例的薄膜晶体管感光电路的读取速度的优势更明显。虽然上述实施例中采用简单的电阻电路611作为本发明范例说明，然所属技术领域具有通常知识者应当知道，本发明亦可以采用积分器作为读取电路61，故本发明不以此为限。

上述实施例中，薄膜晶体管感光电路601可以是制作在玻璃基板上的。若以半导体制程，做大面积的光学指纹辨识电路，价格会十分昂贵。然在本实施例中，采用玻璃基板与薄膜晶体管制程制作，成本上具有极大的优势。另外，对比现有技术采用的光电二极管，若同样将光电二极管利用玻璃基板与薄膜晶体管制程制作，将导致需要许多额外的光罩，并不能和原本液晶显示面板采用同样层数的光罩。而本发明所采用的一般薄膜晶体管以及间隙型薄膜晶体管，在制程上，完全可以采用原本面板的制程。

图8所示为本发明一较佳实施例的薄膜晶体管感光电路的电路图。请参考图6以及图8，同样地，为了方便说明本发明的精神，仅画出2×2的感光单元，在此实施例中，在每一列的开关电路602，另外耦接一可控制电流源801，为了清楚说明，标示了节点Z。此可控制电流源801系根据环境光的亮度调整电流大小。举例来说，由于本发明实施例的间隙型薄膜晶体管MG对光的敏感度极高，若环境光线较强，很可能瞬间饱和，导致指纹无法辨识。故在此实施例中，采用一根据环境光线调整的可控制电流源801。利用可控制电流源801调整电流，进行对指纹的校准(calibration)。

图9所示为本发明一较佳实施例的可控制电流源801的电路图。请参考图9，在此实施例中，可控制电流源包括一第一晶体管901、第二晶体管902、阻抗元件903以及一数字模拟转换器904。在此实施例中，第一晶体管901的第一源漏极耦接电源电压VDD，第一晶体管901的第二源漏极耦接节点Z以及第一晶体管901的闸极。第一晶体管901的闸极耦接第二晶体管902的闸极。第二晶体管902的第一源漏极耦接电源电压VDD，第二晶体管902的第二源漏极耦接阻抗元件903以及数字模拟转换器904的输出端。在此实施例中，藉由数字模拟转换器904控制第一晶体管901的电流的大小。数字模拟转换器904则根据环境光的亮度的数据改变其输出的模拟电压。藉此，可以根据环境光的强弱，进行对指纹的校准。

图10所示为本发明一较佳实施例的间隙型薄膜晶体管的结构示意图。通过比较图5和图10，可以看出，图10具有两个闸极金属1001以及1002。同样地，通道与两个闸极电极1001以及1002重叠处仅一部分。故本发明并不以图5的实施例为限。

表一为本发明实施例的间隙型薄膜晶体管的间隙长度，例如图5中的Li，对光电流大小的比较表。在下表一中，分别以2um、6um以及10um进行测试，并且测试条件设定在漏极电压VD和闸极电压VG等于20V并进行了21次测试，每次间隔30秒。由下述表一可以看出，2um的间隙的间隙型薄膜晶体管的光电流有8.689uA，6um的间隙的间隙型薄膜晶体管的光电流有3.446nA，而10um的间隙的间隙型薄膜晶体管的光电流有0.805nA。另外，变化量也是2um的间隙的间隙型薄膜晶体管表现较为出色。然而，2～10um的间隙型薄膜晶体管皆在本发明的实施例的应用范围内。也就是说，实施例的间隙型薄膜晶体管的间隙长度Li亦可定义从闸极一侧的边缘至源漏极边缘或未重叠通道部份，可以是介于2～10um。

表一

综上所述，本发明的精神在于利用间隙型薄膜晶体管作为感光电路，并且在玻璃基板上，以面板制程制作出间隙型薄膜晶体管的感光电路，除了具有非常大的成本优势外，实际制作的尺寸亦可以比硅基(silicon base)半导体更大。且感光效果远大于光电二极管。故可以无须采用电容积分的方式，直接便可以读取出感光结果。即便在薄膜晶体管的载子迁移率(mobility)远小于硅基半导体材料的情况下，仍旧可以做到极快速的感光。

在较佳实施例的详细说明中所提出的具体实施例仅用以方便说明本发明的技术内容，而非将本发明狭义地限制于上述实施例，在不超出本发明的精神及以下权利要求的情况，所做的种种变化实施，皆属于本发明的范围。因此本发明的保护范围当视后附的权利要求所界定者为准。

Claims (18)

1.一种薄膜晶体管感光电路，配置于一玻璃基板上，其特征在于，此薄膜晶体管感光电路包括：

N×M个感光单元，每一所述感光单元包括：

一感光电路，感光部分由间隙型薄膜晶体管构成，包括一控制端、一第一端以及一第二端，其中，该感光电路的第一端耦接一第一电源端；以及

一开关电路，包括一第一端、一第二端以及一控制端，其中，该开关电路的第一端耦接该感光电路的第二端；

M个读取电路，每一所述读取电路包括一输入端以及一输出端，第K个读取电路的输入端，耦接第K行的N个开关电路的第二端；以及

一控制电路，包括N个扫描端，第K个扫描端耦接第K行的M个感光电路的控制端以及M个开关电路的控制端；

其中，该控制电路透过上述N个扫描端，依序扫描第一行～第N行的M个感光单元，以依序读取出每一行的M个感光信号，

其中，当第K个扫描端致能时，第K行的M个感光电路以及M个开关电路同时被导通。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管感光电路，其特征在于，该感光电路包括：

一间隙型薄膜晶体管，包括一闸极、一第一源漏极以及一第二源漏极，其中，该间隙型薄膜晶体管的闸极耦接该感光电路的控制端，该间隙型薄膜晶体管的第一源漏极耦接该感光电路的第一端，该间隙型薄膜晶体管的第二源漏极耦接该感光电路的第二端，

其中，该间隙型薄膜晶体管的非晶硅通道仅覆盖一部分闸极。

3.如权利要求1所述的薄膜晶体管感光电路，其特征在于，该间隙型薄膜晶体管的闸极到第二源漏极的间隙长度介于2μm～10μm。

4.如权利要求1所述的薄膜晶体管感光电路，其特征在于，每一所述读取电路包括：

一电阻电路，包括一输入端以及一输出端，其中，第K个读取电路的该电阻电路的输入端耦接第K行的开关电路的第二端；以及

一模拟数字转换器，包括一输入端以及一输出端，其中，该模拟数字转换器的输入端耦接该电阻电路的输出端，

其中，第K个读取电路的该模拟数字转换器的输出端输出被致能的第K个感光单元的感光数据。

5.如权利要求4所述的薄膜晶体管感光电路，其特征在于，每一所述读取电路还包括：

一可控制电流源，包括一输入端，其中，第K个可控制电流源的输入端耦接第K行的开关电路的第二端，

其中，根据环境光线强度，调整该可控制电流源的电流。

6.如权利要求5所述的薄膜晶体管感光电路，其特征在于，该可控制电流源包括：

一第一晶体管，包括一闸极、一第一源漏极以及一第二源漏极，其中，该第一晶体管的第一源漏极耦接一电源电压，该第一晶体管的闸极耦接该第一晶体管的第二源漏极，该第一晶体管的第二源漏极耦接该可控制电流源的输入端；

一第二晶体管，包括一闸极、一第一源漏极以及一第二源漏极，其中，该第二晶体管的第一源漏极耦接一电源电压，该第二晶体管的闸极耦接该第一晶体管的闸极；

一阻抗元件，包括一第一端以及一第二端，其中，该阻抗元件的第一端耦接该第二晶体管的第二源漏极，该阻抗元件的第二端耦接一共接电压；以及

一数字模拟转换器，包括一输出端，其中，该数字模拟转换器的输出端耦接该第二晶体管的第二源漏极；

其中，根据环境光线强度，调整数字模拟转换器的数据，以控制该第一晶体管的电流。

7.一种显示面板，其特征在于，包括：

一指纹辨识装置，配置于该显示面板下，此指纹辨识装置包括一薄膜晶体管感光电路，此薄膜晶体管感光电路配置于一玻璃基板上，此薄膜晶体管感光电路包括：

N×M个感光单元，每一所述感光单元包括：

一感光电路，感光部分由间隙型薄膜晶体管构成，包括一控制端、一第一端以及一第二端，其中，该感光电路的第一端耦接一第一电源端；以及

一开关电路，包括一第一端、一第二端以及一控制端，其中，该开关电路的第一端耦接该感光电路的第二端；

M个读取电路，每一所述读取电路包括一输入端以及一输出端，第K个读取电路的输入端，耦接第K行的N个开关电路的第二端；以及

一控制电路，包括N个扫描端，第K个扫描端耦接第K行的M个感光电路的控制端以及M个开关电路的控制端；

其中，该控制电路透过上述N个扫描端，依序扫描第一行～第N行的M个感光单元，以依序读取出每一行的M个感光信号，

其中，当第K个扫描端致能时，第K行的M个感光电路以及M个开关电路同时被导通。

8.如权利要求7所述的显示面板，其特征在于，该感光电路包括：

一间隙型薄膜晶体管，包括一闸极、一第一源漏极以及一第二源漏极，其中，该间隙型薄膜晶体管的闸极耦接该感光电路的控制端，该间隙型薄膜晶体管的第一源漏极耦接该感光电路的第一端，该间隙型薄膜晶体管的第二源漏极耦接该感光电路的第二端，

其中，该间隙型薄膜晶体管的非晶硅通道仅覆盖一部分闸极。

9.如权利要求7所述的显示面板，其特征在于，该间隙型薄膜晶体管的闸极到第二源漏极的间隙长度介于2μm～10μm。

10.如权利要求7所述的显示面板，其特征在于，如请求项第7项所记载的显示面板，其中，每一所述读取电路包括：

一电阻电路，包括一输入端以及一输出端，其中，第K个读取电路的该电阻电路的输入端耦接第K行的开关电路的第二端；以及

一模拟数字转换器，包括一输入端以及一输出端，其中，该模拟数字转换器的输入端耦接该电阻电路的输出端，

其中，第K个读取电路的该模拟数字转换器的输出端输出被致能的第K个感光单元的感光数据。

11.如权利要求10所述的显示面板，其特征在于，每一所述读取电路还包括：

一可控制电流源，包括一输入端以及一输出端，其中，第K个可控制电流源的输入端耦接第K行的开关电路的第二端，其中，根据环境光线强度，调整该可控制电流源的电流。

12.如权利要求10所述的显示面板，其特征在于，该可控制电流源包括：

一第一晶体管，包括一闸极、一第一源漏极以及一第二源漏极，其中，该第一晶体管的第一源漏极耦接一电源电压，该第一晶体管的闸极耦接该第一晶体管的第二源漏极，该第一晶体管的第二源漏极耦接该可控制电流源的输入端；

一第二晶体管，包括一闸极、一第一源漏极以及一第二源漏极，其中，该第二晶体管的第一源漏极耦接一电源电压，该第二晶体管的闸极耦接该第一晶体管的闸极；

一阻抗元件，包括一第一端以及一第二端，其中，该阻抗元件的第一端耦接该第二晶体管的第二源漏极，该阻抗元件的第二端耦接一共接电压；以及

一数字模拟转换器，包括一输出端，其中，该数字模拟转换器的输出端耦接该第二晶体管的第二源漏极；

其中，根据环境光线强度，调整数字模拟转换器的数据，以控制该第一晶体管的电流。

13.一种行动装置，其特征在于，包括：

一显示面板；以及

一指纹辨识装置，配置于该显示面板下，此指纹辨识装置包括一薄膜晶体管感光电路，此薄膜晶体管感光电路配置于一玻璃基板上，此薄膜晶体管感光电路包括：

N×M个感光单元，每一所述感光单元包括：

一感光电路，感光部分由间隙型薄膜晶体管构成，包括一控制端、一第一端以及一第二端，其中，该感光电路的第一端耦接一第一电源端；以及

一开关电路，包括一第一端、一第二端以及一控制端，其中，该开关电路的第一端耦接该感光电路的第二端；

M个读取电路，每一所述读取电路包括一输入端以及一输出端，第K个读取电路的输入端，耦接第K行的N个开关电路的第二端；以及

一控制电路，包括N个扫描端，第K个扫描端耦接第K行的M个感光电路的控制端以及M个开关电路的控制端；

其中，该控制电路透过上述N个扫描端，依序扫描第一行～第N行的M个感光单元，以依序读取出每一行的M个感光信号，

其中，当第K个扫描端致能时，第K行的M个感光电路以及M个开关电路同时被导通。

14.如权利要求13所述的行动装置，其特征在于，该感光电路包括：

一间隙型薄膜晶体管，包括一闸极、一第一源漏极以及一第二源漏极，其中，该间隙型薄膜晶体管的闸极耦接该感光电路的控制端，该间隙型薄膜晶体管的第一源漏极耦接该感光电路的第一端，该间隙型薄膜晶体管的第二源漏极耦接该感光电路的第二端，

其中，该间隙型薄膜晶体管的非晶硅通道仅覆盖一部分闸极。

15.如权利要求13所述的行动装置，其特征在于，该间隙型薄膜晶体管的闸极到第二源漏极的间隙长度介于2μm～10μm。

16.如权利要求13所述的行动装置，其特征在于，每一所述读取电路包括：

一电阻电路，包括一输入端以及一输出端，其中，第K个读取电路的该电阻电路的输入端耦接第K行的开关电路的第二端；以及

一模拟数字转换器，包括一输入端以及一输出端，其中，该模拟数字转换器的输入端耦接该电阻电路的输出端，

其中，第K个读取电路的该模拟数字转换器的输出端输出被致能的第K个感光单元的感光数据。

17.如权利要求16所述的行动装置，其特征在于，每一所述读取电路还包括：

一可控制电流源，包括一输入端以及一输出端，其中，第K个可控制电流源的输入端耦接第K行的开关电路的第二端，其中，根据环境光线强度，调整该可控制电流源的电流。

18.如权利要求17所述的行动装置，其特征在于，该可控制电流源包括：

一第一晶体管，包括一闸极、一第一源漏极以及一第二源漏极，其中，该第一晶体管的第一源漏极耦接一电源电压，该第一晶体管的闸极耦接该第一晶体管的第二源漏极，该第一晶体管的第二源漏极耦接该可控制电流源的输入端；

一第二晶体管，包括一闸极、一第一源漏极以及一第二源漏极，其中，该第二晶体管的第一源漏极耦接一电源电压，该第二晶体管的闸极耦接该第一晶体管的闸极；

一阻抗元件，包括一第一端以及一第二端，其中，该阻抗元件的第一端耦接该第二晶体管的第二源漏极，该阻抗元件的第二端耦接一共接电压；以及

一数字模拟转换器，包括一输出端，其中，该数字模拟转换器的输出端耦接该第二晶体管的第二源漏极；

其中，根据环境光线强度，调整数字模拟转换器的数据，以控制该第一晶体管的电流。

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