CN112532899B - 光电转换电路、驱动方法、光电检测基板、光电检测装置 - Google Patents

光电转换电路、驱动方法、光电检测基板、光电检测装置 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种光电转换电路、驱动方法、光电检测基板、光电检测装置，第一复位电路响应于复位控制信号端的信号，将初始化信号端的信号提供给驱动晶体管的栅极。导通控制电路响应于扫描信号端的信号将光电转换器件与驱动晶体管导通，阈值补偿电路响应于扫描信号端的信号将驱动晶体管的栅极和驱动晶体管的第二极导通，对驱动晶体管的阈值电压进行补偿。读取控制电路响应于读取控制信号端的信号，将第一电源端与驱动晶体管的第一极导通，将驱动晶体管的第二极与读取输出端导通，将驱动晶体管产生的且进行阈值电压补偿后的信号输出给读取输出端，改善由于驱动晶体管的阈值电压的均一性存在差异，导致的输出电流信号存在差异性的问题。

Description

光电转换电路、驱动方法、光电检测基板、光电检测装置
技术领域
本发明涉及光电技术领域，特别涉及一种光电转换电路、驱动方法、光电检测基板、光电检测装置。
背景技术
随着技术的发展，图像传感器受到了广泛的应用。在图像传感器中一般设置有光电二极管L，以通过光电二极管L收集光信号，并进行光电转换将光信号转换为电信号。通常，可以设置与光电二极管L结合使用的驱动晶体管M0，以将光电二极管L转换成的电信号转换成电流信号输出给驱动IC(Integrated Circuit，集成电路)。之后通过驱动IC根据接收到的电流信号进行处理。
然而，由于工艺制程和器件老化等原因，会使驱动晶体管的阈值电压Vth的均一性存在差异，这样使得驱动晶体管输出的电流信号存在差异，导致结果的准确性降低。
发明内容
本发明实施例提供一种光电转换电路、驱动方法、光电检测基板、光电检测装置，用以改善由于驱动晶体管的阈值电压Vth的均一性存在差异，导致的输出电流信号存在差异性的问题。
本发明实施例提供了一种光电转换电路，包括：
光电转换器件，被配置为接收入射光，并将所述入射光进行光电转换后生成工作电压；
驱动晶体管，被配置为根据所述光电转换器件经光电转换后的工作电压生成检测电流；
第一复位电路，被配置为响应于复位控制信号端的信号，将初始化信号端的信号提供给所述驱动晶体管的栅极；
导通控制电路，被配置为响应于扫描信号端的信号将所述光电转换器件与所述驱动晶体管导通；
阈值补偿电路，被配置为响应于所述扫描信号端的信号将所述驱动晶体管的栅极和所述驱动晶体管的第二极导通；
读取控制电路，被配置为响应于读取控制信号端的信号，将第一电源端与所述驱动晶体管的第一极导通，以及将所述驱动晶体管的第二极与读取输出端导通。
在一些示例中，所述导通控制电路包括：第一晶体管；
所述第一晶体管的栅极与所述扫描信号端电连接，所述第一晶体管的第一极与所述光电转换器件电连接，所述第一晶体管的第二极与所述驱动晶体管的第一极电连接。
在一些示例中，所述阈值补偿电路包括：第二晶体管；
所述第二晶体管的栅极与所述扫描信号端电连接，所述第二晶体管的第一极与所述驱动晶体管的栅极电连接，所述第二晶体管的第二极与所述驱动晶体管的第二极电连接。
在一些示例中，所述第一复位电路包括：第三晶体管；
所述第三晶体管的栅极与所述复位控制信号端电连接，所述第三晶体管的第一极与所述初始化信号端电连接，所述第三晶体管的第二极与所述驱动晶体管的栅极电连接。
在一些示例中，所述读取控制电路包括：第四晶体管和第五晶体管；
所述第四晶体管的栅极与所述读取控制信号端电连接，所述第四晶体管的第一极与所述第一电源端电连接，所述第四晶体管的第二极与所述驱动晶体管的第一极电连接；
所述第五晶体管的栅极与所述读取控制信号端电连接，所述第五晶体管的第一极与所述驱动晶体管的第二极电连接，所述第五晶体管的第二极与所述读取输出端电连接。
在一些示例中，所述光电转换电路还包括：存储电容；
所述存储电容的第一电极板与所述第一电源端电连接，所述存储电容的第二电极板与所述驱动晶体管的栅极电连接。
在一些示例中，所述光电转换电路还包括：第六晶体管；其中，所述第六晶体管的栅极与所述复位控制信号端电连接，所述第六晶体管的第一极与参考信号端电连接，所述第六晶体管的第二极与所述光电转换器件电连接。
本发明实施例提供的光电检测基板，包括：衬底基板，多个检测单元；其中，所述多个检测单元阵列排布于所述衬底基板上；
各所述检测单元分别包括上述光电转换电路。
在一些示例中，所述光电检测基板还包括位于所述衬底基板上且相互间隔设置的多条扫描信号线、多条复位控制信号线以及多条读取控制信号线；其中，一行所述检测单元对应一条所述扫描信号线、一条复位控制信号线以及一条读取控制信号线；
各行所述检测单元中的光电转换电路的复位控制信号端均与对应的复位控制信号线电连接；
各行所述检测单元中的光电转换电路的扫描信号端均与对应的扫描信号线电连接；
各行所述检测单元中的光电转换电路的读取控制信号端均与对应的读取控制信号线电连接。
在一些示例中，所述光电检测基板还包括位于所述衬底基板上且相互间隔设置的多条读取输出线；其中，一列所述检测单元对应一条所述读取输出线；
各列所述检测单元中的光电转换电路的读取输出端均与对应的读取输出线电连接。
本发明实施例提供的光电检测装置，括上述光电检测基板。
在一些示例中，还包括：检测电路；
所述检测电路包括多个读取电路；其中，一列所述检测单元对应一个所述读取电路；
各列所述检测单元中的光电转换电路的读取输出端均通过读取输出线与对应的读取电路电连接。
本发明实施例提供的光电转换电路的驱动方法，包括：
复位阶段，第一复位电路响应于复位控制信号端的信号，将初始化信号端的信号提供给所述驱动晶体管的栅极；
感光阶段，光电转换器件接收入射光，并将所述入射光进行光电转换后生成工作电压；
阈值补偿阶段，导通控制电路响应于扫描信号端的信号将所述光电转换器件与所述驱动晶体管导通；阈值补偿电路响应于所述扫描信号端的信号将所述驱动晶体管的栅极和所述驱动晶体管的第二极导通；
读取输出阶段，驱动晶体管根据所述光电转换器件经光电转换后的工作电压生成检测电流；读取控制电路响应于读取控制信号端的信号，将第一电源端与所述驱动晶体管的第一极导通，以及将所述驱动晶体管的第二极与读取输出端导通。
本发明有益效果如下：
本发明实施例提供的光电转换电路、驱动方法、光电检测基板、光电检测装置，可以通过第一复位电路10响应于复位控制信号端RST的信号，将初始化信号端VINIT的信号提供给驱动晶体管M0的栅极，以对驱动晶体管M0的栅极进行初始化。可以通过导通控制电路20响应于扫描信号端GA的信号将光电转换器件50与驱动晶体管M0导通，并且通过阈值补偿电路30响应于扫描信号端GA的信号将驱动晶体管M0的栅极和驱动晶体管M0的第二极导通，可以对驱动晶体管M0的阈值电压进行补偿。之后，可以通过读取控制电路40响应于读取控制信号端VR的信号，将第一电源端VDD与驱动晶体管M0的第一极导通，以及将驱动晶体管M0的第二极与读取输出端VOT导通，从而可以将驱动晶体管M0产生的且进行阈值电压补偿后的信号输出给读取输出端VOT，进而可以改善由于驱动晶体管的阈值电压Vth的均一性存在差异，导致的输出电流信号存在差异性的问题。
附图说明
图1为本发明实施例中的光电转换电路的结构示意图；
图2为本发明实施例中的光电转换电路的一些具体结构示意图；
图3为本发明实施例中的光电转换电路的驱动方法的流程图；
图4为本发明实施例中的信号时序图；
图5为本发明实施例中的光电转换电路的另一些具体结构示意图；
图6为本发明实施例中的光电检测基板的具体结构示意图；
图7为本发明实施例中的光电检测装置的具体结构示意图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例的附图，对本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。并且在不冲突的情况下，本发明中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。基于所描述的本发明的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
除非另外定义，本发明使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本发明中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。
需要注意的是，附图中各图形的尺寸和形状不反映真实比例，目的只是示意说明本发明内容。并且自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。
本发明实施例提供一种光电转换电路，如图1所示，可以包括：
光电转换器件50，被配置为接收入射光，并将入射光进行光电转换后生成工作电压；
驱动晶体管M0，被配置为根据光电转换器件50经光电转换后的工作电压生成检测电流；
第一复位电路10，被配置为响应于复位控制信号端RST的信号，将初始化信号端VINIT的信号提供给驱动晶体管M0的栅极；
导通控制电路20，被配置为响应于扫描信号端GA的信号将光电转换器件50与驱动晶体管M0导通；
阈值补偿电路30，被配置为响应于扫描信号端GA的信号将驱动晶体管M0的栅极和驱动晶体管M0的第二极导通；
读取控制电路40，被配置为响应于读取控制信号端VR的信号，将第一电源端VDD与驱动晶体管M0的第一极导通，以及将驱动晶体管M0的第二极与读取输出端VOT导通。
本发明实施例提供的光电转换电路，可以通过第一复位电路10响应于复位控制信号端RST的信号，将初始化信号端VINIT的信号提供给驱动晶体管M0的栅极，以对驱动晶体管M0的栅极进行初始化。可以通过导通控制电路20响应于扫描信号端GA的信号将光电转换器件50与驱动晶体管M0导通，并且通过阈值补偿电路30响应于扫描信号端GA的信号将驱动晶体管M0的栅极和驱动晶体管M0的第二极导通，可以对驱动晶体管M0的阈值电压进行补偿。之后，可以通过读取控制电路40响应于读取控制信号端VR的信号，将第一电源端VDD与驱动晶体管M0的第一极导通，以及将驱动晶体管M0的第二极与读取输出端VOT导通，从而可以将驱动晶体管M0产生的且进行阈值电压补偿后的信号输出给读取输出端VOT，进而可以改善由于驱动晶体管的阈值电压Vth的均一性存在差异，导致的输出电流信号存在差异性的问题。
在具体实施时，在本发明实施例中，光电转换器件50可以为光电二极管L。并且，光电二极管L的正极与导通控制电路20电连接，光电二极管L的正极与偏置电压端VB电连接。或者，也可以使光电二极管L的负极与导通控制电路20电连接，光电二极管L的正极与偏置电压端VB电连接。这样可以通过偏置电压端VB为光电二极管L提供偏置电压。示例性地，光电转换器件50可以为PIN型光电二极管L。
需要说明的是，可以通过改变偏置电压端VB的电压，以使光电二极管L的正极可以连接偏置电压端VB，或者光电二极管L的正极连接偏置电压端VB。当然，偏置电压端VB的具体电压值可以根据实际应用的需求进行设计确定，在此不作限定。
在具体实施时，在本发明实施例中，如图1所示，驱动晶体管M0可以为P型晶体管；其中，驱动晶体管M0的第一极为其源极，驱动晶体管M0的第二极为其漏极，并且该驱动晶体管M0处于饱和状态时，电流由驱动晶体管M0的源极流向其漏极。
当然，在具体实施时，在本公开实施例中，驱动晶体管M0也可以为N型晶体管；其中，驱动晶体管M0的第一极为其漏极，驱动晶体管M0的第二极为其源极，并且该驱动晶体管M0处于饱和状态时，电流由驱动晶体管M0的漏极流向其源极。
在具体实施时，在本发明实施例中，如图2所示，导通控制电路20可以包括：第一晶体管M1；其中，第一晶体管M1的栅极与扫描信号端GA电连接，第一晶体管M1的第一极与光电转换器件50电连接，第一晶体管M1的第二极与驱动晶体管M0的第一极电连接。例如，第一晶体管M1的第一极与光电二极管L的正极电连接。
在具体实施时，在本发明实施例中，如图2所示，阈值补偿电路30可以包括：第二晶体管M2；其中，第二晶体管M2的栅极与扫描信号端GA电连接，第二晶体管M2的第一极与驱动晶体管M0的栅极电连接，第二晶体管M2的第二极与驱动晶体管M0的第二极电连接。
在具体实施时，在本发明实施例中，如图2所示，第一复位电路10可以包括：第三晶体管M3；其中，第三晶体管M3的栅极与复位控制信号端RST电连接，第三晶体管M3的第一极与初始化信号端VINIT电连接，第三晶体管M3的第二极与驱动晶体管M0的栅极电连接。
在具体实施时，在本发明实施例中，如图2所示，读取控制电路40可以包括：第四晶体管M4和第五晶体管M5；其中，第四晶体管M4的栅极与读取控制信号端VR电连接，第四晶体管M4的第一极与第一电源端VDD电连接，第四晶体管M4的第二极与驱动晶体管M0的第一极电连接。第五晶体管M5的栅极与读取控制信号端VR电连接，第五晶体管M5的第一极与驱动晶体管M0的第二极电连接，第五晶体管M5的第二极与读取输出端VOT电连接。
在具体实施时，在本发明实施例中，如图2所示，光电转换电路还可以包括：存储电容CST；其中，存储电容CST的第一电极板与第一电源端VDD电连接，存储电容CST的第二电极板与驱动晶体管M0的栅极电连接。
可选地，为了降低制备工艺，在具体实施时，在本公开实施例中，如图2所示，第一至第五晶体管M5可以均为P型晶体管。当然，第一至第五晶体管M5也可以均为N型晶体管，这也可以根据实际应用环境来设计确定，在此不作限定。
进一步的，在具体实施时，在本公开实施例中，P型晶体管在高电平信号作用下截止，在低电平信号作用下导通。N型晶体管在高电平信号作用下导通，在低电平信号作用下截止。
需要说明的是，本公开上述实施例中提到的晶体管可以是薄膜晶体管(Thin FilmTransistor，TFT)，也可以是金属氧化物半导体场效应管(Metal Oxide Scmiconductor，MOS)，在此不作限定。
在具体实施中，可以根据晶体管的类型以及其栅极的信号，将晶体管的第一极作为其源极，第二极作为其漏极；或者，反之，将晶体管的第一极作为其漏极，第二极作为其源极，这可以根据实际应用环境来设计确定，具体在此不做具体区分。
以上仅是举例说明本公开实施例提供的光电转换电路中的各电路的具体结构，在具体实施时，上述电路的具体结构不限于本公开实施例提供的上述结构，还可以是本领域技术人员可知的其他结构，这些均在本公开的保护范围之内，具体在此不作限定。
本公开实施例还提供了上述光电转换电路的驱动方法，如图3所示，可以包括如下步骤：
S10、复位阶段，第一复位电路10响应于复位控制信号端RST的信号，将初始化信号端VINIT的信号提供给驱动晶体管M0的栅极；
S20、感光阶段，光电转换器件50接收入射光，并将入射光进行光电转换后生成工作电压；
S30、阈值补偿阶段，导通控制电路20响应于扫描信号端GA的信号将光电转换器件50与驱动晶体管M0导通；阈值补偿电路30响应于扫描信号端GA的信号将驱动晶体管M0的栅极和驱动晶体管M0的第二极导通；
S40、读取输出阶段，驱动晶体管M0根据光电转换器件50经光电转换后的工作电压生成检测电流；读取控制电路40响应于读取控制信号端VR的信号，将第一电源端VDD与驱动晶体管M0的第一极导通，以及将驱动晶体管M0的第二极与读取输出端VOT导通。
下面以图2所示的光电转换电路为例，结合图4所示的信号时序图，对本公开实施例提供的上述光电转换电路的工作过程作以描述。如图4所示，rst代表复位控制信号端RST的信号，ga代表扫描信号端GA的信号，vr代表读取控制信号端VR的信号。并且，一个光电转换电路在一个显示帧中的工作过程，可以包括：复位阶段T1、感光阶段T2、阈值补偿阶段T3以及读取输出阶段T4。
在复位阶段T1，第三晶体管M3在信号rst的低电平的控制下导通，以将初始化信号端VINIT的信号提供给驱动晶体管M0的栅极，从而使驱动晶体管M0的栅极的电压为Vinit，进而对驱动晶体管M0的栅极进行初始化。并且，第一晶体管M1和第二晶体管M2在信号ga的高电平的控制均截止。第四晶体管M4和第五晶体管M5在信号vr的高电平的控制均截止。
在感光阶段T2，第一晶体管M1和第二晶体管M2在信号ga的高电平的控制均截止。第四晶体管M4和第五晶体管M5在信号vr的高电平的控制均截止。第三晶体管M3在信号rst的高电平的控制下截止。光电二极管L接收入射光的光信号，以将接收到的入射光进行光电转换后生成工作电压，实现光电二极管L进行电荷的收集过程。
在阈值补偿阶段T3，第一晶体管M1在信号ga的低电平的控制下导通，以将光电二极管L的正极与驱动晶体管M0的第一极导通，从而将光电二极管L产生的工作电压VL，提供给驱动晶体管M0的第一极，使驱动晶体管M0的第一极的电压为VL。并且，第二晶体管M2在信号ga的低电平的控制下导通，可以使驱动晶体管M0形成二极管连接方式，从而使驱动晶体管M0的第一极的电压VL，对驱动晶体管M0的栅极进行充电，使得驱动晶体管M0的栅极的电压为VL+Vth，并通过存储电容CST进行存储。以及，第四晶体管M4和第五晶体管M5在信号vr的高电平的控制下截止。第三晶体管M3在信号rst的高电平的控制下截止。
在读取输出阶段T4，第四晶体管M4在信号vr的低电平的控制下导通，导通的第四晶体管M4可以将第一电源端VDD的电压Vdd提供给驱动晶体管M0的第一极，以使驱动晶体管M0的第一极的电压为Vdd。这样可以使驱动晶体管M0处于饱和状态，从而使驱动晶体管M0产生检测电流Ids：Ids＝K(VL-Vdd)2。并且，第五晶体管M5在信号vr的低电平的控制下导通，导通的第五晶体管M5可以将驱动晶体管M0的第二极与读取输出端VOT导通，以通过读取输出端VOT导通将检测电流Ids输出。其中，K为与工艺和设计有关的结构常数。并且，第一晶体管M1和第二晶体管M2在信号ga的高电平的控制下截止，第三晶体管M3在信号rst的高电平的控制下截止。
通过上式Ids＝K(VL-Vdd)2可知，驱动晶体管M0生成的检测电流Ids仅与电压Vdd和电压VL相关，而与驱动晶体管M0的阈值电压Vth无关，可以解决由于驱动晶体管M0的阈值电压Vth漂移对检测电流的影响，从而使检测电流保持稳定，进而保证了结果的准确性。
本公开实施例提供了又一些光电转换电路，其结构示意图如图5所示，其针对上述实施例中的实施方式进行了变形。下面仅说明本实施例与上述实施例的区别之处，其相同之处在此不作赘述。
在具体实施时，在本发明实施例中，如图5所示，光电转换电路还可以包括：第六晶体管M6；其中，第六晶体管M6的栅极与复位控制信号端RST电连接，第六晶体管M6的第一极与参考信号端电连接，第六晶体管M6的第二极与光电转换器件50电连接。例如，第六晶体管M6的第二极与光电二极管L的正极电连接。
图5所示的光电转换电路对应的信号时序图，如图4所示。下面仅说明图5所示的光电转换电路的工作过程与上述实施例的不同之处，其余相同之处不再赘述。
在复位阶段T1，第六晶体管M6在信号rst的低电平的控制下导通，以将参考信号端的信号提供给光电二极管L的正极，对光电二极管L的正极进行复位。
在感光阶段T2、阈值补偿阶段T3以及读取输出阶段T4，第六晶体管M6在信号rst的高电平的控制下均截止。
本发明实施例还提供了光电检测基板，如图6所示，可以包括：衬底基板100，多个检测单元110；其中，多个检测单元110阵列排布于衬底基板100上。并且，各检测单元分别包括上述光电转换电路。需要说明的是，光电转换电路的具体结构和工作过程可以参见上述实施例，在此不作赘述。
需要说明的是，图6仅是以图5所示的光电转换电路为例进行示意的。
在具体实施时，在本发明实施例中，如图6所示，光电检测基板还包括位于衬底基板上且相互间隔设置的多条扫描信号线GAL、多条复位控制信号线RSTL以及多条读取控制信号线VRL；其中，一行检测单元对应一条扫描信号线GAL、一条复位控制信号线RSTL以及一条读取控制信号线VRL。并且，各行检测单元中的光电转换电路的复位控制信号端RST均与对应的复位控制信号线RSTL电连接，各行检测单元中的光电转换电路的扫描信号端GA均与对应的扫描信号线GAL电连接，各行检测单元中的光电转换电路的读取控制信号端VR均与对应的读取控制信号线VRL电连接。这样可以通过复位控制信号线RSTL、扫描信号线GAL以及读取控制信号线VRL向对应电连接的光电转换电路传输信号。
示例性地，可以使扫描信号线GAL、复位控制信号线RSTL以及读取控制信号线VRL中的至少两种同层设置。这样可以采用一次构图工艺形成扫描信号线GAL、复位控制信号线RSTL以及读取控制信号线VRL的图案。
在具体实施时，在本发明实施例中，如图6所示，光电检测基板还包括位于衬底基板上且相互间隔设置的多条读取输出线VOL；其中，一列检测单元对应一条读取输出线VOL；各列检测单元中的光电转换电路的读取输出端VOT均与对应的读取输出线VOL电连接。这样可以通过读取输出线VOL将驱动晶体管M0产生的检测电流传输出去。
在具体实施时，在本发明实施例中，如图6所示，光电检测基板还包括位于衬底基板上且相互间隔设置的多条第一电源信号线VDL和多条偏置电压信号线VBL；其中，一列检测单元对应一条第一电源信号线VDL和一条偏置电压信号线VBL；各列检测单元中的光电转换电路的第一电源端VDD均与对应的第一电源信号线VDL电连接，各列检测单元中的光电转换电路的偏置电压信号端均与对应的偏置电压信号线VBL电连接。这样可以通过第一电源信号线VDL和偏置电压信号线VBL向对应电连接的光电转换电路传输信号。
示例性地，可以使读取输出线VOL、第一电源信号线VDL以及偏置电压信号线VBL中的至少两种同层设置。这样可以采用一次构图工艺形成其图案。
本发明实施例还提供了一种光电检测装置，包括本发明实施例提供的上述光电检测基板。该光电检测装置解决问题的原理与前述光电检测基板相似，因此该光电检测装置的实施可以参见前述光电检测基板的实施，重复之处在此不再赘述。
在具体实施时，在本发明实施例中，如图7所示，光电检测装置还可以包括：检测电路；其中，检测电路包括多个读取电路210；其中，一列检测单元对应一个读取电路210；各列检测单元中的光电转换电路的读取输出端VOT均通过读取输出线VOL与对应的读取电路电连接。
示例性地，读取电路210可以包括运算放大器U0；其中，运算放大器U0的第一输入端与对应的读取输出线VOL电连接，运算放大器U0的第二输入端与基准电压端V0电连接，运算放大器U0的输出端与数据传输端VSO电连接。数据传输端VSO与数据处理单元电连接。数据处理单元可以根据运算放大器U0输出的信号进行分析处理，以实现检测图像的输出。
在具体实施时，在本发明实施例中，光电检测装置可以为图像传感器。示例性地，光电检测装置可以用于进行指纹检测。例如，光电检测装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能且具有指纹检测功能的产品或部件。对于该装置的其它必不可少的组成部分均为本领域的普通技术人员应该理解具有的，在此不做赘述，也不应作为对本发明的限制。
本发明实施例提供的光电转换电路、驱动方法、光电检测基板、光电检测装置，可以通过第一复位电路10响应于复位控制信号端RST的信号，将初始化信号端VINIT的信号提供给驱动晶体管M0的栅极，以对驱动晶体管M0的栅极进行初始化。可以通过导通控制电路20响应于扫描信号端GA的信号将光电转换器件50与驱动晶体管M0导通，并且通过阈值补偿电路30响应于扫描信号端GA的信号将驱动晶体管M0的栅极和驱动晶体管M0的第二极导通，可以对驱动晶体管M0的阈值电压进行补偿。之后，可以通过读取控制电路40响应于读取控制信号端VR的信号，将第一电源端VDD与驱动晶体管M0的第一极导通，以及将驱动晶体管M0的第二极与读取输出端VOT导通，从而可以将驱动晶体管M0产生的且进行阈值电压补偿后的信号输出给读取输出端VOT，进而可以改善由于驱动晶体管的阈值电压Vth的均一性存在差异，导致的输出电流信号存在差异性的问题。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (12)

1.一种光电转换电路，其特征在于，包括：
光电转换器件，被配置为接收入射光，并将所述入射光进行光电转换后生成工作电压；
驱动晶体管，被配置为根据所述光电转换器件经光电转换后的工作电压生成检测电流；
第一复位电路，被配置为响应于复位控制信号端的信号，将初始化信号端的信号提供给所述驱动晶体管的栅极；
导通控制电路，被配置为响应于扫描信号端的信号将所述光电转换器件与所述驱动晶体管导通；
阈值补偿电路，被配置为响应于所述扫描信号端的信号将所述驱动晶体管的栅极和所述驱动晶体管的第二极导通；
读取控制电路，被配置为响应于读取控制信号端的信号，将第一电源端与所述驱动晶体管的第一极导通，以及将所述驱动晶体管的第二极与读取输出端导通；
其中，所述导通控制电路包括：第一晶体管；
所述第一晶体管的栅极与所述扫描信号端电连接，所述第一晶体管的第一极与所述光电转换器件电连接，所述第一晶体管的第二极与所述驱动晶体管的第一极电连接。
2.如权利要求1所述的光电转换电路，其特征在于，所述阈值补偿电路包括：第二晶体管；
所述第二晶体管的栅极与所述扫描信号端电连接，所述第二晶体管的第一极与所述驱动晶体管的栅极电连接，所述第二晶体管的第二极与所述驱动晶体管的第二极电连接。
3.如权利要求1所述的光电转换电路，其特征在于，所述第一复位电路包括：第三晶体管；
所述第三晶体管的栅极与所述复位控制信号端电连接，所述第三晶体管的第一极与所述初始化信号端电连接，所述第三晶体管的第二极与所述驱动晶体管的栅极电连接。
4.如权利要求1所述的光电转换电路，其特征在于，所述读取控制电路包括：第四晶体管和第五晶体管；
所述第四晶体管的栅极与所述读取控制信号端电连接，所述第四晶体管的第一极与所述第一电源端电连接，所述第四晶体管的第二极与所述驱动晶体管的第一极电连接；
所述第五晶体管的栅极与所述读取控制信号端电连接，所述第五晶体管的第一极与所述驱动晶体管的第二极电连接，所述第五晶体管的第二极与所述读取输出端电连接。
5.如权利要求1-4任一项所述的光电转换电路，其特征在于，所述光电转换电路还包括：存储电容；
所述存储电容的第一电极板与所述第一电源端电连接，所述存储电容的第二电极板与所述驱动晶体管的栅极电连接。
6.如权利要求1-4任一项所述的光电转换电路，其特征在于，所述光电转换电路还包括：第六晶体管；其中，所述第六晶体管的栅极与所述复位控制信号端电连接，所述第六晶体管的第一极与参考信号端电连接，所述第六晶体管的第二极与所述光电转换器件电连接。
7.一种光电检测基板，其特征在于，包括：衬底基板，多个检测单元；其中，所述多个检测单元阵列排布于所述衬底基板上；
各所述检测单元分别包括如权利要求1-6任一项所述的光电转换电路。
8.如权利要求7所述的光电检测基板，其特征在于，所述光电检测基板还包括位于所述衬底基板上且相互间隔设置的多条扫描信号线、多条复位控制信号线以及多条读取控制信号线；其中，一行所述检测单元对应一条所述扫描信号线、一条复位控制信号线以及一条读取控制信号线；
各行所述检测单元中的光电转换电路的复位控制信号端均与对应的复位控制信号线电连接；
各行所述检测单元中的光电转换电路的扫描信号端均与对应的扫描信号线电连接；
各行所述检测单元中的光电转换电路的读取控制信号端均与对应的读取控制信号线电连接。
9.如权利要求7所述的光电检测基板，其特征在于，所述光电检测基板还包括位于所述衬底基板上且相互间隔设置的多条读取输出线；其中，一列所述检测单元对应一条所述读取输出线；
各列所述检测单元中的光电转换电路的读取输出端均与对应的读取输出线电连接。
10.一种光电检测装置，其特征在于，包括如权利要求7-9任一项所述的光电检测基板。
11.如权利要求10所述的光电检测装置，其特征在于，还包括：检测电路；
所述检测电路包括多个读取电路；其中，一列所述检测单元对应一个所述读取电路；
各列所述检测单元中的光电转换电路的读取输出端均通过读取输出线与对应的读取电路电连接。
12.一种如权利要求1-6任一项所述的光电转换电路的驱动方法，其特征在于，包括：
复位阶段，第一复位电路响应于复位控制信号端的信号，将初始化信号端的信号提供给所述驱动晶体管的栅极；
感光阶段，光电转换器件接收入射光，并将所述入射光进行光电转换后生成工作电压；
阈值补偿阶段，导通控制电路响应于扫描信号端的信号将所述光电转换器件与所述驱动晶体管导通；阈值补偿电路响应于所述扫描信号端的信号将所述驱动晶体管的栅极和所述驱动晶体管的第二极导通；
读取输出阶段，驱动晶体管根据所述光电转换器件经光电转换后的工作电压生成检测电流；读取控制电路响应于读取控制信号端的信号，将第一电源端与所述驱动晶体管的第一极导通，以及将所述驱动晶体管的第二极与读取输出端导通。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023044909A1 (zh) * 2021-09-27 2023-03-30 京东方科技集团股份有限公司 光电检测电路及其控制方法和像素单元
CN114324538B (zh) * 2021-12-31 2024-06-07 上海天马微电子有限公司 检测器件及其检测方法

Family Cites Families (55)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06334920A (ja) * 1993-03-23 1994-12-02 Nippon Hoso Kyokai <Nhk> 固体撮像素子とその駆動方法
JP2001298663A (ja) * 2000-04-12 2001-10-26 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその駆動方法
CN1225897C (zh) * 2002-08-21 2005-11-02 佳能株式会社 摄像装置
JP4403387B2 (ja) * 2004-04-26 2010-01-27 ソニー株式会社 固体撮像装置および固体撮像装置の駆動方法
JP2006013407A (ja) * 2004-05-21 2006-01-12 Sanyo Electric Co Ltd 光量検出回路およびそれを用いた表示パネル
KR100723485B1 (ko) * 2005-04-11 2007-05-31 삼성전자주식회사 씨모스 이미지센서 및 그 제조 방법
JP4529834B2 (ja) * 2005-07-29 2010-08-25 ソニー株式会社 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法および撮像装置
US7696545B2 (en) * 2006-08-29 2010-04-13 Micron Technology, Inc. Skimmed charge capture and charge packet removal for increased effective pixel photosensor full well capacity
KR100782312B1 (ko) * 2006-10-25 2007-12-06 한국전자통신연구원 고화질 ｃｍｏｓ 이미지 센서 및 포토 다이오드
US7759628B2 (en) * 2007-06-22 2010-07-20 Seiko Epson Corporation Detection device and electronic apparatus having plural scanning lines, detection lines, power supply lines and plural unit circuits arranged on a substrate
JP5181737B2 (ja) * 2008-03-07 2013-04-10 ソニー株式会社 駆動回路、駆動方法、固体撮像装置および電子機器
JP2010004025A (ja) * 2008-05-21 2010-01-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 光電変換装置、及び当該光電変換装置の駆動方法、並びに当該光電変換装置を具備する電子機器
JP5322120B2 (ja) * 2008-09-19 2013-10-23 国立大学法人静岡大学 情報取得装置及び光通信システム
JP2010226375A (ja) * 2009-03-23 2010-10-07 Fujifilm Corp 撮像装置及び固体撮像素子の駆動方法
JP2010225805A (ja) * 2009-03-23 2010-10-07 Fujifilm Corp 固体撮像素子、撮像装置及び固体撮像素子の駆動方法
JP2010283735A (ja) * 2009-06-08 2010-12-16 Seiko Epson Corp 検出装置及び固体撮像装置
JP5458690B2 (ja) * 2009-06-22 2014-04-02 ソニー株式会社 固体撮像装置およびカメラ
JP5257271B2 (ja) * 2009-06-26 2013-08-07 ソニー株式会社 光電変換装置および光電変換装置の駆動方法、並びに放射線撮像装置および放射線撮像装置の駆動方法
KR101074795B1 (ko) * 2009-07-03 2011-10-19 삼성모바일디스플레이주식회사 광 센싱 회로, 이를 포함하는 터치 패널, 및 광 센싱 회로의 구동 방법
KR101588459B1 (ko) * 2009-08-20 2016-01-25 주식회사 동부하이텍 이미지 센서 및 그 구동 방법
US8247854B2 (en) * 2009-10-08 2012-08-21 Electronics And Telecommunications Research Institute CMOS image sensor
WO2011099336A1 (en) * 2010-02-12 2011-08-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
WO2011111490A1 (en) * 2010-03-08 2011-09-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
WO2012147302A1 (ja) * 2011-04-28 2012-11-01 パナソニック株式会社 固体撮像装置及びそれを用いたカメラシステム
JP6132283B2 (ja) * 2013-05-17 2017-05-24 Ｎｌｔテクノロジー株式会社 増幅回路および増幅回路を用いたイメージセンサ
US9843750B2 (en) * 2014-03-25 2017-12-12 Samsung Electronics Co., Ltd. Methods of calibrating linear-logarithmic image sensors
US10567683B2 (en) * 2014-06-06 2020-02-18 Rambus Inc. Image sensor with depletion-level pixel charge transfer control
CN104091564B (zh) * 2014-06-30 2016-07-06 京东方科技集团股份有限公司 一种像素电路、有机电致发光显示面板及显示装置
JP6459271B2 (ja) * 2014-07-23 2019-01-30 Ｔｉａｎｍａ Ｊａｐａｎ株式会社 イメージセンサ及びその駆動方法
JP6555956B2 (ja) * 2014-07-31 2019-08-07 株式会社半導体エネルギー研究所 撮像装置、監視装置、及び電子機器
CN104835449B (zh) * 2015-05-04 2017-05-17 京东方科技集团股份有限公司 像素电路及其驱动方法、阵列基板以及显示装置
KR102553553B1 (ko) * 2015-06-12 2023-07-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 촬상 장치, 및 그 동작 방법 및 전자 기기
EP3840364B1 (en) * 2015-12-03 2024-09-04 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Image-capture device
US10545612B2 (en) * 2015-12-11 2020-01-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Signal processing circuit, signal processing IC, and semiconductor device
JP2017135693A (ja) * 2016-01-21 2017-08-03 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 撮像装置
CN105933623B (zh) * 2016-06-29 2019-03-05 京东方科技集团股份有限公司 像素电路及其驱动方法、图像传感器及图像获取装置
CN105913792B (zh) * 2016-06-30 2019-01-22 京东方科技集团股份有限公司 一种像素电路、半导体摄像头检测电路、显示装置
KR102514403B1 (ko) * 2016-07-13 2023-03-29 에스케이하이닉스 주식회사 픽셀 신호 리드아웃 장치 및 그 방법과 그를 이용한 씨모스 이미지 센서
CN106409224A (zh) * 2016-10-28 2017-02-15 京东方科技集团股份有限公司 像素驱动电路、驱动电路、显示基板和显示装置
CN106340514B (zh) * 2016-11-01 2017-10-10 京东方科技集团股份有限公司 一种有源像素传感器、驱动电路及驱动方法
CN106652912B (zh) * 2016-12-13 2020-05-19 上海天马有机发光显示技术有限公司 有机发光像素驱动电路、驱动方法以及有机发光显示面板
CN106782273A (zh) * 2017-01-18 2017-05-31 京东方科技集团股份有限公司 像素电路及其驱动方法、显示装置
CN106842278B (zh) * 2017-01-19 2023-11-21 京东方科技集团股份有限公司 一种msm光电检测装置及其驱动方法、x射线探测器
CN106982337B (zh) * 2017-04-27 2019-07-23 京东方科技集团股份有限公司 一种cmos图像传感器及其像素电路、驱动方法
CN107204172B (zh) * 2017-06-02 2019-05-21 京东方科技集团股份有限公司 像素电路及其驱动方法、显示面板
CN109870470B (zh) * 2017-06-30 2024-07-16 京东方科技集团股份有限公司 探测像素电路、探测面板和光电检测装置
CN107426513B (zh) * 2017-07-25 2019-11-12 京东方科技集团股份有限公司 有源像素传感器及其驱动方法
CN107657923B (zh) * 2017-11-15 2020-02-21 合肥鑫晟光电科技有限公司 像素电路的检测方法、显示面板的驱动方法、显示装置及像素电路
JP7080660B2 (ja) * 2018-02-09 2022-06-06 キヤノン株式会社 光電変換装置、撮像システム、および、移動体
US11094254B2 (en) * 2018-03-28 2021-08-17 Sharp Kabushiki Kaisha Display device and method for driving same
CN108735175B (zh) * 2018-05-29 2021-02-09 京东方科技集团股份有限公司 补偿结构、显示面板、显示装置和补偿方法
CN117765880A (zh) * 2019-01-18 2024-03-26 京东方科技集团股份有限公司 像素电路、驱动方法、电致发光显示面板及显示装置
CN110824328B (zh) * 2019-11-21 2022-02-01 京东方科技集团股份有限公司 一种光电转换电路、其驱动方法及探测基板
TWI779651B (zh) * 2021-06-08 2022-10-01 友達光電股份有限公司 驅動電路
CN113809108B (zh) * 2021-09-16 2024-03-12 上海天马微电子有限公司 光电传感器及其驱动方法、显示模组和显示装置

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