TWI756116B - 體聲波共振器 - Google Patents
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- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 279
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims abstract description 163
- 239000010432 diamond Substances 0.000 claims abstract description 46
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 claims abstract description 46
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 38
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 31
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims abstract description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 65
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 65
- 238000003780 insertion Methods 0.000 claims description 42
- 230000037431 insertion Effects 0.000 claims description 42
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 26
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 11
- 229910052451 lead zirconate titanate Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 claims description 10
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 8
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 7
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 7
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 6
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N hafnium(iv) oxide Chemical compound O=[Hf]=O CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 17
- 230000008569 process Effects 0.000 description 12
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 9
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 6
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 6
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 5
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 3
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 3
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 3
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 2
- LUKDNTKUBVKBMZ-UHFFFAOYSA-N aluminum scandium Chemical compound [Al].[Sc] LUKDNTKUBVKBMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical compound [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 2
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 2
- -1 region Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 229910015363 Au—Sn Inorganic materials 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017755 Cu-Sn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017927 Cu—Sn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 240000001973 Ficus microcarpa Species 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N erbium Chemical compound [Er] UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- JVPLOXQKFGYFMN-UHFFFAOYSA-N gold tin Chemical compound [Sn].[Au] JVPLOXQKFGYFMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QNZFKUWECYSYPS-UHFFFAOYSA-N lead zirconium Chemical compound [Zr].[Pb] QNZFKUWECYSYPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 238000009966 trimming Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
- H03H9/171—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator implemented with thin-film techniques, i.e. of the film bulk acoustic resonator [FBAR] type
- H03H9/172—Means for mounting on a substrate, i.e. means constituting the material interface confining the waves to a volume
- H03H9/173—Air-gaps
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- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
- H03H9/171—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator implemented with thin-film techniques, i.e. of the film bulk acoustic resonator [FBAR] type
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- H03H9/178—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator of a laminated structure of multiple piezoelectric layers with inner electrodes
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Abstract
一種體聲波共振器包括：基板；共振部分，包括依序堆疊於基板上的第一電極、壓電層及第二電極；以及保護層，設置於共振部分的上表面上。保護層包括：第一保護層，由金剛石薄膜形成；以及第二保護層，堆疊於第一保護層上，且由介電材料形成。
Description
以下說明是有關於一種體聲波共振器。
隨著無線通訊裝置小型化的趨勢，要求高頻組件技術小型化。舉例而言，使用半導體薄膜晶圓製作技術的體聲波（bulk acoustic wave，BAW）共振器型濾波器已經實施於無線通訊裝置中。
體聲波（BAW）共振器為被配置成使用沈積於半導體基板（例如矽晶圓）上的壓電介電材料的壓電特性產生共振的薄膜型元件，且可作為濾波器實施。
近來，對第五代（fifth generation，5G）通訊技術的興趣已經增加，並且已經進行了可以在候選頻帶中實施的BAW共振器的技術開發。然而，在使用次6吉赫（GHz）（如，4吉赫至6吉赫）頻帶的5G通訊的情形中，頻寬增加且通訊距離縮短，使得體聲波共振器的訊號強度或功率可能增加。
當BAW共振器的功率增加時，BAW共振器的共振部分的溫度趨於線性增加。因此，期望提供一種其中產生於共振部分中的熱量可被有效地耗散的BAW共振器。
提供本發明內容是為了以簡化形式介紹下文在實施方式中進一步闡述的一系列概念。本發明內容不旨在辨識所主張標的物的關鍵特徵或本質特徵，亦不旨在用於幫助確定所主張標的物的範圍。
在一個一般態樣中，一種體聲波共振器包括：基板；共振部分，包括依序堆疊於所述基板上的第一電極、壓電層及第二電極；以及保護層，設置於所述共振部分的上表面上。所述保護層包括：第一保護層，由金剛石薄膜形成；以及第二保護層，堆疊於所述第一保護層上，且由介電材料形成。
所述第二保護層的一部分可具有較所述第一保護層的厚度大的厚度。
所述第一保護層可具有500埃或大於500埃的厚度，且所述第二保護層可具有4000埃或小於4000埃的厚度。
所述第一電極及所述第二電極可自所述共振部分向外延伸。在所述共振部分外部、所述第一電極上可設置有第一金屬層，且在所述共振部分外部、所述第二電極上可設置有第二金屬層。所述第一保護層的部分可與所述第一金屬層及所述第二金屬層接觸。
所述第一保護層的部分可設置於所述第一金屬層及所述第二金屬層下方。
所述保護層在所述保護層設置於所述第一金屬層及所述第二金屬層下方的區域中的厚度可大於所述保護層在所述保護層設置於所述共振部分上的區域中的厚度。
所述第二保護層可包含二氧化矽（SiO
2）、氮化矽（Si
3N
4）、氧化鎂（MgO）、氧化鋯（ZrO
2）、氮化鋁（AlN）、鋯鈦酸鉛（PZT）、砷化鎵（GaAs）、氧化鉿（HfO
2）、氧化鋁（Al
2O
3）、氧化鈦（TiO
2）、氧化鋅（ZnO）、非晶矽（a-Si）和多晶矽（p-Si）中的任一者。
所述第二電極可包括至少一個開口。所述第一保護層可設置於所述至少一個開口中以與所述壓電層直接接觸。
所述第二電極可包括至少一個開口。所述壓電層設置於所述至少一個開口中以與所述第二保護層直接接觸。
所述體聲波共振器可更包括支撐部分，所述支撐部分設置於所述壓電層下方且部分地抬起所述壓電層使得所述壓電層的一部分設置於所述至少一個開口中。
所述第一保護層可由具有較所述壓電層的熱傳導係數及所述第二電極的熱傳導係數高的熱傳導係數的材料形成。
所述體聲波共振器可更包括插入層，所述插入層部分地設置於所述共振部分中且設置於所述第一電極與所述壓電層之間。所述壓電層的至少一部分可藉由所述插入層抬起。
所述第二電極可包括至少一個開口。所述插入層可包括支撐部分，所述支撐部分設置於與所述至少一個開口的區域對應的區域中。
所述插入層可具有傾斜表面。所述壓電層可包括壓電部分及傾斜部分，所述壓電部分設置於所述第一電極上，所述傾斜部分設置於所述傾斜表面上。
如請求項14所述的體聲波共振器，其中，在所述共振部分的橫截面中，所述第二電極的遠端設置於所述傾斜部分上或沿著所述壓電部分與所述傾斜部分之間的邊界設置。
所述壓電層可包括設置於所述傾斜部分外部的延伸部分。所述第二電極的至少一部分可設置於所述延伸部分上。
所述體聲波共振器可更包括設置於所述基板中的布拉格反射層。所述布拉格反射層中可交替地堆疊有第一反射層與第二反射層。所述第二反射層可具有較所述第一反射層的聲阻抗低的聲阻抗。
具有凹槽形狀的空腔可形成於所述基板的上表面中。所述共振部分可藉由所述空腔與所述基板間隔開預定距離。
所述金剛石薄膜可具有50奈米至1微米的平均粒徑。
藉由閱讀以下詳細說明、圖式及申請專利範圍，其他特徵及態樣將顯而易見。
提供以下詳細說明是為幫助讀者獲得對本文中所述方法、設備及/或系統的全面理解。然而，在理解本揭露內容之後，本文中所述方法、設備及/或系統的各種變化、潤飾及等效形式將顯而易見。舉例而言，本文中所述的操作順序僅為實例，且不限於本文中所述操作順序，而是如在理解本揭露內容之後將顯而易見，除必定以特定次序發生的操作以外，均可有所改變。此外，為增加清晰性及簡潔性，可省略對此項技術中已知的特徵的說明。
本文中所述特徵可以不同形式實施，且不被理解為受限於本文中所述實例。確切而言，提供本文中所述實例僅是為示出實施本文中所述方法、設備及/或系統的諸多可能方式中的一些方式，所述方式在理解本揭露內容之後將顯而易見。在下文中，儘管將參考附圖詳細闡述本揭露的實施例，然而應注意，實例不限於此。
在說明書通篇中，當例如層、區域或基板等元件被闡述為「位於」另一元件「上」、「連接至」或「耦合至」另一元件時，所述元件可直接「位於」所述另一元件「上」、直接「連接至」或直接「耦合至」所述另一元件，或者可存在介於其間的一或多個其他元件。反之，當元件被闡述為「直接位於」另一元件「上」、「直接連接至」或「直接耦合至」另一元件時，則可不存在介於其間的其他元件。本文中所使用的元件的「部分」可包括整個元件或少於整個元件。
本文中所使用的用語「及/或（and/or）」包括相關聯列出項中的任一項或者任兩項或更多項的任意組合；同樣地，「……中的至少一者（at least one of）」包括相關聯列出項中的任一項或者任兩項或更多項的任意組合。
儘管本文中可能使用例如「第一（first）」、「第二（second）」及「第三（third）」等用語闡述各種構件、組件、區域、層或區段，然而該些構件、組件、區域、層或區段不受該些用語限制。確切而言，該些用語僅用於區分各個構件、組件、區域、層或區段。因此，在不背離實例的教示內容的條件下，在本文中所述實例中提及的第一構件、組件、區域、層或區段亦可被稱為第二構件、組件、區域、層或區段。
為易於說明，本文中可能使用例如「上方」、「上部」、「下方」及「下部」等空間相對性用語來闡述如圖中所示的一個元件與另一元件的關係。此種空間相對性用語旨在囊括除圖中所繪示的定向以外，裝置在使用中或操作中的不同定向。舉例而言，若翻轉圖中的裝置，則闡述為相對於另一元件位於「上方」或「上部」的元件此時將相對於所述另一元件位於「下方」或「下部」。因此，用語「上方」端視裝置的空間定向而同時囊括上方及下方兩種定向。所述裝置亦可以其他方式定向（旋轉90度或處於其他定向），且本文中所使用的空間相對性用語要相應地進行解釋。
本文中所使用的術語僅是為闡述各種實例，而並不用於限制本揭露。除非上下文另外清楚指示，否則冠詞「一（a、an）」及「所述（the）」旨在亦包括複數形式。用語「包括（comprises）」、「包含（includes）」及「具有（has）」指明所陳述特徵、數目、操作、構件、元件及/或其組合的存在，但不排除一或多個其他特徵、數目、操作、構件、元件及/或其組合的存在或添加。
在本文中，應注意，關於實例（例如關於實例可包括或實施什麼）使用用語「可」意味著存在至少一個其中包括或實施此種特徵的實例，而所有實例不限於此。
如在理解本揭露內容之後將顯而易見，本文中所述實例的特徵可以各種方式組合。此外，儘管本文中所述實例具有各種配置，然而如在理解本揭露內容之後將顯而易見，可存在其他配置。
圖1是根據實施例的體聲波共振器100的平面圖。圖2是沿圖1所示的線I-I’截取的剖視圖。圖3是沿圖1所示的線II-II’截取的剖視圖。圖4是沿圖1所示的線III-III’截取的剖視圖。
參考圖1至圖4，體聲波共振器（或聲波共振器）100可包括例如基板110、支撐層140、共振部分120及插入層170。
基板110可為矽基板。舉例而言，可使用矽晶圓或絕緣體上矽（silicon on insulator，SOI）型基板作為基板110。
基板110的上表面上可設置有絕緣層115，以將基板110與共振部分120彼此電性隔離。另外，當在製作聲波共振器的製程中形成空腔C時，絕緣層115可防止基板110被蝕刻氣體蝕刻。
絕緣層115可由二氧化矽（SiO
2）、氮化矽（Si
3N
4）、氧化鋁（Al
2O
3）及氮化鋁（AlN）中的任一者或者任意二或更多者的任意組合形成，且可藉由化學氣相沈積製程、射頻（radio frequency，RF）磁控濺鍍製程（RF magnetron sputtering process）及蒸鍍製程（evaporation process）中的任一者形成。
支撐層140可形成於絕緣層115上，且可圍繞空腔C及蝕刻防止部分145設置以將空腔C及蝕刻防止部分145環繞於支撐層140內部。
空腔C可被形成為空的空間，且可藉由移除在製備支撐層140的製程中形成的犧牲層的一部分來形成。支撐層140可作為犧牲層的剩餘部分形成。
支撐層140可由例如多晶矽或可能容易被蝕刻的聚合物等材料形成。然而，支撐層140的材料不限於前述實例。
蝕刻防止部分145可沿著空腔C的邊界設置。可提供蝕刻防止部分145以在形成空腔C的製程中防止蝕刻被實行至空腔區域之外。
膜片層150可形成於支撐層140上，且可形成空腔C的上表面。因此，膜片層150亦可由在形成空腔C的製程中不容易被移除的材料形成。
舉例而言，當使用鹵化物系蝕刻氣體（例如氟（F）或氯（Cl））來移除支撐層140的部分（例如，空腔區域）時，膜片層150可由對上述蝕刻氣體的反應性低的材料形成。膜片層150可包含二氧化矽（SiO
2）及氮化矽（Si
3N
4）中的一者或者二氧化矽（SiO
2）與氮化矽（Si
3N
4）二者。
另外，膜片層150可為包含氧化鎂（MgO）、氧化鋯（ZrO
2）、氮化鋁（AlN）、鋯鈦酸鉛（PZT）、砷化鎵（GaAs）、氧化鉿（HfO
2）及氧化鋁（Al
2O
3）、氧化鈦（TiO
2）及氧化鋅（ZnO）中的任一者或者任意二或更多者的任意組合的介電層，或者為包含鋁（Al）、鎳（Ni）、鉻（Cr）、鉑（Pt）、鎵（Ga）及鉿（Hf）中的任一者或者任意二或更多者的任意組合的金屬層。然而，膜片層150不限於前述實例。
共振部分120可包括第一電極121、壓電層123及第二電極125。在共振部分120中，第一電極121、壓電層123及第二電極125可自共振部分120的下部部分依序堆疊。因此，在共振部分120中，壓電層123可設置於第一電極121與第二電極125之間。
由於共振部分120形成於膜片層150上，因此膜片層150、第一電極121、壓電層123及第二電極125可依序堆疊於基板110上，以形成共振部分120。
共振部分120可根據施加至第一電極121及第二電極125的訊號使壓電層123共振，以產生共振頻率（resonant frequency）及反共振頻率（anti-resonant frequency）。
共振部分120可包括中心部分S及延伸部分E，在中心部分S中，第一電極121、壓電層123及第二電極125被近似平坦地堆疊，在延伸部分E中，插入層170夾置於第一電極121與壓電層123之間。
中心部分S可為設置於共振部分120的中心處的區域，且延伸部分E可為沿著中心部分S的圓周設置的區域。因此，作為自中心部分S向外延伸的區域的延伸部分E可為沿著中心部分S的圓周形成為連續的環形狀的區域。作為另一選擇，若需要，則延伸部分E可形成為一些區域被斷開連接的不連續的環形狀。
因此，如圖2中所示，在共振部分120跨越中心部分S切割出的橫截面中，延伸部分E可設置於中心部分S的兩端處。另外，插入層170可插入至位於中心部分S的兩端處的延伸部分E中。
插入層170可具有傾斜表面L，以具有隨著距中心部分S的距離增加而變大的厚度。
在延伸部分E中，壓電層123及第二電極125可設置於插入層170上。因此，壓電層123及第二電極125的位於延伸部分E中的部分可根據插入層170的形狀具有傾斜表面。
在圖1至圖4所示實施例中，延伸部分E可包括於共振部分120中，並且因此，延伸部分E中亦可產生共振。然而，產生共振的位置不限於此實例。即，根據延伸部分E的結構，延伸部分E中可能不會產生共振，且共振可能僅產生於中心部分S中。
第一電極121及第二電極125可各自由例如金、鉬、釕、銥、鋁、鉑、鈦、鎢、鈀、鉭、鉻或鎳、或者包含金、鉬、釕、銥、鋁、鉑、鈦、鎢、鈀、鉭、鉻及鎳中的任一者或者任意二或更多者的任意組合的金屬等導體形成，然而，第一電極121及第二電極125不限於前述實例。
在共振部分120中，第一電極121可被形成為具有較第二電極125的面積大的面積，且在第一電極121上沿著第一電極121的外側可設置有第一金屬層180。因此，第一金屬層180可被設置成與第二電極125間隔開預定距離，且可被設置成環繞共振部分120。
第一電極121可設置於膜片層150上，且因此可為完全平坦的。第二電極125可設置於壓電層123上，且因此可具有形成為對應於壓電層123的形狀的彎曲。
第一電極121可被配置成輸入例如射頻（RF）訊號等電性訊號的輸入電極及輸出電訊號的輸出電極中的任一者。
第二電極125可被設置成貫穿中心部分S的整體，且可部分地設置於延伸部分E中。因此，第二電極125可包括設置於壓電層123（稍後欲更詳細闡述）的壓電部分123a上的部分以及設置於壓電層123的彎曲部分123b上的部分。
舉例而言，第二電極125可被設置成覆蓋壓電層123的壓電部分123a的整體及壓電層123的傾斜部分1231的部分。因此，設置於延伸部分E中的第二電極125的部分125a（見圖4）可具有較傾斜部分1231的傾斜表面的面積小的面積，且第二電極125可具有較共振部分120中的壓電層123的面積小的面積。
因此，如圖2中所示，在共振部分120跨越中心部分S切割出的橫截面中，第二電極125的遠端可設置於延伸部分E中。另外，設置於延伸部分E中的第二電極125的遠端的至少一部分可被設置成與插入層170交疊。此處，用語「交疊」意指當第二電極125被投影於其上設置有插入層170的平面上時，投影於所述平面上的第二電極125的形狀與插入層170交疊。
第二電極125可被配置成輸入例如射頻（RF）訊號等電性訊號的輸入電極及輸出電訊號的輸出電極中的任一者。即，當第一電極121被配置成輸入電極時，第二電極125可被配置成輸出電極，並且，當第一電極121被配置成輸出電極時，第二電極125可被配置成輸入電極。
如圖4中所示，當第二電極125的遠端位於稍後將更詳細闡述的壓電層123的傾斜部分1231上時，共振部分120的聲阻抗可具有自中心部分S以稀疏/稠密/稀疏/稠密結構（sparse/dense/sparse/dense structure）形成的局部結構，且因此在共振部分120中向內反射橫向波（lateral wave）的反射介面可增大。因此，大部分橫向波可能無法自共振部分120向外逸出，而是可能在共振部分120中向內反射，且因此可改善體聲波共振器100的效能。
壓電層123可為被配置成產生將電能轉換成具有彈性波形式的機械能的壓電效應的部分，且可形成於第一電極121及插入層170上，如稍後將更詳細闡述。
作為壓電層123的材料，可選擇性地使用氧化鋅（ZnO）、氮化鋁（AlN）、經摻雜氮化鋁、鋯鈦酸鉛、石英或類似物。經摻雜氮化鋁可更包括稀土金屬、過渡金屬或鹼土金屬。稀土金屬可包括鈧（Sc）、鉺（Er）、釔（Y）及鑭（La）中的任一者或者任意二或更多者的任意組合。過渡金屬可包括鉿（Hf）、鈦（Ti）、鋯（Zr）、鉭（Ta）及鈮（Nb）中的任一者或者任意二或更多者的任意組合。另外，鹼土金屬可包括鎂（Mg）。
當為了改善壓電特性而摻雜於氮化鋁（AlN）中的元素的含量在壓電層123中小於0.1原子%（at%）時，可能無法實施較氮化鋁（AlN）的壓電特性更高的壓電特性，且當摻雜於氮化鋁（AlN）中的元素的含量在壓電層123中超過30原子%時，難以實行用於沈積的製作及成分控制，進而使得可能形成不均勻的晶相。
因此，摻雜於氮化鋁（AlN）中的元素的含量在壓電層123中可在0.1原子%至30原子%的範圍內。
摻雜有鈧（Sc）的氮化鋁（AlN）可用作壓電層123的材料。在此種情形中，可增加壓電常數以增加體聲波共振器100的K
t 2。
壓電層123可包括設置於中心部分S中的壓電部分123a及設置於延伸部分E中的彎曲部分123b。
壓電部分123a可為直接堆疊於第一電極121的上表面上的部分。因此，壓電部分123a可夾置於第一電極121與第二電極125之間，且可與第一電極121及第二電極125一起形成為平坦的。
彎曲部分123b可為自壓電部分123a向外延伸且位於延伸部分E中的區域。
彎曲部分123b可設置於插入層170上，且可具有根據插入層170的形狀被抬起的上表面。因此，壓電層123可在壓電部分123a與彎曲部分123b之間的邊界處彎曲，且彎曲部分123b可根據插入層170的厚度及形狀被抬起。
彎曲部分123b可包括傾斜部分1231及延伸部分1232。
傾斜部分1231可指代沿著稍後欲更詳細闡述的插入層170的傾斜表面L傾斜的部分。另外，延伸部分1232可為自傾斜部分1231向外延伸的部分。
傾斜部分1231可被形成為平行於插入層170的傾斜表面L，且傾斜部分1231的傾斜角可與插入層170的傾斜表面L的傾斜角相同。
插入層170可沿著由膜片層150、第一電極121及蝕刻防止部分145形成的表面設置。因此，插入層170可部分地設置於共振部分120中，且可設置於第一電極121與壓電層123之間。
插入層170可圍繞中心部分S設置且支撐壓電層123的彎曲部分123b。因此，壓電層123的彎曲部分123b可根據插入層170的形狀被分成傾斜部分1231及延伸部分1232。
插入層170可設置於除中心部分S之外的區域中。舉例而言，插入層170可設置於除中心部分S之外的所述區域的整體之上或者設置於除中心部分S之外的所述區域的位於基板110上的部分中。
插入層170可具有隨著距中心部分S的距離增加而變大的厚度。因此，與中心部分S相鄰設置的插入層170的側表面可形成為具有預定傾斜角θ的傾斜表面L。
當插入層170的傾斜表面L的傾斜角θ小於5°時，為了製作插入層170，插入層170的厚度需要非常小或者傾斜表面L的面積需要過大。因此，使傾斜表面L具有小於5°的傾斜角θ實質上難以實施。
另外，當插入層170的傾斜表面L的傾斜角θ大於70°時，壓電層123的堆疊於插入層170上的部分或第二電極125的堆疊於插入層170上的部分的傾斜角可大於70°。在此種情形中，壓電層123的堆疊於傾斜表面L上的部分或第二電極125的堆疊於傾斜表面L上的部分可能過度彎曲，且因此可能在彎曲部分中出現裂紋（crack）。
因此，在實例中，傾斜表面L的傾斜角θ可在5°至70°的範圍內。
壓電層123的傾斜部分1231可沿著插入層170的傾斜表面L形成，且因此可以與傾斜表面L相同的傾斜角形成。因此，與傾斜表面L相似，傾斜部分1231的傾斜角亦可在5°至70°的範圍內。此種配置亦可相似地應用於第二電極125的堆疊於傾斜表面L上的部分。
插入層170可由例如二氧化矽（SiO
2）、氮化鋁（AlN）、氧化鋁（Al
2O
3）、氮化矽（Si
3N
4）、氧化鎂（MgO）、氧化鋯（ZrO
2）、鋯鈦酸鉛（PZT）、砷化鎵（GaAs）、氧化鉿（HfO
2）、氧化鈦（TiO
2）、或氧化鋅（ZnO）等介電材料形成，但可由與壓電層123的材料不同的材料形成。
作為另一選擇，插入層170可由金屬形成。當體聲波共振器100用於5G通訊時，共振部分120中可產生大量熱量，且因此，共振部分120中產生的熱量需要被平穩地耗散。為此，插入層170可由包含鈧（Sc）的鋁合金材料形成。
共振部分120可被設置成藉由可被形成為空的空間的空腔C與基板110間隔開。
空腔C可藉由在製作體聲波共振器100的製程中向入口孔H（見圖1及圖3）供應蝕刻氣體（或蝕刻劑）以移除支撐層140的部分而形成。
因此，空腔C可形成為上表面（頂表面）及側表面（壁表面）由膜片層150形成且底表面由基板110或絕緣層115形成的空間。膜片層150可根據製作方法的次序僅形成於空腔C的上表面（頂表面）上。
保護層127可沿著體聲波共振器100的表面設置，以防止體聲波共振器100受外部影響。保護層127可沿著由第二電極125及壓電層123的彎曲部分123b形成的表面設置。
保護層127可包括由金剛石薄膜形成的第一保護層127a及由介電材料形成的第二保護層127b。
第一保護層127a由具有極佳的熱傳導係數的金剛石形成。作為藉由碳元素在高溫及高壓下結晶形成的材料的金剛石被認為是幾種材料中具有最高熱傳導係數的材料。金剛石晶體可具有約2000瓦/米·開（W/m·K）的極佳的熱傳導係數，並且由於其在已知材料中具有最高的聲速，所以可適合作為聲波裝置的材料。
然而，當金剛石被實施為薄膜而不是晶體時，存在熱傳導係數降低的問題。另外，金剛石的熱傳導係數隨著金剛石的粒徑的增大而趨於增大。
圖5是示出金剛石薄膜的熱傳導係數隨著金剛石薄膜的粒徑變化的曲線圖。參考圖5，金剛石的熱傳導係數隨著金剛石的粒徑的增大而趨於增大。
金剛石可藉由化學氣相沈積（chemical vapor deposition，CVD）薄化，且沈積製程中金剛石的結晶度可決定粒徑。
經證實，當金剛石薄膜的平均粒徑為50奈米或大於50奈米時，所述金剛石薄膜具有較由氮化鋁（AlN）形成的壓電層123或由鉬（Mo）形成的第二電極125的熱傳導係數高的熱傳導係數。具體而言，當金剛石薄膜的平均粒徑為50奈米或大於50奈米時，金剛石薄膜的熱傳導係數被量測為300瓦/米·開或大於300瓦/米·開。在此種情形中，經證實，熱傳導較壓電層123或第二電極125的熱傳導更平穩。
另一方面，當金剛石薄膜的粒徑為1微米或大於1微米時，聲波的散射可隨著金剛石薄膜的表面粗糙度的增加而增加，且因此，金剛石薄膜可能不適合用於體聲波共振器。
因此，體聲波共振器100中的金剛石薄膜的平均粒徑可為50奈米至1微米。
當金剛石薄膜藉由如上所述的化學氣相沈積（CVD）形成時，經證實金剛石薄膜的厚度需為500埃或大於500埃，以使得金剛石薄膜具有50奈米或大於50奈米的平均粒徑。
因此，在體聲波共振器100中，第一保護層127a可形成為具有500埃或大於500埃的厚度。
因此，當金剛石薄膜具有較壓電層123及第二電極125的熱傳導係數高的熱傳導係數時，產生於共振部分120的主動區域中的熱量可藉由由金剛石薄膜形成的第一保護層127a快速地耗散，且因此可降低共振部分120的最大溫度。
由於金剛石薄膜具有低蝕刻速率，因此當整個保護層127由金剛石薄膜形成時，可能難以藉由保護層127實行頻率微調（frequency trimming）。因此，保護層127可包括堆疊於由金剛石薄膜形成的第一保護層127a上的第二保護層127b。
第二保護層127b可設置於第一保護層127a的上表面的整體之上。然而，第二保護層127b不限於此種配置。
第二保護層127b可用於頻率微調，且因此可由適合用於頻率微調的材料形成。舉例而言，第二保護層127b可包含二氧化矽（SiO
2）、氮化矽（Si
3N
4）、氧化鎂（MgO）、氧化鋯（ZrO
2）、氮化鋁（AlN）、鋯鈦酸鉛（PZT）、砷化鎵（GaAs）、氧化鉿（HfO
2）、氧化鋁（Al
2O
3）、氧化鈦（TiO
2）、氧化鋅（ZnO）、非晶矽（a-Si）和多晶矽（p-Si）中的任一者，但不限於前述實例。
第二保護層127b的至少一部分可在頻率微調製程中被移除。舉例而言，第二保護層127b的厚度可藉由製作過程中的頻率微調來控制。
第二保護層127b的至少一部分可形成為具有較第一保護層127a的厚度大的厚度。
共振部分120的體積或重量可隨著保護層127的厚度的增加而增加，且因此體聲波共振器100的K
t 2可減小。在此種情形中，K
t 2可藉由改變壓電層123的厚度或第一電極121及第二電極125的厚度（此可能增加共振部分120的大小或面積）而增加。
因此，需要限制保護層127的厚度，以在維持共振部分120的大小及面積的同時確保所需水準的K
t 2。
通過實驗，當第二保護層127b的厚度超過4000埃時，保護層127的總厚度超過4500埃。在此種情形中，經證實，體聲波共振器100的K
t 2顯著減小。因此，第二保護層127b可形成為具有4000埃或小於4000埃的厚度。
因此，第一保護層127a可形成為具有在500埃或大於500埃且小於第二保護層127b的厚度的範圍內的厚度，且第二保護層127b可形成為具有在4000埃或小於4000埃的範圍內的厚度。
第一電極121及第二電極125可自共振部分120向外延伸。另外，第一金屬層180及第二金屬層190可分別設置於第一金屬層180及第二金屬層190的自共振部分120向外延伸的部分的上表面上。
第一金屬層180及第二金屬層190可各自由金（Au）、金-錫（Au-Sn）合金、銅（Cu）、銅-錫（Cu-Sn）合金、鋁（Al）以及鋁合金中的任一者形成。舉例而言，鋁合金可為鋁-鍺（Al-Ge）合金或鋁-鈧（Al-Sc）合金。
第一金屬層180及第二金屬層190可用作連接配線，所述連接配線將體聲波共振器100的第一電極121及第二電極125電性連接至在基板110上與體聲波共振器100相鄰設置的另一體聲波共振器的電極。
第一金屬層180的至少一部分可與保護層127接觸且可接合至第一電極121。
另外，在共振部分120中，第一電極121可形成為具有較第二電極125的面積大的面積，且第一金屬層180可形成於第一電極121的圓周部分處。
因此，第一金屬層180可沿著共振部分120的圓周設置，且因此可環繞第二電極125設置。然而，第一金屬層180不限於前述配置。
第一金屬層180及第二金屬層190可由具有高熱傳導係數的金屬形成且可具有大體積以具有極佳的散熱效果。因此，第一保護層127a可連接至第一金屬層180及第二金屬層190以使得產生於壓電層123中的熱量可經由第一保護層127a快速地傳遞至第一金屬層180及第二金屬層190。
第一保護層127a的至少部分可設置於第一金屬層180及第二金屬層190下方。具體而言，第一保護層127a可插入於第一金屬層180與壓電層123之間及第二金屬層190與第二電極125之間以及第二金屬層190與壓電層123之間。
如上所述，第一保護層127a可由金剛石薄膜形成。金剛石薄膜的至少部分可與第一金屬層180及第二金屬層190直接接觸。
在圖1所示的平面圖中，體聲波共振器100可示出其中溫度在共振部分120的中心區域中最高且自共振部分120的中心區域向外側降低的溫度分佈。
在相關技術中，保護層僅由一種材料形成，且SiO
2及Si
3N
4主要用作保護層的材料。SiO
2及Si
3N
4具有很低的熱傳導係數，且因此，不能平穩地實行自共振部分120散熱。舉例而言，當相關技術的保護層由Si
3N
4形成時，共振部分120的中心區域中的最大溫度被量測為179℃。
另一方面，在保護層127包括金剛石薄膜的情形中，當對共振部分120施加相同的功率時，共振部分120的中心區域中的最大溫度被量測為74℃，其顯著低於上述最大溫度。因此，經證實，熱量藉由保護層127快速耗散。
如上所述，在體聲波共振器100中，壓電層123中產生的熱量可藉由具有相對高的熱傳導係數的第一保護層127a傳遞及耗散至第一金屬層180及第二金屬層190，使得散熱效果可改善，且儘管對共振部分120施加了高功率，然而仍可確保體聲波共振器100的操作可靠性。因此，體聲波共振器100可用作適合用於5G通訊的體聲波共振器。
另外，由於由介電材料形成的第二保護層127b設置於第一保護層127a上，因此可藉由保護層127改善散熱效果，且可藉由保護層127實行頻率微調。
本揭露不限於上述實例，且上述實例可以各種方式修改。
圖6是示出根據另一實施例的具有共振部分120-1的體聲波共振器100-1的示意性剖視圖。
參考圖6，在體聲波共振器100-1中，包括第一保護層127a-1及第二保護層127b-1的保護層127-1可具有第一區域A1及第二區域A2。
第一區域A1可為設置於第一金屬層180下方或第二金屬層190下方且具有較第二區域A2的厚度大的厚度的區域。作為不同於第一區域A1的部分的第二區域A2可設置於共振部分120中且可具有較第一區域A1的厚度小的厚度。
此種配置可藉由將整個保護層127-1形成為具有第一區域A1的厚度且然後部分地移除第二保護層127b-1的設置於第二區域A2中的一部分來實施。因此，第二保護層127b-1的至少一部分可形成為具有較第一保護層127a-1的厚度大的厚度。舉例而言，第二保護層127b-1可形成為在第一區域A1中較第一保護層127a-1厚，且在第二區域A2中較第一保護層127a-1薄。然而，第二保護層127b-1不限於此種配置，且若需要，則第二保護層127b-1的一部分或整體可被形成為較第一保護層127a-1的位於第二區域A2中的部分厚。
隨著由金剛石薄膜形成的第一保護層127a-1的厚度的增大，可出現更多的晶粒生長，且因此可獲得增大粒徑的效果。因此，在改善第一保護層127a-1的熱傳導係數方面，保持第一保護層127a-1的厚度較大可為有利的。
儘管如上所述第一保護層127a-1被配置成在第二區域A2中具有較在第一區域A1中更小的厚度，然而第一保護層127a-1可形成為在第一區域A1與第二區域A2兩者中具有相同的厚度，且因此總體上可具有高熱傳導係數。
圖7是示出根據另一實施例的具有共振部分120-2的體聲波共振器100-2的示意性剖視圖。
參考圖7，第二電極125-2可包括至少一個開口125P。開口125P可設置於第二電極125-2的中心部分處，設置於第二電極125上的保護層127-2的第一保護層127a-2可設置於開口125P中以與壓電層123直接接觸，並且保護層127-2的第二保護層127b-2可設置於開口125P中的第一保護層127a-2上。
體聲波共振器100-2在被操作時可在共振部分120-2的中心部分處具有最高溫度。因此，若產生於共振部分120-2的中心部分處的熱量可快速地被耗散，則共振部分120-2的整體溫度可被降低。
因此，體聲波共振器100-2可被配置成使得作為加熱元件的壓電層123在共振部分120-2的中心部分處與第一保護層127a-2直接接觸。在此種情形中，產生於壓電層123中的熱量可直接傳遞至具有高熱傳導係數的第一保護層127a-2，且因此可更有效地自共振部分120-2向外耗散。因此，可改善整個共振部分120-2中的散熱效果。
當開口125P的面積是共振部分120-2的面積的10%或大於10%時，共振部分120的驅動區域可減小，其可能導致K
t 2的減小及插入損耗特性的劣化。因此，開口125P的面積可為共振部分120-2的面積的10%或小於10%。
圖8是示出根據另一實施例的包括共振部分120-3的體聲波共振器100-3的示意性剖視圖。
參考圖8，第二電極125-3可包括形成於其中心部分處的開口125P。另外，壓電層123-3可設置於開口125P中以與保護層127-3的第一保護層127a-3直接接觸，且保護層127-3的第二保護層127b-3可設置於第一保護層127a-3上。
為此，支撐部分175可設置於與開口125P的位於壓電層123-3下方的區域對應的區域中。此處，片語「與開口125P的區域對應的區域」是指當開口125P投影於其上設置有插入層170的平面上時，與開口125P投影於所述平面上的區域交疊的區域。
支撐部分175可設置於壓電層123-3的下部部分處以部分地抬起壓電層123-3並且將壓電層123-3設置於開口125P中。
壓電層123-3可包括根據支撐部分175的形狀被抬起且設置於開口125P中的抬起部分123P。
抬起部分123P的側表面可形成為傾斜表面，且第二電極125-3的開口125P可沿著抬起部分123P的傾斜表面設置。在此種情形中，如圖8中所示，第二電極125-3的其中形成有開口125P的端部部分可設置於抬起部分123P的傾斜表面上。
因此，抬起部分123P的上表面的整體可被配置成與第一保護層127a-3接觸。另外，作為抬起部分123P的側表面的傾斜表面的部分可被配置成與第一保護層127a-3接觸。然而，傾斜表面不限於前述配置。
支撐部分175可被配置成上述插入層170的一部分。舉例而言，在形成插入層170的製程中，支撐部分175可由與插入層170相同的材料形成。然而，支撐部分175不限於此實例，且亦可與插入層170分開形成。在此種情形中，支撐部分175可由與插入層170的材料不同的材料形成，但並不限於此。
另外，已經藉由實例闡述了支撐部分175設置於第一電極121與壓電層123-3之間的情形，但是若需要，則支撐部分175亦可設置於膜片層150與第一電極121之間。
圖9是示出根據另一實施例的包括共振部分120-4的體聲波共振器100-4的示意性剖視圖。
在體聲波共振器100-4中，第二電極125-4可在共振部分120-4內設置於壓電層123的上表面的整體之上。因此，第二電極125可形成於壓電層123的延伸部分1232上以及壓電層123的傾斜部分1231上。
包括第一保護層127a-4及第二保護層127b-4的保護層127-4可設置於第二電極125-4上。
圖10是示出根據另一實施例的包括共振部分120-5的體聲波共振器100-5的示意性剖視圖。
參考圖10，在體聲波共振器100-5中，在共振部分120-5跨越中心部分S切割出的橫截面中，第二電極125-5的遠端可僅形成於壓電層123的壓電部分123a的上表面上，且不可形成於壓電層123的彎曲部分123b上。因此，第二電極125-5的遠端可沿著壓電部分123a與傾斜部分1231之間的邊界設置。
包括第一保護層127a-5及第二保護層127b-5的保護層127-5可設置於第二電極125-5上。
圖11是示出根據另一實施例的體聲波共振器100-6的示意性剖視圖。
參考圖11，體聲波共振器100-6可與圖2及圖3中所示的聲波共振器100相似地形成，但是可不包括空腔C（見圖2），且可包括布拉格反射層117。
布拉格反射層117可設置於基板110-6中且可藉由在共振部分120下方交替地堆疊具有相對高的聲阻抗的第一反射層B1與具有較第一反射層B1的聲阻抗低的聲阻抗的第二反射層B2形成。
在此種情形中，第一反射層B1及第二反射層B2可具有根據特定波長界定的厚度，以在垂直方向上向共振部分120反射聲波，藉此阻擋聲波自基板110-6向下流出。
為此，第一反射層B1可由具有較第二反射層B2的密度高的密度的材料形成。舉例而言，W、Mo、Ru、Ir、Ta、Pt及Cu中的任一者可選擇性地用作第一反射層B1的材料。另外，第二反射層B2可由具有較第一反射層B1的密度低的密度的材料形成。舉例而言，SiO
2、Si
3N
4及AlN中的任一者可選擇性地用作第二反射層B2的材料。然而，第一反射層及第二反射層的材料不限於前述實例。
圖12是示出根據另一實施例的體聲波共振器100-7的示意性剖視圖。
參考圖12，體聲波共振器100-7可與圖2及圖3中所示的聲波共振器100相似地形成，但是空腔C不形成於基板110-7上方，且可藉由移除基板110-7的一部分形成。
空腔C可藉由部分地蝕刻基板110-7的上表面形成。可使用乾法蝕刻及濕法蝕刻中的任一者蝕刻基板110-7。
障壁層113可形成於空腔C的內表面上。障壁層113可保護基板110-7免受在形成共振部分120的製程中使用的蝕刻劑的影響。
障壁層113可由介電層（例如AlN或SiO
2）形成，但是並不限於此。即，各種材料均可用作障壁層113的材料，只要其可保護基板110-7免受蝕刻劑的影響即可。
如上所述，根據本文中的揭露內容的體聲波共振器可以各種形式修改。
如上所述，在根據本揭露的體聲波共振器中，產生於壓電層中的熱量可藉由具有相對高的熱傳導係數的第一保護層傳遞並耗散至第一金屬層及第二金屬層，且因此可改善散熱效果。
儘管本揭露包括具體實例，然而在理解本申請案的揭露內容之後將顯而易見，在不背離申請專利範圍及其等效範圍的精神及範圍的條件下，可對該些實例作出形式及細節上的各種改變。本文中所述實例僅被視為是說明性的，而非用於限制目的。對每一實例中的特徵或態樣的說明要被視為可應用於其他實例中的相似特徵或態樣。若所述技術被以不同的次序實行，及/或若所述系統、架構、裝置或電路中的組件以不同的方式組合及/或被其他組件或其等效物替換或補充，則可達成合適的結果。因此，本揭露的範圍並非由詳細說明來界定，而是由申請專利範圍及其等效範圍來界定，且在申請專利範圍及其等效範圍的範圍內的所有變化要被解釋為包括於本揭露中。
100:體聲波共振器/聲波共振器
100-1、100-2、100-3、100-4、100-5、100-6、100-7:體聲波共振器
110、110-6、110-7:基板
113:障壁層
115:絕緣層
117:布拉格反射層
120、120-1、120-2、120-3、120-4、120-5:共振部分
121:第一電極
123、123-3:壓電層
123a:壓電部分
123b:彎曲部分
123P:抬起部分
125、125-2、125-3、125-4、125-5:第二電極
125a:部分
125P:開口
127、127-1、127-2、127-3、127-4、127-5:保護層
127a、127a-1、127a-2、127a-3、127a-4、127a-5:第一保護層
127b、127b-1、127b-2、127b-3、127b-4、127b-5:第二保護層
140:支撐層
145:蝕刻防止部分
150:膜片層
170:插入層
175:支撐部分
180:第一金屬層
190:第二金屬層
1231:傾斜部分
1232、E:延伸部分
A1:第一區域
A2:第二區域
B1:第一反射層
B2:第二反射層
C:空腔
H:入口孔
I-I’、II-II’、III-III’:線
L:傾斜表面
S:中心部分
θ:傾斜角
圖1是根據實施例的體聲波共振器的平面圖。
圖2是沿圖1所示的線I-I’截取的剖視圖。
圖3是沿圖1所示的線II-II’截取的剖視圖。
圖4是沿圖1所示的線III-III’截取的剖視圖。
圖5是示出金剛石薄膜的熱傳導係數隨著金剛石薄膜的粒徑變化的曲線圖。
圖6是示出根據另一實施例的體聲波共振器的示意性剖視圖。
圖7是示出根據另一實施例的體聲波共振器的示意性剖視圖。
圖8是示出根據另一實施例的體聲波共振器的示意性剖視圖。
圖9是示出根據另一實施例的體聲波共振器的示意性剖視圖。
圖10是示出根據另一實施例的體聲波共振器的示意性剖視圖。
圖11是示出根據另一實施例的體聲波共振器的示意性剖視圖。
圖12是示出根據另一實施例的體聲波共振器的示意性剖視圖。
在所有圖式及詳細說明通篇中，相同的參考編號指代相同的元件。圖式可不按比例繪製，且為清晰、例示及方便起見，可誇大圖式中的元件的相對大小、比例及繪示。
100:體聲波共振器/聲波共振器
120:共振部分
180:第一金屬層
190:第二金屬層
H:入口孔
I-I’、II-II’、III-III’:線
Claims (18)
- 一種體聲波共振器，包括：基板；共振部分，包括依序堆疊於所述基板上的第一電極、壓電層及第二電極；以及保護層，設置於所述共振部分的上表面上，其中所述保護層包括：第一保護層，由金剛石薄膜形成；以及第二保護層，堆疊於所述第一保護層上，且由介電材料形成，其中所述第一保護層由具有較所述壓電層的熱傳導係數及所述第二電極的熱傳導係數高的熱傳導係數的材料形成。
- 一種體聲波共振器，包括：基板；共振部分，包括依序堆疊於所述基板上的第一電極、壓電層及第二電極；以及保護層，設置於所述共振部分的上表面上，其中所述保護層包括：第一保護層，由金剛石薄膜形成；以及第二保護層，堆疊於所述第一保護層上，且由介電材料形成，其中所述第二保護層的一部分具有較所述第一保護層的厚度 大的厚度。
- 如請求項1或2所述的體聲波共振器，其中所述第一保護層具有500埃或大於500埃的厚度，且所述第二保護層具有4000埃或小於4000埃的厚度。
- 如請求項1或2所述的體聲波共振器，其中所述第一電極及所述第二電極自所述共振部分向外延伸，其中在所述共振部分外部、所述第一電極上設置有第一金屬層，且在所述共振部分外部、所述第二電極上設置有第二金屬層，且其中所述第一保護層的部分與所述第一金屬層及所述第二金屬層接觸。
- 如請求項4所述的體聲波共振器，其中所述第一保護層的所述部分設置於所述第一金屬層及所述第二金屬層下方。
- 一種體聲波共振器，包括：基板；共振部分，包括依序堆疊於所述基板上的第一電極、壓電層及第二電極；以及保護層，設置於所述共振部分的上表面上，其中所述保護層包括：第一保護層，由金剛石薄膜形成；以及第二保護層，堆疊於所述第一保護層上，且由介電材料形成， 其中所述第一電極及所述第二電極自所述共振部分向外延伸，其中在所述共振部分外部、所述第一電極上設置有第一金屬層，且在所述共振部分外部、所述第二電極上設置有第二金屬層，且其中所述第一保護層的部分與所述第一金屬層及所述第二金屬層接觸，其中所述第一保護層的所述部分設置於所述第一金屬層及所述第二金屬層下方，且其中在所述保護層設置於所述第一金屬層及所述第二金屬層下方的區域中的所述保護層的厚度大於在所述保護層設置於所述共振部分上的區域中的所述保護層的厚度。
- 如請求項1、2及6中任一項所述的體聲波共振器，其中所述第二保護層包含二氧化矽(SiO2)、氮化矽(Si3N4)、氧化鎂(MgO)、氧化鋯(ZrO2)、氮化鋁(AlN)、鋯鈦酸鉛(PZT)、砷化鎵(GaAs)、氧化鉿(HfO2)、氧化鋁(Al2O3)、氧化鈦(TiO2)、氧化鋅(ZnO)、非晶矽(a-Si)和多晶矽(p-Si)中的任一者。
- 一種體聲波共振器，包括：基板；共振部分，包括依序堆疊於所述基板上的第一電極、壓電層及第二電極；以及保護層，設置於所述共振部分的上表面上， 其中所述保護層包括：第一保護層，由金剛石薄膜形成；以及第二保護層，堆疊於所述第一保護層上，且由介電材料形成，其中所述第二電極包括至少一個開口，且其中所述第一保護層設置於所述至少一個開口中以與所述壓電層直接接觸。
- 一種體聲波共振器，包括：基板；共振部分，包括依序堆疊於所述基板上的第一電極、壓電層及第二電極；以及保護層，設置於所述共振部分的上表面上，其中所述保護層包括：第一保護層，由金剛石薄膜形成；以及第二保護層，堆疊於所述第一保護層上，且由介電材料形成，其中所述第二電極包括至少一個開口，且其中所述壓電層設置於所述至少一個開口中以與所述第二保護層直接接觸。
- 如請求項9所述的體聲波共振器，更包括支撐部分，所述支撐部分設置於所述壓電層下方且部分地抬起所述壓電層使得所述壓電層的一部分設置於所述至少一個開口中。
- 如請求項1、2、6、8及9中任一項所述的體聲波共振器，更包括插入層，所述插入層部分地設置於所述共振部分中且設置於所述第一電極與所述壓電層之間，其中所述壓電層的至少一部分藉由所述插入層抬起。
- 一種體聲波共振器，包括：基板；共振部分，包括依序堆疊於所述基板上的第一電極、壓電層及第二電極；保護層，設置於所述共振部分的上表面上，其中所述保護層包括：第一保護層，由金剛石薄膜形成；以及第二保護層，堆疊於所述第一保護層上，且由介電材料形成；以及插入層，部分地設置於所述共振部分中且設置於所述第一電極與所述壓電層之間，其中所述壓電層的至少一部分藉由所述插入層抬起，其中所述第二電極包括至少一個開口，且其中所述插入層包括支撐部分，所述支撐部分設置於與所述至少一個開口的區域對應的區域中。
- 如請求項12所述的體聲波共振器，其中所述插入層具有傾斜表面，且其中所述壓電層包括壓電部分及傾斜部分，所述壓電部分設 置於所述第一電極上，所述傾斜部分設置於所述傾斜表面上。
- 如請求項13所述的體聲波共振器，其中，在所述共振部分的橫截面中，所述第二電極的遠端設置於所述傾斜部分上或沿著所述壓電部分與所述傾斜部分之間的邊界設置。
- 如請求項13所述的體聲波共振器，其中所述壓電層包括設置於所述傾斜部分外部的延伸部分，且其中所述第二電極的至少一部分設置於所述延伸部分上。
- 一種體聲波共振器，包括：基板；共振部分，包括依序堆疊於所述基板上的第一電極、壓電層及第二電極；保護層，設置於所述共振部分的上表面上，其中所述保護層包括：第一保護層，由金剛石薄膜形成；以及第二保護層，堆疊於所述第一保護層上，且由介電材料形成；以及布拉格反射層，設置於所述基板中，其中所述布拉格反射層中交替地堆疊有第一反射層與第二反射層，且所述第二反射層具有較所述第一反射層的聲阻抗低的聲阻抗。
- 如請求項1、2、6、8、9、12及16中任一項所述的體聲波共振器，其中具有凹槽形狀的空腔形成於所述基板的上表 面中，且其中所述共振部分藉由所述空腔與所述基板間隔開預定距離。
- 如請求項1、2、6、8、9、12及16中任一項所述的體聲波共振器，其中所述金剛石薄膜具有50奈米至1微米的平均粒徑。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2020-0148324 | 2020-11-09 | ||
| KR1020200148324A KR102574423B1 (ko) | 2020-11-09 | 2020-11-09 | 체적 음향 공진기 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TWI756116B true TWI756116B (zh) | 2022-02-21 |
| TW202220379A TW202220379A (zh) | 2022-05-16 |
Family
ID=81329325
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW110114688A TWI756116B (zh) | 2020-11-09 | 2021-04-23 | 體聲波共振器 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20220149806A1 (zh) |
| KR (1) | KR102574423B1 (zh) |
| CN (1) | CN114465597A (zh) |
| TW (1) | TWI756116B (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20210045588A (ko) * | 2019-10-17 | 2021-04-27 | 삼성전기주식회사 | 체적 음향 공진기 |
Citations (3)
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| KR102574423B1 (ko) | 2023-09-04 |
| TW202220379A (zh) | 2022-05-16 |
| CN114465597A (zh) | 2022-05-10 |
| KR20220062754A (ko) | 2022-05-17 |
| US20220149806A1 (en) | 2022-05-12 |
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