TWI752537B - 固態攝像裝置、固態攝像裝置的製造方法、以及電子設備 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 270
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims abstract description 233
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 126
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 9
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 103
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 34
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 13
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 13
- 230000007423 decrease Effects 0.000 abstract description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 46
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 25
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 25
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 23
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 22
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 22
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 17
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 13
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 12
- 102100035593 POU domain, class 2, transcription factor 1 Human genes 0.000 description 9
- 101710084414 POU domain, class 2, transcription factor 1 Proteins 0.000 description 9
- FDWIKIIKBRJSHK-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methyl-4-oxochromen-5-yl)acetic acid Chemical compound C1=CC=C2OC(C)=CC(=O)C2=C1CC(O)=O FDWIKIIKBRJSHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 101000874141 Homo sapiens Probable ATP-dependent RNA helicase DDX43 Proteins 0.000 description 7
- 102100035724 Probable ATP-dependent RNA helicase DDX43 Human genes 0.000 description 7
- 102100037981 Dickkopf-like protein 1 Human genes 0.000 description 6
- 101000951345 Homo sapiens Dickkopf-like protein 1 Proteins 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 101710114762 50S ribosomal protein L11, chloroplastic Proteins 0.000 description 3
- 101001056180 Homo sapiens Induced myeloid leukemia cell differentiation protein Mcl-1 Proteins 0.000 description 3
- 102100026539 Induced myeloid leukemia cell differentiation protein Mcl-1 Human genes 0.000 description 3
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 3
- 101150055492 sel-11 gene Proteins 0.000 description 3
- -1 CT24 Proteins 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 102100020673 Visual system homeobox 1 Human genes 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 2
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 2
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 2
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 101150035574 mcl2 gene Proteins 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 229920002469 poly(p-dioxane) polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 2
- SKRWFPLZQAAQSU-UHFFFAOYSA-N stibanylidynetin;hydrate Chemical compound O.[Sn].[Sb] SKRWFPLZQAAQSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- NTONRRCTPDMZTP-UHFFFAOYSA-N 2-(2-hydroxy-2-methyl-4-oxo-3h-chromen-5-yl)acetic acid Chemical compound C1=CC=C2OC(C)(O)CC(=O)C2=C1CC(O)=O NTONRRCTPDMZTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101710082414 50S ribosomal protein L12, chloroplastic Proteins 0.000 description 1
- 101710164994 50S ribosomal protein L13, chloroplastic Proteins 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101150044039 PF12 gene Proteins 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000976 ink Substances 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VRIVJOXICYMTAG-IYEMJOQQSA-L iron(ii) gluconate Chemical compound [Fe+2].OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)C([O-])=O.OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)C([O-])=O VRIVJOXICYMTAG-IYEMJOQQSA-L 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000002493 microarray Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004032 porphyrins Chemical class 0.000 description 1
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000004043 responsiveness Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
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- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
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- H01L27/144—Devices controlled by radiation
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Abstract
本發明提供相鄰子像素間的串擾少，能夠抑制亮度陰影的影響，而
且可抑制光學中心的靈敏度的下降的固態攝像裝置、固態攝像裝置的製造方法、以及電子設備。多像素MPXL20包含：背面分離部250，分離相鄰的複數個子像素；以及透鏡部220，包括使光射入至子像素SPXL11、SPXL12、SPXL21、SPXL22的光電轉換區域211~214的一個微透鏡MCL221，微透鏡的光學中心以處於第一背面分離部250的形成位置的方式配置，第一背面分離部250以至少在光學中心區域，相較其他的背面分離部區域為低反射的方式形成。
Description
本發明涉及一種固態攝像裝置、固態攝像裝置的製造方法、以及電子設備。
互補金屬氧化物半導體(Complementary Metal Oxide Semiconductor，CMOS)影像感測器已作為使用有光電轉換元件的固態攝像裝置(影像感測器)而被實際運用，該光電轉換元件檢測光並產生電荷。
CMOS影像感測器已廣泛用作數位相機、攝像機、監控相機、醫療用內窺鏡、個人電腦(PC)、手機等便攜終端裝置(移動設備)等各種電子設備的一部分。
CMOS影像感測器一般使用紅色(R)、綠色(G)、藍色(B)的三原色濾光片或青色、品紅色、黃色、綠色的四色補色濾光片來拍攝彩色圖像。
一般而言，在CMOS影像感測器中，像素(pixel)單獨地包括濾光片。濾光片的子像素組作為單位RGB子像素組即多像素(multi pixel)而排列為二維狀，該子像素組呈正方形地排列有主要使紅色光透過的紅色(R)濾光片、主要使綠色光透過的綠色(Gr、Gb)濾光片及主要使藍色光透過的藍色(B)濾光片這四個濾光片。
另外，向CMOS影像感測器入射的入射光經由濾光片而由光電二極體接收。光電二極體接收比人的可視區域(380nm~780nm左右)更廣的波長區
域(380nm~1100nm)的光並產生信號電荷，因此會產生紅外光部分的誤差，顏色再現性下降。
因此，一般會預先通過紅外線截止濾光片(IR截止濾光片)去除紅外光。
但是，IR截止濾光片也會使可見光衰減10%~20%左右，因此會使固態攝像裝置的靈敏度下降，導致畫質變差。
已提出了CMOS影像感測器(固態攝像裝置)(例如參照專利文獻1)。
該CMOS影像感測器的子像素組作為單位RGBIR子像素組即多像素而排列為二維狀，該子像素組呈正方形地排列有包含主要使紅色光透過的紅色(R)濾光片的R子像素、包含主要使綠色光透過的綠色(G)濾光片的G子像素、包含主要使藍色光透過的藍色(B)濾光片的B子像素及接收紅外光的專用的近紅外(NIR例如850nm、940nm)子像素、或接收單色(Monochrome：M)與紅外光的單色紅外(M-NIR例如500nm~955nm)子像素。
在NIR的情況下，濾光片能夠以所選擇的波長截止IR，或使預先指定的波長頻帶的IR通過(pass)。在IR截止的情況下，濾光片阻斷指定的波長進入影像感測器。在IR通過的情況下，濾光片僅使所選擇的波長頻帶的IR光通過。
另外，多像素內的任一個子像素均能夠包括一個或複數個晶載(on chip)彩色濾光片層。例如，任意的子像素能夠具有雙層彩色濾光片結構，該雙層彩色濾光片結構是通過將在特定的波長或波長頻帶下具有IR截止或通過特性的NIR濾光片與R、G或B層加以組合而形成的結構。
該CMOS影像感測器作為所謂的能夠獲得NIR圖像及RGB圖像的NIR-RGB感測器而發揮功能。
該CMOS影像感測器使用接收了紅外光的子像素的輸出信號，對接收了紅色、綠色、藍色的光的子像素的輸出信號進行修正，由此，能夠不使用IR
截止濾光片而實現高顏色再現性。
另外，紅外(IR、NIR)感測器已知有由像素尺寸大的一個NIR接收專用像素形成單位子像素組即多像素的四個子像素的紅外(IR、NIR)感測器。
圖1(A)~(C)是表示每個子像素中包括微透鏡的固態攝像裝置(CMOS影像感測器)的概略性的第一結構例的圖。
圖1(A)是平面地表示形成為NIR-RGB感測器的固態攝像裝置(CMOS影像感測器)的各結構要素的概略性的配置例的圖。
圖1(B)是圖1(A)中的x1-x2線的簡略剖視圖。
圖1(C)是圖1(A)中的y1-y2線的簡略剖視圖。
在圖1的固態攝像裝置1中，多像素MPXL1的包含主要使綠色光透過的綠色(G)濾光片FLT-G的G子像素SPXLG、包含主要使紅色光透過的紅色(R)濾光片FLT-R的R子像素SPXLR、包含主要使藍色光透過的藍色(B)濾光片FLT-B的B子像素SPXLB及接收紅外光的專用的近紅外(NIR)子像素SPXLNI呈正方形地排列為2列2行。
在多像素MPXL1的光電轉換區域PD(1~4)的光入射面與各濾光片的光出射側面之間形成有抗反射膜ARL。
多像素MPXL1的光電轉換區域PD在其光入射部分，對應於各子像素SPXLG、SPXLR、SPXLB、SPXLNI而被分離(劃分)為第一光電轉換區域PD1、第二光電轉換區域PD2、第三光電轉換區域PD3及第四光電轉換區域PD4。
具體而言，光電轉換區域PD在其光入射部分，通過作為背面分離部的背面金屬(Back Side Metal)BSM而被一分為四。
在圖1的例子中，背面金屬BSM以從抗反射膜ARL向濾光片側突出的方式，形成於各子像素SPXLG、SPXLR、SPXLB、SPXLNI的邊界部。
另外，在光電轉換區域PD中，以在光電轉換區域PD的深度方向上與
背面金屬BSM重疊的方式，形成有作為溝槽型背面隔離的背面深溝槽隔離(Backside Deep Trench Isolation，BDTI)。
由此，子像素SPXLG包含第一光電轉換區域PD1，子像素SPXLR包含第二光電轉換區域PD2，子像素SPXLB包含第三光電轉換區域PD3，子像素SPXLNI包含第四光電轉換區域PD4。
而且，在固態攝像裝置1中，在各子像素區域的各濾光片的光入射面側，分別配置有其自身的微透鏡MCL1、MCL2、MCL3、MCL4。
微透鏡MCL1使光射入至子像素SPXLG的第一光電轉換區域PD1，微透鏡MCL2使光射入至子像素SPXLR的第二光電轉換區域PD2，微透鏡MCL3使光射入至子像素SPXLB的第三光電轉換區域PD3，微透鏡MCL4使光射入至子像素SPXLNI的第四光電轉換區域PD4。
圖2(A)及(B)是表示每個子像素中包括微透鏡的固態攝像裝置(CMOS影像感測器)的概略性的第二及第三結構例的圖。
圖2(A)是平面地表示形成為RGB感測器的固態攝像裝置(CMOS影像感測器)的各結構要素的概略性的配置例的圖。
圖2(B)是平面地表示形成為M-NIR感測器的固態攝像裝置(CMOS影像感測器)的各結構要素的概略性的配置例的圖。
在圖2(A)的固態攝像裝置1A的多像素MPXL1A中，配置有G子像素SPXLG來代替圖1的多像素MPXL1的近紅外(NIR)子像素SPXLNI。
在圖2(B)的固態攝像裝置1B的多像素MPXL1B中，配置有M子像素SPXLM且配置有一個微透鏡MCL5來代替同一列的G子像素SPXLG與R子像素SPXLR。
跨越兩個子像素區域地配置有NIR子像素SPXLNI且配置有一個微透鏡MCL6來代替B子像素SPXLB。
圖3(A)~(C)是表示由複數個子像素共享一個微透鏡的固態攝像裝置(CMOS影像感測器)的概略性的第四結構例的圖。
圖3(A)是平面地表示形成為NIR-RGB感測器的固態攝像裝置(CMOS影像感測器)的各結構要素的概略性的配置例的圖。
圖3(B)是圖3(A)中的x1-x2線的簡略剖視圖。
圖3(C)是圖3(A)中的y1-y2線的簡略剖視圖。
圖3(A)的固態攝像裝置1C的多像素MPXL1C是以如下方式構成，即，由2×2的呈正方形地排列的四個子像素SPXLG、SPXLR、SPXLB、SPXLNI共享一個微透鏡MCL7。
圖4(A)及(B)是表示由複數個子像素共享一個微透鏡的固態攝像裝置(CMOS影像感測器)的概略性的第五及第六結構例的圖。
圖4(A)是平面地表示形成為RGB感測器的固態攝像裝置(CMOS影像感測器)的各結構要素的概略性的配置例的圖。
圖4(B)是平面地表示形成為M-NIR感測器的固態攝像裝置(CMOS影像感測器)的各結構要素的概略性的配置例的圖。
圖4(A)的固態攝像裝置1D的多像素MPXL1D是以如下方式構成，即，由2×2的呈正方形地排列的四個子像素SPXLG、SPXLR、SPXLB、SPXLG共享一個微透鏡MCL8。
圖4(B)的固態攝像裝置1E的多像素MPXL1E是以如下方式構成，即，由1×2的排列於正方形區域的兩個子像素SPXLM、SPXLNI共享一個微透鏡MCL9。
[現有技術文獻][專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2017-139286公報
如圖1及圖2所示的每個子像素中包括微透鏡的固態攝像裝置(CMOS影像感測器)有如下所述的優點與缺點。
(優點)
相鄰子像素間的串擾(crosstalk)少。
微透鏡與光電轉換區域(光電二極體)PD的光學中心一致，因此，可獲得對稱性的亮度陰影(shading)。
(缺點)
由於不同的微透鏡間的間隙，響應性低。
無法取得距離資訊，無法具有PDAF(Phase Detection Auto Focus)功能。
另外，如圖3及圖4所示的由複數個子像素共享一個微透鏡的固態攝像裝置(CMOS影像感測器)有如下所述的優點及缺點。
(優點)
所有像素中存在距離資訊，可應用於PDAF功能。
(缺點)
各像素具有不同的陰影輪廓，因此，亮度陰影的影響大。
微透鏡的光學中心處於背面金屬BSM的形成位置，因此，光學中心的靈敏度會因反射等而急劇下降。
本發明提供相鄰子像素間的串擾少，能夠抑制亮度陰影的影響，而且可抑制光學中心的靈敏度的下降的固態攝像裝置、固態攝像裝置的製造方法及電子設備。
本發明的第一觀點的固態攝像裝置包括多像素，該多像素包含包括光電轉換區域的至少兩個子像素，上述多像素包含：背面分離部，至少在光電轉換區域的光入射部分，分離相鄰的複數個子像素；以及一個
透鏡部，使光射入到至少兩個子像素的光電轉換區域，上述透鏡部以使光學中心處於上述背面分離部的形成位置的方式配置，上述背面分離部以至少在光學中心區域，相較其他的背面分離部區域為低反射的方式形成。
本發明的第二觀點是固態攝像裝置的製造方法，該固態攝像裝置包括多像素，該多像素包含包括光電轉換區域的至少兩個子像素，上述多像素包含：背面分離部，至少在光電轉換區域的光入射部分，分離相鄰的複數個子像素；以及一個透鏡部，使光射入到至少兩個子像素的光電轉換區域，上述透鏡部的光學中心以處於上述背面分離部的形成位置的方式配置，上述背面分離部以至少在光學中心區域，相較其他的背面分離部區域為低反射的方式形成。
本發明的第三觀點的電子設備包括：固態攝像裝置；以及光學系統，使被拍攝體像在上述固態攝像裝置中成像，上述固態攝像裝置包括多像素，該多像素包含包括光電轉換區域的至少兩個子像素，上述多像素包含：背面分離部，至少在光電轉換區域的光入射部分，分離相鄰的複數個子像素；以及一個透鏡部，使光射入到至少兩個子像素的光電轉換區域，上述透鏡部以使光學中心處於上述背面分離部的形成位置的方式配置，上述背面分離部以至少在光學中心區域，相較其他的背面分離部區域為低反射的方式形成。
根據本發明，相鄰子像素間的串擾少，能夠抑制亮度陰影的影響，而且可抑制光學中心的靈敏度的下降。
1、1A~1E、10、10A~10J:固態攝像裝置
20、20A~20J:像素部
30:垂直掃描電路
40:讀取電路
41:ADC
42:放大器
43:取樣保持(S/H)電路
50:水平掃描電路
60:時序控制電路
70:讀取部
100:電子設備
110:CMOS影像感測器
120:光學系統
130:信號處理電路(PRC)
210、PD10:光電轉換部
211(PD11):第一光電轉換區域
212(PD12):第二光電轉換區域
213(PD13、PD21):第三光電轉換區域
214(PD14、PD22):第四光電轉換區域
220:透鏡部
230:彩色濾光片部
231:綠色(G)濾光片區域
232:紅色(R)濾光片區域
233:藍色(B)濾光片區域
234:近紅外(NIR)濾光片區域
240、ARL:抗反射膜
250、250A~250J:第一背面分離部
251、251A~251J、261、261A~261J:第一分離部
252、252A~252J、262、262A~262J:第二分離部
253、253A~253J、263、263A~263J:第三分離部
254、254A~254J、264、264A~264J:第四分離部
260、260A~260J:第二背面分離部
270:半導體基板
271:第一基板面
272:第二基板面
2511:第一低反射部
2511B、2521B、2531B、2541B、2611、2621:低反射部
2521:第二低反射部
2531:第三低反射部
2541:第四低反射部
B:藍色
BDTI:背面深溝槽隔離
BSM:背面金屬
BSM1~BSM4:背面金屬部
CL11~CL14:中點
CT12、CT13、CT24、CT34:中央區域
FD11:浮置擴散層
FLT-B:藍色(B)濾光片
FLT-G:綠色(G)濾光片
FLT-R:紅色(R)濾光片
G:綠色
LG1~LG4、l1~l4:長度
LSGN:垂直信號線
L11~L14:外緣邊
MCL1~MCL9、MCL221、MCL221I、MCL222I:微透鏡
MCL221C~MCL221F、MCL221J:第一微透鏡
MCL222C~MCL222F、MCL222J:第二微透鏡
MCL223C~MCL223F:第三微透鏡
MPXL、MPXL1、MPXL1A~MPXL1E、MPXL20、MPXL20C:多像素
NIR:近紅外
OCT1:光學中心
OP11、OP12、OP21、OP22:輸出部
PCT:中央點
PD:光電轉換區域
PD1:第一光電轉換區域
PD2:第二光電轉換區域
PD3:第三光電轉換區域
PD4:第四光電轉換區域
PDAF1~PDAF4:資訊
R:紅色
RBD12、RBD13、RBD24、RBD34:邊界區域
RCT10:矩形區域
ROCT1:光學中心區域
RPCT:像素中央區域
RST11、SEL11、TG11、TG12、TG21、TG22:控制線(或控制信號)
RST11-Tr:重置電晶體
SEL11-Tr:選擇電晶體
SF11-Tr:源極跟隨電晶體
SPXLB:B子像素
SPXLG:G子像素
SPXLM:M子像素
SPXLNI:近紅外(NIR)子像素
SPXLR:R子像素
SPXL11:第一子像素
SPXL12:第二子像素
SPXL21:第三子像素
SPXL22:第四子像素
TG11-Tr、TG12-Tr、TG21-Tr、TG22-Tr:傳輸電晶體
VDD:電源線
VSL(PXLOUT):讀取電壓(信號)
X、Y、Z:方向
x1-x2、x11-x12、y1-y2、y11-y12:線
圖1是表示每個子像素中包括微透鏡的固態攝像裝置(CMOS影像感測器)的概略性的第一結構例的圖。
圖2是表示每個子像素中包括微透鏡的固態攝像裝置(CMOS影像感測器)的概略性的第二及第三結構例的圖。
圖3是表示由複數個子像素共享一個微透鏡的固態攝像裝置(CMOS
影像感測器)的概略性的第四結構例的圖。
圖4是表示由複數個子像素共享一個微透鏡的固態攝像裝置(CMOS影像感測器)的概略性的第五及第六結構例的圖。
圖5是表示本發明第一實施方式的固態攝像裝置的結構例的方框圖。
圖6是表示本第一實施方式的固態攝像裝置的像素部的由四個子像素共享一個浮置擴散層的多像素的一例的電路圖。
圖7是表示本實施方式的讀取電路中的行信號處理電路的結構例的圖。
圖8是表示本第一實施方式的固態攝像裝置(CMOS影像感測器)的概略性的結構例的圖。
圖9是表示本第二實施方式的固態攝像裝置(CMOS影像感測器)的概略性的結構例的圖。
圖10是表示本第三實施方式的固態攝像裝置(CMOS影像感測器)的概略性的結構例的圖。
圖11是表示本第四實施方式的固態攝像裝置(CMOS影像感測器)的概略性的結構例的圖。
圖12是表示本第四實施方式的固態攝像裝置(CMOS影像感測器)的概略性的變形例的圖。
圖13是表示本第五實施方式的固態攝像裝置(CMOS影像感測器)的概略性的結構例的圖。
圖14是表示本第六實施方式的固態攝像裝置(CMOS影像感測器)的概略性的結構例的圖。
圖15是表示本第七實施方式的固態攝像裝置(CMOS影像感測器)的概略性的結構例的圖。
圖16是表示本第七實施方式的固態攝像裝置(CMOS影像感測器)的概略性的變形例的圖。
圖17是表示應用本發明實施方式的固態攝像裝置的電子設備的結構的一例的圖。
以下，與附圖關聯地說明本發明的實施方式。
(第一實施方式)
圖5是表示本發明第一實施方式的固態攝像裝置的結構例的方框圖。
在本實施方式中，固態攝像裝置10例如由CMOS影像感測器構成。作為一例，該CMOS影像感測器被應用於背面照射型影像感測器(BSI)。
如圖5所示，該固態攝像裝置10包括作為攝像部的像素部20、垂直掃描電路(列掃描電路)30、讀取電路(行讀取電路)40、水平掃描電路(行掃描電路)50及時序控制電路60作為主結構要素。
由這些結構要素中的例如垂直掃描電路30、讀取電路40、水平掃描電路50及時序控制電路60構成像素信號的讀取部70。
在本第一實施方式中，固態攝像裝置10如下文所詳述，呈行列狀地排列於像素部20的像素(pixel)形成為多像素，該多像素包含包括光電轉換區域的至少兩個(在本第一實施方式中為四個)子像素。
在本第一實施方式中，多像素包含：背面分離部，至少在光電轉換區域的光入射部分，分離相鄰的複數個子像素；以及一個透鏡部，使光射入到至少兩個子像素的光電轉換區域。
而且，在本第一實施方式中，透鏡部的光學中心以處於背面分離部的形成位置的方式配置，背面分離部以至少在光學中心區域，相較其他的背面分離部區域為低反射(光吸收高)的方式形成。
在本第一實施方式中，背面分離部以在光學中心區域，相較其他的背面分離部區域為低反射(光吸收高)的方式形成。
再者，在本第一實施方式中，單位子像素組即多像素形成為NIR-RGB感測器。
以下，在說明固態攝像裝置10的各部分的結構及功能的概要後，詳述多像素的具體的結構、配置等。
(像素部20及多像素MPXL20的結構)
像素部20的包含光電二極體(光電轉換部)與像素內放大器的複數個多像素排列為N列×M行的二維行列狀(矩陣狀)。
圖6是表示本第一實施方式的固態攝像裝置的像素部的由四個子像素共享一個浮置擴散層的多像素的一例的電路圖。
在圖6的像素部20中，多像素MPXL20的四個子像素即第一子像素SPXL11、第二子像素SPXL12、第三子像素SPXL21及第四子像素SPXL22配置成2×2的正方形。
第一子像素SPXL11的結構包含由第一光電轉換區域形成的光電二極體PD11及傳輸電晶體TG11-Tr。
第二子像素SPXL12的結構包含由第二光電轉換區域形成的光電二極體PD12及傳輸電晶體TG12-Tr。
第三子像素SPXL21的結構包含由第三光電轉換區域形成的光電二極體PD21及傳輸電晶體TG21-Tr。
第四子像素SPXL22的結構包含由第四光電轉換區域形成的光電二極體PD22及傳輸電晶體TG22-Tr。
而且，像素部20的多像素MPXL20的四個子像素SPXL11、SPXL12、SPXL21、SPXL22共享浮置擴散層FD(Floating Diffusion；浮動擴散層)11、重置電晶體RST11-Tr、源極跟隨電晶體SF11-Tr及選擇電晶體SEL11-Tr。
在此種四子像素共享結構中，例如第一子像素SPXL11形成為G子像
素，第二子像素SPXL12形成為R子像素，第三子像素SPXL21形成為B子像素，第四子像素SPXL22形成為NIR子像素。
例如，第一子像素SPXL11的光電二極體PD11作為第一綠色(G)光電轉換部而發揮功能，第二子像素SPXL12的光電二極體PD12作為紅色(R)光電轉換部而發揮功能，第三子像素SPXL21的光電二極體PD21作為藍色(B)光電轉換部而發揮功能，第四子像素SPXL22的光電二極體PD22作為近紅外(NIR)光電轉換部而發揮功能。
例如使用嵌入型光電二極體(PPD)作為光電二極體PD11、PD12、PD21、PD22。
在形成光電二極體PD11、PD12、PD21、P22的基板表面，存在由懸掛鍵等缺陷引起的表面能級，因此，會因熱能而產生大量的電荷(暗電流)，導致無法讀取正確的信號。
嵌入型光電二極體(PPD)通過將光電二極體PD的電荷積累部嵌入至基板內，可減少暗電流混入信號的情況。
光電二極體PD11、PD12、PD21、PD22產生並積累與入射光量對應的量的信號電荷(此處為電子)。
以下，對信號電荷為電子且各電晶體為n型電晶體的情況進行說明，但信號電荷也可為電洞，各電晶體也可為p型電晶體。
傳輸電晶體TG11-Tr連接在光電二極體PD11與浮置擴散層FD11之間，通過控制線(或控制信號)TG11而受到控制。
傳輸電晶體TG11-Tr在讀取部70的控制下，在控制線TG11為規定位準即高位準(H)的期間被選擇而成為導通狀態，將由光電二極體PD11光電轉換並積累的電荷(電子)傳輸至浮置擴散層FD11。
傳輸電晶體TG12-Tr連接在光電二極體PD12與浮置擴散層FD11之
間，通過控制線(或控制信號)TG12而受到控制。
傳輸電晶體TG12-Tr在讀取部70的控制下，在控制線TG12為規定位準即高位準(H)的期間被選擇而成為導通狀態，將由光電二極體PD12光電轉換並積累的電荷(電子)傳輸至浮置擴散層FD11。
傳輸電晶體TG21-Tr連接在光電二極體PD21與浮置擴散層FD11之間，通過控制線(或控制信號)TG21而受到控制。
傳輸電晶體TG21-Tr在讀取部70的控制下，在控制線TG21為規定位準即高位準(H)的期間被選擇而成為導通狀態，將由光電二極體PD21光電轉換並積累的電荷(電子)傳輸至浮置擴散層FD11。
傳輸電晶體TG22-Tr連接在光電二極體PD22與浮置擴散層FD11之間，通過控制線(或控制信號)TG22而受到控制。
傳輸電晶體TG22-Tr在讀取部70的控制下，在控制線TG22為規定位準即高位準(H)的期間被選擇而成為導通狀態，將由光電二極體PD22光電轉換並積累的電荷(電子)傳輸至浮置擴散層FD11。
重置電晶體RST11-Tr如圖6所示，連接在電源線VDD(或電源電位)與浮置擴散層FD11之間，通過控制線(或控制信號)RST11而受到控制。
再者，重置電晶體RST11-Tr也可以如下方式構成，即，連接在不同於電源線VDD的電源線VRst與浮置擴散層FD之間，通過控制線(或控制信號)RST11而受到控制。
重置電晶體RST11-Tr在讀取部70的控制下，例如在讀取掃描時，在控制線RST11為H位準的期間被選擇而成為導通狀態，將浮置擴散層FD11重置為電源線VDD(或VRst)的電位。
源極跟隨電晶體SF11-Tr與選擇電晶體SEL11-Tr串聯地連接在電源線VDD與垂直信號線LSGN之間。
源極跟隨電晶體SF11-Tr的柵極連接著浮置擴散層FD11，選擇電晶體SEL11-Tr通過控制線(或控制信號)SEL11而受到控制。
選擇電晶體SEL11-Tr在控制線SEL11為H位準的期間被選擇而成為導通狀態。由此，源極跟隨電晶體SF11-Tr將行輸出的讀取電壓(信號)VSL(PIXOUT)輸出至垂直信號線LSGN，該行輸出的讀取電壓(信號)VSL(PIXOUT)是將浮置擴散層FD11的電荷以與電荷量(電位)對應的增益轉換為電壓信號所得的信號。
垂直掃描電路30根據時序控制電路60的控制，在快門列及讀取列中，通過列掃描控制線來驅動子像素。
另外，垂直掃描電路30根據地址信號，輸出讀取信號的讀取列、與對光電二極體PD所積累的電荷進行重置的快門列的列地址的列選擇信號。
在通常的像素讀取動作中，通過讀取部70的垂直掃描電路30的驅動進行快門掃描，然後進行讀取掃描。
讀取電路40也可採用如下結構，即，包含與像素部20的各行輸出對應地配置的複數個行信號處理電路(未圖示)，並可利用複數個行信號處理電路進行行並行處理。
讀取電路40的結構可包含相關雙取樣(CDS：Correlated Double Sampling)電路或ADC(類比數位轉換器；AD轉換器)，放大器(AMP、amplifier)、取樣保持(S/H)電路等。
這樣，例如，如圖7(A)所示，讀取電路40的結構也可包含將像素部20的各行輸出的讀取信號VSL轉換為數位信號的ADC41。
或者，例如，如圖7(B)所示，讀取電路40也可配置對像素部20的各行輸出的讀取信號VSL進行放大的放大器(AMP)42。
另外，例如，如圖7(C)所示，讀取電路40也可配置對像素部20的
各行輸出的讀取信號VSL進行取樣並保持的取樣保持(S/H)電路43。
水平掃描電路50對由讀取電路40的ADC等複數個行信號處理電路處理後的信號進行掃描，沿著水平方向傳輸，並輸出至未圖示的信號處理電路。
時序控制電路60產生像素部20、垂直掃描電路30、讀取電路40、水平掃描電路50等的信號處理所需的時序信號。
以上，對固態攝像裝置10的各部分的結構及功能的概要進行了說明。
其次，說明本第一實施方式的像素配置的具體結構。
圖8(A)~(C)是表示本第一實施方式的固態攝像裝置(CMOS影像感測器)的概略性的結構例的圖。
圖8(A)是平面地表示形成為NIR-RGB感測器的固態攝像裝置(CMOS影像感測器)的各結構要素的概略性的配置例的圖。
圖8(B)是圖8(A)中的x11-x12線的簡略剖視圖。
圖8(C)是圖8(A)中的y11-y12線的簡略剖視圖。
再者，在本實施方式中，第一方向例如是呈行列狀地排列有複數個像素的像素部20的行方向(水平方向、X方向)或列方向(垂直方向、Y方向)或傾斜方向。
在以下的說明中，作為一例，第一方向設為行方向(水平方向、X方向)。隨之，第二方向設為列方向(垂直方向、Y方向)。
在圖8(A)的像素部20中，多像素MPXL20的四個子像素即第一子像素SPXL11、第二子像素SPXL12、第三子像素SPXL21、及第四子像素SPXL22配置成2×2的正方形。
具體而言，多像素MPXL20以如下方式呈正方形排列：在第一方向即X方向上，第一子像素SPXL11與第二子像素SPXL12相鄰，並且第三子像素SPXL21與第四子像素SPXL22相鄰，在與第一方向正交的第二方向即Y方向
上，第一子像素SPXL11與第三子像素SPXL21相鄰，並且第二子像素SPXL12與第四子像素SPXL22相鄰。
在本第一實施方式中，第一子像素SPXL11形成為包含主要使綠色光透過的綠色(G)濾光片FLT-G的G子像素SPXLG，第二子像素SPXL12形成為包含主要使紅色光透過的紅色(R)濾光片FLT-R的R子像素SPXLR，第三子像素SPXL21形成為包含主要使藍色光透過的藍色(B)濾光片FLT-B的B子像素SPXLB，第四子像素SPXL22形成為接收紅外光的專用的近紅外(NIR)子像素SPXLNI。
而且，如圖8(A)、(B)及(C)所示，多像素MPXL20的結構包含光電轉換部210、透鏡部220、彩色濾光片部230、抗反射膜240、第一背面分離部250及第二背面分離部260。
由四個外緣邊L11~L14劃定的矩形區域RCT20即光電轉換部(PD10)210在其光入射部分，對應於第一子像素SPXL11、第二子像素SPXL12、第三子像素SPXL21及第四子像素SPXL22而被分離(劃分)為第一光電轉換區域(PD11)211、第二光電轉換區域(PD12)212、第三光電轉換區域(PD21)213及第四光電轉換區域(PD22)214。
光電轉換部(PD10)210如下文所詳述，通過第一背面分離部250及第二背面分離部260而被分離(劃分)為四個矩形區域即第一光電轉換區域(PD11)211、第二光電轉換區域(PD12)212、第三光電轉換區域(PD13)213及第四光電轉換區域(PD14)214。
被分離(劃分)為第一光電轉換區域(PD11)211、第二光電轉換區域(PD12)212、第三光電轉換區域(PD21)213及第四光電轉換區域(PD22)214的光電轉換部210是以相對半導體基板270進行嵌入的方式形成，且以具有對已接收的光進行光電轉換的功能及電荷積累功能的方式形成，該半導體基板270包括第一基板面271側、和與第一基板面271側相向的一側的第二基板
面272側。
光電轉換部210的第一光電轉換區域(PD11)211、第二光電轉換區域(PD12)212、第三光電轉換區域(PD21)213及第四光電轉換區域(PD22)214隔著包含作為平坦層的功能的抗反射膜240，在第一基板面271側(背面側)配置有彩色濾光片部230。
在第一光電轉換區域(PD11)211、第二光電轉換區域(PD12)212、第三光電轉換區域(PD21)213及第四光電轉換區域(PD22)214的第二基板面272側(前表面側)形成有輸出部OP11、OP12、OP21、OP22，該輸出部OP11、OP12、OP21、OP22包含輸出與光電轉換並積累的電荷對應的信號的輸出電晶體等。
透鏡部220由一個微透鏡MCL221形成，該一個微透鏡MCL221使光射入至第一子像素SPXL11的第一光電轉換區域211、第二子像素SPXL12的第二光電轉換區域212、第三子像素SPXL21的第三光電轉換區域213及第四子像素SPXL22的第四光電轉換區域214。
一個微透鏡MCL221的光學中心OCT1處於第一子像素SPXL11、第二子像素SPXL12、第三子像素SPXL21及第四子像素SPXL22這四個子像素的邊界交叉的像素中央區域RPCT。
彩色濾光片部230以形成各彩色子像素的方式，被劃分為綠色(G)濾光片區域231、紅色(R)濾光片區域232、藍色(B)濾光片區域233及近紅外(NIR)濾光片區域234。
在各綠色(G)濾光片區域231、紅色(R)濾光片區域232、藍色(B)濾光片區域233及近紅外(NIR)濾光片區域234的光入射側，配置有透鏡部220的微透鏡MCL221。
如上所述，由四個外緣邊L11~L14劃定的矩形區域RCT10即光電轉換部(PD10)210通過第一背面分離部250及第二背面分離部260而被分離(劃
分)為四個矩形區域即第一光電轉換區域(PD11)211、第二光電轉換區域(PD12)212、第三光電轉換區域(PD21)213及第四光電轉換區域(PD22)214。
具體而言，光電轉換部(PD10)210在其光入射部分，通過背面分離部250而被一分為四，該背面分離部250形成為基本上與背面金屬(Back Side Metal)BSM相同的位置、形狀等。
背面分離部250由形成在對多像素MPXL20的光電轉換部PD10進行劃定的矩形區域RCT10的中央點PCT與外緣邊L11的中點CL11之間的長度LG1的第一分離部251、形成在中央點PCT與外緣邊L12的中點CL12之間的長度LG2的第二分離部252、形成在中央點PCT與外緣邊L13的中點CL13之間的長度LG3的第三分離部253及形成在中央點PCT與外緣邊L14的中點CL14之間的長度LG4的第四分離部254構成。
即，在第一子像素SPXL11的第一光電轉換區域211與第二子像素SPXL12的第二光電轉換區域212的邊界部形成有第一分離部251。
在第三子像素SPXL21的第三光電轉換區域213與第四子像素SPXL22的第四光電轉換區域214的邊界部形成有第二分離部252。
在第一子像素SPXL11的第一光電轉換區域211與第三子像素SPXL21的第三光電轉換區域213的邊界部形成有第三分離部253。
在第二子像素SPXL12的第二光電轉換區域212與第四子像素SPXL22的第四光電轉換區域214的邊界部形成有第四分離部254。
在本第一實施方式中，背面分離部250基本上與通常的背面金屬BSM同樣地，以從抗反射膜240向濾光片部230側突出的方式，形成於各子像素SPXL11、SPXL12、SPXL21、SPXL22的邊界部。
而且，在本第一實施方式中，微透鏡221的光學中心OCT1處於第一子像素SPXL11、第二子像素SPXL12、第三子像素SPXL21及第四子像素SPXL22這四個子像素的邊界交叉的像素中央區域RPCT，因此，配置於光學中
心區域ROCT1的背面分離部250由較光學中心區域ROCT1外的其他背面分離部為低反射(光吸收高)的材料形成。
在背面分離部250中，第一分離部251以從劃定光電轉換部PD10的矩形區域RCT10的中央點PCT處於光學中心區域ROCT1內的方式而形成長度l1(l1<LG1)的第一低反射部2511，剩餘長度(LG1-l1)的第一分離部251形成為背面金屬部BSM1。
第二分離部252以從矩形區域RCT10的中央點PCT處於光學中心區域ROCT1內的方式而形成長度l2(l2<LG2)的第二低反射部2521，剩餘長度(LG2-l2)的第二分離部252形成為背面金屬部BSM2。
第三分離部253以從矩形區域RCT10的中央點PCT處於光學中心區域ROCT1內的方式而形成長度l3(l3<LG3)的第三低反射部2531，剩餘長度(LG3-l3)的第三分離部253形成為背面金屬部BSM3。
第四分離部254以從矩形區域RCT10的中央點PCT處於光學中心區域ROCT1內的方式而形成長度l4(l4<LG4)的第四低反射部2541，剩餘長度(LG4-l4)的第四分離部254形成為背面金屬部BSM4。
再者，在本第一實施方式中，作為一例，第一分離部251的第一低反射部2511的長度l1、第二分離部252的第二低反射部2521的長度l2、第三分離部253的第三低反射部2531的長度l3及第四分離部254的第四低反射部2541的長度l4被設定為相同的長度(l1=l2=l3=l4)。
通常的背面金屬部BSM1~BSM4例如由金、鋁、鈦、銅、鉻、鈀、鎳、銀、鎢等形成。
相對於此，能夠例示以下的材料作為相較背面金屬部BSM1~BSM4的金屬材料為低反射的材料。
能夠例示以下的材料作為特定波長頻帶例如NIR波長(例如850nm
~940nm)下的低反射、高吸收材料。
1)無機介電材料例如氧化物、矽的氮化物、鉿、鉭、鎢、銥(Ta2O5、WO3、IrOx)及WO3、ITO(銦錫氧化物)、ATO(氧化錫銻)及這些成分的兩個以上的任意的混合物。
2)使用有機吸收性功能性染料及現有的染料而實現的黑色濾光片、墨水(例如(1)層疊萘二甲醯亞胺陰離子自由基、(2)縮合卟啉陣列、(3)摻雜聚噻吩及其他的關聯導電性聚合物、(4)稀土夾心雙酞菁、(5)共軛二醌的自由基陰離子(也稱為半醌)及(6)混合原子價雙核金屬錯合物)。
3)作為抗反射塗層而發揮功能的一個或複數個材料層、納米構造(例如蛾眼)層。
再者，這些是作為低反射部的材料的一例，例如可由p型雜質的注入層或其他的低反射材料替換。
另外，在光電轉換部PD10中，以在光電轉換部210的深度方向(基板270的深度方向：Z方向)上與背面分離部250重疊的方式，形成有作為背面深溝槽隔離(BDTI)即溝槽型背面隔離的第二背面分離部260。
以在Z方向上與第一背面分離部250的第一分離部251重疊的方式而形成有溝槽型的第一分離部261。而且，溝槽型第一分離部261以從劃定光電轉換部PD10的矩形區域RCT10的中央點PCT處於光學中心區域ROCT1內的方式而形成長度l1(l1<LG1)的低反射部2611，剩餘長度(LG1-l1)的第一分離部261形成為溝槽型背面深隔離部BDTI1。
以在Z方向上與第一背面分離部250的第二分離部252重疊的方式而形成有溝槽型的溝槽型第二分離部262。而且，溝槽型第二分離部262以從矩形區域RCT10的中央點PCT處於光學中心區域ROCT1內的方式而形成長度l2(l2<LG2)的低反射部2621，剩餘長度(LG2-l2)的第二分離部262形成為溝槽型背面深隔離部BDTI2。
以在Z方向上與第一背面分離部250的第三分離部253重疊的方式而形成有溝槽型的溝槽型第三分離部263。而且，溝槽型第三分離部263以從矩形區域RCT10的中央點PCT處於光學中心區域ROCT1內的方式而形成長度l3(l3<LG3)的低反射部2631，剩餘長度(LG3-l3)的第三分離部263形成為溝槽型背面深隔離部BDTI3。
以在Z方向上與第一背面分離部250的第四分離部254重疊的方式而形成有溝槽型的溝槽型第四分離部264。而且，溝槽型第四分離部264以從矩形區域RCT10的中央點PCT處於光學中心區域ROCT1內的方式而形成長度l4(l4<LG4)的低反射部2641，剩餘長度(LG4-l4)的第四分離部264形成為溝槽型背面深隔離部BDTI4。
在第二背面分離部260的低反射部2611、2621、2631、2641中，與第一背面分離部250的低反射部2511、2521、2531、2541同樣地，嵌入有由相較背面金屬部BSM1~BSM4、溝槽型背面深隔離部BDTI1~BDTI4的金屬材料為低反射的材料形成的層。
在本第一實施方式中，多像素MPXL20包含：第一背面分離部250與溝槽型的第二背面分離部260，至少在光電轉換區域的光入射部分，分離相鄰的複數個子像素；以及透鏡部220，包括使光射入至四個子像素SPXL11、SPXL12、SPXL21、SPXL22的光電轉換區域PD11、PD12、PD21、PD22的一個微透鏡MCL221。
而且，在本第一實施方式中，透鏡部220的微透鏡MCL221的光學中心以處於第一背面分離部250及第二背面分離部260的形成位置的方式配置，第一背面分離部250及第二背面分離部260以至少在光學中心區域，相較其他的背面分離部區域為低反射(光吸收高)的方式形成。
因此，根據本第一實施方式，所有子像素中存在距離資訊，可應用於PDAF功能。
即使微透鏡的光學中心處於背面金屬BSM的形成位置，仍能夠抑制光學中心的靈敏度因反射等而急劇下降的情況。
即，根據本第一實施方式，相鄰子像素間的串擾少，能夠抑制亮度陰影的影響，而且可抑制光學中心的靈敏度的下降。
(第二實施方式)
圖9(A)~(C)是表示本第二實施方式的固態攝像裝置(CMOS影像感測器)的概略性的結構例的圖。
圖9(A)是平面地表示形成為NIR-RGB感測器的固態攝像裝置(CMOS影像感測器)的各結構要素的概略性的配置例的圖。
圖9(B)是圖9(A)中的x11-x12線的簡略剖視圖。
圖9(C)是圖9(A)中的y11-y12線的簡略剖視圖。
本第二實施方式與第一實施方式的不同點如下所述。
在第一實施方式中，微透鏡MCL221的光學中心OCT1處於第一子像素SPXL11、第二子像素SPXL12、第三子像素SPXL21及第四子像素SPXL22這四個子像素的邊界交叉的像素中央區域RPCT，因此，將配置於光學中心區域ROCT1的背面分離部250的第一分離部251~第四分離部254的光學中心區域的部分設為低反射部，並由相較光學中心區域OCT1外的其他背面分離部為低反射(光吸收高)的材料形成該低反射部。
相對於此，在本第二實施方式中，不僅將光學中心區域部分設為低反射部，而且將第一背面分離部250的第一分離部251A~第四分離部254A的整體設為低反射部，並由低反射(光吸收高)的材料形成該低反射部。
同樣地，也可將第二背面分離部260的第一分離部261A~第四分離部264A的整體設為低反射部，並由低反射(光吸收高)的材料形成該低反射部。
根據本第二實施方式，當然可獲得與上述第一實施方式的效果相同的
效果，即使微透鏡的光學中心處於背面金屬BSM的形成位置，仍能夠進一步抑制光學中心的靈敏度因反射等而急劇下降的情況。
(第三實施方式)
圖10(A)~(C)是表示本第三實施方式的固態攝像裝置(CMOS影像感測器)的概略性的結構例的圖。
圖10(A)是平面地表示形成為NIR-RGB感測器的固態攝像裝置(CMOS影像感測器)的各結構要素的概略性的配置例的圖。
圖10(B)是圖10(A)中的x11-x12線的簡略剖視圖。
圖10(C)是圖10(A)中的y11-y12線的簡略剖視圖。
本第三實施方式與第一實施方式的不同點如下所述。
在第一實施方式中，微透鏡221的光學中心OCT1處於第一子像素SPXL11、第二子像素SPXL12、第三子像素SPXL21及第四子像素SPXL22這四個子像素的邊界交叉的像素中央區域RPCT，因此，將配置於光學中心區域ROCT1的背面分離部250的第一分離部251~第四分離部254的光學中心區域的部分設為低反射部，並由反射比光學中心區域OCT1外的其他的背面分離部更低(光吸收高)的材料形成該低反射部。
相對於此，在本第三實施方式中，去除形成第一背面分離部250B的第一分離部251B~第四分離部254B的低反射部2511B、2521B、2531B、2541B的背面金屬部BSM1~BSM4的材料，形成低反射(光吸收高)的狀態。
而且，第二背面分離部260B的第一分離部261B~第四分離部264B的低反射部2611B、2621B、2631B、2641B的溝槽型背面深隔離部BDTI1~BDTI4由低反射(光吸收高)的材料形成。
根據本第三實施方式，當可獲得與上述第一實施方式的效果相同的效果，即使微透鏡的光學中心處於背面金屬BSM的形成位置，仍能夠進一步抑
制光學中心的靈敏度因反射等而急劇下降的情況。
(第四實施方式)
圖11(A)~(C)是表示本第四實施方式的固態攝像裝置(CMOS影像感測器)的概略性的結構例的圖。
圖11(A)是平面地表示形成為使多像素部分地具有PDAF功能的感測器的固態攝像裝置(CMOS影像感測器)的各結構要素的概略性的配置例的圖。
圖11(B)是圖11(A)中的x11-x12線的簡略剖視圖。
圖11(C)是圖11(A)中的y11-y12線的簡略剖視圖。
本第四實施方式與第一實施方式的不同點如下所述。
在第一實施方式中，多像素MPXL20C的透鏡部220包括使光射入至四個子像素SPXL11、SPXL12、SPXL21、SPXL22的光電轉換區域PD11、PD12、PD21、PD22的一個微透鏡MCL221C，微透鏡的光學中心以處於第一背面分離部250C及第二背面分離部260C的形成位置的方式配置，第一背面分離部250及第二背面分離部260C以至少在光學中心區域，相較其他的背面分離部區域為低反射(光吸收高)的方式形成。
相對於此，在本第四實施方式中，包含使光射入至兩個第一子像素SPXL11的第一光電轉換區域PD11及第二子像素SPXL12的第二光電轉換區域PD12的第一微透鏡MCL221C、使光射入至第三子像素SPXL21的第三光電轉換區域PD21的第二微透鏡MCL222C、使光射入至第四子像素SPCL22的第四光電轉換區域PD22的第三微透鏡MCL223C。
第一微透鏡MCL221C的光學中心處於第一子像素SPXL11的第一光電轉換區域PD11與第二子像素SPXL12的第二光電轉換區域PD12的邊界區域RBD12的中央區域CT12。
而且，將配置於邊界區域RBD12的第一背面分離部250C的第一分離
部251C(及第二背面分離部260C的第一分離部261C)的光學中心所包含的邊界區域RBD12的中央區域CT12的部分設為低反射部，並由相較光學中心區域外的其他的背面分離部為低反射(光吸收高)的材料形成該低反射部。
在本第四實施方式的固態攝像裝置10C中，在第一子像素SPXL11的第一光電轉換區域(PD11)211與第二子像素SPXL12的第二光電轉換區域(PD12)212的邊界部形成有第一分離部251C、261C，該第一分離部251C、261C在其中央區域CT12的部分具有低反射部。
在第三子像素SPXL21的第三光電轉換區域(PD21)213與第四子像素SPXL22的第四光電轉換區域(PD22)214的邊界部，形成有不具有低反射部的第二分離部252C、262C。
在第一子像素SPXL11的第一光電轉換區域(PD11)211與第三子像素SPXL21的第三光電轉換區域(PD21)213的邊界部，形成有不具有低反射部的第三分離部253C、263C。
在第二子像素SPXL12的第二光電轉換區域(PD12)212與第四子像素SPXL22的第四光電轉換區域(PD22)214的邊界部，形成有不具有低反射部的第四分離部254C、264C。
另外，第二微透鏡MCL222C的光學中心與第三光電轉換區域PD21的光學中心一致，第三微透鏡MCL223C的光學中心與第四光電轉換區域PD22的光學中心一致。
在本第四實施方式的固態攝像裝置10C中，共享微透鏡MCL11的兩個第一子像素SPXL11及第二子像素SPXL12可部分地具有PDAF資訊。
在圖11的例子中，第一子像素SPXL11能夠具有資訊PDAF1，第二子像素SPXL12能夠具有資訊PDAF2。
相對於此，未共享微透鏡的第三子像素SXL21及第四子像素SXL22不具有PDAF資訊。
(第四實施方式的變形例)
圖12(A)~(C)是表示本第四實施方式的固態攝像裝置(CMOS影像感測器)的概略性的變形例的圖。
圖12(A)是平面地表示形成為使多像素部分地具有PDAF功能的感測器的固態攝像裝置(CMOS影像感測器)的第一變形例的圖。
在圖12(A)的第一變形例中，包含使光射入至兩個第一子像素SPXL11的第一光電轉換區域PD11及第三子像素SPXL21的第三光電轉換區域PD21的第一微透鏡MCL221D、使光射入至第二子像素SPXL12的第二光電轉換區域PD12的第二微透鏡MCL222D、使光射入至第四子像素SPXL22的第四光電轉換區域PD22的第三微透鏡MCL223D。
第一微透鏡MCL221D的光學中心處於第一子像素SPXL11的第一光電轉換區域PD11與第三子像素SPXL21的第三光電轉換區域PD21的邊界區域RBD13的中央區域CT13。
而且，將配置於邊界區域RBD13的第一背面分離部250D的第三分離部253D(及第二背面分離部260D的第三分離部263D)的光學中心所包含的邊界區域RBD13的中央區域CT13的部分設為低反射部，並由相較於光學中心區域外的其他的背面分離部為低反射(光吸收高)的材料形成該低反射部。
在本第一變形例中，在第一子像素SPXL11的第一光電轉換區域PD11與第二子像素SPXL12的第二光電轉換區域PD12的邊界部，形成有不具有低反射部的第一分離部251D、261D。
在第三子像素SPXL21的第三光電轉換區域PD21與第四子像素SPXL22的第四光電轉換區域PD22的邊界部，形成有不具有低反射部的第二分離部252D、262D。
在第一子像素SPXL11的第一光電轉換區域PD11與第三子像素SPXL21的第三光電轉換區域PD21的邊界部形成有第三分離部253D、263D，
該第三分離部253D、263D在其中央區域CT13的部分具有低反射部。
在第二子像素SPXL12的第二光電轉換區域PD12與第四子像素SPXL22的第四光電轉換區域PD22的邊界部，形成有不具有低反射部的第四分離部254D、264D。
另外，第二微透鏡MCL222D的光學中心與第二光電轉換區域PD12的光學中心一致，第三微透鏡MCL223D的光學中心與第四光電轉換區域PD22的光學中心一致。
在本第一變形例中，共享微透鏡MCL221D的兩個第一子像素SPXL11及第三子像素SPXL21可部分地具有PDAF資訊。
在圖12(A)的例子中，第一子像素SPXL11能夠具有資訊PDAF1，第三子像素SPXL21能夠具有資訊PDAF2。
相對於此，未共享微透鏡的第二子像素SXL12及第四子像素SXL22不具有PDAF資訊。
圖12(B)是平面地表示形成為使多像素部分地具有PDAF功能的感測器的固態攝像裝置(CMOS影像感測器)的第二變形例的圖。
在圖12(B)的第二變形例中，包含使光射入至兩個第三子像素SPXL21的第三光電轉換區域PD21及第四子像素SPXL22的第四光電轉換區域PD22的第一微透鏡MCL221E、使光射入至第一子像素SPXL11的第一光電轉換區域PD11的第二微透鏡MCL222E、使光射入至第二子像素SPCL12的第二光電轉換區域PD12的第三微透鏡MCL223E。
第一微透鏡MCL221E的光學中心處於第三子像素SPXL21的第三光電轉換區域PD21與第四子像素SPXL22的第四光電轉換區域PD22的邊界區域RBD34的中央區域CT34。
而且，將配置於邊界區域RBD34的第一背面分離部250E的第二分離
部252(及第二背面分離部260E的第二分離部262E)的光學中心所包含的邊界區域RBD34的中央區域CT34的部分設為低反射部，並由相較光學中心區域OCT1外的其他的背面分離部為低反射(光吸收高)的材料形成該低反射部。
在本第二變形例中，在第一子像素SPXL11的第一光電轉換區域PD11與第二子像素SPXL12的第二光電轉換區域PD12的邊界部，形成有不具有低反射部的第一分離部251E、261E。
在第三子像素SPXL21的第三光電轉換區域PD21與第四子像素SPXL22的第四光電轉換區域PD22的邊界部形成有第二分離部252E、262E，該第二分離部252E、262E在其中央區域CT34的部分具有低反射部。
在第一子像素SPXL11的第一光電轉換區域PD11與第三子像素SPXL21的第三光電轉換區域PD21的邊界部，形成有不具有低反射部的第三分離部253E、263E。
在第二子像素SPXL12的第二光電轉換區域PD12與第四子像素SPXL22的第四光電轉換區域PD22的邊界部，形成有不具有低反射部的第四分離部254E、264E。
另外，第二微透鏡MCL222E的光學中心與第一光電轉換區域PD11的光學中心一致，第三微透鏡MCL223E的光學中心與第二光電轉換區域PD12的光學中心一致。
在本第二變形例中，共享微透鏡MCL11的兩個第三子像素SPXL21及第四子像素SPXL22可部分地具有PDAF資訊。
在圖12(B)的例子中，第三子像素SPXL21能夠具有資訊PDAF1，第四子像素SPXL22能夠具有資訊PDAF2。
相對於此，未共享微透鏡的第一子像素SXL11及第二子像素SXL12不具有PDAF資訊。
圖12(C)是平面地表示形成為使多像素部分地具有PDAF功能的感測器的固態攝像裝置(CMOS影像感測器)的第三變形例的圖。
在圖12(C)的第三變形例中，包含使光射入至兩個第二子像素SPXL12的第二光電轉換區域PD12及第四子像素SPXL22的第四光電轉換區域PD22的第一微透鏡MCL221F、使光射入至第一子像素SPXL11的第一光電轉換區域PD11的第二微透鏡MCL222F、使光射入至第三子像素SPXL21的第二光電轉換區域PD21的第三微透鏡MCL223F。
第一微透鏡MCL221F的光學中心處於第二子像素SPXL12的第二光電轉換區域PD12與第四子像素SPXL22的第四光電轉換區域PD222的邊界區域RBD24的中央區域CT24。
而且，將配置於邊界區域RBD24的第一背面分離部250F的第四分離部254F(及第二背面分離部260F的第一分離部264F)的光學中心所包含的邊界區域RBD24的中央區域CT24的部分設為低反射部，並由相較光學中心區域外的其他的背面分離部為低反射(光吸收高)的材料形成該低反射部。
在本第三變形例中，在第一子像素SPXL11的第一光電轉換區域PD11與第二子像素SPXL12的第二光電轉換區域PD12的邊界部，形成有不具有低反射部的第一分離部251F、261F。
在第三子像素SPXL21的第三光電轉換區域PD21與第四子像素SPXL22的第四光電轉換區域PD22的邊界部，形成有不具有低反射部的第二分離部252F、262F。
在第一子像素SPXL11的第一光電轉換區域PD11與第三子像素SPXL21的第三光電轉換區域PD21的邊界部，形成有不具有低反射部的第三分離部253F、263F。
在第二子像素SPXL12的第二光電轉換區域PD12與第四子像素SPXL22的第四光電轉換區域PD22的邊界部形成有第四分離部254F、264F，
該第四分離部254F、264F在其中央區域CT24的部分具有低反射部。
另外，第二微透鏡MCL222F的光學中心與第一光電轉換區域PD11的光學中心一致，第三微透鏡MCL223F的光學中心與第三光電轉換區域PD21的光學中心一致。
在本第一變形例中，共享微透鏡MCL221F的兩個第二子像素SPXL12及第四子像素SPXL22可部分地具有PDAF資訊。
在圖12(C)的例子中，第二子像素SPXL12能夠具有資訊PDAF1，第四子像素SPXL22能夠具有資訊PDAF2。
相對於此，未共享微透鏡的第一子像素SPXL11及第三子像素SPXL21不具有PDAF資訊。
根據本第四實施方式，與上述第一實施方式的效果同樣地，相鄰子像素間的串擾少，能夠抑制亮度陰影的影響，而且可抑制光學中心的靈敏度的下降。另外，可由共享一個微透鏡的子像素實現可利用的PDAF功能。
(第五實施方式)
圖13(A)~(C)是表示本第五實施方式的固態攝像裝置(CMOS影像感測器)的概略性的結構例的圖。
圖13(A)是平面地表示形成為使多像素部分地具有PDAF功能的感測器的固態攝像裝置(CMOS影像感測器)的各結構要素的概略性的配置例的圖。
圖13(B)是圖13(A)中的x11-x12線的簡略剖視圖。
圖13(C)是圖13(A)中的y11-y12線的簡略剖視圖。
本第五實施方式與第四實施方式的不同點如下所述。
在第四實施方式中，第一微透鏡MCL221C光學中心例如處於第一子像素SPXL11的第一光電轉換區域PD11與第二子像素SPXL12的第二光電轉換區域PD12的邊界區域RBD12的中央區域CT12。
而且，將配置於邊界區域RBD12的第一背面分離部250C的第一分離部251C(及第二背面分離部260C的第一分離部261C)的光學中心所包含的邊界區域RBD12的中央區域CT12的部分設為低反射部，並由相較於光學中心區域外的其他的背面分離部為低反射(光吸收高)的材料形成該低反射部。
相對於此，在本第五實施方式中，不僅將光學中心區域部分設為低反射部，而且將第一背面分離部250G的第一分離部251G的整體設為低反射部，並由低反射(光吸收高)的材料形成該低反射部。
同樣地，也可將第二背面分離部260G的第一分離部261G的整體設為低反射部，並由低反射(光吸收高)的材料形成該低反射部。
再者，同樣的結構也可應用於上述第一變形例、第二變形例及第三變形例。
根據本第五實施方式，當然可獲得與上述第四實施方式的效果相同的效果，即使微透鏡的光學中心處於背面金屬BSM的形成位置，仍能夠進一步抑制光學中心的靈敏度因反射等而急劇下降的情況。
(第六實施方式)
圖14(A)~(C)是表示本第六實施方式的固態攝像裝置(CMOS影像感測器)的概略性的結構例的圖。
圖14(A)是平面地表示形成為使多像素部分地具有PDAF功能的感測器的固態攝像裝置(CMOS影像感測器)的各結構要素的概略性的配置例的圖。
圖14(B)是圖14(A)中的x11-x12線的簡略剖視圖。
圖14(C)是圖14(A)中的y11-y12線的簡略剖視圖。
本第六實施方式與第四及第五實施方式的不同點如下所述。
在第四及第五實施方式中，將配置於第一子像素SPXL11的第一光電轉換區域PD11與第二子像素SPXL12的第二光電轉換區域PD12的邊界區域
RBD12的第一背面分離部250C、G的第一分離部251C、G的光學中心所包含的邊界區域RBD12的中央區域CT12的部分設為低反射部，並由相較於光學中心區域外的其他的背面分離部為低反射(光吸收高)的材料形成該低反射部，或者不僅將光學中心區域部分設為低反射部，而且將第一背面分離部250C、G的第一分離部251C、G的整體設為低反射部，並由低反射(光吸收高)的材料形成該低反射部。
相對於此，在本第六實施方式中，去除形成第一背面分離部250H的第一分離部251H的低反射部的背面金屬部BSM1的材料，形成低反射(光吸收高)的狀態。
再者，同樣的結構也可應用於上述第一變形例、第二變形例及第三變形例。
根據本第六實施方式，當然可獲得與上述第四及第五實施方式的效果相同的效果，即使微透鏡的光學中心處於背面金屬BSM的形成位置，仍能夠進一步抑制光學中心的靈敏度因反射等而急劇下降的情況。
(第七實施方式)
圖15是表示本第七實施方式的固態攝像裝置(CMOS影像感測器)的概略性的結構例的圖。
本第七實施方式與第四實施方式的不同點如下所述。
在第四實施方式中，包含使光射入至兩個第一子像素SPXL11的第一光電轉換區域PD11及第二子像素SPXL12的第二光電轉換區域PD12的第一微透鏡MCL221C、使光射入至第三子像素SPXL21的第三光電轉換區域PD21的第二微透鏡MCL222C、使光射入至第四子像素SPCL22的第四光電轉換區域PD22的第三微透鏡MCL223C。
而且，將配置於第一子像素SPXL11的第一光電轉換區域PD11與第二
子像素SPXL12的第二光電轉換區域PD12的邊界區域RBD12的第一背面分離部250C的第一分離部251C(及第二背面分離部260C的第一分離部261C)的光學中心所包含的邊界區域RBD12的中央區域CT12的部分設為低反射部，並由相較光學中心區域外的其他的背面分離部為低反射(光吸收高)的材料形成該低反射部。
相對於此，本第七實施方式的固態攝像裝置10I是以如下方式構成，即，由第三子像素SPXL21及第四子像素SPXL22共享微透鏡MCL222I，共享微透鏡MCL222I的兩個第三子像素SPXL21及第四子像素SPXL22也可部分地具有PDAF資訊。
而且，在第一子像素SPXL11的第一光電轉換區域PD11與第二子像素SPXL12的第二光電轉換區域PD12的邊界部形成有第一分離部251I、261I，該第一分離部251I、261I在其中央區域CT12的部分具有低反射部。
在第三子像素SPXL21的第三光電轉換區域PD21與第四子像素SPXL22的第四光電轉換區域PD22的邊界部形成有第二分離部252I、262I，該第二分離部252I、262I在其中央區域CT34的部分具有低反射部。
在第一子像素SPXL11的第一光電轉換區域PD11與第三子像素SPXL21的第三光電轉換區域PD21的邊界部，形成有不具有低反射部的第三分離部253I、263I。
在第二子像素SPXL12的第二光電轉換區域PF12與第四子像素SPXL22的第四光電轉換區域PD22的邊界部，形成有不具有低反射部的第四分離部254I、264I。
另外，圖15的固態攝像裝置10I也可與圖4的固態攝像裝置同樣地形成為M-NIR感測器。
在本第七實施方式的固態攝像裝置10I中，共享微透鏡MCL221I的兩個第一子像素SPXL11及第二子像素SPXL12、以及共享微透鏡MCL222I的第
三子像素SPXL21及第四子像素SPXL22可部分地具有PDAF資訊。
在圖15的例子中，第一子像素SPXL11能夠具有資訊PDAF1，第二子像素SPXL12能夠具有資訊PDAF2，第三子像素SPXL21能夠具有資訊PDAF3，第四子像素SPXL22能夠具有資訊PDAD4。
(第七實施方式的變形例)
圖16是表示本第七實施方式的固態攝像裝置(CMOS影像感測器)的概略性的變形例的圖。
在圖16的變形例中，包含使光射入至兩個第一子像素SPXL11的第一光電轉換區域PD11及第三子像素SPXL21的第三光電轉換區域PD21的第一微透鏡MCL221J、與使光射入至第二子像素SPXL12的第二光電轉換區域PD12及第四子像素SPXL22的第四光電轉換區域PD22的第二微透鏡MCL222J。
第一微透鏡MCL221J的光學中心處於第一子像素SPXL11的第一光電轉換區域PD11與第三子像素SPXL21的第二光電轉換區域PD21的邊界區域RBD13的中央區域CT13。
而且，將配置於邊界區域RBD13的第一背面分離部250J的第一分離部253J(及第二背面分離部260J的第一分離部263J)的光學中心所包含的邊界區域RBD13的中央區域CT13的部分設為低反射部，並由相較光學中心區域外的其他的背面分離部為低反射(光吸收高)的材料形成該低反射部。
第二微透鏡MCL12的光學中心處於第二子像素SPXL12的第二光電轉換區域PD12與第四子像素SPXL22的第四光電轉換區域PD22的邊界區域RBD24的中央區域CT24。
而且，將配置於邊界區域RBD24的第一背面分離部250J的第一分離部254J(及第二背面分離部260J的第一分離部264J)的光學中心所包含的邊界區域RBD24的中央區域CT24的部分設為低反射部，並由相較光學中心區域外的
其他的背面分離部為低反射(光吸收高)的材料形成該低反射部。
在本變形例中，在第一子像素SPXL11的第一光電轉換區域PD11與第二子像素SPXL12的第二光電轉換區域PD12的邊界部，形成有不具有低反射部的第一分離部251J、261J。
在第三子像素SPXL21的第三光電轉換區域PD21與第四子像素SPXL22的第四光電轉換區域PD22的邊界部，形成有不具有低反射部的第二分離部252J、262J。
在第一子像素SPXL11的第一光電轉換區域PD11與第三子像素SPXL21的第三光電轉換區域PD21的邊界部形成有第三分離部253J、263J，該第三分離部253J、263J在其中央區域CT13的部分具有低反射部。
在第二子像素SPXL12的第二光電轉換區域PD12與第四子像素SPXL22的第四光電轉換區域PD22的邊界部形成有第四分離部254J、264J，該第四分離部254J、264J在其中央區域CT24的部分具有低反射部。
在本變形例中，共享微透鏡MCL221J的兩個第一子像素SPXL11及第三子像素SPXL21、以及共享微透鏡MCL222J的第二子像素SPXL12及第四子像素SPXL22可部分地具有PDAF資訊。
在圖16的例子中，第一子像素SPXL11能夠具有資訊PDAF1，第三子像素SPXL21能夠具有資訊PDAF2，第二子像素SPXL12能夠具有資訊PDAF3，第四子像素SPXL22能夠具有資訊PDAD4。
根據本第七實施方式，與上述第一及第四實施方式的效果同樣地，相鄰子像素間的串擾少，能夠抑制亮度陰影的影響，而且可抑制光學中心的靈敏度的下降。另外，可由共享一個微透鏡的子像素實現可利用的PDAF功能。
再者，在本實施方式中，在共享至少一個微透鏡的多像素的光學中心附近，去除了背面分離部或背面分離部與溝槽型背面分離部或背面分離部的情況下，可利用低反射材料來替換溝槽型背面分離部的材料。
以上說明的固態攝像裝置10、10A~10J能夠作為攝像裝置而應用於數位相機或攝像機、便攜終端、或者監控用相機、醫療用內窺鏡用相機等電子設備。
圖17是表示搭載有如下相機系統的電子設備的結構的一例的圖，該相機系統應用了本發明的實施方式的固態攝像裝置。
如圖17所示，本電子設備100包括可應用本實施方式的固態攝像裝置10、10A~10J的CMOS影像感測器110。
而且，電子設備100包括將入射光引導至該CMOS影像感測器110的像素區域(使被拍攝體像成像)的光學系統(透鏡等)120。
電子設備100包括對CMOS影像感測器110的輸出信號進行處理的信號處理電路(PRC)130。
信號處理電路130對CMOS影像感測器110的輸出信號實施規定的信號處理。
由信號處理電路130處理後的圖像信號可作為動態圖像而顯示在包含液晶顯示器等的監視器中，或也可輸出至印表機，另外，可採用各種形態，例如直接記錄於記憶卡等記錄媒體。
如上所述，通過搭載上述固態攝像裝置10、10A~10J作為CMOS影像感測器110，可提供高性能、小型、低成本的相機系統。
而且，能夠實現使用於在相機的設置條件方面存在安裝尺寸、可連接的線纜條數、線纜長度、設置高度等限制的用途的例如監控用相機、醫療用內窺鏡用相機等電子設備。
20:像素部
210、PD10:光電轉換部
211(PD11):第一光電轉換區域、光電二極體
212(PD12):第二光電轉換區域、光電二極體
213(PD21):第三光電轉換區域、光電二極體
214(PD22):第四光電轉換區域、光電二極體
220:透鏡部
230:彩色濾光片部
231:綠色(G)濾光片區域
232:紅色(R)濾光片區域
233:藍色(B)濾光片區域
234:近紅外(NIR)濾光片區域
240、ARL:抗反射膜
250:第一背面分離部
251:第一分離部
252:第二分離部
253:第三分離部
254:第四分離部
260:第二背面分離部
261:第一分離部
262:第二分離部
270:半導體基板
271:第一基板面
272:第二基板面
2511:第一低反射部
2611、2621:低反射部
2521:第二低反射部
2531:第三低反射部
2541:第四低反射部
B:藍色
BSM1~BSM4:背面金屬部
CL11~CL14:中點
FLT-G:綠色(G)濾光片
FLT-B:藍色(B)濾光片
G:綠色
LG1~LG4、l1~l4:長度
L11~L14:外緣邊
MCL221:微透鏡
MPXL20:多像素
NIR:近紅外
OCT1:光學中心
OP11、OP12、OP21、OP22:輸出部
PCT:中央點
PD:光電轉換區域
PD1:第一光電轉換區域
PD2:第二光電轉換區域
PD3:第三光電轉換區域
PD4:第四光電轉換區域
R:紅色
RCT10:矩形區域
RPCT:像素中央區域
SPXLB:B子像素
SPXLG:G子像素
SPXLNI:近紅外(NIR)子像素
SPXLR:R子像素
SPXL11:第一子像素
SPXL12:第二子像素
SPXL21:第三子像素
SPXL22:第四子像素
X、Y、Z:方向
x11-x12、y11-y12:線
Claims (13)
- 一種固態攝像裝置，其包括：多像素，上述多像素包含包括光電轉換區域的至少兩個子像素，上述多像素包含：背面分離部，至少在光電轉換區域的光入射部分，分離相鄰的複數個子像素；以及一個透鏡部，使光射入到至少兩個子像素的光電轉換區域，上述透鏡部以使光學中心處於上述背面分離部的形成位置的方式配置，上述背面分離部是以至少在光學中心區域，相較其他的背面分離部區域為低反射的方式形成。
- 如請求項1的固態攝像裝置，其中：上述背面分離部是以在上述光學中心區域，相較其他的背面分離部區域為低反射的方式形成。
- 如請求項1的固態攝像裝置，其中：上述背面分離部是以使上述光學中心區域及其他的背面分離部區域為低反射的方式形成。
- 如請求項1至3中任一項的固態攝像裝置，其中：以成為上述低反射的方式形成的低反射部，由特定波長頻帶的低反射材料形成。
- 如請求項1至3中任一項的固態攝像裝置，其中：上述背面分離部去除了背面分離部用材料，以成為低反射。
- 如請求項1至3中任一項的固態攝像裝置，其中：上述多像素還包括溝槽型背面分離部，上述溝槽型背面分離部是以在上述光 電轉換區域的深度方向上與上述背面分離部重疊的方式而形成於上述光電轉換區域。
- 如請求項6的固態攝像裝置，其中：上述溝槽型背面分離部區域以成為上述低反射的方式形成。
- 如請求項6的固態攝像裝置，其中：在共享至少一個上述透鏡部的多像素的光學中心附近，去除了上述背面分離部或上述背面分離部與上述溝槽型背面分離部或上述背面分離部的情況下，可利用低反射材料來替換上述溝槽型背面分離部的材料。
- 如請求項1至3中任一項的固態攝像裝置，其中：上述多像素的第一子像素、第二子像素、第三子像素及第四子像素這四者以如下方式呈正方形排列，即，在第一方向上，上述第一子像素與上述第二子像素相鄰，並且上述第三子像素與上述第四子像素相鄰，在與上述第一方向正交的第二方向上，上述第一子像素與上述第三子像素相鄰，並且上述第二子像素與上述第四子像素相鄰，上述透鏡部由使光射入至上述第一子像素的第一光電轉換區域、上述第二子像素的第二光電轉換區域、上述第三子像素的第三光電轉換區域及上述第四子像素的第四光電轉換區域的一個微透鏡形成，上述一個微透鏡的光學中心處於上述第一子像素、上述第二子像素、上述第三子像素及上述第四子像素這四個子像素的邊界交叉的像素中央區域。
- 如請求項1至3中任一項的固態攝像裝置，其中：上述多像素的第一子像素、第二子像素、第三子像素及第四子像素這四者以如下方式呈正方形排列，即， 在第一方向上，上述第一子像素與上述第二子像素相鄰，並且上述第三子像素與上述第四子像素相鄰，在與上述第一方向正交的第二方向上，上述第一子像素與上述第三子像素相鄰，並且上述第二子像素與上述第四子像素相鄰，上述透鏡部包含使光射入至上述第一子像素的第一光電轉換區域與上述第二子像素的第二光電轉換區域的第一微透鏡、使光射入至上述第三子像素的第三光電轉換區域的第二微透鏡、以及使光射入至上述第四子像素的第四光電轉換區域的第三微透鏡，上述第一微透鏡的光學中心處於上述第一子像素的第一光電轉換區域與上述第二子像素的第二光電轉換區域的邊界區域的至少中央區域，或者，上述透鏡部包含使光射入至上述第一子像素的第一光電轉換區域與上述第三子像素的第三光電轉換區域的第一微透鏡、使光射入至上述第二子像素的第二光電轉換區域的第二微透鏡、以及使光射入至上述第四子像素的第四光電轉換區域的第三微透鏡，上述第一微透鏡的光學中心處於上述第一子像素的第一光電轉換區域與上述第三子像素的第三光電轉換區域的邊界區域的至少中央區域，或者，上述透鏡部包含使光射入至上述第三子像素的第三光電轉換區域與上述第四子像素的第四光電轉換區域的第一微透鏡、使光射入至上述第一子像素的第一光電轉換區域的第二微透鏡、以及使光射入至上述第二子像素的第二光電轉換區域的第三微透鏡，上述第一微透鏡的光學中心處於上述第三子像素的第三光電轉換區域與上述第四子像素的第四光電轉換區域的邊界區域的至少中央區域，或者，上述透鏡部包含使光射入至上述第二子像素的第二光電轉換區域與上述第四 子像素的第四光電轉換區域的第一微透鏡、使光射入至上述第一子像素的第一光電轉換區域的第二微透鏡、以及使光射入至上述第三子像素的第三光電轉換區域的第三微透鏡，上述第一微透鏡的光學中心處於上述第二子像素的第二光電轉換區域與上述第四子像素的第四光電轉換區域的邊界區域的至少中央區域。
- 如請求項1至3中任一項的固態攝像裝置，其中：上述多像素的第一子像素、第二子像素、第三子像素及第四子像素這四者以如下方式呈正方形排列，即，在第一方向上，上述第一子像素與上述第二子像素相鄰，並且上述第三子像素與上述第四子像素相鄰，在與上述第一方向正交的第二方向上，上述第一子像素與上述第三子像素相鄰，並且上述第二子像素與上述第四子像素相鄰，上述透鏡部包含使光射入至上述第一子像素的第一光電轉換區域與上述第二子像素的第二光電轉換區域的第一微透鏡、與使光射入至上述第三子像素的第三光電轉換區域與上述第四子像素的第四光電轉換區域的第二微透鏡，上述第一微透鏡的光學中心處於上述第一子像素的第一光電轉換區域與上述第二子像素的第二光電轉換區域的邊界區域的至少中央區域，上述第二微透鏡的光學中心處於上述第三子像素的第三光電轉換區域與上述第四子像素的第四光電轉換區域的邊界區域的至少中央區域，或者，上述透鏡部包含使光射入至上述第一子像素的第一光電轉換區域與上述第三子像素的第三光電轉換區域的第一微透鏡、與使光射入至上述第二子像素的第二光電轉換區域與上述第四子像素的第四光 電轉換區域的第二微透鏡，上述第一微透鏡的光學中心處於上述第一子像素的第一光電轉換區域與上述第三子像素的第三光電轉換區域的邊界區域的至少中央區域，上述第二微透鏡的光學中心處於上述第二子像素的第二光電轉換區域與上述第四子像素的第四光電轉換區域的邊界區域的至少中央區域。
- 一種固態攝像裝置的製造方法，其中，上述固態攝像裝置包括：多像素，上述多像素包含包括光電轉換區域的至少兩個子像素，上述多像素包含：背面分離部，至少在光電轉換區域的光入射部分，分離相鄰的複數個子像素；以及一個透鏡部，使光射入到至少兩個子像素的光電轉換區域，上述固態攝像裝置的製造方法包含以下步驟：上述透鏡部的光學中心以處於上述背面分離部的形成位置的方式配置，上述背面分離部以至少在光學中心區域，相較其他的背面分離部區域為低反射的方式形成。
- 一種電子設備，其包括：固態攝像裝置；以及光學系統，使被拍攝體像在上述固態攝像裝置中成像，上述固態攝像裝置包括多像素，上述多像素包含包括光電轉換區域的至少兩個子像素，上述多像素包含：背面分離部，至少在光電轉換區域的光入射部分，分離相鄰的複數個子像素；以及 一個透鏡部，使光射入到至少兩個子像素的光電轉換區域，上述透鏡部以使光學中心處於上述背面分離部的形成位置的方式配置，上述背面分離部以至少在光學中心區域，相較其他的背面分離部區域為低反射的方式形成。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2019117321A JP7398215B2 (ja) | 2019-06-25 | 2019-06-25 | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、および電子機器 |
| JP2019-117321 | 2019-06-25 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW202118027A TW202118027A (zh) | 2021-05-01 |
| TWI752537B true TWI752537B (zh) | 2022-01-11 |
Family
ID=73851515
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW109121377A TWI752537B (zh) | 2019-06-25 | 2020-06-23 | 固態攝像裝置、固態攝像裝置的製造方法、以及電子設備 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11784203B2 (zh) |
| JP (1) | JP7398215B2 (zh) |
| CN (1) | CN112133713A (zh) |
| TW (1) | TWI752537B (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US20230020741A1 (en) | 2021-07-19 | 2023-01-19 | Visera Technologies Company Limited | Solid-state image sensor |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2021005752A (ja) | 2021-01-14 |
| TW202118027A (zh) | 2021-05-01 |
| US11784203B2 (en) | 2023-10-10 |
| JP7398215B2 (ja) | 2023-12-14 |
| CN112133713A (zh) | 2020-12-25 |
| US20200411578A1 (en) | 2020-12-31 |
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