TWI751847B - 多孔複合結構電極及其製備方法 - Google Patents

Abstract

本發明係提出一種多孔複合結構電極及其製備方法，該多孔複合結構電極為一金屬基材、一奈米結構及一碳薄膜之組合。該金屬基材係具有三維且微米尺寸孔洞之結構。該奈米結構係將金屬基材進行化學處理以於其骨架表面生長而得之化合物且具有奈米尺寸之幾何結構。該碳薄膜係採用液相有機溶劑為碳源，經高溫碳化後以均勻生成於奈米結構表面，並為一層狀之結晶碳結構。由於此多孔複合結構電極具有高通水性、多層次孔洞分布、高比表面積、高化學穩定性及高導電性，遂可將其應用於電容去離子之電極。

Description

多孔複合結構電極及其製備方法

本發明係有關於一種多孔複合結構電極及其製備方法，特別是一種應用於各種離子濃度之淨水處理，例如民生用水軟化、海水淡化、工業廢水處理、高值重金屬離子回收及地下水整治等多方面領域。

電容去離子(Capacitive deionization，CDI)為一新興之淨水處理技術，其主要工作原理乃於一對多孔電極施加外部電壓，以電吸附方式移除水中的帶電荷離子。在此過程中，兩電極之間會形成一個靜電場，由於水體中帶電荷之離子受庫倫靜電力影響，同時間溶液必須維持電中性，因此水體中帶電荷離子會往相反電性之電極移動；亦即帶正電之電極會吸引溶液中的陰離子，而帶負電之電極則會吸引陽離子。最後帶電荷離子會於電極孔洞表面與水溶液之固液界面間形成電雙層，而儲存於其孔洞表面，而達到去除水體中離子之目的。

電容去離子技術可廣泛應用於各種離子濃度之淨水處理，但若以最佳去離子效率來說，其最適合處理的水質為TDS 300~3,000 ppm，意即導電度＜6,000 μS/cm。電容去離子技術可廣泛應用於各種離子濃度之淨水處理，但若以最佳去離子效率來說，其最適合處理的水質為TDS 300~3,000 ppm，意即導電度＜6,000 μS/cm。

電容去離子技術具有諸多優點：(1) 無二次污染物：再生時僅需原水沖洗，不添加任何化學藥劑，且運作過程中，系統不產生任何污染物。(2)對顆粒物要求不高：由於此技術是採用通道式進出流方式，一端進流，另一端出流，因此系統運作時較不容易阻塞，對前處理需求相對較低，進而降低投資成本。(3) 裝置操作及維護簡便：此技術不需在高溫高壓狀態下即可運行，不使用薄膜材料，且操作採機電控制，故自動化程度高。(4) 能源消耗低：系統僅需相當低的電壓(~1.2 V)即可操作，因此所消耗之能源量相當低，約0.1 ~ 1.0 kWh/m3。(5) 搭載通道式流道及模組化設計，可使產水率＞75%及去離子效率＞90%。

影響電容去離子技術效率的關鍵技術為電極材料之選用，因此，現今普遍認為理想電容去離子用電極所需具備之條件如下： (1) 高電化學穩定性：確保電極不與溶液進行化學反應，避免產生不可逆之化學反應。(2) 高比表面積：高比表面積將可使電極提供更多空位以吸附離子。(3) 利於離子進行電吸附之多層次孔洞分布：奈米材料依據孔洞大小可分類為大孔(Macropore, ＞ 50 nm)、中孔(Mesopore, pore, 2 ~ 50 nm)、以及微孔(Micropore, ＜ 2 nm)，而合理的孔洞分佈將可提升離子之吸附效果。(4) 高導電率：高導電率有利於離子之傳輸速率，而提升其比電容。(5) 良好的水濕潤性：親水性表面可確保溶液與電極表面完整接觸，進而提升其效率。

為符合前述條件，奈米碳材料，如活性碳、碳氣凝膠、奈米碳管、有序中孔碳材及石墨烯等，因其具有高導電度及比表面積(＞1,000 m ²/g)，亦有微孔、中孔及大孔之多層次孔洞分佈結構，故奈米碳材料可視為現今電容去離子電極之最佳候選材料。

然而，縱使奈米碳材料具有上述優異特性，但奈米碳材料終究為粉末形式。因此於電極製備時，需添加黏著劑製作成漿料，接著再塗佈於金屬基板。此種漿料塗佈製程除可能導致多層次分布的孔洞結構受阻，而使真正能發揮的比表面積受限外，高分子黏合劑亦會大幅度降低整體電極之導電度及容易產生極化反應。

為了解決先前技術的問題，本發明目的為提供一種多孔複合結構電極及其製備方法，具有高通水性、多層次孔洞分布、高比表面積、高化學穩定性及高導電性，故可有效作為離子吸附材料，作為電容去離子電極之應用，以解決奈米碳材料黏著於電極時所產生的問題。

承上，本發明提供一種多孔複合結構電極，包含： 一金屬基材、一奈米結構以及一碳薄膜。其中該金屬基材具有複數個孔洞結構。該奈米結構連接於該金屬基材，且該金屬基材的該複數個孔洞結構與該奈米結構共構為一多層次孔洞結構。該碳薄膜則連接於該多層次孔洞結構。

本發明更提供一種多孔複合結構電極的製備方法，包含以下步驟：(A) 於一金屬基材的表面以一化學處理產生一奈米結構，使該金屬基材與該奈米結構共構為一多層次孔洞結構；(B) 將該多層次孔洞結構浸泡於一有機溶劑並烘乾；以及(C) 於一高真空及一高溫環境下進行一碳化製程，以生成一碳薄膜於該多層次孔洞結構表面。

以上對本發明的簡述，目的在於對本發明之數種面向和技術特徵作一基本說明。發明簡述並非對本發明的詳細表述，因此其目的不在特別列舉本發明的關鍵性或重要元件，也不是用來界定本發明的範圍，僅為以簡明的方式呈現本發明的數種概念而已。

為能瞭解本發明的技術特徵及實用功效，並可依照說明書的內容來實施，茲進一步以如圖式所示的較佳實施例，詳細說明如後：

本發明提供其中一較佳實施例，請參照圖1，圖1為一種多孔複合結構電極1，包含： 一金屬基材2，該金屬基材2為三維具有微米尺寸的複數個孔洞結構之多孔骨架結構，主要功用為提供比表面積作為電流收集電極，可利於通水性、離子傳輸及電荷轉移；一奈米結構3，連接於該金屬基材2，該奈米結構3之材料為來自於該金屬基材2經化學處理後所形成之化合物，主要功用為提供比表面積，且該奈米結構3可與該金屬基材2之微米尺寸孔洞共構為一多層次孔洞結構3020；以及一碳薄膜4，連接於該奈米結構3，為均勻被覆於該奈米結構3之一層狀結晶結構，主要功用為提供表面鈍化以提供電化學之穩定性。

如前述的多孔複合結構電極1的較佳實施例，本發明多孔複合結構電極2的金屬基材2為一種多孔金屬骨架，其中該金屬可以是鈦、鎳、鋁或其組合。該金屬基材2所包含的該複數個孔洞結構的孔洞大小為微米尺寸等級，在其中一較佳實施例中，該孔洞大小（孔徑）可以小於100微米但不包含0微米，且該多個孔洞結構具有大於30% 孔隙率。該金屬基材2的多個孔洞結構可提供多孔複合結構電極1高比表面積以給予更多空位來吸附離子，利於通水性、離子傳輸及電荷轉移。

請繼續參照圖1，本實施例的多孔複合結構電極1，其中奈米結構3為具有一幾何形狀，該幾何形狀包含管、柱或其組合，如圖1所示。該奈米結構3之材料為將該金屬基材2經化學處理後而直接生成於多孔金屬骨架表面之化合物，該奈米結構3為具有一幾何形狀，如圖1中之示意圖(b)、示意圖(c)所示，該幾何形狀包含管、柱或其組合，主要功用為提供比表面積。其中，示意圖(b)、示意圖(d)為奈米柱之結構，示意圖(c)、示意圖(e)為奈米管之結構。該化學處理可以是電化學處理、熱化學處理或其組合，而產生之化合物可以為該金屬基材2的氧化物、氫氧化物或其組合。在其中一較佳實施例中，該氧化物可以為二氧化鈦。

在本實施例中，該奈米結構3可與金屬基材2之微米尺寸孔洞搭配形成如圖1中之示意圖(b)、示意圖(c)所示的多層次孔洞結構3020。據以提供大表面積，並進一步利用液相有機溶劑之高溫碳化方式，於奈米結構3表面均勻生長具有層狀結晶結構之碳薄膜4，作為表面鈍化功用，以增加電極之反覆吸附及脫附之電化學穩定性，使多孔複合結構電極1不與浸泡的溶液產生化學反應，避免不可逆之化學反應。

本發明更提供一種實施上述多孔複合結構電極1的製備方法，其中一較佳實施例，請同時參照圖1與圖2。所述多孔複合結構電極1的製備方法包含以下步驟：(A) 於一金屬基材2的表面以一化學處理產生一奈米結構3，使該金屬基材2與該奈米結構3共構為一多層次孔洞結構3020；(B) 將該多層次孔洞結構3020浸泡於一有機溶劑並烘乾；以及(C) 於一高真空及一高溫環境下進行一碳化製程，以生成一碳薄膜4於該多層次孔洞結構3020表面。

在本實施例中，於進行步驟(A)前，該金屬基材2為由金屬粉末經高溫燒結而成。其中，該金屬粉末可以為鈦、鎳、鋁或其組合。步驟(A)中，如圖1中示意圖(b)、示意圖(c)所展示，將金屬基材2的表面以化學處理產生奈米結構3，使該金屬基材2與該奈米結構3共構為多層次孔洞結構3020。在本實施例中，該化學處理包含電化學處理、熱化學處理或其組合，該奈米結構3為具有幾何形狀，該幾何形狀包含管、柱或其組合。該幾何形狀在本實施例之成份可以為二氧化鈦。其中，經由電化學處理可產生之多層次孔洞結構3020如圖1之示意圖(b)所示，其為由多個奈米管31（如圖1中之示意圖(d)所示）生成於金屬基材2表面所組合而成；經由熱化學處理可產生之多層次孔洞結構3020如圖1之示意圖(c)所示，其為由多個奈米柱32（如圖1中之示意圖(e)所示）生成於金屬基材2表面所組合而成。進一步來說，於該化學處理中，可藉由化學處理參數（反應時間、熱源的溫度、反應壓力或是直流電源的放電模式、電壓或電流等）進行調控該奈米結構3之長度。

請續行參照圖2，步驟(B) 將該多層次孔洞結構3020浸泡於有機溶劑並烘乾。該有機溶劑於本實施例中的必要條件係須作為碳源的提供者。易言之，該有機溶劑於本實施例中選用醣類水溶液，可以是葡萄糖水溶液、蔗糖水溶液、果糖水溶液或其組合。並且，本實施例可經由反覆實施步驟(B)的方式，將該多層次孔洞結構3020浸泡於有機溶劑並烘乾之程序，據以調整該碳薄膜4之厚度。

同樣參照圖2於本實施例中，步驟(C)中，於一高真空及一高溫環境下進行一碳化製程，以生成一碳薄膜4於該奈米結構3表面。該碳化製程可以於300℃以上但小於800℃之高溫進行，且該碳化製程所產生的碳薄膜4為均勻被覆於該奈米結構3上的一層狀結晶結構。為能更了解本發明實施例，以下提供數個實施例據以參考之。

實施例 1

實施例1中，該金屬基材2選用多孔鈦金屬，化學處理選用電化學處理（例如陽極氧化處理）於其多孔骨架表面發展一種奈米結構3。本實施例之該奈米結構3於本實施例中為二氧化鈦奈米管結構。接著，有機溶劑選用葡萄糖水溶液為碳源進行高溫碳化處理，以製備多孔複合結構電極1。

圖3係為實施例1金屬基材2選用多孔鈦金屬之掃描式電子顯微鏡表面形貌，此多孔鈦金屬乃為鈦金屬粉末經高溫燒結所得，其孔洞大小50 ~ 100微米（μm），孔隙率約45%。圖3中比例尺長度為實際上250微米（μm）。

將金屬基材2於氫氟酸水溶液為電解液之條件下，施予一直流電壓以進行電化學處理。圖4係以較佳之電化學處理參數處理後之結果圖。在本實施例中，於金屬基材2表面發展奈米結構3之掃描式電子顯微鏡表面（圖4中(a)）及截面（圖4中(b)）形貌。由圖4中可知，此奈米結構3為一二氧化鈦奈米管31結構，且此奈米管31之管徑約62奈米（nm），管壁厚度約10奈米（nm），管長約800奈米（nm）。圖3中示意圖(a)之比例尺長度為實際上100奈米（nm），示意圖(b)之比例尺長度為實際上250奈米（nm）。

接著，將此多層次孔洞結構3020浸泡於葡萄糖水溶液及烘乾，經多次浸泡及烘乾次數後，於一高真空及高溫環境下進行高溫碳化製程，以生成均勻碳薄膜4於奈米管31結構表面。

圖5係以較佳之葡萄糖碳化參數，生長碳薄膜4於多層次孔洞結構3020以得到多孔複合結構電極1之拉曼光譜圖。由圖5中可得，經葡萄糖水溶液碳化處理後，拉曼光譜圖中可偵測到屬於碳材料之D峰（D band）及G峰（G band）訊號峰，此顯示藉由葡萄糖水溶液之高溫碳化技術可於二氧化鈦奈米結構3表面生長碳薄膜4。

圖6係以較佳之葡萄糖碳化參數，生長碳薄膜4於多層次孔洞結構3020以得到多孔複合結構電極1之穿透式電子顯微鏡明場影像圖（圖6中示意圖(a)）及高解析影像圖（圖6中示意圖(b)）。由圖6中可知，於奈米管31頂部至底部之管壁皆可觀察到薄膜生長於其上，此薄膜即為碳薄膜4。進一步將奈米管31中部位置（圖6中示意圖(b)之型態II）之高解析影像圖放大並進行原子層間距之量測可發現，此層狀結構之薄膜乃一結晶結構，且原子層間距為0.349奈米（nm），與石墨的原子層間距0.335奈米（nm）非常相近。因此，利用葡萄糖之高溫碳化處理可於二氧化鈦奈米管31結構表面均勻生長層狀結構之結晶碳薄膜4。圖6中示意圖(a)之比例尺長度為實際上50奈米（nm），圖6中示意圖(b)之比例尺長度為實際上5奈米（nm）。

綜上，在實施例1中，遂展現出製備被覆結晶碳二氧化鈦奈米管31結構於金屬基材2表面之多孔複合結構電極1。

實施例 2

於實施例2中，該金屬基材2選用多孔鈦金屬，化學處理選用熱化學處理於其多孔骨架表面發展一種奈米結構3。該奈米結構3於本實施例中為二氧化鈦奈米柱32結構。接著，有機溶劑選用葡萄糖水溶液為碳源進行高溫碳化處理，以製備多孔複合結構電極1。

圖3亦為實施例2金屬基材2選用多孔鈦金屬之掃描式電子顯微鏡表面形貌，此多孔鈦金屬乃為鈦金屬粉末經高溫燒結所得，其孔洞大小（孔徑）50 ~ 100 微米（μm），孔隙率約45%。圖3中比例尺長度為實際上250微米（μm）。

在本實施例中，將金屬基材2於鹽酸水溶液為蝕刻液之條件下，於高壓釜環境下進行熱化學處理。圖7係以較佳之熱化學處理參數（溫度、壓力）處理完畢後，於金屬基材2表面發展奈米結構3之掃描式電子顯微鏡表面形貌。由圖7中可知，此奈米結構3為一二氧化鈦奈米柱32結構，且其尺寸（橫剖面直徑）約10 ~ 80奈米（nm）。圖7中之比例尺長度為實際上500奈米（nm）。

接著，將此多層次孔洞結構3020浸泡於葡萄糖水溶液及烘乾，經多次浸泡及烘乾次數後，於一高真空及高溫環境下進行高溫碳化製程，遂可於二氧化鈦奈米柱32結構表面均勻生長層狀結構之結晶碳薄膜4。

綜上，在實施例2中，本實施例遂展現出製備覆蓋結晶碳薄膜4之二氧化鈦奈米柱32結構於多孔鈦金屬基材2，成為多孔複合結構電極1。

實施例 3

於實施例3中，該金屬基材2選用多孔鈦金屬，依序以較佳之電化學處理參數進行電化學處理及以較佳之熱化學處理參數進行熱化學處理，而於金屬基材2骨架表面發展二氧化鈦複合奈米結構3。接著，以較佳之葡萄糖碳化參數，於二氧化鈦複合奈米結構3表面均勻生長層狀結構之結晶碳薄膜4，以完成多孔複合結構電極之製備。

圖8係為將本實施例之多孔複合結構1應用於電容去離子電極，以流通式模組於電壓2 伏特（V）及電極間距250微米（μm）條件下進行電吸附平衡試驗之結果。圖8中顯示，於不同初始導電：75 μS/cm及750 μS/cm氯化鈉水溶液之測試過程中，當測試時間至10分鐘時，氯化鈉水溶液之導電度皆有大幅下降之趨勢；最終於測試時間30 分鐘後，氯化鈉水溶液之導電度分別下降至64.9 μS/cm及727 μS/cm，意味著氯化鈉水溶液中之離子已被多孔複合結構電極1所吸附而去除。

以上結果顯示，本發明之多孔複合結構電極1確實具有應用於電容去離子電極之潛力，且對於低濃度及高濃度之離子溶液皆具有去除離子之效果。

綜上所述，本發明多孔複合結構電極1及其製備方法於本實施例中，選擇三維金屬基材2，冀望其微米尺寸之多孔骨架結構及高導電性，可利於通水性、離子傳輸及電荷轉移。接著，利用化學處理，於多孔骨架表面生長奈米尺寸之幾何結構，進而提高其比表面積。其中，此奈米結構3之材料為來自於金屬基材2經化學處理後所形成之化合物；此外，此奈米結構3將可與金屬基材2之微米尺寸孔洞搭配成多層次孔洞結構3020。最後，利用液相有機溶劑之高溫碳化方式，於奈米結構3表面均勻生長層狀結構之結晶碳薄膜4，作為表面鈍化功用，以增加電極之反覆吸附及脫附之電化學穩定性。故本發明提出之多孔複合結構電極1具有高通水性、多層次孔洞分布、高比表面積、高化學穩定性及高導電性，可有效作為離子吸附材料，並應用於電容去離子電極。

惟以上所述者，僅為本發明之較佳實施例而已，當不能以此限定本發明實施之範圍，即依本發明申請專利範圍及說明內容所作之簡單變化與修飾，皆仍屬本發明涵蓋之範圍內。

1:多孔複合結構電極 2:金屬基材 3:奈米結構 31:奈米管 32:奈米柱  3020:多層次孔洞結構 4:碳薄膜 (A)- (C):步驟 (a)-(e):示意圖 I-III:型態

圖 1 係本發明多孔複合結構電極實施例之組成示意圖。 圖2係實施本發明多孔複合結構電極的製備方法實施例之流程圖。 圖3係本發明多孔複合結構電極實施例1與實施例2之多孔鈦金屬的掃描式電子顯微鏡表面形貌圖。 圖4 係本發明多孔複合結構電極實施例1之掃描式電子顯微鏡圖。 圖5 係本發明多孔複合結構電極實施例1中碳薄膜生長於多層次孔洞結構之拉曼光譜圖。 圖6係本發明多孔複合結構電極實施例1中碳薄膜生長於多層次孔洞結構之穿透式電子顯微鏡暨碳薄膜原子層間距量測結果圖。 圖7 係本發明多孔複合結構電極實施例2中多孔鈦金屬骨架表面發展奈米柱結構之掃描式電子顯微鏡表面形貌圖。 圖8係本發明多孔複合結構電極之實施例3中以多孔複合結構應用於電容去離子電極於不同初始導電之氯化鈉水溶液進行電吸附平衡試驗之結果圖。

1:多孔複合結構電極

2:金屬基材

3:奈米結構

31:奈米管

32:奈米柱

3020:多層次孔洞結構

4:碳薄膜

(a)-(e):示意圖

Claims (19)

1. 一種多孔複合結構電極，包含：一金屬基材，具有複數個孔洞結構；一奈米結構，連接於該金屬基材，該金屬基材的該複數個孔洞結構與該奈米結構共構為一多層次孔洞結構；以及一碳薄膜，連接於該多層次孔洞結構；其中，該複數個孔洞之孔徑小於100微米。
2. 如請求項1所述的多孔複合結構電極，其中該金屬基材包含鈦、鎳、鋁或其組合。
3. 如請求項1所述的多孔複合結構電極，其中該複數個孔洞結構為微米尺寸的結構。
4. 如請求項3所述的多孔複合結構電極，其中該複數個孔洞結構之孔隙率大於30%。
5. 如請求項1所述的多孔複合結構電極，其中該奈米結構為具有一幾何形狀，該幾何形狀包含管、柱或其組合。
6. 如請求項1所述的多孔複合結構電極，其中該奈米結構係由該金屬基材經過一化學處理產生。
7. 如請求項6所述的多孔複合結構電極，其中該化學處理包含電化學處理、熱化學處理或其組合。
8. 如請求項6所述的多孔複合結構電極，其中該奈米結構的材料包含該金屬基材的一氧化物、一氫氧化物或其組合。
9. 如請求項8所述的多孔複合結構電極，其中該氧化物為二氧化鈦。
10. 如請求項1所述的多孔複合結構電極，其中該碳薄膜均勻被覆於該多層次孔洞結構上。
11. 一種多孔複合結構電極的製備方法，包含以下步驟：(A)於包含複數個孔徑小於100微米孔洞之一金屬基材的表面以一化學處理產生一奈米結構，使包含複數個孔徑小於100微米孔洞之該金屬基材與該奈米結構共構為一多層次孔洞結構；(B)將該多層次孔洞結構浸泡於一有機溶劑並烘乾；以及(C)於一高真空及一高溫環境下進行一碳化製程，以生成一碳薄膜於該多層次孔洞結構表面。
12. 如請求項11所述的多孔複合結構電極的製備方法，其中步驟(A)的該金屬基材由一金屬粉末經高溫燒結而成。
13. 如請求項11所述的多孔複合結構電極的製備方法，其中步驟(A)的該化學處理包含電化學處理、熱化學處理或其組合。
14. 如請求項11所述的多孔複合結構電極的製備方法，其中步驟(A)的該奈米結構為具有一幾何形狀，該幾何形狀包含管、柱或其組合。
15. 如請求項11所述的多孔複合結構電極的製備方法，其中步驟(A)的該化學處理中，可藉由一化學處理參數進行調控該奈米結構之一長度。
16. 如請求項11所述的多孔複合結構電極的製備方法，其中進行步驟(B)循環數次以調控該碳薄膜之一厚度。
17. 如請求項11所述的多孔複合結構電極的製備方法，其中步驟(B)的該有機溶劑為醣類水溶液，該醣類水溶液包含葡萄糖水溶液、蔗糖水溶液、果糖水溶液或其組合。
18. 如請求項11所述的多孔複合結構電極的製備方法，其中步驟(C)的該高溫環境介於300-800℃。
19. 如請求項11所述的多孔複合結構電極的製備方法，其中步驟(C)的該碳薄膜均勻被覆於該多層次孔洞結構上。

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