TWI748253B - 研磨方法以及研磨系統 - Google Patents

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TWI748253B TW108135090A TW108135090A TWI748253B TW I748253 B TWI748253 B TW I748253B TW 108135090 A TW108135090 A TW 108135090A TW 108135090 A TW108135090 A TW 108135090A TW I748253 B TWI748253 B TW I748253B
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涂哲豪
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Abstract

本揭露實施例提供一種系統，以控制化學機械研磨(CMP)漿料流入腔室以在腔室內形成漿料儲存池。 一旦在腔室內形成漿料儲存池，所述系統就將研磨頭移動到位置並迫使附接到研磨頭的晶圓的表面與附接到腔室內的平台的研磨墊接觸。晶圓/墊的界面形成在被迫與研磨墊接觸的晶圓表面上，並且晶圓/墊的界面設置在漿料儲存池的上表面下方。在CMP製程期間，所述系統控制壓板的水平、力、平台的旋轉、拋光頭的位置、力、和旋轉中的一或多者，以在晶圓/墊的界面處進行晶圓表面的CMP製程。

Description

研磨方法以及研磨系統
本揭露實施例係關於一種研磨方法以及研磨系統。
化學機械研磨(Chemical mechanical polish，CMP)製程可用於製造積體電路。舉例來說，CMP製程可用於使將積體電路中的各種電路層分開的層間介電層的金屬間介電層、金屬特徵、和半導體材料平坦化。CMP製程也常用於形成使積體電路元件互連的銅線及/或接點插件。
CMP製程廣泛用於製造積體電路。在半導體晶圓的表面上逐層構建積體電路之後，CMP製程用於平坦化最頂部的一或多層，以為後續的製造步驟提供水平的表面。然而現今的CMP製程仍然需要改進。
在一些實施例中提供一種研磨方法，包括：在腔室中將半導體晶圓附接到研磨頭；將研磨墊放置在腔室中的平台上；將漿料流動到腔室中以形成漿料儲存池；以及在半導體晶圓以及研磨墊之界面進行化學機械研磨製程，且界面位在漿料儲存池之上表面下方。
在一些實施例中提供一種研磨方法，包括：將基板固定到腔室中的研磨頭的晶圓承載座；將研磨墊附接到室中之平台，研磨墊之上表面係在第一高度；在腔室中形成漿料儲存池，漿料儲存池之上表面係在低於第一高度之水平；降低平台以將研磨墊浸沒到漿料儲存池中；以及在低於漿料儲存池之上表面的基板之表面上進行化學機械研磨製程。
在一些實施例中提供一種研磨系統，包括：腔室，包括漿料進料口；平台，容納在腔室中；以及研磨墊，容納在腔室中，其中研磨墊之上表面位在腔室之底表面上方，且漿料進料口之輸送口位在研磨墊之上表面下方。
以下公開許多不同的實施方法或是範例來實行所提供之標的之不同特徵，以下描述具體的元件及其排列的實施例以闡述本揭露。當然這些實施例僅用以例示，且不該以此限定本揭露的範圍。舉例來說，在說明書中提到第一特徵部件形成於第二特徵部件之上，其包括第一特徵部件與第二特徵部件是直接接觸的實施例，另外也包括於第一特徵部件與第二特徵部件之間另外有其他特徵的實施例，亦即，第一特徵部件與第二特徵部件並非直接接觸。此外，在不同實施例中可能使用重複的標號或標示，這些重複僅為了簡單清楚地敘述本揭露，不代表所討論的不同實施例及/或結構之間有特定的關係。
此外，其中可能用到與空間相關用詞，例如「在…下方」、「下方」、「較低的」、「上方」、「較高的」 及類似的用詞，這些空間相關用詞係為了便於描述圖示中一個(些)元件或特徵與另一個(些)元件或特徵之間的關係，這些空間相關用詞包括使用中或操作中的裝置之不同方位，以及圖式中所描述的方位。當裝置被轉向不同方位時(旋轉90度或其他方位)，則其中所使用的空間相關形容詞也將依轉向後的方位來解釋。
第1圖示出根據一些實施例的CMP製程系統100。CMP製程系統100包括多個不同的元件，包括：供應槽107、腔室113、漿料過濾器129、漿料恢復系統150、控制單元101、多個幫浦P1-P5、多個閥V1-V4、以及多個感應器S1-S3。CMP製程系統100的各種元件互相連接，並且控制單元101控制幫浦P1-P5和閥V1-V4，以在操作CMP製程系統100的期間使CMP漿料及/或溶液流過導管109。(例如管線(pipeline)、管道(tubing)、通道(channel)、饋線(feedline)、其組合等)。根據一些實施例，係由第1圖中的一組指向箭號來指示CMP製程系統100內的CMP漿料103大致上的分佈和流動。
在準備執行CMP製程時，CMP製程系統100從漿料分配系統90的供應線105接收CMP漿料103，並通過第一入口In1將CMP漿料103輸送到供應槽107。CMP漿料103可為例如根據用於工件123(例如半導體基板、半導體晶圓等)的CMP製程的一期望CMP製程配方而製備的漿料。
在一些實施例中，在將準備好的CMP漿料103輸送到供應槽107之前，準備好的CMP漿料103可包含與一種或多種漿料稀釋劑混合(例如在漿料分配系統的混合槽中混合)的基礎漿料(例如包含膠體二氧化矽(colloidal silica)的未稀釋的漿料)，以稀釋基礎漿料，並且還將所述基礎漿料與一或多種漿料添加劑混合。在一些實施例中，供應槽107包括攪拌器108，其提供連續的攪拌給供應槽107的成分，以確保基礎漿料、漿料稀釋劑和漿料添加劑充分混合，並確保從供應槽107中抽出的CMP漿料103的特性具有一致的品質。漿料稀釋劑和漿料添加劑可包括但不限於一種或多種以下的成分：研磨劑(abrasives)、水溶液(例如去離子水、氨水)、溶劑、氧化劑、pH值調節劑、錯合劑(complexing agents)、螯合劑(chelating agents)、腐蝕抑製劑(corrosion inhibiting agents)等。適合於期望CMP製程的所有這些漿料稀釋劑和漿料添加劑及其組合可包括在且被認為是在本說明書揭露的實施例的範圍內，但並不限於此。
在準備執行工件123的期望CMP製程的初始步驟可包括將工件123放置在腔室113中，以及在腔室113內形成漿料儲存池115。在一些實施例中，控制單元101控制第一幫浦P1和第一閥V1以允許CMP漿料103流過進料口111並在腔室113的底部匯集，從而形成漿料儲存池115。進料口111是CMP漿料103進入腔室113並與腔室113的環境混合的點(例如通過第一閥V1的下游埠或腔室113的主入口)。舉例來說，CMP漿料103經由進料口111的輸送口(delivery orifice)112流入腔室113並與腔室113的環境混合。根據一些實施例，進料口111的輸送口112佈置在腔室113的底表面處或附近。然而，可以使用任何合適的方式佈置在腔室113內的進料口111的輸送口112。在一些實施例中，輸送口112將受控的CMP漿料103流提供到腔室113的環境中。然而，輸送口112可以允許CMP漿料103自由地流入腔室113的環境中。然而，可以使用任何合適的佈置方式以佈置輸送口112。
在一些實施例中，根據期望CMP製程配方，控制單元101控制第一幫浦P1以及第二幫浦P2，且還控制第一閥V1以及第二閥V2，以控制CMP漿料103進出腔室113的流量。在一些實施例中，根據期望CMP製程配方，控制單元101控制第一幫浦P1以及第二幫浦P2，且還控制第一閥V1以及第二閥V2，以調整漿料儲存池115的水平。
一旦形成了漿料儲存池115，工件123的期望CMP製程可以開始使工件123的表面平坦化。在期望CMP製程期間，工件123的表面材料可以與CMP漿料103的一或多種漿料添加劑反應，並且可以在漿料儲存池115中收集廢物和雜質。因此漿料儲存池115中的CMP漿料103的一或多種漿料添加劑的所需濃度水平可能會耗盡、可能會降低至無效水平、或者一或多種漿料添加劑和其他漿料添加劑之間的比例可能會變得不平衡。因此，漿料儲存池115的CMP漿料103的品質和特性可能會受損，使得一或多種漿料添加劑的濃度水平可能超出期望CMP製程配方所規定的容忍度水平。舉例來說，由於漿料儲存池115的CMP漿料103的成分(例如氧化劑)與工件123的材料之間的化學反應會消耗或以其他方式改變CMP漿料103的成分，因此漿料儲存池115的CMP漿料103可能會受損。此外，在CMP製程期間，由於在去除工件123的表面材料期間留下的廢物和雜質，漿料儲存池115的CMP漿料103可能會被污染。因此，當漿料儲存池115的CMP漿料103的品質或特性已經受損或已經被污染時(在此另外稱為「使用過的漿料127」)，控制單元101可以開始清除漿料儲存池115，以讓使用過的漿料127流出腔室113。
在一些實施例中，控制單元101可以基於使用過的漿料127的耗盡、不平衡、受損或污染的程度，來確定是否所有使用過的漿料127或一些使用過的漿料127可重複使用或可再進行回收。控制單元101還可以確定何時所有的或一些使用過的漿料127可能會受損，並且無法在期望CMP製程再進行利用或回收。因此，控制單元101可以從腔室113開始清除全部或一些使用過的漿料127。
根據一些實施例，一旦從腔室113中清除使用過的漿料127，則使用過的漿料127可以被過濾、恢復並回收到CMP漿料103的原始條件(condition)及/或狀態(state)。舉例來說，控制單元101可以基於漿料儲存池115的使用過的漿料127中的廢物和雜質的濃度而從腔室113開始清除使用過的漿料127。一旦開始清除操作，控制單元101控制第二幫浦P2和第三幫浦P3通過漿料過濾器129抽取使用過的漿料127，以從使用過的漿料127中去除廢物和雜質，並在漿料過濾器129的輸出處產生過濾過的漿料131。因此可以重複使用或回收過濾過的漿料131。
漿料過濾器129去除尺寸過大的大漿料顆粒或聚集的顆粒群(cluster)或叢(clump)，否則這些顆粒可能在CMP製程期間刮傷和損壞工件123的表面。在一些實施例中，漿料過濾器129可具有約0.02μm至約0.10μm的孔徑。
在一些實施例中，基於使用過的漿料127中的廢物和雜質的濃度水平，控制單元101可以確定是否應該棄置使用過的漿料127。因此控制單元101開始從腔室113中清除使用過的漿料127，並指示開啟第二閥V2，以允許使用過的漿料127流過棄置管線215，而到達漿料廢物處理系統200，以廢棄使用過的漿料127。
在一些實施例中，基於使用過的漿料127中廢物和雜質的濃度水平，控制單元101可以確定使用過的漿料127的一部分可以保留在漿料儲存池115以作為使用過的漿料127的剩餘部分，並且可與供應的過濾過的漿料131混合。在一些實施例中，基於使用過的漿料127中的廢物和雜質的濃度，控制單元101可以確定使用過的漿料127的剩餘部分是否可與來自供應槽107的新鮮的CMP漿料103混合。在一些實施例中，基於使用過的漿料127中的廢物和雜質的濃度，控制單元101可以確定使用過的漿料127的剩餘部分是否可與過濾過的漿料131和來自供應槽107的新鮮的CMP漿料103的組合進行混合。
在一些實施例中，基於使用過的漿料127的耗盡程度，控制單元101可以確定是否應該恢復和回收使用過的漿料127。因此控制單元101開始從腔室113中清除使用過的漿料127，並指示第二閥V2打開以允許使用過的漿料127流出腔室113，且指示第二幫浦P2和第三幫浦P3通過漿料過濾器129抽取使用過的漿料127，以過濾使用過的漿料127。一旦進行了過濾，控制單元101控制第三閥V3和第四幫浦P4以將過濾過的漿料131轉移到供應槽107的第二入口In2。當過濾過的漿料131被轉移到供應槽107時，可以藉由補充任何耗盡的漿料稀釋劑、補充任何耗盡的添加劑、校正任何受損的濃度水平、調節pH水平等以恢復過濾過的漿料131。
根據一些實施例，為了將過濾過的漿料131恢復至與CMP漿料103的原始成分和原始狀態一致的成分和狀態，控制單元101指示漿料恢復系統150產生補償溶液133以與過濾過的漿料131混合。在一些實施例中，漿料恢復系統150包括多個補償槽151，分別通過多個流動釋放閥153耦接到多重輸入岐管(multi-input manifold)157。每個補償槽151包含CMP漿料103的原始成分中所使用的漿料稀釋劑或漿料添加劑。根據一些實施例，控制單元101基於使用過的漿料127的耗盡的程度、不平衡程度、或受損程度，指示一或多個流動釋放閥153釋放容納在一或多個相應的補償槽151中的適當量的漿料稀釋劑或漿料添加劑。舉例來說，漿料恢復系統150可以釋放補償溶液133，其包括適當量的酸性溶液或鹼性溶液(例如乙酸(acetic acid)、KOH、NaOH)以調節使用過的漿料127的pH值，而將使用過的漿料127的pH值恢復到CMP漿料103的原始成分的pH值。
根據一些實施例，多重輸入岐管157可以結合釋出的漿料稀釋劑或釋出的漿料添加劑以提供補償溶液133。在一些實施例中，多重輸入岐管157可以單獨地提供每種釋出的漿料稀釋劑或釋出的漿料添加劑，以作為一系列將要與使用過的漿料127混合的溶液，而所述的一系列溶液形成補償溶液133。因此控制單元101指示多重輸入岐管157、第四閥V4和第五幫浦P5以將補償溶液133輸送到供應槽107的第三入口In3。因此可以回收從腔室113中清除的使用過的漿料127，以讓使用過的漿料127恢復到其原始成分和其原始狀態。
在一些實施例中，CMP製程系統100可以提供連續的流動系統，使得CMP漿料103連續地流入腔室113以連續地補充漿料儲存池115，並讓使用過的漿料127連續地流出腔室113，然後連續過濾使用過的漿料127，並使用補償溶液133以讓使用過的漿料127恢復到CMP漿料103的原始組成和原始狀態。對使用過的漿料127進行恢復可允許在漿料儲存池115中重複利用使用過的漿料127，同時在單個工件的CMP製程期間和在一批工件的一系列CMP期間保持CMP漿料103的品質。
根據一些實施例，在供應槽107中，補償溶液133與經由第二入口In2釋放到供應槽107的過濾過的漿料131混合，並且還與任何剩餘體積的CMP漿料103直接混合。供應槽107的攪拌器108連續地攪拌供應槽107的內容物，使得使用過的漿料127在與補償溶液133混合時恢復到其原始成分和其原始狀態。因此CMP漿料103的品質和一致性在工件123的CMP製程過程中以及在一批工件的一系列CMP製程期間得以維持。
根據其他實施例，過濾過的漿料131和補償溶液133可以在被釋放到供應槽107中之前進行混合。舉例來說，可以將過濾過的漿料131和補償溶液133提供到混合罐中，以產生具有和CMP漿料103的原始成分和原始狀態一致的恢復的CMP漿料。一旦進行混合，恢復的CMP漿料可以返回到供應槽107。
此外，控制單元101可以在不同時間如期望CMP製程配方所指示以開始清除漿料儲存池115。舉例來說，控制單元101可以從腔室113開始清除漿料儲存池115，以準備工件123的後續製程，或者在處理另一個工件之前清除漿料儲存池115。後續處理步驟的範例可包括但不限於：在CMP去除製程之間改變漿料的磨料(abrasive)或改變磨料濃度的步驟(例如在大量CMP去除和拋光(buffing)CMP去除之間，或在使用另一種CMP漿料以對另一工件執行CMP去除之間)、過濾CMP漿料103的步驟、清潔工件123的步驟、以及沖洗腔室113的步驟(例如在完成工件123的CMP製程之後沖洗)。然而可以由控制單元101啟動漿料儲存池115的清除，以準備任何合適的製程步驟。
根據一些實施例，第1圖還示出可以將多個感應器S1-S3佈置或一體成形在CMP製程系統100的一或多個元件內，並且還可以佈置在連接元件之間的導管109內(in-line)。當CMP漿料103流過多個感應器S1-S3中的相應感應器時，多個感應器S1-S3即刻確定各個元件的一或多個狀態或即刻確定CMP漿料103的特性。多個感應器S1-S3可以通訊地(communicatively)耦接到控制單元101，以藉由控制單元101評估在多個感應器S1-S3的各個位置處的各個元件確定的狀態和CMP漿料103確定的特性。
多個感應器S1-S3的範例包括但不限於流量計(flow meters)、電聲感應器(electro-acoustic sensors)、超聲磨料濃度感應器(ultra-sonic abrasive concentration sensors)、pH感應器(pH sensors)、電導率感應器(conductivity sensors)、溫度感應器(temperature sensors)、壓力感應器(pressure sensors)、及其組合等。然而可以使用任何合適的感應器。可以由多個感應器S1-S3確定的CMP漿料103的特性和元件的條件的範例包括但不限於pH水平(pH levels)、溫度水平(temperature levels)、容積水平(volume levels)、電導率水平(conductivity levels)、超聲衰減光譜(ultrasonic attenuation spectrums)、粒徑分佈(particle size distributions)、動態遷移光譜(dynamic mobility spectrums)、顆粒ζ電位(particle zeta potentials)、漿料壓力(slurry pressures)、磨料顆粒濃度(abrasive particle concentrations)等。然而，可以由多個感應器S1-S3確定CMP漿料103的任何合適的特性，並由控制單元101所利用。
因此，多個感應器S1-S3在CMP製程系統100中的感應器的各自的位置處即刻檢測CMP漿料103的各個特性或元件的條件。可以將即刻檢測到的條件或特性提供給控制單元101，以監視和分析在多個感應器S1-S3的每個相應位置的每個相應元件和CMP漿料103。因此，可以即時地(real-time)或接近即時地執行由控制單元101執行的監控和分析。根據一些實施例，由控制單元101執行的分析包括將CMP製程期間每個相應元件的相對條件(例如在腔室113內檢測到的條件)與某些條件的容差(tolerances)進行比較。舉例來說，可以根據期望CMP製程配方來確定條件的容差。此外，由控制單元101執行的分析還可以包括在CMP製程期間在多個感應器的每個相應位置處將CMP漿料103的即刻特性與某些漿料特性容差進行比較。舉例來說，可以根據所需的CMP加工配方確定漿料特性的容差。
基於元件的即刻條件或CMP漿料103的即刻特性的分析，控制單元101可以啟動一或多個系統製程。啟動一或多個系統製程可以包括例如以下操作的一或多者：啟動或停用元件的部件以修改元件的一或多個條件、操作閥V1-V4並啟動幫浦P1-P3以允許漿料從一個元件流到另一個元件、以及啟動漿料恢復系統150以提供補償溶液133。
如第1圖中進一步所示，第一感應器S1可與腔室113一體成型或佈置在腔室113內，以即刻確定腔室113的狀況(例如腔室溫度、腔室壓力、在腔室113內的漿料儲存池115的水平等)。在一些實施例中，第一感應器S1包括用來測量腔室113內的漿料儲存池115的深度的水平感應器。在這種實施例中，水平感應器可以包括從研磨頭下方的水平延伸到研磨頭上方的水平的第一部分，以為漿料儲存池115的水平提供合適的讀數。
第一感應器S1還可以即刻確定漿料儲存池115的CMP漿料103的特性(例如pH水平、溫度水平、顆粒ζ電位、磨料顆粒濃度、廢物濃度、雜質濃度等)。如第1圖所示，第二感應器S2可以例如佈置在連接第二幫浦P2和漿料過濾器129的導管109內，以在第二感應器S2的位置檢測CMP漿料103的特性。此外，第三感應器S3可以例如佈置在連接漿料過濾器129和第三幫浦P3的導管109的內部，以在第三感應器S3的位置檢測CMP漿料103的特性。因此，控制單元101監視和分析第一、第二和第三感應器S1-S3的每個相應位置處的元件(例如腔室113)的即刻狀況和漿料的特性(例如漿料儲存池115內的CMP漿料103、從腔室113中清除的使用過的漿料127、或者在漿料過濾器129的輸出處提供的過濾過的漿料131)。
第2圖示出準備用來執行工件123的期望CMP製程的腔室113的方法以及第1圖的腔室113的細節。根據所需的CMP配方，腔室113包括研磨頭203和平台207，所述研磨頭203和平台207係在工件123的期望CMP製程期間在腔室113內與第一感應器S1和漿料儲存池115一起由控制單元101操縱。
根據一些實施例，為了準備工件123的期望CMP製程，工件123藉由晶圓載具201(例如固定環(retaining ring))附接到研磨頭203。晶圓載具201適用於保持工件123並提供約2psi至約3psi的向下力，以防止工件123在期望CMP製程期間滑動。研磨頭203可旋轉並適於上下移動，且可包括用於真空的管線(line)、軟管(hose)或管道(tube)，所述真空可用於在期望CMP製程期間拾起和固定工件123。工件123通常包括例如設置在半導體晶圓上需要平坦化、平滑化或降低厚度的圖案化材料層。可以例如藉由使用CMP工具內的CMP站點的負載埠的真空而由研磨頭203拾起工件123。根據期望CMP製程配方，真空可在當研磨頭203在腔室113內上下移動工件123時用來提升工件123。在CMP製程完成之後，當研磨頭203在腔室113內上下移動工件123時，工件123再次被真空提升，並且工件123例如返回到CMP站點或CMP工具內的其他站點的裝載埠。
如上所述，在準備期望CMP製程期間，控制單元101引導CMP漿料103從供應槽107通過進料口111流入腔室113中，從而允許CMP漿料103在腔室113的底部形成漿料儲存池115。在一些實施例中，進料口111佈置在腔室113的底表面處或附近。然而，可以使用在腔室113內的任何合適的進料口111的佈置方式。
在一些實施例中，控制單元101控制第一幫浦P1和第一閥V1以繼續使CMP漿料103流入腔室113，直到漿料儲存池115的上表面到達在腔室113內的期望水平L1或直到已經有期望體積的CMP漿料103流入腔室113為止。根據一些實施例，漿料儲存池115的期望水平L1可以在約130mm和約190mm之間，例如約160mm。然而，任何合適的水平可用作漿料儲存池115的期望水平L1。根據一些實施例，所述漿料儲存池115的期望體積可以介於約32500mL至約47500mL之間，例如約40000mL。然而，任何合適的體積可用作漿料儲存池115的期望體積。
腔室113更包括平台207，平台207具有固定到平台207的頂表面的研磨墊205。平台207適於在工件123的期望CMP製程期間旋轉研磨墊205。在一些實施例中，平台207適於升高和降低腔室113內的研磨墊205。當研磨墊205固定到平台207時，研磨墊205的上表面可以佈置在腔室113的底表面上方的第一高度H1 處。根據一些實施例，第一高度H1 可以介於約200mm和約220mm之間，例如約210mm。
平台207可以代表高速平台(high-rate platen)、低速平台(low-rate platen)和拋光平台(buffing platen)中的任何一者。然而，平台207可以代表用於執行工件123的期望CMP製程的任何合適的平台。研磨墊205可代表適於進行高速研磨、低速研磨和研磨中的任何一種類型的研磨墊。然而，研磨墊205可以代表用於執行工件123的期望CMP製程的任何合適的墊。在一些實施例中，平台207可為高速平台，其使用具有第一粗糙度並適於執行工件123的高速研磨的研磨墊205，以相對高的研磨速率研磨工件123。根據一些實施例，平台207可為低速平台，其使用具有第二粗糙度並適於執行工件123的低速研磨的研磨墊205，以相對低的研磨速率研磨工件123。在一些實施例中，作為低速平台的平台207也可用於檢測工件123是否已達到目標厚度。在一些實施例中，平台207可為拋光平台，其使用具有適於拋光工件123的第三粗糙度的研磨墊205來拋光(例如輕微研磨)工件123。在一些實施例中，作為拋光平台的平台207也可用於修復缺陷和刮痕，並進一步研磨工件123，以達到工件123的最終目標厚度。
控制單元101通訊地耦接到平台207、研磨頭203和第一感應器S1。在工件123的CMP製程期間，基於來自第一感應器S1的即時回饋，控制單元101指示平台207的操作、指示研磨頭203的操作、並監控和分析腔室113的狀況和漿料儲存池115的CMP漿料103的特性。
在工件123的CMP製程期間，研磨墊205固定到平台207，並且由研磨頭203來保持工件123。基於所需CMP配方，控制單元101指示研磨頭203以操縱腔室113內的工件123。舉例來說，根據期望CMP製程配方，控制單元101可指示研磨頭203升高工件123、降低工件123、旋轉工件123、以及在工件123的表面的平面內沿水平方向移動工件123。
根據一些實施例，根據期望CMP製程配方，由控制單元101指示平台207以操縱腔室113內的研磨墊205。舉例來說，控制單元101可以指示平台207以使工件123下方的研磨墊205旋轉。
在一些實施例中，腔室113的輸出口125佈置在腔室113的底表面處或附近。然而，可以使用在腔室113內的任何合適輸出口125的佈置。第二閥V2佈置在腔室113的輸出口125處，並且第二幫浦P2經由導管109連接到第二閥V2。為了控制來自漿料儲存池115的CMP漿料103的流動，控制單元101控制並打開第二閥V2，並控制第二幫浦P2以開始從腔室113將漿料儲存池115的CMP漿料103吸取出來。
基於由第一感應器S1確定的一或多個條件和特性，控制單元101可以控制CMP製程系統100的元件以執行一或多個動作。舉例來說，基於所確定的腔室113的條件，根據期望CMP製程配方，控制單元101可以指示腔室113(例如加熱元件、壓力閥等)來調節腔室溫度及/或腔室壓力。在其他範例中，基於所確定的漿料儲存池115中的CMP漿料103的特性，並且根據期望CMP製程配方，控制單元101可以指示第一閥V1、第二閥V2、第一幫浦P1、以及第二幫浦P2，以開始以下一或多者的操作：從腔室113中清除CMP漿料103、使CMP漿料103從供應槽107流入腔室113、使CMP漿料103從漿料儲存池115流出腔室113、以及調節腔室113中的漿料儲存池115的水平。
在期望CMP製程期間，第一感應器S1即刻確定一或多種漿料添加劑的濃度，以及漿料儲存池115中的廢物和雜質的濃度。控制單元101監控和分析由第一感應器S1確定的漿料儲存池115的特性。基於對漿料儲存池115的特性的分析，控制單元101可以確定漿料儲存池115中的CMP漿料103已經耗盡、不平衡、污染、或以其他方式損壞的程度，並且可以確定CMP漿料103是否已經不足以進行如CMP製程配方所規定的期望CMP製程。一旦控制單元101確定漿料儲存池115的CMP漿料103被認為不再合適，或者在本說明書中另外稱為「使用過的漿料」127，則控制單元101可以開始從腔室113清除使用過的漿料127。在一些實施例中，控制單元101可決定從腔室113清除一部份使用過的漿料127，而使用過的漿料127停留在漿料儲存池115中的剩餘部分。在其他實施例中，控制單元101可以決定從腔室113清除所有使用過的漿料127。
第3圖示出根據一些實施例的執行工件123的CMP製程的方法。根據一些實施例，一旦如前述關於第2圖所討論的準備了腔室113，則控制單元101可以控制漿料儲存池115的水平，並且可以控制研磨頭203的一或多個操作以及平台207的一或多個操作。
如第3圖所示，控制單元101一開始可以決定在工件123的CMP製程期間要將漿料儲存池115的表面升高到的第二水平L2 。在一些實施例中，所需CMP配方可以指定一固定水平作為第二水平L2 。在其他實施例中，所需CMP配方可以指定研磨墊205的上表面上方的固定高度，以作為第二水平L2 。如前述關於第2圖所討論的，研磨墊205的上表面的高度是第一高度H1 。根據一些實施例，第一高度H1 可以是腔室113內固定的高度，而且舉例來說，第一高度H1 可以是設置為在控制單元101中的已知參數或以其他方式提供給控制單元101的已知參數。在其他實施例中，可以由第一感應器S1測量第一高度H1 ，並傳達到控制單元101。
可以基於研磨墊205的第一高度H1 來決定第二水平L2 。舉例來說，在工件123的期望CMP製程期間，所需CMP配方可以指示在研磨墊205的上表面的上方的漿料儲存池115的上表面至少為第二高度H2 。在一些實施例中，第二高度H2 可以介於約3mm和約7mm之間，例如約5mm。
在一些實施例中，一旦決定了第二高度H2 ，控制單元101可以決定CMP漿料103要添加到漿料儲存池115的補充體積，以將漿料儲存池115的水平從第一水平L1 提升到第二水平L2 。基於補充體積，控制單元101可指示第一幫浦P1和第一閥V1使一定量的CMP漿料103從供應槽107流入腔室113，直到補充體積的CMP漿料103添加到漿料儲存池115為止。因此，平台207浸沒在漿料儲存池115中，且研磨墊205的上表面在第二水平L2 下方至少第二高度H2 處。
一旦平台207浸沒在漿料儲存池115中，控制單元101就藉由指示研磨頭203將工件123降低到漿料儲存池115中，且在將工件123的表面按壓到研磨墊205的上表面中之時開始旋轉工件123，以開始工件123的期望CMP製程。當工件123藉由研磨頭203旋轉並且研磨墊205在工件123下方旋轉時，研磨頭203還可以藉由沿著研磨墊205的表面徑向移動工件123來操縱工件123。在期望CMP製程期間，當研磨墊205浸沒在漿料儲存池115內，並且工件123的表面下降到漿料儲存池115中並與研磨墊205接觸時，CMP漿料103均勻分佈在工件123的表面和研磨墊205之間的界面(例如晶圓與研磨墊的界面)處。因此，不用像在漿料滴落點(slurry drop point)將CMP漿料103從漿料臂分配到研磨墊上的腔室設計中需要使用的額外時間(例如5秒或更多秒)來均勻地分佈CMP漿料103。從而可以節省使用腔室113和漿料儲存池115的期望CMP製程的時間。
如第3圖所示，在工件123的表面和研磨墊205的表面的一部分之間形成晶圓/墊的界面301，所述兩個表面在漿料儲存池115的上表面下方被壓在一起。因此，在工件123的期望CMP製程期間，漿料儲存池115的CMP漿料103均勻地分佈在晶圓/墊的界面301處。當旋轉的工件123被壓入研磨墊205的表面時，晶圓/墊的界面301保持在漿料儲存池115的上表面下方，從而在工件123的CMP期間提供CMP漿料103的均勻分佈。在晶圓/墊的界面301處，研磨墊205以及工件123的表面的相對運動與CMP漿料103的一或多個漿料添加劑(例如磨料顆粒及/或反應性化學品)的耦合允許CMP製程藉由物理力和化學力來平坦化工件123的表面。藉由將CMP漿料103均勻地分佈在晶圓/墊的界面301處，可以在短的研磨時間內實現工件123的高度受控的平坦化。
此外，根據所需的CMP配方，研磨頭203可以向工件123施加向下的力，以在工件123旋轉時迫使工件123進入研磨墊205中以保持晶圓/墊的界面301。在一些實施例中，施加的向下力在整個晶圓/墊的界面301上是均勻的。在其他實施例中，基於所需CMP配方，研磨頭203可以施加對應於工件123的局部厚度的局部向下力。施加的局部向下力在晶圓/墊的界面301上可以是不均勻的。
根據一些實施例，根據所需的CMP配方，平台207向工件123施加反作用力，以迫使研磨墊205抵靠工件123並防止工件123彎曲，同時在研磨墊205旋轉時保持晶圓/墊的界面301。在一些實施例中，由平台207施加到研磨墊的反作用力可以在約0.6psi和約6psi之間，例如約3psi。
在一些實施例中，研磨頭203和平台207可以根據所需CMP配方執行工件123的表面的高速研磨。當對工件123的表面進行高速研磨時，研磨頭203可使工件123以約30rpm至約170rpm的速度旋轉，例如約90rpm，並且平台207可使研磨墊205在約30rpm至約170rpm的速度下旋轉，例如約90rpm。因此，可以在約0秒至約180秒之間的研磨時間內進行工件123表面的高速研磨，例如約90秒的時間。
第4圖示出根據一些實施例的執行工件123的CMP製程的另一實施例。在此實施例中，研磨墊205可以在腔室113內降低，而非提高腔室113內的漿料儲存池115的水平。這種相對於漿料儲存池115的運動允許了將研磨墊205的表面浸沒到漿料儲存池115中的另一種方法。
在所述實施例中，一旦如前述關於第2圖所討論的準備了腔室113，控制單元101可以決定第二距離D2 以將研磨墊205從第一高度H1 降低到第三高度H3 ，第三高度H3 是在漿料儲存池115的表面下方期望的第一距離D1 。根據一些實施例，根據所需的CMP配方，可以基於第一高度H1 、漿料儲存池115的表面的第一水平L1 、和第一水平L1 下方的期望第一距離D1 來決定第一距離D1 。
一旦確定了第二距離D2 ，控制單元101可以將研磨墊205降低第二距離D2 至第三高度H3 。一旦研磨墊205降低到第三高度H3 ，則研磨墊205浸沒在漿料儲存池115內，且研磨墊205的上表面佈置在漿料儲存池115的表面下方期望的第一距離D1 處。在一些實施例中，第三高度H3 可以在約80mm和約120mm之間，例如約100mm。然而，任何合適於執行工件123的期望CMP製程的高度皆可作為第三高度H3 。在一些實施例中，第一距離D2 可以在約60mm和約100mm之間，例如約80mm。然而，任何合適於執行工件123的期望CMP製程的距離皆可作為第二距離D2 。
一旦平台207浸沒在漿料儲存池115中，控制單元101就藉由指示研磨頭203將工件123降低到漿料儲存池115中，且在將工件123的表面按壓到研磨墊205的上表面中之時開始旋轉工件123來開始工件123的期望CMP製程。根據所需的CMP配方，當藉由以研磨頭203旋轉工件123並且當研磨墊205在工件123下方旋轉時，研磨頭203還可以藉由沿著研磨墊205的表面徑向移動工件123來操縱工件123。
如第4圖中進一步所示，晶圓/墊的界面301形成在工件123的表面和一部分研磨墊205的表面之間，且這兩個表面在漿料儲存池115的上表面下方被壓在一起。因此，在工件123的期望CMP製程期間，漿料儲存池115的CMP漿料103均勻地分佈在晶圓/墊的界面301處。當旋轉的工件123被壓入研磨墊205的表面中時，晶圓/墊的界面301保持在漿料儲存池115的上表面下方，從而在工件123的CMP製程期間提供CMP漿料103的均勻分佈。在晶圓/墊的界面301處，研磨墊205以及工件123的表面的相對運動與CMP漿料103的一或多個漿料添加劑(例如磨料顆粒及/或反應性化學品)的耦合允許CMP製程藉由物理力和化學力來平坦化工件123的表面。藉由將CMP漿料103均勻地分佈在晶圓/墊的界面301處，可以在短的研磨時間內實現工件123的高度受控的平坦化。
在一些實施例中，控制單元101監測並分析漿料儲存池115的水平。為了保持漿料儲存池115的水平並且在CMP製程期間保持工件123浸沒在漿料儲存池115內，控制單元101可以控制一或多個閥V1-V3以及一或多個幫浦P1-P3以調節CMP漿料103、過濾過的漿料131、和使用過的漿料127流入和流出腔室113。將工件123維持浸沒在漿料儲存池115內以確保CMP漿料103在晶圓/墊的界面301處保持均勻分佈，並避免在CMP製程期間不均勻的漿料分佈，這允許對工件123的表面進行高度控制的晶圓內(within wafer，WiW)平整化。在一些實施例中，可以將晶圓內平整化控制在大約100Å到大約30Å之間的變化範圍內，例如大約50Å。
本揭露的CMP製程系統100和方法的實施例提供了改進的研磨穩定性和改進的晶圓內厚度控制，即使在使用短研磨時間(例如約1-3秒)時也是如此。此外，可以使腔室113內的空間最小化，並且可以基於腔室113的設計實現材料成本，從而允許CMP漿料經由佈置在腔室113的底部或附近的進料口111以及輸出口125流入和流出腔室113。藉由在漿料儲存池115的表面下方執行工件123的CMP製程，而非使用漿料臂和噴嘴將CMP漿料103分配到研磨墊205的頂表面上的漿料滴落點，可以進一步節省空間和成本。此外，在漿料儲存池115的表面下方執行工件123的CMP製程允許CMP漿料103在晶圓/墊的界面301處均勻分佈。然而，當在研磨墊205的表面上的滴落點處使用漿料臂分配漿料時，在晶圓/墊的界面301處會發生漿料的不均勻分佈。從漿料臂分配的漿料的不均勻分佈是因為漿料滴落點的位置與晶圓/墊的界面301的位置之間的差異所引起的。藉由在漿料儲存池115中重複使用和回收CMP漿料103，也可以進一步的節省成本和增加生產效率。
即使在晶圓/墊的界面301存在不同表面型態(topography)的情況下(例如由於研磨墊205的粗糙度及/或由於晶圓內表面的粗糙度)，CMP製程系統100也提供高度均勻的研磨行為以及增加的製程穩定性。此外，即使在使用會導致研磨墊205彎曲的顯著的研磨向下力時或即使在使用短的研磨時間(例如約1-2秒)時，CMP製程系統100也提供高度均勻的研磨行為以及增加的製程穩定性。因此，當使用具有漿料儲存池115的腔室113時，實現了改進的晶圓內厚度控制，從而進一步提高了良率。
第5圖示出根據一些實施例的漿料儲存池115的清除。一旦完成工件123的期望CMP製程，則CMP製程系統100控制研磨頭203以抬起工件123遠離研磨墊205，從而使工件123與研磨墊205不接觸，並消除晶圓/墊的界面301，如第3圖和第4圖所示。如前述關於第1圖所詳細討論的，一旦工件123被抬起並與研磨墊205不接觸，則可以通過腔室113的輸出口125從腔室113清除漿料儲存池115的使用過的漿料127。
本揭露一些實施例係關於經由包括漿料儲存池115的腔室113以改善晶圓內性能的CMP製程系統100和CMP研磨方法。在一些實施例中，所述系統包括設計成允許在CMP製程期間使漿料在晶圓/墊的界面301處均勻分佈，並且避免漿料在晶圓/墊的界面301處由於墊與晶圓界面的位置與漿料滴落點的位置之間的差異而發生不均勻分佈的腔室113。即使在存在晶圓/墊粗糙度的不同表面型態及/或晶圓到晶圓(wafer-to-wafer，WtW)表面的不同表面型態的情況下、即使在使用會導致研磨墊205彎曲的顯著的研磨向下力時、且即使在使用短的研磨時間(例如約1-2秒)時，CMP製程系統100也提供高度均勻的研磨行為並增加製程穩定性。由於CMP製程系統100增加製程穩定性以及高度均勻的研磨行為，因此可以實現內晶圓厚度分佈改進的控制。
第6圖示出根據一些實施例的使用第2圖的腔室執行工件的清潔處理的方法。如前述關於第5圖所討論的，一旦已從腔室113清除所有漿料，控制單元101可以控制工件123的清潔處理。因此，控制單元101可以指示閥V1-V4和幫浦P1-P5從供應槽107供應清潔溶液603，或者例如從漿料分配系統90的清潔溶液供應槽600供應清潔溶液603。根據一些實施例，清潔溶液603可包含例如去離子水、SC-1、NH4 OH、HF、檸檬酸(citric acid)或其他化學品中的一或多者。
可以經由連接在漿料分配系統90的第二多埠歧管657之間的清潔溶液進料線609來提供清潔溶液603，以流過腔室113的進料口111。當清潔溶液603繼續流入腔室113時，在腔室113中形成清潔溶液儲存池615。根據一些實施例，在工件123的清潔處理期間，控制單元101可以控制清潔溶液儲存池615的水平、以及研磨頭203及/或平台207的操縱。
如第6圖中所示，控制單元101可以決定一開始在工件123的清潔處理期間清潔溶液儲存池615的表面將會被升高到的第三水平L3 。在一些實施例中，期望的配方可以指定第三水平L3的固定水平，在清潔墊605的上表面上方的固定高度係用以作為第三水平L3 。可以藉由控制單元101，並使用上述用於決定研磨墊205的上表面和漿料儲存池115的表面的高度的方法，來決定清潔墊605的上表面的高度和清潔溶液儲存池615的表面的水平。
一旦平台207浸沒在清潔溶液儲存池615中，控制單元101藉由指示研磨頭203將工件123降低到清潔溶液儲存池615中，並在將工件123的表面按壓到清潔墊605的上表面中同時開始旋轉工件123來開始工件123期望的清潔處理。當藉由研磨頭203旋轉工件123並且清潔墊605在工件123下方旋轉時，研磨頭203還可以藉由沿著清潔墊605的表面徑向移動工件123來操縱工件123。在期望的清潔處理期間，將清潔墊605浸沒在清潔溶液儲存池615中並且工件123的表面下降到清潔溶液儲存池615中並與清潔墊605接觸，清潔溶液603均勻地分佈在位於工件123的表面和清潔墊605之間的晶圓/墊的界面(例如晶圓/墊的清潔界面601)。
如第6圖所示，在工件123的表面和清潔墊605的表面的一部分之間形成晶圓/墊的清潔界面601，而所述兩個表面在清潔溶液儲存池615的上表面下方被壓在一起。因此，清潔溶液儲存池615的清潔溶液603在工件123期望的清潔處理期間均勻地分佈在晶圓/墊的清潔界面601處。當旋轉的工件123被壓入清潔墊605的表面中時，晶圓/墊的清潔界面601保持在清潔溶液儲存池615的上表面下方，從而在清潔處理工件123時提供清潔溶液603的均勻分佈。清潔墊605和在晶圓/墊的清潔界面601處與清潔溶液603耦合的工件123的表面的相對運動允許清潔處理藉由物理和化學力從工件123的表面去除廢物和雜質。因為清潔溶液603均勻地分佈在晶圓/墊的清潔界面601處，可以在短的清潔時間內實現對工件123的高度控制的清潔處理。
在一些實施例中提供一種研磨方法，包括：在腔室中將半導體晶圓附接到研磨頭；將研磨墊放置在腔室中的平台上；將漿料流動到腔室中以形成漿料儲存池；以及在半導體晶圓以及研磨墊之界面進行化學機械研磨製程，且界面位在漿料儲存池之上表面下方。在一些實施例中，研磨方法更包括在進行化學機械研磨製程之前提升漿料儲存池的表面，以覆蓋研磨墊之表面。在一些實施例中，研磨方法更包括將研磨頭降低到漿料儲存池中以形成界面。在一些實施例中，研磨方法更包括在進行化學機械研磨製程之前降低研磨頭，以藉由漿料覆蓋研磨墊之表面。在一些實施例中，研磨方法更包括將研磨頭降低到漿料儲存池中以形成界面。在一些實施例中，研磨方法更包括：從腔室清除漿料；以及將清潔溶液流入腔室中以形成清潔溶液儲存池。
在一些實施例中提供一種研磨方法，包括：將基板固定到腔室中的研磨頭的晶圓承載座；將研磨墊附接到室中之平台，研磨墊之上表面係在第一高度；在腔室中形成漿料儲存池，漿料儲存池之上表面係在低於第一高度之水平；降低平台以將研磨墊浸沒到漿料儲存池中；以及在低於漿料儲存池之上表面的基板之表面上進行化學機械研磨製程。在一些實施例中，形成漿料儲存池的操作包括在低於平台之一個點將漿料流入腔室中。在一些實施例中，研磨方法更包括：從腔室清除漿料儲存池之第一漿料；將第二漿料流入腔室中以在腔室中形成第二漿料儲存池；以及在第二漿料儲存池之上表面下方進行第二化學機械研磨製程。在一些實施例中，第二漿料與第一漿料不同。在一些實施例中，研磨方法更包括：過濾從腔室中清除的第一漿料以提供過濾過的漿料；以及使用至少一部分過濾過的漿料作為第二漿料。在一些實施例中，研磨方法更包括：過濾從腔室中清除的第一漿料以提供過濾過的漿料；混合補償溶液以恢復在過濾過的漿料中之耗盡的漿料添加劑以形成回收漿料；以及使用回收漿料作為第二漿料。在一些實施例中，進行化學機械研磨製程的操作包括將基板降低到漿料儲存池中。在一些實施例中，研磨方法更包括：從腔室清除漿料儲存池之漿料；將清潔溶液流入腔室中以在腔室中形成清潔溶液儲存池；以及在清潔溶液儲存池之上表面下方進行清潔處理。
在一些實施例中提供一種研磨系統，包括：腔室，包括漿料進料口；平台，容納在腔室中；以及研磨墊，容納在腔室中，其中研磨墊之上表面位在腔室之底表面上方，且漿料進料口之輸送口位在研磨墊之上表面下方。在一些實施例中，研磨系統更包括水平感應器，位在腔室中。在一些實施例中，水平感應器至少部分位在研磨墊上方。在一些實施例中，研磨系統更包括漿料儲存池，位在腔室中，且漿料儲存池覆蓋研磨墊。在一些實施例中，研磨系統更包括馬達，以在第一方向上移動研磨墊，且第一方向垂直研磨墊之旋轉運動。在一些實施例中，研磨系統更包括：過濾器，連接腔室之一出口；以及恢復系統。
上述內容概述許多實施例的特徵，因此任何所屬技術領域中具有通常知識者，可更加理解本揭露之各面向。任何所屬技術領域中具有通常知識者，可能無困難地以本揭露為基礎，設計或修改其他製程及結構，以達到與本揭露實施例相同的目的及/或得到相同的優點。任何所屬技術領域中具有通常知識者也應了解，在不脫離本揭露之精神和範圍內做不同改變、代替及修改，如此等效的創造並沒有超出本揭露的精神及範圍。
90:漿料分配系統 100:CMP製程系統 101:控制單元 103:CMP漿料 105:供應線 107:供應槽 108:攪拌器 109:導管 111:進料口 112:輸送口 113:腔室 115:漿料儲存池 123:工件 125:輸出口 127:使用過的漿料 129:漿料過濾器 131:過濾過的漿料 133:補償溶液 150:漿料恢復系統 151:補償槽 153:流動釋放閥 157:多重輸入岐管 200:漿料廢物處理系統 201:晶圓載具 203:研磨頭 205:研磨墊 207:平台 215:棄置管線 301:晶圓/墊的界面 600:清潔溶液供應槽 601:晶圓/墊的清潔界面 603:清潔溶液 605:清潔墊 609:清潔溶液進料線 615:清潔溶液儲存池 657:第二多埠歧管 D1:第一距離 D2:第二距離 H1:第一高度 H2:第二高度 H3:第三高度 In1:第一入口 In2:第二入口 In3:第三入口 L1:第一水平 L2:第二水平 L3:第三水平 P1:第一幫浦 P2:第二幫浦 P3:第三幫浦 P4:第四幫浦 P5:第五幫浦 S1:第一感應器 S2:第一感應器 S3:第一感應器 V1:第一閥 V2:第二閥 V3:第三閥 V4:第四閥
以下將配合所附圖式詳述本揭露之實施例。應注意的是，依據在業界的標準做法，多種特徵並未按照比例繪示且僅用以說明例示。事實上，可能任意地放大或縮小元件的尺寸，以清楚地表現出本揭露的特徵。 第1圖示出根據一些實施例的CMP製程系統和方法。 第2圖示出根據一些實施例CMP製程的準備方法和腔室的細節。 第3圖示出根據一些實施例的使用第2圖的腔室執行工件的CMP製程的方法。 第4圖示出根據一些實施例的使用第2圖的腔室執行工件的CMP製程的方法。 第5圖示出根據一些實施例的從腔室清除漿料儲存池的操作。 第6圖示出根據一些實施例的使用第2圖的腔室執行工件的清潔處理的方法。
112:輸送口
113:腔室
115:漿料儲存池
123:工件
201:晶圓載具
203:研磨頭
205:研磨墊
207:平台
301:晶圓/墊的界面
H1:第一高度
H2:第二高度
L1:第一水平
L2:第二水平
S1:第一感應器
V1:第一閥
V2:第二閥

Claims (10)

  1. 一種研磨方法，包括：在一腔室中將一半導體晶圓附接到一研磨頭；將一研磨墊放置在該腔室中的一平台上；將一漿料流入該腔室中以形成一漿料儲存池，其中在將該漿料流入該腔室之後，該漿料儲存池具有一上表面，該上表面從該腔室的一第一側至一第二側為一平面，該第一側與該第二側相反；以及在該半導體晶圓以及該研磨墊間之一界面進行一化學機械研磨製程，且該界面位在該漿料儲存池之該上表面下方。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的研磨方法，更包括在進行該化學機械研磨製程之前提升該漿料儲存池的表面，以覆蓋該研磨墊之一表面。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的研磨方法，更包括將該研磨頭降低到該漿料儲存池中以形成該界面。
  4. 一種研磨方法，包括：將一基板固定到一腔室中的一研磨頭的一晶圓承載座；將一研磨墊附接到該腔室中之一平台，該研磨墊之一上表面係在一第一高度；在該腔室中形成一漿料儲存池，該漿料儲存池之一上表面係在低於該第一高度之一水平；在該腔室中形成該漿料儲存池之後，降低該平台以將該研磨墊浸沒到該漿料儲存池中，降低該平台的操作改變該平台相對於該腔室之一底表面的相對位置；以及在低於該漿料儲存池之該上表面的該基板之一表面上進行一化學機械研磨製程。
  5. 如申請專利範圍第4項所述的研磨方法，其中形成該漿料儲存池的操作包括在低於該平台之一個點將一漿料流入該腔室中。
  6. 如申請專利範圍第4項所述的研磨方法，更包括：從該腔室清除該漿料儲存池之一第一漿料；將一第二漿料流入該腔室中以在該腔室中形成一第二漿料儲存池；以及在該第二漿料儲存池之一上表面下方進行一第二化學機械研磨製程，其中該第二漿料與該第一漿料不同。
  7. 如申請專利範圍第6項所述的研磨方法，更包括：過濾從該腔室中清除的該第一漿料以提供一過濾過的漿料；以及使用至少一部分該過濾過的漿料作為該第二漿料。
  8. 如申請專利範圍第6項所述的研磨方法，更包括：過濾從該腔室中清除的該第一漿料以提供一過濾過的漿料；混合一補償溶液以恢復在該過濾過的漿料中之耗盡的多個漿料添加劑以形成一回收漿料；以及使用該回收漿料作為該第二漿料。
  9. 一種研磨系統，包括：一腔室，包括一漿料進料口；一平台，容納在該腔室中；以及一研磨墊，容納在該腔室中，其中該研磨墊之一上表面位在該腔室之一底表面上方，且該漿料進料口之一輸送口位在該研磨墊之該上表面下方。
  10. 如申請專利範圍第9項所述的研磨系統，更包括一水平感應器、一漿料儲存池、一馬達、一過濾器、以及一恢復系統，其中該水平感應器位在該腔室中，該水平感應器至少部分位在該研磨墊上方，該漿料儲存池位在該腔室中，且該漿料儲存池覆蓋該研磨墊，該馬達在一第一方向上移動該研磨墊， 該第一方向垂直該研磨墊之一旋轉運動，且該過濾器連接該腔室之一出口。
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