TWI744731B - 抗液體干擾觸控面板的觸控位置判斷方法 - Google Patents
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Abstract
本發明揭露一種抗液體干擾觸控面板的觸控位置判斷方法,包含下列步驟:判斷一觸控裝置的一觸控介面上是否有液體;讀取該觸控介面產生的複數自電容信號;判斷該觸控物件是否觸碰該觸控介面存在液體的區域;座標報點;本發明在該觸控裝置的觸控介面存在液體時僅讀取自電容信號作為座標報點的依據,捨棄容易受到液體干擾的互電容信號,能準確判讀該觸控物件在觸控介面上的位置,讓使用者在該觸控介面上存在液體依然能準確操作該觸控裝置。
Description
一種判斷觸控位置的方法,尤其是指一種在觸控裝置的介面上存在液體時讀取自電容信號,以避免互電容信號干擾的抗液體干擾觸控面板的觸控位置判斷方法。
現有觸控裝置的觸控技術皆以電容感測技術進行觸控座標計算及各種情境的適應及辨識,例如在觸控裝置上使用厚手套、乳膠手套、被動筆、厚Cover Lens、多手指進行操作,或是在防水環境下使用。然而當使用者使用濕手指操作該觸控裝置,或是在下雨天操作該觸控裝置,使觸控裝置的屏幕上有靜止水時,手指觸碰含水的屏幕區域則會產生多處誤報現象。產生多處誤報現象的原因主要源自於電容感測技術中所使用的互電容對水的抗水性效果不佳,在有水的環境下互電容感測技術無法有效且正確地解析手指位置,還會發生多處誤報手指訊號的問題。請參見圖10,為單指觸碰觸控介面所產生的互電容數據分布圖,由圖中可發現有三筆互電容原始數據(Raw data)91、92、93的高度相近,且其他筆互電容原始數據會呈現接近環狀等高數據,並沒有一個較突出的最大值。因此當手觸碰含水區域,觸控裝置無法根據互電容原始數據精準識別手指訊號位置。
為能在觸控裝置的螢幕在含液體的狀態下可藉由自電容感應的變化判讀手指觸控位置,本發明揭露一種抗液體干擾觸控面板的觸控位置判斷方法,藉由在觸控裝置的螢幕上存在液體時僅讀取自電容感應的變化量,忽略互電容感應的變化量,以利用自電容抗液體干擾性強的特性正確操作觸控裝置。
為達成上述目的,本發明之抗液體干擾觸控面板的觸控位置判斷方法,係由一觸控裝置的一處理單元執行,其中該觸控裝置包含具有複數感應線的一觸控介面,該方法包含下列步驟:判斷該觸控介面上是否存在液體,其中該處理單元執行一防水演算法以判斷該觸控介面上是否存在液體;當該觸控介面上存在液體,讀取該觸控介面產生的複數自電容信號,該觸控裝置僅執行自電容掃描,讀取一觸控物件在該觸控介面的一觸控位置上產生的該複數自電容信號;當該觸控介面上不存在液體,則該觸控裝置感測該觸控介面的該複數自電容信號及複數互電容信號;判斷該觸控位置是否位於該觸控介面存在液體的區域,包含:若該觸控裝置有一第一數量的感應線產生該複數自電容信號,則該觸控位置是位於該觸控介面無液體的區域;以及若該觸控裝置有一第二數量的感應線產生該複數自電容信號,則該觸控位置是位於該觸控介面存在液體的區域,其中該第一數量小於該第二數量;座標報點,根據該複數自電容信號對應的該複數感應線的位置計算該觸控位置的座標。
本發明的技術手段在觸控介面上含液體干擾環境下進行單指觸控操作,並僅讀取自電容信號作為座標報點的依據,捨棄容易受到液體干擾的互電容信號,能準確判讀手指在觸控介面上的位置,相當程度地維持與無液體
干擾下的報點精確度,避免因讀取到易受液體干擾的互電容信號造成座標判讀錯誤。另外,在其他各種情境仍可維持原有的觸控感應技術,進行自電容+互電容感測技術。藉由本發明的方法,可讓觸控裝置在有液體或無液體等其他操作環境下仍然保持辨識手指訊號及解析手指座標位置的精準度。
10:觸控裝置
11:電容感應單元
13:處理單元
21:X軸感應線
22:Y軸感應線
23:觸碰位置
70:觸控裝置
91~93:互電容原始數據
W:水
F:手指
圖1:觸控裝置存在液體之自電容原始資料第一長條圖。
圖2:觸控裝置存在液體之自電容原始資料第二長條圖。
圖3:本發明之觸控裝置方塊示意圖。
圖4:本發明之步驟流程圖。
圖5:本發明之「讀取該複數自電容信號」子步驟流程圖。
圖6:本發明之觸控裝置未存在水之自電容原始資料長條圖。
圖7:本發明之觸控裝置存在水之自電容原始資料長條圖。
圖8:本發明之座標報點示意圖。
圖9:本發明之「判斷該觸控位置是否位於該觸控介面存在液體的區域」及「座標報點」子步驟流程圖。
圖10:單指觸碰觸控介面所產生的互電容數據分布圖。
本發明揭露一種抗液體干擾觸控面板的觸控位置判斷方法,係採用自電容感應的方式在觸控裝置的屏幕上存在液體時依然可獲得較佳的觸控體驗。首先先介紹本發明的實驗流程,為方便說明,以下實驗用的液體皆用水
進行測試,但不以水為限,凡是導電度低於700μ S/cm的液體,例如自來水、雨水,皆能適用本發明的方法。
請參見圖1,在單純自電容模式中,由於自電容的抗水性效果較強,即便屏幕上存在水,依然可透過自電容變化判斷手指位置,如圖1所示,可以看到當手指F觸摸觸控裝置70屏幕的某含水處時,X軸自電容的raw data在靠近座標X=0的位置時變化較大,Y軸自電容的raw data在靠近座標Y=31的位置時變化較大,藉此可大致辨別手指觸碰在(0,31)的位置;如圖2所示,當手指F觸摸觸控裝置70屏幕的另一含水處時,X軸自電容的raw data在靠近座標X=19的位置時變化較大,Y軸自電容的raw data在靠近座標Y=31的位置時變化較大,藉此可大致辨別手指觸碰在(19,31)的位置。也就是說當手指觸碰存在水的屏幕區域時,透過自電容的變化依然可以明顯辨別手指觸碰左右方向的變化,而手指F的位置即為X軸自電容的最大值及Y軸自電容的最大值位置。由上述實驗可知,在觸控裝置的屏幕上存在水的情形下,採用純自電容感測技術仍然可提供準確的座標報點。
請參見圖3,在上述的實驗基礎下,本發明揭露一種抗液體干擾觸控面板的觸控位置判斷方法,係應用於電容式的一觸控裝置10,其中該觸控裝置10包含一觸控介面。本發明能在該觸控介面上有液體時依然可辨識觸控物件的訊號及解析觸控物件於液體中的座標位置,讓使用者在操作該觸控介面時,該觸控介面能維持正常的觸控操作。該觸控裝置10可為一智慧型手機或平板,該觸控物件可為手指或觸控筆。
本發明所使用的該觸控裝置10包含一電容感應單元11及一處理單元13,該電容感應單元11電性連接該處理單元13。該電容感應單元11用以感測來自該觸控介面的複數自電容信號及複數互電容信號,其中該複數自電容信號與該複數互電容信號皆為該觸控物件觸控該觸控介面時該觸控物件與該觸控
介面之間所形成的電容值;該處理單元13係可執行一座標演算法及一防水演算法,其中該座標演算法用以判斷觸控物件觸擊在該觸控介面上何處,該防水演算法用以判斷該觸控介面上是否有水;在一較佳實施例中,該電容感應單元11為一2D電容感應器,其可執行自電容及互電容感測技術;該處理單元13為一微處理器(MCU),具體來說該處理單元13可為Microchip maXTouch 640U的觸控IC,或為STM32 MCU。另外,該處理單元13亦可執行一人工智慧(AI)演算法判斷該觸控介面上是否有水。
在進行實驗時,該複數自電容信號及該複數互電容信號皆以原始數據(raw data)呈現,但不以此為限。
進一步而言,由於一般的該觸控裝置10具有互相垂直的複數X軸感應線及複數Y軸感應線,該觸控裝置10係藉由掃描該觸控物件在哪幾條X軸感應線及Y軸感應線影響電容值的變化,使每條X軸感應線分別產生一X軸自電容信號,每條Y軸感應線分別產生一Y軸自電容信號,藉此判斷該觸控物件觸控的位置,因此具體來說,該複數自電容信號包含了複數X軸自電容信號以及複數Y軸自電容信號。
請參見圖4,本發明包含下列步驟:S10:判斷該觸控介面上是否有液體;S20:讀取該觸控介面產生的該複數自電容信號;S30:判斷該觸控位置是否位於該觸控介面存在液體的區域;S40:座標報點。
在步驟S10中,該處理單元13係執行該防水演算法以判斷該觸控介面上是否存在液體。若該觸控介面上不存在液體,則該電容感應單元11感測該觸控介面的該複數自電容信號及該複數互電容信號,使該觸控裝置10維持一般狀態的運作。若該觸控介面上存在液體,則執行步驟S20。
在步驟S20中,由於該觸控介面上存在液體,因此該處理單元13僅讀取該複數自電容信號而不讀取該複數互電容信號,換句話說,該處理單元13僅執行自電容掃描。如此可只讀取辨識率較高的該複數自電容信號,捨棄辨識率較低的該複數互電容信號,使該觸控裝置10不易受到液體的干擾而導致無法操作。
請進一步參見圖5,在本發明的較佳實施例中,為使存在液體的該觸控裝置10在報點時能更加準確,在步驟S20裡更可包含以下子步驟:S21:判斷最大值的該X軸自電容信號是否大於一X軸自電容閾值,且最大值的該Y軸自電容信號是否大於一Y軸自電容閾值;S22:判斷是否有兩筆以上的該複數X軸自電容信號高於該X軸自電容閾值,且是否有兩筆以上的該複數Y軸自電容信號高於該Y軸自電容閾值。
在步驟S21中,首先分別取出該複數X軸自電容信號的最大值及該複數Y軸自電容信號的最大值,接著分別比較該複數X軸自電容信號的最大值是否大於該X軸自電容閾值,以及比較該複數Y軸自電容信號的最大值是否大於該Y軸自電容閾值。當該複數X軸自電容信號的最大值大於該X軸自電容閾值,且該複數Y軸自電容信號的最大值於該Y軸自電容閾值,則繼續執行步驟S22;反之,若其中一筆最大值的自電容信號未大於自電容閾值,則判斷該複數X軸自電容信號及該複數Y軸自電容信號為誤動作,該觸控裝置10不進行報點。舉例來說,該X軸自電容閾值的raw data=3000,該Y軸自電容閾值的raw data=2000,若該複數X軸自電容信號的最大值≧3000,且該複數Y軸自電容信號的最大值≧2000,則執行步驟S22;若該複數X軸自電容信號的最大值<3000,或者該複數Y軸自電容信號的最大值<2000,則不進行座標報點。
為方便說明,先以該觸控裝置10沒有液體的狀態為說明例。請參見圖6,由於該觸控裝置10上未存在液體,該複數X軸自電容信號的最大值落在X=7上,且該X軸自電容信號的raw data=3993≧3000,代表X軸的座標為7;該複數Y軸自電容信號的最大值落在Y=25上,且該Y軸自電容信號的raw data=3000≧3000,代表Y軸的座標為25。
請參見圖7,若該觸控裝置10上存在液體w,該複數X軸自電容信號的最大值落在X=9上,且該X軸自電容信號的raw data=9349≧3000,代表X軸的座標為9;該複數Y軸自電容信號的最大值落在Y=10上,且該Y軸自電容信號的raw data=4665≧3000,代表Y軸的座標為10。
在步驟S22中,為確保該觸控裝置10確實受到該觸控物件觸碰而動作,該處理裝置10會判斷該複數X軸自電容信號是否由兩條以上的X軸感應線產生,以及該複數Y軸自電容信號是否由兩條以上的Y軸感應線產生。
特別說明,在本發明中所使用的觸碰位置判斷方法。請參見圖8,該觸控裝置10包含互相垂直的複數X軸感應線21及複數Y軸感應線22,每條感應線21、22分別代表一個座標,例如圖8所示,各X軸感應線21分別代表Y0、Y1、Y2......等座標,各Y軸感應線22分別代表X0、X1、X2、X3等座標,且該觸控物件在該觸控裝置10的該觸控介面上產生一觸控位置23,該觸控位置23代表在該觸控介面上有產生該複數自電容信號的位置。該處理單元13會根據該觸控位置23在各感應線21、22上感應產生的電容變化判斷該觸控位置23的座標,例如圖8中,該觸控位置23在對應座標X0的該Y軸感應線22上產生電容變化的原始數據(raw data)為920,在對應座標X1的該Y軸感應線22上產生電容變化的原始數據為2511,在對應座標X2的該Y軸感應線22上產生電容變化的原始數據為1800,在對應座標X3的該Y軸感應線22上產生電容變化的原始數據為312,則對上述原始數據進行加權平均可得到該觸控位置23的X座標:
透過上述方法可得到該觸控位置23的座標為(1.27,0.66)。
請進一步參見圖9,在步驟S30中,若該複數感應線有一第一數量(例如3條)的感應線產生該複數自電容信號,意即,有該第一數量的感應線產生了該複數自電容信號,則該處理單元13判斷該觸控位置23是位於無液體的區域,並進行以下步驟:步驟S31:該處理單元13取出該複數自電容信號中的最大值為一第一自電容信號,以及取出一第二自電容信號。其中,該第二自電容信號可為該複數自電容信號中的次大值,或是與該第一自電容信號最相鄰的該自電容信號。
當執行步驟S31完畢後,則繼續執行步驟41:該處理單元13將該第一自電容信號與該第二自電容信號進行加權平均,得到該觸控位置23的座標。
具體來說,若該複數X軸感應線21及該複數Y軸感應線22中分別有該第一數量(例如各3條)的感應線21、22產生該複數X軸自電容信號及該複數Y軸自電容信號,則該處理單元13判斷該觸控位置23是位於無液體的區域,該處理單元13分別取出該複數X軸自電容信號的最大值為一第一X軸自電容信號與一第二X軸自電容信號進行加權平均,取出該複數Y軸自電容信號的最大值為一第一Y軸自電容信號與一第二Y軸自電容信號進行加權平均,得到該觸控位置23的座標,其中該第二X軸自電容信號、該第二Y軸自電容信號分別為該複數X軸自電容信號中的第二大值、該複數Y軸自電容信號中的第二大值,或
是與該第一X軸自電容信號最相鄰的該X軸自電容信號、與該第一Y軸自電容信號最相鄰的該Y軸自電容信號。
若該複數感應線有一第二數量(例如7條)的感應線產生該複數自電容信號,意即,有該第二數量的感應線產生了該複數自電容信號,則該處理單元13判斷該觸控位置23是位於有液體的區域,並進行以下步驟:S32:該處理單元13取出該複數自電容信號中的最大值為該第一自電容信號,以及取出除了該第一自電容信號以外的一第三數量的(例如三筆)自電容信號。其中,該第三數量的自電容信號可分別為該複數自電容信號中的第二、第三、第四大值,或是與該第一自電容信號最相鄰的三筆該自電容信號,但不以三筆自電容信號為限。該第三數量大於等於2。
當執行步驟S32完畢後,則繼續執行步驟42:該第一自電容信號與該第三數量的自電容信號進行加權平均,得到該觸控位置23的座標。
具體來說,若該複數X軸感應線21及該複數Y軸感應線22中分別有該第二數量(例如各7條)的感應線21、22產生該複數X軸自電容信號及該複數Y軸自電容信號,則該處理單元13判斷該觸控位置23是位於有液體的區域,該處理單元13分別取出該第一X軸自電容信號、該第一Y軸自電容信號,以及另外三筆X軸自電容信號、三筆Y軸自電容信號與該第一X軸自電容信號、該第一Y軸自電容信號進行加權平均,得到該觸控位置23的座標。其中該第一數量介於0與該第二數量之間(0<第一數量<第二數量)。
判斷該觸控位置23是否存在液體的原因在於,若該觸控物件以手指F為例,一般手指觸控該觸控裝置10所產生的範圍大約為長寬各10~15mm,而相鄰之兩X軸感應線21或相鄰之兩Y軸感應線22距離約為3.97mm,也就是說手指觸碰到該觸控裝置10時大約會有三條X軸感應線21及三
條Y軸感應線22會產生感應,因此若手指觸碰該觸控裝置10時有該第一數量的感應線反應(較佳為3條),則判斷該觸控位置23無液體。
但若手指觸碰到存在液體的位置,由於液體的導電特性會使手指的信號不僅僅限於該觸碰位置23上,還會擴散至其他存在液體區域,導致產生該複數自電容信號的區域變大,該複數自電容信號的筆數也會變多。經實驗顯示,當手指觸碰到該觸控介面存在液體的區域內,會有7條的X軸感應線21及7條Y軸感應線22感應到該觸控位置。為消除因觸碰到液體所產生的其他干擾自電容信號,需取出該複數X軸自電容信號的最大值、該複數Y軸自電容信號的最大值,以及另外三筆X軸自電容信號、三筆Y軸自電容信號與該複數X軸自電容信號中的最大值、該複數Y軸自電容信號中的最大值進行加權平均,得到較精確的該觸控位置23的座標。
Claims (8)
- 一種抗液體干擾觸控面板的觸控位置判斷方法,係由一觸控裝置的一處理單元執行,其中該觸控裝置包含具有複數感應線的一觸控介面,該方法包含下列步驟:判斷該觸控介面上是否存在液體,其中該處理單元執行一防水演算法以判斷該觸控介面上是否存在液體;當該觸控介面上存在液體,讀取該觸控介面產生的複數自電容信號,該觸控裝置僅執行自電容掃描,讀取一觸控物件在該觸控介面的一觸控位置上產生的該複數自電容信號;當該觸控介面上不存在液體,則該觸控裝置感測該觸控介面的該複數自電容信號及複數互電容信號;判斷該觸控位置是否位於該觸控介面存在液體的區域,包含:若該觸控裝置有一第一數量的感應線產生該複數自電容信號,則該觸控位置是位於該觸控介面無液體的區域;以及若該觸控裝置有一第二數量的感應線產生該複數自電容信號,則該觸控位置是位於該觸控介面存在液體的區域,其中該第一數量小於該第二數量;座標報點,根據該複數自電容信號對應的該複數感應線的位置計算該觸控位置的座標。
- 如請求項1所述抗液體干擾觸控面板的觸控位置判斷方法,在座標報點的步驟中,若該觸控物件觸碰到該觸控介面無液體的區域,該處理單元執行:取出該複數自電容信號中的最大值為一第一自電容信號,以及取出一第二自電容信號與該複數自電容信號中的最大值進行加權平均,得到該觸控位置的座標,該第二自電容信號為該複數自電容信號中的次大值,或是與該第一自電容信號最相鄰的該自電容信號。
- 如請求項1所述抗液體干擾觸控面板的觸控位置判斷方法,在座標報點的步驟中,若該觸控物件觸碰到該觸控介面存在液體的區域,該處理單元執行:該處理單元取出該複數自電容信號中的最大值為一第一自電容信號,以及取出除了該第一自電容信號以外的一第三數量的自電容信號與該第一自電容信號中的最大值進行加權平均,得到該觸控位置的座標,該第三數量大於等於2。
- 如請求項3所述抗液體干擾觸控面板的觸控位置判斷方法,其中該複數感應線包含複數X軸感應線及複數Y軸感應線,每條X軸感應線分別產生一X軸自電容信號,每條Y軸感應線分別產生一Y軸自電容信號,該複數自電容信號包含了複數X軸自電容信號以及複數Y軸自電容信號;在讀取該觸控介面產生的該複數自電容信號的步驟中,更包含下列步驟:判斷最大值的該X軸自電容信號是否大於一X軸自電容閾值,且最大值的該Y軸自電容信號是否大於一Y軸自電容閾值;當最大值的該X軸自電容信號大於該X軸自電容閾值,且最大值的該Y軸自電容信號大於該Y軸自電容閾值,進行下一步驟;當其中一最大值的該自電容信號小於該自電容閾值,則不進行報點;判斷是否有兩筆以上的該複數X軸自電容信號高於該X軸自電容閾值,且是否有兩筆以上的該複數Y軸自電容信號高於該Y軸自電容閾值;若有兩筆以上的該複數X軸自電容信號高於該X軸自電容閾值,且有兩筆以上的該複數Y軸自電容信號高於該Y軸自電容閾值,則執行判斷該觸控位置是否位於該觸控介面存在液體的區域步驟;若無兩筆以上的該複數X軸自電容信號高於該X軸自電容閾值,或無兩筆以上的該複數Y軸自電容信號高於該Y軸自電容閾值,則不進行報點。
- 如請求項4所述抗液體干擾觸控面板的觸控位置判斷方法,在判斷該觸控物件是否觸碰該觸控介面存在液體的區域的步驟中:若該複數X軸感應線及該複數Y軸感應線中分別有該第一數量的感應線感應到了該觸控位置,則判斷該觸控位置是位於無液體的區域;若該複數X軸感應線及該複數Y軸感應線中分別有該第二數量的感應線感應到了該觸控位置,則判斷該觸控位置是位於存在液體的區域。
- 如請求項5所述抗液體干擾觸控面板的觸控位置判斷方法,在座標報點的步驟中,更進一步,該處理單元取出一第一X軸自電容信號與一第二X軸自電容信號進行加權平均,取出一第一Y軸自電容信號以及一第二Y軸自電容信號進行加權平均,得到該觸控位置的座標,其中:該第一X軸自電容信號為該複數X軸自電容信號中的最大值;該第一Y軸自電容信號為該複數Y軸自電容信號中的最大值;該第二X軸自電容信號為該複數X自電容信號中的第二大值或與該第一X軸自電容信號最相鄰的該X軸自電容信號;該第二Y軸自電容信號為該複數Y自電容信號中的第二大值或與該第一Y軸自電容信號最相鄰的該Y軸自電容信號。
- 如請求項6所述抗液體干擾觸控面板的觸控位置判斷方法,該處理單元分別取出該第一X軸自電容信號、該第一Y軸自電容信號,以及除了該第一X軸自電容信號、該第一Y軸自電容信號以外的該第三數量的該X軸自電容信號、該Y軸自電容信號進行加權平均,得到該觸控位置的座標。
- 如請求項7所述抗液體干擾觸控面板的觸控位置判斷方法,該第一數量為2,該第二數量為7,該第三數量為3。
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- 2019-12-03 TW TW108144138A patent/TWI744731B/zh active
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TW202122974A (zh) | 2021-06-16 |
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