TWI744180B - 電磁波透射結構、電磁波透射結構陣列及電磁波透射偏移方法 - Google Patents

電磁波透射結構、電磁波透射結構陣列及電磁波透射偏移方法 Download PDF

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Abstract

一種電磁波透射結構適用於將一電磁波匯聚，該電磁波透射結構包含一基板及一透射單元，該透射單元設置在該基板，該透射單元包括一個金屬環片，該金屬環片的一內徑加權平均數及一外徑加權平均數各自相關該電磁波的一波長、該電磁波透射結構與該電磁波匯聚至一焦點之間的一焦距，及該電磁波的一來源至該焦點之間的一入射距離，其中，該金屬環片環繞一圈的多個內徑及多個外徑變化趨勢相同，該等內徑分別對應的多個權值與一基準軸與該等內徑之間的多個參考夾角相關，該等外徑分別對應的多個權值與在該基準軸與該等外徑之間的該等參考夾角相關。

Description

電磁波透射結構、電磁波透射結構陣列及電磁波透射偏移方法
本發明係關於一種結構、一種陣列及一種方法，尤指一種電磁波透射結構、一種電磁波透射結構陣列及一種電磁波透射偏移方法。
在行動通訊系統中，由於電磁波的短波長和高損耗，以及建築物、樹木、家具、招牌等的遮蔽，常造成通訊的死角、暗區，或者訊號微弱的區域。 而現有的解決方法是採用增設基地台或強波器，因此，在布建基地台時，緊密布建成千上萬個小型基地台或強波器將成為一個花費巨額成本、大量人力的大工程，且也消耗相當大的電力，後續的維護工程更是費時又費工，甚至讓住在基地台附近的住戶有心理壓力。
爰此，本發明人為使一電磁波在傳輸路徑上增強能量且改變輻射方向，使該電磁波順利進入通訊死角，而提出一種電磁波透射結構、一種電磁波透射偏移方法及一電磁波透射結構陣列。
該電磁波透射結構適用於將一電磁波匯聚，該電磁波透射結構包含一基板及一透射單元，該透射單元設置在該基板，該透射單元包括一個金屬環片，該金屬環片的一內徑加權平均數及一外徑加權平均數各自將該電磁波的 一波長、該電磁波透射結構與該電磁波匯聚至一焦點之間的一焦距，及該電磁波的一來源至該焦點之間的一入射距離代入一函數獲得，其中，該金屬環片環繞一圈的多個內徑及多個外徑的變化趨勢相同，該等內徑分別對應的多個權值能從通過該金屬環片中心的一基準軸與該等內徑之間的多個參考夾角獲得，該等外徑分別對應的多個權值能從該基準軸與該等外徑之間的該等參考夾角獲得。
進一步，該金屬環片選自於一圓形、一橢圓形、一多邊形其中之一，該等函數分別為一內徑函數及一外徑函數，該內徑加權平均數及該外徑加權平均數分別能等效以下該內徑函數的一函數值及該外徑函數的一函數值。
Figure 110103068-A0305-02-0004-22
其中，hi為該內徑函數，ho為該外徑函數，c為該入射距離的二分之一，d為該焦距，λ為該波長。
進一步，該基板選自於一硬質板材、一軟質板材其中之一。
進一步，該透射單元呈現透明及不透明中其中一者。
進一步，在該基板為該軟質板材時，該基板捲繞呈一圓柱狀。
進一步，該電磁波透射結構還包含複數個極化單元，該等極化單元設置在該基板且位於該金屬環片內，其中，每一極化單元使該電磁波改變極化。
該電磁波透射結構適用於將一電磁波匯聚，該電磁波透射結構包含一基板及一透射單元，該透射單元設置在該基板，該透射單元包括複數個金 屬環片，該等金屬環片的一內徑加權平均數大小皆不同，該等金屬環片以同一中心地間隔排列，每一金屬環片的該內徑加權平均數及一外徑加權平均數各自將每一金屬環片相對於該中心排列的順序、該電磁波的一波長、該電磁波透射結構與該電磁波匯聚至一焦點之間的一焦距，及該電磁波的一來源至該焦點之間的一入射距離代入一函數獲得，其中，每一金屬環片環繞一圈的多個內徑及多個外徑變化趨勢相同，該等內徑分別對應的多個權值能從通過該金屬環片中心的一基準軸與該等內徑之間的多個參考夾角獲得，該等外徑分別對應的多個權值能從該基準軸與該等外徑之間的該等參考夾角獲得。
進一步，每一金屬環片選自於一圓形、一橢圓形、一多邊形其中之一，該等函數分別為一內徑函數及一外徑函數，每一金屬環片的該內徑加權平均數及該外徑加權平均數分別能等效以下該內徑函數的一函數值及該外徑函數的一函數值。
Figure 110103068-A0305-02-0005-23
其中，n為相對於該中心依照由內至外的順序中第n個金屬環片，hni為第n個金屬環片的該內徑函數，hno為第n個金屬環片的該外徑函數，c為該入射距離的二分之一，d為該焦距，λ為該波長。
該電磁波透射偏移方法包含以下步驟。
將一電磁波入射上述之電磁波透射結構，該電磁波入射該電磁波透射結構後偏移一角度射出，該角度介於-25度至25度之間，當該電磁波的一入射方向與該電磁波透射結構的一法向量平行，該電磁波入射該電磁波透射結構 後偏移至與該法向量夾該角度射出，當該電磁波的該入射方向與該電磁波透射結構的該法向量夾該角度，該電磁波入射該電磁波透射結構後偏移至與該法向量平行射出。
該電磁波透射結構陣列包含複數個上述電磁波透射結構，上述每一電磁波透射結構的該基板捲繞呈一圓柱狀，該等電磁波透射結構在以一基準點為一圓心及與該波長為倍數關係的一距離為一半徑的一基準圓上排列，該等電磁波透射結構各自與一參考座標軸夾一夾角。
根據上述技術特徵可達成以下功效：
1.藉由該電磁波透射結構，該電磁波入射後能達成匯聚該電磁波能量的效果、增強接收方向的一增益，且該電磁波入射該電磁波透射結構後能偏移-25度至25度之間的該角度射出，因此，經由設置該電磁波透射結構，該電磁波入射後產生偏移而可到達通訊死角。
2.該電磁波透射結構可依據實際佈建的需求，調整該基板為該硬質板材、該軟質板材，或該透射單元呈現透明、不透明等多種變化，皆可達到匯聚該電磁波能量的效果。
3.藉由該基板捲繞呈該圓柱狀及所設置的位置，該電磁波在通過該電磁波透射結構可改變主波束方向。
4.藉由該等極化單元可使該電磁波在通過該電磁波透射結構改變極化。
5.藉由該電磁波透射結構陣列，讓該電磁波在通過該電磁波透射結構陣列時，可同時匯聚成多個主波束。
10:電磁波透射結構
10a:電磁波透射結構
10b:電磁波透射結構
1:基板
2:透射單元
21:金屬環片
3:發射天線
4:極化單元
41:環片
42:矩形片
X:X軸
Y:Y軸
Z:Z軸
D:基準軸
r1:第一個金屬環片的內徑
r2:第二個金屬環片的內徑
R1:第一個金屬環片的外徑
R2:第二個金屬環片的外徑
β:參考夾角
F:焦點
S:來源
c:入射距離的二分之一
d:焦距
S:電磁波的來源
F:焦點
θ:角度
L:參考座標軸
a:橢圓形長軸的二分之一
b:橢圓形短軸的二分之一
[第一圖]是一立體圖，說明本發明的一第一實施例。
[第二圖]是一俯視圖，說明該第一實施例的一透射單元。
[第三圖]是一示意圖，說明一電磁波入射該第一實施例且匯聚至一焦點。
[第四圖]是一示意圖，說明該電磁波入射該第一實施例且匯聚至該焦點。
[第五圖]是一模擬圖，說明使該電磁波透射結構分別在朝向負向的一X軸的方向偏移0公厘、20公厘及40公厘時，一接收天線接收經過該電磁波透射結構射出的該電磁波。
[第六圖]是一模擬圖，說明該電磁波透射結構分別在朝向負向的該X軸的方向偏移0公厘、20公厘及40公厘時，在一XZ切面，一發射天線及該電磁波透射結構的主波束方向的一增益及一角度的變化。
[第七圖]是一模擬圖，說明使該電磁波透射結構分別在朝向負向的一Y軸的方向偏移0公厘、20公厘及40公厘時，該接收天線接收經過該電磁波透射結構射出的該電磁波。
[第八圖]是一模擬圖，說明該電磁波透射結構分別在朝向負向的該Y軸的方向偏移0公厘、20公厘及40公厘時，在一YZ切面，該發射天線及該電磁波透射結構的主波束方向的該增益及該角度的變化。
[第九圖]是一量測圖，說明該電磁波透射結構在一電磁無反射室的一XZ平面場型圖。
[第十圖]是一量測圖，說明該電磁波透射結構在該電磁無反射室的一YZ平面場型圖。
[第十一圖]是一模擬圖，說明使該電磁波透射結構分別在朝向正向的該X軸的方向偏移0公厘、10公厘、20公厘、30公厘、40公厘、50公厘及60公厘時，該接收天線接收經過該電磁波透射結構射出的該電磁波。
[第十二圖]是一模擬圖，說明該電磁波透射結構分別在朝向正向的該X軸的方向偏移0公厘、10公厘、20公厘、30公厘、40公厘、50公厘及60公厘時，該發射天線及該電磁波透射結構的主波束方向的該增益及該角度的變化。
[第十三圖]是一模擬圖，說明使該電磁波透射結構分別在朝向負向的該Y軸的方向偏移0公厘、10公厘、20公厘、30公厘、40公厘、50公厘及60公厘時，該接收天線接收經過該電磁波透射結構射出的該電磁波。
[第十四圖]是一模擬圖，說明該電磁波透射結構分別在朝向負向的該Y軸的方向偏移0公厘、10公厘、20公厘、30公厘、40公厘、50公厘及60公厘時，該發射天線及該電磁波透射結構的主波束方向的該增益及該角度的變化。
[第十五圖]是一俯視圖，說明本發明的一第二實施例。
[第十六圖]是一示意圖，說明該第二實施例為彎折的狀態。
[第十七圖]是一量測圖，說明該第二實施例在該電磁無反射室的該XZ平面場型圖。
[第十八圖]是一量測圖，說明該第二實施例在該電磁無反射室的該YZ平面場型圖。
[第十九圖]是一俯視圖，說明本發明的一第三實施例。
[第二十圖]是一量測圖，說明該第三實施例在該電磁無反射室的該XZ平面場型圖。
[第二十一圖]是一量測圖，說明該第三實施例在該電磁無反射室的該YZ平面場型圖。
[第二十二圖]是一示意圖，說明本發明的一第四實施例。
[第二十三圖]是一量測及模擬圖，說明該第四實施例在一XY平面場型圖。
[第二十四圖]是一示意圖，說明本發明的一第五實施例。
[第二十五圖]是一示意圖，說明本發明的一第六實施例。
[第二十六圖]是一量測及模擬圖，說明該第六實施例在該XY平面場型圖。
[第二十七圖]是一示意圖，說明本發明的一第七實施例。
[第二十八圖]是一量測及模擬圖，說明該第七實施例在該XZ平面場型圖。
[第二十九圖]是一示意圖，說明本發明的一第八實施例。
[第三十圖]是一示意圖，說明本發明的一第九實施例。
[第三十一圖]是一模擬圖，說明使該等電磁波透射結構在每一金屬環片分別為十二邊形、十邊形、八邊形時，在一XZ切面，該發射天線及該等電磁波透射結構的主波束方向的增益及角度的變化。
[第三十二圖]是一示意圖，說明本發明的一第十實施例。
綜合上述技術特徵，本發明電磁波透射結構、電磁波透射結構陣列，及電磁波透射偏移方法的主要功效將可於下述實施例清楚呈現。
參閱第一圖至第三圖，本發明的一第一實施例，該第一實施例為一電磁波透射結構10，該電磁波透射結構10包含一基板1，及一透射單元2。
該透射單元2設置在該基板1。該基板1概呈一矩形，該基板1為一硬質板材，該硬質板材可選自於一玻璃增強碳氫化合物和陶瓷層的壓板、一纖 維增強型環氧樹脂板、一玻璃板等，在本例中，該基板1為一高頻微波板材的該玻璃增強碳氫化合物和陶瓷層的壓板，且厚度為0.508mm。該透射單元2包括複數個金屬環片21，每一金屬環片21選自於一圓形、一橢圓形、一多邊形其中之一，在本例中，該等金屬環片21的形狀為圓形，該等金屬環片21各自的一內徑加權平均數大小皆不同，該等金屬環片21以同一中心地間隔排列，每一金屬環片21的該內徑加權平均數及一外徑加權平均數各自將每一金屬環片21相對於該中心排列的順序、該電磁波的一波長、該電磁波透射結構10與該電磁波匯聚至一焦點F的一焦距，及該電磁波的一來源S至該焦點F之間的一入射距離代入一函數獲得。該等函數分別為一內徑函數及一外徑函數。又每一金屬環片21環繞一圈的多個內徑及多個外徑的變化趨勢相同，該等內徑分別對應的多個權值與該等外徑分別對應的多個權值相同，該等內徑的權值能從通過該中心的一基準軸D與該等內徑之間的多個參考夾角β獲得，若預設越靠近該基準軸D的該等權值越重，則該等內徑的該等權值能為該等參考夾角β的餘弦函數之絕對值，反之若預設越遠離該基準軸D的該等權值越重，則該等內徑的該等權值能為該等參考夾角β的正弦函數之絕對值，此外，該等權值還可使用該等參考夾角β的歐拉公式之絕對值。
使用該電磁波透射結構10可實行一電磁波透射偏移方法，在實行該電磁波透射偏移方法之前，先預設該電磁波的該來源S的一來源位置、該電磁波透射結構10設置的一設置位置，及該電磁波入射該電磁波透射結構10後匯聚至該焦點F的一聚焦位置，依據該來源位置、該設置位置及該聚焦位置求得該焦距及該入射距離，每一金屬環片21的該內徑函數及該外徑函數各自為該波長、 該焦距及該入射距離的一關係式。此外，依照該電磁波透射結構10所需大小預設將幾個所述金屬環片21設置在該基板1，本例以兩個金屬環片21做說明。
每一金屬環片21的該內徑加權平均數及該外徑加權平均數分別能等效以下該內徑函數的一函數值及該外徑函數的一函數值。
Figure 110103068-A0305-02-0011-24
其中，hni為第n個金屬環片21的該內徑函數，hno為第n個金屬環片21的該外徑函數，n為相對於該中心依照由內至外的順序中第n個金屬環片21，c為該入射距離的二分之一，d為該焦距，λ為該波長。因此根據該內徑函數、該外徑函數，及預設的該波長、該焦距、該入射距離可求得每一金屬環片21的該內徑加權平均數及該外徑加權平均數所分別對應的該等函數值。又從每一金屬環片21的該內徑加權平均數及該外徑加權平均數可推導出每一金屬環片21的該等內徑及該等外徑的關係式，進而推導出每一金屬環片21的態樣。
本例每一金屬環片21為圓形，例如在計算第一個該金屬環片21的該等內徑的關係式，預設該基準軸D為一YZ切面，且越遠離該基準軸D的該等權值越重，該等內徑的該等權值即為該等參考夾角β的正弦函數之絕對值。
以下為形成第一個該金屬環片21的內緣的函數。
x 2+y 2=r 1 2
(x,y)表示第一個該金屬環片21的內緣在一XY平面的座標，r1表示第一個該金屬環片21的內徑。
第一個該金屬環片21的內徑r1是本例欲求的參數，第一個該金屬環片21的該內徑函數的函數值h1i等效於該內徑加權平均數，第一個該金屬環片21的該內徑函數的函數值h1i是本例預設後已知的參數。
Figure 110103068-A0305-02-0012-14
從上式求得第一個該金屬環片21的任一內徑r1與該內徑加權平均數相等。也就是在每一金屬環片21為圓形時，每一金屬環片21的該內徑加權平均數及該外徑加權平均數分別與任一內徑及任一外徑相等。則能以同樣的方式推導出第一個該金屬環片21的任一外徑R1、第二個該金屬環片21的任一內徑r2及任一外徑R2。
參閱第一圖、第三圖及第四圖，該電磁波垂直入射該電磁波透射結構10，亦即該電磁波的一入射方向與該電磁波透射結構10的一法向量平行，部分的該電磁波入射至該電磁波透射結構10的該等金屬環片21之間時能通過，部分的該電磁波入射至該電磁波透射結構10的該等金屬環片21時被反射，因此，藉由該電磁波入射該電磁波透射結構10後，讓相位相近的該電磁波通過、相位相反的該電磁波反射，也就是讓相位差為建設性干涉的該電磁波通過，相位差為破壞性干涉的該電磁波反射，而達成匯聚該電磁波能量的效果，使該電磁波入射該電磁波透射結構10後能增強一增益，且該電磁波入射後偏移至與該法向量夾一角度θ射出，該角度θ介於-25度至25度之間，須注意的是，偏移該角度θ範圍內射出的該電磁波的該增益衰減小於3dBi，其中dBi表示增益的單 位。更要補充說明的是，該電磁波的傳遞具有互易性，因此，若該電磁波的該入射方向與該電磁波透射結構10的該法向量夾該角度θ，該電磁波入射該電磁波透射結構10後偏移至與該法向量平行射出。因此，該電磁波透射結構10可依照讓該電磁波在某個位置偏移來進入通訊死角來設置，而能改善原存在通訊死角的問題，相當便利。
參閱第五圖及第六圖，在模擬實例中，使用一領結天線作為一發射天線3，該電磁波透射結構10與該發射天線3皆設置在平行一XY平面，且在一Z軸的方向相間隔，該電磁波的頻率為28GHz，從該電磁波的頻率換算該波長λ，該電磁波透射結構10與該發射天線3的距離設為5倍的該波長λ，該焦距設為100倍的該波長λ，從這些參數獲得該等金屬環片21各自的該內徑、該外徑，而依照這樣的尺寸模擬該電磁波透射結構10。
該電磁波垂直入射該電磁波透射結構10，使該電磁波透射結構10朝向負向的一X軸的方向偏移，在偏移0公厘時，該角度θ為0度，該領結天線及該電磁波透射結構10所形成的一系統在一主波束方向的該增益為17.3dBi，在偏移20公厘時，該角度θ為16度，該系統的該主波束方向改變為16度，且該系統在該主波束方向的該增益衰減為16dBi，在偏移28公厘時，該角度θ為22度，該系統的該主波束方向改變為22度，且該系統在該主波束方向的該增益衰減為14.45dBi，小於3dBi的範圍內。由於該電磁波透射結構10為對稱的結構，該電磁波透射結構10朝向正向的該X軸的方向偏移的結果與朝向負向的該X軸的方向偏移的結果相同。
參閱第七圖及第八圖，在該電磁波透射結構10朝向負向的一Y軸的方向偏移，在偏移0公厘時，該角度θ為0度，該系統在該主波束方向的該增 益為17.3dBi，在偏移20公厘時，該角度θ為16度，該系統的主波束方向改變為16度，且該系統在該主波束方向的該增益率減為16.2dBi，在偏移30公厘時，該角度θ為25度，該系統的主波束方向改變為25度，且該系統在該主波束方向的該增益衰減為14.5dBi，小於3dBi的範圍內。由於該電磁波透射結構10為對稱的結構，該電磁波透射結構10朝向正向的該Y軸的方向偏移的結果與朝向負向的該Y軸的方向偏移的結果類似。從該系統的該增益的圖示看出，隨著該電磁波透射結構10偏移的距離越大時，該系統的波束掃描的範圍越大，但該增益會越衰減。
再要補充說明的是，該透射單元2也可只包括一個所述金屬環片21，則該透射單元2所需的面積較小，因此該電磁波透射結構10可視需求縮小整體體積，但該電磁波入射一個所述金屬環片21的該增益較差。
參閱第九圖、第十圖及第十一圖，本發明電磁波透射結構10的另一實作，是以該基板1為該纖維增強型環氧樹脂板，且厚度為0.254mm，該電磁波的頻率為28GHz，該電磁波透射結構10與該發射天線3的距離為3倍的該波長λ，將該電磁波透射結構10放在一電磁無反射室進行量測，第九圖為一XZ平面場型圖，第十圖為一YZ平面場型圖，從量測圖可看出，該電磁波透射結構10與該發射天線3(系統)的增益增加了11.2dBi，半功率波束寬(3dBi頻寬)也縮減至10度。
參閱第十一圖及第十二圖，若對本實作進行模擬，該電磁波透射結構10與該發射天線3皆設置在平行該XY平面，且在該Z軸的方向相間隔，該電磁波透射結構10朝向正向的該X軸的方向偏移，則該電磁波透射結構10偏移的距離越大，該系統的場型的變化也變得更加明顯，該系統的增益隨著該電磁波 透射結構10與一接收天線中心距離越遠而開始降低，在該電磁波透射結構10未偏移時，該系統的增益為14.6dBi，該系統的主波束方向為0度，當該電磁波透射結構10偏移60mm時，該系統的增益為11.1dBi，該系統的主波束方向由0度改變至29度，可以明顯看出，隨著該電磁波透射結構10偏移的距離越大時，該系統的波束掃描的範圍越大，但該增益會越衰減。
參閱第十三圖及第十四圖，由於該電磁波透射結構10為對稱的結構，該電磁波透射結構10朝向負向的該Y軸的方向偏移的結果與朝向正向的該X軸的方向偏移的結果類似，其中，當該電磁波透射結構10偏移60mm時，該系統的增益為12dBi，該系統的主波束方向為從0度改變成26度。
參閱第十五圖及第十六圖，本發明的一第二實施例，與該第一實施例類似，不同處在於該基板1為一軟質板材，該軟質板材可依照使用的狀態彎撓，則該電磁波透射結構10在實際佈建上，有更多的自由度及更高的環境適應力，在本例中，該基板1為一矽膠，厚度為0.1mm，該電磁波的頻率為28GHz，該電磁波透射結構10與該發射天線3的距離為3倍的該波長，將該電磁波透射結構10也放在該電磁無反射室進行量測，第十七圖為一XZ平面場型圖，第十八圖為一YZ平面場型圖，從量測圖可看出，該電磁波透射結構10與該發射天線3(系統)的增益增加了11.3dBi，半功率波束寬(3dBi頻寬)也縮減至10.5度，在實際量測後驗證該基板1為該軟質板材也具有匯聚該電磁波的效果。
參閱第十九圖，本發明的一第三實施例，與該第一實施例類似，不同處在於該透射單元2呈現透明，在本例中，該透射單元2的材質為一氧化铟錫，該氧化铟錫為薄膜狀時呈現透明同時又具有導電性，該透射單元2可設置在也呈透明的該基板1，因此，該第三實施例可佈建在例如窗戶，讓該電磁波透射 結構10在佈建上有更高的靈活度及應用，在本例中，該基板1的厚度為0.7mm，該透射單元2的厚度為2610Å，該透射單元2的電阻率為1.305×106Ωm，該透射單元的電導率為7.6×105Sm-1，該電磁波的頻率為28GHz，該電磁波透射結構10與該發射天線3的距離為3倍的該波長，將該電磁波透射結構10也放在該電磁無反射室進行量測，第二十圖為一XZ平面場型圖，第二十一圖為一YZ平面場型圖，從量測圖可看出，該電磁波透射結構10與該發射天線(系統)的增益增加了11.1dBi，半功率波束寬也縮減至10度，在實際量測後驗證該透射單元2呈現透明也具有匯聚該電磁波的效果。
參閱第二十二圖及第二十三圖，本發明的一第四實施例，與該第二實施例類似的地方為該基板1捲繞呈一圓柱狀如第十六圖所示，與該第二實施不同處在於該透射單元2呈現透明，將該電磁波透射結構10設置距離該發射天線3五倍的該波長距離，該發射天線3為一不對稱帶狀共線天線，該發射天線3發射的該電磁波在經過該電磁波透射結構10後，該電磁波的增益增加且半功率波束寬也縮小，之後將該電磁波透射結構10在以該發射天線3為一圓心，五倍的該波長為一半徑的一基準圓上環繞設置，該電磁波透射結構10在轉至30度時的位置進行量測，得知該電磁波經過該電磁波透射結構10也跟著該電磁波透射結構10的位置改變主波束方向。
參閱第二十四圖，本發明的一第五實施例，與該第三實施例類似，不同處在於該電磁波透射結構10還包含複數個極化單元4，該等極化單元4設置在該基板1，需注意的是，該等極化單元4位於最靠近該中心的該金屬環片21內、該等金屬環片21之間，及最遠離該中心的該金屬環片21之外圍中至少一者，該等極化單元4設置的涵蓋範圍越廣，改變極化的能力越強，在本例中，該等極化 單元4位於最靠近該中心的該金屬環片21內及該等金屬環片21之間。每一極化單元4使該電磁波發生極化改變。在本例中，每一極化單元4包括一環片41及一矩形片42，該矩形片42位於該環片41內，且該矩形片42與一水平線夾一傾斜角度，該傾斜角度為45度，該環片41及該矩形片42的材質為金屬，每一極化單元4為一線性極化轉圓極化單元。該第二實施例的該電磁波透射結構10不會改變通過的該電磁波的極化，只有匯聚該電磁波的優點，但在該第五實施例，該電磁波透射結構10使通過的該電磁波在-7度至6度之間的一天線軸比在3dB以下，即在-7度至6度之間的該電磁波被該等極化單元4的影響而趨近圓極化，該電磁波透射結構10的半功率波束寬為-3度至3度之間，也在該天線軸比小於3dB的範圍內。因此，該電磁波透射結構10會隨著該等極化單元4使該電磁波改變極化。 若每一極化單元4為一線極化單元，該電磁波透射結構10會使該電磁波改變成線性極化，若每一極化單元4為一橢圓極化單元，該電磁波透射結構10會使該電磁波改變成橢圓極化。
參閱第二十五圖及第二十六圖，為本發明的一第六實施例，該第六實施例為一電磁波透射結構陣列，該電磁波透射結構陣列包含複數個所述電磁波透射結構10，每一電磁波透射結構10如該第四實施例的該基板1捲繞呈該圓柱狀，該等電磁波透射結構10在以一基準點為一圓心及與該波長為倍數關係的一距離為一半徑的一基準圓上排列，該等電磁波透射結構10各自與一參考座標軸L夾一夾角，該參考座標軸L通過該基準點。在本例中，使用二個所述電磁波透射結構10，該半徑為五倍的該波長，將該發射天線3設置在該基準點，為方便說明，將該等電磁波透射結構10標示不同標號，其中一所述電磁波透射結構10a沿著該參考座標軸L旋轉90度，另一所述電磁波透射結構10b沿著該參考座 標軸L旋轉-90度，該電磁波透射結構10a與該電磁波透射結構10b重疊，該電磁波透射結構10a較靠近該發射天線3，該電磁波透射結構10b較遠離該發射天線3，從第二十六圖可知，該發射天線3發射的該電磁波經過該電磁波透射結構陣列後，在90度及-90度有兩個主波束。因此，藉由該電磁波透射結構陣列可讓該電磁波經過後同時匯聚成多個主波束。
參閱第二十七圖及第二十八圖，為本發明的一第七實施例，與該第六實施例類似，不同處在於其中一所述電磁波透射結構10a與該參考座標軸L夾0度，另一所述電磁波透射結構10b沿著該參考座標軸L轉90度，該電磁波透射結構10a與該電磁波透射結構10b重疊，該電磁波透射結構10a較靠近該發射天線3，該電磁波透射結構10b較遠離該發射天線3，從第二十八圖可知，該發射天線3發射的該電磁波經過該電磁波透射結構陣列後，在0度及90度各有主波束產生。
參閱第二十九圖，為本發明電磁波透射結構陣列的一第八實施例，與該第六實施例類似，不同處在於其中一所述電磁波透射結構10a沿著該參考座標軸L轉5度，另一所述電磁波透射結構10b沿著該參考座標軸L轉-5度，該電磁波透射結構10a與該電磁波透射結構10b重疊，該電磁波透射結構10a較靠近該發射天線3，該電磁波透射結構10b較遠離該發射天線3，該發射天線3發射的該電磁波經過該電磁波透射結構陣列後，會產生較寬的主波束達到波束塑型的效果。
參閱第三十圖及第三十一圖，為本發明的一第九實施例，與該第一實施例類似，不同處在於每一金屬環片21為一十二邊形。若預設該基準軸D為一XZ切面，且越靠近該基準軸D的該等權值越重，則該等內徑的該等權值即 為該等參考夾角β的餘弦函數之絕對值，每一金屬環片21的該等內徑可由該十二邊形函數獲得，第n個金屬環片21的該等內徑經過加權平均的運算需符合前述該內徑函數hni的該函數值，同樣的，每一金屬環片21的該等外徑也由該十二邊形函數獲得，第n個金屬環片21的該等外徑經過加權平均的運算需符合前述該外徑函數hno的該函數值。從第三十一圖可看出，在每一金屬環片21為該十二邊形、一十邊形時，該系統在該主波束方向的該增益趨近17dB，在每一金屬環片21為一八邊形時，該系統在該主波束方向的該增益介於15dB至16dB之間。
參閱第三十二圖，為本發明的一第十實施例，與該第九實施例類似，不同處在於每一金屬環片21為一橢圓形，若預設該基準軸D為該XZ切面，該等內徑的該等權值為該等參考夾角β的餘弦函數之絕對值。
以下為形成第一個該金屬環片21的內緣的函數。
Figure 110103068-A0305-02-0019-15
(x,y)表示第一個該金屬環片21的內緣在一XY平面的座標，a表示該橢圓形的一長軸之二分之一，b表示該橢圓形的一短軸之二分之一。
Figure 110103068-A0305-02-0019-16
從以上式子可求得第一個該金屬環片21的內緣為該橢圓形的該長軸及該短軸的關係式，以推測出適合的第一個該金屬環片21。
因此，任一金屬環片21可設計為任意可由函數表示其形狀的一封閉環片。
綜上所述，藉由該電磁波透射結構10，該電磁波入射後能達成匯聚該電磁波能量的效果、增強接收方向的該增益，更佳的是，該電磁波入射該 電磁波透射結構10後能偏移該角度θ射出，且該角度θ在-25度至25度之間，該增益衰減小於3dBi的範圍內，因此，經由設置該電磁波透射結構10，該電磁波入射後產生偏移而可進入通訊死角，解決在通訊死角收訊不良的問題，相當便利，此外，該電磁波透射結構10更可依據實際佈建的需求，調整該基板1為該硬質板材、該軟質板材，或該透射單元2呈現透明等多種變化，皆可達到匯聚該電磁波能量的效果，又藉由該基板1捲繞呈該圓柱狀及所設置的位置，使該電磁波在通過該電磁波透射結構10可改變主波束方向，更藉由該等極化單元4可使該電磁波在通過該電磁波透射結構10改變極化，此外，再藉由該電磁波透射結構陣列，讓該電磁波在通過該電磁波透射結構陣列時，可同時匯聚成多個主波束。
綜合上述實施例之說明，當可充分瞭解本發明之操作、使用及本發明產生之功效，惟以上所述實施例僅係為本發明之較佳實施例，當不能以此限定本發明實施之範圍，即依本發明申請專利範圍及發明說明內容所作簡單的等效變化與修飾，皆屬本發明涵蓋之範圍內。
10:電磁波透射結構
1:基板
2:透射單元
21:金屬環片

Claims (14)

  1. 一種電磁波透射結構，適用於將一電磁波匯聚，該電磁波透射結構包含：一基板；及一透射單元，設置在該基板，該透射單元包括一個金屬環片，該金屬環片的一內徑加權平均數及一外徑加權平均數各自將該電磁波的一波長、該電磁波透射結構與該電磁波匯聚至一焦點之間的一焦距，及該電磁波的一來源至該焦點之間的一入射距離代入一函數獲得，其中，該金屬環片環繞一圈的多個內徑及多個外徑的變化趨勢相同，該等內徑分別對應的多個權值能從通過該金屬環片中心的一基準軸與該等內徑之間的多個參考夾角獲得，該等外徑分別對應的多個權值能從該基準軸與該等外徑之間的該等參考夾角獲得。
  2. 如請求項1所述之電磁波透射結構，其中，該金屬環片選自於一圓形、一橢圓形、一多邊形其中之一，該等函數分別為一內徑函數及一外徑函數，該內徑加權平均數及該外徑加權平均數分別能等效以下該內徑函數的一函數值及該外徑函數的一函數值：
    Figure 110103068-A0305-02-0022-25
     其中，hi為該內徑函數，ho為該外徑函數，c為該入射距離的二分之一，d為該焦距，λ為該波長。
  3. 如請求項1所述之電磁波透射結構，其中，該基板選自於一硬質板材、一軟質板材其中之一。
  4. 如請求項1所述之電磁波透射結構，其中，該透射單元呈現透明及不透明中其中一者。
  5. 如請求項3所述之電磁波透射結構，其中，在該基板為該軟質板材時，該基板捲繞呈一圓柱狀。
  6. 如請求項1所述之電磁波透射結構，還包含複數個極化單元，該等極化單元設置在該基板且位於該金屬環片內，其中，每一極化單元使該電磁波改變極化。
  7. 一種電磁波透射結構，適用於將一電磁波匯聚，該電磁波透射結構包含：一基板；及一透射單元，設置在該基板，該透射單元包括複數個金屬環片，該等金屬環片的一內徑加權平均數大小皆不同，該等金屬環片以同一中心地間隔排列，每一金屬環片的該內徑加權平均數及一外徑加權平均數各自將每一金屬環片相對於該中心排列的順序、該電磁波的一波長、該電磁波透射結構與該電磁波匯聚至一焦點之間的一焦距，及該電磁波的一來源至該焦點之間的一入射距離代入一函數獲得，其中，每一金屬環片環繞一圈的多個內徑及多個外徑變化趨勢相同，該等內徑分別對應的多個權值能從通過該金屬環片中心的一基準軸與該等內徑之間的多個參考夾角獲得，該等外徑分別對應的多個權值能從該基準軸與該等外徑之間的該等參考夾角獲得。
  8. 如請求項7所述之電磁波透射結構，其中，每一金屬環片選自於一圓形、一橢圓形、一多邊形其中之一，該等函數分別為一內徑函數及一外徑函 數，每一金屬環片的該內徑加權平均數及該外徑加權平均數分別能等效以下該內徑函數的一函數值及該外徑函數的一函數值：
    Figure 110103068-A0305-02-0024-26
     其中，n為相對於該中心依照由內至外的順序中第n個金屬環片，hni為第n個金屬環片的該內徑函數，hno為第n個金屬環片的該外徑函數，c為該入射距離的二分之一，d為該焦距，λ為該波長。
  9. 如請求項7所述之電磁波透射結構，其中，該基板選自於一硬質板材、一軟質板材其中之一。
  10. 如請求項7所述之電磁波透射結構，其中，該透射單元呈現透明及不透明中其中一者。
  11. 如請求項9所述之電磁波透射結構，其中，在該基板為該軟質板材時，該基板捲繞呈一圓柱狀。
  12. 如請求項7所述之電磁波透射結構，還包含複數個極化單元，該等極化單元設置在該基板，且該等極化單元位於最靠近該中心的該金屬環片內、該等金屬環片之間，及最遠離該中心的該金屬環片之外圍中至少一者，其中，每一極化單元使該電磁波改變極化。
  13. 一種電磁波透射偏移方法，包含：將一電磁波入射如請求項1至12中任一項所述之電磁波透射結構，該電磁波入射該電磁波透射結構後偏移一角度射出，該角度介於-25度至25度之間； 當該電磁波的一入射方向與該電磁波透射結構的一法向量平行，該電磁波入射該電磁波透射結構後偏移至與該法向量夾該角度射出；當該電磁波的該入射方向與該電磁波透射結構的該法向量夾該角度，該電磁波入射該電磁波透射結構後偏移至與該法向量平行射出。
  14. 一種電磁波透射結構陣列，包含：複數個如請求項1至12中任一項所述之電磁波透射結構；該等電磁波透射結構在以一基準點為一圓心及與該波長為倍數關係的一距離為一半徑的一基準圓上排列，該等電磁波透射結構各自與一參考座標軸夾一夾角。
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