TWI740443B - 二次電子發射係數的測量方法 - Google Patents

二次電子發射係數的測量方法 Download PDF

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Abstract

二次電子發射係數的測量方法，包括發射高能電子束，高能電子束穿過第一收集板、第二收集板進入到法拉第杯，第二電流計測得進入法拉第杯的高能電子束形成的電流I注入電流；將第一收集板和第二收集板短接，將待測樣品放置在第一收集板和第二收集板之間，在待測樣品與第一收集板間施加50伏電壓，二次電子電流ISE=0，第一電流計測量待測樣品和第一收集板間的電流I1，背景電流IBG1忽略，根據I1=IBG1+Iothers+ISE，求得Iothers；在第一收集板和待測樣品間施加一正電壓，第一電流計測量第一收集板和待測樣品間的電流I2，背景電流IBG2忽略，根據I2=IBG2+Iothers+ISE，求ISE，得到二次電子發射係數。

Description

二次電子發射係數的測量方法
本發明涉及一種二次電子發射係數的測量方法。
二次電子發射是指用電子流或離子流轟擊物體表面，使之發射電子的過程。發射的電子叫次級電子或二次電子。二次電子一般都是在物體表層5~10nm深度範圍內發射出來的，它對樣品的表面形貌十分敏感，因此，二次電子發射現象能非常有效的顯示物體的表面形貌。二次電子的原理被應用在電子倍增管、光電倍增管、微通道板、法拉第杯與戴利偵測器等偵測元件，也用在掃描電子顯微鏡等電子成像元件。隨著電子技術的飛速發展，二次電子發射現象越來越受到人們的廣泛關注。
二次電子發射係數為發射的二次電子與注入電子的比例，其是衡量二次電子發射現象的一個重要物理參數。不同情況下對二次電子發射係數的要求並不相同。例如，在光電倍增管和電子倍增器中，希望二次電子發射係數越大越好。然而，在柵控電子管以及高壓電子管中，則希望二次電子發射係數越小越好，最好二次電子發射現象不要發生。因此，二次電子發射係數的測量方法對準確性的要求較高。
然而，先前的二次電子發射係數的測量方法中，一般沒有排除由其它方式產生的從物體表面逸出的低能電子，這些低能電子為偽二次電子，先前的測量方法中無法區分偽二次電子與二次電子，因此導致先前的測量方法測得的二次電子發射係數準確性較低。而且先前的二次電子發射係數的測量方法具有只能測量尺寸較大的三維體型材料的二次電子發射係數的問題。
有鑑於此，確有必要提供一種準確性較高的二次電子發射係數的測量方法。
一種二次電子發射係數的測量方法，包括以下步驟：步驟S1，提供一二次電子發射係數測量裝置，該二次電子發射係數測量裝置包括：一掃描電子顯微鏡；一第一收集板，該第一收集板包括一第一通孔；一第二收集板，該第二收集板包括一第二通孔；一第一電流計、一第二電流計、一電壓表以及一法拉第杯，該法拉第杯包括一電子入口，所述電子入口與所述第一通孔、第二通孔貫穿設置，該第一收集板、第二收集板以及法拉第杯均設置於掃描電子顯微鏡的腔室內，該電壓表用於測量待測樣品與所述第一收集板之間的電壓；該掃描電子顯微鏡的電子發射端發射高能電子束，該高能電子束依次穿過所述第一通孔、第二通孔進入到所述法拉第杯中，通過所述第二電流計測得進入到法拉第杯中的高能電子束形成的注入電流I注入電流；步驟S2，將所述第一收集板和第二收集板短接，並將待測樣品放置在所述第一收集板和第二收集板之間，然後在待測樣品與所述第一收集板之間施加50伏電壓，此時，產生的二次電子無法逸出待測樣品，第一收集板和第二收集板上無法收集到二次電子信號，即，二次電子電流ISE理論上為0，採用第一電流計測量待測樣品和第一收集板之間的電流I1，背景電流IBG1忽略，根據公式I1=IBG1+Iothers+ISE，求得二次電子之外的其它電子的電流Iothers；步驟S3，繼續將所述第一收集板和第二收集板短接，然後在第一收集板和待測樣品之間施加一正電壓，該正電壓為使第一收集板和待測樣品之間的電流I2達到飽和時的正電壓，採用第一電流計測量第一收集板和待測樣品之間的電流I2，背景電流IBG2忽略，根據公式I2=IBG2+Iothers+ISE求得二次電子的電流ISE；以及 步驟S4，根據公式
Figure 109111409-A0305-02-0004-3
，求得二次電子發射係數δ。
相較於先前技術，本發明所提供的二次電子發射係數的測量方法能夠準確區分二次電子信號與其它偽二次電子信號，並排除偽二次電子信號，獲得“淨”二次電子發射係數，因此，本發明的二次電子發射係數測量方法測 得的二次電子係數準確性比較高。而且，本發明提供的二次電子發射係數的測量方法可以測量奈米尺寸的二維材料的二次電子發射係數。
100:二次電子發射係數測量裝置
10:掃描電子顯微鏡
102:電子發射端
20:第一收集板
202:第一通孔
30:第二收集板
302:第二通孔
40:第一電流計
50:第二電流計
60:電壓表
70:法拉第杯
702:電子入口
圖1為本發明實施例提供的二次電子發射係數測量裝置的結構示意圖。
圖2為本發明實施例提供的二次電子發射係數的測量方法的流程圖。
圖3為採用圖2中的二次電子發射係數的的測量方法測得的在不同加速電壓下第一收集板和待測樣品之間的電流I2與第一收集板和待測樣品之間施加電壓的變化曲線。
圖4為採用先前的二次電子發射係數的測量方法得到的金屬鉬在不同加速電壓下的二次電子發射係數。
圖5為採用本發明實施例提供的二次電子發射係數的測量方法得到的金屬鉬在不同加速電壓下的二次電子發射係數。
以下將結合附圖對本發明提供的二次電子發射係數的測量方法進一步的詳細說明。
請參閱圖1，本發明第一實施例提供一種二次電子發射係數測量裝置100，其包括：一掃描電子顯微鏡10，一第一收集板20，一第二收集板30，一第一電流計40，一第二電流計50，一電壓表60，以及一法拉第杯70。
所述掃描電子顯微鏡10具有一電子發射端102，用於發射高能電子束。所述第一收集板20包括一第一通孔202，所述第二收集板30包括一第二通孔302。所述法拉第杯70包括一電子入口702，該第一通孔202、第二通孔302與電子入口702貫穿設置。所述第一收集板20和所述第二收集板30相互平行且間隔設置於掃描電子顯微鏡10的腔室內，所述第一收集板20和所述第二收集板30用於收集電子。測量時，待測樣品設置於所述第一收集板20和所述第二收集板30之間，所述第一電流計40的一個接線柱與第一收集板20相連，所述第一電流計40的另一個接線柱與待測樣品相連。高能電子束打到待測樣品之後，有電子從待 測樣品的表面逸出，所述第一電流計40用於測試從從待測樣品表面逸出的電子中打到第一收集板20和第二收集板30的電子的電流強度。所述電壓表60的一個接線柱與所述第一收集板20相連，另一個接線柱與待測樣品相連。所述電壓表60用於測試該第一收集板20與待測樣品之間的電壓差。所述法拉第杯70位於掃描電子顯微鏡10的腔室內。所述第二電流計50的一端與所述法拉第杯70相連，另一端接地，用於測試掃描電子顯微鏡10的電子發射端102發射的高能電子束依次穿過所述第一通孔202以及第二通孔302之後進入至法拉第杯70的電子的電流強度。
所述掃描電子顯微鏡10的型號不限。本實施例中，所述掃描電子顯微鏡10為FEI Nova 450。所述掃描電子顯微鏡10的電子發射端102發射的高能電子束的直徑根據實際需要進行限定。本發明中，由於所述掃描電子顯微鏡10的電子發射端102發射的高能電子束的聚焦束斑直徑較小，可以達到幾奈米，該二次電子發射係數測量裝置10可以測得待測樣品的較小局部區域的電子發射係數。因此，該二次電子發射係數測量裝置10可以測得面積較小的待測樣品的二次電子發射係數。例如，可以測量奈米尺寸的二維材料的二次電子發射係數，克服了先前的二次電子發射係數測量裝置只能測量尺寸較大的三維體型材料的二次電子發射係數的問題。例如，所述二次電子發射係數測量裝置10可以測量面積在100平方奈米以下的二維材料的二次電子發射係數。在一些實施例中，所述二次電子發射係數測量裝置10可以測量面積大於等於10平方奈米小於等於50平方奈米的二維材料的二次電子發射係數。本實施例中，所述待測樣品為一宏觀尺寸的二維金屬鉬。本實施例中，所述掃描電子顯微鏡10的電子發射端102發射的高能電子束的的聚焦束斑直徑為10奈米。
所述第一收集板20的尺寸根據實際需要進行設計。所述第一收集板20的材料為導電材料，包括金屬、導電聚合物、銻錫氧化物(ATO)、石墨或銦錫氧化物(ITO)等。本實施例中，所述第一收集板20為一銅板，該銅板的形狀為正方形，邊長為1.5厘米。
所述第二收集板30的尺寸根據實際需要進行設計。所述第二收集板30的材料為導電材料。例如，金屬、導電聚合物、銻錫氧化物(ATO)、石墨或銦錫氧化物(ITO)等。所述第二收集板30的尺寸和材料與所述第一收集板20的尺寸和材料可以相同也可以不同。本實施例中，所述第二收集板30為一銅 板，該銅板的形狀為正方形，邊長為1.5厘米。所述第一收集板20的第一通孔202與所述第二收集板30的第二通孔302貫穿設置，以保證掃描電子顯微鏡10的電子發射端發射的高能電子束能夠依次穿過所述第一通孔202以及第二通孔302之後進入至法拉第杯70中。所述第二收集板30與所述第一收集板20的間隔距離根據實際需要進行限定。優選的，所述第二收集板30與所述第一收集板20的間隔距離大於等於80微米小於等於120微米。本實施例中，所述第二收集板30與所述第一收集板20的間隔距離為100微米。
由於二維材料一般是單原子層或者幾個原子層，因此，當二維材料被高能電子束轟擊時，在二維材料的上下表面都會有二次電子逸出。本發明中採用兩個相對設置的第一收集板20和第二收集板30，當測量二維材料的二次電子發射係數時，待測二維材料放置在第一收集板20和第二收集板30之間，通過將第一收集板20和第二收集板30短接收集到所有的二次電子，避免有二次電子被漏掉的情況，進而提高所述二次電子發射係數測量裝置100的測量準確度。
所述第一電流計40，第二電流計50以及電壓表60可以集成到一塊源表上，也可以採用單獨的電流錶和電壓表。本實施例中，所述第一電流計40，第二電流計50以及電壓表60集成到一塊源表上，該源表的型號為源表(Agilent B2902A)。可以理解，所述源表並不限定於本實施例中的源表，也可以為先前的其它源表。
當所述第一電流計40和第二電流計50採用單獨的電流計時，所述第一電流計40和所述第二電流計50可以為先前的電流計。只要所述第一電流計40可以測試從待測樣品打到第一收集板20和第二收集板30的電子的電流強度即可。所述第二電流計50可以測量所述掃描電子顯微鏡10的電子發射端102發射的高能電子束依次穿過第一收集板20、第二收集板30進入到法拉第杯70形成的注入電流即可。所述電壓表60可以為先前的電壓表，只要能夠測量該第一收集板20與待測樣品的電壓差即可。
可以理解，所述二次電子發射係數測量裝置100還包括一電壓提供單元(圖未示)，該電壓提供單元用於在待測樣品與所述第一收集板20之間施加電壓。本實施例中，該電壓提供單元為一外接電源。
所述二次電子發射係數測量裝置100可進一步包括一固定元件(圖未示)，用於將待測樣品固定在第一收集板20和第二收集板30之間。
本發明提供的二次電子發射係數測量裝置可以測量奈米尺寸的二維材料的二次電子發射係數。克服了先前的二次電子發射係數測量裝置只能測量尺寸較大的三維體型材料的二次電子發射係數的問題。本發明提供的二次電子發射係數測量裝置，通過在第一收集板和第二收集板之間施加50eV的電壓，可以準確區分二次電子信號與其它信號，並可以得到待測樣品被高能電子束打到之後，待測樣品表面逸出的二次電子之外的其它電子的電流；通過再次調節第一收集板和第二收集板之間的電壓，可以排除偽二次電子信號，能夠獲得“淨”二次電子信號的體系，進而得到準確的二次電子發射係數；而且，本發明中採用兩個相對設置的第一收集板和第二收集板，當測量二維材料的二次電子發射係數時，待測樣品放置在第一收集板和第二收集板之間，通過將第一收集板和第二收集板短接可以收集到待測樣品上下表面逸出的所有的二次電子，進而避免了有二次電子漏掉的情況，因此，本發明的二次電子發射係數測量裝置測得的二次電子係數準確性比較高。本發明的二次電子發射係數測量裝置的信噪比較低，不需要在待測樣品的表面積碳，克服了先前二次電子發射係數測量裝置中在待測樣品的表面積碳影響二次電子發射係數的測量準確度的問題。本發明的二次電子發射係數測量裝置具有合理的電學設計，而且結構簡單。
本發明第二實施例還進一步提供一種二次電子發射係數的測量方法，該二次電子發射係數的測量方法採用上述二次電子發射係數測量裝置100實施。
請參閱圖2，該二次電子發射係數的測量方法包括以下步驟：步驟S1，提供所述二次電子發射係數測量裝置100，利用所述掃描電子顯微鏡10的電子發射端發射高能電子束，該高能電子束依次穿過所述第一收集板20的第一通孔202、第二收集板30的第二通孔302進入到所述法拉第杯70，並通過所述第二電流計50測得進入到法拉第杯中的高能電子束形成的注入電流I注入電流；步驟S2，將所述第一收集板20和第二收集板30短接，並將待測樣品放置在所述第一收集板20和第二收集板30之間，然後在待測樣品與所述第一收集板20之間施加50伏正電壓，其中，待測樣品的電壓相對於所述第一收集板20的電壓為正電壓，此時，產生的二次電子無法逸出待測樣品，第一收集板20和第二收集板30上無法收集到二次電子信號，即，二次電子形成的電流ISE理論上為0，採用第一電流計40測量待測樣品和第一收集板20之間的電流I1，此時，第一電流計 的背景電流IBG1可忽略，根據公式I1=IBG1+Iothers+ISE，求得二次電子之外的其它電子的電流Iothers；步驟S3，繼續將所述第一收集板20和第二收集板30短接，然後在第一收集板20和待測樣品之間施加一正電壓，其中，第一收集板20的電壓相對於待測樣品的電壓為正電壓，採用第一電流計40測量第一收集板20和待測樣品之間的電流I2，此時，第一電流計的背景電流IBG2可忽略，根據公式I2=IBG2+Iothers+ISE，求得二次電子形成的電流ISE；以及 步驟S4，根據公式
Figure 109111409-A0305-02-0009-4
，求得二次電子發射係數δ。
步驟S1中，所述二次電子發射係數測量裝置100與第一實施例中的二次電子發射係數測量裝置100完全相同，再此不再贅述。
所述注入電流I注入電流的大小與所述掃描電子顯微鏡10的電子發射端發射的高能電子束的能量大小有關。本實施例中，所述掃描電子顯微鏡10的電子發射端發射的高能電子束的的聚焦束斑直徑為10奈米，所述第二電流計50測得的高能電子束形成的電流I注入電流為300pA左右。可以理解，所述掃描電子顯微鏡10的電子發射端發射的高能電子束的的聚焦束斑直徑的大小和注入電流的大小並不限定於本實施例中，可以根據實際情況設定。
由於所述掃描電子顯微鏡10的電子發射端發射的高能電子束的聚焦束斑直徑較小，可以達到幾奈米，該二次電子發射係數的測量方法可以測得待測樣品的較小局部區域的電子發射係數。因此，該二次電子發射係數的測量方法可以測得面積較小的待測樣品的二次電子發射係數，例如可以測量奈米尺寸的二維材料的二次電子發射係數。克服了先前的二次電子發射係數測量方法只能測量尺寸較大的三維體型材料的二次電子發射係數的問題。例如，所述二次電子發射係數的測量方法可以測量面積在100平方奈米以下的二維材料的二次電子發射係數。在一些實施例中，所述二次電子發射係數的測量方法可以測量面積大於等於10平方奈米小於等於50平方奈米的二維材料的二次電子發射係數。
步驟S2中，本實施例中，所述待測樣品為二維的金屬鉬。所述第一收集板20和第二收集板30可以直接採用一導線短接。
將所述第一收集板20和第二收集板30短接，將金屬鉬放置在第一收集板20和第二收集板30之間，然後在待測樣品與所述第一收集板20之間施加一50伏電壓。由於廣義上，能量小於50eV的電子稱為二次電子，能量大於50eV的電子不是二次電子。所以，當待測樣品和第一收集板20之間施加一50伏電壓時，產生的二次電子是無法逸出待測樣品的，此時，第一收集板20以及第二收集板30上無法收集到二次電子信號，即，二次電子形成的電流ISE理論上為0。又因為背景電流IBG1可忽略，因此讀取第一電流計40測量的待測樣品和第一收集板20之間的電流I1，根據公式I1=IBG1+Iothers+ISE，求得二次電子之外的其它電子的電流Iothers；本實施例中，在待測樣品與所述第一收集板20之間施加50伏正電壓，其中，第一收集板20電壓為0V，待測樣品的電壓為50伏。可以理解，所述第一收集板20以及待測樣品的電壓並不限定於本實施例中，只要確保待測樣品與第一收集板20之間的電壓差為正50伏即可。所述待測樣品與所述第一收集板20之間施加的正電壓通過所述電壓表60讀取。
步驟S3中，所述第一收集板20和第二收集板30可以繼續採用步驟S2中的導線短接。然後在第一收集板20和待測樣品之間施加一正電壓，該正電壓為第一收集板20和待測樣品之間測得電流I2達到飽和時的正電壓。隨著在第一收集板20和待測樣品之間施加的正電壓增加，電流I2會先增大後保持不變。所述電流I2達到飽和是指電流I2不再隨著第一收集板20和待測樣品之間施加的正電壓的增加而增加，即使在第一收集板20和待測樣品之間施加的正電壓繼續增加，第一收集板20和待測樣品之間測得電流I2也不會再發生變化。這是由於隨著施加正電壓的增加，第一收集板20和第二收集板30收集到的二次電子也逐漸增多，此時，第一收集板20和待測樣品之間測得電流I2逐漸增大；當產生的二次電子被第一收集板20和第二收集板30完全收集之後，即使在第一收集板20和待測樣品之間施加的正電壓繼續增加，第一收集板20和待測樣品之間測得電流I2也不會再發生變化，此時電流I2達到飽和，此時的正電壓定義為步驟S3中的正電壓。本實施例中，當第一收集板20和待測樣品之間的正電壓為20V左右時，第一收集板20和待測樣品之間測得電流I2飽和。
本實施例中，在第一收集板20和待測樣品之間施加一正電壓，其中，待測樣品的電壓為0V。可以理解，所述待測樣品的電壓並不限定於本實施 例中，只要確保第一收集板20和待測樣品之間施加一正電壓，該正電壓為使第一收集板20和待測樣品之間測得電流I2達到飽和時的正電壓即可。所述在第一收集板20和待測樣品之間施加的正電壓大小通過所述電壓表60讀取。採用一電壓提供單元對步驟S2中的待測樣品與所述第一收集板20之間施加50伏正電壓，以及步驟S3中的第一收集板20和待測樣品之間施加正電壓。本實施例中，該電壓提供單元為一外接電源。
請參閱圖3，為採用本發明實施例的測量方法測得的在不同的加速電壓下電流I2隨著第一收集板20和待測樣品之間施加的正電壓的變化曲線。由圖中可以看出，隨著施加的正電壓的增大，電流I2逐漸增加，當施加的正電壓為20V左右時，電流I2飽和。另外，由圖3還可以看出，加速電壓越高，第一收集板20和待測樣品之間施加相同的正電壓時，第一收集板20和待測樣品的電流I2越大，這是由於較高加速電壓下的電子束能量也相應較高，轟擊至待測樣品表面時，作用距離也較大，產生的二次電子數量較多。
請參閱圖4和圖5，圖4為採用先前的測量方法得到的金屬鉬在不同加速電壓下的二次電子發射係數，圖5為採用本發明實施例的測量方法得到的金屬鉬在不同加速電壓下的二次電子發射係數。對比圖4和圖5可以看出，在相同的加速電壓下，採用本發明的測量方法得到的金屬鉬的二次電子發射係數均小於採用先前的測量方法得到的金屬鉬的二次電子發射係數，一方面，是由於本發明的測量方法去除了由其它方式產生的從表面逸出的偽二次電子；另一方面，本發明的測量方法中，沒有在待測樣品的表面積碳，進而避免了樣品表面的積碳效應對二次電子發射係數的影響。因此，本發明的二次電子發射係數的測量方法的準確度更高。
本發明提供的二次電子發射係數的測量方法可以測量奈米尺寸的二維材料的二次電子發射係數。克服了先前的二次電子發射係數測量方法只能測量尺寸較大的三維體型材料的二次電子發射係數的問題。本發明提供的二次電子發射係數的測量方法能夠排除偽二次電子信號，獲得“淨”二次電子發射係數，而且，本發明中採用兩個相對設置的第一收集板和第二收集板，當測量二維材料的二次電子發射係數時，待測樣品放置在第一收集板和第二收集板之間，通過將第一收集板和第二收集板短接可以收集到待測樣品上下表面逸出的所有的二次電子，進而避免了有二次電子漏掉的情況，因此，本發明的二次電 子發射係數測量方法測得的二次電子係數準確性比較高。本發明的二次電子發射係數的測量方法中，不需要在待測樣品的表面積碳，克服了先前二次電子發射係數的測量方法中在待測樣品的表面積碳影響二次電子發射係數的測量準確度的問題。
綜上所述，本發明確已符合發明專利之要件，遂依法提出專利申請。惟，以上所述者僅為本發明之較佳實施例，自不能以此限制本案之申請專利範圍。舉凡習知本案技藝之人士援依本發明之精神所作之等效修飾或變化，皆應涵蓋於以下申請專利範圍內。
I注入電流:進入到法拉第杯中的高能電子束形成的注入電流
ISE:二次電子電流
I1:待測樣品和第一收集板之間的電流
IBG1,IBG2:背景電流
Iothers:二次電子之外的其它電子的電流
I2:第一收集板和待測樣品之間的電流
△:二次電子發射係數

Claims (10)

  1. 一種二次電子發射係數的測量方法，包括以下步驟：步驟S1，提供一二次電子發射係數測量裝置，該二次電子發射係數測量裝置包括：一掃描電子顯微鏡；一第一收集板，該第一收集板包括一第一通孔；一第二收集板，該第二收集板包括一第二通孔；一第一電流計、一第二電流計、一電壓表以及一法拉第杯，該法拉第杯包括一電子入口，所述電子入口與所述第一通孔、該第二通孔貫穿設置，該第一收集板、該第二收集板以及該法拉第杯均設置於該掃描電子顯微鏡的腔室內，該電壓表用於測量待測樣品與所述第一收集板之間的電壓；該掃描電子顯微鏡的電子發射端發射高能電子束，該高能電子束依次穿過所述第一通孔、該第二通孔進入到所述法拉第杯中，通過所述第二電流計測得進入到該法拉第杯中的高能電子束形成的注入電流I注入電流；步驟S2，將所述第一收集板和該第二收集板短接，並將該待測樣品放置在所述第一收集板和該第二收集板之間，然後在該待測樣品與所述第一收集板之間施加50伏電壓，其中，該待測樣品的電壓相對於所述第一收集板的電壓為正電壓，此時，產生的二次電子無法逸出該待測樣品，該第一收集板和該第二收集板上無法收集到二次電子信號，即，二次電子形成的電流ISE理論上為0，採用該第一電流計測量該待測樣品和該第一收集板之間的電流I1，背景電流IBG1忽略，根據公式I1=IBG1+Iothers+ISE，求得二次電子之外的其它電子的電流Iothers；步驟S3，繼續將所述第一收集板和該第二收集板短接，然後在該第一收集板和該待測樣品之間施加一正電壓，其中，該第一收集板的電壓相對於該待測樣品的電壓為正電壓，該正電壓為使該第一收集板和該待測樣品之間的電流I2達到飽和時的正電壓，採用該第一電流計測量該第一收集板和該待測樣品之間的電流I2，背景電流IBG2忽略，根據公式I2=IBG2+Iothers+ISE求得二次電子的電流ISE；以及 步驟S4，根據公式
    Figure 109111409-A0305-02-0014-5
    ，求得二次電子發射係數δ。
  2. 如請求項1所述之二次電子發射係數的測量方法，其中，步驟S2中，在該待測樣品與所述第一收集板之間施加一50伏正電壓，其中，該第一收集板的電壓為0V，該待測樣品的電壓為50伏。
  3. 如請求項1所述之二次電子發射係數的測量方法，其中，步驟S3中，在該第一收集板和該待測樣品之間施加一該正電壓，其中，該待測樣品的電壓為0V。
  4. 如請求項1所述之二次電子發射係數的測量方法，其中，步驟S3中，在該第一收集板和該待測樣品之間施加一20V的正電壓。
  5. 如請求項1所述之二次電子發射係數的測量方法，其中，所述待測樣品為二維材料，其面積大於等於10平方奈米小於等於50平方奈米。
  6. 如請求項1所述之二次電子發射係數的測量方法，其中，所述待測樣品為二維的金屬鉬。
  7. 如請求項1所述之二次電子發射係數的測量方法，其中，所述掃描電子顯微鏡的電子發射端發射的高能電子束的聚焦束斑直徑為10奈米。
  8. 如請求項1所述之二次電子發射係數的測量方法，其中，所述第二收集板與所述第一收集板的間隔距離大於等於80微米小於等於120微米。
  9. 如請求項1所述之二次電子發射係數的測量方法，其中，所述第一電流計，該第二電流計以及該電壓表集成到一塊源表上。
  10. 如請求項1所述之二次電子發射係數的測量方法，其中，所述第一收集板和所述第二收集板均為一銅板。
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