TWI739385B - 顯示裝置及形成其的方法 - Google Patents

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Abstract

本發明的各種實施例涉及一種顯示裝置及形成其的方 法。顯示裝置包括設置在半導體基底的上方的隔離結構。電極至少局部地設置在隔離結構的上方。發光結構設置在電極的上方。導電性反射器設置在隔離結構下方且電耦合到電極。導電性反射器至少局部地設置在發光結構的側壁之間。導電性反射器包含摻雜非金屬的鋁材料。

Description

顯示裝置及形成其的方法
本發明的實施例是有關於一種顯示裝置及形成其的方法。
例如電視及蜂窩式裝置等諸多現代電子裝置均使用圖像顯示裝置來將數字數據轉換成光學圖像。為實現此目的，圖像顯示裝置可包括像素區陣列。每一像素區可具有發光結構且可耦合到半導體裝置。半導體裝置可對發光結構選擇性地施加電信號(例如，電壓)。在施加所述電信號之後，發光結構可發射光學信號(例如，光)。舉例來說，發光結構可以是有機發光二極體(organic light emitting diode，OLED)或一些其他適合的發光裝置。
本發明實施例的一種隔離結構，設置在半導體基底的上方；電極，至少局部地設置在所述隔離結構的上方；發光結構，設置在所述電極的上方；以及導電性反射器，設置在所述隔離結 構下方且電耦合到所述電極，其中所述導電性反射器至少局部地設置在所述發光結構的側壁之間，且其中所述導電性反射器包含摻雜非金屬的鋁材料。
本發明實施例的一種顯示裝置，包括：內連結構，設置在半導體基底的上方；隔離結構，設置在所述內連結構及所述半導體基底的上方；電極，至少局部地設置在所述隔離結構的上方，其中所述電極朝所述內連結構延伸到所述隔離結構中；發光結構，設置在所述電極的上方且至少局部地位於所述電極的側壁之間；以及導電性反射器，設置在所述內連結構與所述隔離結構之間，其中所述導電性反射器電耦合到所述內連結構及所述電極；所述導電性反射器包括摻雜金屬的鋁結構，所述摻雜金屬的鋁結構包含摻雜金屬的鋁材料；所述導電性反射器包括摻雜非金屬的鋁結構，所述摻雜非金屬的鋁結構包含摻雜非金屬的鋁材料；且所述摻雜非金屬的鋁結構設置在所述摻雜金屬的鋁結構的上方。
本發明實施例的一種形成顯示裝置的方法，所述方法包括：接收工件，所述工件包括半導體基底、設置在所述半導體基底的上方的內連結構及設置在所述內連結構及所述半導體基底的上方的第一介電層；在所述第一介電層中形成第一開口，其中所述第一開口暴露出所述內連結構的一部分；在所述第一介電層的上方及在所述第一開口中形成摻雜非金屬的鋁層；移除所述摻雜非金屬的鋁層的上部部分，以使得所述摻雜非金屬的鋁層的下部 部分的上表面與所述第一介電層的上表面實質上對齊；在所述第一介電層的上方及在所述摻雜非金屬的鋁層的下部部分的上方形成第二介電層；在所述第二介電層中形成第二開口；在所述第二介電層的上方及在所述第二開口中形成電極，其中所述電極電耦合到所述摻雜非金屬的鋁層的下部部分；以及在所述電極的上方以及至少局部地在所述摻雜非金屬的鋁層的下部部分的側壁之間形成發光結構。
100:顯示裝置
102:半導體基底
104:半導體裝置
106:控制電路
108:層間介電結構
108a:下部層間介電結構
108b:上部層間介電結構
110:內連結構
110a:上部導電性特徵/第一上部導電性特徵
110b:上部導電性特徵/第二上部導電性特徵
110c:上部導電性特徵/第三上部導電性特徵
112:第一介電柵格
114a:像素區/第一像素區
114b:像素區/第二像素區
114c:像素區/第三像素區
116a:電極/第一電極
116b:電極/第二電極
116c:電極/第三電極
118a:發光結構/第一發光結構
118b:發光結構/第二發光結構
118c:發光結構/第三發光結構
120a:通孔結構/第一通孔結構
120b:通孔結構/第二通孔結構
120c:通孔結構/第三通孔結構
122:隔離結構
124:第二介電柵格
126a:導電性反射器/第一導電性反射器
126b:導電性反射器/第二導電性反射器
126c:導電性反射器/第三導電性反射器
128:區域
302a:摻雜非金屬的鋁結構/第一摻雜非金屬的鋁結構
302b:摻雜非金屬的鋁結構/第二摻雜非金屬的鋁結構
302c:摻雜非金屬的鋁結構/第三摻雜非金屬的鋁結構
304a:摻雜金屬的鋁結構/第一摻雜金屬的鋁結構
304b:摻雜金屬的鋁結構/第二摻雜金屬的鋁結構
304c:摻雜金屬的鋁結構/第三摻雜金屬的鋁結構
306:區域
502:第一介電結構
504:第二介電結構
506:第三介電結構
508:第四介電結構
510:第五介電結構
512a:阻擋結構/第一阻擋結構
512b:阻擋結構/第二阻擋結構
512c:阻擋結構/第三阻擋結構
514:第六介電結構
516:第七介電結構
518:第八介電結構
520:阻擋結構
602:第四介電層
604:第五介電層
702a:開口/第一開口
702b:開口/第二開口
702c:開口/第三開口
802:阻擋層
902:摻雜金屬的鋁層
904:摻雜非金屬的鋁層
1002:平坦化製程
1202:阻擋層
1302a:通孔開口/第一通孔開口
1302b:通孔開口/第二通孔開口
1302c:通孔開口/第三通孔開口
1600:流程圖
1602、1604、1606、1608、1610、1612、1614:步驟
t1:第一厚度
t2:第二厚度
t3:第三厚度
結合附圖閱讀以下詳細說明，能最好地理解本發明的各方面。注意，根據業界中的標準慣例，各種特徵未按比例繪製。事實上，為論述的清晰起見，可任意地增大或減小各種特徵的尺寸。
圖1說明具有反射率得到提高的導電性反射器的顯示裝置的一些實施例的剖視圖。
圖2說明圖1所示顯示裝置的區域的一些實施例的放大剖視圖。
圖3說明圖1所示顯示裝置的一些其他實施例的剖視圖。
圖4說明圖3所示顯示裝置的區域的一些實施例的放大剖視圖。
圖5說明圖1所示顯示裝置的一些其他實施例的剖視圖。
圖6到圖15說明形成具有反射率得到提高的導電性反射器的顯示裝置的一些實施例的一系列剖視圖。
圖16說明用於形成具有反射率得到提高的導電性反射器的顯示裝置的方法的一些實施例的流程圖。
以下發明內容提供諸多不同的實施例或實例以實施所提供主題的不同特徵。下文闡述組件及佈置的具體實例以使本發明簡明。當然，這些僅是實例並不旨在進行限制。舉例來說，在以下說明中，第一特徵形成在第二特徵的上方或形成在第二特徵上可包括第一特徵與第二特徵形成為直接接觸的實施例，且還可包括額外特徵可形成在第一特徵與第二特徵之間以使得第一特徵與第二特徵不可直接接觸的實施例。另外，本發明可在各種實例中重複使用參考編號及/或字母。此重複是出於簡明及清晰目的，本質上並不規定所述的各種實施例及/或配置之間的關係。
此外，為便於說明起見，本文中可使用例如「在...之下(beneath)」、「在...下方(below)」、「下部(lower)」、「在...上方(above)」、「上部(upper)」等空間相對用語來闡述一個元件或特徵與另外的元件或特徵之間的關係，如圖中所說明。除了圖中所繪示的定向之外，所述空間相對用語還旨在囊括裝置在使用或操作中的不同定向。可以其他方式對設備進行定向(旋轉90度或處於其他定向)，且同樣地可據此對本文中所使用的空間相對描述符 加以解釋。
在一些實施例中，一種顯示裝置包括像素區陣列。每一像素區包括：導電性反射器；電極，設置在所述導電性反射器的上方；及發光結構，設置在所述電極的上方。所述電極電耦合到所述導電性反射器及所述發光結構。此外，電極被配置成允許光(例如，可見光)穿過所述電極而到達導電性反射器(例如，由於電極的厚度、電極的化學組成等)。
在顯示裝置的像素區中的一者運作期間，將電信號(例如，電壓)從耦合到導電性反射器的電路系統施加到電極。所述電信號使得在發光結構與電極之間的界面處產生光(例如，由於電子電洞重組)。所產生的光中的一些穿過電極且被導電性反射器朝發光結構反射回去。朝發光結構反射回去的光與發光結構所產生的一些其他光組合，且由於相長干涉及/或相消干涉而從像素區發射具有特定波長的光。舉例來說，由於發光結構與導電性反射器相隔第一距離，因此可從像素區發射具有第一波長的光(例如，紅色光)，或由於發光結構與導電性反射器相隔第二距離，因此可從像素區發射具有第二波長的光(例如，綠色光)，所述第二距離不同於所述第一距離。
通常，所述導電性反射器由鋁-銅(Al-Cu)製成。在顯示裝置的形成期間，通常將Al-Cu反射器暴露於一種或多種處理流體(例如，蝕刻殘留物移除劑、光阻剝除劑、去離子水等)。當將 Al-Cu反射器暴露於所述一種或多種處理流體時，Al-Cu反射器可發生電偶腐蝕(galvanic corrosion)，這會導致Al-Cu反射器出現凹點(例如，由於鋁與銅在「陽極指數」上具有相對大的差異)。在一些實施例中，由於所述一種或多種處理流體具有相對高的含水量(例如，大於20%)及/或所述一種或多種處理流體具有用作催化劑的處理元素(例如，氟(F))，因此可引起對Al-Cu反射器的電偶腐蝕。Al-Cu反射器的凹點可對Al-Cu反射器的反射率造成負面影響(例如，由於凹點增大了Al-Cu反射器的上表面的表面粗糙度)。因此，可對顯示裝置的性能造成負面影響(例如，發光率降低、色彩準確度降低等)。
本申請的各種實施例涉及一種具有反射率得到提高的反射器的顯示裝置。所述顯示裝置包括設置在半導體基底的上方的隔離結構。電極至少局部地設置在所述隔離結構的上方。所述電極被配置成允許光穿過電極。發光結構設置在所述電極的上方。導電性反射器設置在所述隔離結構及所述電極下方。導電性反射器至少局部地設置在發光結構的側壁之間且至少局部地設置在電極的側壁之間。導電性反射器包含摻雜非金屬的鋁材料。摻雜非金屬的鋁材料抗電偶腐蝕(例如，不會受到電偶腐蝕)。
由於導電性反射器至少局部地設置在發光結構的側壁之間，因此導電性反射器能夠將發光結構朝導電性反射器發射的光朝發光結構反射回去。由於摻雜非金屬的鋁材料抗電偶腐蝕，因 此導電性反射器可在顯示裝置的形成期間不會受到電偶腐蝕。由於導電性反射器可不會受到電偶腐蝕，因此導電性反射器可不會出現凹點(例如，受到點蝕)。由於導電性反射器可不會出現凹點，因此與由Al-Cu製成的導電性反射器相比，所述導電性反射器的反射率可得到提高(例如，由於導電性反射器的上表面具有比Al-Cu反射器的上表面低的表面粗糙度)。因此，與具有由Al-Cu製成的導電性反射器的顯示裝置相比，顯示裝置的性能可得到提高(例如，發光率變大、色彩準確度提高等)。
圖1說明具有反射率得到提高的導電性反射器的顯示裝置100的一些實施例的剖視圖。
如圖1中所示，顯示裝置100包括半導體基底102。半導體基底102可包括任何類型的半導體本體(例如，單晶矽/互補金屬氧化物半導體(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor，CMOS)基體、矽鍺(SiGe)、絕緣體上矽(silicon on insulator，SOI)等)。一個或多個半導體裝置104可設置在半導體基底102上/半導體基底102中。所述一個或多個半導體裝置104可以是或包括例如金屬氧化物半導體(MOS)場效電晶體(field-effect transistor，FET)、一些其他金屬氧化物半導體裝置或一些其他半導體裝置。在一些實施例中，所述一個或多個半導體裝置104可以是控制電路106的一部分。
層間介電(interlayer dielectric，ILD)結構108設置在半 導體基底102及所述一個或多個半導體裝置104的上方。內連結構110(例如，銅內連線)嵌置在層間介電結構108中。內連結構110包括多個導電性特徵(例如，金屬線、金屬通孔、金屬觸點等)。在一些實施例中，層間介電結構108包括一個或多個堆疊的層間介電層，所述一個或多個堆疊的層間介電層可分別包含低介電常數(low-k)值電介質(例如，介電常數小於約3.9的介電材料)、氧化物(例如，二氧化矽(SiO2))等。在其他實施例中，內連結構110可包含例如銅(Cu)、鋁(Al)、鎢(W)、一些其他導電性材料或前述材料的組合。
第一介電柵格112設置在層間介電結構108及內連結構110的上方。在一些實施例中，第一介電柵格112可具有實質上平坦的上表面。在其他實施例中，第一介電柵格112包括一個或多個堆疊的介電層，所述一個或多個堆疊的介電層可分別包含氧化物(例如，SiO2)、氮化物(例如，氮化矽(SiN))、氮氧化物(例如，氮氧化矽(SiOXNY))等。
多個像素區114a到114c設置在內連結構110的上方且至少局部地設置在第一介電柵格112中。舉例來說，第一像素區114a、第二像素區114b及第三像素區114c設置在內連結構110上之且至少局部地設置在第一介電柵格112中。在一些實施例中，所述多個像素區114a到114c設置在包括若干行及若干列的陣列中。在其他實施例中，所述多個像素區114a到114c中的一些可橫 跨多個行或多個列。
像素區114a到114c分別包括多個電極116a到116c。舉例來說，第一像素區114a包括第一電極116a，第二像素區包括第二電極116b，且第三像素區114c包括第三電極116c。在一些實施例中，電極116a到116c被配置成允許光(例如，可見光)穿過電極116a到116c(例如，由於電極的厚度、電極的化學組成等)。
此外，像素區114a到114c分別包括發光結構118a到118c。舉例來說，第一像素區114a包括第一發光結構118a，第二像素區包括第二發光結構118b，且第三像素區114c包括第三發光結構118c。發光結構118a到118c分別設置在電極116a到116c的上方。電極116a到116c分別電耦合到發光結構118a到118c。在一些實施例中，電極116a到116c分別接觸發光結構118a到118c。
在一些實施例中，像素區114a到114c可分別包括多個通孔結構120a到120c。舉例來說，第一像素區114a包括第一通孔結構120a，第二像素區114b包括第二通孔結構120b，且第三像素區114c包括第三通孔結構120c。通孔結構120a到120c可分別為電極116a到116c的下表面的一部分加襯(line)。通孔結構120a到120c是導電性的且分別電耦合到電極116a到116c。
隔離結構122設置在內連結構110與第一介電柵格112之間。在一些實施例中，隔離結構122具有不同的厚度。舉例來 說，隔離結構122的第一部分設置在第一發光結構118a正下方，隔離結構122的第二部分設置在第二發光結構118b正下方，且隔離結構122的第三部分設置在第三發光結構118c正下方。隔離結構122的第一部分具有第一厚度，隔離結構122的第二部分具有不同於(例如，小於)第一距離的第二厚度，且隔離結構122的第三部分具有第三厚度，所述第三厚度不同於(例如，小於)所述第一厚度及所述第二厚度兩者。在其他實施例中，隔離結構122包括一個或多個堆疊的介電層，所述一個或多個堆疊的介電層可分別包含氧化物(例如，SiO2)、低溫氧化物(例如，低溫SiO2)、氮化物(例如，SiN)、氮氧化物(例如，SiOXNY)等。
第二介電柵格124設置在內連結構110與隔離結構122之間。在一些實施例中，第一介電柵格112的一個或多個部分分別直接上覆在第二介電柵格124的一個或多個部分上。舉例來說，第一介電柵格112的第一部分設置在第一發光結構118a與第二發光結構118b之間，且第一介電柵格112的第一部分可直接上覆在第二介電柵格124的第一部分上。在其他實施例中，第二介電柵格124包括一個或多個堆疊的介電層，所述一個或多個堆疊的介電層可分別包含氧化物(例如，SiO2)、未經摻雜的矽酸鹽玻璃(undoped silicate glass，USG)、氮化物(例如，SiN)、氮氧化物(例如，SiOXNY)等。
多個導電性反射器126a到126c設置在隔離結構122與 內連結構110之間。舉例來說，第一導電性反射器126a、第二導電性反射器126b及第三導電性反射器126c設置在隔離結構122與內連結構110之間。在一些實施例中，所述多個導電性反射器126a到126c設置在第二介電柵格124中。在這些實施例中，第二介電柵格124的第一部分可將第一導電性反射器126a與第二導電性反射器126b分隔開。導電性反射器126a到126c電耦合到內連結構110。導電性反射器126a到126c分別電耦合到電極116a到116c。
在一些實施例中，導電性反射器126a到126c分別接觸通孔結構120a到120c。在其他實施例中，導電性反射器126a到126c分別接觸內連結構110的上部導電性特徵110a到110c。舉例來說，第一導電性反射器126a可接觸內連結構110的第一上部導電性特徵110a，第二導電性反射器126b可接觸內連結構110的第二上部導電性特徵110b，且第三導電性反射器126c可接觸內連結構110的第三上部導電性特徵110c。在另外的實施例中，上部導電性特徵110a到110c可以是內連結構110的最上部導電性特徵(例如，最上部通孔)。
導電性反射器126a到126c分別至少局部地設置發光結構118a到118c的側壁之間。舉例來說，第一導電性反射器126a可至少局部地設置在第一發光結構118a的側壁之間。由於導電性反射器126a到126c分別至少局部地設置在發光結構118a到118c 的側壁之間，因此導電性反射器126a到126c可分別將發光結構118a到118c所產生的光朝發光結構118a到118c反射回去。舉例來說，由於第一導電性反射器126a至少局部地設置在第一發光結構118a的側壁之間，因此第一導電性反射器126a可將第一發光結構118a所產生的光朝第一發光結構118a反射回去。在其他實施例中，發光結構118a到118c的側壁分別設置在導電性反射器126a到126c的側壁之間。舉例來說，第一發光結構118a的側壁可設置在第一導電性反射器126a的側壁之間。在其他實施例中，導電性反射器126a到126c分別至少局部地設置在電極116a到116c的側壁之間。舉例來說，第一導電性反射器126a可至少局部地設置在第一電極116a的側壁之間。在另外的實施例中，電極116a到116c的側壁分別設置在導電性反射器126a到126c的側壁之間。舉例來說，第一電極116a的側壁可設置在第一導電性反射器126a的側壁之間。
導電性反射器126a到126c電耦合到控制電路106(例如，經由內連結構110)。控制電路106被配置成對導電性反射器126a到126c選擇性地施加電信號(例如，電壓)，以使得發光結構118a到118c產生光(例如，可見光)。在一些實施例中，由於所述電信號使得在電極116a到116c與發光結構118a到118c之間分別發生電子電洞重組，因此發光結構118a到118c產生光。發光結構118a到118c所產生的光中的一些穿過對應的電極，從對應的 導電性反射器反射，並分別朝發光結構118a到118c反射回去。朝發光結構118a到118c反射回去的光分別與發光結構118a到118c所產生的一些其他光組合，且由於相長干涉及/或相消干涉而分別從像素區114a到114c發射具有特定波長的光。在其他實施例中，從像素區114a到114c發射的光可以是彩色光(例如，來自第一像素區114a的紅色光、來自第二像素區114b的綠色光及來自第三像素區114c的藍色光)。
舉例來說，控制電路106電耦合到第一導電性反射器126a。控制電路被配置成對第一導電性反射器126a選擇性地施加電信號(例如，電壓)，以使得第一發光結構118a產生光(例如，由於電信號使得第一電極116a與第一發光結構118a之間發生電子電洞重組)。第一發光結構118a所產生的光中的一些穿過第一電極116a，從第一導電性反射器126a反射，並朝第一發光結構118a反射回去。朝第一發光結構118a反射回去的光與第一發光結構118a所產生的一些其他光組合，且由於相長干涉及/或相消干涉而從第一像素區114a發射具有第一波長的光。在其他實施例中，從第一像素區114a發射的光可以是彩色光(例如紅色光、藍色光、綠色光等)。第一色彩取決於隔離結構122的第一部分的厚度。舉例來說，如果隔離結構122的第一部分的厚度是第一厚度，則彩色光可以是第一色彩(例如，紅色)。另一方面，如果隔離結構122的第一部分的厚度是不同於(例如，小於)所述第一厚度的第二 厚度，則彩色光可以是不同於第一色彩的第二色彩(例如，綠色、藍色等)。
在一些實施例中，導電性反射器126a到126c包含摻雜非金屬的鋁材料。應瞭解，摻雜非金屬的鋁材料包括摻雜非金屬的鋁(例如，摻雜鋁的氧化鋅，摻雜鋁的類金剛石碳)。摻雜非金屬的鋁材料抗電偶腐蝕(例如，不會受到電偶腐蝕)。在其他實施例中，導電性反射器126a到126c實質上由摻雜非金屬的鋁材料(例如，不會對摻雜非金屬的鋁材料的基本且新穎的特性產生本質影響的摻雜非金屬的鋁材料及任何其他元素)組成。在其他實施例中，導電性反射器126a到126c由摻雜非金屬的鋁材料(例如，摻雜非金屬的鋁材料及通常與摻雜非金屬的鋁材料相關聯的雜質)組成。在另外的實施例中，摻雜非金屬的鋁材料可以是例如鋁(Al)、鋁-矽(Al-Si)、摻雜鋁的氧化鋅(摻雜Al的ZnO)、摻雜Al的類金剛石碳(摻雜Al的DLC)或一些其他摻雜非金屬的鋁材料。在摻雜非金屬的鋁材料是Al-Si的實施例中，摻雜非金屬的鋁材料可在Al-Si中包含少於1.5重量%的矽。
由於摻雜非金屬的鋁材料抗電偶腐蝕，因此在顯示裝置100的形成期間導電性反射器126a到126c可不會受到電偶腐蝕(例如，摻雜非金屬的鋁材料在暴露於一種或多種處理流體(例如，蝕刻殘留物移除劑、光阻剝除劑、去離子水等)時可不會發生反應而造成電偶腐蝕)。由於導電性反射器126a到126c可不會 受到電偶腐蝕，因此導電性反射器126a到126c可不會出現凹點(例如，經受點蝕)。由於導電性反射器126a到126c可不會出現凹點，因此與不包含摻雜非金屬的鋁材料的其他導電性反射器(例如，鋁-銅(Al-Cu)反射器)相比，導電性反射器126a到126c的反射率可得到提高。由於導電性反射器126a到126c的上表面具有比其他導電性反射器的上表面低的表面粗糙度，因此與其他導電性反射器相比，導電性反射器126a到126c的反射率可得到提高。因此，與具有其他導電性反射器的其他顯示裝置相比，顯示裝置100的性能可得到提高(例如，發光率變大、色彩準確度提高等)。
圖2說明圖1所示顯示裝置100的區域128的一些實施例的放大剖視圖。應瞭解，在一些實施例中，像素區114a到114c中的一者或多者、發光結構118a到118c中的一者或多者、電極116a到116c中的一者或多者、通孔結構120a到120c中的一者或多者、導電性反射器126a到126c中的一者或多者及/或上部導電性特徵110a到110c中的一者或多者可包括下文分別關於第一像素區114a、第一發光結構118a、第一電極116a、第一通孔結構120a、第一導電性反射器126a及/或第一上部導電性特徵110a所述的特徵(例如，結構特徵)。舉例來說，應瞭解，在一些實施例中，第二導電性反射器126b及/或第三導電性反射器126c可包括下文關於第一導電性反射器126a所述的特徵。
如圖2中所示，第一導電性反射器126a具有第一厚度t 1 。第一厚度t 1 可大於1000埃(Å)。在一些實施例中，第一導電性反射器126a的上表面具有小於100Å的表面粗糙度。第一導電性反射器126a可具有大於90%的反射率。在另外的實施例中，第一導電性反射器126a具有在400奈米(nm)與650奈米之間大於0.90的反射平均值。更具體來說，第一導電性反射器126a可具有在400奈米與650奈米之間約0.913的反射平均值。
在一些實施例中，第一上部導電性特徵110a的上表面是平坦的。在其他實施例中，層間介電結構108的上表面是平坦的。第一上部導電性特徵110a的上表面與層間介電結構108的上表面可共面。在其他實施例中，第一導電性反射器126a的下表面接觸第一上部導電性特徵110a及層間介電結構108。在另外的實施例中，第一導電性反射器126a的上表面接觸隔離結構122及第一通孔結構120a。
在一些實施例中，第一電極116a至少局部地設置在隔離結構122的上方。第一電極116a可接觸隔離結構122。第一電極116a的一部分可朝第一導電性反射器126a延伸到隔離結構122中。第一電極的延伸到隔離結構122中的所述部分可具有帶角度側壁。在其他實施例中，第一電極116a可接觸第一導電性反射器126a。第一電極116a的上表面可以是平坦的。在另外的實施例中，第一電極116a的上表面可設置在第一介電柵格112的上表面與第 一介電柵格112的下表面之間。
在一些實施例中，第一電極116a被配置成允許可見光穿過第一電極116a(例如，第一發光結構118a所產生的可見光)。由於第一電極116a的厚度及/或化學組成，可見光可能夠穿過第一電極116a。在其他實施例中，第一電極116a可以是或包含例如氧化銦錫(indium tin oxide，ITO)、氧化氟錫(fluorine tin oxide，FTO)、一些其他導電性材料或前述材料的組合。
在一些實施例中，第一通孔結構120a將第一電極116a的延伸到隔離結構122中的所述部分與隔離結構122分隔開。第一通孔結構120a可接觸隔離結構122的上表面。在其他實施例中，第一通孔結構120a電耦合到第一導電性反射器126a及第一電極116a。第一通孔結構120a可接觸第一導電性反射器126a及第一電極116a。在其他實施例中，第一通孔結構120a具有帶角度側壁。在另外的實施例中，第一通孔結構120a可以是或包含例如氮化鈦(TiN)、氮化鉭(TaN)等。
在一些實施例中，第一發光結構118a的上表面設置在第一介電柵格112的上表面與第一介電柵格112的下表面之間。第一發光結構118a至少局部地設置在第一電極116a的側壁之間。在其他實施例中，第一發光結構118a的側壁與第一電極116a的側壁對齊。在另外的實施例中，第一發光結構118a可以是或包括有機發光二極體(OLED)或一些其他適合的發光裝置。
圖3說明圖1所示顯示裝置100的一些其他實施例的剖視圖。
如圖3中所示，導電性反射器126a到126c分別包括摻雜非金屬的鋁結構302a到302c。舉例來說，第一導電性反射器126a包括第一摻雜非金屬的鋁結構302a，第二導電性反射器126b包括第二摻雜非金屬的鋁結構302b，且第三導電性反射器126c包括第三摻雜非金屬的鋁結構302c。此外，導電性反射器126a到126c分別包括摻雜金屬的鋁結構304a到304c。舉例來說，第一導電性反射器126a包括第一摻雜金屬的鋁結構304a，第二導電性反射器126b包括第二摻雜金屬的鋁結構304b，且第三導電性反射器126c包括第三摻雜金屬的鋁結構304c。
在一些實施例中，摻雜金屬的鋁結構304a到304c包含摻雜金屬的鋁材料。摻雜金屬的鋁材料比摻雜非金屬的鋁材料更容易受到電偶腐蝕。在其他實施例中，摻雜金屬的鋁結構304a到304c實質上由摻雜金屬的鋁材料(例如，不會對摻雜金屬的鋁材料的基本且新穎的特性產生本質影響的摻雜金屬的鋁材料及任何其他元素)組成。在其他實施例中，摻雜金屬的鋁結構304a到304c由摻雜金屬的鋁材料(例如，摻雜金屬的鋁材料及通常與摻雜金屬的鋁材料相關聯的雜質)組成。在另外的實施例中，摻雜金屬的鋁材料可以是例如鋁-銅(Al-Cu)、鋁-鎳(Al-Ni)、鋁-鈦(Al-Ti)、鋁-錫-銅(Al-Sn-Cu)或一些其他摻雜金屬的鋁材料。在摻雜金屬 的鋁材料是Al-Cu的實施例中，摻雜金屬的鋁材料可在Al-Cu中包含少於0.5重量%的銅。
摻雜非金屬的鋁結構302a到302c分別設置在摻雜金屬的鋁結構304a到304c的上方。摻雜非金屬的鋁結構302a到302c分別覆蓋摻雜金屬的鋁結構304a到304c。在一些實施例中，摻雜非金屬的鋁結構302a到302c分別接觸摻雜金屬的鋁結構304a到304c。在其他實施例中，摻雜非金屬的鋁結構302a到302c的側壁分別與摻雜金屬的鋁結構304a到304c的側壁對齊。
在一些實施例中，摻雜非金屬的鋁結構302a到302c包含摻雜非金屬的鋁材料。在其他實施例中，摻雜非金屬的鋁結構302a到302c本質上由摻雜非金屬的鋁材料組成。在其他實施例中，摻雜非金屬的鋁結構302a到302c由摻雜非金屬的鋁材料組成。
由於摻雜非金屬的鋁結構302a到302c分別覆蓋摻雜金屬的鋁結構304a到304c，因此摻雜非金屬的鋁結構302a到302c保護摻雜金屬的鋁結構304a到304c在顯示裝置100的形成期間不受電偶腐蝕(例如，由於摻雜非金屬的鋁材料抗電偶腐蝕)。由於摻雜非金屬的鋁結構302a到302c保護摻雜金屬的鋁結構304a到304c不受電偶腐蝕，因此導電性反射器126a到126c可不會出現凹點。由於導電性反射器126a到126c可不會出現凹點，因此與不包含摻雜非金屬的鋁材料的其他導電性反射器相比，導電性 反射器126a到126c的反射率可得到提高。由於摻雜非金屬的鋁結構302a到302c的上表面具有比其他導電性反射器的上表面低的表面粗糙度，因此與其他導電性反射器相比，導電性反射器126a到126c的反射率可得到提高。因此，與具有其他導電性反射器的其他顯示裝置相比，顯示裝置100的性能可得到提高。
圖4說明圖3所示顯示裝置100的區域306的一些實施例的放大剖視圖。應瞭解，在一些實施例中，摻雜非金屬的鋁結構302a到302c中的一者或多者可包括下文關於第一摻雜非金屬的鋁結構302a所述的特徵(例如，結構特徵)，及/或摻雜金屬的鋁結構304a到304c中的一者或多者可包括下文關於第一摻雜金屬的鋁結構304a所述的特徵。
如圖4中所示，第一摻雜非金屬的鋁結構302a具有第二厚度t 2 ，且第一摻雜金屬的鋁結構304a具有第三厚度t3。在一些實施例中，第二厚度t 2 與第三厚度t 3 的和大於1000埃。在其他實施例中，第三厚度t 3 比第二厚度t 2 大至少四倍。換句話說，在一些實施例中，第三厚度t 3 對第二厚度t 2 的比率大於4：1。
在一些實施例中，第一摻雜非金屬的鋁結構302a的上表面具有小於100埃的表面粗糙度。第一摻雜非金屬的鋁結構302a可具有大於90%的反射率。在其他實施例中，第一摻雜非金屬的鋁結構302a具有在400奈米與650奈米之間大於0.90的反射平均值。更具體來說，第一摻雜非金屬的鋁結構302a可具有在400奈 米與650奈米之間約0.913的反射平均值。
在一些實施例中，第一摻雜金屬的鋁結構304a設置在內連結構110與第一摻雜非金屬的鋁結構302a之間。第一摻雜金屬的鋁結構304a可接觸第一上部導電性特徵110a及層間介電結構108。第一摻雜非金屬的鋁結構302a設置在第一摻雜金屬的鋁結構304a與第一電極116a之間。在其他實施例中，第一摻雜非金屬的鋁結構302a的上表面接觸第一通孔結構120a、第一電極116a及/或隔離結構122。
圖5說明圖1所示顯示裝置100的一些其他實施例的剖視圖。
如圖5中所示，層間介電結構108包括下部層間介電結構108a及設置在下部層間介電結構108a的上方的上部層間介電結構108b。在一些實施例中，下部層間介電結構108a包括一個或多個堆疊的層間介電層，所述一個或多個堆疊的層間介電層可分別包含低介電常數值電介質、氧化物(例如SiO2)等。在其他實施例中，上部導電性特徵110a到110c設置在下部層間介電結構108a的上方及上部層間介電結構108b中。
在一些實施例中，上部層間介電結構108b包括第一介電結構502、第二介電結構504及第三介電結構506。第一介電結構502設置在下部層間介電結構108a的上方。第一介電結構502可包含例如氧化物(例如，SiO2)、氮化物(例如，SiN)、氮氧化物 (例如，SiOXNY)等。第二介電結構504設置在第一介電結構502的上方。第二介電結構504可包含例如氧化物(例如，SiO2)、氮化物(例如，SiN)氮氧化物(例如，SiOXNY)等。在其他實施例中，第二介電結構504可包含未經摻雜的矽酸鹽玻璃(USG)。第三介電結構506設置在第二介電結構504的上方。第三介電結構506可包含例如氧化物(例如，SiO2)、氮化物(例如，SiN)、氮氧化物(例如，SiOXNY)等。在其他實施例中，第一介電結構502是SiN，第二介電結構504是未經摻雜的矽酸鹽玻璃，且第三介電結構506是SiN。
在一些實施例中，第二介電柵格124包括第四介電結構508及設置在第四介電結構508的上方的第五介電結構510。第四介電結構508可包含例如氧化物(例如，SiO2)、氮化物(例如，SiN)、氮氧化物(例如，SiOXNY)等。第五介電結構510可包含例如氧化物(例如，SiO2)、氮化物(例如，SiN)、氮氧化物(例如，SiOXNY)等。在其他實施例中，第五介電結構510可包含未經摻雜的矽酸鹽玻璃。在另外的實施例中，第四介電結構508是SiN，且第五介電結構510是未經摻雜的矽酸鹽玻璃。
在一些實施例中，第一多個阻擋結構512a到512c分別為所述多個導電性反射器126a到126c加襯。舉例來說，第一阻擋結構512a為第一導電性反射器126a的下表面及側壁加襯，第二阻擋結構512b為第二導電性反射器126b的下表面及側壁加 襯，且第三阻擋結構512c為第三導電性反射器126c的下表面及側壁加襯。在一些實施例中，第一多個阻擋結構512a到512c分別將摻雜金屬的鋁結構304a到304c與上部導電性特徵110a到110c分隔開。在其他實施例中，第一多個阻擋結構512a到512c的上表面與第五介電結構510的上表面共面及/或與摻雜非金屬的鋁結構302a到302c的上表面共面。在另外的實施例中，第一多個阻擋結構512a到512c可包含例如TaN、TiN等。
在一些實施例中，摻雜金屬的鋁結構304a到304c分別具有第一上表面，且摻雜金屬的鋁結構304a到304c分別具有第二上表面。在這些實施例中，第二上表面分別設置在第一上表面的上方。第二上表面分別設置在摻雜金屬的鋁結構304a到304c的中心區中。在其他實施例中，第二上表面分別直接上覆在上部導電性特徵110a到110c上。
在一些實施例中，摻雜金屬的鋁結構304a到304c分別具有第一下表面，且摻雜金屬的鋁結構304a到304c具有第二下表面。在這些實施例中，所述第二下表面分別設置在所述第一下表面的上方。所述第二下表面分別設置在摻雜金屬的鋁結構304a到304c的中心區中。在其他實施例中，所述第二下表面分別直接上覆在上部導電性特徵110a到110c上。在另外的實施例中，所述第二上表面分別直接上覆在所述第二下表面上。
在一些實施例中，摻雜非金屬的鋁結構302a到302c分 別具有第三下表面，且摻雜非金屬的鋁結構302a到302c分別具有第四下表面。在這些實施例中，所述第四下表面分別設置在所述第三下表面的上方。第四下表面分別設置在摻雜非金屬的鋁結構302a到302c的中心區中。在其他實施例中，第四下表面分別直接上覆在上部導電性特徵110a到110c上。在其他實施例中，第四下表面分別直接上覆在第二上表面上。在另外的實施例中，摻雜非金屬的鋁結構302a到302c具有分別在摻雜非金屬的鋁結構302a到302c的側壁之間連續延伸的平坦上表面。舉例來說，第一摻雜非金屬的鋁結構302a可具有在第一摻雜非金屬的鋁結構302a的側壁之間連續延伸的平坦上表面。
在一些實施例中，隔離結構122包括第六介電結構514、第七介電結構516及第八介電結構518。第六介電結構514、第七介電結構516及第八介電結構518設置在導電性反射器126a到126c的上方。在一些實施例中，第六介電結構514接觸第一導電性反射器126a。在其他實施例中，第七介電結構516覆蓋第六介電結構514且接觸第二導電性反射器126b。在其他實施例中，第八介電結構518覆蓋第七介電結構516且接觸第三導電性反射器126c。第六介電結構514、第七介電結構516及/或第八介電結構518可包含例如氧化物(例如，SiO2)、低溫氧化物(例如，低溫SiO2)、氮化物(例如，SiN)、氮氧化物(例如，SiOXNY)等。在另外的實施例中，第六介電結構514、第七介電結構516及第八介 電結構518是低溫氧化物。
在一些實施例中，第二多個阻擋結構520設置在第六介電結構514、第七介電結構516及第八介電結構518的上方。第二多個阻擋結構520可將第八介電結構518的上表面與通孔結構120a到120c的下表面分隔開。在其他實施例中，第二多個阻擋結構520可包含例如TiN、碳化鎢(WC)等。
圖6到圖15說明用於形成具有反射率得到提高的導電性反射器的顯示裝置100的一些實施例的一系列剖視圖。
如圖6中所示，層間介電(ILD)結構108設置在半導體基底102的上方。內連結構110設置在層間介電結構108中。層間介電結構108包括下部層間介電結構108a及上部層間介電結構108b。上部層間介電結構108b包括第一介電結構502、第二介電結構504及第三介電結構506。此外，內連結構110的上部導電性特徵110a到110c設置在上部層間介電結構108b中。此外，一個或多個半導體裝置104設置在半導體基底102上/半導體基底102中。另外，第四介電層602設置在第三介電結構506的上方，且第五介電層604設置在第四介電層602的上方。
在一些實施例中，用於形成圖6中所說明的結構的方法包括在半導體基底102中形成成對的源極/汲極區(例如，經由離子植入)來形成所述一個或多個半導體裝置104。此後，在半導體基底102的上方及在成對的源極/汲極區之間形成閘極電介質及閘 極電極(例如，經由沉積/生長製程及蝕刻製程)。然後，在所述一個或多個半導體裝置104的上方形成第一層間介電層，且在所述第一層間介電層中形成接觸開口。在所述第一層間介電層上及在所述接觸開口中形成導電性材料(例如，W)。此後，對所述導電性材料執行平坦化製程(例如，化學機械拋光(chemical-mechanical polishing，CMP))以在所述第一層間介電層中形成導電性觸點(例如，金屬觸點)。
然後，在所述第一層間介電層及所述導電性觸點的上方形成第二層間介電層，且在所述第二層間介電層中形成第一導線溝槽。在所述第二層間介電層上及在所述第一導線溝槽中形成導電性材料(例如，Cu)。此後，對導電性材料執行平坦化製程(例如，化學機械拋光)以在第二層間電介質中形成導線(例如，金屬1)。然後，在第二層間介電層及所述導線的上方形成第三層間介電層，且在所述第三層間介電層中形成導電性通孔開口。在所述第三層間介電層上及在導電性通孔開口中形成導電性材料(例如，Cu)。此後，對所述導電性材料執行平坦化製程(例如，化學機械拋光)以在所述第三層間介電層中形成導電性通孔(例如，金屬通孔)。用於形成導線及導電性通孔的以上製程可重複進行任何次數以形成下部層間介電結構108a、及內連結構110的嵌置在下部層間介電結構108a中的部分。
然後，在下部層間介電結構108a、及內連結構110的嵌 置在下部層間介電結構108a中的所述部分的上方形成第一介電層(未示出)。在所述第一介電層的上方形成第二介電層(未示出)。此後，在所述第二介電層的上方形成第三介電層(未示出)。然後，在所述第三介電層上形成圖案化的遮蔽層(未示出)。此後，將第三介電層、第二介電層及第一介電層暴露於蝕刻劑(例如，濕蝕刻劑/乾蝕刻劑)以移除第三介電層的未被遮蔽部分、第二介電層的未被遮蔽部分及第一介電層的未被遮蔽部分，借此形成第三介電結構506、第二介電結構504及第一介電結構502。在形成顯示裝置100的此時，第三介電結構506、第二介電結構504及第一介電結構502界定多個上部導電性特徵開口，所述多個上部導電性特徵開口穿過第三介電結構506、第二介電結構504及第一介電結構502延伸到內連結構110的嵌置在下部層間介電結構108a中的部分。然後，在第三介電結構506上及在上部導電性特徵開口中形成導電性材料(例如，Cu)。此後，對所述導電性材料執行平坦化製程(例如，化學機械拋光)以形成上部導電性特徵110a到110c。在一些實施例中，可使用沉積或生長製程形成上述層及/或結構，所述沉積或生長製程包括例如化學氣相沉積(chemical vapor deposition，CVD)、物理氣相沉積(physical vapor deposition，PVD)、原子層沉積(atomic layer deposition，ALD)、熱氧化、濺射、電化學鍍、無電鍍、一些其他沉積或生長製程或前述製程的組合。
然後，在上部導電性特徵110a到110c及第三介電結構506的上方形成第四介電層602。第四介電層602可包含例如氧化物(例如，SiO2)、氮化物(例如，SiN)、氮氧化物(例如，SiOXNY)等。在其他實施例中，第四介電層602是SiN。可通過在上部導電性特徵110a到110c及第三介電結構506上沉積第四介電層602來形成第四介電層602。在另外的實施例中，可通過例如化學氣相沉積、物理氣相沉積、原子層沉積等來沉積所述第一介電層。
然後，在第四介電層602的上方形成第五介電層604。第五介電層604可包含例如氧化物(例如，SiO2)、氮化物(例如，SiN)、氮氧化物(例如，SiOXNY)等。在其他實施例中，第五介電層604是未經摻雜的矽酸鹽玻璃。可通過在第四介電層602上沉積第五介電層604來形成第五介電層604。在另外的實施例中，可通過例如化學氣相沉積、物理氣相沉積、原子層沉積等來沉積第五介電層604。
如圖7中所示，在層間介電結構108的上方形成第二介電柵格124。第二介電柵格124包括第四介電結構508及第五介電結構510。在形成顯示裝置100的此時，第二介電柵格124包括延伸到第五介電結構510及第四介電結構508中的多個開口702a到702c。舉例來說，第一開口702a、第二開口702b及第三開口702c形成為延伸到第五介電結構510及第四介電結構508中。在一些實施例中，開口702a到702c的第一下表面由第三介電結構506 界定。在其他實施例中，開口702a到702c的第二下表面由上部導電性特徵110a到110c的上表面界定。開口702a到702c的第一下表面可設置在第四介電結構508的下表面下方。開口702a到702c的第二下表面分別設置在開口702a到702c的第一下表面上方。
在一些實施例中，用於形成第二介電柵格124的製程包括在第五介電層604(例如，參見圖6)上形成圖案化的遮蔽層(未示出)(例如，負性光阻/正性光阻)(例如，經由沉積製程及光刻製程)。此後，將第五介電層604及第四介電層602暴露於蝕刻劑以移除第五介電層604及第四介電層602兩者的未被遮蔽部分，借此形成第二介電柵格124(且因此形成第五介電結構510及第四介電結構508)。在其他實施例中，第三介電結構506及/或上部導電性特徵110a到110c暴露於蝕刻劑。所述蝕刻劑可以比蝕刻劑蝕刻上部導電性特徵110a到110c快的速率蝕刻第三介電結構506。在這些實施例中，蝕刻劑可移除第三介電結構506的一部分，以使得上部導電性特徵110a到110c的上表面設置在第三介電結構506的上表面的上方。
如圖8中所示，在第二介電柵格124、第三介電結構506及上部導電性特徵110a到110c的上方形成阻擋層802。在一些實施例中，阻擋層802形成在第二介電柵格124上且為開口702a到702c(例如，參見圖7)加襯。阻擋層802可以是共形層。在一些 實施例中，用於形成阻擋層802的製程包括在第二介電柵格124上沉積阻擋層802且為開口702a到702c加襯。可通過例如濺射、化學氣相沉積、物理氣相沉積、原子層沉積、一些其他沉積製程或前述製程的組合來沉積阻擋層802。阻擋層802可包含例如TaN、TiN等。
如圖9中所示，在阻擋層802的上方、在第二介電柵格124的上方且局部地在開口702a到702c(例如，參見圖7)中形成摻雜金屬的鋁層902。在一些實施例中，在阻擋層802上形成摻雜金屬的鋁層902。在其他實施例中，用於形成摻雜金屬的鋁層902的製程包括在阻擋層802上沉積摻雜金屬的鋁層902。可通過例如濺射、化學氣相沉積、物理氣相沉積、原子層沉積、一些其他沉積製程或前述製程的組合來沉積摻雜金屬的鋁層902。
在一些實施例中，摻雜金屬的鋁層902包含摻雜金屬的鋁材料。在其他實施例中，摻雜金屬的鋁層902實質上由摻雜金屬的鋁材料組成。在其他實施例中，摻雜金屬的鋁層902由摻雜金屬的鋁材料組成。在另外的實施例中，摻雜金屬的鋁材料可以是例如Al-Cu、Al-Ni、Al-Ti、Al-Sn-Cu或一些其他摻雜金屬的鋁材料。在摻雜金屬的鋁材料是Al-Cu的實施例中，摻雜金屬的鋁材料可在Al-Cu中包含小於0.5重量%的銅。
圖9中還示出，在摻雜金屬的鋁層902的上方、在第二介電柵格124的上方且至少局部地在開口702a到702c(例如，參 見圖7)中形成摻雜非金屬的鋁層904。在一些實施例中，摻雜非金屬的鋁層904包含摻雜非金屬的鋁材料。應瞭解，摻雜非金屬的鋁材料包括摻雜非金屬的鋁(例如，摻雜鋁的氧化鋅、摻雜鋁的類金剛石碳)。摻雜非金屬的鋁材料抗電偶腐蝕(例如，不會受到電偶腐蝕)。摻雜金屬的鋁材料比摻雜非金屬的鋁材料更容易受到電偶腐蝕。在其他實施例中，摻雜非金屬的鋁層904實質上由摻雜非金屬的鋁材料組成。在其他實施例中，摻雜非金屬的鋁層904由摻雜非金屬的鋁材料組成。在另外的實施例中，摻雜非金屬的鋁材料可以是例如Al、Al-Si、摻雜Al的ZnO、摻雜Al的DLC或一些其他摻雜非金屬的鋁材料。在摻雜非金屬的鋁材料是Al-Si的實施例中，所述摻雜非金屬的鋁材料可在Al-Si中包含小於1.5重量%的矽。
在一些實施例中，摻雜非金屬的鋁層904形成在摻雜金屬的鋁層902上。在其他實施例中，用於形成摻雜非金屬的鋁層904的製程包括在摻雜金屬的鋁層902上沉積摻雜非金屬的鋁層904。可通過例如濺射、熱蒸鍍、化學氣相沉積、物理氣相沉積、原子層沉積、一些其他沉積製程或前述製程的組合來沉積摻雜非金屬的鋁層904。
舉例來說，在摻雜非金屬的鋁層904的摻雜非金屬的鋁材料是Al-Si的實施例中，可通過濺射製程來形成摻雜非金屬的鋁層904，所述濺射製程在處理腔室中利用Al-Si目標，以使得濺射 製程在摻雜金屬的鋁層902上沉積Al-Si層。在摻雜非金屬的鋁層904的摻雜非金屬的鋁材料是摻雜Al的ZnO的實施例中，可通過熱蒸鍍製程形成摻雜非金屬的鋁層904，所述熱蒸鍍製程在處理腔室中蒸鍍鋁-鋅化合物並在蒸鍍鋁-鋅化學物時將氧氣泵送到處理腔室中，以使得所述熱蒸鍍製程在摻雜金屬的鋁層902上沉積摻雜Al的ZnO層。在摻雜非金屬的鋁層904的摻雜非金屬的鋁材料是摻雜Al的DLC的實施例中，可通過混合的化學氣相沉積-濺射製程形成摻雜非金屬的鋁層904。混合的化學氣相沉積-濺射製程可在處理腔室中利用鋁目標並在對所述鋁目標進行濺射時將包含碳的前驅物(例如，乙炔(C2H2))泵送到處理腔室中，以使得混合的化學氣相沉積-濺射製程在摻雜金屬的鋁層902上沉積摻雜Al的DLC層。
如圖10中所示，在層間介電結構108的上方及在第二介電柵格124中形成多個導電性反射器126a到126c。此外，第一多個阻擋結構512a到512c分別形成在層間介電結構108與所述多個導電性反射器126a到126c之間。在一些實施例中，所述多個導電性反射器126a到126c分別包括摻雜金屬的鋁結構304a到304c。此外，所述多個導電性反射器126a到126c分別包括摻雜非金屬的鋁結構302a到302c。摻雜非金屬的鋁結構302a到302c分別設置在摻雜金屬的鋁結構304a到304c的上方。
在一些實施例中，用於形成導電性反射器126a到126c 及第一多個阻擋結構512a到512c的製程包括對摻雜非金屬的鋁層904、摻雜金屬的鋁層902及阻擋層802(例如，參見圖9)執行平坦化製程1002(例如，化學機械拋光)。平坦化製程1002移除摻雜非金屬的鋁層904的上部部分，從而在適當位置留下摻雜非金屬的鋁層904的下部部分作為摻雜非金屬的鋁結構302a到302c；移除摻雜金屬的鋁層902的上部部分，從而在適當位置留下摻雜金屬的鋁層902的下部部分作為摻雜金屬的鋁結構304a到304c；且移除阻擋層802的上部部分，從而在適當位置留下阻擋層802的下部部分作為第一多個阻擋結構512a到512c。平坦化製程1002將摻雜非金屬的鋁結構302a到302c的上表面、摻雜金屬的鋁結構304a到304c的上表面及第一多個阻擋結構512a到512c的上表面平坦化。在其他實施例中，可對第二介電柵格124執行平坦化製程1002以移除第二介電柵格124的上部部分。在這些實施例中，平坦化製程1002將摻雜非金屬的鋁結構302a到302c的上表面、摻雜金屬的鋁結構304a到304c的上表面、第一多個阻擋結構512a到512c的上表面及第二介電柵格124的上表面平坦化。
如圖11中所示，在所述多個導電性反射器126a到126c及第二介電柵格124的上方形成隔離結構122。隔離結構122包括第六介電結構514、第七介電結構516及第八介電結構518。
在一些實施例中，用於形成隔離結構122的製程包括在 導電性反射器126a到126c、第二介電柵格124及第一多個阻擋結構512a到512c上沉積第六介電層(未示出)。在其他實施例中，可通過例如化學氣相沉積、低溫化學氣相沉積(例如，具有小於或等於約250℃的處理溫度)、物理氣相沉積、原子層沉積等來沉積所述第六介電層。然後在第六介電層上形成第一圖案化的遮蔽層(未示出)。此後，將第六介電層暴露於蝕刻劑以移除第六介電層的未被遮蔽部分，借此形成第六介電結構514。在其他實施例中，在第一導電性反射器126a、第一阻擋結構512a上及在第二介電柵格124的第一部分上形成第六介電結構514。
此外，在第六介電結構514、導電性反射器126a到126c、第二介電柵格124及第一多個阻擋結構512a到512c的上方沉積第七介電層(未示出)。在一些實施例中，可通過例如化學氣相沉積、物理氣相沉積、原子層沉積等來沉積所述第七介電層。然後，在所述第七介電層上形成第二圖案化的遮蔽層(未示出)。此後，將第七介電層暴露於蝕刻劑以移除第七介電層的未被遮蔽部分，借此形成第七介電結構516。在其他實施例中，在第六介電結構514、第二導電性反射器126b、第二阻擋結構512b上及在第二介電柵格124的第二部分上形成第七介電結構516。
此外，在第六介電結構514、第七介電結構516、導電性反射器126a到126c、第二介電柵格124及第一多個阻擋結構512a到512c的上方形成第八介電結構518。在一些實施例中，在第六 介電結構514、第七介電結構516、第三導電性反射器126c、第二介電柵格124及第三阻擋結構512c上形成第八介電結構518。在其他實施例中，可通過例如化學氣相沉積、物理氣相沉積、原子層沉積等來沉積第八介電結構518。在其他實施例中，第六介電層、第七介電層及/或第八介電結構518可包含例如氧化物(例如，SiO2)、氮化物(例如，SiN)、氮氧化物(例如，SiOXNY)等。在另外的實施例中，第六介電層、第七介電層及第八介電結構518包含氧化物(例如，SiO2)。
應瞭解，在一些實施例中，可使用一種或多種額外處理流體(例如，蝕刻殘留物移除劑、光阻剝除劑、去離子水等)來形成隔離結構122。舉例來說，在形成第六介電結構514及/或第七介電結構516之後，可將導電性反射器126a到126c中的一者或多者暴露於光阻剝除劑。在一些實施例中，所述一種或多種額外處理流體可具有大於9的酸鹼度(pH)。所述一種或多種額外處理流體可具有大於10的pH。在其他實施例中，所述額外處理流體中的一種或多種可具有約10.7的pH。在另外的實施例中，所述一種或多種額外處理流體可具有大於20%的含水量。在另外的實施例中，所述一種或多種額外處理流體可包含氟(F)。
由於摻雜非金屬的鋁結構302a到302c分別覆蓋摻雜金屬的鋁結構304a到304c，因此摻雜非金屬的鋁結構302a到302c可防止摻雜金屬的鋁結構304a到304c被蝕刻劑及/或所述一種或 多種額外處理流體電偶腐蝕(例如，由於摻雜非金屬的鋁材料抗電偶腐蝕)。由於摻雜非金屬的鋁結構302a到302c保護摻雜金屬的鋁結構304a到304c不受電偶腐蝕，因此可在導電性反射器126a到126c不出現凹點的情況下形成隔離結構122。由於導電性反射器126a到126c可不會出現凹點，因此與不包含摻雜非金屬的鋁材料的其他導電性反射器相比，導電性反射器126a到126c的反射率可得到提高。
如圖12中所示，在隔離結構122的上方形成阻擋層1202。在一些實施例中，用於形成阻擋層1202的製程包括在第八介電結構518上沉積阻擋層1202。在其他實施例中，可通過例如化學氣相沉積、物理氣相沉積、原子層沉積等來形成阻擋層1202。在另外的實施例中，阻擋層1202可包含例如TiN、WC等。
如圖13中所示，在導電性反射器126a到126c及第二介電柵格124的上方形成多個通孔開口1302a到1302c。通孔開口1302a到1302c分別穿過隔離結構122及阻擋層1202延伸到導電性反射器126a到126c。舉例來說，第一通孔開口1302a穿過隔離結構122及阻擋層1202延伸到第一導電性反射器126a，第二通孔開口1302b穿過隔離結構122及阻擋層1202延伸到第二導電性反射器126b，且第三通孔開口1302c穿過隔離結構122及阻擋層1202延伸到第三導電性反射器126c。在一些實施例中，通孔開口1302a到1302c具有帶角度側壁。在其他實施例中，用於形成通孔開口 1302a到1302c的製程包括在阻擋層1202上形成圖案化的遮蔽層(未示出)。此後，將阻擋層1202、第八介電結構518、第七介電結構516及第六介電結構514暴露於蝕刻劑以移除阻擋層1202的未被遮蔽部分、第八介電結構518的未被遮蔽部分、第七介電結構516的未被遮蔽部分及第六介電結構514的未被遮蔽部分，借此形成通孔開口1302a到1302c。
應瞭解，在一些實施例中，可使用一種或多種額外處理流體(例如，蝕刻殘留物移除劑、光阻剝除劑、去離子水等)來形成通孔開口1302a到1302c。用於形成通孔開口1302a到1302c的所述一種或多種額外處理流體可類似於用於形成隔離結構122的所述一種或多種額外處理流體。由於摻雜非金屬的鋁結構302a到302c分別覆蓋摻雜金屬的鋁結構304a到304c，因此可在導電性反射器126a到126c不出現凹點的情況下形成通孔開口1302a到1302c(例如，由於摻雜非金屬的鋁材料抗電偶腐蝕)。由於導電性反射器126a到126c可不會出現凹點，因此與不包含摻雜非金屬的鋁材料的其他導電性反射器相比，導電性反射器126a到126c的反射率可得到提高。
如圖14中所示，分別在導電性反射器126a到126c的上方及至少局部地在隔離結構122的上方形成多個通孔結構120a到120c。所述多個通孔結構120a到120c分別電耦合到導電性反射器126a到126c。此外，在隔離結構122的上方形成第二多個阻擋 結構520。在一些實施例中，第二多個阻擋結構520將第八介電結構518的上表面與通孔結構120a到120c的下表面分隔開。
在一些實施例中，用於形成通孔結構120a到120c及第二多個阻擋結構520的製程包括在阻擋層1202(例如，參見圖12)上沉積導電性通孔層(未示出)及為所述多個通孔開口1302a到1302c(例如，參見圖13)加襯。可通過例如濺射、化學氣相沉積、物理氣相沉積、原子層沉積等來沉積所述導電性通孔層。然後，在導電性通孔層上形成圖案化的遮蔽層(未示出)。此後，將導電性通孔層及阻擋層1202暴露於蝕刻劑以移除導電性通孔層的未被遮蔽部分及阻擋層的未被遮蔽部分，借此形成通孔結構120a到120c及第二多個阻擋結構520。
如圖15中所示，在隔離結構122的上方且至少局部地在通孔結構120a到120c的上方形成第一介電柵格112。在一些實施例中，在隔離結構122上形成第一介電柵格112。在其他實施例中，用於形成第一介電柵格112的製程包括在第八介電結構518上沉積介電層。可通過例如化學氣相沉積、物理氣相沉積、原子層沉積等來沉積所述介電層。然後，在所述介電層上形成圖案化的遮蔽層(未示出)。此後，將所述介電層暴露於蝕刻劑以移除所述介電層的未被遮蔽部分，借此形成第一介電柵格112。
圖15中還示出，在通孔結構120a到120c的上方、至少局部地在隔離結構122的上方及在第一介電柵格112中形成多個 電極116a到116c。在一些實施例中，用於形成電極116a到116c的製程包括在隔離結構122上、在通孔結構120a到120c上及在第一介電柵格112上沉積導電性材料(例如，氧化銦錫)。可通過例如濺射、化學氣相沉積、物理氣相沉積、原子層沉積等來沉積所述導電性材料。所述導電性材料可使得光(例如，可見光)能夠穿過所述導電性材料(例如，由於導電性材料的厚度、導電性材料的化學組成等)。然後，在所述導電性材料上形成圖案化的遮蔽層(未示出)。此後，將所述導電性材料暴露於蝕刻劑以移除導電性材料的未被遮蔽部分，借此形成電極116a到116c。
圖15中還示出，分別在第一介電柵格112中及在所述多個電極116a到116c的上方形成多個發光結構118a到118c。在一些實施例中，用於形成發光結構118a到118c的製程包括在所述多個電極116a到116c上沉積發光層(例如，有機發光層)。在其他實施例中，在所述多個電極116a到116c及第一介電柵格112上沉積所述發光層。可通過例如物理氣相沉積、熱真空蒸鍍、噴墨印刷、旋轉塗布等來沉積所述發光層。然後，在所述發光層上形成圖案化的遮蔽層(未示出)。此後，將所述發光層暴露於蝕刻劑以移除所述發光層的未被遮蔽部分，借此形成發光結構118a到118c。應瞭解，在一些實施例中，可通過其他沉積/生長製程(例如，在不在發光層上形成圖案化的遮蔽層的情況下形成發光結構118a到118c的沉積/生長製程)沉積或生長發光結構118a到118c。 在其他實施例中，在形成發光結構118a到118c之後，可完成多個像素區114a到114c的形成。在另外的實施例中，在形成發光結構118a到118c之後，可完成顯示裝置100的形成。
圖16說明用於形成具有反射率得到提高的導電性反射器的顯示裝置的方法的一些實施例的流程圖。雖然本文中將圖16的流程圖1600說明且闡述為一系列步驟或事件，但應瞭解不應在限制意義上闡釋這些步驟或事件的所說明排序。舉例來說，除本文中所說明及/或所述的步驟或事件之外，一些步驟還可按照不同次序發生及/或與其他步驟或事件同時地發生。此外，並不是所說明的所有步驟均可被需要來實施本文的說明的一個或多個方面或實施例，且可在一個或多個單獨的步驟及/或階段中實施本文中所繪示步驟中的一者或多者。
在步驟1602處，在層間介電(ILD)結構及半導體基底的上方形成第一介電柵格。圖6到圖7說明與步驟1602對應的一些實施例的一系列剖視圖。
在步驟1604處，在層間介電結構的上方及在第一介電柵格中形成多個導電性反射器，其中所述多個導電性反射器包括摻雜非金屬的鋁結構。圖8到圖10說明與步驟1604對應的一些實施例的一系列剖視圖。
在步驟1606處，在所述多個導電性反射器及層間介電結構的上方形成隔離結構。圖11說明與步驟1606對應的一些實施 例的剖視圖。
在步驟1608處，形成穿過隔離結構分別延伸到所述多個導電性反射器的多個通孔結構。圖12到圖14說明與步驟1608對應的一些實施例的一系列剖視圖。
在步驟1610處，在隔離結構的上方形成第二介電柵格。圖15說明與步驟1610對應的一些實施例的剖視圖。
在步驟1612處，在第二介電柵格中及分別在所述多個通孔結構的上方形成多個電極。圖15說明與步驟1612對應的一些實施例的剖視圖。
在步驟1614處，在第二介電柵格中及分別在所述多個電極的上方形成多個發光結構。圖15說明與步驟1614對應的一些實施例的剖視圖。
在一些實施例中，本申請提供一種顯示裝置。所述顯示裝置包括設置在半導體基底的上方的隔離結構。電極至少局部地設置在所述隔離結構的上方。發光結構設置在所述電極的上方。導電性反射器設置在所述隔離結構下方且電耦合到所述電極，其中所述導電性反射器至少局部地設置在所述發光結構的側壁之間，且其中所述導電性反射器包含摻雜非金屬的鋁材料。
在一些實施例中，所述導電性反射器實質上由所述摻雜非金屬的鋁材料組成。在一些實施例中，所述摻雜非金屬的鋁材料是鋁-矽。在一些實施例中，所述摻雜非金屬的鋁材料在鋁-矽中 包含少於1.5重量%的矽。在一些實施例中，所述導電性反射器的厚度大於1000埃。在一些實施例中，所述導電性反射器的上表面具有小於100埃的表面粗糙度。在一些實施例中，所述導電性反射器具有大於90%的反射率。在一些實施例中，可見光能夠穿過所述電極。
在一些實施例中，本申請提供一種顯示裝置。所述顯示裝置包括設置在半導體基底的上方的內連結構。隔離結構設置在所述內連結構及所述半導體基底的上方。電極至少局部地設置在所述隔離結構的上方，其中所述電極朝所述內連結構延伸到所述隔離結構中。發光結構設置在所述電極的上方且至少局部地設置在所述電極的側壁之間。導電性反射器設置在所述內連結構與所述隔離結構之間，其中：所述導電性反射器電耦合到所述內連結構及所述電極；所述導電性反射器包括摻雜金屬的鋁結構，所述摻雜金屬的鋁結構包含摻雜金屬的鋁材料；所述導電性反射器包括摻雜非金屬的鋁結構，所述摻雜非金屬的鋁結構包含摻雜非金屬的鋁材料；且所述摻雜非金屬的鋁結構設置在所述摻雜金屬的鋁結構的上方。
在一些實施例中，所述摻雜非金屬的鋁材料包含鋁-矽且所述摻雜金屬的鋁材料包含鋁-銅。在一些實施例中，所述摻雜非金屬的鋁材料包含少於1.5重量%的矽；且所述摻雜金屬的鋁材料包含少於0.5重量%的銅。在一些實施例中，所述摻雜非金屬的 鋁結構具有第一厚度；所述摻雜金屬的鋁結構具有第二厚度；且所述第二厚度比所述第一厚度大至少四倍。在一些實施例中，所述第一厚度與所述第二厚度之和大於1000埃。在一些實施例中，所述摻雜金屬的鋁結構設置在所述內連結構與所述摻雜非金屬的鋁結構之間。在一些實施例中，所述摻雜非金屬的鋁結構接觸所述摻雜金屬的鋁結構；且所述摻雜金屬的鋁結構接觸所述摻雜非金屬的鋁結構及所述內連結構。在一些實施例中，所述導電性反射器至少局部地設置在所述發光結構的側壁之間。在一些實施例中，所述摻雜非金屬的鋁結構的上表面具有小於100埃的表面粗糙度；且所述摻雜非金屬的鋁結構具有大於90%的反射率。在一些實施例中，可見光能夠穿過所述電極。
在一些實施例中，本申請提供一種形成顯示裝置的方法。所述方法包括：接收工件，所述工件包括半導體基底、設置在所述半導體基底的上方的內連結構及設置在所述內連結構及所述半導體基底的上方的第一介電層。在所述第一介電層中形成第一開口，其中所述第一開口暴露出所述內連結構的一部分。在所述第一介電層的上方及在所述第一開口中形成摻雜非金屬的鋁層。移除所述摻雜非金屬的鋁層的上部部分，以使得所述摻雜非金屬的鋁層的下部部分的上表面與所述第一介電層的上表面實質上對齊。在所述第一介電層的上方及在所述摻雜非金屬的鋁層的所述下部部分的上方形成第二介電層。在所述第二介電層中形成 第二開口。在所述第二介電層的上方及在所述第二開口中形成電極，其中所述電極電耦合到所述摻雜非金屬的鋁層的所述下部部分。在所述電極的上方以及至少局部地在所述摻雜非金屬的鋁層的所述下部部分的所述側壁之間形成發光結構。
在一些實施例中，在形成所述摻雜非金屬的鋁層之前，在所述第一介電層的上方及在所述第一開口中形成摻雜金屬的鋁層，其中所述摻雜非金屬的鋁層形成在所述摻雜金屬的鋁層上；以及移除所述摻雜非金屬的鋁層的上部部分及所述摻雜金屬的鋁層的上部部分，以使得所述摻雜金屬的鋁層的下部部分設置在所述摻雜非金屬的鋁層的下部部分與所述內連結構之間。
上述內容概述了數個實施例的特徵，以使所屬領域的技術人員可更好地理解本發明的各方面。所屬領域的技術人員應瞭解，其可容易地使用本發明作為設計或修改其他製程及結構以實現與本文中所介紹的實施例相同的目的及/或達成相同的優勢的基礎。所屬領域的技術人員還應意識到這些等效構造並不背離本發明的精神及範圍，且其可在不背離本發明的精神及範圍的情況下在本文中做出各種變化、替代及更改。
100:顯示裝置
102:半導體基底
104:半導體裝置
106:控制電路
108:層間介電結構
110:內連結構
110a:上部導電性特徵/第一上部導電性特徵
110b:上部導電性特徵/第二上部導電性特徵
110c:上部導電性特徵/第三上部導電性特徵
112:第一介電柵格
114a:像素區/第一像素區
114b:像素區/第二像素區
114c:像素區/第三像素區
116a:電極/第一電極
116b:電極/第二電極
116c:電極/第三電極
118a:發光結構/第一發光結構
118b:發光結構/第二發光結構
118c:發光結構/第三發光結構
120a:通孔結構/第一通孔結構
120b:通孔結構/第二通孔結構
120c:通孔結構/第三通孔結構
122:隔離結構
124:第二介電柵格
126a:導電性反射器/第一導電性反射器
126b:導電性反射器/第二導電性反射器
126c:導電性反射器/第三導電性反射器
128:區域

Claims (10)

  1. 一種顯示裝置，包括：隔離結構，設置在半導體基底的上方；電極，至少部分設置在所述隔離結構的上方；發光結構，設置在所述電極的上方；以及導電性反射器，設置在所述隔離結構下方且電耦合到所述電極，其中所述導電性反射器至少部分設置在所述發光結構的側壁之間，且其中所述導電性反射器包含摻雜非金屬的鋁材料。
  2. 如請求項1所述的顯示裝置，其中所述導電性反射器的上表面具有大於0且小於100埃的表面粗糙度。
  3. 一種顯示裝置，包括：內連結構，設置在半導體基底的上方；隔離結構，設置在所述內連結構及所述半導體基底的上方；電極，至少部分設置在所述隔離結構的上方，其中所述電極朝所述內連結構延伸到所述隔離結構中；發光結構，設置在所述電極的上方且至少部分位於所述電極的側壁之間；以及導電性反射器，設置在所述內連結構與所述隔離結構之間，其中：所述導電性反射器電耦合到所述內連結構及所述電極；所述導電性反射器包括摻雜金屬的鋁結構，所述摻雜金屬的鋁結構包含摻雜金屬的鋁材料； 所述導電性反射器包括摻雜非金屬的鋁結構，所述摻雜非金屬的鋁結構包含摻雜非金屬的鋁材料；且所述摻雜非金屬的鋁結構設置在所述摻雜金屬的鋁結構的上方。
  4. 如請求項3所述的顯示裝置，其中所述摻雜非金屬的鋁材料包含鋁-矽且所述摻雜金屬的鋁材料包含鋁-銅。
  5. 如請求項4所述的顯示裝置，其中：所述摻雜非金屬的鋁材料包含大於0且少於1.5重量%的矽；且所述摻雜金屬的鋁材料包含大於0且少於0.5重量%的銅。
  6. 如請求項5所述的顯示裝置，其中：所述摻雜非金屬的鋁結構具有第一厚度；所述摻雜金屬的鋁結構具有第二厚度；且所述第二厚度大於所述第一厚度。
  7. 如請求項4所述的顯示裝置，其中所述摻雜金屬的鋁結構設置在所述內連結構與所述摻雜非金屬的鋁結構之間。
  8. 如請求項7所述的顯示裝置，其中：所述摻雜非金屬的鋁結構接觸所述摻雜金屬的鋁結構；且所述摻雜金屬的鋁結構接觸所述摻雜非金屬的鋁結構及所述內連結構。
  9. 如請求項8所述的顯示裝置，其中所述導電性反射器至少部分設置在所述發光結構的側壁之間。
  10. 一種形成顯示裝置的方法，所述方法包括： 接收工件，所述工件包括半導體基底、設置在所述半導體基底的上方的內連結構及設置在所述內連結構及所述半導體基底的上方的第一介電層；在所述第一介電層中形成第一開口，其中所述第一開口暴露出所述內連結構的一部分；在所述第一介電層的上方及在所述第一開口中形成摻雜非金屬的鋁層；移除所述摻雜非金屬的鋁層的上部部分，以使得所述摻雜非金屬的鋁層的下部部分的上表面與所述第一介電層的上表面實質上對齊；在所述第一介電層的上方及在所述摻雜非金屬的鋁層的下部部分的上方形成第二介電層；在所述第二介電層中形成第二開口；在所述第二介電層的上方及在所述第二開口中形成電極，其中所述電極電耦合到所述摻雜非金屬的鋁層的下部部分；以及在所述電極的上方以及至少局部地在所述摻雜非金屬的鋁層的下部部分的側壁之間形成發光結構。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210090337A (ko) * 2020-01-09 2021-07-20 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
US11980046B2 (en) * 2020-05-27 2024-05-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method for forming an isolation structure having multiple thicknesses to mitigate damage to a display device
KR20220068547A (ko) * 2020-11-19 2022-05-26 엘지디스플레이 주식회사 전계 발광 표시 장치

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103811500A (zh) * 2012-11-06 2014-05-21 三星显示有限公司 薄膜晶体管阵列面板和有机发光二极管显示器
US9406735B2 (en) * 2013-12-10 2016-08-02 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting display apparatus with enhanced light output efficiency and manufacturing method thereof
US9710090B2 (en) * 2014-10-31 2017-07-18 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting display device and method for manufacturing the same
TWI620361B (zh) * 2011-12-14 2018-04-01 三星顯示器有限公司 有機發光顯示裝置以及製造有機發光顯示裝置之方法
TW201824216A (zh) * 2016-08-17 2018-07-01 半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置、顯示模組、電子裝置及顯示裝置的製造方法
JP6388298B2 (ja) * 2013-01-04 2018-09-12 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 薄膜トランジスター表示板
TWI644423B (zh) * 2013-03-29 2018-12-11 南韓商三星顯示器有限公司 有機發光顯示設備
CN208970561U (zh) * 2018-10-11 2019-06-11 广东聚华印刷显示技术有限公司 有机薄膜晶体管及其自增益结构、显示器件
CN109979969A (zh) * 2017-12-27 2019-07-05 乐金显示有限公司 微型显示器和制造微型显示器的方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3188411B2 (ja) * 1996-10-18 2001-07-16 キヤノン株式会社 反射型液晶装置用画素電極基板、該画素電極基板を用いた液晶装置及び該液晶装置を用いた表示装置
KR100623252B1 (ko) 2004-04-07 2006-09-18 삼성에스디아이 주식회사 전면 발광 유기 전계 발광 소자 및 그의 제조방법
KR101117948B1 (ko) * 2005-11-15 2012-02-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 디스플레이 장치 제조 방법
JP5350658B2 (ja) * 2007-03-30 2013-11-27 シャープ株式会社 発光素子
KR101386310B1 (ko) 2007-12-07 2014-04-17 엘지디스플레이 주식회사 유기발광다이오드 표시장치 및 이의 제조 방법
KR101821167B1 (ko) * 2011-08-30 2018-01-24 삼성디스플레이 주식회사 반사 구조를 갖는 전극을 포함하는 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
CN103199164B (zh) * 2013-04-07 2016-03-02 中国科学院半导体研究所 一种具有dbr高反射结构的紫外发光二极管及其制备方法
KR20150017602A (ko) 2013-08-07 2015-02-17 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
US10680017B2 (en) * 2014-11-07 2020-06-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element including EL layer, electrode which has high reflectance and a high work function, display device, electronic device, and lighting device
KR102437327B1 (ko) 2017-12-27 2022-08-29 엘지디스플레이 주식회사 표시장치

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI620361B (zh) * 2011-12-14 2018-04-01 三星顯示器有限公司 有機發光顯示裝置以及製造有機發光顯示裝置之方法
CN103811500A (zh) * 2012-11-06 2014-05-21 三星显示有限公司 薄膜晶体管阵列面板和有机发光二极管显示器
JP6388298B2 (ja) * 2013-01-04 2018-09-12 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 薄膜トランジスター表示板
TWI644423B (zh) * 2013-03-29 2018-12-11 南韓商三星顯示器有限公司 有機發光顯示設備
US9406735B2 (en) * 2013-12-10 2016-08-02 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting display apparatus with enhanced light output efficiency and manufacturing method thereof
US9710090B2 (en) * 2014-10-31 2017-07-18 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting display device and method for manufacturing the same
TW201824216A (zh) * 2016-08-17 2018-07-01 半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置、顯示模組、電子裝置及顯示裝置的製造方法
CN109979969A (zh) * 2017-12-27 2019-07-05 乐金显示有限公司 微型显示器和制造微型显示器的方法
CN208970561U (zh) * 2018-10-11 2019-06-11 广东聚华印刷显示技术有限公司 有机薄膜晶体管及其自增益结构、显示器件

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