TWI736444B - 具有高品質因數之共振耦合濾波器 - Google Patents

具有高品質因數之共振耦合濾波器 Download PDF

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Abstract

本發明主要揭示一種具有高品質因數之共振耦合濾波器，其包括：一第一諧振單元、一第二諧振單元以及一主調整單元。其中，所述主調整單元電性連接於該第一諧振單元與該第二諧振單元之間，且包括一調整電容。透過調整所述調整電容的一電容值大小以調整所述第一諧振單元與所述第二諧振單元之間的一耦合力，進而調整所述共振耦合濾波器的一頻率與一頻寬，以令本發明之共振耦合濾波器具有高操控性與高抑制率的優點。

Description

具有高品質因數之共振耦合濾波器
本發明係關於半導體及其電子元件的技術領域，特別是指一種具有高品質因數之共振耦合濾波器。
隨著通訊產業的發展，通訊系統的設計與發明皆朝著微小化與低雜訊發展。因此業界與相關產業對於通訊元件的要求也為尺寸微小化、降低干擾訊號與增加雜訊的抑制率。
通訊產業之中常使用到的濾波器，為一種用於令特定頻帶之訊號通過的電子元件。並且濾波器具有衰減及抑制特定頻帶之外的頻帶訊號以濾除干擾訊號。然而，可想而知的是，隨著電子元件的微小化將導致濾波器內部干擾訊號的增加而影響雜訊抑制率與Q值。因此，如何發展出同時具有高品質因數與高雜訊抑制率的濾波器，已成為相關業者與工程師亟欲發展的方向與重點。
由上述可以得知，現有的天線結構及其基材仍有所改善空間。有鑑於此，本發明之發明人係極力加以研究創作，而終於研發完成本發明之一種具有高品質因數之共振耦合濾波器。
本發明之具有高品質因數之共振耦合濾波器係包括：一第一諧振單元、一第二諧振單元以及一主調整單元。其中，所述主調整單元電性連接於該第一諧振單元與該第二諧振單元之間，且包括一調整電容。透過調整所述調整電容的一電容值大小以調整所述第一諧振單元與所述第二諧振單元之間的一耦合力。並且，本發明之屏蔽導體層與屏蔽導電柱的設計，有效地調整相鄰之諧振單元相互耦合的電感量，以令本發明之共振耦合濾波器具有高操控性與高抑制率的優點。
為了達成上述本發明之主要目的，本案之發明人係提供所述具有高品質因數之共振耦合濾波器之一實施例，係包括： 一第一諧振單元， 其耦接至一輸入端，且包括： 一第一諧振電感，其一端連接至該一接地單元；及 一第一電容，其一端連接至該第一諧振電感的另一端，且其另一端連接至該接地單元； 一第二諧振單元，其電性連接於該第一諧振單元與一輸出端之間，且包括： 一第二諧振電感， 一端連接至該一接地單元；及 一第二電容其一端連接至該第二諧振電感的另一端，且其另一端連接至該接地單元；其中，該第一諧振電感的一第一訊號係耦合至該第二諧振單元的該第二諧振電感； 一主調整單元，係電性連接於該第一諧振單元與該第二諧振單元之間，且包括一調整電容； 其中，該第一諧振單元、該第二諧振單元及該主調整單元係實現於一主體之中，且該輸入端與該輸出端係露出於該主體之外； 其中，該第一諧振電感與該第二諧振電感皆由複數個導電連通柱所組成； 其中，透過調整所述調整電容的一電容值大小以調整所述第一諧振單元與所述第二諧振單元之間的一耦合力，進而調整所述共振耦合濾波器的一頻率與一頻寬。
為了能夠更清楚地描述本發明所提出之一種具有高品質因數之共振耦合濾波器，以下將配合圖式，詳盡說明本發明之較佳實施例。
第一實施例
請參閱圖1，圖1顯示本發明之一種具有高品質因數之共振耦合濾波器的第一實施例的立體透視圖。並請參閱圖2，圖2顯示本發明之具有高品質因數之共振耦合濾波器的第一實施例的等效電路圖。如圖1與圖2所示，本發明之具有高品質因數之共振耦合濾波器1係包括：一輸入電容CIN’、一第一諧振單元LC1’、一第二諧振單元LC2’、一主調整單元A1’、以及輸出電容CO’。其中，所述輸入電容CIN’ 其一端耦接至一輸入端N’，且所述第一諧振單元LC1’電性連接至該輸入電容CIN’。再者，該第二諧振單元LC2’電性連接於該第一諧振單元LC1’與一輸出端O’之間。值得注意的是，所述主調整單元A1’電性連接於該第一諧振單元LC1’與該第二諧振單元LC2’之間，且包括一調整電容AC’。並且，該輸出電容CO’其一端耦接至該第二諧振單元LC2’，且另一端耦接至一輸出端O’。如此設置，使用者透過調整所述調整電容AC’的一電容值大小以調整所述第一諧振單元LC1’與所述第二諧振單元LC2’之間的一耦合力，進而調整所述具有高品質因數之共振耦合濾波器1的一頻率與一頻寬。如此一來，令本發明之共振耦合濾波器的零點位置可以任意調整，以對於不同位置之雜訊達到更有效的抑制。換句話說，本發明之共振耦合濾波器具有高操控性與高抑制率的優點。
繼續地參閱圖1與圖2。更具體地說明，所述第一諧振單元LC1’包括一第一諧振電感L1’ 以及一第一電容C1’。並且，所述第一諧振電感L1’其一端連接至該一接地單元。該第一電容C1’其一端連接至該第一諧振電感L1’的另一端，且其另一端連接至該接地單元。接著，第二諧振單元LC2’包括一第二諧振電感L2’以及一第二電容C2’。同樣地，所述第二諧振電感L2’其 一端連接至該一接地單元。再者，該第二電容C2’ 其一端連接至該第二諧振電感L2’的另一端，且其另一端連接至該接地單元；其中，該第一諧振電感L1’的一第一訊號係耦合至該第二諧振單元LC2’的該第二諧振電感L2’。另一方面，該輸入電容CIN’、該第一諧振單元LC1’、該第二諧振單元LC2’及該主調整單元A1’係實現於一主體S之中，且該輸入端N’與該輸出端O’係露出於該主體S之外。接著，該第一諧振電感L1’與該第二諧振電感L2’皆由複數個導電連通柱所組成。補充說明的是，所述第二電容層CC2係等效形成該調整單元A1’的一主電感AL’，且該主電感AL’並聯於該調整電容AC’。
承上述，並請同時參閱圖3，顯示本發明之具有高品質因數之共振耦合濾波器的第一實施例的第一分解圖。由圖1至圖3可以得知，該主體S係由複數個電介質板所疊合而成，且該複數個電介質板係包括：一第一基板S1、一第二基板S2、一第三基板S3、以及一第四基板S4。其中，所述第一基板S1形成有一第一接地層G1。並且，所述第二基板S2係疊置於該第一基板S1之上方，且形成有：一第一導體層C1、第二導體層C2、位於該第一導體層C1之中的複數個第一導電柱V1、以及位於該第二導體層C2之中的複數個第二導電柱V2。接著，所述第三基板S3係疊置於該第二基板S2之上方，且形成有：一第三導體層C3、一第四導體層C4、一第一電容層CC1、一第二電容層CC2、一第三電容層CC3、位於該第三導體層C3之中的複數個第三導電柱V3、以及位於第四導體層C4之中的複數個第四導電柱V4。再者，該第四基板S4係疊置於該第三基板S3之上方，且形成有：一第二接地層G2、複數個第五導電柱V5、以及複數個第六導電柱V6。
承上述，如圖2與圖3所示，該複數個第一導電柱V1、該複數個第三導電柱V3與該複數個第五導電柱V5分別對應地相連通以等效構成該第一諧振單元LC1’的該第一諧振電感L1’，且該複數個第二導電柱V2、該複數個第四導電柱V4與該複數個第六導電柱V6分別對應地相連通以等效構成該第二諧振單元LC2’的該第二諧振電感L2’。更詳細地說明，該第一電容層CC1分別與該第一導體層C1及該主體S的一輸入板IP等效形成該輸入電容CIN’。再者，該第一導體層C1與該第一接地層G1等效形成該第一諧振單元LC1’的該第一電容C1’，且該第二導體層C2與該第一接地層G1等效形成該第二諧振單元LC2’的該第二電容C2’。並且，該第三電容層CC3分別與該第二導體層C2及該主體S的一輸出板OP等效形成該輸出電容CO’，且該第二電容層CC2分別與該第一導體層C1及該第二導體層C2等效形成該調整電容AC’。補充說明的是，本發明之共振耦合濾波器的該主體S更包括：二側連接板SP以及複數個周邊板SS。其中，該二側連接板SP係分別設置於該主體S的二內側邊，且該二側連接板SP之每一個側連接板SP係連接該第一基板S1的該第一接地層G1以及該第四基板S4的該第二接地層G2。如此設置，該第一接地層G1與該第二接地層G2係構成該接地單元。接著，所述複數個周邊板SS分別設置於該輸入板IP與該輸出板OP之兩側。
繼續地參閱圖1至圖3，並請同時參閱圖4，顯示本發明之具有高品質因數之共振耦合濾波器的第一實施例的第二分解圖。所述複數個電介質板更包括至少一擴增基板，且每一擴增基板形成有: 一第五導體層C5、一第六導體層C6、位於該第五導體層C5之中的複數個第七導電柱V7、以及位於第六導體層C6之中的複數個第八導電柱V8。於本發明之中，該複數個第一導電柱V1、該複數個第三導電柱V3、該複數個第五導電柱V5與該複數個第七導電柱V7分別相對應地相連通以等效構成該第一諧振單元LC1’的該第一諧振電感L1’。 並且，該複數個第二導電柱V2、該複數個第四導電柱V4、該複數個第六導電柱V6與該複數個第八導電柱V8分別相對應地相連通以等效構成該第二諧振單元LC2’的一第二諧振電感L2’。如此設置，使用者可透過調整所述擴增基板的數目以調整各諧振器之間磁場耦合強度以達到具有高品質因數及高抑制率的濾波器。補充說明的是，本實施例之擴增基板SE的數量為三個。於實際應用中，使用者可依照需求調整擴增基板SE之數量。
繼續地參閱圖1至圖4。所述複數個電介質板更包括位於該第三基板S3與該第四基板S4之間的至少一屏蔽基板，且每一屏蔽基板形成有:一第七導體層、第八導體層、位於該第七導體層之中的複數個第九導電柱、位於第八導體層之中的複數個第十導電柱、一屏蔽導體層SS1、以及位於該屏蔽導體層SS1之中的複數個第一屏蔽導電柱SS2。再者，該複數個第一導電柱V1、該複數個第三導電柱V3、該複數個第五導電柱V5、該複數個第七導電柱V7與該複數個第九導電柱分別相對應地相連通以等效構成該第一諧振單元LC1’的該第一諧振電感L1’。並且，該複數個第二導電柱V2、該複數個第四導電柱V4、該複數個第六導電柱V6、該複數個第八導電柱V8與該複數個第十導電柱分別相對應地相連通以等效構成該第二諧振單元LC2’的一第二諧振電感L2’。值得說明的是，所述第四基板S4更形成有複數個第二屏蔽導電柱，且所述第二屏蔽導電柱分別與對應的該複數個第一屏蔽導電柱SS2相連通。補充說明的是，所述每一個電介質板為一陶瓷基板。
第二實施例
請參閱圖5與圖6，圖5顯示本發明之具有高品質因數之共振耦合濾波器的第二實施例的第一立體圖。圖6顯示本發明之具有高品質因數之共振耦合濾波器的第二實施例的的第一等效電路圖。由圖2與圖6可以得知，相較於前述第一實施例，本發明之第二實施例更包括：複數個諧振單元LC’以及複數個調整單元A’。如圖6所示，所述諧振單元LC’係電性連接於該第一諧振單元LC1’與該第二諧振單元LC2’之間。接著，該複數個調整單元A’分別地電性連接於二諧振單元LC’之間、該複數個諧振單元LC’與所述第一諧振單元LC1’之間、及該複數個諧振單元LC’與所述第二諧振單元LC2’之間。更具體地說明，本實施例之所述諧振單元LC’之數量為二個，且所述調整單元A之數量為五個。如圖6所示，每一諧振單元LC’皆包括一電感以及一電容，且每一調整單元A’皆包括一電容C’以及與所述調整單元A’之電容C’並聯的一電感L’。
承上述，並請參閱圖7，圖7顯示本發明之共振耦合濾波器的第二實施例的第二立體圖。更具體地說明，圖7為圖5搭配本發明之屏蔽導體層與屏蔽導電柱的立體圖。並請同時參閱圖8與圖9，圖8顯示本發明之共振耦合濾波器的第一頻率響應圖；圖9顯示本發明之共振耦合濾波器的第二頻率響應圖。更具體地說明，圖8為無搭配所述屏蔽導體層SS1與所述屏蔽導電柱SS2的一耦合濾波器(如圖5所示)於工作頻率之下由輸入端及輸出端所量測到之反射損失(return loss)與饋入損失(insertion loss)之相對關係。圖9為搭配本發明之屏蔽導體層SS1與所述屏蔽導電柱SS2的共振耦合濾波器(如圖7所示)於工作頻率之下由輸入端及輸出端所量測到之反射損失(return loss)與饋入損失(insertion loss)之相對關係。由圖8與圖9可以得知，圖9之頻率介於5.5GHz至6.0GHz之間的抑制率係優於圖8之頻率介於5.5GHz至6.0GHz之間的抑制率。由此可以得知，本發明之屏蔽導體層SS1與所述屏蔽導電柱SS2有效地調整相互耦合的電感量，且將多餘的耦合電感/電容量進行適當的隔離，進而增加本發明之共振耦合濾波器的隔離性。
承上述，更具體地說明，請參閱圖10至圖12，圖10顯示本發明之共振耦合濾波器的第二實施例的第三立體圖，圖11顯示本發明之具有高品質因數之共振耦合濾波器的第二實施例的的第二等效電路圖。圖12顯示本發明之具有高品質因數之共振耦合濾波器的第二實施例的的第四立體圖。由圖11與圖6可以得知，圖11為圖6搭配所述輸入電容CIN’與所述輸出電容CO’的電路圖，而圖10為圖11之等效立體圖。值得說明的是，由圖10與圖12可以得知，圖12為圖10搭配本發明所述之屏蔽導體層SS1與所述屏蔽導電柱SS2的立體圖。並請同時參閱圖13與圖14，圖13顯示本發明之共振耦合濾波器的第三頻率響應圖；圖14顯示本發明之共振耦合濾波器的第四頻率響應圖。更具體地說明，圖13為無搭配所述屏蔽導體層SS1與所述屏蔽導電柱SS2的一耦合濾波器(如圖10所示)於工作頻率之下由輸入端及輸出端所量測到之反射損失(return loss)與饋入損失(insertion loss)之相對關係。圖14為搭配本發明之屏蔽導體層SS1與所述屏蔽導電柱SS2的共振耦合濾波器(如圖12所示)於工作頻率之下由輸入端及輸出端所量測到之反射損失(return loss)與饋入損失(insertion loss)之相對關係。由圖13與圖14可以得知，圖14之頻率介於5GHz至5.5GHz之間的抑制率係優於圖13之頻率介於5GHz至5.5GHz之間的抑制率。由此可以得知，本發明之屏蔽導體層SS1與所述屏蔽導電柱SS2有效地將多餘的耦合電感/電容量進行適當的隔離，進而增加本發明之共振耦合濾波器的隔離性。
補充說明的是，透過本發明之設計，令本發明之共振耦合濾波器1之尺寸大幅降低；舉例來說，同為5GHz的濾波器，習知的一種四分之一波長濾波器其所需長度為5.675mm；然而，本案之共振耦合濾波器之高度係小於2mm遠低於習知濾波器所需長度。另一方面，使用者於使用本發明之具有高品質因數之共振耦合濾波器1之時，可透過調整耦合電容之面積或相鄰諧振單元之間的距離以適當地調整其電容值且/或電感量。並且，使用者可透過調整屏蔽導體層SS1與屏蔽導電柱SS2之數量以調整相鄰諧振單元之互相耦合電感量。
如此，上述係已完整且清楚地說明本發明之具有高品質因數之共振耦合濾波器的技術特徵與立體圖，經由上述，吾人可以得知本發明係具有下列之優點：
(1) 本發明之具有高品質因數之共振耦合濾波器1係包括：一輸入電容CIN’、一第一諧振單元LC1’、一第二諧振單元LC2’、一主調整單元A1’、以及輸出電容CO’。 其中，所述輸入電容CIN’ 其一端耦接至一輸入端N’，且所述第一諧振單元LC1’電性連接至該輸入電容C1’。再者，該第二諧振單元LC2’電性連接於該第一諧振單元LC1’與一輸出端O’之間。值得注意的是，所述主調整單元A1’電性連接於該第一諧振單元LC1’與該第二諧振單元LC2’之間，且包括一調整電容AC’。 如此設置，使用者透過調整所述調整電容AC’的一電容值大小以調整所述第一諧振單元LC1’與所述第二諧振單元LC2’之間的一耦合力，進而調整所述具有高品質因數之共振耦合濾波器1的一頻率與一頻寬，以令本發明之具有高品質因數之共振耦合濾波器1具有高操控性與高抑制率的優點。
(2)本發明之屏蔽導體層SS1與所述屏蔽導電柱SS2有效地調整相鄰之諧振單元相互耦合的電感量，且將多餘的耦合電感/電容量進行適當的隔離，進而增加本發明之共振耦合濾波器的隔離性。另一方面，根據本發明之設計其5GHz的濾波器之高度小於2mm，因此本發明之共振耦合濾波器1具有縮減尺寸之優點。
必須加以強調的是，上述之詳細說明係針對本發明可行實施例之具體說明，惟該實施例並非用以限制本發明之專利範圍，凡未脫離本發明技藝精神所為之等效實施或變更，均應包含於本案之專利範圍中。
＜本發明＞
1:具有高品質因數之共振耦合濾波器
LC1’:第一諧振單元
L1’:第一諧振電感
C1’:第一電容
N’:輸入端
LC2’:第二諧振單元
L2’:第二諧振電感
C2’:第二電容
O’:輸出端
A1’:主調整單元
AC’:調整電容
S:主體
CIN’:輸入電容
CO’:輸出電容
S1:第一基板
G1:第一接地層
C1:第一導體層
C2:第二導體層
V1:第一導電柱
V2:第二導電柱
S2:第二基板
S3:第三基板
C3:第三導體層
C4:第四導體層
CC1:第一電容層
CC2:第二電容層
CC3:第三電容層
V3:第三導電柱
V4:第四導電柱
G2:第二接地層
V5:第五導電柱
V6:第六導電柱
IP:輸入板
OP:輸出板
SP:側連接板
SS:周邊板
SS1:屏蔽導體層
SS2:第一屏蔽導電柱
AL’:主電感
LC’:諧振單元
A’:調整單元
C’:電容
L’:電感
S4:第四基板
C5:第五導體層
C6:第六導體層
V7:第七導電柱
V8:第八導電柱
＜習知＞
無
圖1顯示本發明之一種具有高品質因數之共振耦合濾波器的第一實施例的立體透視圖； 圖2顯示本發明之具有高品質因數之共振耦合濾波器的第一實施例的等效電路圖； 圖3顯示本發明之具有高品質因數之共振耦合濾波器的第一實施例的第一分解圖； 圖4顯示本發明之具有高品質因數之共振耦合濾波器的第一實施例的第二分解圖； 圖5顯示本發明之具有高品質因數之共振耦合濾波器的第二實施例的第一立體圖； 圖6顯示本發明之具有高品質因數之共振耦合濾波器的第二實施例的第一等效電路圖； 圖7顯示本發明之共振耦合濾波器的第二實施例的第二立體圖； 圖8顯示本發明之共振耦合濾波器的第一頻率響應圖； 圖9顯示本發明之共振耦合濾波器的第二頻率響應圖； 圖10顯示本發明之共振耦合濾波器的第二實施例的第三立體圖； 圖11顯示本發明之具有高品質因數之共振耦合濾波器的第二實施例的的第二等效電路圖；以及 圖12顯示本發明之具有高品質因數之共振耦合濾波器的第二實施例的的第四立體圖； 圖13顯示本發明之共振耦合濾波器的第三頻率響應圖；以及 圖14顯示本發明之共振耦合濾波器的第四頻率響應圖。
1:具有高品質因數之共振耦合濾波器
LC1’:第一諧振單元
L1’:第一諧振電感
C1’:第一電容
N’:輸入端
LC2’:第二諧振單元
L2’:第二諧振電感
C2’:第二電容
O’:輸出端
A1’:主調整單元
AC’:調整電容
CIN’:輸入電容
CO’:輸出電容
AL’:主電感

Claims (8)

  1. 一種具有高品質因數之共振耦合濾波器，係包括：一第一諧振單元，其耦接至一輸入端，且包括：一第一諧振電感，其一端連接至一接地單元；及一第一電容，其一端連接至該第一諧振電感的另一端，且其另一端連接至該接地單元；一第二諧振單元，其電性連接於該第一諧振單元與一輸出端之間，且包括：一第二諧振電感，一端連接至該接地單元；及一第二電容，其一端連接至該第二諧振電感的另一端，且其另一端連接至該接地單元；其中，該第一諧振電感的一第一訊號係耦合至該第二諧振單元的該第二諧振電感；以及一主調整單元，係電性連接於該第一諧振單元與該第二諧振單元之間，且包括一調整電容；其中，該第一諧振單元、該第二諧振單元及該主調整單元係實現於一主體之中，且該輸入端與該輸出端係露出於該主體之外；其中，該第一諧振電感與該第二諧振電感皆由複數個導電連通柱所組成；其中，透過調整所述調整電容的一電容值大小以調整所述第一諧振單元與所述第二諧振單元之間的一耦合力，進而調整所述共振耦合濾波器的一頻率與一頻寬；其中，該主體係由複數個電介質板所疊合而成，且該複數個電介質板係包括： 一第一基板，其上形成有一第一接地層；一第二基板，係疊置於該第一基板之上方，且所述第二基板之上係形成有：一第一導體層、第二導體層、位於該第一導體層之中的複數個第一導電柱、以及位於該第二導體層之中的複數個第二導電柱；一第三基板，係疊置於該第二基板之上方，且所述第三基板形成有：一第三導體層、一第四導體層、一第一電容層、一第二電容層、一第三電容層、位於該第三導體層之中的複數個第三導電柱、以及位於第四導體層之中的複數個第四導電柱；以及一第四基板，係疊置於該第三基板之上方，且所述第四基板形成有：一第二接地層、複數個第五導電柱、以及複數個第六導電柱；其中，該複數個第一導電柱、該複數個第三導電柱與該複數個第五導電柱分別對應地相連通以等效構成該第一諧振單元的該第一諧振電感；其中，該複數個第二導電柱、該複數個第四導電柱與該複數個第六導電柱分別對應地相連通以等效構成該第二諧振單元的該第二諧振電感；其中，該第一電容層分別與該第一導體層及該主體的一輸入板等效形成該輸入電容；其中，該第一導體層與該第一接地層等效形成該第一諧振單元的該第一電容； 其中，該第二導體層與該第一接地層等效形成該第二諧振單元的該第二電容；其中，該第三電容層分別與該第二導體層及該主體的一輸出板等效形成該輸出電容；其中，該第二電容層分別與該第一導體層及該第二導體層等效形成該調整電容。
  2. 如請求項1之具有高品質因數之共振耦合濾波器，更包括：一輸入電容，其電性連接於該第一諧振單元，且其一端耦接至該輸入端；以及一輸出電容，其一端耦接至該第二諧振單元，且另一端耦接至該輸出端；其中，該輸入電容與該輸出電容係實現於該主體之中。
  3. 如請求項1之具有高品質因數之共振耦合濾波器，其中，該主體更包括：二側連接板，係分別設置於該主體的二內側邊，且各個所述側連接板係連接該第一基板的該第一接地層以及該第四基板的該第二接地層；其中，該第一接地層與該第二接地層係構成該接地單元；以及複數個周邊板，係分別設置於該輸入板與該輸出板之兩側。
  4. 如請求項1之具有高品質因數之共振耦合濾波器，其中，該複數個電介質板更包括：至少一擴增基板，且每一擴增基板形成有：一第五導體層、第六導體層、位於該第五導體層之中的複數個第七導電柱、以及位於第六導體層之中的複數個第八導電柱；其中，該複數個第一導電柱、該複數個第三導電柱、該複數個第五導電柱與該複數個第七導電柱分別相對應地相連通以等效構成該第一諧振單元的該第一諧振電感；其中，該複數個第二導電柱、該複數個第四導電柱、該複數個第六導電柱與該複數個第八導電柱分別相對應地相連通以等效構成該第二諧振單元的一第二諧振電感。
  5. 如請求項4之具有高品質因數之共振耦合濾波器，其中，該複數個電介質板更包括位於該第三基板與該第四基板之間的至少一屏蔽基板，且每一屏蔽基板形成有：一第七導體層、第八導體層、位於該第七導體層之中的複數個第九導電柱、位於第八導體層之中的複數個第十導電柱、一屏蔽導體層、以及位於該屏蔽導體層之中的複數個第一屏蔽導電柱；其中，該複數個第一導電柱、該複數個第三導電柱、該複數個第五導電柱、該複數個第七導電柱與該複數個第九導電柱分別相對應地相連通以等效構成該第一諧振單元的該第一諧振電感；其中，該複數個第二導電柱、該複數個第四導電柱、該複數個第六導電柱、該複數個第八導電柱與該複數個第十導電柱分別相對應地相連通以等效構成該第二諧振單元的一第二諧振電感； 其中，所述第四基板更形成有複數個第二屏蔽導電柱，且所述第二屏蔽導電柱分別與對應的該複數個第一屏蔽導電柱相連通。
  6. 如請求項1之具有高品質因數之共振耦合濾波器，其中，所述第二電容層係等效形成該調整單元的一主電感，且該主電感並聯於該調整電容。
  7. 如請求項5之具有高品質因數之共振耦合濾波器，其中，所述每一個電介質板為一陶瓷基板。
  8. 如請求項1之具有高品質因數之共振耦合濾波器，其中，更包括：複數個諧振單元，其電性連接於該第一諧振單元與該第二諧振單元之間；以及複數個調整單元，係分別地電性連接於二諧振單元之間、該複數個諧振單元與所述第一諧振單元之間、及該複數個諧振單元與所述第二諧振單元之間；其中，每一調整單元皆包括一電容以及與所述電容並聯的一電感。
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