TWI732425B - 受光裝置及測距裝置 - Google Patents

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TWI732425B
TWI732425B TW109101426A TW109101426A TWI732425B TW I732425 B TWI732425 B TW I732425B TW 109101426 A TW109101426 A TW 109101426A TW 109101426 A TW109101426 A TW 109101426A TW I732425 B TWI732425 B TW I732425B
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馬原久美子
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日商索尼半導體解決方案公司
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Abstract

本揭示之受光裝置具備：受光部(302)，其包含以矩陣狀之排列配置之複數個受光元件(1000)；及複數根讀出線，其等傳送已自複數個受光元件進行讀出之各信號。於該受光裝置中，複數根讀出線分別連接於複數個受光元件中2個以上之受光元件。

Description

受光裝置及測距裝置
本發明係關於一種受光裝置及測距裝置。
作為使用光測定至被測定物之距離之測距方式之一，已知有稱為直接ToF(Time of Flight：飛時測距)方式之測距方法。於利用直接ToF方式之測距處理中，藉由受光元件接受由被測定物反射自光源射出之光之反射光，並基於射出光後至作為反射光接受之時間計測至對象之距離。又，於直接ToF方式中，已知使用2維點陣狀排列受光元件之像素陣列進行測距之構成。
作為直接ToF方式之測距方法之一，有以自光源照射之光沿水平方向(或垂直方向)直線狀掃描對象，並使用上述像素陣列檢測其之反射光之方法。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2018-044923號公報
藉由直接ToF方式，有使光源之光直線狀掃描，且使用像素陣列接受該反射光進行測距之情形、與自光源射出之光之掃描軌跡非直線狀，而於自對象反射該光之反射光中包含形變或偏移之情形。因此，為了進行更高精度之測距，需考慮該等形變或偏移擴大擷取像素陣列中可同時讀出之受光範圍，而會招致配線數之增加。
本揭示之目的在於提供一種可以更少之配線數進行高精度之測距之受光裝置及測距裝置。
本揭示之受光裝置具備：受光部，其包含以矩陣狀之排列配置之複數個受光元件；及複數根讀出線，其等傳送自複數個受光元件進行讀出之各信號；複數根讀出線分別連接於複數個受光元件中之2個以上之受光元件。
1:測距裝置
2:光源部
3:記憶部
4:控制部
5:光學系統
6:電子機器
10:像素電路
1011~101v:像素電路
1021~102v:像素電路
1031~103v:像素電路
10obj:像素電路
11:元素
12u:組群
12u+1:組群
12u+2:組群
20:受光晶片
21:邏輯晶片
4111~411v:OR電路
4121~412v:OR電路
4131~413v:OR電路
42m~42(m+3):列
42n~42(n+(42/2)):列
50:軌跡
51a:讀出區域
51b1~51b8:讀出區域
52a:區域
52b:區域
531:像素
532:像素
533:像素
534:像素
55a:偏移量
55b:偏移量
56a:峰值
56b:峰值
60:有效區域
61:讀出區域
611:讀出區域
612:讀出區域
613:讀出區域
614:讀出區域
62:基點位置
63:偏移量
631:偏移量
632:偏移量
633:偏移量
64:高度
641:高度
642:高度
643:高度
65:基準位置
651:基點位置
652:基點位置
653:基點位置
66:調整間隔
67:調整量
68:範圍
69:範圍
82:箭頭
83:箭頭
100:像素陣列部
101:測距處理部
102:像素控制部
102a:水平控制部
102b:垂直控制部
103:全體控制部
104:時脈產生部
105:發光時序控制部
106:介面
110:轉換部
111:產生部
112:信號處理部
130:控制對象
200:邏輯陣列部
201:信號處理電路部
203:元件控制部
300:測距裝置
301:光源部
302:受光部
303:被測定物
310:頻率
311:範圍
312:有效光成分
1000:受光元件
1100:電晶體
1101:開關部
1102:電晶體
1103:電晶體
1104:反相器
1110:AND電路
1120:結合部
1121:結合部
1122:端子
12000:車輛控制系統
12001:通信網路
12010:驅動系統控制單元
12020:車體系統控制單元
12030:車外資訊檢測單元
12031:攝像部
12040:車內資訊檢測單元
12041:駕駛者狀態檢測部
12050:整合控制單元
12051:微電腦
12052:聲音圖像輸出部
12053:車載網路I/F
12061:聲頻揚聲器
12062:顯示部
12063:儀錶板
12100:車輛
12101:攝像部
12102:攝像部
12103:攝像部
12104:攝像部
12105:攝像部
12111:攝像範圍
12112:攝像範圍
12113:攝像範圍
12114:攝像範圍
D:距離
d:單位時間
EN_F:信號
EN_F#0:信號
EN_F#1[41：0]:信號
EN_F#(x/3)[41：0]:信號
EN_PR:信號
EN_SPAD_H#(x/3)[2：0]:信號
EN_SPAD_H#0[2：0]:信號
EN_SPAD_H#1[2：0]:信號
EN_SPAD_V#(y/3)[2：0]:信號
EN_SPAD_V#0[2：0]:信號
EN_SPAD_V#1[2：0]:信號
S100~S107:步驟
t:時間
t0:時間
t1:時間
tep:曝光時間
-Vbd:電壓
Vdd:電源電壓
Vpls:信號
Vref:基準電壓
XEN_SPAD_H:信號
XEN_SPAD_V:信號
#0~#(N-1):組距
圖1係模式性顯示可應用於實施形態之直接ToF方式之測距之圖。
圖2係顯示可應用於實施形態之基於受光之時刻之一例之直方圖之圖。
圖3係顯示使用實施形態之測距裝置之電子機器之一例之構成的方塊圖。
圖4係更詳細顯示可應用於實施形態之測距裝置之一例之構成的方塊圖。
圖5係顯示可應用於實施形態之像素電路之基本構成例之圖。
圖6係顯示可應用於實施形態之測距裝置之器件之構成例的模式圖。
圖7係更具體顯示實施形態之像素陣列部之構成例之圖。
圖8A係顯示實施形態之像素陣列部之細節構成例之圖。
圖8B係顯示實施形態之像素陣列部之細節構成例之圖。
圖9係顯示實施形態之用以自各像素電路讀出信號Vpls之構成例之圖。
圖10係顯示既存技術之像素陣列部之掃描方法之例之圖。
圖11係顯示實施形態之像素陣列部之掃描方法之例之圖。
圖12A係顯示藉由既存技術之掃描方法進行各像素電路之讀出時之直方圖之例的圖。
圖12B係顯示藉由實施形態之掃描方法進行各像素電路之讀出時之直方圖之例的圖。
圖13係顯示設定與蜿蜒之反射光之軌跡對應之各讀出區域之例之圖。
圖14A係用以對實施形態之共用各像素電路之讀出配線更具體地進行說明之圖。
圖14B係用以對實施形態之共用各像素電路之讀出配線更具體地進行說明之圖。
圖15係顯示實施形態之各讀出區域之指定方法之例之圖。
圖16係顯示實施形態之假設分割光源，並指定複數個讀出區域之例 之圖。
圖17係顯示實施形態之讀出區域之校準處理之一例之流程圖。
圖18係用以說明實施形態之讀出區域之校準處理之模式圖。
圖19係顯示第2實施形態之使用第1實施形態之測距裝置之使用例的圖。
圖20係顯示可應用本揭示之技術之移動體控制系統之一例即車輛控制系統之概略構成例之方塊圖。
圖21係顯示攝像部之設置位置之例之圖。
以下，對本揭示之各實施形態，基於圖式詳細進行說明。另，於以下各實施形態中，藉由對同一部位標註同一符號，而省略重複之說明。
(可應用於各實施形態之技術)
本揭示係關於使用光進行測距之技術者。於說明本揭示之各實施形態之前，為易於理解，對可應用於各實施形態之技術進行說明。於各實施形態中，作為測距方式，應用直接ToF(Time Of Flight)方式。直接ToF方式係藉由受光元件接受由被測定物反射自光源射出之光之反射光，並基於光之射出時序與受光時序之差量時間進行測距之方式。
使用圖1及圖2，對直接ToF方式之測距概地進行說明。圖1係模式性顯示可應用於各實施形態之直接ToF方式之測距之圖。測距裝置300包含光源部301與受光部302。光源部301為例如雷射二極體，且以脈衝狀發出 雷射光之方式受驅動。自光源部301射出之光藉由被測定物303反射，並作為反射光由受光部302接受。受光部302包含藉由光電轉換將光轉換為電性信號之受光元件，並輸出與接受到之光對應之信號。
此處，將光源部301發光之時刻(發光時序)設為時間t0，將受光部302接受到由被測定物303反射自光源部301射出之光之反射光之時刻(受光時序)設為t1。時間計測部計測時間t0至時間t1之時間而取得計測值，若將常數c設為光速(2.9979×108[m/sec])，則測距裝置300與被測定物303間之距離D藉由運算部以下式(1)計算。
D=(c/2)×(t1-t0)...(1)
測距裝置300重複執行複數次上述處理。受光部302亦可包含複數個受光元件，並基於各受光元件中接受到反射光之各受光時序分別算出距離D。測距裝置300基於等級(組距(bins))分類發光時序之時間t0至受光部302中受光之受光時序之時間tm(稱為受光時間tm)，並產生直方圖。
另，受光部302於受光時間tm接受到之光不限定於由被測定物反射光源部301發出之光之反射光。例如，測距裝置300(受光部302)周圍之環境光亦由受光部302接受。
圖2係顯示可應用於各實施形態之基於受光部302受光之時刻之一例之直方圖的圖。於圖2中，橫軸表示組距，縱軸表示每組距之頻率。組距係將受光時間tm依特定之每單位時間d分類者。具體而言，組距#0為0≦tm<d、組距#1為d≦tm<2×d、組距#2為2×d≦tm<3×d、…、組距#(N-2)為 (N-2)×d≦tm<(N-1)×d。於將受光部302之曝光時間設為tep之情形時，tep=N×d。
測距裝置300基於組距計數取得受光時間tm之次數並求得每個組距之頻率310，產生直方圖。此處，受光部302亦接受反射自光源部301射出之光之反射光以外之光。此種對象反射光以外之光，舉例上述環境光。於直方圖中，範圍311所示之部分包含環境光之環境光成分。環境光係隨機入射至受光部302之光，且相對於對象反射光成為雜訊。
另一方面，對象反射光係根據特定之距離接受之光，且於直方圖中作為有效光成分312顯示。與該有效光成分312內之峰值頻率對應之組距為與被測定物303之距離D對應之組距。測距裝置300可藉由將該組距之代表時間(例如組距之中央時間)作為上述時間t1取得，根據上述式(1)，算出至被測定物303之距離D。如此，藉由使用複數個受光結果，可對隨機之雜訊執行適當之測距。
圖3係顯示使用各實施形態之測距裝置之電子機器之一例之構成的方塊圖。於圖3中，電子機器6包含測距裝置1、光源部2、記憶部3、控制部4及光學系統5。
光源部2對應於上述之光源部301，為雷射二極體，且以使例如脈衝狀發出雷射光之方式受驅動。光源部2可應用射出雷射光之VCSEL(Vertical Cavity Surface Emitting LASER：垂直共振腔面射型雷 射)作為面光源。不限定於此，作為光源部2，亦可應用使用將雷射二極體排列於線上之陣列，使自雷射二極體陣列射出之雷射光沿垂直於線之方向掃描之構成。更且，亦可應用使用作為單光源之雷射二極體，使自雷射二極體射出之雷射光沿水平及垂直方向掃描之構成。
測距裝置1與上述受光部302對應，包含複數個受光元件。複數個受光元件例如2維點陣子狀(矩陣狀)排列而形成受光面。光學系統5將自外部入射之光導光測距裝置1所含之受光面。
控制部4控制電子機器6全體之動作。例如，控制部4對測距裝置1供給用以使光源部2發光之觸發即發光觸發。測距裝置1於基於該發光觸發之時序使光源部2發光，且記憶表示發光時序之時間t0。又，控制部4根據例如來自外部之指示，對測距裝置1進行測距時之樣式之設定。
測距裝置1於特定之時間範圍內計數取得表示受光面受光之時序之時間資訊(受光時間tm)之次數，並求得每組距之頻率產生上述直方圖。測距裝置1進而基於產生之直方圖，算出至被測定物之距離D。表示算出之距離D之資訊被記憶於記憶部3。
圖4係更詳細顯示可應用於各實施形態之測距裝置1之一例之構成的方塊圖。於圖4中，測距裝置1包含像素陣列部(請求項中之「受光部」之一實施型態)100、測距處理部101、像素控制部102、全體控制部103、時脈產生部104、發光時序控制部105及介面(I/F)106。該等像素陣列部100、測距處理部101、像素控制部102、 全體控制部103、時脈產生部104、發光時序控制部105及介面(I/F)106配置於例如1個半導體晶片上。
於圖4中，全體控制部103根據例如預先組入之程式，控制該測距裝置1之全體之動作。又，全體控制部103亦可執行與自外部供給之外部控制信號對應之控制。時脈產生部104基於自外部供給之基準時脈信號，產生測距裝置1內所用之1個以上之時脈信號。發光時序控制部105根據自外部供給之發光觸發信號產生表示發光時序之發光控制信號。發光控制信號被供給至光源部2，且被供給至測距處理部101。
像素陣列部100包含2維點陣狀排列之各自包含發光元件之複數個像素電路10、10、…。各像素電路10之動作藉由根據全體控制部103之指示之像素控制部102控制。例如，像素控制部102可依包含列方向上p像素、行方向上q像素之(p×q)個之像素電路10之每區塊控制自各像素電路10讀出像素信號。又，像素控制部102可將該區塊作為單位，對各像素電路10沿列方向進行掃描，進而沿行方向進行掃描，而自各像素電路10讀出像素信號。不限定於此，像素控制部102亦可分別單獨地控制各像素電路10。再者，像素控制部102可將像素陣列部100之特定區域作為對象區域，將對象區域所含之像素電路10設為讀出像素信號之對象像素電路10。更且，像素控制部102亦可統一掃描複數列(複數行)，進而沿行方向對其進行掃描，而自各像素電路10讀出像素信號。
將自各像素電路10讀出之像素信號供給至測距處理部101。測距處理 部101包含轉換部110、產生部111及信號處理部112。
將自各像素電路10讀出、並自像素陣列部100輸出之像素信號供給至轉換部110。此處，非同步地自像素電路10讀出像素信號，並將其供給至轉換部110。即，根據各像素電路10中受光之時序自受光元件讀出像素信並輸出號。
轉換部110將自像素陣列部100供給之像素信號轉換為數位資訊。即，自像素陣列部100供給之像素信號與該像素信號對應之像素電路10所含之受光元件中受光之時序對應地輸出。轉換部110將供給之像素信號轉換為表示該時序之時間資訊。
產生部111基於由轉換部110轉換像素信號之時間資訊產生直方圖。此處，產生部111基於由設定部113設定之單位時間d計數時間資訊，並產生直方圖。關於產生部111之直方圖產生處理之細節稍後敘述。
信號處理部112基於由產生部111產生之直方圖之資料進行特定之運算處理，並算出例如距離資訊。信號處理部112基於例如由產生部111產生之直方圖之資料，製作該直方圖之曲線擬合。信號產生部112可檢測該直方圖所擬合之曲線之峰值，並基於檢測出之峰值求得距離D。
信號處理部112於進行直方圖之曲線擬合時，可對直方圖所擬合之曲線實施濾波處理。例如，信號處理部112藉由對直方圖所擬合之曲線實施 低通濾波處理，可抑制雜訊成分。
將信號處理部112所求得之距離資訊供給至介面106。介面106將自信號處理部112供給之距離資訊作為輸出資料輸出至外部。作為介面106，可應用例如MIPI(Mobile Industry Processor Interface：行動產業處理器介面)。
另，上述中，雖將信號處理部112所求得之距離資訊經由介面106輸出至外部，但其不限定於該例。即，亦可設為將由產生部111產生之直方圖之資料即直方圖資料自介面106輸出至外部之構成。於該情形時，設定部113設定之測距條件資訊可省略表示濾波係數之資訊。將自介面106輸出之直方圖資料供給至例如外部之資訊處理裝置，並適當進行處理。
圖5係顯示可應用於各實施形態之像素電路10之基本構成例之圖。於圖5中，像素電路10包含受光元件1000、電晶體1100、1102及1103、反相器1104、開關部1101及AND電路1110。
受光元件1000藉由光電轉換將入射之光轉換為電性信號並輸出。於各實施形態中，受光元件1000藉由光電轉換將入射之光子(Photon)轉換為電性信號，並輸出與光子之入射對應之脈衝。於各實施形態中，作為受光元件1000，使用單光子雪崩二極體。以下，將單光子雪崩二極體稱為SPAD(Single Photon Avalanche Diode)。SPAD具有以下之特性：若對陰極施加使雪崩倍增產生之較大之負電壓，則根據1光子之入射產生之電子 發生雪崩倍增，而流通大電流。藉由利用SPAD之該特性，可以高感度檢測1光子之入射。
於圖5中，SPAD即受光元件1000之陰極連接於結合部1120，陽極連接於電壓(-Vbd)之電壓源。電壓(-Vbd)係相對於SPAD用以使雪崩倍增產生之較大之負電壓。結合部1120連接於根據信號EN_PR控制接通(閉合)、斷開(開路)之開關部1101之一端。開關部1101之另一端連接於P通道之MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor：金屬氧化物半導體場效電晶體)即電晶體1100之汲極。電晶體1100之源極連接於電源電壓Vdd。又，於電晶體1100之閘極，連接有供給基準電壓Vref之結合部1121。
電晶體1100係自汲極輸出與電源電壓Vdd及基準電壓Vref對應之電流之電流源。藉由此種構成，對受光元件1000施加相反偏壓。若於開關部1101接通之狀態下對受光元件1000入射光子，則開始雪崩倍增，電流自受光元件1000之陰極流向陽極。
將自電晶體1100之汲極(開關部1101之一端)與受光元件1000之陰極之連接點擷取之信號輸入至反相器1104。反相器1104對輸入之信號進行例如閾值判定，每當該信號於正方向或負方向超過閾值時反轉該信號，並作為脈衝狀之信號Vpls輸出。
將自反相器1104輸出之信號Vpls輸入至AND電路1110之第1輸入 端。對AND電路1110之第2輸入端，輸入信號EN_F。AND電路1110於信號Vpls與信號EN_F皆為高(High)狀態之情形時，將信號Vpls經由端子1122自像素電路10輸出。
於圖5中，結合部1120進而分別連接有N通道之MOSFET即電晶體1102及1103之汲極。電晶體1102及1103之源極連接於例如接地電位。電晶體1102之閘極被輸入信號XEN_SPAD_V。又，電晶體1103之閘極被輸入信號XEN_SPAD_H。於該等電晶體1102及1103之至少一者為斷開狀態之情形時，將受光元件1000之陰極強制地設為接地電位，將信號Vpls固定為低(Low)狀態。
將信號XEN_SPAD_V及XEN_SPAD_H分別作為像素陣列部100中配置有各像素電路10之2維點陣狀之垂直及水平方向之控制信號使用。藉此，可依每像素電路10控制像素陣列部100所含之各像素電路10之接通/斷開狀態。另，像素電路10之接通狀態係可輸出信號Vpls之狀態，像素電路10之斷開狀態係無法輸出信號Vpls之狀態。
例如，於像素陣列部100中相對於2維點陣連續之q行，將信號XEN_SPAD_H設為電晶體1103打開之狀態，相對於連續之p列，將信號XEN_SPAD_V設為電晶體1102打開之狀態。藉此，可以p列×q行之區塊狀有效地輸出各受光元件1000。又，信號Vpls因藉由AND電路1110，利用與信號EN_F之邏輯積自像素電路10輸出，故可相對於藉由例如信號XEN_SPAD_V及XEN_SPAD_H設為有效之各受光元件1000之輸出，更詳 細地控制有效/無效。
再者，藉由對包含有例如輸出無效之受光元件1000之像素電路10，供給將開關部1101設為斷開狀態之信號EN_PR，可停止對該受光元件1000供給電源電壓Vdd，而將該像素電路10設為斷開狀態。藉此，可削減像素陣列部100中之消耗電力。
該等信號XEN_SPAD_V、XEN_SPAD_H、EN_PR及EN_F基於例如記憶於全體控制部103具有之暫存器等之參數由全體控制部103產生。參數可預先記憶於該暫存器，亦可根據外部輸入記憶於該暫存器。由全體控制部103產生之各信號XEN_SPAD_V、XEN_SPAD_H、EN_PR及EN_F藉由像素控制部102供給至像素陣列部100。
另，使用上述開關部1101、以及電晶體1102及1103之信號EN_PR、XEN_SPAD_V及XEN_SPAD_H之控制為類比電壓之控制。另一方面，使用AND電路1110之信號EN_F之控制為邏輯電壓之控制。因此，信號EN_F之控制與信號EN_PR、XEN_SPAD_V及XEN_SPAD_H之控制相比，可以低電壓進行，而易於處理。
圖6係顯示可應用於各實施形態之測距裝置1之器件之構成例之模式圖。於圖6中，測距裝置1積層各自包含半導體晶片之受光晶片20、與邏輯晶片21而構成。另，於圖5中，為了說明，以將受光晶片20與邏輯晶片21分離之狀態顯示。
受光晶片20於像素陣列部100之區域中，將複數個像素電路10各者所含之受光元件1000 2維點陣狀排列。又，於像素電路10中，電晶體1100、1102及1103、開關部1101、反相器1104、以及AND電路1110形成於邏輯晶片21上。受光元件1000之陰極經由例如CCC(Copper-Copper Connection：銅-銅連接)等之結合部1120，於受光晶片20與邏輯晶片21間連接。
邏輯晶片21設置有包含處理由受光元件1000取得之信號之信號處理部之邏輯陣列部200。對於邏輯晶片21，進而與該邏輯陣列部200接近地設置進行由受光元件1000取得之信號之處理的信號處理電路部201、及控制作為測距裝置1之動作之元件控制部203。
例如，信號處理電路部201可包含上述測距處理部101。又，元件控制部203可包含上述像素控制部102、全體控制部103、時脈產生部104、發光時序控制部105及介面106。
另，受光晶片(請求項中之「受光裝置」之一實施型態)20及邏輯晶片21上之構成不限定於此例。又，元件控制部203除控制邏輯陣列部200以外，亦可基於其他驅動或控制之目的而配置於例如受光元件1000之附近。元件控制部203除圖6所示之配置以外，亦可以具有任意功能之方式設置於受光晶片20及邏輯晶片21之任意區域。
圖7係更具體地顯示各實施形態之像素陣列部100之構成例之圖。使用圖4說明之像素控制部(請求項中之「指定部」之一實施型態)102於圖7中分離成水平控制部102a與垂直控制部102b而顯示。
於圖7中，像素陣列部100包含水平方向x行、垂直方向y列之合計(x×y)個之像素電路10。又，於各實施形態中，像素陣列部100所含之各像素電路10依包含水平方向上3個、垂直方向上3個之合計9個像素電路10之元素11之每一者予以控制。
例如，用以於列方向(水平方向)、即以行單位控制各像素電路10且與上述信號XEN_SPAD_H對應之信號EN_SPAD_H，藉由以元素11為單位之3位元信號(顯示為[2：0])自全體控制部103被輸出並供給至水平控制部102a。即，藉由該1個之3位元信號，將針對水平方向上連續配置之3個像素電路10之信號EN_SPAD_H[0]、EN_SPAD_H[1]及EN_SPAD_H[2]合併傳送。
於圖7之例中，由全體控制部103自像素陣列部100左端之元素11起依序產生信号EN_SPAD_H#0[2：0]、EN_SPAD_H#1[2：0]、…、EN_SPAD_H#(x/3)[2：0]，並供給至水平控制部102a。水平控制部102a根據各信號EN_SPAD_H#0[2：0]、EN_SPAD_H#1[2：0]、…、EN_SPAD_H#(x/3)[2：0]之3位元之值(顯示為[0]、[1]、[2])，分別控制對應之元素11之各行。
同樣地，例如用以於行方向(垂直方向)、即以列單位控制各像素電路10之與上述信號XEN_SPAD_V對應之信號EN_SPAD_V，以元素11為單位之3位元信號自全體控制部103被輸出並供給至垂直控制部102b。即，藉由該1個之3位元信號，將針對垂直方向上連續配置之3個像素電路10之信號EN_SPAD_V[0]、EN_SPAD_V[1]及EN_SPAD_V[2]合併傳送。
圖7之例中，由全體控制部103自像素陣列部100下端之元素11起依序產生信号EN_SPAD_V#0[2：0]、EN_SPAD_V#1[2：0]、…、EN_SPAD_V#(y/3)[2：0]，並供給至垂直控制部102b。垂直控制部102b根據各信號EN_SPAD_V#0[2：0]、EN_SPAD_V#1[2：0]、…、EN_SPAD_V#(y/3)[2：0]之3位元之值，分別控制對應之元素11之各列。
另，雖省略圖示，但信號EN_PR與例如上述之信號EN_SPAD_V同樣地，作為以元素11為單位之3位元信號自全體控制部103被輸出，並供給至垂直控制部102b。垂直控制部102b根據各信號EN_PR之3位元之值，分別控制對應之元素之各列。
圖8A及圖8B係顯示各實施形態之像素陣列部100之細部構成例之圖。更具體而言，於圖8A及圖8B中，對信號EN_F之控制進行顯示。
如圖8A所示，信號EN_F係對包含像素陣列部100之相鄰之複數行之每控制對象130供給之信號。此處，配合元素11之尺寸，將控制對象130顯示為包含3行者。又，信號EN_F對該控制對象130所含之各列，對特定 週期之每列供給同一之信號。即，於控制對象130包含3行之該例中，對同一列之3個像素電路10，供給同一之信號EN_F。於圖8A中，作為一例，顯示將信號EN_F設為42位元(顯示為[41：0])之信號，並對每42列(7列×6)供給同一之信號。於圖8A之例中，自像素陣列部100之左端起，自全體控制部103對每3行輸出信號EN_F#0[41：0]、EN_F#1[41：0]、…、EN_F#(x/3)[41：0]，並供給至水平控制部102a。
水平控制部102a將各信號EN_F#0[41：0]、EN_F#1[41：0]、…、EN_F#(x/3)[41：0]之各位元分別供給至對應之控制對象130之各列。如圖8B所示，水平控制部102a對例如像素陣列部100左端之控制對象130，將信號EN_F#0[0]供給至42列之每一列，如第1列、第42(m+1)列(m為1以上之整數)、…、第42(n-+-])列、…。關於信號EN_F#0[2]亦同樣，水平控制部102a將其供給至42列之每一列，如第2列、第42(m+2)列、…。另，於圖8B中，控制對象130之上端之列為42列單位之前半部分，被供給信號EN_F#0[20]。
即，藉由該42位元之信號EN_F[41：0]，合併傳送針對由水平方向上連續配置之3個像素電路10而成之組，但於垂直方向上連續配置之42組之信號EN_F[0]、EN_F[1]、…、EN_F[41]。
如此，像素陣列部100可藉由信號EN_F，對每複數行進行不同之控制。進而，像素陣列部100於該等複數行內，對每複數列供給同一之信號EN_F。因此，可對像素陣列部100所含之各像素電路10，進行將該等複 數行作為寬度方向之最小單位，將該等複數列作為週期之控制。
圖9係顯示各實施形態之用以自各像素電路10讀出信號Vpls之構成例之圖。另，於圖9中，如圖中以箭頭所示，圖之橫方向為行方向。
於各實施形態中，於行方向之特定數量之每像素電路10，共用讀出信號Vpls之讀出配線。於圖9之例中，於v個之每像素電路10，共用讀出配線。例如，考慮各包含v個配置於1行之各像素電路10之組群12u、12u+1、12u+2、…。組群12u包含像素電路1011~101v，組群12u+1包含像素電路1021~102v，組群12u+2包含1031~103v。
於各組群12u、12u+1、12u+2、…中，共用組群內之位置對應之像素電路10之讀出配線。於圖9之例，將圖之右側作為位置之前頭側，共用組群12u之第1個像素電路1011、組群12u+1之第1個像素電路1021、組群12u+2之第1個像素電路1031、…之讀出配線。於圖9之例中，藉由將各像素電路1011、1021、1031、…之讀出配線依序經由OR電路4111、4121、4131、…連接，而進行複數根讀出配線之共用。
例如，對於組群12u，對組群12u所含之像素電路1011~101v各者設置OR電路4111、4112、…、411v，並於各者之第1輸入端，連接像素電路1011~101v之讀出配線。又，對於組群12u+1亦同樣，對組群12u+1所含之像素電路1021~102v各者設置OR電路4121~412v。進而同樣地，對於組群12u+2，亦對組群12u+2所含之像素電路1031~103v各者設置OR電路4131~ 413v。
另，將各OR電路4111~411v之輸出輸入至例如測距處理部101。
若取像素電路1011、1021及1031為例，則OR電路4111於第1輸入端連接有像素電路1011之讀出配線，於第2輸入端有連接OR電路4121之輸出。OR電路4121於第1輸入端連接有像素電路1021之讀出配線，於第2輸入端連接有OR電路4131之輸出。關於OR電路4131之後亦同樣。
對於該圖9所示之構成，例如垂直控制部102b藉由信號EN_SPAD_V，以不自各組群12u、12u+1、12u+2、…中位置對應之各像素電路10同時進行讀出之方式控制。換言之，垂直控制部102b以僅可讀出行上隔開(v-1)個配置之複數個像素電路10中之1個像素電路10之方式控制。於圖9之例，垂直控制部102b以不自例如像素電路1011、像素電路1021及像素電路1031同時進行讀出之方式控制。不限定於此，該行方向之同時讀出之控制亦可由水平控制部102a使用信號EN_F而進行。
另一方面，於該圖9所示之構成，垂直控制部102b可指定自行上連續配置之v個像素電路10同時讀出。此時，垂直控制部102b可跨越組群12u、12n+1、12u+2、…指定同時進行讀出之像素電路10。即，於圖9所示之構成，行方向上連續之v個像素電路10可同時讀出。例如，可對自組群12u所含之前頭起第3個之像素電路1013至自組群12u+1所含之前頭起第2個之像素電路1022之連續配置之v個像素電路10，指定同時讀出。
又，垂直控制部102b如下控制：於指定自行上連續配置之v個像素電路10同時讀出之情形時，不進行自該行之其他像素電路10之讀出。因此，例如，OR電路4111之輸出成為自像素電路1011、1021、1031、…之任意1個像素電路10讀出之信號Vpls。
如此，可藉由進行各像素電路10之讀出配線之連接、與對各像素電路10之讀出控制，削減行單位之讀出配線之數量。
(既存技術之像素陣列之掃描方法之例)
其次，於說明本揭示之前，對既存技術之像素陣列部100之掃描方法概略地進行說明。圖10係顯示既存技術之像素陣列部100之掃描方法之例之圖。
於使光源之光直線狀掃描，並藉由像素陣列部100接受其之反射光之情形時，有自光源射出之光之掃描軌跡包含形變或偏移，而非直線狀之情形。該掃描軌跡之形變或偏移係因例如使自光源射出之光掃描之機構之精度引起者，成為裝置特有之形變或偏移。自光源射出之光之掃描軌跡之形變或偏移反映於像素陣列部100中接受到之反射光。於圖10中，顯示像素陣列部100中接受到之反射光之軌跡50蜿蜒之例。於該情形時，必須考慮軌跡50之蜿蜒，相對於欲取得反射光之寬度(反射光之軌跡50之寬度)擴大地擷取進行讀出之讀出區域51a之寬度(高度)。
於圖10之例中，將包含複數個像素電路10之像素531、532、533及534作為單位進行讀出。更具體而言，於各像素531~534各者中，於各像素電路531~534所含之各像素電路10中進行曝光及光子檢測，產生信號Vpls。例如，於像素531中，基於自像素531所含之各像素電路10讀出之信號Vpls產生直方圖，進行峰值檢測，並執行測距。
此處，根據既存技術，由於以包含反射光之軌跡50之方式設定讀出區域51a，故亦自未接受到反射光之區域52a及52b所含之像素電路10進行信號Vpls之讀出。該區域52a及52b所含之像素電路10未接受自光源射出之光之反射光，而成為無益於測距之像素電路10。
藉由進行自該無用之像素電路10之讀出，於對像素陣列部100、或自像素陣列部100讀出之信號Vpls進行信號處理之測距處理部101等中，消耗無用之電力。又，由於讀出範圍相對於反射光之軌跡50較大，故必須對信號進行定時維護，且用以自各像素電路10進行讀出之讀出配線數相對於原本所需之配線數增加。再者，由於進行自無用之像素電路10之讀出，故有外亂光(環境光)之影響變增大之虞。
[第1實施形態]
其次，對本揭示之第1實施形態進行說明。於本揭示之第1實施形態，於像素陣列部100中，可根據反射光之軌跡50，選擇進行讀出之像素電路10。
圖11係顯示第1實施形態之像素陣列部100之掃描方法之例之圖。於第1實施形態中，根據反射光之軌跡50，將像素電路10作為單位，或將包含複數個像素電路10之元素11作為單位，設定讀出區域。於圖10之例，根據照射至像素陣列部100之反射光之軌跡50，將像素電路10作為單位，設定各讀出區域51b1~51b8。
例如，於像素531中，將該像素531所含之各像素電路10中之反射光之軌跡50內之讀出區域51b1及51b2所含之各像素電路10指定為進行讀出之像素電路10。同樣地，於像素532中，將該像素532所含之各像素電路10中之反射光之軌跡50內之讀出區域51b3及51b4所含之各像素電路10指定為進行讀出之像素電路10。進而同樣地，關於像素533及534，將讀出區域51b5及51b6、以及讀出區域51b7及51b8各者所含之各像素電路10指定為進行讀出之像素電路10。
藉由如此設定各讀出區域51b1~51b8，可使各讀出區域51b1~51b8之寬度(高度)、與欲取得反射光之寬度(反射光之軌跡50之寬度)大致相等。藉此，與上述既存技術之掃描方法相比，可將進行讀出之像素電路10之個數抑制為所需之最小限度，可削減消耗電力。又，與既存之掃描方法相比，由於各讀出區域51b1~51b8之寬度變小，故可削減用以自各像素電路10進行讀出之讀出配線數。
再者，於第1實施形態之掃描方法中，可極大地減小未接受到反射光之區域52a及52b，而可抑制外亂光等之影響。
使用圖12A及圖12B，對利用第1實施形態之掃描方法抑制外亂光之影響，更具體地進行說明。圖12A係顯示圖10所例示之藉由既存技術之掃描方法進行各像素電路10之讀出時之直方圖之例的圖。又，圖12B係顯示圖11所例示之藉由第1實施形態之掃描方法進行各像素電路10之讀出時之直方圖之例的圖。
另，於該圖12A及圖12B中，顯示例如對如使用圖2說明之直方圖實施低通濾波處理並對該直方圖進行曲線擬合者。
於圖12A中，偏移量55a包含自未接受到反射光之區域52a及52b所含之無用之像素電路10讀出之信號Vpls之計測值。另一方面，於圖12B中，由於不進行自該等區域52a及52b所含之各像素電路10之讀出，故偏移量55b與圖12A所示之偏移量55a相比變少。
此處，考慮直方圖中之較小之峰值56a及56b。圖12B所示之第1實施形態之掃描方法之峰值56b及偏移量不包含圖10所示之針對未接受到反射光之區域52a及52b之計測值。因此，峰值56b相對於偏移55b之比值為相對於既存技術之掃描方法之峰值56a相對於偏移55a之比值較大之值。因此，基於第1實施形態之掃描方法之直方圖與基於既存技術之掃描方法之直方圖相比，易於峰值之檢測，藉由應用第1實施形態之掃描方法，可進行更高精度之測距。
(第1實施形態之掃描方法之更具體之說明)
其次，對第1實施形態之像素陣列部100中之掃描方法更具體地進行說明。首先，使用圖13、以及圖14A及圖14B，對共用各像素電路10之讀出配線進行說明。
圖13係與上述圖11同等之圖，即顯示設定與蜿蜒之反射光之軌跡50對應之各讀出區域51b1~51b8之例。此處，將像素陣列部100中欲進行每1行之讀出之區域設為包含可由水平控制部102a進行行上連續配置之像素電路10之同時讀出之個數，即v個像素電路10者。又，將欲進行該讀出之區域之與軌跡50之每行之偏移對應之最大寬度(高度)設為包含r個(r>v)像素電路10者。
此處，根據使用圖10說明之既存技術，於進行反射光所照射之位置之像素電路10之讀出之情形時，必須對每行將r個像素電路10設為接通狀態(可讀出之狀態)，並對r個像素電路10分別準備讀出配線。
相對於此，於第1實施形態中，藉由信號XEN_SPAD_V及XEN_SPAD_H以及信号EN_F，可進行將像素電路10作為單位之讀出控制。又，如使用圖9所說明，垂直控制部102b可對行方向上連續配置之v個像素電路10指定同時讀出。又，垂直控制部102b亦可指定僅對行上隔開(v-1)個配置之複數個像素電路10中之1個像素電路10進行讀出。
圖14A及圖14B係用以對第1實施形態之共用各像素電路10之讀出配 線更具體地進行說明之圖。另，於圖14A及圖14B中，黑色方框表示以不由垂直控制部102b進行讀出，或成為斷開狀態之方式控制之像素電路10，白色方框表示以進行讀出之方式控制之像素電路10。
如圖14A所示，垂直控制部102b對某行上連續配置之與該行中欲進行讀出之區域對應之v個像素電路1011~101v指定同時讀出。該等像素電路1011~101v包含於1個組群12u。
例如，垂直控制部102b對各像素電路1011~101v，供給分別將電晶體1102及1103設為斷開狀態之信號XEN_SPAD_V及XEN_SPAD_H，且供給將開關部1101設為接通狀態之信號EN_PR。又，水平控制部102a將供給至各像素電路1011~101v之信號EN_F設為高狀態。藉此，成為可同時讀出各像素電路1011~101v之狀態。
又，垂直控制部102b以對配置於該行之其他之像素電路10，不進行讀出之方式控制。例如，水平控制部102a對該其他之像素電路10，供給例如將電晶體1102設為接通狀態之信號XEN_SPAD_V，且供給將開關部1101設為斷開狀態之信號EN_PR。又，水平控制部102a將供給至該其他之像素電路10之信號EN_F設為低狀態。藉此，成為不進行該其他之像素電路10之讀出之狀態。
圖14B係顯示與圖14A所示之行不同之行(例如與圖14A所示之行相鄰之行)中之讀出指定之例的圖。於該圖14B之例中，對與於該不同之行中 欲進行讀出之區域對應之v個像素電路1013~1022指定同時讀出。該等像素電路1013~1022跨越2組之組群12u與組群12u+1而包含於其等。又，水平控制部102a及垂直控制部102b藉由信號XEN_SPAD_H、XEN_SPAD_V、EN_F及EN_PR，以不對配置於該行之其他之像素電路10進行讀出之方式控制。
藉由此種構成，於第1實施形態之構成中，只要對v個像素電路10準備讀出配線即可，相對於既存技術，可削減讀出配線之根數。又，控制配置於超過欲進行讀出之區域之區域之各像素電路10無法同時讀出，且共用於100 psec單位，或其以下之時間內需配線延遲維護之讀出配線。因此，可削減配線延遲維護之對象、或高速動作所需之後段之電路。
再者，垂直控制部102b藉由信號EN_PR，停止對配置於超過欲進行讀出之區域之區域之各像素電路10供給電源電壓Vdd。藉此，抑制反射光未照射之像素電路10中之電力消耗，亦削減像素陣列部100全體之消耗電力。
另，於上述中，將像素電路10作為單位，控制是否進行讀出(像素電路10之接通/斷開)，但其不限定於該例。例如，水平控制部102a及垂直控制部102b可對包含p列×q行之(p×q)個之像素電路10之每區塊控制像素電路10之接通/斷開。例如，可將使用圖7說明之包含3列×3行之9個像素電路10之元素11之區塊作為單位，控制像素電路10之接通/斷開。於該區塊單位之控制中，可與用於以區塊單位接通/斷開像素電路10之信號線(例如信 號EN_F之信號線)折衷，調整接通/斷開之控制單位。
(第1實施形態之讀出區域指定之具體例)
使用圖15及圖16，對與反射光之軌跡50對應之讀出區域之指定更詳細地進行說明。圖15係顯示第1實施形態之各讀出區域之指定方法之例之圖。於圖15中，將像素陣列部100中之有效區域60作為基準，指定讀出區域61。將讀出區域61之基點位置62作为讀出區域61之例如左端、及該左端處之下端之位置，藉由距離有效區域60之左端及下端之位置指定基點位置62。
又，於圖15之例中，讀出區域61於圖15中被分割指定為左側之範圍68與右側之範圍69。分割之基準位置65於水平方向上，被指定為相對於讀出區域61之基點位置62之水平方向之偏移量63。又，該基準位置65於垂直方向上，被指定為將有效區域60之下端作為基準之高度64。又，於範圍68中，藉由調整間隔66指定垂直方向之高度變化之位置，藉由調整量67指定變化之高度。此於範圍69中亦同樣。
於圖15之例中，範圍68之各參數(各指定值)記憶於例如全體控制部103具有之暫存器之一即調整暫存器#0，範圍69之各參數同樣地記憶於全體控制部103具有之暫存器之一即調整暫存器#1。範圍68及69之各參數(指定值)可預先記憶於該等調整暫存器#0及#1，亦可藉由對全體控制部103之外部輸入而記憶。
例如，全體控制部103自暫存器讀出用以進行上述各指定之各參數，並基於讀出之參數，產生例如信號EN_SPAD_H、EN_SPAD_V、EN_F及EN_PR。全體控制部103將產生之信號EN_SPAD_H及EN_F傳遞至水平控制部102a。水平控制部102a將基於傳遞之信號EN_SPAD_H之信號XEN_SPAD_H供給至像素陣列部100之特定行。又，水平控制部102a將傳遞之信號EN_F供給至像素陣列部100之特定之複數行(例如3行)、及每特定週期之特定列。再者，全體控制部103將產生之信號EN_SPAD_V及EN_PR傳遞至垂直控制部102b。垂直控制部102b將傳遞之信號EN_PR、與基於信号EN_SPAD_V之信號XEN_SPAD_V供給至像素陣列部100之特定列。
圖16係顯示第1實施形態之假設分割光源，並指定複數個讀出區域之例之圖。例如，以4個雷射二極體構成光源部2(參照圖3)，指定與各雷射二極體對應之讀出區域611、612、613及614。於該情形時，例如相對於左端之讀出區域611之基點位置62，指定各讀出區域612、613及614之基點位置651、652及653。
例如，讀出區域612之基點位置651藉由相對於基點位置62之水平方向之偏移量631、與將有效區域60之下端作為基準之高度641指定。同樣地，讀出區域613及614之各基點位置652及653分別藉由相對於基點位置62之水平方向之偏移量632及633，與將有效區域60之下端作為基準之高度642及643指定。
又，於圖16中省略，但與圖15同樣，於各讀出區域611~614中，藉由調整間隔66指定垂直方向之高度變化之位置，並藉由調整量67指定變化之高度。指定之各指定值作為用以指定讀出區域之參數，記憶於調整暫存器。
例如，全體控制部103與圖15中之說明同樣，自調整暫存器讀出進行上述各指定之參數，並基於讀出之各參數產生各信號EN_SPAD_H、EN_SPAD_V、EN_F及EN_PR。全體控制部103將產生之信號EN_SPAD_H及EN_F傳遞至水平控制部102a，並將信號EN_SPAD_VEN_PR傳遞至垂直控制部102b。
(可應用於第1實施形態之校準處理)
其次，對第1實施形態之讀出區域之校準處理進行說明。如上所述，於照射至像素陣列部100之反射光之軌跡50之形變或偏移為裝置特有者之情形時，可預先取得該軌跡50。基於取得之軌跡50之資訊求得圖15及圖16中說明之各參數，並使之記憶於全體控制部103具有之調整暫存器。
圖17係顯示第1實施形態之讀出區域之校準處理之一例之流程圖。例如，對測距裝置1(參照圖4)以固定之距離設置對象物(步驟S100)。對象物較佳為例如白紙或板等反射率及均一性較高者。
其次，於步驟S101中，選擇使用輸出之像素電路10。像素電路10可僅指定1個，亦可選擇較加上計測值之例如像素531更狹窄之範圍所含之複 數個像素電路10。此處，作為選擇1個像素電路10者進行說明。
圖18係用以說明第1實施形態之讀出區域之校準處理之模式圖。於圖18中，亦可設為於步驟S101中選擇像素電路10obj者。於接下來之步驟S102，測距裝置1藉由例如全體控制部103之控制使光源部2發光，並於該像素電路10obj中開始曝光。於接下來之步驟S103，於測距裝置1中測距處理部101基於自像素電路10obj輸出之信號Vpls計測受光時序，並記憶計測值。
另，亦可重復執行複數次步驟S102及步驟S103之處理，並基於特定位置之像素電路10obj之輸出產生直方圖。
於接下來之步驟S104，全體控制部103判定特定區域數之步驟S101~步驟S103之處理是否結束。例如，全體控制部103於像素陣列部100內或有效區域60內之所有像素電路10之處理結束之情形時，判定為特定區域數之處理結束。不限定於此，於對像素531所含之所有像素電路10之處理結束之情形時，可判定特定區域數之處理結束，亦可進而設定其他之區域，並判定設定之區域內是否結束處理。
全體控制部103於判定為特定區域數之處理未結束之情形時(步驟S104「否」)，使處理移行至步驟S105。於步驟S105，全體控制部103設定用以指定下一個要使用輸出之像素電路10之移位量及方向。例如，全體控制部103相對於像素電路10obj之位置，設定於以箭頭82所示之垂直方 向、或以箭頭83所示之水平方向上移位1個像素電路10量之位置。全體控制部103將處理返回至步驟S101，將步驟S105中設定之位置之像素電路10重新指定為要使用輸出之像素電路10obj，執行步驟S102以後之處理，並累積計測值。
於步驟S104，全體控制部103於判定特定區域數之處理結束之情形時(步驟S104「是」)，使處理移行至步驟S106。於步驟S106，全體控制部103解析步驟S101~步驟S105之處理之輸出結果，即步驟S103中累積之計測值。於接下來之步驟S107，全體控制部103基於步驟S106之解析結果，決定讀出區域。例如，全體控制部103基於各位置之像素電路10obj中之反應頻率，判定該位置是否適合作為讀出區域所含之位置。
全體控制部103使表示步驟S107中決定之讀出區域之各參數記憶於暫存器。藉此，設定例如讀出區域51b1。
該圖17之流程圖之處理係於使用包含該測距裝置1之電子機器6之使用者使用測距裝置1之測距功能時執行，可用於修正讀出區域。不限定於此，亦可於包含該測距裝置1之電子機器6之出貨時等，由製造廠根據該流程圖執行處理，而決定讀出區域。再者。亦可不依據圖17之流程圖之處理，而於包含該測距裝置1之電子機器6之組裝步驟等中，根據光源部2之安裝位置等，推測像素陣列部100中接收來自光源部2之光之反射光時之軌跡50，基於推測結果，產生表示讀出區域之各參數並予以記憶於暫存器。
[第2實施形態]
其次，作為本揭示第2實施形態，對本揭示之第1實施形態之應用例進行說明。圖19係顯示第2實施形態之使用上述第1實施形態之測距裝置1之使用例之圖。
上述測距裝置1例如可如下所示用於感測可見光、紅外光、紫外光、X射線等光之各種實例。
‧數位相機、或附相機功能之攜帶式機器等拍攝供鑒賞用之圖像之裝置。
‧為了自動停止等安全駕駛、或辨識駕駛者之狀態等，而拍攝汽車之前方與後方、周圍、車內等車載用感測器、監視行駛車輛與道路之監視相機、進行車輛間等之測距之測距感測器等供交通用之裝置。
‧為了拍攝使用者之姿勢而進行根據該姿勢之機器操作，而供TV、冰箱、空調等家電之裝置。
‧內視鏡、藉由接收紅外光而進行血管攝影之裝置等供醫療與保健用之裝置。
‧預防犯罪用途之監視相機、與人物認證用途之相機等供保全用之裝置。
‧拍攝肌膚之肌膚測定器、或拍攝頭皮之顯微鏡等供美容用之裝置。
‧適於運動用途等之運動相機或可穿戴式相機等供運動用之裝置。
‧用於監視農田或農作物之狀態之相機等供農業用之裝置。
[本揭示之技術之進一步之應用例]
(對移動體之應用例)
本揭示之技術亦可進而應用於搭載於汽車、電動汽車、油電混合汽車、機車、腳踏車、個人移動載具、飛機、無人機、船舶、機器人等任一種移動體之裝置。
圖20係顯示可應用本揭示之技術之移動體控制系統之一例即車輛控制系統之概略構成例的方塊圖。
車輛控制系統12000具備經由通信網路12001連接之複數個電子控制單元。於圖20所示之例中，車輛控制系統12000具備驅動系統控制單元12010、車體系統控制單元12020、車外資訊檢測單元12030、車內資訊檢測單元12040及整合控制單元12050。又，作為整合控制單元12050之功能構成，圖示微電腦12051、聲音圖像輸出部12052、及車載網路I/F(interface：介面)12053。
驅動系統控制單元12010根據各種程式控制與車輛之驅動系統關聯之裝置之動作。例如，驅動系統控制單元12010作為內燃機或驅動用馬達等用以產生車輛之驅動力之驅動力產生裝置、用以將驅動力傳遞至車輪之驅動力傳遞機構、調節車輛舵角之轉向機構、及產生車輛之制動力之制動裝置等控制裝置發揮功能。
車體系統控制單元12020根據各種程式控制車體所裝備之各種裝置之動作。例如，車體系統控制單元12020作為無鑰匙門禁系統、智慧型鑰匙系統、電動窗裝置、或頭燈、尾燈、剎車燈、方向燈或霧燈等各種燈之控制裝置發揮功能。於該情形時，可對車體系統控制單元12020輸入自代替鑰匙之可攜帶式機器發送之電波或各種開關之信號。車體系統控制單元12020受理該等電波或信號之輸入，並控制車輛之門鎖裝置、電動窗裝置、燈等。
車外資訊檢測單元12030檢測搭載有車輛控制系統12000之車輛的外部資訊。例如，於車外資訊檢測單元12030連接有攝像部12031。車外資訊檢測單元12030使攝像部12031拍攝車外之圖像，且接收所拍攝之圖像。車外資訊檢測單元12030亦可基於接收到之圖像，進行人、車、障礙物、標識或路面上之文字等之物體檢測處理或距離檢測處理。車外資訊檢測單元12030對例如接收到之圖像實施圖像處理，並基於圖像處理之結果進行物體檢測處理或距離檢測處理。
攝像部12031係接受光並輸出對應於該光之受光量之電性信號的光感測器。攝像部12031可將電性信號作為圖像輸出，亦可作為測距之資訊輸出。又，攝像部12031接受之光可為可見光，亦可為紅外線等非可見光。
車內資訊檢測單元12040檢測車內之資訊。於車內資訊檢測單元12040連接有例如檢測駕駛者之狀態之駕駛者狀態檢測部12041。駕駛者 狀態檢測部12041包含例如拍攝駕駛者之相機，車內資訊檢測單元12040可基於自駕駛者狀態檢測部12041輸入之檢測資訊，算出駕駛者之疲勞程度或注意力集中程度，亦可判斷駕駛者是否正在打瞌睡。
微電腦12051可基於由車外資訊檢測單元12030或車內資訊檢測單元12040取得之車內外之資訊，運算驅動力產生裝置、轉向機構或制動裝置之控制目標值，對驅動系統控制單元12010輸出控制指令。例如，微電腦12051可進行以實現包含避開車輛碰撞或緩和衝擊、基於車間距離之追隨行駛、車速維持行駛、車輛之碰撞警告或車輛偏離車道警告等之ADAS(Advanced Driver Assistance System：先進駕駛輔助系統)之功能為目的之協調控制。
又，微電腦12051可藉由基於由車外資訊檢測單元12030或車內資訊檢測單元12040取得之車輛周圍之資訊，控制驅動力產生裝置、轉向機構或制動裝置等，而進行以不依據駕駛者之操作而自律行駛之自動駕駛等為目的之協調控制。
又，微電腦12051可基於由車外資訊檢測單元12030取得之車外資訊，對車體系統控制單元12020輸出控制指令。例如，微電腦12051可根據由車外資訊檢測單元12030檢測出之前方車或對向車之位置控制頭燈，進行將遠光切換成近光等以謀求防眩為目的之協調控制。
聲音圖像輸出部12052將聲音及圖像中之至少一者之輸出信號發送至 可對車輛之搭乘者或車外視覺性或聽覺性通知資訊之輸出裝置。於圖20之例中，作為輸出裝置，例示聲頻揚聲器12061、顯示部12062及儀錶板12063。顯示部12062亦可包含例如車載顯示器及抬頭顯示器之至少一者。
圖21係顯示攝像部12031之設置位置之例之圖。於圖21中，車輛12100具有攝像部12101、12102、12103、12104、12105作為攝像部12031。
攝像部12101、12102、12103、12104及12105設置於例如車輛12100之前保險桿、側視鏡、後保險桿、後門及車廂內之擋風玻璃之上部等位置。前保險桿所具備之攝像部12101及車廂內之擋風玻璃之上部所具備之攝像部12105主要取得車輛12100前方之圖像。側視鏡所具備之攝像部12102、12103主要取得車輛12100側方之圖像。後保險桿或後門所具備之攝像部12104主要取得車輛12100後方之圖像。以攝像部12101及12105取得之前方圖像主要用於檢測前方車輛或行人、障礙物、號誌機、交通標識或車道線等。
另，於圖21顯示攝像部12101~12104之攝像範圍之一例。攝像範圍12111表示設置於前保險桿之攝像部12101之攝像範圍，攝像範圍12112及12113分別表示設置於側視鏡之攝像部12102及12103之攝像範圍，攝像範圍12114表示設置於後保險桿或後門之攝像部12104之攝像範圍。例如，藉由使攝像部12101~12104所拍攝之圖像資料重疊，而獲得自上方觀察 車輛12100之俯瞰圖像。
攝像部12101~12104之至少一者亦可具有取得距離資訊之功能。例如，攝像部12101~12104之至少一者可為包含複數個攝像元件之攝影機，亦可為具有相位差檢測用之像素之攝像元件。
例如，微電腦12051基於自攝像部12101~12104取得之距離資訊，求得攝像範圍12111~12114內之至各立體物之距離、及該距離之時間變化(相對於車輛12100之相對速度)，藉此可擷取尤其於車輛12100之行進路上某最近之立體物且在與車輛12100大致相同之方向以特定速度(例如為0km/h以上)行駛之立體物，作為前方車。進而，微電腦12051可設定前方車之近前應預先確保之車間距離，進行自動剎車控制(亦包含追隨停止控制)或自動加速控制(亦包含追隨起動控制)等。可如此地進行以不依據駕駛者之操作而自律行駛之自動駕駛等為目的之協調控制。
例如，微電腦12051基於可自攝像部12101~12104獲得之距離資訊，將立體物相關之立體物資料分類成二輪車、普通車輛、大型車輛、行人、電線桿等其他立體物並擷取，用於障礙物之自動避開。例如，微電腦12051可將車輛12100周邊之障礙物辨識為車輛12100之駕駛員可視認之障礙物與難以視認之障礙物。且，微電腦12051判斷表示與各障礙物碰撞之危險度之碰撞危險性，碰撞危險性為設定值以上，有可能碰撞之狀況時，經由聲頻揚聲器12061或顯示部12062對駕駛員輸出警報，或經由驅動系統控制單元12010進行強制減速或避開轉向，藉此可進行用以避開碰撞之 駕駛支援。
攝像部12101~12104之至少一者亦可為檢測紅外線之紅外線相機。例如，微電腦12051可藉由判斷攝像部12101~12104之攝像圖像中是否存在行人而辨識行人。該行人之辨識係根據例如擷取作為紅外線相機之攝像部12101~12104之攝像圖像之特徵點之順序、及對表示物體輪廓之一連串特徵點進行圖案匹配處理而判別是否為行人之順序進行。若微電腦12051判斷攝像部12101~12104之攝像圖像中存在行人且辨識為行人，則聲音圖像輸出部12052以對該經辨識出之行人重疊顯示用以強調之方形輪廓線之方式，控制顯示部12062。又，聲音圖像輸出部12052亦可以將表示行人之圖標等顯示於期望之位置之方式控制顯示部12062。
以上，已對可應用本揭示之技術之車輛控制系統之一例進行說明。本揭示之技術可應用於以上說明之構成中例如攝像部12031。具體而言，可將上述本揭示之第1實施形態之測距裝置1應用於攝像部12031。藉由於攝像部12031應用本揭示之技術，可以更小規模之構成提供進行與行駛之車輛之測距之測距裝置1。
另，本技術亦可取得以下之構成。
(1)
一種受光裝置，其具備：受光部，其包含以矩陣狀之排列配置之複數個受光元件；及複數根讀出線，其等傳送自上述複數個受光元件進行讀出之各信 號；且上述複數根讀出線分別連接於上述複數個受光元件中之2個以上之受光元件。
(2)
如上述(1)記載之受光裝置，其進而具備：複數根列控制信號線，其等傳送依上述排列之每列控制上述複數個受光元件之列控制信號；及複數根行控制信號線，其等傳送依上述排列之每行控制上述複數個受光元件之行控制信號；且上述複數根列控制信號線分別對上述排列之複數列之各者傳送上述列控制信號，上述複數根行控制信號線分別對上述排列之複數行之各者傳送上述行控制信號。
(3)
如上述(2)記載之受光裝置，其中上述行控制信號及上述列控制信號中之至少一者包含控制對上述受光元件供給電源之電源控制信號。
(4)
如上述(1)至(3)中任一項記載之受光裝置，其進而具備：複數根組控制信號線，其等傳送依包含2個以上之受光元件之每一組控制上述複數個受光元件之組控制信號；且上述複數根組控制信號線分別對2組以上之上述組之各者傳送上述組控制信號。
(5)
如上述(1)記載之受光裝置，其中上述複數根讀出線分別經由OR電路而連接上述2個以上之受光元件。
(6)
如上述(5)記載之受光裝置，其中上述OR電路包含第1 OR電路與第2 OR電路，於上述第1 OR電路之第1輸入端，連接上述2個以上之受光元件中之第1受光元件，於該第1 OR電路之第2輸入端，連接上述2個以上之受光元件中之上述第2 OR電路之輸出端，於該第2 OR電路之第1輸入端，連接上述2個以上之受光元件中之第2受光元件。
(7)
如上述(1)至(6)中任一項記載之受光裝置，其中上述受光部沿上述排列之列或行中之特定方向分別設置上述複數根讀出線，上述2個以上之受光元件沿上述排列之上述特定方向每隔(v-1)個(v為2以上之整數)連接於上述讀出線。
(8)
如上述(1)至(7)中任一項記載之受光裝置，其進而具備：指定部，其指定上述複數個受光元件中要進行上述讀出之受光元件；且 上述指定部於不同之時序指定對上述2個以上之受光元件進行上述讀出。
(9)
如上述(8)記載之受光裝置，其中上述指定部於相同之時序指定對沿著連接上述複數個受光元件中之上述2個以上之受光元件之方向連續配置之v個受光元件進行上述讀出。
(10)
如上述(8)或(9)記載之受光裝置，其中上述指定部對上述受光部所包含之上述複數個受光元件中含在上述排列內之矩形區域之複數個受光元件指定上述讀出。
(11)
如上述(8)至(10)中任一項記載之受光裝置，其中上述受光部接受包含由對象物反射自光源射出之光之反射光之光，上述指定部根據預先取得之推測為上述反射光照射於上述受光部之區域，指定上述複數個受光元件中要進行上述信號讀出之受光元件。
(12)
如上述(8)至(11)中任一項記載之受光裝置，其進而具備：記憶部，其記憶用以指定上述複數個受光元件中要進行上述讀出之受光元件之參數；且上述指定部基於記憶於上述記憶部之上述參數，指定要進行上述讀出之受光元件。
(13)
如上述(12)記載之受光裝置，其中 上述記憶部根據外部輸入而進行上述參數之記憶。
(14)
一種測距裝置，其具備：受光部，其包含以矩陣狀之排列配置之複數個受光元件；複數根讀出線，其傳送自上述受光元件進行讀出之各信號；時間計測部，其計測光源發光之發光時序至上述複數個受光元件受光之受光時序之時間而取得計測值；產生部，其產生上述計測值之直方圖；及運算部，其基於上述直方圖，運算與被測定物之距離；且上述複數根讀出線分別連接上述複數個受光元件中2個以上之受光元件。
(15)
如上述(14)記載之測距裝置，其進而具備：複數根列控制信號線，其傳送依上述排列之每列控制上述複數個受光元件之列控制信號；及複數根行控制信號線，其傳送依上述排列之每行控制上述複數個受光元件之行控制信號；且上述複數根列控制信號線分別對上述排列之複數列之各者傳送上述列控制信號，上述複數根行控制信號線分別對上述排列之複數行之各者傳送上述行控制信號。
(16)
如上述(15)記載之測距裝置，其中 上述行控制信號及上述列控制信號中之至少一者包含控制對上述受光元件供給電源之電源控制信號。
(17)
如上述(14)至(16)中任一項記載之測距裝置，其進而具備：複數根組控制信號線，其傳送依包含2個以上之受光元件之每組控制上述複數個受光元件之組控制信號；且上述複數根組控制信號線分別對2組以上之上述組之各者傳送上述組控制信號。
(18)
如上述(14)至(17)中任一項記載之測距裝置，其中上述複數根讀出線分別經由OR電路連接有上述2個以上之受光元件。
(19)
如上述(18)記載之測距裝置，其中上述OR電路包含第1 OR電路與第2 OR電路，於上述第1 OR電路之第1輸入端，連接有上述2個以上之受光元件中之第1受光元件，於該第1 OR電路之第2輸入端，連接有上述2個以上之受光元件中之上述第2 OR電路之輸出端，於該第2 OR電路之第1輸入端，連接有上述2個以上之受光元件中之第2受光元件。
(20)
如上述(14)至(19)中任一項記載之測距裝置，其中 上述受光部沿上述排列之列或行中之特定之方向設置上述複數根讀出線，上述2個以上之受光元件沿上述排列之上述特定之方向隔開(v-1)個(v為2以上之整數)地連接於上述讀出線。
(21)
如上述(14)記載之測距裝置，其進而具備：指定部，其指定上述複數個受光元件中之進行上述讀出之受光元件；且上述指定部於不同之時序指定上述2個以上之受光元件之上述讀出。
(22)
如上述(21)記載之測距裝置，其中上述指定部於相同之時序指定沿連接有上述複數個受光元件中之上述2個以上之受光元件之方向連續配置之v個受光元件之上述讀出。
(23)
如上述(21)或(22)記載之測距裝置，其中上述指定部對上述受光部包含之上述複數個受光元件中之包含於上述排列內之矩形區域之複數個受光元件指定上述讀出。
(24)
如上述(21)至(23)中任一項記載之測距裝置，其中上述受光部接受包含由對象物反射自光源射出之光之反射光之光，上述指定部根據預先取得之推測為上述反射光照射於上述受光部之區域，指定上述複數個受光元件中之進行上述信號之讀出之受光元件。
(25)
如上述(21)至(24)中任一項記載之測距裝置，其進而具備：記憶部，其記憶用以指定上述複數個受光元件中之進行上述讀出之受光元件之參數；且上述指定部基於記憶於上述記憶部之上述參數指定進行上述讀出之受光元件。
(26)
如上述(25)記載之測距裝置，其中上述記憶部根據外部輸入進行上述參數之記憶。
S100~S107:步驟

Claims (12)

  1. 一種受光裝置，其具備：受光部，其包含以矩陣狀之排列配置之複數個受光元件；及複數根讀出線，其等傳送已自上述複數個受光元件進行讀出之各信號；且上述複數根讀出線分別連接於上述複數個受光元件中之2個以上之受光元件；上述複數根讀出線分別經由OR電路而連接上述2個以上之受光元件；上述OR電路包含第1 OR電路與第2 OR電路，於上述第1 OR電路之第1輸入端，連接上述2個以上之受光元件中之第1受光元件，於該第1 OR電路之第2輸入端，連接上述2個以上之受光元件中之上述第2 OR電路之輸出端，於該第2 OR電路之第1輸入端，連接上述2個以上之受光元件中之第2受光元件。
  2. 如請求項1之受光裝置，其進而具備：複數根列控制信號線，其等傳送依上述排列之每列控制上述複數個受光元件之列控制信號；及複數根行控制信號線，其等傳送依上述排列之每行控制上述複數個受光元件之行控制信號；且 上述複數根列控制信號線分別對上述排列之複數列之各者傳送上述列控制信號，上述複數根行控制信號線分別對上述排列之複數行之各者傳送上述行控制信號。
  3. 如請求項2之受光裝置，其中上述行控制信號及上述列控制信號中之至少一者包含控制對上述受光元件供給電源之電源控制信號。
  4. 如請求項1之受光裝置，其進而具備：複數根組控制信號線，其等傳送依包含2個以上之受光元件之每一組控制上述複數個受光元件之組控制信號；且上述複數根組控制信號線分別對2組以上之上述組之各者傳送上述組控制信號。
  5. 如請求項1之受光裝置，其中上述受光部沿上述排列之列或行中之特定方向分別設置上述複數根讀出線，上述2個以上之受光元件沿上述排列之上述特定方向每隔(v-1)個(v為2以上之整數)連接於上述讀出線。
  6. 如請求項1之受光裝置，其進而具備：指定部，其指定上述複數個受光元件中要進行上述讀出之受光元 件；且上述指定部於不同之時序指定對上述2個以上之受光元件進行上述讀出。
  7. 如請求項6之受光裝置，其中上述指定部於相同之時序指定對沿著連接上述複數個受光元件中之上述2個以上之受光元件之方向連續配置之v個受光元件進行上述讀出。
  8. 如請求項6之受光裝置，其中上述指定部對上述受光部所包含之上述複數個受光元件中含在上述排列內之矩形區域之複數個受光元件指定上述讀出。
  9. 如請求項6之受光裝置，其中上述受光部接受包含由對象物反射自光源射出之光之反射光之光，上述指定部根據預先取得之推測為上述反射光照射於上述受光部之區域，指定上述複數個受光元件中要進行上述信號讀出之受光元件。
  10. 如請求項6之受光裝置，其進而具備：記憶部，其記憶用以指定上述複數個受光元件中要進行上述讀出之受光元件之參數；且上述指定部基於記憶於上述記憶部之上述參數，指定要進行上述讀出之受光元件。
  11. 如請求項10之受光裝置，其中上述記憶部根據外部輸入而進行上述參數之記憶。
  12. 一種測距裝置，其具備：受光部，其包含以矩陣狀之排列配置之複數個受光元件；複數根讀出線，其等傳送自上述複數個受光元件進行讀出之各信號；時間計測部，其計測光源發光之發光時序至上述複數個受光元件受光之受光時序之時間而取得計測值；產生部，其產生上述計測值之直方圖；及運算部，其基於上述直方圖，運算與被測定物之距離；且上述複數根讀出線分別連接上述複數個受光元件中2個以上之受光元件；上述複數根讀出線分別經由OR電路而連接上述2個以上之受光元件；上述OR電路包含第1 OR電路與第2 OR電路，於上述第1 OR電路之第1輸入端，連接上述2個以上之受光元件中之第1受光元件，於該第1 OR電路之第2輸入端，連接上述2個以上之受光元件中之上述第2 OR電路之輸出端，於該第2 OR電路之第1輸入端，連接上述2個以上之受光元件中之第2受光元件。
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