TWI727600B - 空間光調製器 - Google Patents
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Abstract
本揭露係提供一種空間光調製器,包括:面板及面板驅動器。面板包括超高像素密度背板及液晶層,其中超高像素密度背板包括具備至少4000PPI的像素陣列,液晶層包括具備第一優質因子值的超高優質因子液晶材料。面板驅動器連接至面板,用於執行面板快速驅動設計來驅動面板。
Description
本揭露關於空間光調製器的技術領域。
對於目前的技術水平而言,空間光調製器必須滿足低電壓驅動、低液晶響應速度、高電驅動頻率等條件,方可達到良好的相位光穩定性。然而隨著科技發展,目前對於矽基液晶空間光調製器(liquid crystal on silicon spatial light modulator,LCOS-SLM)的應用上,有著更快速的全相位液晶響應速度以及更高的面板像素密度之需求。此外,目前市面上的空間光調製器採用數位驅動的方式來驅動,其相位光穩定性相對比類比驅動方式還要十分低落。然而,在超高像素密度的面板上採用類比驅動方式,很難達到高電驅動頻率,因此造成相位時序擾動的抑制將會變得十分困難,再者,類比驅動在高速液晶響應的情況下,也相對比數位驅動方式較不容易達到高相位線性度。
有鑑於此,本揭露提供一種改良的空間光調製器,來解決上述的問題。
1:空間光調製器
20:面板
21:背板
210:像素陣列
211:像素單元
22:反射層
23:第一配向層
24:液晶層
25:第二配向層
26:透明電極層
27:玻璃蓋板
28:半反射膜
30:面板驅動器
32:驅動邏輯電路
33:記憶體
34:驅動程序
S11~S12:步驟
S21~S25:步驟
圖1是本揭露一實施例的空間光調製器的基本結構示意圖;圖2是沿著圖1空間光調製器之A-A’剖線之部分剖面圖;圖3是本揭露一實施例的面板快速驅動設計的主要步驟流程圖;圖4是本揭露一實施例的驅動程序的執行步驟細節的流程圖;圖5是本揭露一實施例的不同像素密度的驅動參數的比較圖;圖6是本揭露一實施例的空間光調製器與比較例的實驗測試比較圖。
以下將透過多個實施例說明本揭露的影像測試系統與影像擷取卡的實施態樣及運作原理。本揭露所屬技術領域中具有通常知識者,透過上述
實施例可理解本揭露的特徵及功效,而可基於本揭露的精神,進行組合、修飾、置換或轉用。
本文所指的“連接”一詞係包括直接連接或間接連接等態樣,且並非限定。本文中關於”當...”、”...時”的一詞係表示”當下、之前或之後”,且並非限定。
本文中所使用的序數例如“第一”、“第二”等之用詞,是用於修飾請求元件,其本身並不意含及代表該請求元件有任何之前的序數,也不代表某一請求元件與另一請求元件的順序、或是製造方法上的順序,該些序數的使用僅用來使具有某命名的一請求元件得以和另一具有相同命名的請求元件能作出清楚區分。
本文記載多個功效(或元件)時,若在多個功效(或元件)之間使用「或」一詞,係表示功效(或元件)可獨立存在,但亦不排除多個功效(或元件)可同時存在的態樣,換言之,只要描述的態樣合理,「或」一詞包含「及」之態樣。
圖1是本揭露一實施例的空間光調製器1的基本結構示意圖。如圖1所示,空間光調製器1至少包含一面板20及一面板驅動器30。面板驅動器30可設置於一電路板上,並可包含一驅動邏輯電路32及一記憶體33,且不限於此。面板驅動器30可電性連接於面板20,並用於驅動面板20。面板20包含一背板21,而背板21包含一像素陣列210。像素陣列210是由複數個像素單元211所組成,且像素陣列210具備至少4000英吋像素(pixels per inch,PPI)的像素密度。為使說明更清楚,在圖1實施例中,當空間光調製器1放置於由第一方向(X方向)及第二方
向(Y方向)形成的第一平面(XY平面),面板20的顯示面是平行於第一平面並朝向第三方向(Z方向或顯示方向)。
在一實施例中,面板20可例如是一矽基液晶(liquid crystal on silicon,LCOS)面板,但並非限定。在一實施例中,背板21可以是一互補式金屬氧化物半導體(complementary metal-oxide-semiconductor,以下簡稱CMOS)基板,亦即像素陣列210可以是CMOS陣列,像素單元211可以是CMOS單元,但在另一實施例中,背板21亦可以是一薄膜電晶體(thin-film transistor,以下簡稱TFT)基板或印刷電路板(printed circuit board,以下簡稱PCB),且不限於此。在一實施例中,背板21可採用穿透式背板技術或反射式背板技術,且不限於此。在一實施例中,面板驅動器30的驅動邏輯電路32可例如是一現場可程式化邏輯閘陣列(field programmable gate array,以下簡稱FPGA)、特殊應用積體電路(application specific integrated circuit,以下簡稱ASIC)或客製化調節晶片,且不限於此,據此,面板驅動器30具備可程式化之特性。
本揭露的特色之一在於,面板驅動器30是根據一面板快速驅動設計來驅動面板20。本揭露的又一特色在於,面板20的部份元件具備特殊材質。
接著將詳細說明面板20的特殊結構配置。圖2是沿著圖1空間光調製器1之A-A’剖線之部分剖面圖,其用於說明面板20的細部結構於第三方向(Z方向)上的配置關係。如圖2所示,面板20可包含背板21、一反射層22、一第一配向層23、一液晶層24、一第二配向層25、一透明電極(例如indium tin oxide,ITO)層26及一玻璃蓋板27。沿著Z方向觀之,反射層22可設置於背板21上,第一配向層23可設置於反射層22上,液晶層24可設置於第一配向層23上,第二配向層25
可設置於液晶層24上,透明電極層26可設置於第二配向層25上,且玻璃蓋板27可設置於透明電極層26上,但並非限定。
在一實施例中,背板21是超高像素密度的基板,其像素密度至少為4000PPI(亦即本揭露空間光調製器1的面板20至少支援1920×1080的解析度)。在一實施例中,反射層22可用於將部分光線進行反射以提高面板20的反射率,且反射層22可包含金屬材質,例如鋁、銀、銅、鉻或鈦等,但不限於此。在一實施例中,第一配向層23及第二配向層25可用於控制液晶層24中的液晶分子的排列情況,其中第一配向層23及第二配向層25可包含有機材料或無機材料,且第一配向層23及第二配向層25可包含一聚醯亞胺(polyimide,PI)層或氧化矽層(SiOx,x為正整數);此處「氧化矽」包含所有「矽的氧化物」的態樣,例如一氧化矽(SiO)、二氧化矽(SiO2)等,且不限於此。在一實施例中,透明電極層26可提供導電性或透光性,並可做為面板20的顯示電極,其中透明電極層26可例如是ITO層,但不限於此。在一實施例中,玻璃蓋板27可保護其下方的元件,並用於使光線透射。此外,在一些實施例中,玻璃蓋板27上可進一步設置一半反射膜28,用於使部分光線穿透及使部分光線反射;此處「半反射」是指部分光線會穿透而部分光線會反射之態樣,而非限定反射率為50%。
特別的是,本揭露的液晶層24是具備超高優質因子(Figure of Merit,FoM)值的液晶材料。液晶材料可具備第一優質因子值(Figure of Merit-1,FoM-1),其中第一優質因子值符合下列條件:
其中FoM-1定義為該第一優質因子值,△n定義為液晶材料的雙折射率,γ1定義為液晶材料的轉動黏滯係數(rotational viscosity coefficient),k11定義為液晶材料的擴張時的彈性係數(splay elastic constant)。
由第一優質因子值的條件可知,液晶材料較佳為高雙折射率(△n)的液晶,其特性是可展現高度線性的電光響應(electrical-optical,EO),使本揭露的空間光調製器1具備較為佳的相位線性度。
在一實施例中,液晶材料可進一步具備一第二優質因子(Figure of Merit-2,FoM-2)值,其中第二優質因子值符合下列條件:
其中FoM-2定義為該第二優質因子值,△定義為液晶材料的介電異方性。
由第一優質因子值或第二優質因子值的滿足條件可知,空間光調製器1所使用的超高優質因子液晶可具備超雙折射率,相較於習知技術的產品,本揭露的面板20的液晶分子之間的液晶間隙(cell gap)將可減少,如此可加快液晶響應速度以及抑制邊緣場效應(fringing field effect)。在一實施例中,面板20的液晶分子之間的液晶間隙(cell gap)可介於1.48至2.10微米之間(1.48μm≦cell gap≦2.10μm),但不限於此。由於液晶間隙可減少,面板20的液晶盒間隙與像素單位間距比(cell gap to pitch,d/p)亦可減少,因此液晶的空間形變現象亦可被降低。
此外,由於超高優質因子的液晶材料亦具備使液晶的相位線性度更接近理想值的特性,本揭露的空間光調製器1亦可維持良好的相位線性度。
接著將針對面板快速驅動設計的部分進行說明。
首先說明面板快速驅動設計的實現方式。在一實施例中,面板快速驅動設計的內容可由一驅動程序34來實現,其中驅動程序34可例如是一軟體、一韌體或軟硬體介面所能讀取的參數設定檔案文件。驅動程序34可儲存於面板驅動器30的記憶體33之中,而當驅動程序34被執行時,驅動邏輯電路32即可依照面板快速驅動設計的內容來驅動面板20。在一實施例中,驅動程序34可包含複數個指令,使驅動邏輯電路32可依照該等指令來驅動面板20。在一實施例中,驅動程序34可包含多個子程式。此外,當驅動程序34為軟體或韌體時,其可由各種程式語言編寫而成,且其程式碼如何撰寫並無限制;換言之,只要能實現面板快速驅動設計之軟體或韌體即屬於本揭露保護的範圍。在另一實施例中,面板驅動器30的記憶體33具備可更改的參數設定文件,以讓驅動程序34中的部分參數被修改。本揭露不限於此。
接著將說明面板快速驅動設計的內容。圖3是本揭露一實施例的面板快速驅動設計的主要步驟流程圖,並請同時參考圖1及圖2。
如圖3所示,驅動程序34包含步驟S11:使面板20執行一第一驅動條件,其中一第一驅動條件是使面板20的輸入畫面更新率(Input Frame Rate)符合下列算式:Input Frame Rate=[Tclks]×Repeat,其中Input Frame Rate定義為該輸入畫面更新率,其可對應同一畫面的一實際顯示期間;Tclks定義為單一畫面的一定址頻率(addressing frequency)或定址時間(addressing time),其可對應該單一畫面的一驅動期間;Repeat定義為該單一畫面於該畫面實際顯示期間內的重複驅動次數。
藉由第一驅動條件,在畫面實際顯示期間內,面板20將重複顯示相同的單一畫面,亦即該單一畫面的驅動電壓重複被施加,因此畫面的亮度將可維持一定的穩定度,進而能減少驅動電壓隨著時間下降所造成的閃爍(fliker)問題,使得相位光穩定性被維持住。
此外,為使第一驅動條件能順利執行,驅動程序34亦包含步驟S12:使面板20執行一第二驅動條件,其中第二驅動條件是使面板20的定址時間符合下列算式:
其中參數mclksperrow定義為分配給該像素陣列210的每一列的資料寫入的一記憶體時鐘數目(memory clocks),參數mclkfreq定義為一記憶體時鐘頻率(memory clocks frequency),參數swp定義為該像素陣列210的所有列的一分割數量(例如像素陣列210的所有列將被分割為幾個部分),參數twgt定義為一資料輸入權重值,以對應一影像資料輸入至該像素陣列時的分配情形。此外,可視為像素陣列210中的一列像素所對應的記憶體的讀取單位時間;×swp可視為一個螢幕(screen)所對應的記憶體的讀取單位時間,例如一畫面範圍(即整個像素陣列210)在接收影像資料前的記憶體的讀取單位時間;×swp×twgt可視為一畫面範圍的驅動時間(包含了接收影像資料的過程),其中參數twgt是一數位定址序列,其可呈現像素陣列210被分割的各部分所各自取得的部分影像資料。
在一實施例中,像素陣列210的該等像素列可被均等分割,但亦可根據一預設值而依照特定比例分割。在一實施例中,參數twgt的內容或該等像素列如何被分割的內容可透過一序列位元平面驅動語法“最低有效位、二進位計
算位元(LSB(least significant bit、binary counted bit))-相似溫度(STH(similar thermometer))-溫度表、線性計算(THM(thermos meter、linear counting))-寫入黑色(WTB(write to black))”來設計,但不限於此。關於序列位元平面驅動語法的細節,可參考文獻“R.Lo,E.L.Hudson,M.Stover,S.-Y.Hong,and D.C.McDonald,“System and method for pulse-width modulating a phase-only spatial light modulator,”U.S.patent,9918053(以下簡稱文獻一)”,在此不再詳述。
需注意的是,前述步驟S11及S12的執行順序僅是舉例,實際上步驟S11及S12的執行順序可變更或同時執行。
接著將針對驅動程序34的實際執行過程進行說明。圖4是本揭露一實施例的驅動程序34的執行步驟細節的流程圖,並請同時參考圖1至圖3。驅動程序34的實際執行步驟包含步驟S21至S25。步驟S21為:設定面板20的輸入畫面更新率。步驟S22為:設定面板20的定址時間。步驟S23為:根據預設的序列位元平面驅動語法設定資料輸入權重值(twgt)。步驟S24為:透過一查找表(look-up-table,LUT)調整面板20的相位線性度。步驟S15為:透過前述步驟S21至S24所設定好的參數來驅動面板20。上述步驟的順序僅是舉例,實際上只要合理可實現,步驟的順序可調換或可同時進行。
在一實施例中,步驟S21是用於設定輸入畫面更新率的數值,其中輸入畫面更新率是預設為60赫茲(Hz),但並非限定。在一實施例中,輸入畫面更新率可依照使用者的需求進行調整,例如可調整儲存於記憶體33的參數設定檔案文件中關於輸入畫面更新率的設定參數,且不限於此。在一實施例中,本揭露可透過調整面板驅動器30與面板20的訊號介面之間的一像素時鐘頻率
(pixel-clock frequency)來控制須驅動的像素單元211的數目以及輸入畫面更新率,但並非限定。
關於步驟S22,在一實施例中,定址時間是依照第二驅動條件來設定,其中第二驅動條件可視為面板20的定址頻率,同時此條件也是面板20的光波動頻率(optical fluctuation frequency)。在一實施例中,面板20的記憶體寫入時間(亦即參數)需設定為小於面板20的一畫面更新時間(,其中參數iclksperrow定義為一像素列進行影像更新的時鐘數目,參數iclkfreq定義為一像素列進行影像更新的頻率),以避免因記憶體寫入資料的時段與畫面更新的時段重疊,而造成面板驅動器30端產生不需要的雜訊。
關於步驟S23,在一實施例中,記憶體33可預存有序列位元平面驅動語法,而驅動邏輯電路32可根據面板20的大小而從序列位元平面驅動語法中找出對應的資料輸入權重值(twgt),但不限於此。在一實施例中,資料輸入權重值(twgt)的大小是與像素陣列210的像素密度呈現正向關係。圖5是本揭露一實施例的不同像素密度的驅動參數(例如第二驅動條件中的參數)的比較圖,並請同時參考圖1至圖4。如圖5所示,當空間光調製器1為2K解析度時,其資料輸入權重值(twgt)可為1083,而當空間光調製器1為4K解析度時,其資料輸入權重值(twgt)可為2164,因此當像素密度越大,其預設的資料輸入權重值(twgt)也會越大。在一實施例中,資料輸入權重值(twgt)至少為1080,以對應像素陣列210的最小像素密度(例如4000PPI)。
關於步驟S24,在一實施例中,透過查找表,可使面板20的灰階值與相位值呈現一線性關係。在一實施例中,面板20的各灰階值的光強度可透過一光電探測器(photodetector)進行量測並被轉換為相位值,而各灰階值所對應
的相位值可進一步與查找表中預設各灰階值的理想值進行比較,並依照差異進行校正,但本揭露不限於此。在一實施例中,各灰階值所對應的相位值與查找表的理想值之差異可藉由平均相位準確度誤差(average phase accuracy error,APAE)和方均根(root-mean-square,RMS)來進行評估。在一實施例中,步驟S24的細節可由文獻“Jhou-Pu Yang,Feng-Ying Wu,Pei-Sin Wang,and Huang-Ming Philip Chen,Characterization of the spatially anamorphic phenomenon and temporal fluctuations in high-speed,ultra-high pixels-per-inch liquid crystal on silicon phase modulator(以下簡稱文獻二)”第2.3節的內容來實現,但不限於此。
當步驟S21至S24執行後,面板快速驅動設計的各種參數可被設定完成,驅動邏輯電路32可執行步驟S25,依照面板快速驅動設計來驅動面板20。
據此,在一實施例中,藉由採用高優質因子的液晶材料做為液晶層24以及使用面板快速驅動設計來驅動面板20,本揭露的空間光調製器1可同時達成「快速的液晶響應速度」、「全相位電壓」、「超高像素密度面板」、「高相位穩定度」、「高相位線性度」、「高相位準確度」及「可適用邏輯驅動及數位驅動」等功效。需注意的是,本揭露所保護的產品並不限於必須同時具備上述功效。
關於「快速的液晶響應速度」之功效,其達成條件之一在於使用高優質因子的液晶材料。藉由高優質因子的液晶材料的特性,液晶分子可在液晶盒間隙較小的情況下,即便在較低電壓(~2V)的條件,依然提供10ms以下的液晶全相位響應速度。相較之下,一般市面上小於10ms的液晶反應時間的空間光調製器都需要透過較大的電壓(>5V)來驅動。本揭露不限於此。
關於「全相位電壓」之功效,其達成條件之一在於當使用面板快速驅動設計時,用於驅動面板20的驅動電壓必須符合特定條件。在一實施例中,驅動電壓包含一高電位幀(Vw)及一低電位幀(Vb),其中高電位幀(Vw)介於2至8V之間(2V≦Vw≦8V),低電位幀(Vb)介於0.1至3V之間(0.1V≦Vb≦3V)。此外,在一實施例中,高電位幀(Vw)與低電位幀(Vb)之間的差異須不大於5V(|Vw-Vb|≦5V),且不小於1V(|Vw-Vb|≧1V)。本揭露不限於此。
關於「超高像素密度面板」之功效,其達成條件之一在於面板快速驅動設計的資料輸入權重值之設定,當像素密度越高時,資料輸入權重值也會隨之提高,因此面板20的定址時間亦隨之調整,進而使得面板20的驅動能符合其像素密度之需求,而所謂的超高像素密度主要是稱≧4000PPI且面板解析度≧1920x1080。本揭露不限於此。
關於「高相位穩定度」之功效,其達成條件之一在於,在面板20顯示一個畫面的實際顯示期間內,需重複顯示同一畫面,以維持該畫面的驅動電壓,亦即面板20的驅動必須符合第一驅動條件,藉此降低畫面的靜態閃爍所造成的相位不穩定的問題。此外,「高相位穩定度」的另二達成條件在於,面板20的定址時間須短於全灰階下最快的液晶響應時間條件(亦即為Tr),以避免以液晶動態切換時干擾面板的一電定址程序,另外記憶體讀取時間也須短於切換畫面的運作時間,以避免電定址程序之訊號重疊之問題。本揭露不限於此。
關於「相位線性度良好」之功效,其達成條件之一在於,使用高優質因子的液晶材料。藉由高優質因子的液晶材料的特性,在其可適應面板20的液晶盒間隙與像素間距比(d/p)減少的情況。對於一般非高優質因子的液晶材料而言,液晶盒間隙與像素間距比(d/p)減少是一艱困條件,因為此條件須要更
大的電壓條件達到全相位調變,此時反應時間變大,另外液晶非線性特性也明顯,也因此一般非高優質因子的液晶材料較難達到高相位線性度。相較之下,本揭露在此條件下依然可以達到高相位線性度,其中相位線性度與d/p的關係可參考文獻二的相關記載。此外,「相位線性度良好」的另一達成條件在於,高優質因子的液晶材料具備高雙折射率(雙折射率),可提供較為線性的電光響應(EO)。「相位線性度良好」的又另一達成條件在於,本揭露的驅動程序34執行了步驟S24,利用查找表來調整相位線性度。本揭露不限於此。
關於「高相位準確度(Phase precision)」,由於相位準確度與面板20的均勻性相關,而本揭露可以透過使用高優質因子的液晶材料達到較薄液晶盒間隙,以達到上述功效。過往其他研究雖試圖發展更薄液晶盒間隙之LCOS-SLM,但這些研究並無法控制面板均勻性以達高相位準確性標準(mSTD<0.04 π),也造成上述功效則無法彰顯出來,。本揭露之所以可以彰顯以上功效,精準量化改良後的LCOS-SLM的數據,是透過本揭露機構之高品質LCOS-SLM對組技術以達到高面板均勻性,因此可排除相位精準度差時造成的數據分析的干擾。本揭露不限於此。
關於「可適用邏輯驅動及數位驅動」之功效,其達成條件之一在於使用了面板快速驅動設計。透過面板快速驅動設計,當面板20由數位方式驅動時,並不會產生現有產品造成相位不穩定的問題,而當面板20由邏輯方式驅動時,亦能夠在諸多艱困條件下,依然保持高相位線性度,因此本揭露可適用邏輯驅動及數位驅動。
因此,本揭露可解決習知技術無法解決的問題。
藉由上述功效,空間光調製器1的面板20可具備許多應用態樣,這些應用態樣可與現有產品產生極大差異,以下以一些例子進行說明。
在一實施例中,空間光調製器1的面板20是設計為透過一液晶響應速度及維持一相位穩定性來進行驅動,其中面板20的液晶響應速度不大於10ms,該相位穩定性對應一平均相位峰對峰值(average peak to peak value,Ave P-P),且該平均相位峰對峰不大於3個百分比(Ave P-P≦3%),現有產品若要達到此相位穩定性標準,則通常需要3倍左右的反應時間。另外,現有產品並無法兼具液晶響應速度低於10ms且高相位穩定性的效果,以HEP公司近年也試圖開發快速反應的LETO-VIS-017為例,雖然其液晶響應速度約為6ms,但其相位穩定性誤差大於20個百分比(Ave P-P>20%)。據此,本實施例的空間光調製器1已克服了現有技術無法克服之問題。
在另一實施例中,空間光調製器1的面板20是設計為透過一全相位操作電壓及維持一相位穩定性來進行驅動,其中該全相位操作電壓包含一高電位幀(Vw)及一低電位幀(Vb),高電位幀(Vw)介於2至8V(2V≦Vw≦8V),低電位幀(Vb)介於0.1至3V(0.1V≦Vb≦3V),本實施例為Vw=2.1,Vb=0.7時,該相位穩定性對應一平均相位峰對峰值(average peak to peak value),且該平均相位峰對峰不大於3個百分比(3%)。在一實施例中,高電位幀(Vw)與低電位幀(Vb)之間的差異不大於5V(|Vw-Vb|≦5V)。在一實施例中,該面板20更設計為透過數位驅動方式來進行驅動,其中高電位幀(Vw)可對數位邏輯狀態1,該低電位幀(Vb)可對應數位邏輯狀態0,但並非限定。由於現有產品並無法兼具在較高的電位幀(Vw)>2.0V條件下之全相位操作電壓及高相位穩定性的效果,據此,本實施例的空間光調製器1已克服了現有技術無法克服之問題。
在又另一實施例中,該面板20更設計為透過一液晶響應速度、維持一相位線性度以及維持一相位準確度來驅動該面板,其中該液晶響應速度不大於10ms,該相位線性度對應一平均相位準確度誤差值,且該平均相位準確度誤差值不大於1.5個百分比(1.5%),該相位準確度對應一平均標準差值(mean standard deviation,mSTD),該平均標準差值不大於0.04π(mSTD≦0.04π)。現有產品並無法兼具維持高相位線性度、高相位準確度及快速的液晶響應速度的效果,以HMP(Hamamatsu Photonic)公司的現有產品(例如SVGA系列或SXGA系列)來舉例,其雖能維持相位線性度及相位準確度,但其液晶響應速度已大於30ms;又以MLO(Meadowlark Optics)公司的現有產品(例如HSP1920系列)來舉例,其雖能提高液晶響應速度及達到高相位穩定性,但其相位線性度對應的平均相位準確度誤差值約為10~15%,而相位準確度對應的平均標準差值為λ/20,並不符合需求。據此,本實施例的空間光調製器1已克服了現有技術無法克服之問題。
為了進一步驗證本揭露的效果,以下以一實驗結果做為驗證範例。圖6是本揭露一實施例的空間光調製器1與比較例的實驗測試比較圖,並請同時參考圖1至圖5。在圖6中,本實施例的空間光調製器1是一實驗機,以「NCTU TKS」來代稱,而比較例分別是JDC(Jasper Display Corporation)公司的2KSRK系列產品及HEP(Holoeye Photonics)公司的LETO系列產品,各自以「JDC 2KSRK」及「HEP LETO」來代稱。此外,實驗參數設定如下:「NCTU TKS」的液晶材料的雙折射率(△n)設定約為0.386,其介電異方向性(△)設定約為15.6,其液晶盒間隙與像素間距比(d/p)設定約為0.28,其驅動電壓的高電位幀(Vw)設定約為2.1V且低電位幀(Vb)設定約為0.7V;「JDC 2KSRK」的液晶材料的雙折射率(△n)約為0.202,其介電異方相性(△)約為10.1,其液晶間隙與旋距比(d/p)約為0.59,其驅
動電壓的高電位幀(Vw)約為4.43V且低電位幀(Vb)約為0.84V;「HEP LETO」的液晶材料的雙折射率(△n)約為0.217,其介電異方相性(△)約為40.0,其液晶間隙與旋距比(d/p)約為0.38,其驅動電壓的高電位幀(Vw)約為1.55V且低電位幀(Vb)約為0.45V。關於實驗環境的其它細節可參考文獻二的記載,但須知文獻二僅是參考並非本揭露的限制。
如圖6所示,在相位線性度方面,「JDC 2KSRK」的平均相位準確度誤差值值約為0.03π,「HEP LETO」的平均相位準確度誤差值值約為0.04π,「NCTU TKS」的平均相位準確度誤差值值約為0.01π,本揭露產品的相位線性度明顯較好。在相位準確度方面,「JDC 2KSRK」的平均標準差值約為0.03π,「HEP LETO」的平均標準差值約為0.04π,「NCTU TKS」的平均標準差值約為0.04π,三者差異不大。在液晶響應時間方面,「JDC 2KSRK」的液晶響應速度約為26.44ms,「HEP LETO」的液晶響應速度約為25.88ms,「NCTU TKS」的液晶響應速度約為7.11ms,本揭露產品的液晶響應速度大幅優於其它二者。在相位穩定性方面,「JDC 2KSRK」的平均相位峰對峰值約為5%,「HEP LETO」的平均相位峰對峰值約為3.3%,「NCTU TKS」的平均相位峰對峰值約為2.6%,本揭露產品具備較佳的相位穩定性。據此,本揭露產品可在兼具相位穩定性、相位準確度及相位線性度的情況下,仍具備高速的液晶響應速度,達成現有產品皆無法達成之功效。
在一實施例中,本揭露的空間光調製器1可應用於例如色序式顯示、全像顯示、VR顯示或AR顯示器與投影設備等顯示科技產業之產品,又例如無光罩光全像光微影蝕刻系統或深度光3D列印系統等光微影產業之產品,又例如SLM增益顯微鏡、望遠鏡等成像系統、生醫光鑷(光銲)系統或3D繞射光陣列
(Tx)與3D光場影像增益(Rx)等光學感測暨影像處理與檢測產業之產品,又例如繞射光增益WSS ROADM網路系統等光通訊產業之產品上,又例如繞射光深度神經網絡(全光運算)執行深度學習運算等光運算產業之產品上,且不限於此。
藉此,本揭露提供一種改良的空間光調製器,透過材料本身的改良及搭配特殊的驅動方法,本揭露產品能解決習知技術無法解決的問題。
上述實施例僅係為了方便說明而舉例而已,本揭露所主張之權利範圍自應以申請專利範圍所述為準,而非僅限於上述實施例。
1:空間光調製器
20:面板
21:背板
210:像素陣列
211:像素單元
30:面板驅動器
32:驅動邏輯電路
33:記憶體
34:驅動程序
Claims (9)
- 一種空間光調製器,包含:一面板,包含:一背板,包含一像素陣列,其中該像素陣列的一像素密度為至少4000英吋像素(pixels per inch,PPI)的像素密度;以及一液晶層,包含一液晶材料,其中該液晶材料具備一第一優質因子值(Figure of Merit-1,FoM-1);以及一面板驅動器,電性連接至該面板,以根據一面板快速驅動設計來驅動該面板;其中,該第一優質因子值符合下列條件:
- 如請求項3所述的空間光調製器,其中該資料輸入權重值是設定為與該像素陣列的該像素密度成正向關係。
- 如請求項1所述的空間光調製器,其中該面板更包含一配向層及一玻璃蓋板,其中該配向層設置於該液晶層上,該玻璃蓋板設置於該配向層上,且該驅動邏輯電路包含一現場可程式化邏輯閘陣列(field programmable gate array,FPGA)或特殊應用積體電路(application specific integrated circuit,ASIC),該配向層包含一聚醯亞胺(polyimide,PI)層。
- 如請求項1所述的空間光調製器,其中該面板是設計為透過一液晶響應速度及維持一相位穩定性來進行驅動,其中該液晶響應速度不大於 10ms,該相位穩定性對應一平均相位峰對峰值(average peak to peak value),且該平均相位峰對峰不大於3個百分比(3%)。
- 如請求項1所述的空間光調製器,其中該面板是設計為透過一全相位操作電壓及維持一相位穩定性來進行驅動,其中該全相位操作電壓包含一高電位幀(Vw)及一低電位幀(Vb),該高電位幀介於2至8V,該低電位介於0.1至3V,該相位穩定性對應一平均相位峰對峰值(average peak to peak value),且該平均相位峰對峰不大於3個百分比(3%)。
- 如請求項7所述的空間光調製器,其中該面板更設計為透過一數位驅動方式來驅動該面板,其中該高電位幀對數位邏輯狀態1,該低電位幀對應數位邏輯狀態0。
- 如請求項1所述的空間光調製器,其中該面板更設計為透過一液晶響應速度、維持一相位線性度以及維持一相位準確度來驅動該面板,其中該液晶響應速度不大於10ms,該相位線性度對應一平均相位準確度誤差值(average phase accuracy error,APAE),且該平均相位準確度誤差值不大於1.5個百分比(1.5%),該相位準確度對應一平均標準差值(mean standard deviation,mSTD),該平均標準差值不大於0.04π。
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Jhou-Pu Yang et al., "Characterization of the spatially anamorphic phenomenon and temporal fluctuations in high-speed, ultra-high pixels-per-inch liquid crystal on silicon phase modulator", Optics Express, Vol. 27, No. 22, 28 October 2019, pages 32168-32183. |
Jhou-Pu Yang et al., "Characterization of the spatially anamorphic phenomenon and temporal fluctuations in high-speed, ultra-high pixels-per-inch liquid crystal on silicon phase modulator", Optics Express, Vol. 27, No. 22, 28 October 2019, pages 32168-32183. Jhou-Pu Yang et al., "Sub‐KHz 4000‐PPI LCoS Phase Modulator for Holographic Displays", SID Symposium Digest of Technical Papers, Vol. 49, Issue 1, 30 May 2018, pages 772-775. * |
Jhou-Pu Yang et al., "Sub‐KHz 4000‐PPI LCoS Phase Modulator for Holographic Displays", SID Symposium Digest of Technical Papers, Vol. 49, Issue 1, 30 May 2018, pages 772-775. |
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