TWI725546B - 液晶元件以及使用其用於投射結構光的投影裝置 - Google Patents

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Abstract

液晶元件包含基板、繞射光學元件層以及液晶材 料。繞射光學元件層具有一不平整表面。液晶材料位於基板與繞射光學元件層的不平整表面之間。液晶材料設置相鄰於繞射光學元件層的不平整表面。

Description

液晶元件以及使用其用於投射結構光 的投影裝置
本揭露是關於液晶元件以及使用其用於投射結構光的投影裝置。
液晶具有因高光學各向異性而生的高度光電調制效果、低電壓電調控可行性以及在各種基材上設計的彈性，而廣泛地使用於光學裝置中。舉例而言，液晶裝置藉由改變光的相位或偏振態，在許多光學系統中扮演重要的角色，例如三維顯示器、光學資料儲存以及光學通訊系統。液晶裝置可以作為光學繞射元件，其能以各個角度繞射光線，進而產生光的繞射圖案。
本揭露之部份實施方式提供一種液晶元件，包含基板、繞射光學元件層以及液晶材料。繞射光學元件層具有一不平整表面。液晶材料位於基板以及繞射光學元件層的不平整表面之間，其中液晶材料設置相鄰於繞射光學元件層 的不平整表面。
於部分實施方式中，液晶元件更包含配向層，位於液晶材料與基板之間。
於部分實施方式中，液晶元件更包含配向層，位於該液晶材料與該繞射光學元件層之間。
於部分實施方式中，液晶材料在液晶元件的一第一操作狀態下具有第一等效折射率，且第一等效折射率與繞射光學元件層的折射率的差值小於0.1。
於部分實施方式中，液晶材料在液晶元件的第二操作狀態下具有第二等效折射率，且第二等效折射率與繞射光學元件層的折射率的差值大於0.3。
於部分實施方式中，液晶材料在液晶元件的第二操作狀態下具有第二等效折射率，且第二等效折射率與該繞射光學元件層的折射率之間具有第一差值，繞射光學元件層的該折射率與空氣的折射率之間具有第二差值，第一差值與第二差值之間的差值小於0.1。
於部分實施方式中，繞射光學元件層具有二維不規則圖案。
於部分實施方式中，液晶元件更包含聚合物，其中液晶材料是分散於聚合物中。
於部分實施方式中，液晶元件更包含一聚合物網絡，用以穩定該液晶材料，以形成聚合物穩定膽固醇型膽固醇液晶(polymer stabilized cholesteric texture；PSCT)。
於部分實施方式中，液晶元件更包含電極層，位於液晶材料以及基板之間。
於部分實施方式中，液晶元件更包含對應基板以及電極層。繞射光學元件層位於基板以及對應基板之間。電極層位於繞射光學元件層以及對應基板之間。
本揭露之部份實施方式提供一種使用液晶元件用於投射結構光的投影裝置，包含光源、第一液晶元件以及第二液晶元件。光源用以提供目標區域光線。第一液晶元件包含第一繞射光學元件層以及第一液晶材料，其中第一繞射光學元件層具有第一不平整表面，第一液晶材料設置相鄰於第一繞射光學元件層的第一不平整表面。第二液晶元件包含第二繞射光學元件層以及第二液晶材料，其中第二繞射光學元件層具有第二不平整表面，第二液晶材料設置相鄰於第二繞射光學元件層的第二不平整表面。第一液晶元件用以接收來自光源的光線並將光線傳送至第二液晶元件，第二液晶元件用以接收來自第一液晶元件的光線並將光線傳送至目標區域，且第一不平整表面的圖案不同於該第二不平整表面的圖案。
於部分實施方式中，第一液晶元件於第一液晶材料中不包含聚合物，且第二液晶元件於第二液晶材料中不包含聚合物。
於部分實施方式中，第一與第二液晶元件之至少一者更包含聚合物，位於第一與第二液晶元件之所述一者的第一與第二液晶材料之一者中。
於部分實施方式中，第一與第二液晶元件之另一者不包含一聚合物。
於部分實施方式中，第一與第二液晶材料之所述一者摻雜有旋性添加物。
於部分實施方式中，第一繞射光學元件層的第一不平整表面相對於光源設置。
於部分實施方式中，第二繞射光學元件層的第二不平整表面相對於光源設置。
基於以上描述，投影裝置的優點之一是其提供至少兩個不同的繞射圖案，例如沿著相同的軸，進而改善三維映射的應用。另一個優點是投影裝置可以在穿透與繞射操作階段切換或在漫射與繞射操作階段切換，而能提供使用者適當的光線分布。
應了解到，前面的概略描述以及以下的詳細描述僅為示例，用以解讀申請專利範圍。
100‧‧‧液晶元件
110‧‧‧基板
120‧‧‧基板
130‧‧‧繞射光學元件層
130S‧‧‧不平整表面
132‧‧‧突出部分
134‧‧‧凹陷部分
140‧‧‧液晶材料
140M‧‧‧液晶分子
150‧‧‧聚合物
150’‧‧‧聚合物網絡
170‧‧‧控制器
172‧‧‧導線
332‧‧‧突出部分
334‧‧‧凹陷部分
340‧‧‧液晶材料
350‧‧‧聚合物
350’‧‧‧聚合物網絡
900‧‧‧系統
910‧‧‧影像擷取元件
920‧‧‧影像處理器
930‧‧‧顯示器
RI‧‧‧單元
A1~A3‧‧‧配向層
RD1、RD2‧‧‧摩擦方向
CL1~CL4‧‧‧導電層
200‧‧‧投影裝置
210‧‧‧光源
300‧‧‧液晶元件
310‧‧‧基板
320‧‧‧基板
330‧‧‧繞射光學元件層
330S‧‧‧不平整表面
R1、R2‧‧‧區域
TR‧‧‧目標區域
SL、SL’‧‧‧光線
T1、T2‧‧‧瓦單元
P1、P2‧‧‧繞射圖案
SP‧‧‧光點
E1~E6‧‧‧電極
圖1A與1B是根據本揭露之部分實施方式之液晶元件的剖面示意圖；圖1C是根據本揭露之部分實施方式之繞射光學元件層之平面示意圖；圖2是根據本揭露之部分實施方式之液晶元件的剖面示意圖； 圖3是根據本揭露之部分實施方式之液晶元件的剖面示意圖；圖4是根據本揭露之部分實施方式之液晶元件的剖面示意圖；圖5是根據本揭露之部分實施方式之液晶元件的剖面示意圖；圖6A是根據本揭露之部分實施方式之用以投射結構光的裝置的示意圖；圖6B是根據本揭露之部分實施方式之繞射光學元件層之平面示意圖；圖6C與圖6D描繪根據本揭露之部分實施方式之結構光的繞射圖案；圖7是根據本揭露之部分實施方式之用以投射結構光的裝置的示意圖；圖8是根據本揭露之部分實施方式之用以投射結構光的裝置的示意圖；圖9A至圖9C描繪根據多個實施例之圖案化透明導電層的上視圖；以及圖10是根據本揭露之一實施方式之用於光學三維映射的系統之立體說明示意圖。
以下將以圖式揭露本發明之多個實施方式，為明確說明起見，許多實務上的細節將在以下敘述中一併說 明。圖式與敘述中的相同標號用以表示相同或相似的部分。
繞射光學元件(Diffractive optical elements；DOEs)可以繞射圖案光而形成具有複數個重複圖案的投射光線，其中每個圖案投射至一表面的個別區域，以至少部分地覆蓋該表面，這些區域可以舖設(tile)於該表面。藉由投射該圖案至物體上，來達到三維映射(three-dimensional(3D)mapping)的目的。於本專利申請以及申請專利範圍中，用語「三維深度資訊(3D map)」(或相當於「景深深度資訊(depth map)」)是指以三維座標組表示物體的表面。於此，根據影像資料來建立三維深度資訊則稱為「三維映射」(或者為「三維重建」)。
圖1A是根據本揭露之部分實施方式之液晶元件100的剖面示意圖。液晶元件100包含基板110與120、繞射光學元件層130以及液晶材料140。基板110與120相對設置。繞射光學元件層130以及液晶材料140設置於基板110與120之間。繞射光學元件層130具有不平整表面130S，朝向液晶材料140。液晶材料140位於基板120以及不平整表面130S之間，且設置相鄰於不平整表面130S。
繞射光學元件層130由光學等向性材料所組成，例如聚甲基丙烯酸甲酯(Poly(methyl methacrylate)；PMMA)、聚碳酸酯(polycarbonate)或類似物質。換句話說，繞射光學元件層130的折射率在所有方向實質相同。
繞射光學元件層130可具有多個突出部分132 以及多個凹陷部分134。突出部分132的頂表面在高於凹陷部分134的頂表面的位置，此造成繞射光學元件層130的不平整表面130S。當光線從基板110入射到基板120時，繞射光學元件層130對入射光提供了光程差。舉例而言，當繞射光學元件層130的表面130S外露於空氣時，在突出部分132以及凹陷部分134的位置的光程差是(nDOE-nair)×d，其中nDOE是繞射光學元件層130的折射率，nair是空氣的折射率，且d是突出部分132以及凹陷部分134之間的厚度差異。
此厚度差異d被設計能使繞射光學元件層130可對入射光提供適當的光程差，進而實現繞射效果。舉例而言，藉由調整厚度差異d，可以設計光程差(nDOE-nair)×d為大約((K-1)* λ/2+m λ)，其中m是整數，λ是入射光波長，K是繞射光學元件層的階層數。舉例而言，此案例中是採用二階繞射光學元件層，因此K為2。
於本實施方式中，突出部分132可分別具有相同的均勻厚度，且凹陷部分134可分別具有相同的均勻厚度，進而分別提供均勻的光程。舉例而言，突出部分132以及凹陷部分134的上表面實質平坦。然而，於其他部分實施方式中，突出部分132以及凹陷部分134的上表面可能因製程誤差而有波動，而使突出部分132的厚度可能局部改變，凹陷部分134的厚度可能局部改變。
圖1C是根據本揭露之部分實施方式之繞射光學元件層130之平面示意圖。繞射光學元件層130具有二維圖案，包含暗區與亮區。暗區表示突出部分132的位置。亮 區表示凹陷部分134的位置。繞射光學元件層130可包含多個重複的單元RI，單元RI包含突出部分132以及凹陷部分134。暗區與亮區的分布可以根據理想的投射光線圖案而計算與設計，例如藉由進行遞迴傅立葉演算法(iterative Fourier transform algorithm；IFTA)。每個單元RI的突出部分132以及凹陷部分134可以根據理想的扇出角度(fan-out angle)不規則設置，而使繞射光學元件層130可以在遠場以適當扇出角度重複入射光圖案，此可用於三維映射應用。於部分其他實施方式中，繞射光學元件層130可以適當二維圖案設計，而使進入的光線有理想圖案，例如無相關圖案(uncorrelated pattern)，其可用於三維映射應用。此每個單元RI中突出部分132以及凹陷部分134的不規則設置意為每個單元RI內基本上沒有任何互相對稱的區域。
參照圖1A，液晶材料140包含多個液晶分子140M。液晶材料140可以是向列型液晶材料、膽固醇型液晶材料或其他適當的非等向性材料。於部分實施方式中，液晶分子140M可以在沒有電場的狀況下根據鄰近的表面條件而定向其長軸，且可以透過電場而轉向。液晶材料140可以是負型液晶材料或正型液晶材料。負型液晶材料具有負型介電各向異性，而正型液晶材料具有正型介電各向異性。在負型液晶材料中的液晶分子140M對齊於垂直於施加電場(即負型液晶分子140M的長軸轉向於垂直於施加電場)。在正型液晶材料中的液晶分子140M對齊於施加電場(即正型液晶分子140M的長軸換轉向於施加電場)。於部分其他實施 方式中，液晶材料140可包含聚合物，以穩定液晶材料140的分佈。
於部分實施方式中，液晶元件100可更包含配向層A1，位於液晶材料140朝向基板120的一側。配向層A1對於液晶分子140M的指向具有適當的影響。舉例而言，配向層A1可被摩擦而對液晶分子140M的指向提供平行配向，其中如圖所示，摩擦方向RD1的指向可以指入紙面。於本實施方式中，配向層A1可由聚醯亞胺(polyimide)或類似物組成，其可對液晶分子的指向提供平行配向。於部分實施方式中，繞射光學元件層130的表面130S可對於液晶分子140M的指向具有適當的影響(例如圖1A所示的垂直配向)。本實施方式中，藉由配向層A1設置以及繞射光學元件層130的材料的設置，液晶分子140M以混合配向的方式設置。
於部分其他實施方式中，液晶分子140M可以平行配向、垂直配向、散佈於聚合物中或其他配置方式設置。於部分其他實施方式中，繞射光學元件層130的表面130S可以經過離子束、電漿或其他適當方式處理，而使繞射光學元件層130的表面130S可對於液晶分子140M的指向提供適當的配向(例如水平配向或者水直與垂直配向)。於部分其他實施方式中，可在液晶材料140朝向基板110的一側設置另一配向層，此另一配向層對於液晶分子140M的指向提供適當的配向(例如垂直配向或水平配向)。
參考圖1A，液晶元件100可更包含導電層CL1 以及CL2。導電層CL1是設置於繞射光學元件層130以及基板110之間。導電層CL2是設置於液晶材料140以及基板120之間。導電層CL1以及CL2可由適當透明導電材料組成，例如氧化銦錫(indium tin oxide；ITO)。控制器170可連接導電層CL1以及CL2，以提供適當電場(例如水平或垂直電場)來以調制液晶材料140。舉例而言，於此，導電層CL1以及CL2可施加兩種不同的電壓，進而產生穿過此混合配向液晶材料140的垂直電場。於另一實施例，導電層CL1以及CL2經圖案化成為多個電極，導電層CL1以及CL2之一的多個電極可以施加兩種不同的電壓，進而產生水平電場。於產生水平電場的部分實施方式中，可以省略導電層CL1以及CL2之一。
液晶分子140M可以根據穿過液晶材料140的電場轉向。如圖1B所示，液晶分子140M(其在圖1A中以混合配向設置)隨著垂直電場，轉向為垂直方向。液晶材料140根據不同的電場，可具有不同的等效折射率。舉例而言，液晶元件100具有一繞射操作狀態以及一穿透操作狀態，其在繞射操作狀態時液晶材料140具有等效折射率n1，在穿透操作狀態時液晶材料140具有等效折射率n2。
在繞射操作狀態時，如同圖1B，施加不同的電壓至導電層CL1/CL2上，以產生穿過液晶材料140的電場。液晶材料140在電場下的等效折射率n1與繞射光學元件層130的折射率nDOE的差值大於0.3。此折射率差值(n1-nDOE)造成液晶元件100的不同位置(例如區域R1與R2)的光程 差，進而實現繞射效應。於部分實施方式中，區域R1與R2之間的光程差(n1-nDOE)×d可設計為類似於當繞射光學元件層130的不平整表面130S外露於空氣時繞射光學元件層130的光程差(nDOE-nair)×d。舉例而言，值(n1-nDOE)與值(nDOE-nair)的差值被設計為小於0.1。於部分實施方式中，光程差(n1-nDOE)×d可設計為大約(λ/2+p λ)，其中p為整數。此光程差(n1-nDOE)×d更可擴寫為((K-1)×λ/2+p λ)，其中K為繞射光學元件層130的階層數。此案例中是採用二階繞射光學元件層，因此K為2。藉由此設計，可以降低或消除零階繞射光斑，且液晶元件100可以以適當扇出角度繞射入射光或提供入射光清晰的繞射圖案。
在穿透操作階段，如圖1A所示，關閉電場(例如使導電層CL1與CL2浮接或施加相同電壓)，沒有或幾乎沒有電場穿過液晶材料140。液晶材料140的等效折射率n2與該繞射光學元件層130的折射率nDOE的差值小於0.1。液晶元件100的不同區域(例如區域R1與R2)之間的光程差(n1-nDOE)×d可設計為大約0或q λ，其中q為整數。藉由此設計，經過液晶元件100的光線可以維持原樣而不被繞射。換句話說，液晶元件100對於入射光而言是透明的。
於此，液晶元件100例示為通常穿透的(normally transmissive)，但不應以此限制本揭露的範圍。於部分其他實施方式中，液晶元件100例示為通常繞射的(normally diffractive)。換句話說，於部分其他實施方式中，於關閉電場(例如使導電層CL1與CL2浮接或施加相 同電壓)時，液晶元件100處於繞射操作狀態；且在施加不同的適當電壓至導電層CL1/CL2上時，液晶元件100處於穿透操作狀態。
圖2是根據本揭露之部分實施方式之液晶元件100的剖面示意圖。本實施方式與圖1A的實施方式相似，本實施方式與圖1A的實施方式的差別至少在於：液晶元件100更包含配向層A2，設置於液晶材料140朝向基板110的一側。於本實施方式中，配向層A1與A2將液晶分子140M平行配向。配向層A1與A2經由摩擦而對液晶分子的指向提供平行配向，其中配向層A1的摩擦方向RD1的指向以及配向層A2的摩擦方向RD2的指向可朝向相反方向。於本實施方式中，配向層A1與A2可由聚醯亞胺(polyimide)或類似物組成，其可對液晶分子的指向提供平行配向。本實施方式的其他細節大致如前所述，在此不再贅言。
圖3是根據本揭露之部分實施方式之液晶元件100的剖面示意圖。本實施方式與圖1A的實施方式相似，本實施方式與圖1A的實施方式的差別至少在於：配向層A1可對液晶分子的指向提供垂直配向。於本實施方式中，配向層A1以及表面130S將液晶分子140M垂直配向。於本實施方式中，配向層A1可由二氧化矽(SiO2)或類似物組成，其可對液晶分子的指向提供垂直配向。本實施方式的其他細節大致如前所述，在此不再贅言。
圖4是根據本揭露之部分實施方式之液晶元件100的剖面示意圖。本實施方式與圖1A的實施方式相似，本 實施方式與圖1A的實施方式的差別至少在於：液晶元件100更包含聚合物150。舉例而言，液晶材料140的向列型液晶分子140M分散於聚合物150中，而可稱為聚合物分散液晶(polymer dispersed liquid crystal；PDLC)。於本實施方式中，由於表面條件對於聚合物分散液晶的影響很小，可以省略配向層(例如圖1A的層體A1)。
於本實施方式中，液晶材料140根據不同的電場，可具有不同的等效折射率，如此一來，液晶元件100根據穿過液晶材料140的不同電場而具有一繞射操作狀態以及一漫射操作狀態。為詳細說明，在繞射操作狀態時液晶材料140與聚合物150具有等效折射率n1’，在漫射操作狀態時液晶材料140與聚合物150具有等效折射率n2’。
在繞射操作狀態時，施加不同的電壓至導電層CL1/CL2上，以產生穿過液晶材料140的電場。液晶元件100在不同位置(例如區域R1與R2)具有光程差。舉例而言，液晶元件100可以在不同位置(例如區域R1與R2)，提供光程差((K-1)×λ/2+p λ)，其中K為繞射光學元件層130的階層數。此案例中是採用二階繞射光學元件層，因此K為2。液晶材料140與聚合物150在電場下的等效折射率n1以及繞射光學元件層130的折射率nDOE的差值大於0.3。此折射率差值(n1’-nDOE)造成液晶元件100的不同位置(例如區域R1與R2)的光程差，進而實現繞射效應。於部分實施方式中，為了降低或消除零階繞射光斑，區域R1與R2之間的光程差(n1’-nDOE)×d可設計為繞射光學元件層130自身的 光程差(nDOE-nair)×d。舉例而言，數值(n1’-nDOE)以及數值(nDOE-nair)的差值小於0.1。於部分實施方式中，光程差(n1’-nDOE)×d可以設計為((K-1)×λ/2+p λ)，其中p為整數，K為繞射光學元件層130的階層數。此案例中是採用二階繞射光學元件層，因此K為2。在此實施方式中，繞射光學元件層130被設計具有適當的圖案，以達到破壞性干涉，進而降低或減少零階繞射。舉例而言，繞射光學元件層130包含重複的等寬的0與p相位階層，其中此二相位階層的場貢獻為同向以及180度反相，因此造成破壞性干涉。藉由此設計，降低或減少零階繞射光班，且液晶元件100可以以適當扇出角度繞射入射光或提供入射光清晰的繞射圖案。
於部分實施方式中，依據材料選擇，聚合物150的折射率可以在大約1.3至大約2.5的範圍內，且液晶材料140的等效折射率可以在大約1.3至大約2.5的範圍內。於部分實施方式中，為了降低散射效果，聚合物150的折射率以及液晶材料140在繞射操作階段的等效折射率被設計為小於0.1。舉例而言，聚合物150的折射率為大約1.5，且藉由施加適當電壓於導電層CL1與CL2上，液晶材料140在繞射操作階段的等效折射率為大約1.5。
在漫射操作階段，關閉電場(例如使導電層CL1與CL2浮接或施加相同電壓)，液晶材料140的液晶分子140M隨機分散且為光學等向性的。聚合物150的折射率不匹配於液晶材料140的折射率，而使聚合物150與液晶材料140的邊界散射且漫射入射光，而使光線可以以面光源型式 投射到目標區域。舉例而言，聚合物150的折射率為大約1.5，且液晶材料140的等效折射率為大約1.7。
於此，液晶元件100例示為通常散射/漫射的(normally scattering/diffusing)，但不應以此限制本揭露的範圍。於部分其他實施方式中，液晶元件100例示為通常繞射的(normally diffractive)。換句話說，於部分其他實施方式中，於關閉電場(例如使導電層CL1與CL2浮接或施加相同電壓)時，液晶元件100處於繞射操作狀態；且在施加不同的適當電壓至導電層CL1/CL2上時，液晶元件100處於漫射操作狀態。本實施方式的其他細節大致如前所述，在此不再贅言。
圖5是根據本揭露之部分實施方式之液晶元件100的剖面示意圖。本實施方式與圖4的實施方式相似，本實施方式與圖4的實施方式差別至少在於：液晶材料140(例如向列型液晶分子140M)摻雜有旋性添加物。旋性添加物的自然扭曲方向可以使向列型液晶分子140M轉為扭曲的狀態。於本實施方式中，液晶元件100更包含有聚合物網絡150’，以穩定液晶分子140M，進而形成聚合物穩定膽固醇型液晶(polymer stabilized cholesteric texture；PSCT)。本實施方式可以省略配向層(例如圖1A的層體A1)。本實施方式的其他細節大致如前所述，在此不再贅言。
圖6A是根據本揭露之部分實施方式之用以投射結構光SL’的投影裝置200的示意圖。投影裝置200包含 光源210、液晶元件100以及液晶元件300。光源210用以提供目標區域TR帶有點狀光線圖案的光線SL’。詳細而言，光源210可以包含發射器陣列，其中發射器陣列包含位於單一/單片基板上的多個發射器，以發射光線SL的多個光束。每個發射器可以是一個雷射二極體或由半導體製成製作的固態雷射。發射器發射的光有一些特性，例如偏振、波長範圍、波幅、時間調制、部份其他描述發射光的特徵、光強度或其部分組合。於部分實施方式中，所有發射器具有相同的特性。於其他實施方式中，光源210中各個發射器的一或多個特性可不同於其他發射器。發射器所發出的光線SL的光束的例示波段包含：可見光波段(例如大約380奈米至大約750奈米)、紅外光波段(例如大約750奈米至大約1500奈米)、紫外光波段(例如大約100奈米至大約380奈米)、其他適當的電磁頻譜或其組合。
舉例而言，光源210可以包含垂直共振腔面射型雷射(Vertical Cavity Surface Emitting Laser；VCSEL)陣列，其包含多個VCSEL發射器，以提供多個準直光束。VCSEL發射器以適當分布配置，而使這些準直光束形成點狀光線圖案。於部分其他實施方式中，光源210可以是邊射型雷射(Edge Emitting Laser；EEL)以及一適當的圖案產生器(例如光學繞射元件)，圖案產生器對於邊射型雷射提供的光束提供圖案，因而形成帶點狀光線圖案的光線SL。於部分實施方式中，液晶元件100用以接收來自光源210的光線SL，並將光線SL傳送至液晶元件300，液晶元件 300用以接收來自液晶元件100的光線SL並將光線SL’傳送至目標區域TR。投影裝置200可更包含其他光學元件，例如透鏡、濾光片、偏振片等。
液晶元件300的配置可以類似於前述的液晶元件100。舉例而言，液晶元件300包含繞射光學元件層330以及液晶材料340，其中繞射光學元件層330具有不平整表面330S，液晶材料340設置相鄰於繞射光學元件層330的不平整表面330S。與繞射光學元件層130相似地，繞射光學元件層330由光學等向性材料所組成，例如聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯或類似物質。換句話說，繞射光學元件層330的折射率在所有方向實質相同。繞射光學元件層330的其他細節與繞射光學元件層330相似，在此不再贅述。液晶元件300可更包含基板310與320、配向層A3以及導電層CL3與CL4，分別類似於液晶元件100的基板110與120、配向層A1以及導電層CL1與CL2，而在此不再贅述。
於部分實施方式中，不平整表面130S的圖案不同於不平整表面330S的圖案。舉例而言，於此，繞射光學元件層130的多個突出部分132的間距不同於繞射光學元件層330的多個突出部分332的間距。詳細而言，圖6B是根據本揭露之部分實施方式之繞射光學元件層330之平面示意圖。暗區與亮區分別表示突出部分332與凹陷部分334的位置，且圖6B中暗區與亮區的分布不同於圖1C中暗區與亮區的分布，其中圖1C是繞射光學元件層130之平面示意圖。液晶元件100以及300可在遠場重複光線SL的圖案，且以適當 扇出角度將圖案分散開來，造成投射的結構光線SL’。於部分實施方式中，繞射光學元件層330對於進入光線造成的圖案的扇出角度不同於繞射光學元件層130對於進入光線造成的圖案的扇出角度，進而造成投影裝置200具有不同的視場(field of views；FOVs)。
於此，繞射光學元件層130的不平整表面130S以及繞射光學元件層330的不平整表面330S相對於光源210設置。藉由此配置，光線SL由繞射光學元件層130以及330的平坦表面進入繞射光學元件層130以及330，且從不平整表面130S以及330S離開繞射光學元件層130以及330。然而，不應以此限制本揭露的範圍。於部分其他實施方式中，繞射光學元件層130的不平整表面130S以及繞射光學元件層330的不平整表面330S朝向光源210設置，而使光線SL可以由不平整表面130S以及330S進入繞射光學元件層130以及330，且從繞射光學元件層130以及330的平坦表面離開繞射光學元件層130以及330。於部分其他實施方式中，繞射光學元件層130的不平整表面130S相對於光源210設置，且繞射光學元件層330的不平整表面330S朝向光源210設置。於部分其他實施方式中，繞射光學元件層130的不平整表面130S朝向光源210設置，且繞射光學元件層330的不平整表面330S相對於光源210設置。
圖6C與圖6D描繪根據本揭露之部分實施方式之投影裝置200於第一與第二階段的結構光的繞射圖案。圖6C中，於裝置200的第一階段，液晶元件100是處於繞射操 作階段，且液晶元件300是處於穿透操作階段。同時參照圖6A與6C。具有光線圖案的光線SL經由液晶元件100繞射，然後穿過液晶元件300，而使離開投影裝置200的光線SL’以繞射圖案P1的形式投射至目標區域TR。繞射圖案P1包含多個瓦單元(tile)T1，每個瓦單元T1包含在暗背景上預定的光點SP的分布(為了清楚表示，圖中的光與暗以相反的方式表示)，此每個瓦單元T1預定的光點SP的分布對應於入射的光線圖案。繞射光學元件層130的設計使瓦單元T1能精準地瓦鋪於目標區域TR的平面上。換句話說，瓦單元T1的邊緣互相連接，瓦單元T1之間沒有實質性的空隙或者重疊。
圖6D中，於裝置200的第二階段，液晶元件100是處於穿透操作階段，且液晶元件300是處於繞射操作階段。同時參照圖6A與6D。具有光線圖案的光線SL穿過液晶元件100，然後經由液晶元件300繞射，而使離開投影裝置200的光線SL’以繞射圖案P2的形式投射至目標區域TR。繞射圖案P2包含多個瓦單元(tile)T2，每個瓦單元T2包含在暗背景上預定的光點SP的分布(為了清楚表示，圖中的光與暗以相反的方式表示)，此每個瓦單元T1預定的光點SP的分布對應於入射的光線圖案。類似地，繞射光學元件層330的設計使瓦單元T2能精準地瓦鋪於目標區域TR的平面上。
投影裝置200可提供具有圖6C與6D中的繞射圖案P1與P2的結構光，例如用於三維映射應用，如臉部辨識。舉例而言，當物品較遠離偵測器時，裝置200可以提供圖6C的繞射圖案P1，其有較小的視場(FOV)。相反地，當 物品較接近偵測器時，裝置200可以提供圖6D的繞射圖案P2，其有較大的視場(FOV)。
於本實施方式中，於第一與第二階段，光源210(例如垂直共振腔面射型雷射)提供的光線SL的光線圖案保持不變，而使圖6C與6D的繞射圖案P1與P2的瓦單元T1與T2中的光點SP分佈相同。於其他實施方式中，於第一與第二階段，光源210(例如垂直共振腔面射型雷射)提供的光線SL的光線圖案可以不同，而使圖6C與6D的瓦單元T1與T2中的光點SP分佈不同。舉例而言，垂直共振腔面射型雷射光源210可具有位於不同位置的多個第一次光源以及多個第二次光源，且第一與第二次光源可控制在不同的階段操作，而使垂直共振腔面射型雷射光源210的第一次光源在投影裝置200的第一階段能提供具有第一光線圖案的光線SL，使垂直共振腔面射型雷射光源210的第二次光源在投影裝置200的第二階段能提供具有第二光線圖案的光線SL，其中第二光線圖案不同於第一光線圖案。
於本專利申請中的說明書與申請專利範圍中，具有圖案的區域(無論是平面區域還是空間區域)的「瓦鋪」(tiling)意味著該區域被圖案的多個相鄰實例(「瓦單元」(tiles))覆蓋，在實例之間沒有實質上的重疊或間隙。當圖案由光點組成時，如在所示實施方式中，「實質」意味著相鄰瓦單元之間的間隙和重疊部分不大於圖案中光點的平均尺寸的少數倍數或預定數倍數。此數取決於應用要求，通常在1到5之間。在下文描述的本發明的實施例中，繞射光學 元件的適當設計和製造可以產生具有間隙和/或重疊的瓦鋪，其不大於平均光點尺寸的兩倍，或甚至不大於平均光點尺寸本身。
於部分實施方式中，從光源210產生的入射光SL的光線圖案可以是無相關圖案(uncorrelated pattern)。在本專利申請和權利要求的上下文中，用語「不相關圖案」是指光點的投影圖案(可以是明亮的或暗的)，其位置在橫向(traverse)於投影光束軸的多個平面中是不相關的。在某種意義上來說，位置是不相關的，即在橫向偏移的函數中，對於任何大於光點尺寸且不大於系統映射的深度範圍內可能發生的最大偏移的偏移而言，圖案的自相關是不顯著的。在這個意義上，隨機和偽隨機模式是不相關的。在上述定義所指的範圍內，由人或計算機設計創建的合成圖案(例如準週期圖案)也可以是不相關的。
於更進一步的實施方式中，裝置200可以在第三階段操作，其中液晶元件100與300皆處於繞射操作階段。光線SL經由液晶元件100繞射，然後更經液晶元件300繞射，其後投射至目標區域TR。於部分其他實施方式中，光線SL可以以沒有光線圖案的光束的形式提供，液晶元件100可以作為圖案產生器，以提供光線SL圖案，而液晶元件300可以以適當扇出角度繞射此圖案化光線SL至遠場。
於更進一步的實施方式中，裝置200可以在第四階段操作，其中液晶元件100與300皆處於穿透操作階段。光線SL穿過液晶元件100與300，其後投射至目標區域 TR。
圖7是根據本揭露之部分實施方式之用以投射結構光的裝置200的示意圖。本實施方式與圖6A的實施方式相似，差別在於本實施方式與圖6A的實施方式的差別在於：液晶材料340是分散於聚合物350中。裝置200用以在第一階段產生繞射圖案，且在第二階段產生漫射光。
在裝置200的第一階段，液晶元件100處於穿透狀態，且液晶元件300處於繞射狀態。光線SL穿過液晶元件100，然後經由液晶元件100繞射，其後投射至目標區域TR。
在裝置200的第二階段，液晶元件100處於穿透狀態，且液晶元件300處於漫射狀態。光線SL穿過液晶元件100，然後經由液晶元件300散射與漫射，其後投射至目標區域TR。
於更進一步的實施方式中，裝置200可進行第三操作階段，其中液晶元件100與300皆處於繞射狀態。光線SL經由液晶元件100繞射，然後更經由液晶元件300繞射，其後投射至目標區域TR。於其他實施方式中，光線SL可以以不具有光線圖案的光束形式提供，液晶元件100可以做為圖案產生器，而對光線SL提供圖案，液晶元件300可以適當扇出角度繞射圖案光線SL至遠場。
於更進一步的實施方式中，裝置200可進行第四操作階段，其中液晶元件100處於繞射狀態，而液晶元件300處於漫射狀態。光線SL經由液晶元件100繞射，然後經由液晶元件300散射與漫射，其後投射至目標區域TR。
圖8是根據本揭露之部分實施方式之用以投射結構光的裝置200的示意圖。本實施方式與圖7的實施方式相似，差別在於本實施方式與圖7的實施方式的差別在於：使用聚合物網絡350’，以穩定液晶材料340。液晶材料340是聚合物穩定膽固醇型膽固醇液晶(PSCT)，而非聚合物分散液晶(PDLC)。本實施方式的其他細節大致如前所述，在此不再贅言。
圖9A至圖9C描繪根據多個實施例之圖案化透明導電層CL1/CL2的上視圖。圖案化透明導電層CL1/CL2可包含多個電極E1~E4，如圖9A所示，電極E1~E4可以是條狀的。條狀電極E1~E4可用以控制相位延遲並實現稜鏡或柱狀透鏡。如同圖9A所示，條狀電極E1~E4可以彼此斷開，使得控制器170分別提供電極E1~E4合適的電壓。在部分其他實施方式中，如圖9B所示，條狀電極E1~E4中的至少兩個通過主幹電極E5連接到控制器170，使得控制器170向電極E1~E4提供相同的電壓。
在部分實施例中，如同圖9C所示，圖案化透明導電層CL1/CL2可包含多個電極E6與E7，其為圓形，以提供透鏡效果且實現液晶透鏡。控制器170可經由導線172連接電極E6與E7。於部分實施例中，提供電極E6第一電壓，提供電極E7第二電壓，第二電壓大於第一電壓，如此一來，可以產生一不均勻電場，且液晶材料140的相位差分布可以模仿透鏡的相位差分布。
值得注意的是，圖中所示的圖案化透明導電層 CL1/CL2的圖案或電極的設置不應限制本揭露的範圍；圖案化透明導電層CL1/CL2可以根據實際需求而設計。
在部分實施方式中，控制器170可以是適當的軟體或硬體。舉例而言，控制器170可以是特殊應用積體電路(application-specific integrated circuit；ASIC)、進階精簡指令集機器(advanced RISC machine；ARM)、中央處理器(central processing unit；CPU)、單個積體電路裝置或其他適用於進行計算或執行指令的裝置。這些列舉的裝置不應限制本揭露的範圍。
圖10是根據本揭露之一實施方式之用於光學三維映射的系統900之立體說明示意圖。系統900包含前述的投影裝置200、影像擷取元件910、影像處理器920。前述的投影裝置200產生且投射圖案至一區域內。在一實施例中，此區域包含使用者HU。投影裝置200的詳細設計與操作如前述圖式所示，在此不再贅言。
影像擷取元件910擷取出現在使用者HU上的影像圖案。影像處理器920處理影像擷取元件910產生的影像資料，以建構使用者HU的三維深度資訊。影像處理器920例如採用三角測量法(triangulation)，根據投射到物體的影像圖案相對於系統900已知距離的參考圖案的光點的橫向偏移，來計算使用者身體表面的點的三維座標。
影像處理器920可包含通用計算機處理器，其以軟體編碼指令執行下文描述的功能。舉例而言，可以通過網路以電子形式將軟體下載到處理器920，或者可以在有形 存儲媒體上提供軟體，例如光學、磁性或電子存儲媒體。替代地或另外地，影像處理器的一些或所有功能可以在專用硬體中實現，例如定製或半定製積體電路或可編程數位信號處理器(digital signal processor；DSP)。影像處理器920可以電連接到控制投影裝置200的操作的控制器170(參考圖1A和1B)。
由處理器920生成的三維深度資訊可以用於各種不同的目的。在部分實施方式中，深度資訊可以用於臉部辨識。在部分其他實施方式中，深度資訊可以用於提供基於姿勢為基礎的人機介面，其中藉助於影像擷取元件910檢測到的用戶移動，來控制互動式的計算機應用程序，例如游戲，並且與顯示器930展示的物件互動。或者，系統900可以用於創建其他類型的物件的三維深度資訊，用於實質上需要三維坐標形貌的任何應用。
基於以上討論，可以看出本揭露提供了多個優點。然而，應該理解，其他實施方式可以提供額外的優點，並且並非所有優點都必須在此公開，並且並非所有實施方式都需要特別的優點。這些優點之一是可以由一個投影裝置例如沿著相同的軸提供至少兩個不同的繞射圖案，從而改善三維映射應用。這些優點之另一是投影裝置可以在穿透和繞射操作狀態之間或在漫射和繞射操作狀態之間切換，這可以為用戶提供合適的光線分佈。
於本揭露之部分實施方式中，雖然本揭露已以多種實施方式揭露如上，然其他的實施方式亦可採用。因 此，後附之申請專利範圍之精神和範圍不限於此所含的實施方式的描述。
於本揭露之部分實施方式中，雖然本揭露已以多種實施方式揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本揭露之精神和範圍內，當可作各種之修改與變化，因此本揭露之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。在此，後附之申請專利範圍之範圍涵蓋這些修改與變化。
100‧‧‧液晶元件
110‧‧‧基板
320‧‧‧基板
330‧‧‧繞射光學元件層
120‧‧‧基板
130‧‧‧繞射光學元件層
132‧‧‧突出部分
140‧‧‧液晶材料
200‧‧‧投影裝置
210‧‧‧光源
300‧‧‧液晶元件
310‧‧‧基板
330S‧‧‧不平整表面
332‧‧‧突出部分
334‧‧‧凹陷部分
340‧‧‧液晶材料
A1、A3‧‧‧配向層
CL1~CL4‧‧‧導電層
TR‧‧‧目標區域
SL、SL’‧‧‧光線

Claims (19)

  1. 一種液晶元件，包含：一基板；一繞射光學元件層，具有一不平整表面；一液晶材料，位於該基板以及該繞射光學元件層的該不平整表面之間，其中該液晶材料設置相鄰於該繞射光學元件層的該不平整表面；以及一電極層，位於該繞射光學元件層相對該不平整表面以及該液晶材料的一側。
  2. 如請求項1所述之液晶元件，更包含：一配向層，位於該液晶材料與該基板之間。
  3. 如請求項1所述之液晶元件，更包含：一配向層，位於該液晶材料與該繞射光學元件層之間。
  4. 如請求項1所述之液晶元件，其中該液晶材料在該液晶元件的一第一操作狀態下具有一第一等效折射率，且該第一等效折射率與該繞射光學元件層的一折射率的差值小於0.1。
  5. 如請求項4所述之液晶元件，其中該液晶材料在該液晶元件的一第二操作狀態下具有一第二等效折射率，且該第二等效折射率與該繞射光學元件層的該折射率的差值大於0.3。
  6. 如請求項4所述之液晶元件，其中該液晶材料在該液晶元件的一第二操作狀態下具有一第二等效折射率，且該第二等效折射率與該繞射光學元件層的該折射率之間具有一第一差值，該繞射光學元件層的該折射率與空氣的一折射率之間具有一第二差值，該第一差值與該第二差值之間的一差值小於0.1。
  7. 如請求項1所述之液晶元件，其中該繞射光學元件層具有一二維不規則圖案。
  8. 如請求項1所述之液晶元件，更包含：一聚合物，其中該液晶材料是分散於該聚合物中。
  9. 如請求項1所述之液晶元件，更包含：一聚合物網絡，用以穩定該液晶材料，以形成聚合物穩定膽固醇型液晶(polymer stabilized cholesteric texture；PSCT)。
  10. 如請求項1所述之液晶元件，更包含：一電極層，位於該液晶材料以及該基板之間。
  11. 如請求項1所述之液晶元件，更包含：一對應基板，其中該繞射光學元件層以及該電極層位於該基板以及該對應基板之間。
  12. 一種用於投射結構光的投影裝置，包含：一光源，用以提供一光線至一目標區域；一第一液晶元件，包含一第一繞射光學元件層、一第一液晶材料以及一第一電極層，其中該第一繞射光學元件層具有一第一不平整表面，該第一液晶材料設置相鄰於該第一繞射光學元件層的該第一不平整表面，該第一電極層位於該第一繞射光學元件層相對該第一不平整表面以及該第一液晶材料的一側；以及一第二液晶元件，包含一第二繞射光學元件層、一第二液晶材料以及一第二電極層，其中該第二繞射光學元件層具有一第二不平整表面，該第二液晶材料設置相鄰於該第二繞射光學元件層的該第二不平整表面，該第二電極層位於該第二繞射光學元件層相對該第二不平整表面以及該第二液晶材料的一側，其中該第一液晶元件用以接收來自該光源的該光線並將該光線傳送至該第二液晶元件，該第二液晶元件用以接收來自該第一液晶元件的該光線並將該光線傳送至該目標區域，且該第一不平整表面的一圖案不同於該第二不平整表面的一圖案。
  13. 如請求項12所述之投影裝置，其中該第一液晶元件於該第一液晶材料中不包含一聚合物，且該第二液晶元件於該第二液晶材料中不包含一聚合物。
  14. 如請求項12所述之投影裝置，其中該第 一與第二液晶元件之至少一者更包含一聚合物，位於該第一與第二液晶元件之所述一者的該第一與第二液晶材料之一者中。
  15. 如請求項14所述之投影裝置，其中該第一與第二液晶元件之另一者不包含一聚合物。
  16. 如請求項14所述之投影裝置，其中該第一與第二液晶材料之所述一者摻雜有一旋性添加物。
  17. 如請求項12所述之投影裝置，其中該第一繞射光學元件層的該第一不平整表面相對於該光源設置。
  18. 如請求項12所述之投影裝置，其中該第二繞射光學元件層的該第二不平整表面相對於該光源設置。
  19. 如請求項12所述之投影裝置，其中該光源包含一發射器陣列，用以提供該光線之複數個光束。
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