TWI710655B - 用以減少應力之鈷合金 - Google Patents

用以減少應力之鈷合金 Download PDF

Info

Publication number
TWI710655B
TWI710655B TW106127507A TW106127507A TWI710655B TW I710655 B TWI710655 B TW I710655B TW 106127507 A TW106127507 A TW 106127507A TW 106127507 A TW106127507 A TW 106127507A TW I710655 B TWI710655 B TW I710655B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
cobalt
deposited
composition
substrate
alloy components
Prior art date
Application number
TW106127507A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201809336A (zh
Inventor
陳世輝
布萊恩 C 漢迪克斯
湯瑪斯 Ｈ 包姆
Original Assignee
美商恩特葛瑞斯股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 美商恩特葛瑞斯股份有限公司 filed Critical 美商恩特葛瑞斯股份有限公司
Publication of TW201809336A publication Critical patent/TW201809336A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI710655B publication Critical patent/TWI710655B/zh

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/06—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material
    • C23C16/16—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material from metal carbonyl compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F15/00—Compounds containing elements of Groups 8, 9, 10 or 18 of the Periodic Table
    • C07F15/06—Cobalt compounds
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
    • B32B15/04—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C19/00—Alloys based on nickel or cobalt
    • C22C19/07—Alloys based on nickel or cobalt based on cobalt
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/02—Pretreatment of the material to be coated
    • C23C16/0272—Deposition of sub-layers, e.g. to promote the adhesion of the main coating
    • C23C16/0281—Deposition of sub-layers, e.g. to promote the adhesion of the main coating of metallic sub-layers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/06—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material
    • C23C16/18—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material from metallo-organic compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/56—After-treatment
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2255/00—Coating on the layer surface
    • B32B2255/06—Coating on the layer surface on metal layer
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2255/00—Coating on the layer surface
    • B32B2255/20—Inorganic coating
    • B32B2255/205—Metallic coating
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2457/00—Electrical equipment
    • B32B2457/14—Semiconductor wafers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
    • H01L21/76841—Barrier, adhesion or liner layers
    • H01L21/76871—Layers specifically deposited to enhance or enable the nucleation of further layers, i.e. seed layers
    • H01L21/76876—Layers specifically deposited to enhance or enable the nucleation of further layers, i.e. seed layers for deposition from the gas phase, e.g. CVD
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
    • H01L21/76877—Filling of holes, grooves or trenches, e.g. vias, with conductive material
    • H01L21/76879—Filling of holes, grooves or trenches, e.g. vias, with conductive material by selective deposition of conductive material in the vias, e.g. selective C.V.D. on semiconductor material, plating

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本發明闡述一種經沈積鈷組合物，其包含鈷及一或多種合金組分，該一或多種合金組分與鈷有效組合以與相應元素鈷相比在基板上暴露於可變溫度及/或脫層力條件時增強與該基板之黏著，其中該一或多種合金組分係選自由硼、磷、錫、銻、銦及金組成之群。該經沈積鈷組合物可用於半導體裝置及裝置前體結構、平板顯示器及太陽電池板之金屬化，且在該半導體、平板顯示器或太陽電池板產品之製造中在金屬化基板經歷熱循環及/或化學機械平面化操作時提供高度黏著性金屬化。

Description

用以減少應力之鈷合金
本發明係關於鈷合金/及包括該等鈷合金之產品(例如半導體裝置、太陽電池板及平板顯示器)及其前體結構以及製備及使用該等合金之相關方法。
鈷廣泛用於製造積體電路之觸點、互連件、金屬引線、基板及眾多種成薄組件中之眾多種產品(包含半導體裝置、太陽電池板及平板顯示器)及其前體結構。 儘管鈷在該等應用中展現高度有利之性能特性，但鈷具有如下缺陷：其往往在製造上文所提及之產品及其前體結構時其熱循環及/或化學機械平面化操作期間損失黏著性。
本發明係關於包括鈷合金之鈷組合物，其相對於元素鈷組合物在諸如半導體裝置及裝置前體結構、平板顯示器及太陽電池板等應用中顯示增強之抗脫層性。 在一態樣中，本發明係關於一種氣相沈積之鈷組合物，其包括鈷及一或多種合金組分，該一或多種合金組分與鈷有效組合以與相應元素鈷相比在基板上暴露於可變溫度及/或脫層力條件時增強與該基板之黏著，其中該一或多種合金組分係選自由硼、磷、錫、銻、銦及金組成之群。 在另一態樣中，本發明係關於包括金屬化且包括鈷組合物之半導體裝置或裝置前體結構、平板顯示器或太陽電池板，該鈷組合物包括鈷及一或多種選自由硼、磷、錫、銻、銦及金組成之群之合金組分。 在另一態樣中，本發明係關於增強氣相沈積鈷在基板上之黏著之方法，該方法包括在基板上氣相沈積包括鈷及一或多種選自由硼、磷、錫、銻、銦及金組成之群之合金組分之鈷組合物。 在又一態樣中，本發明係關於經沈積鈷組合物中之一或多種合金組分之用途，其用以與相應元素鈷相比在將組合物在基板上暴露於可變溫度及/或脫層力條件時增強與基板之黏著。 自後續說明(包含所闡釋技術研究1至9及隨附申請專利範圍)將更加充分明瞭本發明之其他態樣、特徵及實施例。
本發明係關於可用於製作諸如半導體裝置及裝置前體結構、太陽電池板及平板顯示器等產品之鈷組合物，其中採用鈷且需要鈷材料黏著至該等產品之相關構造材料。更具體而言，本發明係關於包括鈷及金屬或類金屬共物質之鈷合金組合物，其相對於元素鈷本身提供增強之鈷黏著，特定而言，其中利用鈷薄膜來製作上文所提及之產品且實施諸如熱循環、化學機械平面化及諸如此類等單元操作。 如本文及隨附申請專利範圍中所使用，除非上下文另外明確指示，否則單數形成「一(a、an)」及「該(the)」包含複數個指示物。 如本文關於其特徵、態樣及實施例以不同方式陳述之本發明在特定實施方案中可構成為包括該等特徵、態樣及實施例之一些或全部以及集合在一起構成本發明之各個其他實施方案的其要素及組成部分、由其組成或基本上由其組成。本發明相應地涵蓋該等特徵、態樣及實施例或所選其一或多者(以各種排列及組合且屬於本發明範圍內)。 如本文中所使用，術語「膜」係指厚度低於1000微米(例如該值至原子單層厚度值)之沈積材料層。在各個實施例中，端視所涉及具體應用，本發明實踐中之沈積材料層之膜厚度可(例如)低於100微米、10微米或1微米或在各種薄膜方案中低於200奈米、100奈米或50奈米。如本文中所使用，術語「薄膜」意指厚度低於1微米之材料層。 如本文中所使用，碳數範圍之標識(例如在C1 -C12 烷基中)意欲包含該範圍內之每一組成碳數部分，從而涵蓋每一插入碳數及該陳述範圍中之任一其他陳述或插入碳數值，應進一步理解，指定碳數範圍內之碳數子範圍可獨立地包含於本發明範圍內之較小碳數範圍中，且特定排除一或多個碳數之碳數範圍包含於本發明中，且排除指定範圍之任一個或二個碳數限值之子範圍亦包含於本發明中。因此，C1 -C12 烷基意欲包含甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基、十一烷基及十二烷基(包含該等類型之直鏈以及具支鏈基團)。由此應瞭解，在本發明之具體實施例中，碳數範圍之標識(例如C1 -C12 ，如廣泛應用於取代基部分)使得能夠將碳數範圍進一步限制為具有取代基部分之較廣泛說明內之碳數範圍的部分子組。舉例而言，在本發明之特定實施例中，可更具限制性地指定碳數範圍(例如C1 -C12 烷基)以涵蓋子範圍，例如C1 -C4 烷基、C2 -C8 烷基、C2 -C4 烷基、C3 -C5 烷基或寬碳數範圍內之任一其他子範圍。換言之，碳數範圍被視為關於該範圍所應用之取代基、部分或化合物肯定地將該範圍中之每一碳數物質陳述為選擇群組，可選擇來自該選擇群組之特定成員作為連續碳數子範圍或該選擇群組內之特定碳數物質。 相同構造及選擇靈活性亦應用於關於以下各項之指定原子數、官能基、離子或部分之化學計量係數及數值：指定範圍、數值限制(例如不等於、大於、小於限制)以及氧化態及其他決定具體形式、電荷狀態及應用於本發明寬範圍內之化學實體之組成之變量。 本文所用之「烷基」包含(但不限於)甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、第二丁基、第三丁基、戊基及異戊基及諸如此類。本文所用之「芳基」包含衍生自苯或苯衍生物之烴，其係具有6至10個碳原子之不飽和芳香族碳環基團。芳基可具有單一或多個環。本文所用之術語「芳基」亦包含經取代芳基。實例包含(但不限於)苯基、萘基、二甲苯、苯基乙烷、經取代苯基、經取代萘基、經取代二甲苯、經取代苯基乙烷及諸如此類。本文所用之「環烷基」包含(但不限於)環丙基、環丁基、環戊基、環己基及諸如此類。在本文之所有化學式中，碳數範圍將視為指定連續交替含碳部分之序列，包含所有含有具體範圍中碳數終點值之中間碳原子數之部分以及含有等於具體範圍中終點值之碳原子數的部分，舉例而言，C1 -C6 包含C1 、C2 、C3 、C4 、C5 及C6 且該等較寬範圍中之每一者可進一步參照該等範圍內之碳數來限制性指定(如其子範圍)。因此，舉例而言，範圍C1 -C6 包含較寬範圍內之子範圍(例如C1 -C3 、C1 -C4 、C2 -C6 、C4 -C6 等)且可進一步由該等子範圍之說明限制。 本發明係關於特徵在於與單獨鈷相比具有增強之黏著(尤其在涉及高度可變之溫度暴露及/或作用於金屬上之潛在脫層力之情況下)之鈷合金。 更具體而言，本發明係關於包含少量合金組分(例如硼、磷、錫、銻、銦及金)之鈷合金，其在各個實施例中用於相對於單獨鈷減少整體合金組合物在低溫下(例如低於400℃)之屈服強度，從而減少原本伴隨熱循環及/或潛在脫層力(delamination force、delaminative force)暴露之應力累積。 在涉及熱循環以及後續化學機械平面化之處理操作中，本發明合金組合物可有利地實質性改良性能行為，其中合金組合物適宜地降低屈服強度(與單獨鈷相比)，從而應力在熱循環期間鬆弛且後續化學機械平面化操作之殘餘應力較低。 在各個實施例中，硼、磷、錫、銻、銦或金可經鈷合金化，其中鈷之合金化組分基於鈷重量以低於5重量%之濃度存在。在其他實施例中，鈷之合金化組分基於相同鈷重量以4.5%、4%、3.5%、3%、2.5%、2%、1.5%、1%或更低之濃度存在，且在其他實施例中，鈷之合金化組分係硼、磷或銻，且基於鈷重量以低於1重量%(例如低於0.95%、0.9%、0.85%、0.8%、0.75%、0.7%、0.65%、0.6%、0.55%、0.5%、0.45%、0.4%、0.35%、0.3%、0.25%或更低)之濃度存在。 適宜地，基於鈷重量，合金組分可以至少0.01重量%、至少0.1重量%之濃度存在。 本文所用之術語「合金」係指以下部分：各別合金化組分及鈷之均質摻合物；以及包含各別鈷及合金化組分材料之單獨離散層之多層組合物；及各別鈷及合金化組分材料之(例如)涉及合金化組分材料於鈷基質中之分散離散區域之其他聚集體；或合金化組分材料存在於鈷塊體體積中、在其周圍、在其之上或之下且包含將合金化組分中之任一者或多者摻雜於塊體鈷材料中之其他聚集體。 因此，且藉由闡釋性實例方式，合金化組分(B、P、S、As、Sn、Sb、In或Au)可以低於5重量% (且對於B、P、S、As、Sb或In而言低於1重量%)之濃度藉由諸如以下等各種方法中之任一者來沈積：(i)與鈷一起連續化學氣相沈積或原子層沈積，(ii)藉由化學氣相沈積或原子層沈積與鈷一起沈積為單層或多層，(iii)在電沈積或無電沈積鈷填充材料之前於藉由化學氣相沈積或原子層沈積所沈積之鈷上形成單層，其中單層形成可包括化學氣相沈積、原子層沈積物、理氣相沈積、溶液沈積或諸如此類中之任一者，(iv)在電沈積或無電沈積鈷填充材料時以合金化元素形式共沈積，及(v)摻雜合金化元素，包含原位摻雜(其中將合金化元素引入沈積於基板上之鈷材料中)以及摻雜基板上之先前所沈積鈷材料。 本發明組合物可解決經沈積鈷膜在約400℃溫度下退火時發生重結晶且具有減少之電阻率及較大晶粒之問題。該重結晶可涉及鈷膜之一定程度之應力鬆弛，但致使沈積膜在環境溫度下於進行後續處理、尤其化學機械平面化以及隨後之板後及CMP後操作時易於脫層。 可為氣相沈積之鈷組合物。在各個實施例中，可在100℃至300℃範圍內或更高之溫度下氣相沈積組合物。有利的是，可在至少120℃、至少130℃、至少140℃或至少150℃之溫度下氣相沈積鈷及/或鈷組合物整體。 可藉由本發明氣相沈積使用任一適宜氣相沈積技術(例如化學氣相沈積(CVD)、原子層沈積(ALD)、電漿增強之CVD、脈衝CVD等)且利用用於氣相沈積之任一適宜鈷前體或來源來沈積鈷。舉例而言，鈷前體可包括CCTBA、CCTMSA、CCBTMSA或其他適宜鈷前體。 本文所用之「CCTBA」係指六羰基第三丁基乙炔二鈷或如下文所闡述之六羰基第三丁基乙炔二鈷之衍生物。六羰基第三丁基乙炔二鈷具有式Co2 (CO)6 (HCC(CH3 )3 )，
Figure 02_image003
其在0.8托(106.7 Pa)下之沸點為52℃，且在25℃下以紅色液體形式存在。 本文所用之「CCTMSA」係指六羰基三甲基矽基乙炔二鈷(CCTMSA)，其具有式
Figure 02_image005
本文所用之「CCBTMSA」係指羰基雙(三甲基矽基乙炔)鈷，其具有式[((H3 C)Si)C≡C]2 Co(CO)。 其他鈷前體包含選自由以下組成之群者： (a)下式之鈷六羰基複合物前體：
Figure 02_image007
其中R1 及R2 可彼此相同或不同，且各自獨立地選自H、C1 -C4 烷基、經矽基取代之烷基、二烷基醯胺、乙烯、乙炔、炔烴、經取代烯烴、C1 -C4 經取代炔烴、矽基烷基、矽基醯胺、三甲基矽基、經三烷基矽基取代之炔烴及經三烷基矽基醯胺基取代之炔烴，且其中R1 及R2 並不皆係H； (b) 鈷矽基醯胺前體； (c) 包含至少一種選自由烯烴、重烯、炔烴及路易斯鹼(Lewis base)配體組成之群之配體之鈷(0)羰基複合物前體； (d) 式[RN≡C-Co(CO)3 ]2 之鈷六羰基二腈前體，其中R獨立地選自H、C1 -C4 烷基、經矽基取代之烷基、二烷基醯胺、乙烯、乙炔、炔烴、經取代烯烴、C1 -C4 經取代炔烴、矽基烷基、矽基醯胺、三甲基矽基、經三烷基矽基取代之炔烴及經三烷基矽基醯胺取代之炔烴；及 (e) 式(CO)2 CoN≡O(C≡NR)之鈷二羰基腈前體，其中R獨立地選自H、C1 -C4 烷基、經矽基取代之烷基、二烷基醯胺、乙烯、乙炔、炔烴、經取代烯烴、C1 -C4 經取代炔烴、矽基烷基、矽基醯胺、三甲基矽基、經三烷基矽基取代之炔烴及經三烷基矽基醯胺基取代之炔烴。 前體在呈固體形式時可溶於適當溶劑(例如烴溶劑)中，該等溶劑可促進使用液體遞送系統以及沈積反應器對前體進行液體遞送。前體可以液體形式使用，例如使用直接液體注射(DLI)系統、標準鼓泡器及改良鼓泡器。可採用具有廣泛變化性質之遞送方法。沈積鈷及一或多種合金組分之氣相沈積條件可包含鈷及合金組分前體之任一適宜製程條件，包含溫度、壓力、流速及組成。在各個實施例中，溫度可在100℃至300℃範圍內或更高。適宜地，壓力可在10托至100托範圍內或更高。視情況，端視所涉及前體及其各別濃度，鈷前體及合金組分前體之各別流速可在微莫耳/分鐘至公斤/分鐘內。應瞭解，製程條件可在本發明之廣泛實踐中廣泛變化，以提供與相應元素鈷相比在基板上暴露於可變溫度及/或脫層力條件時與基板具有增強之黏著之鈷組合物。 本發明鈷組合物之特徵及優點更完全展示於後續說明中，其提及銦作為合金組分物質。 可利用銦作為鈷沈積中之摻雜劑物質，以提供關於經沈積鈷組合物之黏著特徵之顯著益處。舉例而言，可在摻雜濃度為0.025至0.15原子重量百分比(at%)或更高(基於摻銦鈷之原子重量)之銦下來沈積鈷，亦即產生Inx Cox-1 ，其中x為0.025至0.15或更大。可在氣相沈積條件下利用適宜銦前體(例如三甲基銦(TMI)或其他烷基銦前體化合物或其他有機銦前體化合物或複合物)來沈積銦及鈷，且其中鈷係自任一適宜鈷前體(例如CCTMSA)沈積。 本發明提供一種氣相沈積之鈷組合物，其包括鈷及一或多種合金組分，該一或多種合金組分與鈷有效組合以與相應元素鈷相比在基板上暴露於可變溫度及/或脫層力條件時增強與該基板之黏著，其中該一或多種合金組分係選自由硼、磷、錫、銻、銦及金組成之群。 可變溫度條件可包括經沈積鈷組合物之熱循環，且脫層力條件可包括經沈積鈷組合物之化學機械平面化。在各個實施例中，可變溫度及/或脫層力條件包括熱循環經沈積鈷組合物且隨後化學機械平面化經沈積鈷組合物。 在各個實施例中，可構成上述氣相沈積之鈷組合物，其中一或多種合金組分係基於組合物中之鈷重量以低於5重量%之濃度存在。在其他實施例中，基於組合物中之鈷重量，一或多種合金組分以低於1重量%之濃度存在。 氣相沈積之鈷組合物可具有變化形式。在各個實施例中，組合物可包括鈷及一或多種合金組分之均質摻合物。在其他實施例中，組合物可包括各別鈷及一或多種合金組分之離散層。在其他實施例中，氣相沈積之鈷組合物可包括一或多種合金組分於鈷塊體體積中之分散離散區域。在其他實施例中，可構成氣相沈積之鈷組合物，其中一或多種合金組分存在於鈷塊體體積中、在其周圍、在其之上或之下。在各個實施例中，一或多種合金組分可摻雜於鈷中。 用於形成本發明鈷組合物之鈷前體可為任一適宜類型，且氣相沈積之鈷組合物中之鈷可自選自由CCTBA、CCTMSA及CCBTMSA組成之群之鈷前體的蒸氣來沈積。可(例如)自CCTMSA蒸氣沈積鈷。在其他實施例中，可自選自由以下組成之群之鈷前體之蒸氣沈積鈷： (A)下式之鈷六羰基複合物前體：
Figure 02_image009
其中R1 及R2 可彼此相同或不同，且各自獨立地選自H、C1 -C4 烷基、經矽基取代之烷基、二烷基醯胺、乙烯、乙炔、炔烴、經取代烯烴、C1 -C4 經取代炔烴、矽基烷基、矽基醯胺、三甲基矽基、經三烷基矽基取代之炔烴及經三烷基矽基醯胺基取代之炔烴，且其中R1 及R2 並不皆係H； (B) 鈷矽基醯胺前體； (C) 包含至少一種選自由烯烴、重烯、炔烴及路易斯鹼配體組成之群之配體之鈷(0)羰基複合物前體； (D) 式[RN≡C-Co(CO)3 ]2 之鈷六羰基二腈前體，其中R獨立地選自H、C1 -C4 烷基、經矽基取代之烷基、二烷基醯胺、乙烯、乙炔、炔烴、經取代烯烴、C1 -C4 經取代炔烴、矽基烷基、矽基醯胺、三甲基矽基、經三烷基矽基取代之炔烴及經三烷基矽基醯胺取代之炔烴；及 (E) 式(CO)2 CoN≡O(C≡NR)之鈷二羰基腈前體，其中R獨立地選自H、C1 -C4 烷基、經矽基取代之烷基、二烷基醯胺、乙烯、乙炔、炔烴、經取代烯烴、C1 -C4 經取代炔烴、矽基烷基、矽基醯胺、三甲基矽基、經三烷基矽基取代之炔烴及經三烷基矽基醯胺基取代之炔烴。 在各個實施例中，本發明氣相沈積之鈷組合物中之一或多種合金組分可包括銦。基於經摻雜鈷組合物，銦可(例如)以0.025 at%至0.15 at%之濃度摻雜於鈷中。在用作摻雜劑物質時，銦可自任一適宜類型之銦前體(例如三甲基銦或其他烷基銦或有機銦化合物或複合物)氣相沈積。在其他實施例中，一或多種合金組分可包括硼，硼係(例如)以相應濃度摻雜且自適宜硼前體(例如三甲基硼烷或其他有機硼源試劑)提供。 在各個實施例中，將本發明氣相沈積之鈷組合物沈積於鈷晶種膜上。在該等實施例中，一或多種合金組分可選自由硼、錫、銻、銦及金組成之群，舉例而言，合金組分可包括銦。在各個實施例中，鈷晶種膜可具有在2 nm至10 nm範圍內之厚度。在各個實施例中，鈷晶種膜可沈積於氧化物材料(例如二氧化矽)上，其中(例如)合金組分可包括銦或硼。 如上文以各種方式所闡述之經沈積鈷組合物可沈積於半導體裝置基板或半導體裝置前體結構基板之溝槽或通孔中。 在另一態樣中，本發明係關於包括金屬化且包括鈷組合物之半導體裝置或裝置前體結構、平板顯示器或太陽電池板，該鈷組合物包括鈷及一或多種選自由硼、磷、錫、銻、銦及金組成之群之合金組分。 由此應瞭解，本發明涵蓋眾多種潛在鈷組合物，其中含有一或多種合金組分以實現在組合物經歷往往使鈷組合物脫層之熱循環及/或機械力之應用中鈷組合物之應力鬆弛，且可藉由使用本發明合金組分來顯著增強鈷金屬化在各種應用中之抗脫層性。 在另一態樣中，本發明係關於增強氣相沈積鈷在基板上之黏著之方法，該方法包括在基板上沈積根據本發明之任一態樣或實施例之鈷組合物。適宜地，該方法可包括氣相沈積之鈷組合物。 在該方法之各個實施例中，可在基板上氣相沈積鈷及一或多種合金組分之後將基板暴露於可變溫度及/或脫層力條件。 在又一態樣中，本發明係關於經沈積鈷組合物中之一或多種合金組分之用途，其用於與相應元素鈷相比在將組合物在基板上暴露於可變溫度及/或脫層力條件時增強與基板之黏著。合金組分、經沈積鈷組合物、基板及條件可如本文針對本發明之任一其他態樣或實施例所闡述。研究 1 – 氣相沈積鈷之脫層 在特定系列之測試中，將鈷在130℃溫度及30托壓力下沈積於基板上，且在400℃下於氮中快速熱退火(RTN)後評估黏著及電阻率性質。 圖1係RTN退火中之鈷塗覆基板之橫截面之背向散射SEM影像，其展示，鈷膜在於400℃退火之後於凹陷之拐角處脫層，基板包含一系列縱橫比為2之55 nm寬溝槽。在130℃溫度及30托壓力下自CCTMSA鈷前體氣相沈積鈷，其中實施20分鐘沈積以在基板溝槽上產生9.1 nm厚鈷。 圖2展示在400℃下於氮中快速熱退火(RTN)鈷之後圖1之鈷塗覆基板之橫截面的SEM影像。經退火鈷在溝槽底部發生脫層。圖3係在上面於130℃溫度及30托壓力下自CCTMSA前體氣相沈積鈷之0.7 µm大小凹陷之SEM影像，其中實施20分鐘沈積以在基板凹陷上產生9.1 nm厚鈷且實施400℃退火，該影像展示，鈷膜在400℃退火之後於凹陷拐角處發生脫層。 圖4及5係在上面於130℃溫度及30托壓力下自CCTMSA前體氣相沈積鈷之55 nm溝槽結構之聚焦離子束(FIB)/SEM影像，其中實施20分鐘沈積以在基板溝槽上產生9.1 nm厚鈷，該等影像展示，在400℃ RTN退火之後並不發生脫層。 圖6及7係在上面於130℃溫度及30托壓力下自CCTMSA前體氣相沈積鈷之1 µm大小凹陷之FIB/SEM影像，其中實施20分鐘沈積以在基板凹陷上產生9.1 nm厚鈷且實施400℃ RTN退火，該等影像展示，鈷膜在400℃ RTN退火之後於凹陷拐角處發生脫層。 圖8及9係在上面於130℃溫度及30托壓力下自CCTMSA前體氣相沈積鈷之55 nm溝槽結構之FIB/SEM影像，其中實施60分鐘沈積以在基板凹陷上產生30 nm厚鈷且實施400℃ RTN退火，其中在退火之後觀察到鈷膜脫層。 圖10及11係在上面於130℃溫度及30托壓力下自CCTMSA前體氣相沈積鈷之0.7 µm大小凹陷基板結構之FIB/SEM影像，其中實施60分鐘沈積以在基板凹陷上產生30 nm厚鈷且實施400℃ RTN退火，其中在退火之後於凹陷拐角處展示鈷膜脫層。研究 2 –可能脫層機制 下表1陳述鈷及各種其他金屬/類金屬物質之熱膨脹係數(以百萬分率(ppm)/攝氏度(℃)形式)、體積模數(以吉帕斯卡(GPa)形式)、400℃下相對應力(以毫帕斯卡(MPa)形式)及維氏硬度(Vickers Hardness)(以毫帕斯卡(MPa)形式)之製錶。 表1
Figure 106127507-A0304-0001
Figure 02_image011
Figure 02_image012
如由表1中之數據所展示，鎢(W)及鉬(Mo)展現彼此密切類似之CTE值，從而該等材料在與矽基板接觸時將展現相對較低之差異性CTE相關應力，如應變僅約為2ppm/℃。儘管鋁及銅具有高差異性CTE，但其皆具有低強度，且其界面應力由金屬之屈服強度限制。鈷具有＞10ppm/℃之高差異性CTE及高屈服強度，此代表了易於脫層之該等物理性質之最壞情形組合。 在熱循環中，呈薄膜形式之鈷發生導致在該材料中累積應力之馬氏體轉變轉變，該應力通常不超過50 MPa。初始熱循環可生成壓縮應力，該壓縮應力可藉由高於300℃下之重結晶及藉由更高溫度下之蠕變來減弱。後續鬆弛係在高於350℃下。 根據本發明，將合金化元素添加至鈷中以容許在較低溫度下減弱應力且不影響電阻率。一般而言，期望合金化元素在低溫、六方密積(hcp) ε相材料中具有低固體溶解性，且合金化元素期望地可降低鈷膜之有效熔融溫度。研究 3 - 候選合金組分之鑑別 錫及銦係有益於在藉由蒸氣相沈積施加之鈷基板結構中存在銅之鈷合金化元素。碳、鎢及鈦個別地或一起增加鈷膜之強度及降低其延展性。鋁、鎢、氧、碳、鉬、鎳、鈀、鉑及釕不降低鈷之熔融溫度Tm 。已發現鉛及鉍可調介液相脆化。 鎵、鍺、矽、鉻、鐵及錳在ε 鈷中具有高溶解性，且銅可關於應力減弱向鈷提供輕微益處。然而，鈷塊體中之高溶解性將增加鈷之電阻率。 一般而言，磷、硼及銦在基於鈷重量之濃度不超過1重量%時係有益合金化元素。錫、銻及金在基於鈷重量之濃度為3重量%至5重量%時係有益合金化元素。銀、碲及硒具有不混溶液相，且有效熔點仍可較高。銦係在沈積製程中具有適當熱管控之優良合金化元素。鋅可具有有用溶解性且需要基於鈷重量大於30重量%之量來降低鈷熔點。 各種候選合金化元素之具體數據陳述於下表2中。 表2
Figure 106127507-A0304-0002
 B、P、As及Sb皆用於半導體製程之其他部分中。Sn及Au係較傳統金屬合金化元素。S係銅金屬化之痕量雜質。研究 4 – 作為合金組分之銦 在鈷沈積期間以5 at%濃度使用銦來摻雜鈷膜且探究該摻雜對脫層之影響。 使用三甲基銦(TMI)作為銦前體以2 µmol/分鐘之鈷前體(CCTMSA)遞送速率及0.1 µmol/分鐘之TMI遞送速率來摻雜鈷膜以提供沈積鈷膜之銦摻雜，此使得能夠在較低溫度下減弱沈積鈷膜中之應力且不影響沈積膜之電阻率。應注意，銦在ε-Co中具有有限溶解性。 圖12係對於在130℃下(較亮數據點)及在150℃下(紅色數據點)沈積之摻銦鈷膜而言，銦濃度(以原子百分比形式)隨鈷膜之厚度(以埃形式，如藉由X射線螢光(XRF)測定所測定)而變化之圖形。XRF量測在1 Å厚度下具有±0.04 Å之1 Σ精密度。 銦在原樣沈積鈷膜中之溶解度小於0.1原子百分比(at.%)。歸因於TMI在大於約140℃之溫度下之不穩定性，在130℃沈積溫度下較在150℃溫度下納入更多銦。 圖13係對於在130℃溫度、30托壓力及2 µmol/分鐘遞送速率下沈積之鈷膜而言，鈷膜厚度(以埃形式，如藉由XRF測定所測定)隨沈積時間(以分鐘形式)而變化之圖形，其中使用在並無任一共物質金屬下沈積之鈷膜(表示為「CCTMSA」，較亮數據點)及在相同條件下沈積且以0.1 µmol/分鐘之TMI遞送速率摻雜來自TMI前體之銦之鈷膜(表示為「5% TMI」，較暗數據點)。 圖14係對於在130℃溫度、30托壓力及2 µmol/分鐘遞送速率下沈積之鈷膜而言，電阻率(以µΩ-cm形式)隨鈷厚度(以埃形式，如藉由XRF測定所測定)而變化之相應圖形，其中使用在並無任一共物質金屬下沈積之鈷膜(表示為「CCTMSA」，較亮數據點)及在相同條件下沈積且以0.1 µmol/分鐘之TMI遞送速率摻雜來自TMI前體之銦之鈷膜(表示為「5% TMI」，較暗數據點)。 圖14之結果展示，銦摻雜不影響在130℃下沈積之摻銦鈷膜之電阻率。 圖15係對於在150℃溫度、30托壓力及2 µmol/分鐘遞送速率下沈積之鈷膜而言，鈷膜厚度(以埃形式，如藉由XRF測定所測定)隨沈積時間(以分鐘形式)而變化之圖形，其中使用在並無任一共物質金屬下沈積之鈷膜(表示為「CCTMSA」，較亮數據點)及在相同條件下沈積且以0.1 µmol/分鐘之TMI遞送速率摻雜來自TMI前體之銦之鈷膜(表示為「5% TMI」，較暗數據點)。 圖16係對於在150℃溫度、30托壓力及2 µmol/分鐘遞送速率下沈積之鈷膜而言，電阻率(以µΩ-cm形式)隨鈷厚度(以埃形式，如藉由XRF測定所測定)而變化之相應圖形，其中使用在並無任一共物質金屬下沈積之鈷膜(表示為「CCTMSA」，較亮數據點)及在相同條件下沈積且以0.1 µmol/分鐘之TMI流速摻雜來自TMI前體之銦之鈷膜(表示為「5% TMI」，較暗數據點)。 圖16之結果展示，銦摻雜不影響在150℃下沈積之摻銦鈷膜之電阻率。 圖17係對於在130℃下(較亮數據點)及在150℃下(紅色數據點)沈積之摻銦鈷膜在400℃下RTN退火之後電阻率(以µΩ-cm形式)隨鈷厚度(以埃形式，如藉由XRF測定所測定)而變化或隨摻銦鈷膜厚度(以埃形式，如藉由XRF測定所測定)而變化之圖形。結果展示，銦摻雜不影響退火電阻率。 評價使用及不使用銦摻雜之相應鈷膜之表面形態以測定銦摻雜是否產生任何表面形態變化。 圖18係在150℃及30托壓力下沈積且在無摻雜下產生4.4 nm鈷膜厚度之鈷膜之SEM影像。 圖19係在150℃及30托壓力下所沈積產生4.7 nm厚摻銦膜之摻銦鈷膜之SEM影像，其中基於整體膜以0.05 at%銦之摻雜濃度實施銦摻雜(In0.05 Co99.95 )。 圖18及19之各別SEM影像展示，銦摻雜並不產生沈積鈷膜之表面形態變化。 然後在鈷膜及摻銦鈷膜上實施黏著測試以測定銦摻雜是否產生相應膜之任何黏著變化。實施膜膠帶測試，且結果展示於圖20及21中。 圖20係對於在130℃下沈積之摻雜(較暗數據點)及未摻雜(較亮數據點)鈷膜而言鈷膜去除百分比隨鈷膜厚度(以埃形式)而變化之圖形。 圖21係對於在150℃下沈積之摻雜(較暗數據點)及未摻雜(較亮數據點)鈷膜而言鈷膜去除百分比隨鈷膜厚度(以埃形式)而變化之圖形。 圖20及21中所展示之結果反映，藉由將銦摻雜於在150℃下沈積之鈷膜中可改良黏著，但對在130℃下沈積之鈷膜具有較小效應。 圖22係在130℃、30托壓力下沈積60分鐘且摻雜5% TMI摻雜劑流(TMI +載氣)、隨後進行400℃ RTN退火之摻銦鈷之SEM影像。 圖23係在130℃、30托壓力下沈積60分鐘且無摻雜、隨後進行400℃ RTN退火之鈷之SEM影像。 圖22及23之結果展示，小於0.1 at%之銦摻雜會改良鈷膜黏著。 圖24、圖25及圖26係在150℃溫度、30托壓力下沈積30分鐘沈積持續時間且摻雜5% TMI摻雜劑流(TMI +載氣)、隨後進行400℃ RTN退火之摻銦鈷之SEM影像。該等影像展示，摻雜0.05 at%之鈷膜會改良鈷黏著。在40分鐘沈積持續時間以及相應溫度、壓力及退火條件下達成類似結果。 圖27係自5% TMI摻雜劑流(TMI +載氣)摻雜銦之鈷膜在各別鈷沈積溫度130℃(較亮數據點)及150℃(較暗數據點)下之XRF銦厚度(以埃形式，如在400℃ RTN退火之後所測定)隨XRF原樣沈積銦厚度(以埃形式)而變化之圖形。結果展示，400℃ RTN處理不會減小銦摻雜劑之濃度。 圖28及29係在150℃及30托壓力下沈積之摻銦鈷在312 Å鈷厚度下之SEM橫截面影像，其中膜展現原樣沈積鈷密度之91.9%之密度。 圖30及31係在150℃及30托壓力下沈積之摻銦鈷在231 Å鈷厚度下之SEM橫截面影像，其中膜展現原樣沈積鈷密度之93.5%之密度。 圖32及33係在150℃及30托壓力下沈積之摻銦鈷在264 Å鈷厚度下之SEM橫截面影像，其中膜展現原樣沈積鈷密度之100%之密度。 圖34係在150℃、30托壓力下沈積之於退火基板上之摻銦鈷之SEM影像。 圖35係在150℃、30托壓力及無摻雜下沈積之於退火基板上之鈷之SEM影像。研究 5 – 作為合金組分之磷 在其他實施方案中，使用磷利用於載氣中之5%三甲基磷(TMP)作為磷源材料且使用2 微莫耳/min.鈷前體及0.1微莫耳/min.TMP之遞送速率來摻雜鈷膜。 圖36係對於在130℃下(較亮數據點)及在150℃下(較暗數據點)沈積之摻磷鈷膜而言原樣沈積摻P鈷膜中之磷原子百分比隨XRF鈷厚度(以埃形式)而變化之圖形。數據展示磷在原樣沈積鈷膜中具有有限溶解性(＜ 0.6 at%)。在130℃下沈積檢測到較多磷。 圖37係摻P鈷膜(其中自5%三甲基磷摻雜組合物(TMP +載氣)摻雜磷)之400℃ RTN後退火磷強度(以微克/平方公分形式)之圖形，其展示為隨在130℃下(較亮數據點)及在150℃下(較暗數據點)沈積之摻P鈷膜之原樣沈積XRF磷強度(以微克/平方公分形式)而變化。數據展示，400℃ RTN退火不減小磷摻雜劑之濃度。 圖38係對於摻磷鈷膜(較暗數據點)而言及對於非摻雜鈷膜(較亮數據點)而言XRF鈷厚度(以埃形式)隨沈積時間(以分鐘形式)而變化之圖形，其中將鈷膜在130℃溫度及30托壓力下沈積於熱氧化物上，其中使用2微莫耳/min之摻雜組合物遞送速率(5% TMP組合物(TMP +載氣))形成摻P膜，從而在膜中得到大約0.4 at%磷。 圖39係對於摻磷鈷膜(較暗數據點)而言及對於非摻雜鈷膜(較亮數據點)而言電阻率(以µΩ-cm表示)隨XRF鈷膜厚度(以埃形式)而變化之圖形，其中將鈷膜在130℃溫度及30托壓力下沈積於熱氧化物上，其中使用2微莫耳/min (5% TMP組合物(TMP +載氣))之摻雜組合物遞送速率形成摻P膜，從而在膜中得到大約0.4 at%磷。 在數據展示於圖38及39中之膜中，摻雜5% TMP使得DR增加15%，但原樣沈積鈷膜之電阻率並不增加。 圖40係對於摻磷鈷膜(較暗數據點)而言及對於非摻雜鈷膜(較亮數據點)而言XRF鈷厚度(以埃形式)隨沈積時間(以分鐘形式)而變化之圖形，其中將鈷膜在150℃溫度及30托壓力下沈積於熱氧化物上，其中使用2微莫耳/min之摻雜組合物遞送速率(5% TMP組合物(TMP +載氣))形成摻P膜，從而在膜中得到大約0.2 at%磷。 圖41係對於摻磷鈷膜(較暗數據點)而言及對於非摻雜鈷膜(較亮數據點)而言電阻率(以µΩ-cm表示)隨XRF鈷膜厚度(以埃形式)而變化之圖形，其中將鈷膜在150℃溫度及30托壓力下沈積於熱氧化物上，其中使用2微莫耳/min (5% TMP組合物(TMP +載氣))之摻雜組合物遞送速率形成摻P膜，從而在膜中得到大約0.2 at%磷。 在數據展示於圖40及41中之膜中，摻雜5% TMP使得DR增加8.5%，但原樣沈積鈷膜之電阻率並不增加。 圖42係對於在130℃下(較亮數據點)及在150℃下(較暗數據點)沈積之摻磷鈷膜而言及對於非摻雜鈷膜(環數據點)而言電阻率(以µΩ-cm形式)隨XRF鈷膜厚度(以埃形式)而變化之圖形，其中已對膜實施400℃ RTN退火。在摻雜鈷膜中使用5% TMP摻雜劑組合物(TMP +載氣)實施摻雜。數據展示，磷摻雜不影響退火鈷電阻率。 圖43及圖44展示摻磷鈷膜之黏著結果，如藉由膠帶測試所測定。 圖43係對於在130℃下沈積之鈷膜(包含摻磷膜(較暗數據點)及非摻雜鈷膜(較亮數據點))而言鈷去除百分比隨XRF鈷膜厚度(以埃形式)而變化之圖形。 圖44係對於在150℃下沈積之鈷膜(包含摻磷膜(較暗數據點)及非摻雜鈷膜(較亮數據點))而言鈷去除百分比隨XRF鈷膜厚度(以埃形式)而變化之圖形。 圖43及44中之結果可視為反映了鈷/SiO2 基板界面處之磷污染。 圖45-47係在150℃及30托壓力下沈積且鈷厚度為342.5 Å之摻磷鈷膜之SEM橫截面影像，其中該膜展現原樣沈積鈷密度之91.3%之密度。 圖48-49係在130℃及30托壓力下沈積且鈷厚度為301.4 Å之摻磷鈷膜之SEM橫截面影像，其中該膜展現原樣沈積鈷密度之88.6%之密度。 圖50及51展示在產生20 nm厚鈷塗層(藉由400℃ RTN退火進行退火且在拐角處產生鈷破裂)之30分鐘沈積期間鈷塗覆SEM條(將鈷在150℃及30托壓力下沈積於上面) 0.7 µm大小溝槽/凹陷結構之聚焦離子束(FIB)/ SEM影像。 圖52係鈷塗覆SEM條橫截面之SEM影像，其中在130℃及30托壓力溫度下利用5% TMP摻雜劑組合物(TMP +載氣)沈積摻磷鈷膜，且得到經摻雜17 nm鈷膜，然後實施400℃ RTN退火。 圖53係鈷塗覆SEM條橫截面之SEM影像，其中在TMI摻雜下沈積鈷膜。 基於鈷膜(包含圖52及53之彼等)之表徵測得，小於0.6 at%之磷摻雜不減少鈷脫層。 圖54、55及56係分別對於9 nm厚、17 nm厚及26 nm厚之鈷塗層而言且對於在130℃、30托壓力下沈積、利用5% TMP摻雜劑組合物(TMP +載氣)且實施400℃ RTN退火之鈷膜而言鈷塗覆SEM條橫截面之SEM影像。圖57、58及59分別係9 nm、17 nm及26 nm鈷膜厚度下之摻磷鈷膜之相應影像。 圖60係鈷塗覆SEM條橫截面之SEM影像，其中在150℃及30托壓力溫度下利用5% TMP摻雜劑組合物(TMP +載氣)沈積摻磷鈷膜，且得到經摻雜27 nm鈷膜，然後實施400℃ RTN退火。 圖61係鈷塗覆SEM條橫截面之SEM影像，其中在無磷摻雜下沈積鈷膜。 圖62、63及64係分別對於10 nm厚、17 nm厚及27 nm厚之鈷塗層而言且對於在150℃、30托壓力下沈積、利用5% TMP摻雜劑組合物(TMP +載氣)且實施400℃ RTN退火之鈷膜而言鈷塗覆SEM條橫截面之SEM影像。圖65、66及67分別係10 nm、17 nm及27 nm鈷膜厚度下之摻磷鈷膜之相應影像。研究 6 - 鈷晶種 層沈積 圖68係半導體裝置結構10之示意性繪示圖，其中藉由在氧化物材料14上提供鈷晶種層16作為用於經摻雜鈷層之後續沈積之引發層來增強於氧化物(例如SiO2 )材料14上之經摻雜鈷膜18在矽基板12上之黏著。 鈷晶種層用於防止在鈷/SiO2 界面處發生(例如)可不利地影響膜在基板上之黏著強度之摻雜劑污染。研究 7 - 使用銦作為合金組分之鈷晶種層 圖69及70展示沈積於4 nm厚鈷晶種層(其繼而沈積於熱氧化物上)上之摻銦鈷膜之黏著強度膠帶測試結果。圖69係對於未摻雜鈷膜(較亮點)、不含鈷晶種層之摻銦鈷膜(較暗數據點)及沈積於基板上之鈷晶種層上之摻銦鈷膜(環數據點)而言鈷去除百分比隨XRF鈷厚度(以埃形式)而變化之圖形，其中在130℃下沈積鈷膜。圖70係對於未摻雜鈷膜(較亮數據點)、不含鈷晶種層之摻銦鈷膜(較暗數據點)及沈積於基板上之鈷晶種層上之摻銦鈷膜(環數據點)而言鈷去除百分比隨XRF鈷厚度(以埃形式)而變化之圖形，其中在150℃下沈積鈷膜。 圖69及70中所展示之數據展示，鈷晶種層改良了摻銦鈷在熱氧化物上之黏著。研究 8 - 使用磷作為合金組分之鈷晶種層 圖71及72展示沈積於4 nm厚鈷晶種層(其繼而沈積於熱氧化物上)上之摻磷鈷膜之黏著強度膠帶測試結果。圖71係對於未摻雜鈷膜(較亮點)、不含鈷晶種層之摻磷鈷膜(較暗數據點)及沈積於基板上之鈷晶種層上之摻磷鈷膜(環數據點)而言鈷去除百分比隨XRF鈷厚度(以埃形式)而變化之圖形，其中在130℃下沈積鈷膜。圖72係對於未摻雜鈷膜(較亮數據點)、不含鈷晶種層之摻磷鈷膜(較暗數據點)及沈積於基板上之鈷晶種層上之摻磷鈷膜(環數據點)而言鈷去除百分比隨XRF鈷厚度(以埃形式)而變化之圖形，其中在150℃下沈積鈷膜。 圖71及72中所展示之數據並不證實在摻磷鈷膜中具有在沈積摻銦鈷膜之前採用鈷晶種層時針對摻銦鈷膜所觀察之黏著改良。研究 9 – 使用硼作為合金組分且視情況使用鈷晶種層 評價使用CCTMSA作為用於氣相沈積之鈷前體藉由氣相沈積所形成之摻硼鈷膜之黏著特性。使用5%三乙基硼烷(TEB)以2微莫耳/分鐘之CCTMSA及0.1微莫耳/分鐘之TEB之遞送速率實施鈷膜的硼摻雜。 圖73係對於使用CCTMSA及TEB在130℃溫度下所形成之經沈積鈷膜而言濃度(重量百分比)及二次離子強度(計數/秒)隨深度(以埃形式)而變化之圖形。展示含有0.031 at%硼之膜之鈷、矽及硼之各別特徵。 圖74係對於使用CCTMSA及TEB在150℃溫度下所形成之經沈積鈷膜而言濃度(重量百分比)及二次離子強度(計數/秒)隨深度(以埃形式)而變化之圖形。展示含有0.052 at%硼之膜之鈷、矽及硼之各別特徵。 圖75係對於使用CCTMSA及TEB在130℃溫度、30托壓力及2微莫耳/分鐘遞送速率下沈積於熱氧化物上之摻硼鈷膜而言XRF鈷厚度(以埃形式)隨沈積時間(以分鐘形式)而變化之圖形，其展示CCTMSA鈷膜(較亮數據點)及5% TEB摻雜鈷膜(較暗數據點)之數據。 圖76係對於在130℃下沈積之CCTMSA鈷膜(較亮數據點)及在130℃下沈積之5% TEB摻雜鈷膜(較暗數據點)而言電阻率(以µΩ-cm形式)隨XRF鈷厚度(以埃形式)而變化之圖形。 結果展示，使用5% TEB摻雜鈷膜會增加130℃下沈積之鈷膜之DR (約30%)，但原樣沈積電阻率並不增加。 圖77係對於使用CCTMSA及TEB在150℃溫度、30托壓力及2微莫耳/分鐘遞送速率下沈積於熱氧化物上之摻硼鈷膜而言XRF鈷厚度(以埃形式)隨沈積時間(以分鐘形式)而變化之圖形，其展示CCTMSA鈷膜(較亮數據點)及5% TEB摻雜鈷膜(較暗數據點)之數據。 圖78係對於在150℃下沈積之CCTMSA鈷膜(較亮數據點)及在150℃下沈積之5% TEB摻雜鈷膜(較暗數據點)而言電阻率(以µΩ-cm形式)隨XRF鈷厚度(以埃形式)而變化之圖形。 結果展示，使用5% TEB摻雜鈷膜會輕微增加150℃下沈積之鈷膜之DR (約30%)，但原樣沈積電阻率並不增加。 圖79係對於CCTMSA沈積鈷膜(灰色數據點)、在130℃下沈積之摻硼鈷膜(較亮數據點)及在150℃下沈積之摻硼鈷膜(較暗數據點)電阻率(以µΩ-cm形式)隨XRF鈷厚度(以埃形式)而變化之圖形，其中在400℃下藉由RTN退火將鈷膜退火。結果展示，硼摻雜不顯著影響鈷膜之退火電阻率。 圖80係對於熱氧化物基板上之CCTMSA沈積鈷膜(較亮數據點)、在不含鈷晶種層下沈積於熱氧化物基板上之摻硼鈷膜(較暗數據點)及沈積於熱氧化物基板上鈷晶種層上之摻硼鈷膜(環數據點)之鈷去除百分比隨XRF鈷膜厚度(以埃形式)而變化之圖形，其中所有鈷膜皆係在130℃下所沈積。該黏著膠帶測試結果之數據展示，鈷晶種層改良了摻硼鈷在熱氧化物基板上之黏著。 圖81係在130℃及30托壓力下使用CCTMSA作為鈷前體沈積之鈷膜之SEM橫截面影像。 圖82係在130℃及30托壓力下使用CCTMSA作為鈷前體沈積之摻硼鈷膜之SEM橫截面影像，從而證實硼摻雜對鈷膜之黏著並無效應。 圖83-85係在130℃下沈積於熱氧化物上之4nm厚鈷晶種層上之摻硼鈷膜之SEM影像，其展示，鈷晶種層改良了摻硼鈷膜在熱氧化物上之黏著。 圖86係對於熱氧化物基板上之CCTMSA沈積鈷膜(較亮數據點)、在不含鈷晶種層下沈積於熱氧化物基板上之摻硼鈷膜(較暗數據點)及沈積於熱氧化物基板上4 nm厚鈷晶種層上之摻硼鈷膜(環數據點)之鈷去除百分比隨XRF鈷膜厚度(以埃形式)而變化之圖形，其中所有鈷膜皆係在150℃下所沈積。該黏著膠帶測試結果之數據展示，鈷晶種層改良了摻硼鈷在熱氧化物基板上之黏著。 圖87係在150℃下使用CCTMSA作為鈷前體沈積之鈷膜之SEM橫截面影像。 圖88係在150℃下使用CCTMSA作為鈷前體沈積之摻硼鈷膜之SEM橫截面影像，其證實硼摻雜改良了在150℃下沈積之鈷膜之黏著。 圖89- 91係在150℃下沈積於熱氧化物上之4nm厚鈷晶種層之摻硼鈷膜之SEM影像，其展示，鈷晶種層改良了摻硼鈷膜在熱氧化物上之黏著。 ------- 儘管本文參照具體態樣、特徵及闡釋性實施例來陳述本發明，但應瞭解，並不由此限制本發明應用，而是延伸至且涵蓋諸多其他變化、修改及替代實施例，如熟習本發明領域者基於本文之闡述所明瞭者。相應地，如下文所主張之本發明意欲廣泛解釋及詮釋為包含其精神及範圍內之所有該等變化、修改及替代實施例。
10‧‧‧半導體裝置結構12‧‧‧矽基板14‧‧‧氧化物材料16‧‧‧鈷晶種層18‧‧‧經摻雜鈷膜
圖1-11係在技術研究1中所獲得用以圖解說明氣相沈積鈷之脫層之SEM影像。 圖12-35係在技術研究2中所獲得用以圖解說明使用銦作為氣相沈積之鈷組合物中之合金組分之圖形及SEM影像。 圖36-67係在技術研究5中所獲得用以圖解說明使用磷作為氣相沈積之鈷組合物中之合金組分之圖形及SEM影像。 圖68係技術研究6中所使用之半導體裝置結構之示意性繪示圖，其中藉由鈷晶種層增強經摻雜鈷膜之黏著。 圖69及70係在技術研究7中所獲得用以圖解說明使用銦作為具有鈷晶種層之氣相沈積之鈷組合物中之合金組分之圖形。 圖71及72係在技術研究8中用以圖解說明使用磷作為具有鈷晶種層之氣相沈積之鈷組合物中之合金組分之圖形。 圖73-91係在技術研究9中所獲得用以闡釋使用硼作為視情況具有鈷晶種層之氣相沈積之鈷組合物中之合金組分之圖形及SEM影像。
Figure 106127507-A0101-11-0002-2
10‧‧‧半導體裝置結構
12‧‧‧矽基板
14‧‧‧氧化物材料
16‧‧‧鈷晶種層
18‧‧‧經摻雜鈷膜

Claims (13)

  1. 一種包含鈷晶種膜及沈積於其上之經沈積鈷組合物的結構，其中該經沈積鈷組合物包括鈷及一或多種合金組分，該鈷與一或多種合金組分與經沈積之元素鈷組合物相比，在基板上暴露於熱循環或脫層力條件時，增強與該基板之黏著性，其中該一或多種合金組分係選自由硼、磷、錫、銻、銦及金組成之群，其中該一或多種合金組分基於該組合物中之鈷重量以低於5重量%之濃度存在。
  2. 如請求項1之結構，其中該一或多種合金組分係基於該組合物中之鈷重量以低於1重量%之濃度存在。
  3. 如請求項1之結構，其中該組合物包括以下中之一或多者：鈷及該一或多種合金組分之均質摻合物、各別鈷及一或多種合金組分之離散層及該一或多種合金組分於鈷塊體體積中之分散離散區域。
  4. 如請求項1之結構，其中該一或多種合金組分係存在於鈷塊體體積中、在其周圍、在其之上或之下。
  5. 如請求項1之結構，其中在至少140℃之溫度下氣相沈積該組合物。
  6. 如請求項1之結構，其中該鈷係自選自由六羰基第三丁基乙炔二鈷(CCTBA)、六羰基三甲基矽基乙炔二鈷(CCTMSA)及羰基雙(三甲基矽基 乙炔)鈷(CCBTMSA)組成之群之鈷前體之蒸氣沈積。
  7. 如請求項1之結構，其中該鈷係自選自由以下組成之群之鈷前體之蒸氣沈積：(A)下式之鈷六羰基複合物前體：
    Figure 106127507-A0305-02-0032-1
     其中R1及R2可彼此相同或不同，且各自獨立地選自H、C1-C4烷基、經矽基取代之烷基、二烷基醯胺、乙烯、炔烴、經取代烯烴、經C1-C4取代炔烴、矽基醯胺、三甲基矽基、經三烷基矽基取代之炔烴及經三烷基矽基醯胺基取代之炔烴，且其中R1及R2不皆係H；(B)鈷矽基醯胺前體；(C)包含至少一種選自由烯烴、重烯、炔烴及路易斯鹼(Lewis base)配體組成之群之配體之鈷(0)羰基複合物前體；(D)式[RN≡C-Co(CO)3]2之鈷六羰基二腈前體，其中R獨立地選自H、C1-C4烷基、經矽基取代之烷基、二烷基醯胺、乙烯、炔烴、經取代烯烴、經C1-C4取代炔烴、矽基醯胺、三甲基矽基、經三烷基矽基取代之炔烴及經三烷基矽基醯胺取代之炔烴；及(E)式(CO)2CoN≡O(C≡NR)之鈷二羰基腈前體，其中R獨立地選自H、C1-C4烷基、經矽基取代之烷基、二烷基醯胺、乙烯、炔烴、經取代烯烴、經C1-C4取代炔烴矽基醯胺、三甲基矽基、經三烷基矽基取代之炔 烴及經三烷基矽基醯胺基取代之炔烴。
  8. 如請求項1之結構，其中該鈷晶種膜具有在2nm至10nm範圍內之厚度。
  9. 如請求項1之結構，其係沈積於半導體裝置基板或半導體裝置前體結構基板之溝槽或通孔中。
  10. 如請求項1之結構，其中該鈷係自選自由六羰基第三丁基乙炔二鈷(CCTBA)、六羰基三甲基矽基乙炔二鈷(CCTMSA)及羰基雙(三甲基矽基乙炔)鈷(CCBTMSA)組成之群之鈷前體之蒸氣沈積，且其中該一或多種合金組分係選自由銦及硼組成之群。
  11. 一種經沈積鈷組合物，其包含鈷及一或多種合金組分以在基板上暴露於熱循環或脫層力條件時，與經沈積元素鈷組合物相比，增強與該基板之黏著性，其中該一或多種合金組分係選自由硼或銦組成之群，且其中該一或多種合金組分基於該經沈積鈷組合物之原子重量以0.025at%至0.15at%之濃度存在。
  12. 一種增強氣相沈積鈷在基板上之黏著之方法，該方法包括在該基板上沈積包括鈷及一或多種合金組分之鈷組合物，該鈷與一或多種合金組分與經沈積元素鈷組合物相比，在該基板上暴露於熱循環或脫層力條件時，增強與該基板之黏著性，其中該一或多種合金組分係選自由硼、磷、錫、 銻、銦及金組成之群，其中該一或多種合金組分基於該組合物中之鈷重量以低於5重量%之濃度存在，其中該鈷組合物沈積於鈷晶種膜上。
  13. 如請求項12之方法，其中在將鈷及該一或多種合金組分沈積於該基板上之後將該基板暴露於可變溫度及/或脫層力條件。
TW106127507A 2016-08-14 2017-08-14 用以減少應力之鈷合金 TWI710655B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201662374860P 2016-08-14 2016-08-14
US62/374,860 2016-08-14

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201809336A TW201809336A (zh) 2018-03-16
TWI710655B true TWI710655B (zh) 2020-11-21

Family

ID=59684087

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW106127507A TWI710655B (zh) 2016-08-14 2017-08-14 用以減少應力之鈷合金

Country Status (4)

Country Link
US (1) US10793947B2 (zh)
KR (2) KR20180034311A (zh)
TW (1) TWI710655B (zh)
WO (1) WO2018034936A1 (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11854876B2 (en) 2019-12-20 2023-12-26 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for cobalt metalization
CN116005030B (zh) * 2023-01-09 2024-10-01 杰瑞新能源科技有限公司 一种钴基复合材料、其制备方法及其应用

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090208637A1 (en) * 2006-06-15 2009-08-20 Advanced Technology Materials, Inc. Cobalt precursors useful for forming cobalt-containing films on substrates
TW201420798A (zh) * 2012-09-25 2014-06-01 Advanced Tech Materials 用於鈷基薄膜的低溫ａｌｄ或ｃｖｄ之鈷前驅物
TW201442184A (zh) * 2012-12-28 2014-11-01 Intel Corp 含鈷互連及其製造方法
WO2015157004A1 (en) * 2014-04-07 2015-10-15 Entegris, Inc. Cobalt cvd

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3857683A (en) 1973-07-27 1974-12-31 Mica Corp Printed circuit board material incorporating binary alloys
US6984591B1 (en) * 2000-04-20 2006-01-10 International Business Machines Corporation Precursor source mixtures
US9051641B2 (en) * 2001-07-25 2015-06-09 Applied Materials, Inc. Cobalt deposition on barrier surfaces
US20050170201A1 (en) * 2004-02-04 2005-08-04 The Boeing Company Cobalt-phosphorous-boron coating and process for plating
JP5337331B2 (ja) * 2010-03-30 2013-11-06 山陽特殊製鋼株式会社 スパッタリングターゲット材の製造方法
EP3125278B1 (en) 2014-03-27 2019-08-14 Mitsubishi Electric Corporation Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method
JP6197169B2 (ja) * 2014-09-29 2017-09-20 東芝メモリ株式会社 半導体装置の製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090208637A1 (en) * 2006-06-15 2009-08-20 Advanced Technology Materials, Inc. Cobalt precursors useful for forming cobalt-containing films on substrates
TW201420798A (zh) * 2012-09-25 2014-06-01 Advanced Tech Materials 用於鈷基薄膜的低溫ａｌｄ或ｃｖｄ之鈷前驅物
TW201442184A (zh) * 2012-12-28 2014-11-01 Intel Corp 含鈷互連及其製造方法
WO2015157004A1 (en) * 2014-04-07 2015-10-15 Entegris, Inc. Cobalt cvd

Also Published As

Publication number Publication date
WO2018034936A1 (en) 2018-02-22
KR102280011B1 (ko) 2021-07-21
KR20200034004A (ko) 2020-03-30
KR20180034311A (ko) 2018-04-04
US10793947B2 (en) 2020-10-06
TW201809336A (zh) 2018-03-16
US20180044788A1 (en) 2018-02-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Chang et al. Structural and thermodynamic factors of suppressed interdiffusion kinetics in multi-component high-entropy materials
US7754906B2 (en) Ti, Ta, Hf, Zr and related metal silicon amides for ALD/CVD of metal-silicon nitrides, oxides or oxynitrides
AU2010310750B2 (en) Self-aligned barrier and capping layers for interconnects
Choi et al. Thermal atomic layer deposition (ALD) of Ru films for Cu direct plating
Li et al. Thermal stability of AlCrTaTiZrMo-nitride high entropy film as a diffusion barrier for Cu metallization
US9997362B2 (en) Cobalt CVD
EP1877592A2 (en) Novel ruthenium-based materials and ruthenium alloys, their use in vapor deposition or atomic layer deposition and films produced therefrom
JP5735593B2 (ja) 気相成長を介して連続的な銅薄膜を形成する方法
TWI710655B (zh) 用以減少應力之鈷合金
TW201139715A (en) Methods for preparing thin films by atomic layer deposition using hydrazines
US20180094352A1 (en) Systems and methods for metal layer adhesion
Han et al. Growth of tantalum nitride film as a Cu diffusion barrier by plasma-enhanced atomic layer deposition from bis ((2-(dimethylamino) ethyl)(methyl) amido) methyl (tert-butylimido) tantalum complex
US10287681B2 (en) Copper metal film, method for preparing the same, and method for forming copper interconnect for semiconductor device using the same
Chang et al. (AlCrTaTiZr) N/(AlCrTaTiZr) N0. 7 bilayer structure of high resistance to the interdiffusion of Cu and Si at 900° C
Qingxiang et al. Diffusion barrier performance of amorphous W–Ti–N films in Cu metallization
KR100936490B1 (ko) 금속 산화막, 금속 질화막 및 순수 금속 박막 증착용 유기 금속 전구체 화합물과 그 제조방법 및, 그 화합물을 이용한 박막 증착 방법
US9805936B2 (en) Method for producing nickel thin film on a Si substrate by chemical vapor deposition method, and method for producing Ni silicide thin film on Si substrate
Wu et al. Effects of hydrogen plasma treatments on the atomic layer deposition of copper
TW201131656A (en) Method of forming cu wiring
Kim et al. Characteristics of chemically vapor deposited TiN films prepared using tetrakis-ethylmethyl-amido-titanium
US20220189763A1 (en) Methods of Performing Selective Low Resistivity Ru Atomic Layer Deposition and Interconnect Formed Using the Same
KR20100021379A (ko) 확산 배리어상의 구리 필름의 접착성을 증진시키는 물질
Lee et al. Amidoxime-Containing Ti Precursors for Atomic Layer Deposition of TiN Thin Films with Suppressed Columnar Microstructure
US20130089679A1 (en) Plasma-enhanced deposition of manganese-containing films for various applications using amidinate manganese precursors
Gasquères et al. MOCVD of Cr3 (C, N) 2 and CrSi x C y Films: I. Growth and Characterization