TWI698646B - 電子裝置、電壓偵測器及其電壓偵測方法 - Google Patents

電子裝置、電壓偵測器及其電壓偵測方法 Download PDF

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Abstract

一種電子裝置、電壓偵測器及其電壓偵測方法被提出。電壓偵測器包括整流濾波電路、比較電路以及偵測信號產生器。整流濾波電路接收交流輸入電壓,針對交流輸入電壓進行整流及濾波動作,以產生處理後電壓。比較電路比較處理後電壓與參考電壓以產生比較信號。偵測信號產生器具有一次側以及二次側。一次側接收比較信號並依據比較信號以產生感應信號。二次側接收感應信號以產生偵測信號。其中,一次側與二次側相互隔離。

Description

電子裝置、電壓偵測器及其電壓偵測方法
本發明是有關於一種電子裝置、電壓偵測器及其電壓偵測方法,且特別是有關於一種電子裝置的電源供應器,其中的電壓偵測器及其電壓偵測方法。
在電子裝置中,提供穩定的供應電源是一個非常重要的課題。在習知技術領域的切換式電壓轉換器中,設置具有大容值的濾波電容是很重要的。其中的濾波電容除用以搭配整流電路以產生直流電壓外,並用以提供直流電壓以執行電壓轉換動作,並藉以產生供應電壓。在當輸入交流電壓發生斷電現象時,透過濾波電容的效果,可維持供應電壓保持在一穩定狀態持續一段時間,這個時間可稱為維持時間(hold time)。
上述的維持時間,可以提供電子裝置進行重要資料的備份儲存動作,或進行備援電源的切換動作。為了提供足夠長的維持時間,習知技術可透過建構功率因素修正轉換器(Power Factor Correction converter, PFC converter)來完成。然而,功率因素修正轉換器需要佔去相當大尺寸的電路面積,並使電子裝置的成本大幅上升。
本發明提供一種電子裝置、電壓偵測器及其電壓偵測方法,可提升供應電源的維持時間。
本發明的電壓偵測器包括整流濾波電路、比較電路以及偵測信號產生器。整流濾波電路接收交流輸入電壓,針對交流輸入電壓進行整流及濾波動作,以產生處理後電壓。比較電路耦接整流濾波電路,比較處理後電壓與參考電壓以產生比較信號。偵測信號產生器具有一次側以及二次側。一次側耦接比較電路以接收比較信號,一次側並依據比較信號以產生感應信號。二次側接收感應信號以產生偵測信號。其中,一次側與二次側相互隔離。
本發明的電子裝置如上所述的電壓偵測器以及負載裝置。負載裝置耦接電壓偵測器。負載裝置接收偵測信號,並依據偵測信號以調整功率需求。
本發明的電壓偵測方法包括:接收交流輸入電壓,針對交流輸入電壓進行整流及濾波動作,以產生處理後電壓;比較處理後電壓與參考電壓以產生比較信號;以及,提供具有一次側以及二次側的偵測信號產生器,透過一次側接收比較信號,並依據比較信號以產生一感應信號,透過二次側接收該感應信號以產生偵測信號,其中,一次側與二次側相互隔離。
基於上述,本發明針對交流輸入電壓進行偵測,藉由比較電路,在偵測信號產生器的一次側使處理後電壓與參考電壓比較以產生比較信號,並在偵測信號產生器的二次側依據比較信號以產生偵測信號,藉由偵測信號以指示交流輸入電壓的供電狀態。其中,一次側與二次側相互隔離。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂,下文特舉實施例,並配合所附圖式作詳細說明如下。
請參照圖1,圖1繪示本發明一實施例的電壓偵測器的示意圖。電壓偵測器100包括整流濾波電路110、比較電路120以及偵測信號產生器130。整流濾波電路110耦接至火線端L1以及中性線端N1,並透過火線端L1以及中性線端N1接收交流輸入電壓VAC。整流濾波電路110針對交流輸入電壓VAC進行整流及濾波動作,並藉以產生處理後電壓PV1。比較電路120耦接整流濾波電路110。比較電路120比較處理後電壓PV1與參考電壓VR1以產生比較信號CS。偵測信號產生器130耦接比較電路120。偵測信號產生器130具有相互耦合的一次側131以及二次側132。一次側131耦接比較電路120,並藉以接收比較信號CS。一次側131並依據比較信號CS以產生感應信號IS。二次側132則接收感應信號IS以產生偵測信號PGI。其中,一次側131與二次側132相互隔離,並不相互接觸。
細節上來說明,在本實施例中,交流輸入電壓VAC用以作為產生一負載裝置的供應電壓。電壓偵測器100透過偵測交流輸入電壓VAC的供電狀態來產生偵測信號PGI。其中,整流濾波電路110接收交流輸入電壓VAC,並針對交流輸入電壓VAC進行整流的動作,並藉此產生一類直流電壓,整流濾波電路110並進一步針對類直流電壓進行濾波,並藉以產生處理後電壓PV1。
在另一方面,比較電路120針對處理後電壓PV1以及參考電壓VR1進行比較動作,並透過判斷處理後電壓PV1的電壓值有無高於參考電壓VR1的電壓值,來判斷交流輸入電壓VAC有無發生斷電現象。其中,在當處理後電壓PV1小於參考電壓VR1時,比較電路120可產生指示交流輸入電壓VAC發生斷電現象的比較信號CS。相對的,在當處理後電壓PV1不小於參考電壓VR1時,比較電路120可產生指示交流輸入電壓VAC未發生斷電現象的比較信號CS。
此外,偵測信號產生器130的一次測131接收的比較信號CS,並依據比較信號CS以決定使否產生感應信號IS。承續上述的說明,當比較信號CS指示交流輸入電壓VAC未發生斷電現象時,一次測131可依據比較信號CS以持續產生感應信號IS。在此同時,偵測信號產生器130的二次測132可接收感應信號IS,並依據有接收到感應信號IS的一第一條件來產生偵測信號PGI。相對的,當比較信號CS指示交流輸入電壓VAC發生斷電現象時,一次測131則依據比較信號CS以停止產生感應信號IS。在此同時,偵測信號產生器130的二次測132可在沒有接收到感應信號IS的一第二條件,來產生偵測信號PGI。在此請注意,在第一條件以及在第二條件下,偵測信號產生器130所產生的偵測信號PGI的電壓值不相同。
值得一提的,本發明實施例的電壓偵測器100透過在偵測信號產生器130的一次測131進行交流輸入電壓VAC有無斷電的判斷動作,並透過與一次測131相互隔離的二次測132來產生偵測信號PGI,再使偵測信號PGI被提供至負載裝置(未繪示)。如此一來,負載裝置不會對交流輸入電壓VAC有無斷電的判斷動作產生影響,可確保偵測信號PGI的正確性。另外,透過偵測信號PGI信號,負載裝置可以適度的調整其功率需求,並在交流輸入電壓發生斷電的情況下,可有效的執行降載、資料備份或備援電力的切換動作。
以下請參照圖2,圖2繪示本發明另一實施例的電壓偵測器的電路示意圖。電壓偵測器200包括整流濾波電路210、比較電路220以及偵測信號產生器230。整流濾波電路210包括整流電路211以及濾波電路212。整流電路211耦接至火線端L1以及中性線端N1以接收交流輸入電壓。整流電路211包括二極體D1以及D2。在本實施例中,二極體D1以及D2的陽極分別耦接至火線端L1以及中性線端N1,二極體D1以及D2的陰極則相互耦接,並耦接至濾波電路212。整流電路211用以針對交流輸入電壓進行整流,並產生類直流電壓VA1。
濾波電路212耦接至整流電路211,並接收類直流電壓VA1。在本實施例中,濾波電路212包括電阻R21、R22以及電容C21。電阻R21的第一端接收類直流電壓VA1,電阻R21的第一端則耦接至電阻R22的第一端,電阻R22的第二端耦接至參考接地電壓端GND1。另外,電容C21耦接在電阻R21的第二端與參考接地電壓端GND1間。電阻R21、R22以及電容C21形成一低通濾波器,並用以針對類直流電壓VA1進行低通濾波動作,以產生處理後電壓PV1。
比較電路220耦接至整流濾波電路210,並接收處理後電壓PV1。在本實施例中,比較電路220包括運算放大器OP1、基納二極體(Zener diode)ZD1、ZD2、電阻R23以及電容C22、C23。運算放大器OP1具有正輸入端以耦接至基納二極體ZD1的陰極,運算放大器OP1另具有負輸入端以接收處理後電壓PV1。另外,基納二極體ZD1的陽極耦接至參考接地電壓端GND1,基納二極體ZD1的陰極並透過電阻R23以接收電源電壓VCC1。在此,電阻R23以及基納二極體ZD1可構成一參考電壓產生器,並提供參考電壓VR至運算放大器OP1的正輸入端。在本實施例中,參考電壓VR可實質上等於基納二極體ZD1的崩潰電壓。
在本實施例中,運算放大器OP1作為一電壓比較器,並針對參考電壓VR以及處理後電壓PV1進行比較。其中,在當參考電壓VR大於處理後電壓PV1時,運算放大器OP1的輸出端可以產生具有相對高電壓(依據運算放大器OP1接收的操作電壓的電壓值來決定)的比較信號CS。相對的,在當參考電壓VR不大於處理後電壓PV1時,運算放大器OP1的輸出端可以產生具有相對低電壓的比較信號CS(例如等於第一參考接地端GND1上的第一參考接地電壓)。
附帶一提的,在本實施例中,電容C23耦接在參考接地電壓端GND1以及運算放大器OP1的正輸入端間,用以做為一穩壓電容。基納二極體ZD2與電容C23依序串接在電源電壓VCC1以及參考接地電壓端GND1間,其中,基納二極體ZD2的陰極接收電源電壓VCC1,基納二極體ZD2的陽極耦接至電容C23,並耦接至偵測信號產生器230。
偵測信號產生器230包括光耦合器231以及電阻R24、R25、R26。光耦合器231具有發光元件LED1以及光電晶體PT1。發光元件LED1為一發光二極體。在圖2中,發光元件LED1與電阻R26形成偵測信號產生器230的一次側,光電晶體PT1以及電阻R24、R25形成偵測信號產生器230的二次側。在連接關係上,發光元件LED1的一端(陽極)耦接至基納二極體ZD2的陽極,並透過基納二極體ZD2以耦接至電源電壓VCC1。發光元件LED1的另一端(陰極)則透過電阻R26以接收比較信號CS。在另一方面,光電晶體PT1的一端接收電源電壓VCC,光電晶體PT1的另一端耦接至電阻R24。電阻R24、R25則依序串接在光電晶體PT1以及參考接地電壓端GND2間,其中電阻R24、R25的相互耦接端點可提供偵測信號PGI。
請注意,發光元件LED1用以產生光學的感應信號IS,光電晶體PT1的控制端用以接收感應信號IS。光電晶體PT1並在當其控制端接收到足夠能量的感應信號IS時,可被導通。相對的,若光電晶體PT1控制端沒有接收到足夠能量的感應信號IS時,光電晶體PT1則為斷開的狀態。
值得一提的,基於偵測信號產生器230的一次側以及二次側是相互隔離的,圖2繪示的參考接地電壓端GND1以及GND2是不相同的。
在動作方面,當比較信號CS具有相對低的電壓值(等於第一參考接地電壓)時,發光元件LED1可以被導通而產生光能的感應信號IS。在此同時,光電晶體PT1基於接收到的感應信號IS而被導通。據此,偵測信號產生器230的二次側可產生為第一電壓的偵測信號PGI,其中第一電壓的電壓值可依據電阻R24、R25的電阻值來決定,且第一電壓的電壓值大於第二參考接地電壓端GND2上的第二參考接地電壓。
在另一方面,當比較信號CS具有相對高的電壓值時,發光元件LED1可以被斷開而不產生感應信號IS。在此同時,光電晶體PT1在沒有接收到足夠能量的感應信號IS的條件下而被斷開。據此,偵測信號產生器230的二次側可產生等於第二參考接地電壓的偵測信號PGI。
值得一提的,偵測信號PGI可以被提供至負載裝置。其中,負載裝置接收依據交流輸入電壓所產生的供應電壓而進行運作。負載裝置可依據偵測信號PGI的電壓值高低,來獲知交流輸入電壓是否發生斷電現象,並據以調整其功率需求。具體來說,當負載裝置偵測到偵測信號PGI等於第二參考接地電壓時,可進行降載的動作,並使維持時間可有效的被延長。
以下請參照圖3,圖3繪示本發明實施例的濾波器的另一實施方式的示意圖。在圖3中,濾波器212包括電阻R21、R22、R27以及電容C21、C24。電阻R21、R22、R27依序串接,其中電阻R21接收類直流電壓VA1,而電阻R23耦接至第一參考接地電壓端GND1。電容C21耦接在電阻R21與R22的耦接點以及第一參考接地電壓端GND1間,電容C24則耦接在電阻R22與R27的耦接點以及第一參考接地電壓端GND1間。在本實施方式中,濾波器212為一個具有兩個極點(pole)的低通濾波電路,可更有效的濾除高頻的雜訊。
在此請注意,圖2、3繪示的濾波器的實施方式,僅只示說明用的範例。在本發明其他實施例中,可透過其他任意形式的低通濾波電路來實施本發明的濾波器212,沒有一定的限制。
接著請參照圖4,圖4繪示本發明實施例的電壓偵測器的部分電路的示意圖。在圖4中,電壓偵測器400除包括如圖2繪示的多個電路元件外,另包括熔絲FUSE、電容C41、C42以及電磁干擾濾波器(EMI filter)410。熔絲FUSE耦接在火線端L以及電磁干擾濾波器410間。電磁干擾濾波器410耦接在火線端L以及中性線端N間,電容C41則與電磁干擾濾波器410並聯耦接。
電磁干擾濾波器410針對所接收的交流輸入電壓VACIN進行濾波,並透過火線端L1以及中性線端N1以產生濾波後的交流輸入電壓VAC。此外,在圖4中,接地端FG直接連接至第二參考接地電壓端GND2,並透過電容C42以耦接至第一參考接地電壓端GND1。
值得注意的,圖4繪示的電磁干擾濾波器410的電路架構僅只是一個範例,凡本領域具通常知識者所熟知的電磁干擾濾波電路均可應用於本發明,沒有特定的限制。
請參照圖5,圖5繪示本發明一實施例的電子裝置的示意圖。電子裝置500包括整流電路510、電壓轉換器520、電壓偵測器540以及負載裝置530。整流電路510可以為橋式整流電路,並接收交流輸入電壓VAC。電容C51為濾波電容,並聯耦接在整流電路510以及電壓轉換器520間。電壓轉換器520為一直流轉直流電壓轉換電路(DC to DC voltage converter),用以針對電容C51所提供的電壓進行電壓轉換動作,並產生供應電壓VSUP。
供應電壓VSUP被提供至負載裝置530,以作為負載裝置的操作電源。另外,電壓偵測器540接收交流輸入電壓VAC,並透過偵測交流輸入電壓VAC有無發生斷電狀態來產生偵測信號PGI。電壓偵測器540提供偵測信號PGI至負載裝置530,負載裝置530可依據偵測信號PGI的電壓值大小來進行功率需求的調整動作,具體來說,當交流輸入電壓VAC發生斷電狀態時,負載裝置530可依據偵測信號PGI進行降載的動作,並提高電容C51所能提供的維持時間。
關於電壓偵測器540的實施細節,在前述的實施例已有詳細的說明,在此恕不多贅述。關於電壓轉換器520的實施細節,電壓轉換器520可以為任意形式,為本領域具通常知識者所熟知的直流轉直流電壓轉換電路,沒有特別的限制。
以下請同步參照圖2、圖5以及圖6,圖6繪示本發明實施例的電子裝置的動作波形圖。在圖6中,當交流輸入電壓VAC未發生被斷電現象而維持正常狀態時,對應產生的處理後電壓PV1的電壓值保持在大於參考電壓VR1的狀態,電壓偵測器200可對應產生具有相對低電壓的比較信號CS,並使發光元件LED1的兩端電壓差VLED1維持在高電壓值。如此一來,發光元件LED1維持發送感應信號IS,並使偵測信號PGI維持在相對高的電壓值。
當交流輸入電壓VAC發生被斷電現象時,對應產生的處理後電壓PV1的電壓值產生逐漸下降的現象。在交流輸入電壓VAC發生被斷電後的維持時間TH1後,當處理後電壓PV1的電壓值小於參考電壓VR1時,電壓偵測器200可對應產生具有相對高電壓的比較信號CS。透過具有相對高電壓的比較信號CS,發光元件LED1的兩端電壓差VLED1降低至低電壓值,並停止發送感應信號IS。如此一來,光電晶體PT1被斷開,並使偵測信號PGI降低為第二參考接地電壓。
透過降低為第二參考接地電壓的偵測信號PGI維持在相對高的電壓值,負載裝置530可以降低功率需求,並在維持時間TH2後,供應電壓VSUP的電壓值才開始發生降低的現象。在此可以得知,透過本發明實施例的電壓偵測器,在交流輸入電壓VAC發生被斷電現象後的維持時間TH1+TH2中,電子裝置500可以維持運作,在沒有設置功率因素修正轉換器的條件下,有效延長維持時間。
附帶一提的,圖6繪示的波形中,橫軸為時間軸t,縱軸則為電壓。
以下請參照圖7,圖7繪示本發明實施例的電壓偵測方法的流程圖。其中,步驟S710中接收交流輸入電壓,針對交流輸入電壓進行整流及濾波動作,以產生處理後電壓;步驟S720則比較處理後電壓與參考電壓以產生比較信號;步驟S730提供具有一次側以及二次側的偵測信號產生器,透過一次側接收比較信號,並依據比較信號以產生感應信號,透過二次側接收感應信號以產生偵測信號,其中,一次側與二次側相互隔離。
關於上述步驟S710~S730的實施細節,在前述的多個實施例中已有詳細的說明,在此恕不多贅述。
綜上所述,本發明提出電壓偵測器,透過在一次測前,進行交流輸入電壓的偵測動作,並在二次測以提供偵測信號至負載裝置。並使負載裝置可依據交流輸入電壓的斷電狀態,來調降功率需求。在不需設置功率因素修正轉換器的前提下,可藉此延長維持時間。
雖然本發明已以實施例揭露如上,然其並非用以限定本發明,任何所屬技術領域中具有通常知識者,在不脫離本發明的精神和範圍內,當可作些許的更動與潤飾,故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
100、200:電壓偵測器 110、210:整流濾波電路 120、220:比較電路 130、230:偵測信號產生器 131:一次側 132:二次側 211:整流電路 212:濾波電路 231:光耦合器 410:電磁干擾濾波器 500:電子裝置 510:整流電路 520:電壓轉換器 530:負載裝置 540:電壓偵測器 C21~C24、C41、C42、C51:電容 CS:比較信號 D1、D2:二極體 FUSE:熔絲 GND1、GND2:參考接地電壓端 IS:感應信號 L1、L:火線端 LED1:發光元件 N1、N:中性線端 OP1:運算放大器 PGI:偵測信號 PT1:光電晶體 PV1:處理後電壓 R21~R27:電阻 S710~S730:電壓偵測步驟 TH1、TH2:維持時間 VA1:類直流電壓 VAC、VACIN:交流輸入電壓 VCC1、VCC:電源電壓 VLED1:電壓差 VR1:參考電壓 VSUP:供應電壓 ZD1、ZD2:基納二極體
圖1繪示本發明一實施例的電壓偵測器的示意圖。 圖2繪示本發明另一實施例的電壓偵測器的電路示意圖。 圖3繪示本發明實施例的濾波器的另一實施方式的示意圖。 圖4繪示本發明實施例的電壓偵測器的部分電路的示意圖。 圖5繪示本發明一實施例的電子裝置的示意圖。 圖6繪示本發明實施例的電子裝置的動作波形圖。 圖7繪示本發明實施例的電壓偵測方法的流程圖。
100:電壓偵測器
110:整流濾波電路
120:比較電路
130:偵測信號產生器
131:一次側
132:二次側
L1:火線端
N1:中性線端
VAC:交流輸入電壓
PV1:處理後電壓
CS:比較信號
IS:感應信號
PGI:偵測信號
VR1:參考電壓

Claims (18)

  1. 一種電壓偵測器,耦接一負載裝置,包括:一整流濾波電路,接收一交流輸入電壓,針對該交流輸入電壓進行整流及濾波動作,以產生一處理後電壓;一比較電路,耦接該整流濾波電路,比較該處理後電壓與一參考電壓以產生一比較信號;以及一偵測信號產生器,具有一一次側以及一二次側,該一次側耦接該比較電路以接收該比較信號,該一次側並依據該比較信號以產生一感應信號,該二次側接收該感應信號以產生一偵測信號,其中,該一次側與該二次側相互隔離,並且該偵測信號做為該負載裝置調整其功率需求之依據。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的電壓偵測器,其中該比較電路包括:一運算放大器,具有一正輸入端以接收該參考電壓,具有一負輸入端以接收該處理後電壓,該運算放大器的輸出端產生該比較信號。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的電壓偵測器,更包括:一參考電壓產生器,耦接該比較電路,用以提供該參考電壓。
  4. 如申請專利範圍第3項所述的電壓偵測器,其中該參考電壓為一基納二極體,該基納二極體的陽極耦接至一參考接地電壓端,該基納二極體的陰極接收一電源電壓。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的電壓偵測器,其中該偵測信號產生器包括:一光耦合器,具有一發光元件以及一光電晶體,其中,該發光元件設置在該一次側,該光電晶體設置在該二次側;以及一第一電阻,耦接在該光電晶體與一參考接地電壓端間,其中該第一電阻與該光電晶體相耦接的端點產生該偵測信號,該發光元件的第一端接收一電源電壓,該發光元件的第二端接收該比較信號。
  6. 如申請專利範圍第5項所述的電壓偵測器,其中當該比較信號為一第一參考接地電壓時,該發光元件產生為光能的該感應信號,該光電晶體依據該感應信號被導通,該偵測信號產生器並產生為一第一電壓的該偵測信號。
  7. 如申請專利範圍第6項所述的電壓偵測器,其中當該比較信號為高於該參考電壓的一第二電壓時,該發光元件停止產生該感應信號,並使該光電晶體被斷開,該偵測信號產生器並產生為一第二參考接地電壓的該偵測信號,其中該第一電壓大於該第二參考接地電壓。
  8. 如申請專利範圍第6項所述的電壓偵測器,其中該偵測信號產生器更包括:一第二電阻,串接在該第一電阻與該光電晶體間;以及一第三電阻,串接在該發光元件與該偵測信號產生器間。
  9. 如申請專利範圍第1項所述的電壓偵測器,其中該整流濾波電路包括:一整流電路,耦接至一火線端以及一中性線端以接收該交流輸入電壓,並針對該交流輸入電壓進行整流以產生一類直流電壓;以及一濾波電路,耦接該整流電路,針對該類直流電壓進行低通濾波動作,並產生該處理後電壓。
  10. 如申請專利範圍第9項所述的電壓偵測器,其中該整流電路包括:一第一二極體,具有陽極耦接至該火線端;以及一第二二極體,具有陽極耦接至該中性線端,其中,該第一二極體與該第二二極體的陰極相互耦接,並產生該類直流電壓。
  11. 如申請專利範圍第9項所述的電壓偵測器,其中該濾波電路包括:一第一電阻,具有第一端接收該類直流電壓;一第二電阻,具有第一端耦接至該第一電阻的第二端,該第二電阻的第二端耦接至一參考接地電壓端;以及一第一電容,耦接在該第二電阻的第一端與該參考接地電壓端間。
  12. 如申請專利範圍第11項所述的電壓偵測器,其中該濾波電路更包括:一第三電阻,串接在該第二電阻耦接該參考接地電壓端的路徑間;以及一第二電容,耦接在該第二電阻的第二端與該參考接地電壓端間。
  13. 如申請專利範圍第1項所述的電壓偵測器,更包括:一電磁干擾濾波器,耦接在該整流濾波電路接收該交流輸入電壓的路徑上。
  14. 一種電子裝置,包括:如申請專利範圍第1項所述的電壓偵測器;以及一負載裝置,耦接該電壓偵測器,該負載裝置接收該偵測信號,並依據該偵測信號以調整一功率需求,其中該負載裝置在該偵測信號指示該交流輸入電壓被斷電時,調降該功率需求。
  15. 如申請專利範圍第14項所述的電子裝置,更包括:一整流電路,接收並針對該交流輸入電壓進行整流,以產生一直流輸入電壓;以及一電壓轉換器,耦接該整流電路,針對該直流輸入電壓執行電壓轉換動作以產生一供應電壓, 其中該供應電壓送至該負載裝置以作為該負載裝置的操作電源。
  16. 一種電壓偵測方法,包括:接收一交流輸入電壓,針對該交流輸入電壓進行整流及濾波動作,以產生一處理後電壓;比較該處理後電壓與一參考電壓以產生一比較信號;提供具有一一次側以及一二次側的一偵測信號產生器,透過該一次側接收該比較信號,並依據該比較信號以產生一感應信號,透過該二次側接收該感應信號以產生一偵測信號,其中,該一次側與該二次側相互隔離;以及提供該偵測信號至一負載裝置,使該負載裝置依據該偵測信號調整一功率需求。
  17. 如申請專利範圍第16項所述的電壓偵測方法,其中提供具有該一次側以及該二次側的該偵測信號產生器,透過該接收該比較信號,依據該比較信號以產生該感應信號,並透過該二次側接收該感應信號以產生該偵測信號的步驟包括:提供具有一發光元件以及一光電晶體的一光耦合器,並使該發光元件設置在該一次側,該光電晶體設置在該二次側;使該發光元件的第一端接收一電源電壓,並使該發光元件的第二端接收該比較信號; 當該比較信號為一第一參考接地電壓時,使該發光元件產生為光能的該感應信號,該光電晶體依據該感應信號被導通,並使該偵測信號產生器並產生為一第一電壓的該偵測信號;以及當該比較信號為高於該參考電壓的一第二電壓時,使該發光元件停止產生該感應信號,使該光電晶體被斷開,並使該偵測信號產生器並產生為一第二參考接地電壓的該偵測信號,其中該第一電壓大於該第二參考接地電壓。
  18. 如申請專利範圍第16項所述的電壓偵測方法,其中該偵測信號用以指示該交流輸入電壓是否被斷電。
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