TWI695053B - 一種高頻高速黏結片及其製法 - Google Patents

Abstract

一種高頻高速黏結片，係包括至少一層介電膠層，其中，該介電膠層係包括第一子介電膠層及第二子介電膠層中之至少一種。本發明之高頻高速黏結片具低吸濕性、高絕緣性、高尺寸安定性、厚度均勻性佳、熱穩定性佳、高Dk及低Df電性之特點，應用於鐳射鑽孔製程時，其鐳射孔不易有內縮問題。本發明復包括該高頻高速黏結片之製法，可以使用正常壓合參數搭配快壓機設備或傳壓機設備，可避免於280℃以上高溫作業。

Description

一種高頻高速黏結片及其製法

本發明係關於線路板用純膠、黏結片及其製備，尤係關於一種高頻高傳輸用黏結片。

隨著資訊技術的飛躍發展，無線通訊已成為生活之必需。無線通訊系統係由發射、接受及天線所組成，其中，該天線是負責電路與空氣中電磁能量值轉換，為通訊系統不可或缺的基本配備。在天線相關的電路設計中，有時會依賴電容或電感等被動元件來進行天線的匹配。為滿足電子產品高功能化、信號傳送高頻高速化的需求，相關設計的主動元件及被動元件必須增加，電路與元件密度勢必增加，此將造成電磁干擾與雜訊增加。為解決此問題，具有高介電常數及低介電損耗之複合式純膠與bondply(又稱黏結膜、黏結片)材料係為此種設計的最佳選擇。

目前市售高頻高速印刷電路板用純膠與bondply，其實現途徑及缺點有：

一、加入低介電常數及低介電損耗的氟系樹脂、環氧樹脂、丙烯酸系樹脂、胺基甲酸酯系樹脂、矽橡膠系樹脂、聚對環二甲苯系樹脂 和雙馬來醯亞胺系樹脂和聚醯亞胺樹脂中的至少一種，其介電常數太低無法符合高頻段(>10G Hz)印刷電路板使用。

二、加入低介電常數及低介電損耗樹脂的純膠與bondply，由於額外添加的粉體不能太多，否則會影響接著強度，所以，應用於下游軟性印刷線路板(FPC)廠鐳射鑽孔制程時，該膠層內縮量將大於10微米，內縮情況較為嚴重。

另外，在FPC製程使用高頻高速材料領域，當前業界主要使用的高頻接著材料較多的為液晶聚合物(LCP)膜。惟該LCP的Dk值約為2.9至3.3，無法達到高Dk之需求。又，該LCP膜亦較為昂貴，且必須要在大於280℃之溫度下才可操作，是以，不能使用快壓機設備，致使加工困難，於高溫壓合後，其FPC之厚度均勻性亦不佳，其不良率高於10%；與其它介面之接著強度亦不佳，其反彈力也較一般樹脂高，係不利於高密度組裝的FPC板。而其它樹脂類薄膜雖無上述問題，但仍面臨電性不佳、接著力過低或機械強度不良等問題。

舉凡於第205105448U號中國專利則提出複合式疊構高頻低介電性膠膜，第205255668U號中國專利則提出低介電性能膠膜，第105295753B號中國專利則提出高頻黏著膠水層結構及其製備方法，但該等專利仍僅是Dk介於2.0至3.5的高頻接著材料，仍無法滿足高Dk之需求(Dk>8.0)。

為了滿足市場對高頻高速可繞性純膠及bondply的需求，本 發明提供了一種高Dk、低Df、高絕緣性、優異的熱穩定性的可繞性高頻高速單層黏結片與複合式的多層黏結片。本發明提供的高頻高速黏結片，可便於FPC工序流程；應用於鐳射鑽孔製程時，其孔徑小於0.05毫米之鐳射孔的內縮量不超過10微米，不易有內縮的狀況；且具低吸濕性、高絕緣性、高尺寸安定性、厚度均勻性佳、優異的熱穩定性、高Dk及低Df等特性、電性更佳，可以使用正常壓合參數搭配快壓機設備或傳壓機設備，避免280度以上的高溫作業，具備厚度高於20密耳之厚膜製作技術的成本優勢。另外，於多層FPC結構中可使用介面更為單純、成本更為低廉之層體，以實現多個FPC間的黏結及疊加，有利於生產多層結構之FPC。

為解決上述技術問題，本發明提供一種高頻高速黏結片，其介電常數(Dk)值為6至100及介電損耗因數(Df)值為0.002至0.020，總厚度小於20密耳，該高頻高速黏結片包括：選自第一子介電膠層及第二子介電膠層中之至少一種的至少一層介電膠層，且該第一子介電膠層及該第二子介電膠層之厚度均為5至75微米，其中，該第一子介電膠層之Dk值為6至30及Df值為0.002至0.020，該第二子介電膠層之Dk值為15至100及Df值為0.002至0.020，且該第二子介電膠層之Dk值大於該第一子介電膠層之Dk值。

於一具體實施態樣中，該高頻高速黏結片復包括5至200微米厚之聚合物層，以在該高頻高速黏結片具有至少兩層之該介電膠層時，使該聚合物層夾設於任二該介電膠層之間。

於一具體實施態樣中，所述之高頻高速黏結片，係選自下列單層結構、三層結構或五層結構之一種：一、該單層結構係由一層該第一子介電膠層所組成； 二、該三層結構係由二層該第一子介電膠層及一層聚合物層所組成，且該聚合物層係位於二層該第一子介電膠層之間；以及三、該五層結構係由二層該第一子介電膠層、二層該第二子介電膠層及一層聚合物層所組成，且該各層依序為第一子介電膠層、第二子介電膠層、聚合物層、第二子介電膠層及第一子介電膠層。

於一具體實施態樣中，所述之高頻高速黏結片復包括二離型層，且該二離型層係分別形成於該芯層之兩表面上，亦即在介電膠層，或介電膠層和聚合物層之疊構之兩表面上。所述之離型層可以是離型膜，其材料為選自聚丙烯、雙向拉伸聚丙烯及聚對苯二甲酸乙二醇酯中之至少一種，也可以是具雙面離型能力的離型膜，又或是離型紙。

於一具體實施態樣中，該第一子介電膠層及該第二子介電膠層之厚度均為15至50微米(μm)，該聚合物層之厚度為5至25微米，且該高頻高速黏結片之總厚度為2至10密耳(mil)。

於另一具體實施態樣中，所述高頻高速黏結片之吸水率為0.01至0.5%，且其接著強度係大於0.8公斤力/釐米(kgf/cm)。

於一具體實施態樣中，該第一子介電膠層及該第二子介電膠層皆包括第一組分和第二組分中之至少一種，且該第一組分之比例係占每一介電膠層總固含量的5至98重量%，該第二組分係占每一介電膠層總固含量的5至80重量%；其中，該第一組分係選自燒結二氧化矽、強介電性陶瓷粉體、導電性粉體、鐵氟龍、不同於鐵氟龍之氟系樹脂及磷系耐燃劑中之至少一種，該第二組分係選自不含氟的聚合物。

所述之第一子介電膠層及所述第二子介電膠層的聚合物皆 係選自鐵氟龍、氟系樹脂、環氧樹脂、丙烯酸系樹脂、胺基甲酸酯系樹脂、矽橡膠系樹脂、聚對環二甲苯系樹脂、雙馬來醯亞胺系樹脂及聚醯亞胺系樹脂中之至少一種，其中，鐵氟龍和氟系樹脂係作為第一組分。

於一具體實施態樣中，該強介電性陶瓷粉體係選自由BaTiO₃、SrTiO₃及Ba(Sr)TiO₃所組成群組中之至少一種，且該強介電性陶瓷粉體之比例總和係占每一介電膠層總固含量的0至90重量%；以及該導電性粉體係選自過渡金屬粉體、過渡金屬的合金粉體、碳黑、碳纖維及金屬氧化物中之至少一種，且該導電性粉體之比例總和係占每一介電膠層總固含量的0至45重量%。

於一具體實施態樣中，該第一子介電膠層中的強介電性陶瓷粉體之比例總和係占該第一子介電膠層總固含量的0至75重量%；該第二子介電膠層中的強介電性陶瓷粉體之比例總和係占該第二子介電膠層總固含量的30至90重量%；該第一子介電膠層中的導電性粉體之比例總和係占該第一子介電膠層總固含量的0至15重量；該第二子介電膠層中的導電性粉體之比例總和係占第二子介電膠層總固含量的0至45重量%。

於一具體實施態樣中，該燒結二氧化矽的比例係占每一介電膠層總固含量的0至45重量%，該鐵氟龍的比例係占每一介電膠層的總固含量的0至45重量%，該氟系樹脂的比例係占每一介電膠層總固含量的0至45重量%，該磷系耐燃劑的比例係占每一介電膠層總固含量的0至45重量%。

於一具體實施態樣中，該聚合物層係為聚醯亞胺(PI)、聚苯乙烯(PS)、聚醯胺(PA)、聚醯胺醯亞胺(PAI)、聚醚醚酮(PEEK)、聚對苯二 甲酸乙二酯(PET)或聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)之聚合物薄膜。

本發明復提供一種高頻高速黏結片之製法，係包括：於一承載體上塗佈並預烘第一子介電膠層的前驅物；將一離型層壓合於經預烘之該第一子介電膠層的前物上，以得一半成品；以及固化該半成品，以得該高頻高速黏結片。

於一具體實施態樣中，該承載體為一離型層。

於一具體實施態樣中，該承載體為一聚合物層；於另一具體實施態樣中，於該半成品固化前，復包括塗佈形成另一第一子介電膠層的前驅物於該半成品之該聚合物層表面上，並經預烘後壓合另一離型層。於又一具體實施態樣中，復包括於塗佈每一該第一子介電膠層前，先塗佈形成並預烘一層第二子介電膠層。

本發明之有益效果係列舉如下：一、本發明的黏結片，不論是單層結構的(即純膠)，還是多層結構的(即bondply)，均包括至少一層具有高Dk和Df的特性的介電膠層，使製得的黏結片不但電性良好，還可以提供晶片間的穩壓，去除高頻干擾，而且具有優異的熱穩定性、尺寸安定性、厚度均勻性佳、超低吸水率及較佳的機械性能、可撓性佳、耐焊錫性高、接著強度佳、操作性良好，並且可以在低溫進行壓合、避免280℃以上的高溫作業，可以使用快壓設備，以及壓合後可使FPC有極佳的平坦性；應用於鐳射鑽孔製備更佳，適用於小於50微米之小孔徑鑽孔加工，且內縮量不超過10微米，不易有內縮狀況；於壓合時膜厚均勻，阻抗控制良好，適用於高頻高速傳輸的多層FPC之間的黏接； 再者，當前塗佈技術最多僅能塗50微米左右厚度的膜，而本發明的黏結片採用聚合物層與至少一層介電膠層間隔疊合的方式，以及每層介電膠層採用塗佈形成的方式，使得該黏結片之厚度範圍廣，尤以不包含離型層之芯層之厚度範圍可達20密耳，且可控性好，具備厚膜製備技術，可輕易得到5密耳以上的黏結片，而且在厚膜的情況下，本發明依然具有高Dk和低Df的特性；再者，由試驗資料可見，本發明之高頻基板之吸水率為0.01至0.5%，具有低吸水率之特點；再者，本發明之第一子介電膠層與其它表面(比如離型層或FPC)之間的接著強度係大於0.8公斤力/釐米(kgf/cm)；二、本發明之多層結構的黏結片係包括聚合物層，且該聚合物層係為聚醯亞胺(PI)或聚苯乙烯(PS)等聚合物薄膜，可以提供以下作用：1)提高黏結片之機械強度；2)提高黏結片的破壞電壓值及防止漏電流；3)提高黏結片之絕緣阻抗；4)提高黏結片之尺寸安定性；4)使得黏結片具有低熱膨脹性；三、本發明之高頻高速黏結片的搭配結構組成簡單，可以節省下游的加工工序，疊加製成多層板時，由於第一子介電膠層本身具有黏性，且接著高強度大於0.8公斤力/釐米(kgf/cm)，僅需要撕除離型層，將待疊加的FPC通過第一導電膠黏接壓合即可，一是製程簡單，易於實現且良品率高；二是由於黏結片本身的較佳的電學特性及機械特性等，使製得之多層FPC也具有較佳的電學特性及機械特性等，滿足高頻高速傳輸的需求。

本發明的上述說明僅是本發明技術方案的概述，為了能夠更清楚瞭解本發明的技術手段，並可依照說明書的內容予以實施，以下以本發明的較佳實施例並配合附圖詳細說明如後。

10‧‧‧芯層

101‧‧‧聚合物層

102‧‧‧第一子介電膠層

103‧‧‧第二子介電膠層

30‧‧‧離型層

透過例示性之參考附圖說明本發明的實施方式：第1圖係本發明之單層結構黏結片的結構示意圖；第2圖係本發明之三層結構黏結片的結構示意圖；第3圖係本發明之五層結構黏結片的結構示意圖；第4圖係比較例之鐳射鑽孔後的金相圖(放大20 x 10倍數)；第5圖係實施例之鐳射鑽孔後的金相圖(放大20 x 10倍數)。

以下係藉由特定的具體實施例說明本發明之實施方式，熟習此技藝之人士可由本說明書所揭示之內容輕易地瞭解本發明之優點及功效。

須知，本說明書所附圖式所繪示之結構、比例、大小等，均僅用以配合說明書所揭示之內容，以供熟悉此技藝之人士之瞭解與閱讀，並非用以限定本發明可實施之限定條件，故不具技術上之實質意義，任何結構之修飾、比例關係之改變或大小之調整，在不影響本發明所能產生之功效及所能達成之目的下，均應仍落在本發明所揭示之技術內容得能涵蓋 之範圍內。同時，本說明書中所引用之如「第一」、「第二」、「下」及「上」亦僅為便於敘述之明瞭，而非用以限定本發明可實施之範圍，例如第一極低介電膠層和第二極低介電膠層僅是為了區別不是同一極低介電膠層，其相對關係之改變或調整，在無實質變更技術內容下，當亦視為本發明可實施之範疇。此外，本文所有範圍和值都係包含及可合併的。落在本文中所述的範圍內之任何數值或點，例如任何整數都可以作為最小值或最大值以導出下位範圍等。

一種高頻高速黏結片，如第1至3圖所示，係包括：具介電常數(Dk)值為6至100及介電損耗因數(Df)值為0.002至0.020且總厚度小於20密耳之芯層10：其中，該芯層10係包括選自第一子介電膠層102及第二子介電膠層103中之至少一種的至少一層介電膠層，且該第一子介電膠層102及該第二子介電膠層103之厚度均為5至75微米；以及該第一子介電膠層102之Dk值為6至30及Df值為0.002至0.020之膠層，該第二子介電膠層103之Dk值為15至100及Df值為0.002至0.020，且該第二子介電膠層103之Dk值大於該第一子介電膠層102之Dk值。

所述之高頻高速黏結片可復包括二離型層30，且該二離型層30係分別形於該芯層10之相對兩表面上。

於一具體實施態樣中，該第一子介電膠層102及該第二子介電膠層103的厚度均為15至50微米(μm)；所述之聚合物層的厚度為5至25微米(μm)，且該芯層的總厚度為2至10密耳(mil)。

本發明復提供一種上述之高頻高速黏結片之製法，係包括：於一承載體上塗佈並預烘第一子介電膠層的前驅物；將一離型層壓合於經 預烘之該第一子介電膠層的前驅物上，即得一半成品；以及固化該半成品，例如於50℃固化21小時後，即得該高頻高速黏結片。

於一具體實施態樣中，該預烘溫度為50至130℃。

於一具體實施態樣中，該承載體為一離型層。

於一具體實施態樣中，該承載體為一聚合物層。於另一具體實施態樣中，於該半成品固化前，復塗佈形成另一第一子介電膠層的前驅物於該半成品之該聚合物層，並經預烘後壓合另一離型層。於又一具體實施態樣中，於塗佈每一第一子介電膠層前，先塗佈形成一層第二子介電膠層並預烘之。

參閱第1圖，係為單層結構黏結片的結構示意圖，其中，該芯層10係由一層第一子介電膠層102所組成，且該第一子介電膠層的表面具有離型層30。

關於上述單層結構的高頻高速黏結片之製法，係包括如下步驟：步驟一、在一離型層30塗佈第一子介電膠層102之前驅物，經烘箱溫度以50至130℃預烘後壓合另一離型層30，即得一半成品；以及步驟二、將該半成品置於50℃下固化21小時後，即得到成品。

參閱第2圖，係為三層結構黏結片的結構示意圖，其中，該芯層10係由二層第一子介電膠層102及一層聚合物層101所組成，且該聚合物層101係位於該二層第一子介電膠層102之間。

關於上述三層結構的高頻高速黏結片之製法，係包括如下步驟： 步驟一、在聚合物層101上塗佈第一子介電膠層102之前驅物，經烘箱溫度以50至130℃預烘後壓合一離型層30，得到第一半成品；步驟二、在該第一半成品的聚合物層101的另一面上也塗佈第一子介電膠層102的前驅物，經烘箱溫度以50至130℃預烘後壓合另一離型層30，得到第二半成品；以及步驟三、將該第二半成品在50℃下固化21小時後得到成品。

參閱第3圖，係為五層結構黏結片的結構示意圖，其中，該芯層10係由二層第一子介電膠層102、二層第二子介電膠層103及一層聚合物層101所組成的芯層，且該各層依序為第一子介電膠層102、第二子介電膠層103、聚合物層101、第二子介電膠層103及第一子介電膠層102。

關於上述五層結構的高頻高速黏結片之製法，係包括如下步驟：步驟一、在聚合物層101上塗佈第二子介電膠層103的前驅物，經烘箱溫度以50至130℃預烘後，得到第一半成品；步驟二、在該第一半成品之第二子介電膠層103的另一面上塗佈第一子介電膠層102的前驅物，經烘箱溫度以50至130℃預烘後壓合一離型層30，得到第二半成品；步驟三、在該第二半成品的聚合物層101的另一面上塗佈第二子介電膠層103的前驅物，經烘箱溫度以50至130℃預烘後，得到第三半成品；步驟四、在該第三半成品的第二子介電膠層103的另一面上塗佈第一子介電膠層102的前驅物，經烘箱以溫度50至130℃預烘後壓合另一離型層30，得到第四半成品； 步驟五、將第四半成品置於50℃下固化21小時後，得到成品。

實施例1：

於離型層塗佈第一子介電膠層之前驅物，形成具25微米厚的第一子介電膠層，其中，該第一子介電膠層之前驅物的組成係如表2所示；將該具塗佈層及離型層之疊層經塗佈烘箱溫度以130℃預烘後壓合另一之離型層，即得一半成品；以及將該半成品置於50℃下固化21小時後，即得到單層結構的高頻高速黏結片成品。

實施例2：

所用之高頻高速黏結片係如同實施例1之方法製備，惟異動該第一子介電膠層之組成如表2及該第一子介電膠層之厚度如表3。

實施例3：

於5微米厚的聚醯亞胺之聚合物層(杜邦，20EN)上塗佈第一子介電膠層之前驅物，形成具25微米厚的第一子介電膠層，其中，該第一子介電膠層之前驅物的組成係如表2所示；將該具塗佈層及離型層之疊層經塗佈烘箱溫度以130℃預烘後壓合一離型層，得到第一半成品。

接著，在該第一半成品的聚合物的另一面上也塗佈第一子介電膠層的前驅物，經塗佈烘箱溫度以50至130℃預烘後壓合另一離型層，得到第二半成品；以及將該第二半成品在50℃下固化21小時後得到三層結構的高頻高速黏結片成品。

實施例4：

所用之高頻高速黏結片係如同實施例3之方法製備，惟異動該第一子介電膠層之組成如表2及該聚合物層(杜邦，100EN)、第一子介電 膠層之厚度如表3。

實施例5：

在7.5微米厚的聚醯亞胺之聚合物層(杜邦，30EN)上塗佈第二子介電膠層的前驅物，形成具25微米厚的第二子介電膠層，其中，該第二子介電膠層之前驅物的組成係如表2所示；經塗佈烘箱溫度以130℃預烘後，得到第一半成品。

接著，在該第一半成品之第二子介電膠層的另一面上塗佈第一子介電膠層的前驅物，形成具15微米厚的第一子介電膠層，其中，該第一子介電膠層之前驅物的組成係如表2所示；並將上述疊層經塗佈烘箱溫度以130℃預烘後壓合一離型層，得到第二半成品。

在該第二半成品的聚合物層的另一面上塗佈上述之第二子介電膠層的前驅物，經塗佈烘箱溫度以130℃預烘後，得到第三半成品。

在該第三半成品的第二子介電膠層的另一面上塗佈上述之第一子介電膠層的前驅物，經塗佈烘箱以溫度130℃預烘後壓合另一離型層，得到第四半成品；以及將第四半成品置於50℃下固化21小時後，得到五層結構的高頻高速黏結片成品。

實施例6：

所用之高頻高速黏結片係如同實施例5之方法製備，惟異動該聚合物層(杜邦，100EN)、第一子介電膠層及第二子介電膠層之厚度如表3。

實施例7：

所用之高頻高速黏結片係如同實施例5之方法製備，惟異動該第一子介電膠層、第二子介電膠層之組成如表2，以及該聚合物層(URABO，PEEK)、第一子介電膠層及第二子介電膠層之厚度如表3。

實施例8：

所用之高頻高速黏結片係如同實施例7之方法製備，惟異動該聚合物層(杜邦，120EN)、第一子介電膠層及第二子介電膠層之厚度如表3。

比較例1：

比較例1之高頻高速黏結片係為具75微米厚的液晶聚合物(LCP)基板(Panasonic R-F705T)。

比較例2：

比較例2之高頻高速黏結片係為具100微米厚的液晶聚合物(LCP)基板(Panasonic R-F705T)。

依據表1之測試方法測試上述實施例1至8及比較例1至3所製之複合式高頻基板的介電常數(Dk)、介電損耗因數(Df)、尺寸安定性、接著強度、表面電阻、體積電阻、擊穿電壓(BV)、導熱係數、整體複合式高頻基板之吸水率、熱膨脹係數(CTE)、焊錫耐熱性、耐燃性及雷射鑽孔之內縮量之性能結果，其結果並呈現如表3。

表2係列出上述實施例所用的第一子介電膠層及第二子介電膠層之前驅物組成，其中，該聚合物柔軟劑1、2均為聚醯亞胺系樹脂，且該聚合物柔軟劑1係選購自武漢志晟科技之PI3004，該聚合物柔軟劑2係選購自沁陽天益化工之TY005；該聚合物分散劑1、2均為丙烯酸系樹脂，且 該聚合物分散劑1係選購自日本三菱之BR-113，該聚合物分散劑2係選購自深圳市吉田化工之E0518；硬化劑和催化劑屬介電膠層之其他成分，且該硬化劑係選購自萬千化學品有限公司之M-50，該催化劑係選購自萬千化學品有限公司之TC-DMP-30。

由表3可知，本發明的高頻高速黏結片具有極佳的高速傳輸性、低熱膨脹係數、厚度均勻性佳、容易達成高厚度絕緣層、高Dk、低Df性能、超低吸水率，可以去除高頻段的雜訊干擾，有益於晶片間的穩壓，特別適用於高頻高速傳輸FPC領域，比如汽車雷達、全球定位衛星天線、蜂窩電信系統、無線通訊天線、資料鏈接電纜系統、直播衛星、電源背板等。

此外，第4圖及第5圖係分別代表比較例及實施例之鐳射鑽孔後的金相圖。從表3及第4、5圖之高頻高速黏結片可以看出，比較例之高頻高速黏結片於鐳射鑽孔製程時，其鐳射孔產生0.0105毫米的內縮，而本發明的高頻高速黏結片於鐳射鑽孔製程時，其鐳射孔僅有0.0064毫米內縮，由此可見，本發明的高頻高速黏結片之鐳射孔不易有內縮問題，尤其是小孔徑之鐳射孔，其孔的邊緣整齊、美觀。

上述實施例僅為例示性說明，而非用於限制本發明。任何熟習此項技藝之人士均可在不違背本發明之精神及範疇下，對上述實施例進行修飾與改變。因此，本發明之權利保護範圍係由本發明所附之申請專利範圍所定義，只要不影響本發明之效果及實施目的，應涵蓋於此公開技術內容中。

10‧‧‧芯層

102‧‧‧第一子介電膠層

30‧‧‧離型層

Claims (13)

1. 一種高頻高速黏結片，其介電常數(Dk)值為6至100及介電損耗因數(Df)值為0.002至0.020，總厚度小於20密耳，且該高頻高速黏結片係包括：選自第一子介電膠層及第二子介電膠層中之至少一種的至少一層介電膠層，且該第一子介電膠層及該第二子介電膠層之厚度均為5至75微米，其中，該第一子介電膠層之Dk值為6至30及Df值為0.002至0.020，該第二子介電膠層之Dk值為15至100及Df值為0.002至0.020，且該第二子介電膠層之Dk值大於該第一子介電膠層之Dk值。
2. 如申請專利範圍第1項所述之高頻高速黏結片，復包括5至200微米厚之聚合物層，以在該高頻高速黏結片具有至少兩層之該介電膠層時，使該聚合物層夾設於任二該介電膠層之間。
3. 如申請專利範圍第1項所述之高頻高速黏結片，係選自下列單層結構、三層結構或五層結構之一種：該單層結構係由一層該第一子介電膠層所組成；該三層結構係由二層該第一子介電膠層及一層該聚合物層所組成，且該聚合物層係位於二層該第一子介電膠層之間；以及該五層結構係由二層該第一子介電膠層、二層該第二子介電膠層及一層該聚合物層所組成，且該五層結構之各層依序為該第一子介電膠層、第二子介電膠層、聚合物層、第二子介電膠層及第一子介電膠層。
4. 如申請專利範圍第2項所述之高頻高速黏結片，其中，該第一子介電膠層及該第二子介電膠層之厚度均為15至50微米(μm)，該聚合物層 之厚度為5至25微米，且該高頻高速黏結片之總厚度為2至10密耳(mil)。
5. 如申請專利範圍第2項所述之高頻高速黏結片，其中，該第一子介電膠層及該第二子介電膠層皆包括第一組分和第二組分中之至少一種，其中，該第一組分係選自燒結二氧化矽、強介電性陶瓷粉體、導電性粉體、鐵氟龍、不同於鐵氟龍之氟系樹脂及磷系耐燃劑中之至少一種，且該第一組分之比例係占每一介電膠層總固含量的5至98重量%，以及該第二組分係選自不含氟的聚合物，該第二組分係占每一介電膠層總固含量的5至80重量%。
6. 如申請專利範圍第5項所述之高頻高速黏結片，其中，該強介電性陶瓷粉體係選自由BaTiO₃、SrTiO₃及Ba(Sr)TiO₃所組成群組中之至少一種，且該強介電性陶瓷粉體之比例總和係占每一介電膠層總固含量的0至90重量%；以及該導電性粉體係選自過渡金屬粉體、過渡金屬的合金粉體、碳黑、碳纖維及金屬氧化物中之至少一種，且該導電性粉體之比例總和係占每一介電膠層總固含量的0至45重量%。
7. 如申請專利範圍第6項所述之高頻高速黏結片，其中，該第一子介電膠層中的強介電性陶瓷粉體之比例總和係占該第一子介電膠層總固含量的0至75重量%，且該第二子介電膠層中的強介電性陶瓷粉體之比例總和係占該第二子介電膠層總固含量的30至90重量%；以及該第一子介電膠層中的導電性粉體之比例總和係占該第一子介電膠層總固含量的0至15重量，且該第二子介電膠層中的導電性粉體之比例總和係占第二子介電膠層總固含量的0至45重量%。
8. 如申請專利範圍第5項所述之高頻高速黏結片，其中，該燒結二氧化矽的比例係占每一介電膠層總固含量的0至45重量%，該鐵氟龍的比例係占每一介電膠層的總固含量的0至45重量%，該氟系樹脂的比例係占每一介電膠層總固含量的0至45重量%，且該磷系耐燃劑的比例係占每一介電膠層總固含量的0至45重量%。
9. 一種製備如申請專利範圍第1項所述之高頻高速黏結片之製法，係包括：於一承載體上塗佈並預烘第一子介電膠層的前驅物；將一離型層壓合於經預烘之該第一子介電膠層的前驅物上，以得一半成品；以及固化該半成品，以得該高頻高速黏結片。
10. 如申請專利範圍第9項所述之高頻高速黏結片之製法，其中，該承載體為一離型層。
11. 如申請專利範圍第9項所述之高頻高速黏結片之製法，其中，該承載體為一聚合物層。
12. 如申請專利範圍第11項所述之高頻高速黏結片之製法，復包括於該半成品固化前，塗佈形成另一第一子介電膠層的前驅物於該半成品之該聚合物層表面上，並經預烘後壓合另一離型層。
13. 如申請專利範圍第12.項所述之高頻高速黏結片之製法，復包括於塗佈每一該第一子介電膠層前，先塗佈形成並預烘一層第二子介電膠層。

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