TWI694335B - 轉接組件及記憶卡裝置 - Google Patents

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Abstract

一種轉接組件及記憶卡裝置，轉接組件及記憶卡裝置皆包含有殼體及電路板，電路板設置有電連接插槽及電插接結構，電連接插槽能提供符合M.2介面規範的記憶卡插設，電連接結構能與提供符合M.3介面規範的記憶卡插設的外部電插槽相互插接，電路板上還設置有處理模組，其能轉換輸入轉接組件或記憶卡裝置的電壓，以提供插設於電連接插槽的符合M.2介面規範的記憶卡所需的電力。轉接組件及記憶卡裝置還具有熱插拔的功能。使用者利用轉接組件及記憶卡裝置，即可使提供符合M.3介面規範的記憶卡插設的電連接槽，能電性連接符合M.2介面規範的記憶卡，而可對M.2介面規範的記憶卡進行資料讀寫作業。

Description

轉接組件及記憶卡裝置
本發明涉及一種轉接組件及記憶卡裝置，特別是一種能插接於提供符合M.3介面規範的記憶卡插設的電連接槽中的轉接組件及記憶卡裝置。
M.3介面規範是目前三星公司(Samsung)極力推展的高速固態硬碟(Solid State Disk,SSD)的新介面規範，目前主要是應用於企業級的伺服器中。此M.3介面規範的相關連接埠與現有的M.2介面規範的相關連接埠基本上不相容。但，目前較為流通的高速固態硬碟為符合M.2介面規範的固態硬碟，因此，對於相關技術人員而言，如何使現有符合M.2介面規範的固態硬碟與M.3介面規範的相關連接埠相容，成為了重要的課題。
緣此，本發明人乃潛心研究並配合學理的運用，而提出一種設計合理且有效改善上述問題的本發明。
本發明的主要目的在於提供一種轉接組件及記憶卡裝置，用以改善現有技術中，符合M.2介面規範的記憶卡無法直接與用以提供符合M.3介面規範的記憶卡插設的電連接槽插接的問題。
為了實現上述目的，本發明提供一種轉接組件，其包含：一殼體、一電連接插槽、一電插接結構及一電路板。殼體的一端形成有一開口。電連接插槽設置殼體中，電連接插槽對應露出於開口，電連接插槽用以提供符合M.2(NGFF)介面規範的記憶卡電性插 接；符合M.2(NGFF)介面規範的記憶卡能通過開口，而與電連接插槽電性連接。電插接結構的部份外露於殼體，且外露於殼體的電插接結構對應位於殼體相反於形成有開口的一端；電插接結構能插設於提供符合M.3(NGSFF)介面規範的記憶卡插設的一外部電插槽。電路板設置有一處理模組，電路板設置於殼體中，電連接插槽及電插接結構設置於電路板，處理模組電性連接電連接插槽及電插接結構。其中，當符合M.2(NGFF)介面規範的記憶卡插接於電連接插槽，且電插接結構插設於外部電插槽時，處理模組能將外部電插槽輸入的電壓轉換至符合M.2(NGFF)介面規範的記憶卡所需的電壓。
為了實現上述目的，本發明還提供一種記憶卡裝置，其能插設於提供符合M.3(NGSFF)介面規範的記憶卡插設的一外部電插槽，記憶卡裝置包含：一記憶卡、一殼體、一電連接插槽、一電連接結構及一電路板。記憶卡符合M.2(NGFF)介面規範。殼體的一端形成有一開口。電連接插槽設置殼體中，電連接插槽對應露出於開口，電連接插槽用以提供記憶卡插接。電插接結構的部份外露於殼體，且外露於殼體的電插接結構對應位於殼體相反於形成有開口的一端；電插接結構能插接於外部電插槽。電路板設置有一處理模組，電路板設置於殼體中，電連接插槽及電插接結構設置於電路板，處理模組電性連接電連接插槽及電插接結構。其中，當符合記憶卡插接於電連接插槽，且電插接結構插設於外部電插槽時，處理模組能將外部電插槽輸入的電壓轉換至記憶卡所需的電壓。
本發明的有益效果可以在於：使用者可以利用轉接組件及記憶卡裝置，而使符合M.2(NGFF)介面規範的記憶卡，與用以提供符合M.3(NGSFF)介面規範的記憶卡插設的電連接槽插接電性連接，即，使用者利用轉接組件及記憶卡裝置，即可使提供符合M.3(NGSFF)介面規範的記憶卡插設的電連接槽，能電性連接符合 M.2(NGFF)介面規範的記憶卡，而可對M.2(NGFF)介面規範的記憶卡進行資料讀寫作業。
為使能更進一步瞭解本發明的特徵及技術內容，請參閱以下有關本發明的詳細說明與附圖，然而所附圖式僅提供參考與說明用，並非用來對本發明加以限制者。
S:記憶卡裝置
1:轉接組件
10:殼體
10a:開口
101:容置槽
102:露出口
11:電路板
111:供電電路
112:斷電控制電路
12:電連接插槽
121:第一腳位
122:第二腳位
13:電插接結構
131:第一偵測腳位
132:第二偵測腳位
14:處理模組
141:電壓轉換單元
142:熱插拔單元
2:記憶卡
M1:外部電路板
M2:外部電插槽
M3:熱插拔電路
圖1為本發明的轉接組件的示意圖；亦為本發明的記憶卡裝置的分解示意圖。
圖2為本發明的轉接組件與符合M.2介面規範的記憶卡相互插接的示意圖；亦為本發明的記憶卡裝置的組裝示意圖。
圖3為本發明的轉接組件與符合M.2介面規範的記憶卡相互插接的另一實施例的示意圖；亦為本發明的記憶卡裝置的另一實施例的組裝示意圖。
圖4為本發明的轉接組件的又一實施例的示意圖；亦為本發明的記憶卡裝置的又一實施例的組裝示意圖。
圖5為本發明的轉接組件的方塊示意圖；亦為本發明的記憶卡裝置的方塊示意圖。
圖6為本發明的轉接組件的另一實施例的方塊示意圖；亦為本發明的記憶卡裝置的另一實施例的方塊示意圖。
圖7為本發明的轉接組件插設於外部電路板的外部電插槽的局部電路連接示意圖。
以下係藉由特定的具體實例說明本發明之轉接組件及記憶卡裝置的實施方式，熟悉此技術之人士可由本說明書所揭示之內容輕易地瞭解本發明之其他優點與功效。本發明亦可藉由其他不同的具體實例加以施行或應用，本說明書中的各項細節亦可基於不同觀點與應用，在不悖離本發明之精神下進行各種修飾與變更。又本發明之圖式僅為簡單說明，並非依實際尺寸描繪，亦即未反 應出相關構成之實際尺寸，先予敘明。以下之實施方式係進一步詳細說明本發明之觀點，但並非以任何觀點限制本發明之範疇。
請一併參閱圖1及圖2，其為本發明的轉接組件的示意圖。如圖所示，轉接組件1包含有一殼體10、一電路板11、一電連接插槽12、一電插接結構13及一處理模組14。殼體10的一端形成有一開口10a。電路板11固定設置於殼體10中，電路板11上設置有電連接插槽12、電插接結構13及處理模組14。設置於電路板11上的電連接插槽12是對應露出於殼體10的開口10a，而相關記憶卡則能通過開口10a而插接於電連接插槽12中。殼體10形成有開口10a的一端還可以是對應內凹形成有一容置槽101。
電連接插槽12及電插接結構13可以設置於電路板11彼此相反的兩端，但不以此為限，在不同的實施例中，電連接插槽12及電插接結構13也可以是設置於電路板11彼此相連的兩側。電連接插槽12用以提供符合M.2(NGFF)介面規範的記憶卡2插設，電連接插槽12的型式可以是依據需求，為B Key型式、M Key型式或B+M Key型式等，於此不加以限制。另外，電連接插槽12還可以是具有限位(防呆)結構，以限制符合M.2介面規範的記憶卡2僅能以特定的方式，插設於電連接插槽12中。其中，M.2(NGFF)介面規範即為英特爾(Intel)公司所制訂的相關規格(例如包含電氣層及硬體層等相關規格)。
在實際實施中，形成容置槽101的側壁，將可導引符合M.2介面規範的記憶卡2正確地與電連接插槽12相互插接。如圖2所示，符合M.2介面規範的記憶卡2與電連接插槽12相互插接時，符合M.2介面規範的記憶卡2的部份可以是對應外露於轉接組件1外，但不以此為限。如圖3所示，在不同的實施例中，容置槽101的深度可以大致與符合M.2介面規範的記憶卡2長度相同，而符合M.2介面規範的記憶卡2與電連接插槽12相互插接時，符合M.2介面規範的記憶卡2的整體將對應被容置於容置槽101 中。另外，在圖3所示的實施態樣中，殼體10可以是具有使容置槽101與外連通的露出口102，該露出口102可以是與開口10a相互連通，而使用者將符合M.2介面規範的記憶卡2設置於容置槽101中時，將可以透過露出口102觀看符合M.2介面規範的記憶卡2所標示的相關資訊。當然，在不同的應用中，殼體10也可以是不具有露出口102，而僅具有容置槽101。在另一實施例中，殼體10的一端也可是僅具有開口10a，而電連接插槽12則大致鄰近於開口10a設置。
電插接結構13的至少一部份外露於殼體10，且外露於殼體10的電插接結構13對應位於殼體10相反於形成有開口10a的一端。在實際應用中，電插接結構13可以是與電路板11一體成型地設置，但不以此為限。電插接結構13的形式可以是依據需求為B Key型式、M Key型式等，於此不加以限制。電插接結構13能插設於用以提供符合M.3(NGSFF)介面規範的記憶卡插設的一外部電插槽(例如是固定設置於電腦主板中或是伺服器主板中)。其中，M.3介面規範即為三星電子(Samsung)公司所制訂的相關規格。
處理模組14設置於電路板11，處理模組14電性連接電連接插槽12的各腳位及電插接結構13的各腳位，而處理模組14用以處理及傳遞來自外部電插槽所傳遞的訊號至插設於電連接插槽12的符合M.2介面規範的記憶卡。在具體實施中，處理模組14可以是微處理器。
當符合M.2介面規範的記憶卡2插接於所述電連接插槽12，且電插接結構13插設於外部電插槽時，處理模組14能將外部電插槽輸入的電壓轉換至符合M.2介面規範的記憶卡所需的電壓。具體來說，外部電插接槽所輸入的電壓為12伏特，而處理模組14能將其轉換為3.3伏特，以供符合M.2介面規範的記憶卡使用。
特別說明的是，本發明的轉接組件1的殼體10所具有的開口10a及容置槽101的形式，可依據需求設計，不侷限於圖2及圖3 所示的型態。舉例來說，如圖4所示，在不同的應用中，殼體10的容置槽101可以是與外連通，且容置槽101的寬度可以是略大於符合M.2介面規範的記憶卡2的寬度，殼體10於開口10a的兩側還可以是對應設置有相關的卡扣結構(例如彈片、彈性凸點、凸點等)。當使用者欲將符合M.2介面規範的記憶卡2與殼體10中的電連接插槽12相互插接前，使用者可以是先將符合M.2介面規範的記憶卡2的部份壓入容置槽101中，此時，設置於容置槽101中的相關卡扣結構，將可使符合M.2介面規範的記憶卡2穩定地設置於容置槽101中，而後使用者可再將已位於容置槽101中的符合M.2介面規範的記憶卡2向電連接插槽12方向推抵，據以使符合M.2介面規範的記憶卡2與電連接插槽12相互電性插接。在另一容置槽101與外連通的實施例中，殼體10還可以是具有可活動地的一蓋體，其可被操作而選擇性地遮蔽容置槽101，據以限制已設置於容置槽101中的符合M.2介面規範的記憶卡2。
請一併參閱圖5及圖6，其為本發明的轉接組件1的方塊示意圖。如圖所示，處理模組14可以包含有一電壓轉換單元141、一熱插拔單元142，電路板11還設置有一供電電路111及一斷電控制電路112。電壓轉換單元141用以將電連接插槽12所輸入的電壓，轉換為符合M.2介面規範的記憶卡所需的電壓。熱插拔單元142電性連接電插接結構13，熱插拔單元142能確保轉接組件1與通電的外部電插槽相互插接時，轉接組件1能正常工作，且熱插拔單元142亦能確保轉接組件1在與外部電插槽電性連接的情況下被拔除時，插設於轉接組件1上符合M.2介面規範的記憶卡2不受影響。也就是說，熱插拔單元142能避免符合M.2介面規範的記憶卡2，在轉接組件1突然地被拔離通電的外部電插槽時，受到突波、過電壓或是過電流等影響，且熱插拔單元142能讓使用者在外部電插槽通電時，直接使電插接結構13插接於外部電插槽，而轉接組件1能直接工作。在實際應用中，熱插拔單元142 可以是包含有電子熔絲(eFuse)的電路保護器，但不以此為限；電壓轉換單元141則可以是降壓變換器(Buck Converter)。
供電電路111可以是電性連接電插接結構13(如圖2所示)的供電腳位。斷電控制電路112電性連接電插接結構13(如圖2所示)的斷電指示腳位(Power Disable Feature,PWDIS)，而使用者可以透過斷電控制電路112以切斷插接於電連接插槽12上符合M.2介面規範的記憶卡2的電力，或者使插接於電連接插槽12上符合M.2介面規範的記憶卡2進入睡眠狀態。
在實際應用中，電壓轉換單元141、熱插拔單元142、供電電路111及斷電控制電路112的彼此間的電性連接方式，可以是依據需求設計。舉例來說，如圖5所示，電壓轉換單元141可以是電性連接供電電路111、斷電控制電路112及熱插拔單元142，而熱插拔單元142可以是電性連接及電連接插槽12，而插設於電連接插槽12中符合M.2介面規範的記憶卡2所需的電力則是來自於熱插拔單元142提供；如圖6所示，在另一實施例中，熱插拔單元142電性連接供電電路111及斷電控制電路112；電壓轉換單元141電性連接熱插拔單元142及電連接插槽12，而插設於電連接插槽12中符合M.2介面規範的記憶卡2所需的電力則是來自於電壓轉換單元141提供。透過如圖5及圖6所示的電性連接方式，當斷電控制電路112切斷插接於電連接插槽12上符合M.2介面規範的記憶卡2的電力，或者使插接於電連接插槽12上符合M.2介面規範的記憶卡2進入睡眠狀態時，熱插拔單元142及電壓轉換單元141的電力將同時被切斷，而可達到省電的效果。
請復參圖1至圖3，其為本發明的記憶卡裝置S的示意圖。如圖所示，記憶卡裝置S包含有一記憶卡2及一轉接組件1。轉接組件1包含有一殼體10、一電路板11、一電連接插槽12、一電插接結構13及一處理模組14。記憶卡2為符合M.2介面規範的記憶卡。關於轉接組件1的詳細說明，與前述實施例相同，於此不再 贅述。
特別說明的是，上述符合M.2介面規範的記憶卡在實際應用中，可以依據需求選擇所需的通訊介面(例如PCIe、SATA)，上述符合M.2介面規範的記憶卡2及電連接插槽12不侷限特定的通訊介面。
請參閱圖7，其顯示為本發明的轉接組件的另一實施例的電路連接示意圖。如圖所示，轉接組件1的電插接結構13包含有多個腳位(圖未示)，其中兩個腳位分別定義為一第一偵測腳位131及一第二偵測腳位132。其中，轉接組件1在未設置有符合M.2介面規範的記憶卡2的狀態下，插接於一外部電路板M1的符合M.3介面規範的一外部電插槽M2時，第一偵測腳位131及第二偵測腳位132將呈現為斷路狀態。符合M.2介面規範的記憶卡2插設於電連接插槽12時，第一偵測腳位131與第二偵測腳位132對應與符合M.2介面規範的記憶卡2的一第一腳位121及一第二腳位122相互電性連接；其中，符合M.2介面規範的記憶卡2的第一腳位121及第二腳位122是彼此相互電性連接。
當轉接組件1的電連接插槽12插設有符合M.2介面規範的記憶卡2，且轉接組件1插設於外部電路板M1的符合M.3介面規範的外部電插槽M2時，外部電路板M1的一熱插拔電路M3，將與第一偵測腳位131、第一腳位121、第二腳位122及第二偵測腳位132共同形成一偵測迴路。換言之，轉接組件1插接於外部電路板M1的外部電插槽M2時，第一偵測腳位131及第二偵測腳位132能透過符合M.2介面規範的記憶卡2彼此相互電性連接，即，第一偵測腳位131及第二偵測腳位132能對應呈現為相互導通的狀態。
當轉接組件1插接於外部電路板M1的外部電插槽M2，且符合M.2介面規範的記憶卡2突然被拔離轉接組件1的電連接插槽12時，第一偵測腳位131與第二偵測腳位132將由導通狀態轉換 為斷路狀態。此時，外部電路板M1的相關處理器，將可據以得知符合M.2介面規範的記憶卡2已被拔離所述轉接組件1，而處理器將可對應執行相對應的動作。
相對地，當插接有符合M.2介面規範的記憶卡2的轉接組件1，突然被拔離外部電路板M1的外部電插槽M2時，所述偵測迴路將由導通狀態轉換為斷路狀態，此時，外部電路板M1的處理器將可據以得知轉接組件1已被拔離外部電路板M1，外部電路板M1的處理器則可據以執行相對應的動作。
如下表所示，其顯示為本發明的轉接組件1的電插接結構13的具體腳位定義。其中，表中所示第67位腳位(PRSNT1#)及第6位腳位(PRSNT2#)，即為前述實施例所述第一偵測腳位131及第二偵測腳位132。
Figure 107109070-A0101-12-0009-1
Figure 107109070-A0101-12-0010-2
以上所述僅為本發明的較佳可行實施例，非因此侷限本發明的專利範圍，故舉凡運用本發明說明書及圖式內容所做的等效技術變化，均包含於本發明的保護範圍內。
S‧‧‧記憶卡裝置
1‧‧‧轉接組件
10‧‧‧殼體
10a‧‧‧開口
101‧‧‧容置槽
11‧‧‧電路板
12‧‧‧電連接插槽
13‧‧‧電插接結構
14‧‧‧處理模組
2‧‧‧記憶卡

Claims (8)

  1. 一種轉接組件，其包含：一殼體，其一端形成有一開口；一電連接插槽，其設置所述殼體中，所述電連接插槽對應露出於所述開口中，所述電連接插槽用以提供符合M.2介面規範的記憶卡電性插接；符合M.2介面規範的記憶卡能通過所述開口而與所述電連接插槽電性連接；一電插接結構，所述電插接結構的部份外露於所述殼體，且外露於所述殼體的電插接結構對應位於所述殼體相反於形成有所述開口的一端；所述電插接結構能插設於提供符合M.3介面規範的記憶卡插設的一外部電插槽；以及一電路板，其設置有一處理模組，所述電路板設置於所述殼體中，所述電連接插槽及所述電插接結構設置於所述電路板，所述處理模組電性連接所述電連接插槽及所述電插接結構；其中，當符合M.2介面規範的記憶卡插接於所述電連接插槽，且所述電插接結構插設於所述外部電插槽時，所述處理模組能將所述外部電插槽輸入的電壓轉換至符合M.2介面規範的記憶卡所需的電壓；其中，所述殼體於具有所述開口的一端內凹形成有一容置槽，形成所述容置槽的側壁，能導引符合M.2介面規範的記憶卡正確地與所述電連接插槽相互插接；所述電插接結構包含有多個腳位，其中兩個所述腳位定義為一第一偵測腳位及一第二偵測腳位，符合M.2介面規範的記憶卡插設於所述電連接插槽時，所述第一偵測腳位及所述第二偵測腳位對應與符合M.2介面規範的記憶卡的彼此相互電性連接的兩腳位相互電性連接；當未設置有符合M.2介面規 範的記憶卡的所述轉接組件插設於一外部電路板的所述外部電插槽時，所述轉接組件的所述第一偵測腳位與所述第二偵測腳位呈現為斷路狀態；當插設有符合M.2介面規範的記憶卡的所述轉接組件插設於所述外部電路板時，所述外部電路板的一熱插拔電路將與所述第一偵測腳位、符合M.2介面規範的記憶卡的兩個彼此相互電性連接的兩腳位及所述第二偵測腳位共同形成一偵測迴路；當所述記憶卡在所述偵測迴路呈現為導通狀態下被拔離所述轉接組件時，所述偵測迴路將由導通狀態轉換為斷路狀態。
  2. 如請求項1所述的轉接組件，其中，所述電路板還設置有一熱插拔單元，所述熱插拔單元電性連接所述電插接結構，所述熱插拔單元能確保所述轉接組件與通電的所述外部電插槽相互插接時，所述轉接組件能正常工作，且所述熱插拔單元亦能確保所述轉接組件在與所述外部電插槽電性連接的情況下被拔除時，插設於所述轉接組件上符合M.2介面規範的記憶卡不受影響。
  3. 如請求項2所述的轉接組件，其中，所述電路板還設置有一供電電路、一斷電控制電路及一電壓轉換單元，所述供電電路電性連接所述電插接結構的供電腳位；所述斷電控制電路電性連接所述電插接結構的斷電指示腳位；所述電壓轉換單元電性連接所述供電電路、所述斷電控制電路及所述熱插拔單元，所述電壓轉換單元能將由所述供電電路輸入的電壓轉換至符合M.2介面規範的記憶卡所需的電壓；所述熱插拔單元電性連接及所述電連接插槽，而插設於所述電連接插槽中符合M.2介面規範的記憶卡所需的電力是來自於所述熱插拔單元提供。
  4. 如請求項2所述的轉接組件，其中，所述電路板還設置有一 供電電路、一斷電控制電路及一電壓轉換單元，所述供電電路電性連接所述電插接結構的供電腳位；所述斷電控制電路電性連接所述電插接結構的斷電指示腳位；所述熱插拔單元電性連接所述供電電路及所述斷電控制電路；所述電壓轉換單元電性連接所述熱插拔單元及所述電連接插槽，所述電壓轉換單元能將所述供電電路輸入的電壓轉換至符合M.2介面規範的記憶卡所需的電壓；插設於所述電連接插槽中符合M.2介面規範的記憶卡所需的電力是來自於所述電壓轉換單元提供。
  5. 一種記憶卡裝置，其能插設於提供符合M.3介面規範的記憶卡插設的一外部電插槽，所述記憶卡裝置包含：一記憶卡，其符合M.2介面規範；以及一轉接組件，其包含：一殼體，其一端形成有一開口；一電連接插槽，其設置所述殼體中，所述電連接插槽對應露出於所述開口，所述電連接插槽用以提供所述記憶卡插接；一電插接結構，所述電插接結構的部份外露於所述殼體，且外露於所述殼體的電插接結構對應位於所述殼體相反於形成有所述開口的一端；所述電插接結構能插接於所述外部電插槽；及一電路板，其設置有一處理模組，所述電路板設置於所述殼體中，所述電連接插槽及所述電插接結構設置於所述電路板，所述處理模組電性連接所述電連接插槽及所述電插接結構；其中，當符合所述記憶卡插接於所述電連接插槽，且所述電插接結構插設於所述外部電插槽時，所述處理模組能將所 述外部電插槽輸入的電壓轉換至所述記憶卡所需的電壓；其中，所述殼體於具有所述開口的一端內凹形成有一容置槽，形成所述容置槽的側壁，能導引所述記憶卡正確地與所述電連接插槽相互插接；所述電插接結構包含有多個腳位，其中兩個所述腳位定義為一第一偵測腳位及一第二偵測腳位；所述記憶卡包含有一第一腳位及一第二腳位，所述第一腳位與所述第二腳位電性連接；當未設置有所述記憶卡的所述轉接組件插設於一外部電路板的所述外部電插槽時，所述轉接組件的所述第一偵測腳位與所述第二偵測腳位呈現為斷路狀態；當插設有所述記憶卡的所述轉接組件插設於所述外部電路板時，所述外部電路板的一熱插拔電路將與所述第一偵測腳位、所述第一腳位、所述第二腳位及所述第二偵測腳位共同形成一偵測迴路；當所述記憶卡在所述偵測迴路呈現為導通狀態下被拔離所述轉接組件時，所述偵測迴路將由導通狀態轉換為斷路狀態。
  6. 如請求項5所述的記憶卡裝置，其中，所述電路板還設置有一熱插拔單元，所述熱插拔單元電性連接所述電插接結構，所述熱插拔單元能確保所述記憶卡裝置與通電的所述外部電插槽相互插接時，所述記憶卡能正常工作，且所述熱插拔單元亦能確保所述記憶卡裝置在與所述外部電插槽電性連接的情況下被拔除時，所述記憶卡不受影響。
  7. 如請求項6所述的記憶卡裝置，其中，所述電路板還設置有一供電電路、一斷電控制電路及一電壓轉換單元，所述供電電路電性連接所述電插接結構的供電腳位；所述斷電控制電路電性連接所述電插接結構的斷電指示腳位；所述電壓轉換單元電性連接所述供電電路、所述斷電控制電路及所述熱插拔單元，所述電壓轉換單元能將由所述供電電路輸入的電壓 轉換至所述記憶卡所需的電壓；所述熱插拔單元電性連接及所述電連接插槽，而插設於所述電連接插槽中的所述記憶卡所需的電力是來自於所述熱插拔單元提供。
  8. 如請求項6所述的記憶卡裝置，其中，所述電路板還設置有一供電電路、一斷電控制電路及一電壓轉換單元，所述供電電路電性連接所述電插接結構的供電腳位；所述斷電控制電路電性連接所述電插接結構的斷電指示腳位；所述熱插拔單元電性連接所述供電電路及所述斷電控制電路；所述電壓轉換單元電性連接所述熱插拔單元及所述電連接插槽，所述電壓轉換單元能將所述供電電路輸入的電壓轉換至所述記憶卡所需的電壓；插設於所述電連接插槽中的所述記憶卡所需的電力是來自於所述電壓轉換單元提供。
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