TWI689742B - 用以偵測光斑位置之方法及裝置 - Google Patents

用以偵測光斑位置之方法及裝置 Download PDF

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Abstract

一種用以偵測光斑位置之方法。方法包括以下步驟。首先，致能數條主光感測像素，各主光感測像素包括數個次光感測像素。然後，依據各主光感測像素所接收到的第一感測值，判斷一光斑位於此些主光感測像素的一區域。然後，禁能區域外的此些次光感測像素。然後，依據未受到禁能之此些次光感測像素所接收到的第二感測值，取得光斑的一位置。

Description

用以偵測光斑位置之方法及裝置
本揭露是有關於一種用以偵測光斑位置之方法及裝置。
一般來說，測距裝置係發出量測光至待測物。量測光自待測物反射至測距裝置的光感測器，測距裝置依據光感測器的光斑位置計算待測物與測距裝置之間的距離。當所計算的光斑位置愈精準，測距裝置所測之距離值也會愈精準。因此，如何提高光斑位置的偵測精準度是本技術領域業者努力的方向之一。
本揭露一實施例提出一種用以偵測光斑位置之方法。方法包括以下步驟。致能數條主光感測像素，各主光感測像素包括數個次光感測像素；依據各主光感測像素所接收到的一第一感測值，判斷一光斑位於此些主光感測像素的一區域；禁能區域外的此些次光感測像素；以及，依據未受到禁能之此些次光感測像素所接收到的一第二感測值，取得光斑的一位置。
本揭露另一實施例提出一種方法，係應用於一測距裝置之測距方法。測距裝置包括一光源及一光感測器，光感測器包括數條主光感測像素，其中各主光感測像素包括數個次光感測像素。方法包括以下步驟。光源發出一第一量測光至一待測物；致能此些主光感測像素；依據各主光感測像素所接收到的一第一反射光之一第一感測值，判斷第一反射光之光斑位於此些主光感測像素的一區域；禁能區域外的此些次光感測像素；光源發出一第二量測光至待測物；依據未受到禁能之此些次光感測像素所接收到的一第二反射光之一第二感測值，取得第二反射光之光斑的一位置；以及，依據位置，取得裝置與待測物之間的一距離。
本揭露另一實施例提出一種用於偵測光斑位置的裝置。裝置包括一光感測器及一處理器。光感測器包括數條主光感測像素，其中各主光感測像素包括數個次光感測像素。處理器用以：致能此些主光感測像素；依據各主光感測像素所接收到的一第一感測值，判斷一光斑位於此些主光感測像素的一區域；禁能區域外的此些次光感測像素；及依據未受到禁能之此些次光感測像素所接收到的一第二感測值，取得光斑的一位置。
本揭露另一實施例提出一種用於測距的裝置。裝置包括一光感測器、一光源及一處理器。光感測器包括數條主光感測像素，其中各主光感測像素包括數個次光感測像素。光源用以發出一第一量測光至一待測物。處理器用以：致能此些主光感測像素；依據各主光感測像素所接收到的一第一反射光之一第一感 測值，判斷第一反射光之光斑位於此些主光感測像素的一區域；禁能區域外的此些次光感測像素。其中，光源更用以發出一第二量測光至待測物。處理器更用以：依據未受到禁能之此些次光感測像素所接收到的一第二反射光之一第二感測值，取得第二反射光之光斑的一位置；以及，依據位置，取得裝置與待測物之間的一距離。
為了對本揭露之上述及其他方面有更佳的瞭解，下文特舉實施例，並配合所附圖式詳細說明如下：
100:裝置
10:待測物
110:光源
120:第一透鏡
130:第二透鏡
140、240:光感測器
141:基板
142A~142F、242A~242F:主光感測像素
142A1~142A7、142C3~142C5、142D3~142D5、142E3~142E5、242A1~242A7、242B1~242B7:次光感測像素
150:處理器
C1~C4:曲線
D1:距離
L11:第一量測光
L12:第一反射光
L21:第二量測光
L22:第二反射光
P:位置
RA1:比值
S1:光斑
S110~S170:步驟
SE1:第一感測值
SE2、SE2 i :第二感測值
第1圖繪示依照本揭露一實施例之偵測光斑位置的裝置的功能方塊圖。
第2圖繪示第1圖之裝置的光斑位置的偵測流程圖。
第3圖繪示第1圖之光感測器的主光感測像素的示意圖。
第4圖繪示第1圖之裝置所量測到之光斑的位置的量測誤差曲線的示意圖。
第5圖繪示依照本揭露另一實施例之裝置之光感測器的主光感測像素的示意圖。
請參照第1~3圖，第1圖繪示依照本揭露一實施例之偵測光斑位置的裝置100的功能方塊圖，第2圖繪示第1圖之裝置100的 光斑S1的位置的偵測流程圖，而第3圖繪示第1圖之光感測器140的主光感測像素142A~142F的示意圖。
裝置100例如是測距裝置，其可偵測裝置100與待測物10之間的距離D1。裝置100包括光源110、第一透鏡120、第二透鏡130、光感測器140及處理器150。光源110與第一透鏡120耦合，而第二透鏡130與光感測器140耦合。根據本實施例而言，光源110發出的光路依序經過第一透鏡120、待測物10、第二透鏡130及光感測器140。
光源110用以發出第一量測光L11至待測物10。第一量測光L11透過第一透鏡120入射至待測物10，然後自待測物10反射而成為第一反射光L12。第一反射光L12透過第二透鏡130入射至光感測器140，而形成光斑S1。光感測器140包括基板141及數條主光感測像素，如主光感測像素142A~142F，其中此些主光感測像素142A~142F形成在基板141上，以感測光斑S1的光強。各主光感測像素142A~142F依據所接收到的光強不同而產生不同的訊號，如電流或電壓。處理器150電性連接於光感測器140，以接收光感測器140的訊號，並據以計算出光斑S1的位置。此外，處理器150可致能或禁能此些主光感測像素，且可致能或禁能各主光感測像素之此些此光感測像素。
以下係以第2圖說明第1圖之裝置100的光斑S1的位置的偵測流程。
在步驟S110中，請同時參照第1圖所示，處理器150控制光源110發出第一量測光L11至待測物10。第一量測光L11自待測物10反射成為第一反射光L12。
在步驟S120中，處理器150致能光感測器140之主光感測素中至少一主光感測素。在本實施例中，係以致能光感測器140之全部的主光感測素142A~142F為例說明。在另一實施例中，可依據光斑S1的位置選擇致能主光感測素的數量及/或選擇致能此些主光感測素之何者。
各主光感測素142A~142F包括數個次光感測像素。以其中一個主光感測素142A舉例來說，其包含數個次光感測像素142A1~142A7。此外，各主光感測素142A~142F的次光感測像素的數量可相同或相異。然，本揭露實施例不限定光感測器140之主光感測素的數量，也不限定各光感測素之次光感測像素的數量。此外，各主光感測素142A~142F之各次光感測像素的面積例如是大致上相同或相近，然亦可相異。在一實施例中，各主光感測素之各次光感測像素的形狀例如是多邊形、圓形或橢圓形，其中多邊形例如是正方形、矩形、稜形或其它多邊形。在一實施例中，各主光感測素之各次光感測像素的形狀的輪廓線可由直線、曲線或其組合，不受前述形狀所限。
在步驟S130中，請同時參照第3圖所示，處理器150依據各主光感測像素142A~142F所接收到的第一反射光L12之第一感測值SE1，判斷第一反射光L12之光斑S1位於此些主光感測像素 142A~142F的區域。本文的第一感測值SE1例如是光強或對應的電器訊號，如電流或電壓。從本步驟可知，處理器150可一次致能全部主光感測素以感測光斑S1的所在區域。由於不需分次致能此些主光感測像素，因此能提高偵測光斑S1的偵測速度。此外，雖然本實施例之光斑S1係以覆蓋三條主光感測像素為例說明，然在另一實施例中，光斑S1的區域也可僅覆蓋二條主光感測像素，或更多條主光感測像素。
在步驟S140中，處理器150禁能光斑S1的區域外的此些次光感測像素。例如，處理器150依據所偵測到之各主光感測像素142A~142F的光強，判斷光斑S1的區域覆蓋主光感測像素142C的次光感測像素142C3~142C5、主光感測像素142D的次光感測像素142D3~142D5及主光感測像素142E的次光感測像素142E3~142E5，因此據以禁能此些次光感測像素142C3~142C5、142D3~142D5及142E3~142E5以外的次光感測像素。
在步驟S150中，處理器150控制光源110發出第二量測光L21至待測物10。第二量測光L21自待測物10反射成為第二反射光L22。本文的第二量測光L21指的是全部主光感測像素142A~142F之部分致能的前提下所接收到的光，而前述第一量測光L11指的是全部主光感測像素142A~142F皆致能的前提下所接收到的光。實際上，在一實施例中，光源110例如以一發光頻率(如介於100Hz~100KHz之間)持續發出量測光。
在步驟S160中，處理器150依據未受到禁能之此些次光感測像素，如次光感測像素142C3~142C5、142D3~142D5及 142E3~142E5所接收到的第二反射光L22之第二感測值SE2，取得第二反射光L22之光斑S1的位置。本文的第二感測值SE2例如是光強或對應的電器訊號，如電流或電壓。由於光斑S1的區域外的次光感測像素皆受到禁能(無法感測光強)，因此能避免光斑S1的區域外的次光感測像素接收到反射光以外的光(或與反射光無關的光，如環境光)，進而減少或甚至避免由於偵測到反射光以外的光而對光斑S1的位置精確度所導致的負面影響。如此，能使處理器150所計算出的光斑S1的位置P的值更為精準。
在一實施例中，處理器150可採用下式(1)，計算光斑S1的位置P。位置P例如是光斑S1的區域的一點(如光斑S1之形狀的中心或形心)位於未受到禁能的至少一次光感測像素或其屬主光感測像素的分布區域的質心位置或形心位置。在式(1)中，第二感測值SE2 i 為第i個主光感測像素所偵測到的感測值，而參數N為所有主光感測像素的數量，以本實施例來說，i為正整數，第3圖之此些主光感測像素142A~142F由左至右依序對應i為1~6的數值，而N為6，然本揭露實施例不受此限。
Figure 107143906-A0305-02-0009-1
進一步舉例來說，由於主光感測像素142A(對應的i值例如是1)、主光感測像素142B(對應的i值例如是2)及主光感測像素142F(對應的i值例如是6)受到禁能(無法感測光強)，因此其接收到的第 二感測值SE2為0，而由於主光感測像素142C(對應的i值例如是3)、主光感測像素142D(對應的i值例如是4)及主光感測像素142E(對應的i值例如是5)未受到禁能(能感測光強)，因此其可接收到光斑S1的光強。以主光感測像素142C、主光感測像素142D及主光感測像素142E所接收到的第二感測值SE2分別是2、6及4舉例來說，依據上式(1)，光斑S1的位置P的算式可寫成：
Figure 107143906-A0305-02-0010-2
上述實施例所計算而得的位置P的值為4.2，表示光斑S1的位置P位於第4條(i等於4)主光感測像素142D與第5條(i等於5)主光感測像素142E之間，且位於第4條(i等於4)主光感測像素142D與第5條(i等於5)主光感測像素142E之間的中線偏向主光感測像素142D的位置，例如，光斑S1的位置P比較靠近第4條(i等於4)主光感測像素142D的中心線L1。在另一例子中，若位置P的值大致等於4.5，表示光斑S1的位置P大致位於第4條(i等於4)主光感測像素142D的中心線與第5條(i等於5)主光感測像素142E的中心線之間的中線。在其它例子中，若位置P的值小於4，則表示光斑S1的位置P位於第3條(i等於3)主光感測像素142C與第4條(i等於4)主光感測像素142D之間。
綜上可知，對於光斑S1的位置P的計算係以整條主光感測像素之所致能的所有次光感測像素所偵測的一個第二感測值SE2(即，一條主光感測像素之各次光感測像素所偵測到之感測值的積 分或總和)為主，而非以主光感測像素的數個次光感測像素的多個個別感測值為計算基礎，因此能增快光斑S1之位置P的運算速度。
在步驟S170中，處理器150可採用例如是習知全反射式測距裝置的計算方法(如相似三角形計算公式)或習知漫射式測距裝置的計算方法，依據所取得的光斑S1的位置，取得光斑S1的位置與待測物10之間的距離D1。
在一實施例中，待測物10與裝置100之間可相對移動，如待測物10與裝置100中至少一者係運動的，因此光斑S1與光感測器140係相對移動，即光斑S1的位置P於光感測器140上係可變動的。透過前述偵測流程，可即時或主動偵測待測物10與裝置100在動態變化下光斑S1的動態之位置P及/或對應的距離D1。此外，以可運動的裝置100來說，裝置100可應用於服務機器人，如清潔機器人、吸塵器等產品中，然本揭露實施例不受此限。
雖然前述實施例的裝置100係以測距為例說明，然本揭露實施例不受此限。在另一實施例中，裝置100可以僅是光斑偵測裝置，在此例子中，第2圖之流程可省略步驟S170。
此外，雖然前述實施例之裝置100的主光感測像素的延伸方向係以直向為例說明，然亦可為橫向。例如，把第3圖之裝置100的光感測器140以逆時針或順時針轉動90度後，光感測器140的主感測像素的延伸方向即為橫向，在此例子中，光斑S1的偵測流程類似或同於前述實施例，於此不再贅述。
請參照第4圖，其繪示第1圖之裝置100所量測到之光斑S1的位置P的量測誤差曲線C1的示意圖。圖示的橫軸表示量測距離D1，而縱軸表示量測標準差。量測標準差表示量測誤差，量測誤差的數值愈小，表示光斑S1所測位置P愈精準，因此據以計算的量測距離D1的誤差愈小；反之，則表示光斑S1所測位置P的精準度愈低，因此據以所計算而得的量測距離D1的誤差愈大。第4圖之曲線C1表示本揭露實施例之裝置100僅致能主光感測像素142C~142E(對應步驟S160)下所得的誤差值，而其它曲線C2~C4分別表示致能更多主光感測像素下所得的誤差值，例如曲線C2表示致能主光感測像素142B~142E下所得的誤差值，曲線C3表示致能主光感測像素142A~142E下所得的誤差值，而曲線C4表示致能主光感測像素142A~142F下所得的誤差值。比較此些曲線可知，在相同的量測距離D1下，僅致能光斑S1的區域的主光感測像素142C~142E下所得的誤差值最小，足以證明本揭露實施例的裝置100確實能更提升光斑S1的位置P的精準度及所測距離D1的精準度。
請參照第5圖，其繪示依照本揭露另一實施例之偵測光斑位置的裝置之光感測器240的主光感測像素242A~242F的示意圖。本實施例之裝置例如是測距裝置或光斑位置偵測裝置。裝置可包括光源110(未繪示)、第一透鏡120(未繪示)、第二透鏡130(未繪示)、光感測器240及處理器150(未繪示)。
光感測器240包括基板141及數條主光感測像素，如主光感測像素242A~242F，其中此些主光感測像素 242A~242F形成在基板141上，以感測光斑S1的光強。各主光感測像素242A~242F依據所接收到的光強不同而產生不同的訊號，如電流或電壓。處理器150電性連接於光感測器240，以接收光感測器240的訊號，並據以計算出光斑S1的位置。
如第5圖所示，各主光感測像素包括數個此光感測像素。以其中一個主光感測素242A來說，其包含數個次光感測像素242A1~242A7。然，本揭露實施例不限定光感測器240之主光感測素的數量，也不限定各光感測素之次光感測像素的數量。此外，與前述實施例不同的是，本實施例之各主光感測素242A~242F之各次光感測像素的面積例如是相異的。例如，各主光感測像素242A~242F之數個次光感測像素的面積呈漸進變化。在一實施例中，本實施例之各主光感測素之各次光感測像素的形狀例如是多邊形、圓形或橢圓形，其中多邊形例如是梯形或其它多邊形，如三角形。在一實施例中，各主光感測素之各次光感測像素的形狀的輪廓線可由直線、曲線或其組合，不受前述形狀所限。
進一步來說，如第5圖所示，以相鄰二主光感測像素242A與242B來說，主光感測像素242A之此些次光感測像素242A1~242A7的面積變化係沿第一方向漸大，而主光感測像素242B之此些次光感測像素242B1~242B7的面積變化係沿第二方向漸大，其中第一方向與第二方向係相反方向，例如，第一方向係圖示的往下方向，而第二方向係圖示的往上方向。其它相鄰二 主光感測像素之次光感測像素的面積變化類似前述相鄰二主光感測像素之次光感測像素的面積變化，於此不再贅述。
藉由相鄰二主光感測像素之次光感測像素的面積呈相反方向變化，使當光斑S1落於此相鄰二主光感測像素時，透過此相鄰二主光感測像素所偵測到的感測值的比值大小，可判斷光斑S1的位置大致落於此相鄰二主光感測像素的區域，例如位於此相鄰二主光感測像素的中間區域、中間偏上區域或中間偏下區域。
以相鄰二主光感測像素242A及242B舉例來說，對應第2圖之步驟S130，處理器150依據主光感測像素242A所偵測到之第一感測值SE1與主光感測像素242B所偵測到之第一感測值SE1的比值RA1(即SE1/SE2)，決定光斑S1的座落區域。例如，當比值RA1大致等於1時，表示主光感測像素242A及242B所偵測到之第一感測值SE1大致相等，對應的光斑S1的位置大致位於此二主光感測像素242A及242B的中間區域；當比值RA1小於1時，表示主光感測像素242A所偵測到之第一感測值SE1小於主光感測像素242B所偵測到之第一感測值SE1，對應的光斑S1的位置大致位於此二主光感測像素242A及242B的中間偏上區域(因為主光感測像素242A之中間偏上區域的面積小，因此所吸收的光強比主光感測像素242B少)；當比值RA1大於1時，表示主光感測像素242A所偵測到之第一感測值SE1大於主光感測像素242B所偵測到之第一感測值SE1，對應的光斑S1的位置大致位於 此二主光感測像素242A及242B的中間偏下區域(因為主光感測像素242A之中間偏下區域的面積較大，所吸收的光強比主光感測像素242B多)。
此外，裝置100可更包含一對照表(未繪示)，其可記錄一比值RA1與光斑區域的對應關係。在步驟S130中，處理器150可依據比值RA1，查詢此對照表取得光斑S1的區域或依據此對照表計算出光斑S1的區域。此對照表可預先以測試或實驗方式取得。另外，此對照表可儲存於處理器150或另一記憶體中。
此外，當相鄰二主光感測像素的二第一感測值的比值未落於一預定範圍時，表示光斑S1非位於此相鄰二主光感測像素，然後處理器150進行下一組二相鄰主光感測像素的二第一感測值的比較。舉例來說，當主光感測像素242A的第一感測值SE1與主光感測像素242B的第一感測值SE1的比值RA1非位於一預定範圍，表示光斑S1非同時位於相鄰二主光感測像素242A及242B(表示光斑S1可能位於其它相鄰二主光感測像素)，處理器150進行下一組相鄰二主光感測像素的二第一感測值的比值計算，如計算下一組主光感測像素242B與242C的二第一感測值的比值RA1。前述預定範圍例如是介於0.01~100之間的範圍。處理器150依此原則完成所有主光感測像素的二二比較後，處理器150可得知光斑S1的所在區域。以主光感測像素的數量為N為例來說，處理器150共需對(N-1)組相鄰二主光感測像素進行比值RA1 的運算。以N等於6為例，處理器150共需對5組相鄰二主光感測像素進行比值RA1的運算，共計算出5組比值RA1。
本揭露實施例之裝置的光斑S1的位置的偵測流程的其它步驟(如步驟S110~S120及S140~S170)類似前述裝置100的對應步驟，於此不再贅述。
此外，雖然第5圖之主光感測像素242A~242F的延伸方向係以直向為例說明，然亦可為橫向。例如，把第5圖之光感測器240以逆時針或順時針轉動90度後，光感測器240的主感測像素的延伸方向即為橫向，在此例子中，光斑S1的偵測流程類似或同於前述實施例，於此不再贅述。
綜上所述，雖然本揭露已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本揭露。本揭露所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本揭露之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾。因此，本揭露之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
S110~S170:步驟

Claims (26)

  1. 一種用以偵測一光斑位置之方法，包括：致能複數條主光感測像素，各該主光感測像素包括複數個次光感測像素；依據各該主光感測像素所接收到的一第一感測值，判斷一光斑位於該些主光感測像素的一區域；禁能該區域外的該些次光感測像素；以及依據未受到禁能之該些次光感測像素所接收到的一第二感測值，取得該光斑的一位置。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中各該主光感測像素之各該次光感測像素的面積相同。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中各該主光感測像素之該些次光感測像素的面積呈漸進變化。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之方法，其中該些主光感測像素包括相鄰之一第一主光感測像素與一第二主光感測像素，該第一主光感測像素之該些次光感測像素的面積變化係沿一第一方向漸大，而該第二主光感測像素之該些次光感測像素的面積變化係沿一第二方向漸大，該第一方向與該第二方向係相反方向。
  5. 如申請專利範圍第3項所述之方法，其中各該主光感測像素的形狀呈梯形或三角形。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中在取得該光斑的該位置之步驟中，該位置係依據第i個該主光感測像素所偵測到之該第二感測值與i的積及該些主光感測像素所偵測到之該些第二感測值的總和而取得，其中i介於1與N之間，N為該些主光感測像素的數量。
  7. 一種應用於一測距裝置之測距方法，該測距裝置包括一光源及一光感測器，該光感測器包括複數條主光感測像素，其中各該主光感測像素包括複數個次光感測像素，該方法包括：該光源發出一第一量測光至一待測物；致能該些主光感測像素；依據各該主光感測像素所接收到的一第一反射光之一第一感測值，判斷該第一反射光之光斑位於該些主光感測像素的一區域；禁能該區域外的該些次光感測像素；該光源發出一第二量測光至該待測物；依據未受到禁能之該些次光感測像素所接收到的一第二反射光之一第二感測值，取得該第二反射光之光斑的一位置；以及依據該位置，取得該裝置與該待測物之間的一距離。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之方法，其中各該主光感測像素之各該次光感測像素的面積相同。
  9. 如申請專利範圍第7項所述之方法，其中各該主光感測像素之該些次光感測像素的面積呈漸進變化。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之方法，其中該些主光感測像素包括相鄰之一第一主光感測像素與一第二主光感測像素，該第一主光感測像素之該些次光感測像素的面積變化係沿一第一方向漸大，而該第二主光感測像素之該些次光感測像素的面積變化係沿一第二方向漸大，該第一方向與該第二方向係相反方向。
  11. 如申請專利範圍第9項所述之方法，其中各該主光感測像素的形狀呈梯形或三角形。
  12. 如申請專利範圍第10項所述之方法，其中在依據各該主光感測像素所接收到的該第一感測值判斷該光斑位於該些主光感測像素的該區域之步驟包括：依據該第一主光感測像素之該第一感測值與該第二主光感測像素之該第一感測值的一比值，決定該區域。
  13. 一種用於偵測光斑位置的裝置，包括：一光感測器，包括複數條主光感測像素，其中各該主光感測像素包括複數個次光感測像素；以及一處理器，用以：致能該些主光感測像素；依據各該主光感測像素所接收到的一第一感測值，判斷一光斑位於該些主光感測像素的一區域；禁能該區域外的該些次光感測像素；及 依據未受到禁能之該些次光感測像素所接收到的一第二感測值，取得該光斑的一位置。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之裝置，其中各該主光感測像素之各該次光感測像素的面積相同。
  15. 如申請專利範圍第13項所述之裝置，其中各該主光感測像素之該些次光感測像素的面積呈漸進變化。
  16. 如申請專利範圍第15項所述之裝置，其中該些主光感測像素包括相鄰之一第一主光感測像素與一第二主光感測像素，該第一主光感測像素之該些次光感測像素的面積變化係沿一第一方向漸大，而該第二主光感測像素之該些次光感測像素的面積變化係沿一第二方向漸大，該第一方向與該第二方向係相反方向。
  17. 如申請專利範圍第15項所述之裝置，其中各該主光感測像素之各該次光感測像素呈梯形或三角形。
  18. 如申請專利範圍第15項所述之裝置，其中在依據各該主光感測像素所接收到的該第一感測值判斷該光斑位於該些主光感測像素的該區域之步驟包括：依據該第一主光感測像素之該第一感測值與該第二主光感測像素之該第一感測值的一比值，決定該區域。
  19. 如申請專利範圍第13項所述之裝置，其中在取得該光斑的該位置之步驟中，該位置依據第i個該主光感測像素所偵測到之該第二感測值與i的積及該些主光感測像素所偵測到之該 些第二感測值之總和而取得，其中i介於1與N之間，N為該些主光感測像素的數量。
  20. 一種用於測距的裝置，包括：一光感測器，包括複數條主光感測像素，其中各該主光感測像素包括複數個次光感測像素；一光源，用以發出一第一量測光至一待測物；以及一處理器，用以：致能該些主光感測像素；依據各該主光感測像素所接收到的一第一反射光之一第一感測值，判斷該第一反射光之光斑位於該些主光感測像素的一區域；及禁能該區域外的該些次光感測像素；其中，該光源更用以發出一第二量測光至該待測物；該處理器更用以：依據未受到禁能之該些次光感測像素所接收到的一第二反射光之一第二感測值，取得該第二反射光之光斑的一位置；依據該位置，取得該裝置與該待測物之間的一距離。
  21. 如申請專利範圍第20項所述之裝置，其中各該主光感測像素之各該次光感測像素的面積相同。
  22. 如申請專利範圍第20項所述之裝置，其中各該主光感測像素之該些次光感測像素的面積呈漸進變化。
  23. 如申請專利範圍第22項所述之裝置，其中該些主光感測像素包括相鄰之一第一主光感測像素與一第二主光感測像素，該第一主光感測像素之該些次光感測像素的面積變化係沿一第一方向漸大，而該第二主光感測像素之該些次光感測像素的面積變化係沿一第二方向漸大，該第一方向與該第二方向係相反方向。
  24. 如申請專利範圍第22項所述之裝置，其中各該主光感測像素之各該次光感測像素呈梯形或三角形。
  25. 如申請專利範圍第22項所述之裝置，其中在依據各該主光感測像素所接收到的該第一感測值判斷該光斑位於該些主光感測像素的該區域之步驟包括：依據該第一主光感測像素之該第一感測值與該第二主光感測像素之該第一感測值的一比值，決定該區域。
  26. 如申請專利範圍第20項所述之裝置，其中在取得該光斑的該位置之步驟中，該位置依據第i個該主光感測像素所偵測到之該第二感測值與i的積及該些主光感測像素所偵測到之該些第二感測值之總和而取得，其中i介於1與N之間，N為該些主光感測像素的數量。
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