TWI681580B - 光源及使用彼之製造方法 - Google Patents

光源及使用彼之製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI681580B
TWI681580B TW106142432A TW106142432A TWI681580B TW I681580 B TWI681580 B TW I681580B TW 106142432 A TW106142432 A TW 106142432A TW 106142432 A TW106142432 A TW 106142432A TW I681580 B TWI681580 B TW I681580B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
light
light beam
photosensitive layer
mask
area
Prior art date
Application number
TW106142432A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201916429A (zh
Inventor
陳建宇
Original Assignee
創王光電股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 創王光電股份有限公司 filed Critical 創王光電股份有限公司
Publication of TW201916429A publication Critical patent/TW201916429A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI681580B publication Critical patent/TWI681580B/zh

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
    • G03F7/70025—Production of exposure light, i.e. light sources by lasers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/162—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using laser ablation
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/20—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning
    • H10K71/231—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by etching of existing layers
    • H10K71/233—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by etching of existing layers by photolithographic etching
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/40—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/81—Anodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/82—Cathodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/40—OLEDs integrated with touch screens
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
    • H10K77/111—Flexible substrates

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

本揭露係關於一種形成元件的方法，包含發射一同調光束並且提供一遮罩，該遮罩包含對於該光束為可穿透的區域。該方法另包含經由該遮罩的該可穿透區域而投射該光束至一光敏層上。該方法另包含形成一凹部於該光敏層中，其中該凹部對應於該遮罩之該穿透區域的一位置。該方法另包含填充一有機發光材料於該凹部中。

Description

光源及使用彼之製造方法
本揭露係關於一種設計用於多重目的之同調光源(coherent light source)。
光源可使用於各種領域。光源之一的雷射已用於不同產業中。雷射與其他光源不同之處在於它們的同調性(coherence)。空間同調性(Spatial coherence)通常經由輸出為小光束作為表示，其為繞射受限。雷射束可聚焦於非常微小的點，達到非常高的照射度(irradiance)，或是其可具有非常低的散度(divergence)以將其能量集中於很遠的距離。
本揭露的實施例提供一種形成元件的方法，包含發射一同調光束，以及提供一遮罩，該遮罩包含對於該光束係可穿透的一區域。該方法另包含經由該遮罩的該穿透區域而投射該光束於一光敏層上。該方法另包含形成一凹部於該光敏層中，其中該凹部對應於該遮罩之該可穿透區域的一位置。該方法另包含填充一有機發光材料於該凹部中。 在一些實施例中，該遮罩係1：1遮罩，並且該光束內的一相位差小於約1m。在一些實施例中，形成一凹部於該光敏層中另包括藉由該光束直接雕刻該光敏層的一部分。 在一些實施例中，該光敏層係一堆疊，該堆疊包含至少兩種不同型式的光敏層，並且經由該遮罩的該穿透區域而投射該光束於一光敏層上係取決於該光敏層的型式。 在一些實施例中，發射一光束另包括提供一光源，其中該光源係經配置可發射具有至少兩種不同波長的光束。 在一些實施例中，該方法另包括在經由該遮罩的該穿透區域而投射該光束於一光敏層上之前，掃描該遮罩。 一種形成元件的方法包含字一光源產生一同調光束，並且藉由該光源偵測一第一膜的型式。該方法亦包含依據該膜的該型式，藉由該同調光束選擇性退火該第一膜。 在一些實施例中，光束內的一相位差係小於約1m。在一些實施例中，該方法包含在選擇性退火該第一膜之前，將該同調光束分為複數個光束。 在一些實施例中，該方法另包括一第二膜於該第一膜下方，其中該第二膜對於該同調光束係可穿透的。在一些實施例中，該方法另包括一第二膜與該第一膜相鄰，其中該第二膜對於該同調光束係可穿透的。在一些實施例中，該方法另包括相對於該光源而移動該第一膜。
本揭露提供使用同調光源進行光微影製程的方法與裝置。本揭露使用1：1遮罩並且不需要透鏡(曲率鏡)。 本揭露提供一種新設計的電極，用於可撓式面板中使用的有機發光材料。該電極具有合適的尺寸以使周圍光的反射最小化。電極的材料亦具有高可撓性與低電阻率，以製造可折疊且具有低功率消耗的可撓式面板。藉由本揭露，平板設計者可具有更大的窗口(window)配置驅動電路，亦即發光像素陣列內的觸控面板線路。 [光微影] 圖1例示本揭露實施例之設計用於光微影製程的裝置。該裝置具有光源100以發出光束110。光束110可投影至光敏層300，在光微影製程期間，光敏層300係位於基板400上。光遮罩200可置於光源100與光敏層300之間。 光遮罩200的表面200a至光敏層300的表面302之距離為H。光遮罩200的表面200a面向光敏層300，以及光敏層300的表面302面向光遮罩200。在一些實施例中，距離H可為零，亦即光遮罩200接觸光敏層300。 光束110的波長約300 nm與450 nm之間。在一些實施例中，波長約350 nm與390 nm之間。在一些實施例中，光束110比i-線(i-line)更同調。光束內的相位差小於約1m。在一些實施例中，光束為雷射。在一些實施例中，光束為NdYAG雷射。 光遮罩200的材料可阻擋光束110通過光遮罩200。光束110可經由光遮罩200中的貫穿孔洞或透明區域(於圖2及他圖中以虛線表示的虛線區域)210而到達光敏層300。光遮罩200可具有一些不同形狀或大小的貫穿孔洞210，如圖1所示。可藉由光束110，將光遮罩的貫穿孔洞210之圖案投射至光敏層300。 光敏層300可為AZ9260、AZ4562、AZ6632、AZ1518、AZ1512HS、AZ701 MR、AZ5214E、或其他合適的光阻(photoresist，PR)。在一些實施例中，光敏層300的部分306暴露於光束110並且被光束110蒸發。當光束110經由貫穿孔洞210而投射在光敏層300上時，部分306中的分子吸收光束110的能量，而後自固態轉型為氣態。在暴露至光束110之後，將填充於部分306中的材料移除，於光敏層300中形成孔洞或凹部。在一些實施例中，於該孔洞或凹部中填充有機發光材料。 在一些實施例中，光束110可改變光敏層300的性質，例如鍵結(或交聯)。部分306於暴露至光束110之後仍可維持固態，但可由顯影劑顯影並且轉型至光敏層300中的凹部或孔洞中。在一些實施例中，於該孔洞或凹部中填充有機發光材料。 在一些實施例中，光束110的大小約1mm2 或更小。在一些實施例中，若孔洞210的尺寸小於光束大小，則一次曝光操作可涵蓋孔洞210的整個面積。部分306的整個面積在相同照射下接收來自光束110的能量。若孔洞210的尺寸大於光束大小，則需要多次操作以涵蓋孔洞210的整個面積。部分306的整個面積接收多次照射之光束110的能量。 為了進行多次照射操作，基板400與光源100(或光束110)之間有相對移動。在一些實施例中，基板400位於可動台上。該可動台與驅動系統嵌合，該驅動系統例如步進馬達(step motor)、磁性拖曳(magenetic trail)等。當需要多次照射操作時，以驅動系統將該可動台相對於光束110移動。在一些實施例中，經由光閘系統(shutter system)的輔助，進行多次照射操作。 圖2為剖面圖，例示本揭露實施例之光微影操作。在光遮罩200中，虛線代表光遮罩200中對應貫穿孔洞或透明區域210的位置，即光束110可穿透的區域。在本實施例中，光束110的大小等於或大於虛線區域210的大小。然而，不以此為限。 在本實施例中使用直接雕刻(direct carving)，然而，間接雕刻亦為合適。如圖2所示，虛線區域下之光敏層300的部分係直接被通過的光束110雕刻。光束110將光遮罩200的圖案1：1投影至光敏層300。由於光束110的大小等於或大於虛線區域的大小。可進行光源與光遮罩200之間的對準，以於曝光之前確保發射的光束110對準虛線區域210。 再者，連續曝光模式亦適用於本揭露。在圖3A中，光源相對於基板400與光遮罩200而朝向圖式的右側移動。在時間t1 ，部分的光束110受到光遮罩200的實線區域阻擋，並且部分的光束110通過光遮罩200的虛線區域210。光敏層300的部分受到通過的光束110雕刻，並且於光敏層300中形成貫穿孔洞。 基板400/光遮罩200與光束之間持續相對移動。在圖3B中，在時間t2 ，仍有部分的光束110被光遮罩200的實線區域阻擋，並且部分的光束110通過光遮罩200的虛線區域210。光阻層300的另一部分被通過的光束110雕刻，並且於光敏層300中形成貫穿孔洞。光敏層300中的貫穿孔洞擴大。 基板400/光遮罩200與光束之間持續相對移動。在時間t3 ，如圖3C所示，虛線區域210完全被光束110涵蓋。虛線區域210的形狀與大小(寬度或二維尺寸)係1：1投影至光敏層300並且於光敏層300中形成貫穿孔洞。 可用各種方式控制發出的光束。如圖4A所示，光源100具有偵測器105。偵測器105向光遮罩200發射聲波或光束106。當聲波或光束106到達光遮罩200時，偵測器105可辨識光遮罩200的表面狀態(例如經由反射的聲波或光束)並且進一步辨識虛線區域210的位置。偵測器105的聲波或光束106不會破壞或改變光敏層300的任何性質。 一旦虛線區域210經辨識，自控制單元(可為光源100外部或包埋於光源100中)傳送指令至光源100，以判定於何時與何處發射光束110通過出口107。如圖4B所示，當出口107接近虛線區域210或於虛線區域210上時，光束110自出口107發射並且開始投射虛線區域210的圖案至光敏層300。 藉由偵測器105，光源100可選擇性開啟與關閉光束110。在一些實施例中，僅在出口107位於虛線區域210上方時才開啟光束110。可減少光束110撞擊遮罩200之實線區域的可能性。 圖5A至圖5D例示本揭露實施例之進行多層次光微影操作。在圖式中，僅有光敏層300a與300b堆疊於基板400上方。然而，相同概念可應用於超過兩個光敏層。在一些實施例中，光敏層300a對於波長約為l1 的同調光具有最高峰值吸收係數α1 。光敏層300b對於波長約為l2 的同調光具有最高峰值吸收係數α2 。 光遮罩200有兩個不同的虛線區域210a與210b。在一些實施例中，虛線區域210a對於波長約l1 的光束係可穿透的，並且對於波長約l2 的光束係不可穿透的。虛線區域210b對於波長約l2 的光束係可穿透的，並且對於波長約l1 的光束係不可穿透的。在一些實施例中，虛線區域210a對於波長約l1 的光束係可穿透的，並且對於波長約l2 的光束亦係可穿透的。虛線區域210b對於波長約l1 的光束係可穿透的，並且對於波長約l2 的光束亦係可穿透的。 圖5B說明直接雕刻的選擇性光微影操作。光束110a經選擇而通過虛線區域210a。相較於光阻層300a，光阻層300b對於光束110a具有低吸收係數β2 。在一些實施例中，相較於α1 ，β2 被認為是0。換言之，光阻層300b對於光束110a係可穿透的。藉由光束110a，僅於光阻層300a中形成孔洞或凹部。 圖5C說明直接雕刻的另一選擇性光微影操作。光束110b經選擇而通過虛線區域210b。相較於光阻層300b，光阻層300a對於光束110b具有低吸收係數β1 。在一些實施例中，相較於α2 ，β1 被認為是0。換言之，光阻層300a對於光束110b係可穿透的。藉由光束110b，僅於光阻層300b中形成孔洞或凹部。 圖5D說明在直接雕刻之選擇性光微影操作後的另一結構。光阻層300a具有由選擇性光微影操作形成的一些凹部或貫穿孔洞。光阻層300b亦具有由選擇性光微影操作形成的一些凹部或貫穿孔洞。一些凹部或孔洞可對準光阻層300a的凹部或孔洞可對準光阻層300b的凹部或孔洞，以形成如凹部或貫穿孔洞的溝渠306a。光阻層300a中的一些凹部或孔洞可與光阻層300b中的凹部或孔洞局部重疊，以形成如凹部或貫穿孔洞的溝渠306b。 [退火(annealing)] 圖1的光源100亦可用於退火操作中。類似於上述的光微影操作，光束的能量用以對於圖6A的退火膜(anneal film)500提供能量。自光源100發射光束120並且投射至膜500。光束120可提供熱至膜500，並且改變膜500內的微結構或鍵結狀態。 圖6B說明光源100進行的選擇性退火操作。在一些實施例中，關於光束120，相較於膜500a的熱吸收係數，膜500b的熱吸收係數幾乎為零。因此，當光束120自光源100發出且朝向基板400時，膜500b對於光束120係可穿透的。光束120攜載的能量被膜500a吸收。僅膜500a被光束120退火。 在圖6C中，偵測器405用以偵測膜型式。當光源100相對於基板400移動時，偵測器405經配置作為檢查器以偵測該膜為哪種型式。例如，偵測器405可偵測位於基板400上方之兩種不同型式的膜500a與500b。膜型式的資訊傳送至處理單元。膜500c位於膜500a與500b下方，且在基板400上方，可為與膜500a與500b不同材料或500a與500b其中至少一者相同的膜。處理單元指示光源發出期望之波長的光束用於選擇性退火。 例如，當偵測器405掃描基板400上方之膜的頂表面時，處理單元經由偵測器405進行的掃描結果而產生膜500a與500b之面積與位置的資訊。如果僅有膜500a需要退火，則當出口107通過膜500a覆蓋的面積時，處理單元傳送指令至光源100，以發出合適的光束通過出口107。 在一些實施例中，當偵測器405掃描基板400上方的膜之頂表面時，處理單元經由偵測器405進行的掃描結果而產生膜500a與500b之面積與位置的資訊。如果僅有膜500a需要退火，則當出口107通過膜500a覆蓋的面積時，處理單元傳送指令至光源100，以發出第一波長的光束通過出口107。如果僅有膜500b需要退火，則當出口107通過膜500b覆蓋的面積時，處理單元傳送指令至光源100，以發出第一波長的光束通過出口107。 圖6D為剖面圖，例示本揭露實施例之光微影操作。遮罩600類似於圖3A的光遮罩200，用於選擇性退火操作。虛線代表對於光束120為可穿透的區域610，以及實線代表對於光束120為不可穿透的區域(亦即阻擋區域)。在本實施例中，光束120的大小等於或大於虛線區域610的大小。然而，不以此為限。 如圖6D所示，虛線區域610下的膜500a之部分係被通過的光束120直接退火。由於遮罩600的實線區域阻擋光束120，實線區域下的膜500b之部分不被退火。在一些實施例中，膜藉由退火操作而結晶或再結晶。 [光源架構] 圖7例示本揭露實施例之光源100，光源100具有一些出口107用於發光。光源100可同時發出多重光束。 圖8A例示本揭露實施例之經配置以發出多重光束的光源100。光源具有光產生器102，用於產生光束104。光束104發射進入分光片(splitter)103。分光片103可將光束104分為在相同方向的數個不同光束110。在一些實施例中，光束110可被導引到至少兩個不同方向。 如圖8B所示，在一些實施例中，光源100具有至少兩個光產生器102a與102b。光產生器102a產生波長l1 的光束104a，以及光產生器102b產生波長l2 的光束104b，其中l1 不同於l2 。光束104a由分光片103分為數個波長l1 的光束110a。光束104b由分光片103分為數個波長l2 的光束110b。 分光片103可經配置以發射使用者期待之任何圖案的光束。例如，在圖8C中，光源100具有兩個光產生器102a與102b。光產生器102a產生波長l1 的光束104a，以及光產生器102b產生波長l2 的光束104b。分光片103可用交錯方式配置發射兩個不同光束110a與110b的光。因此，波長l1的光束110a與波長l2 的光束110b相鄰。在一些實施例中，分光片103可將經分光的發射光配置為一線形或二維(2D)圖案。 圖9A至圖9F說明使用多重光束進行光微影的操作。使用直接雕刻作為說明，但相同操作亦可應用於間接雕刻操作。在圖9A中，多重光束光源100相對於基板400移動至右側。光敏層300位於基板400上方。 在圖9B中，當光束110位於光遮罩200的虛線區域210上方時，光束110通過光遮罩200並且對於光敏層300提供第一次照射。在光敏層300中形成凹部形式的溝渠306a。凹部的深度比光敏層300之整體厚度淺。 在圖9C中，當光源100持續向右移動，光敏層300經由虛線區域210接收越來越多次照射。經由虛線區域210多次照射光束擴大凹部306。如圖9C所示，凹部306的底部為階梯形狀。在一些實施例中，凹部306的底表面可為彎曲形狀，其中最大深度在左側且最小深度在右側。 隨著操作的進行，凹部變為光敏層300中貫穿孔洞形式的溝渠306a，如圖9D所示。在一些實施例中，當凹部成為光敏層300中的貫穿孔洞時，偵測器(如圖4A中的偵測器105)可偵測雕刻操作的完成。訊號由處理單元處理。處理單元指示關閉一些光束，圖9E所示。 當光源開始接近遮罩200的下一個虛線區域時，再次開啟一些光束，如圖9F所示，以開始雕刻操作。經由多重光束光源，可進行多次照射光微影操作。光微影係經由光束提供一定量的能量劑量至所需區域。在一些實施例中，多重獨立光束形成光敏層300中的貫穿孔洞，並且每一獨立光束對於光敏層300之所需區域提供一定量的能量劑量。 在一些實施例中，藉由發射具有至少兩個不同光波長的多重光束之光源，進行多重照射光微影操作。因此，進行具多重照射光微影之如圖5A至5D所述之選擇性光微影操作。 在一些實施例中，藉由發射具有至少兩個不同光波長的多重光束之光源，進行多重照射光微影操作。因此，進行具多重照射光微影之如圖5D所述之選擇性三維光微影操作。 在一些實施例中，藉由發射具有至少兩個不同光波長的多重光束之光源，進行多重照射退火操作。因此，進行具多重照射退火之如圖6A至6D所述之選擇性退火操作。 前述內容概述一些實施方式的特徵，因而熟知此技藝之人士可更加理解本揭露之各方面。熟知此技藝之人士應理解可輕易使用本揭露作為基礎，用於設計或修飾其他製程與結構而實現與本申請案所述之實施例具有相同目的與/或達到相同優點。熟知此技藝之人士亦應理解此均等架構並不脫離本揭露揭示內容的精神與範圍，並且熟知此技藝之人士可進行各種變化、取代與替換，而不脫離本揭露之精神與範圍。
100‧‧‧光源102‧‧‧光產生器102a‧‧‧光產生器102b‧‧‧光產生器103‧‧‧分光片104‧‧‧光束104a‧‧‧光束104b‧‧‧光束105‧‧‧偵測器106‧‧‧光束107‧‧‧出口110‧‧‧光束110a‧‧‧光束110b‧‧‧光束120‧‧‧光束200‧‧‧光遮罩200a‧‧‧表面201‧‧‧貫穿孔洞/透明區域210‧‧‧虛線區域210a‧‧‧虛線區域210b‧‧‧虛線區域300‧‧‧光敏層300a‧‧‧光敏層300b‧‧‧光敏層302‧‧‧表面306‧‧‧部分306a‧‧‧溝渠306b‧‧‧溝渠400‧‧‧基板405‧‧‧偵測器500‧‧‧退火膜500a‧‧‧膜500b‧‧‧膜600‧‧‧遮罩610‧‧‧虛線區域H‧‧‧距離
圖1例示本揭露實施例之元件的製造方法。 圖2說明圖1之方法的操作。 圖3A至圖3C係說明光微影製程。 圖4A至圖4B係說明光微影製程。 圖5A至圖5D係說明光微影製程。 圖6A至圖6D係說明退火製程。 圖7例示光源。 圖8A至圖8C說明發光裝置的一些實施例。 圖9A至圖9F係說明光微影製程的一些實施例。
100‧‧‧光源
110‧‧‧光束
200‧‧‧光遮罩
200a‧‧‧表面
210‧‧‧虛線區域
300‧‧‧光敏層
302‧‧‧表面
306‧‧‧部分
400‧‧‧基板
H‧‧‧距離

Claims (9)

  1. 一種形成元件的方法，包括：發射一同調光束；提供一光遮罩，該光遮罩包含對於該光束為可透光的一區域；經由該光遮罩的該可透光區域而投射該光束於一光敏層上；形成一凹部於該光敏層中，其中該凹部對應於該光遮罩的該可透光區域的一位置；以及填充一有機發光材料於該凹部中。
  2. 如請求項1所述之方法，其中該光遮罩係一1：1遮罩。
  3. 如請求項1所述之方法，其中該光束內的一相位差係小於約1m。
  4. 如請求項1所述之方法，形成一凹部於該光敏層中另包括藉由該光束直接雕刻該光敏層的一部分。
  5. 如請求項1所述之方法，其中該光敏層係一堆疊，該堆疊包含至少兩種不同型式的光敏層。
  6. 如請求項1所述之方法，其中經由該光遮罩的該可透光區域而投射該光束於一光敏層上係取決於該光敏層的一型式。
  7. 如請求項1所述之方法，其中發射一光束另包括提供一光源。
  8. 如請求項7所述之方法，其中該光源係經配置可發射具有至少兩種不同波長的光束。
  9. 如請求項1所述之方法，其中在經由該光遮罩的該可透光區域而投射該光束於一光敏層上之前，另包括掃描該光遮罩。
TW106142432A 2017-09-13 2017-12-04 光源及使用彼之製造方法 TWI681580B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US15/703,580 2017-09-13
US15/703,580 US10270032B2 (en) 2017-09-13 2017-09-13 Light source and a manufacturing method therewith

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201916429A TW201916429A (zh) 2019-04-16
TWI681580B true TWI681580B (zh) 2020-01-01

Family

ID=65631583

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW106142432A TWI681580B (zh) 2017-09-13 2017-12-04 光源及使用彼之製造方法

Country Status (3)

Country Link
US (2) US10270032B2 (zh)
CN (1) CN109491206A (zh)
TW (1) TWI681580B (zh)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201300954A (zh) * 2011-01-14 2013-01-01 Shinetsu Chemical Co 圖案形成方法及使用於該方法之光阻組成物
TW201611335A (zh) * 2014-05-30 2016-03-16 皇家飛利浦有限公司 具有基板上特徵之發光裝置
TW201711125A (zh) * 2007-11-08 2017-03-16 應用材料股份有限公司 脈衝序列退火方法及其設備
TW201729295A (zh) * 2015-12-30 2017-08-16 Shanghai Micro Electronics Equipment (Group) Co Ltd 一種雷射退火裝置及其退火方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0464224B1 (en) * 1990-01-25 2000-10-11 Dai Nippon Insatsu Kabushiki Kaisha Method of and material for forming thick filmy pattern
US5982489A (en) * 1996-01-29 1999-11-09 Nikon Corporation Method and apparatus for measuring depth of a depression in a pattern by light interference from crossed light beams
US5986781A (en) * 1996-10-28 1999-11-16 Pacific Holographics, Inc. Apparatus and method for generating diffractive element using liquid crystal display
DE102004020363A1 (de) * 2004-04-23 2005-11-17 Schott Ag Verfahren zur Herstellung eines Masters, Master und Verfahren zur Herstellung von optischen Elementen sowie optischen Element
US9498845B2 (en) 2007-11-08 2016-11-22 Applied Materials, Inc. Pulse train annealing method and apparatus
KR20090080336A (ko) * 2008-01-21 2009-07-24 엘지전자 주식회사 도전성 박막 패턴 및 그의 제조 방법
KR100924280B1 (ko) * 2008-09-24 2009-10-30 위아코퍼레이션 주식회사 광역 레이저 패터닝 시스템
JP5424267B2 (ja) * 2010-08-06 2014-02-26 株式会社ブイ・テクノロジー マイクロレンズ露光装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201711125A (zh) * 2007-11-08 2017-03-16 應用材料股份有限公司 脈衝序列退火方法及其設備
TW201300954A (zh) * 2011-01-14 2013-01-01 Shinetsu Chemical Co 圖案形成方法及使用於該方法之光阻組成物
TW201611335A (zh) * 2014-05-30 2016-03-16 皇家飛利浦有限公司 具有基板上特徵之發光裝置
TW201729295A (zh) * 2015-12-30 2017-08-16 Shanghai Micro Electronics Equipment (Group) Co Ltd 一種雷射退火裝置及其退火方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20190081242A1 (en) 2019-03-14
US20190123281A1 (en) 2019-04-25
US10270032B2 (en) 2019-04-23
US10707419B2 (en) 2020-07-07
CN109491206A (zh) 2019-03-19
TW201916429A (zh) 2019-04-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10707130B2 (en) Systems and methods for dicing samples using a bessel beam matrix
US10061208B2 (en) Photonic activation of reactants for sub-micron feature formation using depleted beams
TW200800456A (en) Laser processing method and laser processing apparatus
KR20170045151A (ko) 기판 상에 레이저 어블레이션을 수행하기 위한 장치 및 방법
KR102511272B1 (ko) 노광 장치 및 이를 이용하는 반도체 장치의 제조 방법
US9707714B2 (en) Apparatus and method for manufacturing fine pattern using interferogram of optical axis direction
WO2007135379A3 (en) Method and unit for micro-structuring a moving substrate
TWI534555B (zh) 微影裝置、極紫外線（ｅｕｖ）輻射產生裝置及器件製造方法
TWI681580B (zh) 光源及使用彼之製造方法
JP2007235117A5 (zh)
JP2006122927A (ja) レーザ加工方法およびレーザ加工装置
US20220219260A1 (en) Additive manufacturing systems and related methods utilizing risley prism beam steering
US8585390B2 (en) Mold making system and mold making method
US20030010762A1 (en) Laser processing apparatus and laser processing method
KR19980057579A (ko) 반도체 노광 장치
US10456861B2 (en) Apparatus and method for multi-beam direct engraving of elastomeric printing plates and sleeves
JP2004319581A (ja) パターン描画装置及びパターン描画方法
JP2003080388A (ja) レーザ加工装置
KR102012297B1 (ko) 멀티빔 스캐너 시스템을 이용한 패턴 형성방법
JP2020060690A (ja) 光照射方法、機能素子の製造方法および光照射装置
JP2004098121A (ja) レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP2016111059A (ja) 基板上構造体の製造方法及び基板上構造体
TW202344332A (zh) 晶圓之加工方法及雷射照射裝置
JPH09327782A (ja) レーザエッチング装置
TWM484111U (zh) 光學處理系統