TWI664879B - 多段電極組件及其方法 - Google Patents

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Abstract

揭露一種多段電極組件，該多段電極組件具有用以改變電漿處理腔室中之電漿的複數電極段。該多段電極組件包括一第一有供電的電極段，該第一有供電的電極段係由第一RF信號來供電且具有一第一面向電漿表面。該多段電極組件亦包括一第二有供電的電極段，該第二有供電的電極段係由第二RF信號來供電且具有一第二面向電漿表面。第二有供電的電極段與第一有供電的電極段在電性上絕緣，同時該第一面向電漿表面與第二面向電漿表面其中至少一者為非平面的。

Description

多段電極組件及其方法
本發明大體上係關於基板處理技術。具體而言，本發明之實施例係關於用以在電漿處理腔室中處理基板(例如，基於矽的晶圓或基於其他類型之材料的晶圓)之方法及設備。
一般而言，可用一連串的步驟來處理基板，其中選擇性地將基板材料移除(蝕刻)、沉積、或以其他方式處理。接著可使用處理過的基板(或從處理過的基板切割而來的晶粒)而形成各樣的電子元件，例如像顯示螢幕或積體電路。一般而言，基板處理技術係眾所周知的，且為了簡潔的目的將不會在此進一步詳述。
電漿增強處理亦為眾所周知的，且已證明為特別適合用於形成現代電子元件中所需之極小及/或細微的特徵部。例如，電漿蝕刻使用由處理氣體(可為單一氣體或不同氣體之混合物)所形成之電漿以從基板的暴露(例如，無遮罩的)區域選擇性地蝕刻材料。吾人已使用各樣的電漿產生技術來形成電漿，例如包括電容耦合電漿產生、感應耦合電漿產生、ECR(電子迴旋共振)、微波、及/或其混合型式。
例如，在典型的電容耦合電漿(CCP)處理腔室中，可用空間上間隔開的方式來配置二或更多電極組件，該等電極組件其中最少一者係藉由一或更多RF產生器來供電。在一範例配置中使用二電極組件，其中將卡盤(支撐基板的電極組件)接地或者利用RF電源供應器經由RF匹配器而對其供電。 例如，可用間隔開的方式將另一電極組件(在本文中稱為上電極組件)配置於該卡盤上以形成電漿產生區域。在一些實行例中，可藉由一組限制環來限制電漿及/或控制副產品氣體從電漿產生區域排出的速率而進一步界定該電漿產生區域。在一些實施例中，可將上電極組件接地或藉由RF功率來源而對其供電。
為了方便討論，圖1顯示一範例電容耦合電漿(CCP)處理腔室102之高度簡化的圖式，該電漿處理腔室具有一由RF電源供應器100供電的下電極/卡盤組件104。於基板處理期間內，基板106顯示為配置在下電極/卡盤組件104上。上電極組件108顯示為以間隔開的方式而配置於基板106上方，並概念地形成一電漿產生區域110，在該電漿產生區域中可以從注入的處理氣體(未顯示以簡化圖式)來形成電漿112。在圖1的範例中，藉由RF電源供應器120所供應之RF信號來對上電極組件108供電。
可設置可選性的限制環114以將電漿112限制在電漿產生區域110中以及控制電漿產生區域110中的壓力。如前面所述，圖1的CCP腔室102為高度簡化的，且存在與下列有關之變化，例如：使用的卡盤類型、處理氣體注入的方式、控制壓力的方式、電極的數量、電極的位置、RF電源供應器之數量及頻率、等。無論如何，電容耦合電漿處理腔室及其變化為眾所周知的。例如，上面討論之範例的一變化可包含配合有供電的上電極而使用接地的卡盤組件。
一般而言，較大的基板產出較大數量之切割晶粒。為了增加產量(例如，每單位時間製造較多數量的電子元件)，所以製造商只要可能的話就力圖使用大基板。隨著基板尺寸增加，維持可接受水準的處理結果均勻性(例如，蝕刻速率及/或蝕刻深度)變得更有挑戰性。對於在電容耦合電漿處理腔室中所處理的較大基板(例如，300mm或以上)，維持令人滿意水準的處理均勻性(例如但不限於，從基板的中央至基板的邊緣之徑向均勻性)已經證實是具有挑戰性的。
為了增強均勻性的局部控制，而提出了多段上電極組件。在多段上電極組件的一範例中，可設置多重同心電極段，其中每一電極段由其各自的RF信號來供電且一般與上電極組件的其他電極段在電性上絕緣。藉由操縱提供至多段上電極組件之不同電極段的RF信號，製程工程師可能可以對局部均勻性行使某種程度的控制。
隨著元件的關鍵尺寸(CD)縮小及處理結果要求變得更精確，製造商繼續力圖進一步改善基板表面上的處理均勻性。
有鑑於前面所述，需要改良的方法及設備，用以在電漿處理系統中以改良之處理均勻性來處理基板。
在一實施例中，本發明係關於一多段電極組件，該多段電極組件具有用以改變電漿處理腔室中之電漿的複數電極段。該多段電極組件包括一第一有供電的電極段，該第一有供電的電極段具有一第一面向電漿表面且係配置由一第一RF信號來供電。該多段電極組件亦包含一第二有供電的電極段，該第二有供電的電極段具有一第二面向電漿表面且係配置由一第二RF信號來供電。第二有供電的電極段與第一有供電的電極段在電性上絕緣，同時第一面向電漿表面與第二面向電漿表面其中至少一者為非平面的。
在另一實施例中，本發明係關於一電漿處理系統，該電漿處理系統具有至少一電漿處理腔室用以處理基板。該電漿處理系統包括一基板托座，該基板托座係用以於該處理期間內支撐該基板。該電漿處理系統亦包括一多段電極組件，該多段電極組件以間隔開的方式配置於該基板托座的對面，其中在該處理期間內一電漿產生體積存在於該多段電極與基板之間的一間隙中。該多段電極組件包括一第一有供電的電極段，該第一有供電的電極段具有一第一面向基板托座表面且係配置由一第一RF信號來供電。該多段電極組件亦包含一第二有供電的電極段，該第二有供電的電極段具有一第二面向基板托座表面且係配置由一第二RF信號來供電。第二有供電的電極段與第一有供電的電極段在電性上絕緣，同時第一面向基板托座表面與第二面向基板托座表面其中至少一者為非平面的。
現在將參照一些較佳實施例與所附圖式詳細說明本發明的內容。為提供對本發明周密的了解，接下來的敘述中將提出許多特定的細節。然而，顯而易見的，對於熟悉本技藝者來說，本發明可被實行而無須其中部分或全部特定細節。在其他情況下，為了不對本發明造成不必要地混淆，眾所周知的程序步驟與/或結構則沒有被詳述。
以下描述各樣的實施例，其中包括方法及技術。吾人應了解，本發明亦可能包含製品，製品包括電腦可讀媒體，該電腦可讀媒體儲存了用以實行本發明之實施例的電腦可讀指令。電腦可讀媒體可包括例如半導體、磁性、光磁、光學、或用以儲存電腦可讀碼之其他形式的電腦可讀媒體。另外，本發明亦可包含用以實施本發明之實施例的設備。此類的設備可包括專用及/或可程式化電路，用以實行與本發明之實施例有關的工作。此類的設備之範例可包括通用電腦及/或適當地程式化之專用計算裝置，而且可包括為了與本發明之實施例有關的各樣工作而修改之專用/可程式化電路與電腦/計算裝置的組合。
本發明之實施例係關於多段電極組件(舉例而言，例如配置於電漿產生區域側邊的多段電極組件或多段上電極組件)，該多段電極組件具有由複數RF信號供電之複數電極段，且該等電極段其中至少一者具有非平面之面向電漿表面。電極段彼此電性上絕緣，且對這些電極段供電的RF信號可彼此在電壓、電流、相位、頻率、及/或其他RF信號參數上不同。
在一或更多實施例中，多段電極組件之該等電極段其中至少一者的面向電漿表面為凹面的。在一或更多實施例中，多段電極組件之該等電極段其中至少一者的面向電漿表面為凸面的。在一或更多實施例中，多段電極組件之該等電極段其中至少一者的面向電漿表面為凸面的，而相同的多段電極組件之另一電極段的面向電漿表面為凹面的。在一或更多實施例中，多段電極組件之該等電極段其中至少一者的面向電漿表面為凸面的，而相同的多段電極組件之另一電極段的面向電漿表面為凹面的，而且相同的多段電極組件之再另一電極段的面向電漿表面為平面的(換言之，平的)。
在一或更多實施例中，多段電極組件之電極段的面向電漿表面(無論是凸面的、凹面的、或平面的)彼此共平面。在一或更多實施例中，多段電極組件之電極段的面向電漿表面(無論是凸面的、凹面的、或平面的)不共平面(換言之，其面向電漿表面形成一階梯狀的輪廓)。
如本文中所使用的術語，當面向電漿表面為平的時候，該面向電漿表面為平面的。當二表面的平均表面平面(定義為位在該表面最大值與最小值中間的平面)存在於相同的平面中時，將該二表面(無論是平的、凸面的、或凹面的)視為共平面的。圖2A繪示電極段202之面向電漿表面206的平均表面平面200。平均表面平面200垂直於法向量212(法向量212垂直於電極段202之表面206)且位於表面206之最大值208與最小值210的中間。參照圖2B，凸面表面232具有一平均表面平面242，該平均表面平面242亦垂直於該表面法向量(未顯示)且位於最大值270與最小值272的中間。因為凸面表面232、凹面表面234、及平的表面236之平均表面平面242、244、及246皆存在於相同的平面(以參照箭頭250指出)，所以將凸面表面232、凹面表面234、及平的表面236(在此範例中的三電極段之切開端視圖)視為共平面。參照圖2C，例如由於凸面表面252及凹面表面254之平均表面平面262及264不存在於相同平面中，所以凸面表面252及凹面表面254(在此範例中的二電極段之切開端視圖)不共平面。
在一或更多實施例中，可在不同的電極段之面向電漿表面上使用不同程度的凹度或不同程度的凸度(換言之，凸面及/或凹面表面的不同程度之曲率)。換言之，不需要所有凹面之面向電漿表面具有相同程度的凹度(雖然若想要的話可實行這樣的曲率相同性)或所有凸面之面向電漿表面具有相同程度的凸度(雖然若想要的話亦可實行這樣的凸面曲率相同性)。另外，非平面的面向電漿表面之凹部或凸部可採用任何非平面之凹面或凸面的幾何形狀，例如包括圓形的(例如，球形或部分的球形)、拋物線的、橢圓的、等。若想要的話，這些表面亦可為由多區段所形成的複合表面。
在一或更多實施例中，不同的電極段之面向電漿表面可具有不同的尺寸(例如寬度或表面積)或相同的尺寸。在一或更多實施例中，不同的電極段相對於彼此可具有不同的間隔，或者不同的電極段可被均勻地間隔。
在一或更多實施例中，電極段形成本質上同心的環。在一或更多實施例中，用均勻或不均勻的間隔、重複或不重複的模式、或其組合來將電極段排列為陣列佈置。
在一或更多實施例中，可藉由改變上電極組件與基板之間的間隙而調整電漿處理腔室中的局部均勻性控制，其中該電漿處理腔室使用多段上電極組件，該多段上電極組件具有至少一具有非平面之面向電漿表面的電極段。在一或更多實施例中，在開始基板的基板處理之前執行這樣的調整。在一或更多實施例中，替代性或額外地，可於處理期間內根據感測器的測量結果而原位地(in-situ)執行這樣的調整。
在一或更多實施例中，替代性或額外地，可藉由改變不同電極段之面向電漿表面(無論是凹面的、凸面的、或平面的)的共平面性之程度而調整電漿處理腔室中的局部均勻性控制，其中該電漿處理腔室使用多段上電極組件，該多段上電極組件具有至少一具有非平面之面向電漿表面的電極段。在一或更多實施例中，在開始基板的基板處理之前執行這樣的調整。或者，在一或更多實施例中，可於處理期間內根據感測器的測量結果而原位地執行這樣的調整。
在一或更多實施例中，使用與處理之基板的汙染規格相容且亦足夠結實以抵擋或抗拒電漿的快速侵蝕之材料來形成或塗佈多段上電極組件的面向電漿表面。例如，可以把像Si或SiC這樣的材料或其他合適之材料用於該面向電漿表面。在一或更多實施例中，為了良好的RF及熱傳導，可使用金屬(例如鋁)來形成多段上電極組件的主體。
參照以下圖示及說明之後，可更清楚本發明之實施例的特徵及優點。吾人應了解，這些範例僅為舉例性的且不限制本發明的範圍。
根據本發明的一實施例，圖3顯示一多段電極302之橫剖面圖，該多段電極具有四電極段304A、304B、304C、及304D。在圖3的範例中，多段電極302代表上電極組件，且電極段304A、304B、304C、及304D其中每一者可由不同之RF功率來源供電。一般而言，電極段彼此之間對RF來說是電性上絕緣的(例如，藉由將合適的介電材料配置於電極段之間)。
電極段304A具有一面向電漿或面向基板托座之表面314A。電極段304B具有一面向電漿或面向基板托座之表面314B。電極段304C具有一面向電漿或面向基板托座之表面314C。電極段304D具有一面向電漿或面向基板托座之表面314D。
在圖3的範例中，電極段304A之面向電漿表面314A為平面的；電極段304B之面向電漿表面314B為凸面的；電極段304C之面向電漿表面314C為凹面的；且電極段304D之面向電漿表面314D又為凸面的，雖然相對於電極段304B之凸面的面向電漿表面314B具有不同程度的凸度。
圖3的範例意圖闡明不同電極段之不同的面向電漿表面或面向基板托座表面可具有不同的表面輪廓。然而吾人應了解，在一或更多實施例中，全部的面向電漿表面或面向基板托座表面有可能全部為凹面的(具有相同或不同程度的曲率)，或全部為凸面的(具有相同或不同程度的曲率)。
圖4概念性地顯示一給定的同心電極段(換言之，環繞著晶圓的中央而同心的電極段)之面向電漿表面的輪廓在橫跨該晶圓的蝕刻速率上具有的效果。線402顯示具有平的面向電漿表面之同心電極段的蝕刻速率。注意該線存在二尖峰412A及412B(在距離晶圓中央約-50mm及+50mm)，尖峰412B具有半峰全寬(FWHM)尺寸422B(且尖峰412A的FWHM尺寸近乎相同)。
線404顯示具有凹面的面向電漿表面之同心電極段的蝕刻速率，該同心電極段配置在相同的徑向位置並與線402關聯的電極具有相同的水平寬度。同樣地，注意該線存在二尖峰414A及414B(在距離晶圓中央約-50mm及+50mm)，尖峰414B具有半峰全寬(FWHM)尺寸424B(且尖峰414A的FWHM尺寸近乎相同)。另外，注意該FWHM尺寸424B係實質上小於FWHM尺寸422B(具有平的面向電漿表面之電極段的FWHM尺寸)。如圖3中可見以及由FWHM尺寸所反映的，當與平的面向電漿表面比較時，凹面的面向電漿表面在+50mm與-50mm位置產生銳利許多的局部效應。
線406顯示具有凸面的面向電漿表面之同心電極段的蝕刻速率，該同心電極段配置在相同的徑向位置並與線402及404關聯的電極具有相同的水平寬度。同樣地，注意該線存在二尖峰416A及416B(在距離晶圓中央約-50mm及+50mm)，尖峰416B具有半峰全寬(FWHM)尺寸426B(且尖峰416A的FWHM尺寸近乎相同)。另外，注意該FWHM尺寸426B係實質上大於FWHM尺寸422B(具有平的面向電漿表面之電極段的FWHM尺寸)。如圖3中可見以及由FWHM尺寸所反映的，當與平的面向電漿表面或凹面的面向電漿表面比較時，凸面的面向電漿表面在約+50mm與-50mm位置產生不銳利(換言之，更擴散)許多的局部效應。
雖然圖4的結果可能無法在所有的電漿腔室配置中觀察到或可能不那麼顯著，但可藉由光學的比擬而更好地理解圖4的具體效果。平面鏡傾向於使光產生特定的圖樣，而凹面鏡傾向於將光集中在特定的點(因此造成了更銳利的局部效果)。相反的，凸面鏡傾向於將光分散在不同的方向，而產生擴散了許多的效果。然而，如先前所述，塑形的表面所產生之具體效果可能依不同腔室配置而變化。然而，不同的電極段之不同表面輪廓會不同地影響局部蝕刻速率這個事實仍然沒有改變，且在一或更多實施例中可利用這些差異作為控制鈕以改善處理均勻性。
可使用該光學比擬來幫忙解釋(儘管這不是完美的比擬)本發明之各樣實施例所提供的其他控制鈕。若該鏡子為非平面的(換言之，凸面或凹面的)，光的圖樣隨著與鏡子的距離改變而改變。在一或更多實施例中，可改變多段上電極(其具有至少一塑形的表面電極段)與基板之間的間隙以操縱該塑形的面向電漿表面在蝕刻輪廓上施加的局部效果。在一或更多實施例中，可在電漿處理之前做出或可藉由使用合適之作動器而原位地做出此間隙改變。例如，可在由Lam Research Corporation (Fremont, CA) 所製造的該類型之間隙可調整電漿處理腔室中使用該多段上電極(其具有至少一塑形的表面電極段)。例如，在這樣的間隙可調整電漿處理腔室中，可在電漿處理之前或原位地改變該晶圓與多段上電極(其具有至少一塑形的表面電極段)之間的間隙作為一配方的部分。只要換掉平的上電極組件(先前技藝)並安裝所揭露之多段上電極(其具有至少一塑形的表面電極段)，就可以很容易地翻新該使用平的上電極 (先前技藝)之間隙可調整電漿處理腔室以利用本發明之實施例所提供之處理優勢。
替代性或額外地，在一或更多實施例中，可改變不同之塑形的面向電漿表面之曲率程度以達成不同的局部處理速率效果。替代性或額外地，在一或更多實施例中，可改變電極段(其面向電漿表面可為非平面或平面的)之間的相對共平面性(或其缺乏)的程度以達成不同的局部處理速率效果。可藉由使用具有不同厚度之不同電極段、或藉由使用填隙物、間隔物、或間隔環來使得電極段朝著電漿突出更多或更少而達成該共平面性的程度。例如，若使用作動器來移動不同的電極段，亦可原位地達成該共平面性的程度。
替代性或額外地，可用與將鏡子的光軸轉向幾乎相同的方式(以在表面上投射不同光的圖樣)來將一或更多電極段的彎曲之面向電漿表面轉向。如所述，不同電極段可具有相同或不同之寬度、及相同或不同之表面積。另外，不同電極段相對於彼此可均勻地間隔或不均勻地間隔。這些均為額外的控制鈕以提供製程工程師對於處理均勻性更局部化的控制。
根據本發明的一實施例，圖5顯示藉由使用本發明的多段電極而調整處理均勻性之步驟，其中該多段電極的電極段其中至少一者具有至少一塑形的面向電漿表面。在步驟502中，設置一電漿處理腔室，該電漿處理腔室裝備有一多段電極，該多段電極之電極段其中至少一者具有至少一塑形的面向電漿表面。在圖5之範例中，將多段電極當作上電極組件來使用，但這並不是本發明之限制。
在步驟504中，將電漿激發並維持以處理電漿處理腔室中之基板。
在步驟506中，調整上電極組件與基板之間的間隙以調整基板上不同位置的局部蝕刻速率。依據蝕刻的需要，步驟506可發生在步驟504之前或之後。在一或更多實施例中，可預先判定該間隙尺寸，或可根據感測器的測量結果而即時判定該間隙尺寸。在步驟508中，進行電漿處理。
根據本發明的一實施例，圖6A顯示一同心環電極段602的一部分，該同心環電極段具有一凹面的面向電漿表面604。圖6A顯示了安裝柄606A-606F、以及RF供給桿608，其中安裝柄606A-606F係用以將電極段602安裝(例如使用不銹螺栓)至上電極組件的剩餘部分。電極段602代表了該上電極組件中可以很容易地替換的面向電漿部分，並可用另一具有不同的面向電漿表面輪廓之電極段加以替換以實現不同的局部蝕刻速率效果。這樣一來，當想要改變蝕刻輪廓的局部控制時，無須更換整個整個頂端或甚至頂端的全部電極段。
根據本發明的一實施例，圖6B顯示一同心環電極段652的一部分，該同心環電極段具有一凸面的面向電漿表面654。圖6B顯示了安裝柄656A-656F、以及RF供給桿658，其中安裝柄656A-656F係用以將電極段652安裝(例如使用不銹螺栓)至上電極組件的剩餘部分。電極段652代表了該上電極組件中可以很容易地替換的面向電漿部分，並可用另一具有不同的面向電漿表面輪廓之電極段加以替換以實現不同的局部蝕刻速率效果。
如從前面描述可以了解，本發明之實施例提供額外的控制鈕，使得製程工程師得以調整局部蝕刻速率並在晶圓的蝕刻輪廓上施加局部化的控制。例如，可藉由以上面討論的方式來改變上電極與下電極之間的間隙而改變蝕刻輪廓。例如，如另一範例，可藉由換掉上電極組件的面向電漿部分，並改為使用具有不同組之塑形面向電漿表面的一者來改變蝕刻輪廓。這比換掉整個腔室頂端以得到在均勻性輪廓上的改變(如同在先前技藝中所做的)來的簡單得多且較不昂貴。
雖然本發明已就數個較佳實施例加以描述，但仍有屬於本發明的範圍內之修改、變化、及替代物。若本文中使用術語”組”時，這樣的術語係意圖具有其一般上了解之數學意義，包括零、一、或多於一的成員。吾人應將本發明理解為也包含這些修改、變化、及替代物。亦應注意本發明之方法及裝置有許多替代的實行方式。雖然本文中提供了各樣的範例，但這些範例對本發明乃舉例性的而非限制性的。
100‧‧‧RF電源供應器
102‧‧‧電容耦合電漿處理腔室
104‧‧‧下電極/卡盤組件
106‧‧‧基板
108‧‧‧上電極組件
110‧‧‧電漿產生區域
112‧‧‧電漿
114‧‧‧限制環
120‧‧‧RF電源供應器
200‧‧‧平均表面平面
202‧‧‧電極段
206‧‧‧面向電漿表面
208‧‧‧最大值
210‧‧‧最小值
212‧‧‧法向量
232‧‧‧凸面表面
234‧‧‧凹面表面
236‧‧‧平的表面
242‧‧‧平均表面平面
244‧‧‧平均表面平面
246‧‧‧平均表面平面
250‧‧‧參照箭頭
270‧‧‧最大值
272‧‧‧最小值
252‧‧‧凸面表面
254‧‧‧凹面表面
262‧‧‧平均表面平面
264‧‧‧平均表面平面
302‧‧‧多段電極
304A‧‧‧電極段
304B‧‧‧電極段
304C‧‧‧電極段
304D‧‧‧電極段
314A‧‧‧面向電漿表面
314B‧‧‧面向電漿表面
314C‧‧‧面向電漿表面
314D‧‧‧面向電漿表面
402‧‧‧線
404‧‧‧線
406‧‧‧線
412A‧‧‧尖峰
412B‧‧‧尖峰
414A‧‧‧尖峰
414B‧‧‧尖峰
416A‧‧‧尖峰
416B‧‧‧尖峰
422B‧‧‧半峰全寬(FWHM)尺寸
424B‧‧‧半峰全寬(FWHM)尺寸
426B‧‧‧半峰全寬(FWHM)尺寸
502‧‧‧步驟
504‧‧‧步驟
506‧‧‧步驟
508‧‧‧步驟
602‧‧‧電極段
604‧‧‧面向電漿表面
606A‧‧‧安裝柄
606B‧‧‧安裝柄
606C‧‧‧安裝柄
606D‧‧‧安裝柄
606E‧‧‧安裝柄
606F‧‧‧安裝柄
608‧‧‧RF供給桿
652‧‧‧電極段
654‧‧‧面向電漿表面
656A‧‧‧安裝柄
656B‧‧‧安裝柄
656C‧‧‧安裝柄
656D‧‧‧安裝柄
656E‧‧‧安裝柄
656F‧‧‧安裝柄
658‧‧‧RF供給桿
本發明在隨附圖示中係以舉例的方式說明，而非限制的方式， 且其中相似的元件符號代表類似元件，及其中：
為了方便討論，圖1顯示一範例電容耦合電漿(CCP)處理腔室之高度簡化的圖式，該電漿處理腔室具有一接地的下電極/卡盤組件及一有供電的上電極組件。
圖2A繪示一電極段之面向電漿表面的平均表面平面
圖2B繪示三共平面之表面。
圖2C繪示非共平面之表面的一些範例。
根據本發明的一實施例，圖3顯示一多段電極之橫剖面圖，該多段電極具有四電極段。
圖4概念性地顯示一給定的同心電極段之面向電漿表面的輪廓在晶圓的蝕刻速率上具有的效果。
根據本發明的一實施例，圖5顯示藉由使用本發明的多段電極而調整處理均勻性之步驟，該多段電極之電極段其中至少一者具有至少一塑形的面向電漿表面。
根據本發明的一實施例，圖6A顯示一同心環電極段，該同心環電極段具有一凹面的面向電漿表面。
根據本發明的一實施例，圖6B顯示一同心環電極段，該同心環電極段具有一凸面的面向電漿表面。

Claims (21)

  1. 一種多段電極組件，具有用以改變電漿處理腔室中之電漿的複數電極段，該多段電極組件包含：可替換的一第一有供電的電極段，具有一第一面向電漿表面，該第一有供電的電極段係配置由一第一RF信號來供電；及可替換的一第二有供電的電極段，具有一第二面向電漿表面，其中該第二有供電的電極段係配置由一第二RF信號來供電，該第二有供電的電極段與該第一有供電的電極段在電性上絕緣，該第一面向電漿表面與該第二面向電漿表面其中至少一者為非平面的，其中可替換的該第一有供電的電極段及該第二有供電的電極段其中各者可用具有不同的面向電漿表面輪廓之另一對應電極段加以替換。
  2. 如申請專利範圍第1項之多段電極組件，其中該第一面向電漿表面與該第二面向電漿表面其中一者包括至少一凸面表面部分。
  3. 如申請專利範圍第2項之多段電極組件，其中該第一面向電漿表面與該第二面向電漿表面中的另一者包括至少一凹面表面部分。
  4. 如申請專利範圍第2項之多段電極組件，其中該第一面向電漿表面與該第二面向電漿表面中的另一者係平面的。
  5. 如申請專利範圍第1項之多段電極組件，其中該第一面向電漿表面與該第二面向電漿表面其中一者包括至少一凹面表面部分。
  6. 如申請專利範圍第5項之多段電極組件，其中該第一面向電漿表面與該第二面向電漿表面中的另一者係平面的。
  7. 如申請專利範圍第1項之多段電極組件，其中該第一有供電的電極段與該第二有供電的電極段相對於彼此係同心的。
  8. 如申請專利範圍第1項之多段電極組件，其中當一基板配置於該電漿處理腔室中用於處理時，該第一面向電漿表面及該第二面向電漿表面皆位於該基板的一面向電漿表面的對面。
  9. 如申請專利範圍第1項之多段電極組件，其中該電漿處理腔室代表一間隙可調整之電漿處理腔室，其中一基板與該多段電極組件之間的一間隙為可調整的。
  10. 如申請專利範圍第9項之多段電極組件，其中該基板與該多段電極組件之間的該間隙為可原位地(in-situ)調整的。
  11. 一種電漿處理系統，具有至少一電漿處理腔室用以處理基板，該電漿處理系統包含：一基板托座，配置用以於該處理期間內支撐該基板；一多段電極組件，以間隔開的方式配置於該基板托座的對面，其中在該處理期間內一電漿產生體積存在於該多段電極與該基板之間的一間隙中，該多段電極組件包括：可替換的一第一有供電的電極段，具有一第一面向基板托座表面，該第一有供電的電極段係配置由一第一RF信號來供電；及可替換的一第二有供電的電極段，具有一第二面向基板托座表面，該第二有供電的電極段係配置由一第二RF信號來供電，該第二有供電的電極段與該第一有供電的電極段在電性上絕緣，該第一面向基板托座表面與該第二面向基板托座表面其中至少一者為非平面的，其中可替換的該第一有供電的電極段及該第二有供電的電極段其中各者可用具有不同的面向電漿表面輪廓之另一對應電極段加以替換。
  12. 如申請專利範圍第11項之電漿處理系統，其中該第一面向基板托座表面與該第二面向基板托座表面其中一者包括至少一凸面表面部分。
  13. 如申請專利範圍第12項之電漿處理系統，其中該第一面向基板托座表面與該第二面向基板托座表面中的另一者包括至少一凹面表面部分。
  14. 如申請專利範圍第12項之電漿處理系統，其中該第一面向基板托座表面與該第二面向基板托座表面中的另一者係平面的。
  15. 如申請專利範圍第11項之電漿處理系統，其中該第一面向基板托座表面與該第二面向基板托座表面其中一者包括至少一凹面表面部分。
  16. 如申請專利範圍第15項之電漿處理系統，其中該第一面向基板托座表面與該第二面向基板托座表面中的另一者係平面的。
  17. 如申請專利範圍第11項之電漿處理系統，其中該第一有供電的電極段與該第二有供電的電極段相對於彼此係同心的。
  18. 如申請專利範圍第11項之電漿處理系統，其中該間隙為可調整的。
  19. 如申請專利範圍第11項之電漿處理系統，其中該間隙為可原位地調整的。
  20. 如申請專利範圍第11項之電漿處理系統，其中該第一有供電的電極段與該第二有供電的電極段相對於彼此係不共平面的。
  21. 如申請專利範圍第11項之電漿處理系統，其中該第一有供電的電極段與該第二有供電的電極段相對於彼此係共平面的。
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