TWI660371B - 可撓式扁平排線結構 - Google Patents

Abstract

本發明係揭露一種可撓式扁平排線結構，係包含二遮蔽層、二控制層、二第一黏著層、二介電層、二第二黏著層、二絕緣層及至少一導體。二控制層設於二遮蔽層之間，且控制層由不導電膠體及奈米材料構成。二第一黏著層設於二控制層之間。二介電層設於二第一黏著層之間。二第二黏著層設於二介電層之間。二絕緣層設於二第二黏著層之間。至少一導體被二絕緣層包覆。

Description

可撓式扁平排線結構

本發明是有關於一種扁平排線，特別是有關於一種藉由控制層削減導體產生之電磁波，減少電磁波於二遮蔽層之間反射後的量，進而改善遠端串音之問題的可撓式扁平排線結構。

一般來說，扁平排線中通常會具有被絕緣層及其他層狀體包覆的導體，而導體本身會產生電磁波。

承上述，導體產生的電磁波會經由上下兩層遮蔽層而在扁平排線內進行反射；然，由於扁平排線中的導體個數可能不只一個，是以，反射中的電磁波可能會影響到其他導體，進而產生遠端串音。

是以，如何更進一步地改善遠端串音的問題，將是相關產業亟需研究探討的一大課題。

有鑑於上述習知之問題，本發明的目的在於提供一種可撓式扁平排線結構，用以解決習知技術中所面臨之問題。

基於上述目的，本發明係提供一種可撓式扁平排線結構，係包含二遮蔽層、二控制層、二第一黏著層、二介電層、二第二黏著層、二絕緣層及至少一導體。二控制層設於二遮蔽層之間，且控制層由不導電膠體及奈米材料混合所構成。二第一黏著層設於二控制層之間。二介電層設於二第一黏著層之間。二第二黏著層設於二介電層之間。二絕緣層設於二第二 黏著層之間。至少一導體被二絕緣層包覆。

較佳地，遮蔽層可為金屬層。

較佳地，金屬層可為鋁金屬層

較佳地，不導電膠體可為矽膠或環氧樹脂。

較佳地，奈米材料可為奈米石墨、奈米碳球、奈米石墨烯、奈米氮化矽、奈米氮化硼、奈米氮化鋁或其組合。

較佳地，第一黏著層可為壓克力膠層。

較佳地，介電層可為聚乙烯層。

較佳地，第二黏著層可為壓克力膠層。

較佳地，可撓式扁平排線結構可由遮蔽層、控制層、第一黏著層、介電層、第二黏著層、絕緣層、另一絕緣層、另一第二黏著層、另一介電層、另一第一黏著層、另一控制層、另一遮蔽層依序疊合構成。

承上所述，本發明之可撓式扁平排線結構藉由控制層削減導體產生之電磁波，減少電磁波於二遮蔽層之間反射後的量，進而達到改善遠端串音之問題的功效。

100‧‧‧可撓式扁平排線結構

110‧‧‧遮蔽層

120‧‧‧控制層

130‧‧‧第一黏著層

140‧‧‧介電層

150‧‧‧第二黏著層

160‧‧‧絕緣層

170‧‧‧導體

第1圖係為本發明之可撓式扁平排線結構之剖面示意圖。

第2圖係為本發明之可撓式扁平排線結構之不具有控制層之實驗測試示意圖。

第3圖係為本發明之可撓式扁平排線結構之具有控制層之實驗測試示意圖。

為利瞭解本發明之特徵、內容與優點及其所能達成之功效，茲將本發明配合圖式，並以實施例之表達形式詳細說明如下，而其中所使用之圖式，其主旨僅為示意及輔助說明書之用，未必為本發明實施後之真實比例與精準配置，故不應就所附之圖式的比例與配置關係解讀、侷限本發明於實際實施上的權利範圍。

本發明之優點、特徵以及達到之技術方法將參照例示性實施例及所附圖式進行更詳細地描述而更容易理解，且本發明或可以不同形式來實現，故不應被理解僅限於此處所陳述的實施例，相反地，對所屬技術領域具有通常知識者而言，所提供的實施例將使本揭露更加透徹與全面且完整地傳達本發明的範疇，且本發明將僅為所附加的申請專利範圍所定義。

請參閱第1圖，其係為本發明之可撓式扁平排線結構之剖面示意圖。如第1圖所示，本發明之可撓式扁平排線結構100包含了二遮蔽層110、二控制層120、二第一黏著層130、二介電層140、二第二黏著層150、二絕緣層160及至少一導體170。

續言之，上述所提到之二控制層120設於二遮蔽層110之間，且控制層120由不導電膠體及奈米材料混合所構成。

更詳細地說，不導電膠體可為矽膠或環氧樹脂，而奈米材料可為奈米石墨、奈米碳球、奈米石墨烯、奈米氮化矽、奈米氮化硼、奈米氮化鋁或其組合。其中，奈米碳相關之奈米材料可以膠合或蒸鍍的方法形成，但並不以此為限。

承上述，不導電膠體及奈米材料的混合物經過特殊的製程後，將形成由六角形所組成的緊密陣列結構，由六角形所組成的緊密陣列結構對雜訊及串音有良好的抑制及防止效果。

而，二第一黏著層130設於二控制層120之間。二介電層140設 於二第一黏著層130之間。二第二黏著層150設於二介電層140之間。二絕緣層160設於二第二黏著層150之間。至少一導體170被二絕緣層160包覆。

是以，本發明之可撓式扁平排線結構100係由遮蔽層110、控制層120、第一黏著層130、介電層140、第二黏著層150、絕緣層160、另一絕緣層160、另一第二黏著層150、另一介電層140、另一第一黏著層130、另一控制層120、另一遮蔽層110依序疊合構成。至少一導體170則設於絕緣層160與另一絕緣層160之間，由二絕緣層160包覆。

承上述，當導體170產生的電磁波經過控制層120到遮蔽層110或是經遮蔽層110反射後再經過控制層120時，該電磁波將會被控制層120削減，進而減輕對其他導體170產生遠端串音之影響。

請參閱第2及3圖；第2圖係為本發明之可撓式扁平排線結構之不具有控制層之實驗測試示意圖；第3圖係為本發明之可撓式扁平排線結構之具有控制層之實驗測試示意圖。其中，第2圖所示的係為對不具有控制層之可撓式扁平排線結構進行實驗測試之曲線圖，而第3圖所示的係為對本案之可撓式扁平排線結構(即具有控制層)進行測試之曲線圖。

如表一所示的實驗測試數據可看出，在各組測試的起始頻率-結束 頻率中，點P0的數值皆是具有控制層的可撓式扁平排線結構優於不具有控制層的可撓式扁平排線結構。由此可知，控制層的設置確實能達到降低遠端串音之功效。

補充一提的是，上述遮蔽層110可為金屬層，進一步地可為鋁金屬層；第一黏著層130可為壓克力膠層；介電層140可為聚乙烯層；第二黏著層150可為壓克力膠層。然，上述僅為示例性舉例說明，並不以此限定本發明。

承上所述，本發明之可撓式扁平排線結構藉由控制層削減導體產生之電磁波，減少電磁波於二遮蔽層之間反射後的量，進而達到改善遠端串音之問題的功效。

以上所述之實施例僅係為說明本發明之技術思想及特點，其目的在使熟習此項技藝之人士能夠瞭解本發明之內容並據以實施，當不能以之限定本發明之專利範圍，即大凡依本發明所揭示之精神所作之均等變化或修飾，仍應涵蓋在本發明之專利範圍內。

Claims (9)

1. 一種可撓式扁平排線結構，係包含：二遮蔽層；二控制層，係設於該二遮蔽層之間，且該控制層由不導電膠體及奈米材料混合所構成；二第一黏著層，係設於該二控制層之間；二介電層，係設於該二第一黏著層之間；二第二黏著層，係設於該二介電層之間；二絕緣層，係設於該二第二黏著層之間；以及至少一導體，係被該二絕緣層包覆；其中，該二絕緣層係對應於該可撓式扁平排線結構的形狀而設置為扁平片狀，而該至少一導體係位於相互疊置的該二絕緣層之間。
2. 如申請專利範圍第1項所述之可撓式扁平排線結構，其中該遮蔽層係為金屬層。
3. 如申請專利範圍第2項所述之可撓式扁平排線結構，其中該金屬層係為鋁金屬層。
4. 如申請專利範圍第1項所述之可撓式扁平排線結構，其中該不導電膠體係為矽膠或環氧樹脂。
5. 如申請專利範圍第1項所述之可撓式扁平排線結構，其中該奈米材料係為奈米石墨、奈米碳球、奈米石墨烯、奈米氮化矽、奈米氮化硼、奈米氮化鋁或其組合。
6. 如申請專利範圍第1項所述之可撓式扁平排線結構，其中該第一黏著層係為壓克力膠層。
7. 如申請專利範圍第1項所述之可撓式扁平排線結構，其中該介電層係為聚乙烯層。
8. 如申請專利範圍第1項所述之可撓式扁平排線結構，其中該第二黏著層係為壓克力膠層。
9. 如申請專利範圍第1項所述之可撓式扁平排線結構，其係由該遮蔽層、該控制層、該第一黏著層、該介電層、該第二黏著層、該絕緣層、另一該絕緣層、另一該第二黏著層、另一該介電層、另一該第一黏著層、另一該控制層、另一該遮蔽層依序疊合構成。