TWI658022B - 具高紅外線穿透率之玻璃片 - Google Patents
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Abstract
本發明係關於一種具高紅外線穿透率之玻璃片，以重量百分比計，其包含：
其組成另外包含來自鉻、硒、銅、鈰、錳及銻中之至少兩種組分；該鉻(以Cr2O3形式表示)之最大含量為0.02重量%；該硒(以Se形式表示)之最大含量為0.08重量%；該銅(以CuO形式表示)之最大含量為0.04重量%；該鈰(以CeO2形式表示)之最大含量為0.8重量%；該錳(以MnO形式表示)之最大含量為1.6重量%；該銻(以Sb2O3形式表示)之最
大含量為0.8重量%；且該組成係遵循下式：[10.02*(Cr2O3/Fe2O3)+4*(Se/Fe2O3)+2.73*(CuO/Fe2O3)+0.7*(CeO2/Fe2O3)+0.23*(MnO/Fe2O3)+0.11*(Sb2O3/Fe2O3)] A；A等於0.30。
Description
本發明係關於一種具高紅外線穿透率之玻璃片。本發明之一般技術領域為例如置放在顯示器表面區域上方之光學觸控面板。
特定言之，憑藉高紅外線(IR)穿透率，根據本發明之玻璃片可有利地用於觸控螢幕、觸控面板或觸控板中，該觸控螢幕、觸控面板或觸控板利用被稱作平面散射偵測(PSD)或甚至受抑全內反射(FTIR)之光學技術(或任何其他要求高紅外線穿透率之技術)，以便偵測該薄片之表面上一或多個物件(例如手指或觸控筆)的位置。
因此，本發明亦關於一種包含此類玻璃片之觸控螢幕、觸控面板或觸控板。
PSD及FTIR技術允許獲得便宜且可具有相對較大觸控表面(舉例而言，尺寸為3至100吋)及較小厚度之多點觸控觸控螢幕/面板。
此兩種技術包括：(i)自一或多個邊緣/邊緣面，例如利用發光二級體(LED)射出紅外(IR)線輻射進入在紅外線中透明的基板中；(ii)藉助於全內反射光學效應(無輻射「逸出」該基板)，紅外線輻射在該基板(其隨後起波導作用)內部傳播；(iii)使該基板之表面與某類物件(例如手指或觸控筆)接觸，從而
藉由輻射在所有方向上之散射而產生局部干擾；某些偏離射線將因此能夠「逸出」該基板。
在FTIR技術中，偏離射線在基板之下表面上(亦即，在與觸控表面相對之表面上)形成紅外光光點。藉由位於該裝置後方之專門相機偵測此等偏離射線。
至於PSD技術，其在步驟(i)至(iii)之後包括兩個附加步驟：(iv)使用偵測器分析在基板邊緣處的所得紅外輻射；及(v)自所偵測之輻射經演算法計算與表面接觸之物件之位置。此技術尤其描述於文件US 2013/021300 A1中。
基本上，由於玻璃之機械特性、耐久性、抗刮痕性、光學透明性且由於其可經化學方法或熱方法韌化，因此玻璃為用於觸控面板之選定材料。
就用於PSD或FTIR技術且具有極大面積且因此具有相對較大長度/寬度之玻璃面板而言，射出之紅外輻射之光學路徑較長。在此情況下，紅外輻射經玻璃材料之吸收因此對觸控面板之靈敏度具有顯著影響，其可隨後不當地減小面板之長度/寬度。就用於PSD或FTIR技術且具有較小面積且因此射出之紅外輻射具有較短光學路徑之玻璃面板而言，紅外輻射經玻璃材料之吸收亦具有一定影響，尤其對於合併有該玻璃面板之裝置的能量消耗具有影響。
因此，一種具高紅外線透明度的玻璃片極其適用於此情形，以便當此表面的面積較大時確保整個觸控表面上未下降或令人滿意的靈敏度。詳言之，在780nm至1200nm之波長範圍內(該等波長通常用於此等技術)具有等於或甚至小於1m-1之吸收係數的玻璃片為理想的。
為了於紅外線中(且於可見光中)獲得高穿透率，已知可減少玻璃中的鐵總含量(依據Fe2O3表示，根據該領域中之標準實務)且因此獲得具有低鐵含量之玻璃(或「低鐵」玻璃)。矽酸鹽玻璃始終含有鐵，因
為後者在大部分所用分批材料(砂、石灰石、白雲石等)中作為雜質存在。鐵以三價鐵離子Fe3+與二價鐵離子Fe2+之形式存在於玻璃之結構中。三價鐵離子Fe3+之存在使得玻璃在可見光中之較短波長處發生弱吸收且在近紫外線(吸收帶以380nm為中心)中發生強吸收，而二價鐵離子Fe2+(有時表示為FeO氧化物)之存在引起在近紅外線(吸收帶以1050nm為中心)中之強吸收。因此，增加鐵總含量(呈兩種形式之鐵的含量)增強在可見光及紅外線中之吸收。此外，高濃度之二價鐵離子Fe2+降低在紅外線中(尤其在近紅外線中)之穿透率。然而，為了藉由僅改變鐵總含量來獲得對於觸控應用而言足夠低的在780nm至1200nm波長範圍內之吸收係數，將要求此鐵總含量之較大降低，因而(i)其將導致生產成本太高，因為需要極純的分批材料(在某些情況下甚至不存在足夠純度的材料)，及(ii)其將造成生產問題(尤其是熔爐之過早磨損及/或在熔爐中加熱玻璃之困難)。
為進一步提高玻璃之穿透率，亦已知可氧化存在於玻璃中之鐵，即減少二價鐵離子之數量來增加三價鐵離子。玻璃之氧化程度根據其氧化還原比率指定，定義為Fe2+原子相對於玻璃中所存在之鐵原子之總重量的重量比，即Fe2+/鐵總量。
為了降低玻璃之氧化還原比率，已知可添加氧化劑至分批材料之摻合物中。然而，大部分已知的氧化劑(硫酸鹽、硝酸鹽等)不具有足以獲得在利用FTIR或PSD技術之觸控面板應用中所尋求的紅外線穿透率值之高氧化能力。
本發明之一個目標在其至少一個實施例中為提供一種具高紅外線穿透率之玻璃片。詳言之，本發明之目標為提供一種具高近紅外線穿透率之玻璃片。
本發明之另一目標在其至少一個實施例中為提供一種玻璃片，
當其用作較大面積之觸控螢幕、觸控面板或觸控板中之觸控表面時，導致觸控功能之靈敏度極少降低或未降低。
本發明之另一目標在其至少一個實施例中為提供一種玻璃片，當其用作更適當尺寸之觸控螢幕、觸控面板或觸控板中之觸控表面時，對裝置之能量消耗具有有利的影響。
本發明之另一目標在其至少一個實施例中為提供一種具高紅外線穿透率且具有所選應用可接受之外觀的玻璃片。
最後，本發明之另一目標為提供一種具高紅外線穿透率且生產便宜之玻璃片。
本發明係關於一種玻璃片，其具有包含以下各物之組成，該等物質之量係以玻璃總重量之百分比表示：
根據本發明，該組成：*另外包含來自鉻、硒、銅、鈰、錳及銻中之至少兩種組分；鉻(以Cr2O3形式表示)之最大含量為0.02重量%；硒(以Se形式表示)之最
大含量為0.08重量%；銅(以CuO形式表示)之最大含量為0.04重量%；鈰(以CeO2形式表示)之最大含量為0.8重量%；錳(以MnO形式表示)之最大含量為1.6重量%；銻(以Sb2O3形式表示)之最大含量為0.8重量%；且*遵循下式[10.02*(Cr2O3/Fe2O3)+4*(Se/Fe2O3)+2.73*(CuO/Fe2O3)+0.7*(CeO2/Fe2O3)+0.23*(MnO/Fe2O3)+0.11*(Sb2O3/Fe2O3)] A；A等於0.30。
因此，本發明係基於一種完全新穎且具創造性的方法，因為其能夠解決所述技術問題。特定言之，本發明人已證明，可藉由在玻璃組成中組合低含量鐵與以來自鉻、硒、銅、鈰、錳及銻中之兩種或兩種以上組分之特定含量的特定摻合物來獲得一種在紅外線中極透明並且其外觀及顏色受到極小影響或無影響之玻璃片。
本發明之其他特徵及優勢在閱讀以下說明後將變得更加顯而易見。
在本文全篇中，當指明範圍時，其極限包括在內。此外，數值範圍內之各個及每一整數值與子區間明確地包括在內，如同明確寫明一般。此外，在本文全篇中，百分比量或含量值為相對於玻璃總重量表示之按重量計之值。此外，在本文全篇中，儘管提及總鐵含量，但其係以Fe2O3形式表示。同樣，在式中，當提及「Fe2O3」時，其實際上為總鐵含量。
根據本發明之玻璃片可由屬於多種類別之玻璃製成。玻璃因此可為鈉鈣矽玻璃、鋁矽酸鹽玻璃、硼矽酸鹽玻璃等。較佳地，及出於降低生產成本之原因，根據本發明之玻璃片為鈉鈣矽玻璃片。在此較佳實施例中，玻璃片之組成可包含以下各物，其量係以玻璃總重量之百分比表示：
更佳地，根據此實施例，玻璃片之組成可包含以下各物，其量係以玻璃總重量之百分比表示：
有利地，且根據一特定實施例，根據本發明之玻璃片之組成不含硼(意謂其未有意添加但可以呈極小量之非所要雜質形式存在)。
有利地且根據另一特定實施例，根據本發明之玻璃片之組成不含鋰(意謂其未有意添加但可以呈極小量之非所要雜質形式存在)。
有利地且根據另一特定實施例，根據本發明之玻璃片之組成不含鋅(意謂其未有意添加但可以呈極小量之非所要雜質形式存在)。
有利地且根據另一特定實施例，根據本發明之玻璃片之組成不含鍶(意謂其未有意添加但可以呈極小量之非所要雜質形式存在)。
有利地且根據又一特定實施例，根據本發明之玻璃片之組成不含鈷(意謂其未有意添加但可以呈極小量之非所要雜質形式存在)。較佳地，根據此實施例，根據本發明之玻璃片之組成包含小於0.0005%之鈷含量(以Co形式表示)。更佳地，根據本發明之玻璃片之組成包含小於0.0002%或再較佳小於0.0001%之鈷含量。又更佳地，根據本發明之玻璃片之組成包含小於0.00005%或再較佳小於0.00001%之鈷含量。
在本發明之上下文中，術語「玻璃」係理解為意謂一種完全非晶形材料，因此排除任何結晶材料、甚至部分結晶材料(諸如，例如玻璃結晶或玻璃陶瓷材料)。
根據本發明之玻璃片可為藉由浮法製程、拉伸製程或軋製製程或任何其他已知的用於自熔融玻璃組合物來製造玻璃片之製程所獲得的玻璃片。根據本發明之較佳實施例，玻璃片為浮法玻璃片。表述「浮法玻璃片」係理解為意謂藉由浮法製程所形成之玻璃片，該浮法製程包括在還原性條件下將熔融的玻璃傾倒於熔融錫浴上。眾所周知，浮法玻璃片具有所謂的「錫側面」，亦即在該側面上接近薄片表面之玻璃區域富含錫。表述「富含錫」係理解為意謂相對於玻璃核心之組成之錫濃度的提高，該組成可實質上不含錫或不含錫。
根據本發明之玻璃片可為各種尺寸且相對較大。例如其可具有範圍高達3.21m×6m或3.21m×5.50m或3.21m×5.10m或3.21m×4.50m(「PLF」玻璃片)或甚至例如3.21m×2.55m或3.21m×2.25m(「DLF」玻璃片)之尺寸。
根據本發明之玻璃片之厚度可在0.1mm與25mm之間。有利的是，就觸控面板應用而言，根據本發明之玻璃片之厚度可在0.1mm與
6mm之間。較佳地，就觸控螢幕應用而言，出於重量原因，根據本發明之玻璃片之厚度將為0.1mm至2.2mm。
根據本發明，玻璃片之組成包含相對於玻璃之總重量，按重量計在0.002%至0.04%範圍內之鐵總含量(依據Fe2O3表示)。按重量計小於或等於0.04%之鐵總含量(以Fe2O3形式表示)使得玻璃片之紅外線穿透率進一步提高。最小值確保玻璃之成本不過多增加，因為該等低鐵值常常要求極純且昂貴的分批材料或對該等分批材料進行純化。較佳地，該玻璃片之組成包含相對於玻璃之總重量，按重量計在0.002%至0.02%範圍內之鐵總含量(以Fe2O3形式表示)。最佳地，該組成包含相對於玻璃之總重量，按重量計在0.002%至小於0.014%範圍內之鐵總含量(以Fe2O3形式表示)。
根據本發明之玻璃片之組成對應於下式(在下文中稱作「式A」)：[10.02*(Cr2O3/Fe2O3)+4*(Se/Fe2O3)+2.73*(CuO/Fe2O3)+0.7*(CeO2/Fe2O3)+0.23*(MnO/Fe2O3)+0.11*(Sb2O3/Fe2O3)] A；其中A等於0.30。
根據本發明之一個實施例，在前述「式A」中，A等於0.6且較佳等於0.9。更佳地，在前述「式A」中，A等於1.2，實際上甚至為1.5、1.8、2.1、2.4或再較佳為2.7。極佳地，在前述「式A」中，A等於3.0。A之該等遞增值使得可獲得對愈來愈大之玻璃片之IR範圍穿透率之有益影響。
根據本發明，該組成包含來自鉻、硒、銅、鈰、錳及銻中之至少兩種組分；鉻(以Cr2O3形式表示)之最大含量為0.02重量%；硒(以Se形式表示)之最大含量為0.08重量%；銅(以CuO形式表示)之最大含量為0.04重量%；鈰(以CeO2形式表示)之最大含量為0.8重量%；錳(以MnO形式表示)之最大含量為1.6重量%；銻(以Sb2O3形式表示)之最大
含量為0.8重量%；應理解，若來自鉻、硒、銅、鈰、錳及銻之組分不存在於本發明之組成中，則該等含量各自可為0。
該組成包含鉻及來自硒、銅、鈰、錳及銻中之至少一種組分之本發明特定實施例經證實在改良IR範圍穿透率方面尤其良好。
根據本發明之一個實施例，該組成包含：- Cr2O3/Fe2O3比率0.5；- Se/Fe2O3比率2；- CuO/Fe2O3比率1.2；- CeO2/Fe2O3比率20；- MnO/Fe2O3比率40；及- Sb2O3/Fe2O3比率20；應理解，若來自鉻、硒、銅、鈰、錳及銻之組分不存在於本發明之組成中，則此等比率各自可為0。此實施例具有以下優勢：限制相對於鐵，低於在過度顯著程度上對最終玻璃片之某些特性(例如其顏色或甚至其成本)不利，同時無法進一步獲得對其IR範圍穿透率之積極影響之含量的來自鉻、硒、銅、鈰、錳及銻之組分之存在。
根據此最後一個實施例且有利地，該組成包含：- Cr2O3/Fe2O3比率0.25；- Se/Fe2O3比率1；- CuO/Fe2O3比率0.6；- CeO2/Fe2O3比率10；- MnO/Fe2O3比率20；及- Sb2O3/Fe2O3比率10；其具有以下優勢：再次限制相對於鐵，低於仍在相對顯著程度上對最終玻璃片之某些特性(例如其顏色或甚至其成本)不利，同時獲得對其IR範圍穿透率之極其有限影響之含量的來自鉻、硒、銅、鈰、
錳及銻之組分之存在。
根據本發明之有利實施例，該組成係遵循下式(在下文中稱作「式B」)：[2*(Cr2O3/Fe2O3)+0.5*(Se/Fe2O3)+0.83*(CuO/Fe2O3)+0.05*(CeO2/Fe2O3)+0.025*(MnO/Fe2O3)+0.05*(Sb2O3/Fe2O3)] B；B等於2。
此實施例表示相對於鐵，最佳化較高含量之組分鉻、硒、銅、鈰、錳及銻，使得可獲得最高IR範圍穿透率，同時限制對最終玻璃片之其他特性(例如其顏色)之影響。
較佳地，在「式B」中，B等於1且更佳等於0.5或再較佳等於0.25。B之該等遞減值在「式B」中進一步改良上述最佳化。
根據一個實施例，根據本發明之玻璃片之組成包含來自鉻、硒、銅、鈰、錳及銻中之至少三種組分。有利地，根據本發明之玻璃片之組成包含來自鉻、硒、銅、鈰、錳及銻中之至少四種組分。此等實施例具有使最終玻璃的除吸收係數及/或有關玻璃生產力之某些約束條件外之某些特性可能具較大自由度之效果。舉例而言，此可能更精細地改變各組分在最終玻璃之顏色及/或光穿透率方面之影響。
根據本發明之另一實施例，根據本發明之玻璃片之組成包含除鈰及銻之任何組合外的來自鉻、硒、銅、鈰、錳及銻中之至少兩種組分。在本發明之組成中之該組合產生呈現極高且通常非所要之曝曬能力之玻璃。
根據本發明之另一實施例，該組成包含按重量計小於20ppm之Fe2+含量(以FeO形式表示)。較佳地，該組成包含小於10ppm或再較佳小於7ppm之Fe2+含量(以FeO形式表示)。此等含量範圍允許獲得極令人滿意的特性，尤其在紅外線穿透率方面。最佳地，該組成包含小於5ppm或再較佳小於2.5ppm之Fe2+含量(以FeO形式表示)。
根據本發明，玻璃片具有高紅外線穿透率。更確切地說，本發明之玻璃片具有高近紅外線穿透率。
為了定量玻璃在紅外線範圍內之良好穿透率，在本說明書中，將利用1050nm、950nm及850nm波長處之吸收係數，在此情形下該等吸收係數必須儘可能低以便獲得良好穿透率。吸收係數係藉由吸光度與在給定介質內電磁射線所行進的光學路徑之長度的比率來定義。其係以m-1表示。因此其與材料厚度無關，而是取決於吸收的輻射之波長及材料之化學性質。
就玻璃而言，在所選波長處λ之吸收係數(μ)可由穿透率(T)之量測值及材料之折射率n計算(thick=厚度)，n、ρ及T之值取決於所選波長λ：
其中ρ=(n-1)2/(n+1)2。
有利的是，根據本發明之玻璃片在1050nm波長處具有小於5m-1之吸收係數。較佳地，根據本發明之玻璃片在1050nm波長處具有小於或等於2m-1或再較佳小於或等於1.5m-1之吸收係數。最佳地，根據本發明之玻璃片在1050nm波長處具有小於或等於1m-1或再較佳小於或等於1.5m-1之吸收係數。
亦有利的是，根據本發明之玻璃片在950nm波長處具有小於5m-1之吸收係數。較佳地，根據本發明之玻璃片在950nm波長處具有小於或等於2m-1或再較佳小於或等於1.5m-1之吸收係數。最佳地，根據本發明之玻璃片在950nm波長處具有小於或等於1m-1之吸收係數。
亦有利的是，根據本發明之玻璃片在850nm波長處具有小於5m-1之吸收係數。較佳地，根據本發明之玻璃片在850nm波長處具有小於或等於2m-1或再較佳小於或等於1.5m-1之吸收係數。最佳地，根據本
發明之玻璃片在850nm波長處具有小於或等於1m-1之吸收係數。
根據本發明之一個實施例，除了包含雜質，尤其包含於分批材料中之雜質之外，玻璃片之組成還可包含低比例之添加劑(諸如促進玻璃熔化或精煉之試劑)或由於形成熔爐之耐火材料溶解而產生的成分。
根據本發明之一個有利實施例，玻璃片之組成可另外包含取決於所需效果的適量一或多種其他著色劑。此(此等)著色劑可用以例如「中和」所獲得之輕微顏色，且因此使本發明之玻璃之著色更加中性。或者，此(此等)著色劑可用以獲得所需顏色。
根據可與前述實施例組合的本發明之另一有利實施例，玻璃片可塗佈有允許改變或中和所獲得之輕微顏色的層或薄膜(例如著色的PVB薄膜)。
根據本發明之玻璃片可有利地以化學方法或以熱方法回火。
根據本發明之一個實施例，玻璃片塗佈有至少一個透明且導電的薄層。根據本發明之透明且導電的薄層可例如為基於SnO2：F、SnO2：Sb或ITO(氧化銦錫)、ZnO：Al或甚至ZnO：Ga之層。
根據本發明之另一有利實施例，玻璃片塗佈有至少一個抗反射(antireflective/anti-reflection)層。此實施例在將本發明之玻璃片用作螢幕前表面之情況下為明顯有利的。根據本發明之抗反射層可為例如基於低折射率多孔二氧化矽之層，或其可由多個層(多層)製成，尤其可由多層介電層製成，該多層含有交替的低折射率與高折射率層且以低折射率層終止。
根據另一實施例，玻璃片塗佈有至少一個抗污層，從而限制/預防其受污跡污染。此實施例在將本發明之玻璃片用作觸控螢幕前表面之情況下亦為有利的。此類層可與沈積於相對表面上的透明且導電之薄層組合。此類層可與沈積於同一表面上之抗反射層組合，抗污層係
置放於該多層之外部上且因此覆蓋抗反射層。
根據本發明之玻璃片亦可在其至少一個主表面上經處理，例如用酸或鹼磨砂，以便例如產生抗污特性或甚至抗反射或防眩光特性。此在將本發明之玻璃片用作螢幕、觸控螢幕或其他螢幕前表面之情況下亦為尤其有利的。
取決於所需應用及/或特性，其他層/其他處理可沈積於根據本發明之玻璃片之一個及/或另一表面上/在該面及/或另一面上進行。
除非另外明確提及，否則根據本發明之玻璃片之所有實施例當然可彼此組合，而不必進一步描述實施例之每一可能組合。
此外，本發明亦關於一種觸控螢幕或觸控面板或觸控板，其包含至少一個根據本發明之玻璃片，用於界定觸控表面。根據此實施例，觸控螢幕或觸控面板或觸控板有利地使用FTIR或PSD光學技術。詳言之，對於螢幕，玻璃片有利地置放在顯示器表面上方。所有上文所描述的關於本發明之玻璃片之實施例因此亦適用於根據本發明之觸控螢幕或觸控面板或觸控板。
最後，本發明亦關於根據本發明之玻璃片在採用基本上在該薄片內傳播之紅外線輻射之裝置中的用途。所有上文所描述的關於本發明之玻璃片之實施例因此亦適用於本發明之用途。
表述「基本上在薄片內傳播之輻射」係理解為指穿過成批玻璃片在該薄片之兩個主表面之間傳播之輻射。
有利地，根據本發明之用途之一個實施例，紅外線輻射藉由全內反射傳播。在此實施例中，紅外線輻射可自該薄片之一或多個邊緣射出至玻璃片中。表述「薄片之邊緣」係理解為意謂由薄片之厚度界定且實質上垂直於薄片之兩個主表面的四個表面中之每一者。又在此實施例中，紅外線輻射可自一個或兩個主表面以一定角度射出至玻璃片中。
以下實例說明本發明但不意欲以任何方式限制其範疇。
將分批材料以粉末形式摻合，且將其置放在坩堝中以便熔融，該摻合物具有在下表中指定之基礎組成。
使用可變量之鐵以及可變量的來自鉻、硒、銅、鈰、錳、及銻中之至少兩種組分製備多種樣品，基礎組成保持相同(考慮到鐵及來自鉻、硒、銅、鈰、錳、及銻之額外組分，在每一情況下調節二氧化矽含量以便達成總計100%)。樣品1(參照/對比實例)對應於具有較低鐵含量且未添加鉻、硒、銅、鈰、錳或銻之先前技術玻璃(稱作特別清晰的玻璃)。樣品2-19對應於根據本發明之玻璃片組成。
量測呈薄片形式之每一玻璃樣品之光學特性，且詳言之，藉助於利用配備有150mm直徑之積分球的PerkinElmer Lambda 950分光光度計之穿透率量測法來量測在850nm、950nm及1050nm波長處的吸收係數(N)，樣品置放在用於量測之球體之入口孔隙中。
下表顯示在1050nm、950nm及850nm波長處所獲得的根據本發明之樣品的吸收係數相對於參照樣品1之值的差異(△)。該表同樣說明根據本發明之「式A及式B」所計算的值。
結果顯示，以根據本發明之含量範圍添加來自鉻、硒、銅、鈰、錳及銻中的至少兩種組分使得在850nm、950nm及1050nm波長處之吸收係數中的至少一個極其顯著地降低，且因此在近紅外線中之輻射吸收通常減少。
*百分比為重量百分比
**「-」指示未添加至玻璃組成中
*百分比為重量百分比
**「-」指示未添加至玻璃組成中
Claims (13)
- 一種玻璃片，其具有包含以下各物之組成，該等物質之量係以玻璃總重量之百分比表示：該組成另外包含來自鉻、硒、銅、鈰、錳及銻中之至少兩種組分；該鉻(以Cr2O3形式表示)之最大含量為0.02重量%；該硒(以Se形式表示)之最大含量為0.08重量%；該銅(以CuO形式表示)之最大含量為0.04重量%；該鈰(以CeO2形式表示)之最大含量為0.8重量%；該錳(以MnO形式表示)之最大含量為1.6重量%；該銻(以Sb2O3形式表示)之最大含量為0.8重量%；其特徵在於該組成係遵循下式：[10.02*(Cr2O3/Fe2O3)+4*(Se/Fe2O3)+2.73*(CuO/Fe2O3)+0.7*(CeO2/Fe2O3)+0.23*(MnO/Fe2O3)+0.11*(Sb2O3/Fe2O3)] A；A等於0.30；該組成係遵循下式：[2*(Cr2O3/Fe2O3)+0.5*(Se/Fe2O3)+0.83*(CuO/Fe2O3)+0.05*(CeO2/Fe2O3)+0.025*(MnO/Fe2O3)+0.05*(Sb2O3/Fe2O3)] B；B等於1；且該組成包含小於10ppm之Fe2+含量(以FeO形式表示)。
- 如請求項1之玻璃片，其中A等於0.6。
- 如請求項2之玻璃片，其中A等於0.9。
- 如請求項1之玻璃片，其中該組成包含：Cr2O3/Fe2O3比率0.5；Se/Fe2O3比率2；CuO/Fe2O3比率1.2；CeO2/Fe2O3比率20；MnO/Fe2O3比率40；及Sb2O3/Fe2O3比率20。
- 如請求項4之玻璃片，其中該組成包含：Cr2O3/Fe2O3比率0.25；Se/Fe2O3比率1；CuO/Fe2O3比率0.6；CeO2/Fe2O3比率10；MnO/Fe2O3比率20；及Sb2O3/Fe2O3比率10。
- 如請求項1之玻璃片，其中該組成包含相對於該玻璃之總重量，按重量計0.002%至0.02%之總鐵含量(以Fe2O3形式表示)。
- 如請求項6之玻璃片，其中該組成包含相對於該玻璃之總重量，按重量計0.002%至小於0.014%之總鐵含量(以Fe2O3形式表示)。
- 如請求項1至7中任一項之玻璃片，其中其在1050nm波長處具有小於5m-1之吸收係數。
- 如請求項1至7中任一項之玻璃片，其中其在850nm波長處具有小於5m-1之吸收係數。
- 一種觸控螢幕或觸控面板或觸控板，其包含至少一個如請求項1至9中任一項之玻璃片，用於界定觸控表面。
- 如請求項10之觸控螢幕或觸控面板或觸控板，其利用FTIR或PSD光學技術。
- 一種如請求項1至9中任一項之玻璃片之用途，其係用於採用基本上在該薄片內傳播之紅外線輻射之裝置中。
- 如請求項12之用途，其中該紅外線輻射係藉由全內反射傳播。
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