TWI651203B - 無膠膠帶的製造方法 - Google Patents

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Abstract

無膠膠帶的製造方法包含提供一離型膜；提供一模具對該離型膜進行一熱壓印製程，以於該離型膜上形成複數個凹陷結構；塗佈一高分子材料於該離型膜上；以及對該高分子材料進行固化以形成一無膠膠帶，其中該無膠膠帶上形成有複數個凸起結構對應於該複數個凹陷結構，該離型膜是可從該無膠膠帶剝離，該複數個凸起結構用以和一物體之表面接觸以產生凡得瓦力，而使該無膠膠帶藉由凡得瓦力貼附於該物體之表面上。

Description

無膠膠帶的製造方法
本發明係相關於一種無膠膠帶的製造方法，尤指一種可簡化製程及改善良率的無膠膠帶的製造方法。
在半導體製造方法中，為了將晶圓薄化，會對晶圓進行晶背研磨製程。一般而言，習知的晶背研磨製程是先將膠帶貼附於晶圓正面，之後再對晶圓背面進行研磨。當晶圓背面研磨完成後，晶圓正面上的膠帶會被移除以進行後續的晶圓切割製程。為了避免膠帶於晶圓正面上遺留殘膠而影響晶圓正面上形成之積體電路的良率，先前技術會利用無膠膠帶貼附於晶圓正面上以進行晶背研磨製程。無膠膠帶的表面上具有複數個奈米級凸起結構用以和晶圓正面之間產生凡得瓦力，以使無膠膠帶能貼附於晶圓正面。為了避免無膠膠帶上沾黏異物，無膠膠帶在使用前會貼附一離型膜。然而，無膠膠帶表面上的奈米級凸起結構有可能在貼附離型膜時受到損壞，進而影響到無膠膠帶的功能。
本發明之目的在於提供一種可簡化製程及改善良率的無膠膠帶的製造方法，以解決先前技術的問題。
本發明無膠膠帶的製造方法包含提供一離型膜；提供一模具對該離型膜進行一熱壓印製程，以於該離型膜上形成複數個凹陷結構；塗佈一高分子材料於該離型膜上；以及對該高分子材料進行固化以形成一無膠膠帶，其中該無膠膠帶上形成有複數個凸起結構對應於該複數個凹陷結構，該離型膜是可從該無膠膠帶剝離，該複數個凸起結構用以和一物體之表面接觸以產生凡得瓦力，而使該無膠膠帶藉由凡得瓦力貼附於該物體之表面上。
本發明一實施例中，提供該離型膜是提供聚丙烯或聚烯烴形成的離型膜。
本發明一實施例中，塗佈該高分子材料於該離型膜上是塗佈聚二甲基矽氧烷於該離型膜上。
本發明一實施例中，塗佈該高分子材料於該離型膜上是塗佈十八聚硬脂二甲基矽氧烷於該離型膜上。
本發明一實施例中，塗佈該高分子材料於該離型膜上是塗佈十六聚二甲基矽氧烷於該離型膜上。
本發明一實施例中，塗佈該高分子材料於該離型膜上是塗佈硬脂氫化聚二甲基矽氧烷於該離型膜上。
本發明一實施例中，該複數個凸起結構的寬度與高度比是介於1：2和2：1之間。
本發明一實施例中，該複數個凸起結構的寬度與高度分別介於100奈米和1000奈米之間。
本發明一實施例中，該複數個凸起結構的底部之間的間隔是介於0奈米和2000奈米之間。
本發明一實施例中，該無膠膠帶不包含黏著劑且該無膠膠帶之表面未施加黏著劑。
相較於先前技術，本發明無膠膠帶的製造方法是先對離型膜進行熱壓印，再於離型膜上塗佈高分子材料以形成無膠膠帶，因此本發明無膠膠帶的製造方法不需要進行貼附離型膜於無膠膠帶上的製程，不僅可以簡化製程，也可以避免無膠膠帶的凸起結構於貼附離型膜時受到損壞，進而改善無膠膠帶的良率。
請參考第1圖，第1圖是本發明無膠膠帶的製造方法的示意圖。如第1圖所示，本發明無膠膠帶的製造方法是先提供一離型膜100。離型膜100可以是由聚丙烯或聚烯烴(例如TPX)所形成的離型膜，但本發明不以此為限。之後，本發明無膠膠帶的製造方法再利用一模具200對離型膜100進行一熱壓印製程，以於離型膜100上形成複數個凹陷結構110。在熱壓印製程後，本發明無膠膠帶的製造方法再塗佈一高分子材料A於離型膜100上。高分子材料A可以是矽氧烷化合物，例如聚二甲基矽氧烷、十八聚硬脂二甲基矽氧烷、十六聚二甲基矽氧烷、硬脂氫化聚二甲基矽氧烷，但本發明不以此為限。之後，本發明無膠膠帶的製造方法再對高分子材料A進行固化(例如利用光或熱進行固化)以形成一無膠膠帶300。其中無膠膠帶300上形成有複數個凸起結構310對應於離型膜100上的複數個凹陷結構110。另一方面，離型膜100是可從無膠膠帶300剝離。
依據上述配置，當本發明無膠膠帶300成形時，離型膜100已直接貼附於無膠膠帶300上。因此本發明無膠膠帶300不需要進行貼附離型膜於無膠膠帶上的製程，不僅可以簡化製程，也可以避免無膠膠帶300的凸起結構310於貼附離型膜時受到損壞，進而改善無膠膠帶的良率。
另外，TPX樹脂具有較佳的耐熱性與耐化學性，當離形膜100是由TPX樹脂所形成時，離形膜100具有較好的穩定性，因此在後續進行高分子材料A的光固化或熱固化的製程中，可以進一步提升無膠膠帶300的製作良率。
請參考第2圖，第2圖是本發明無膠膠帶的結構示意圖。如第2圖所示，當離型膜100從無膠膠帶300剝離後，無膠膠帶300的複數個凸起結構310可用以和一物體(未圖示)之表面直接接觸以產生凡得瓦力，進而使無膠膠帶300藉由凡得瓦力貼附於該物體之表面上。舉例來說，本發明防水無膠膠帶300可應用於半導體製程(例如晶背研磨製程或晶圓切割製程)，由於無膠膠帶300是利用凸起結構310產生的凡得瓦力貼附於晶圓的表面，故無膠膠帶300不需包含黏著劑，且無膠膠帶300之表面亦不需要施加黏著劑，因此在移除貼附於晶圓的無膠膠帶300時不會有黏著劑殘留於晶圓表面上。
在本實施例中，無膠膠帶300的複數個凸起結構310的剖面是矩形，換句話說，複數個凸起結構310的側壁是垂直設置。複數個凸起結構310的寬度W與高度H比是介於1：2和2：1之間，且複數個凸起結構310的寬度與高度分別介於100奈米和1000奈米之間。另外，由於複數個凸起結構310的側壁是垂直設置，因此複數個凸起結構310的底部之間的間隔P是介於100奈米和2000奈米之間。
請參考第3圖，第3圖是本發明另一無膠膠帶的結構示意圖。如第3圖所示，無膠膠帶300’的複數個凸起結構310’的剖面是三角形，換句話說，複數個凸起結構310’的側壁是傾斜設置。在本實施例中，複數個凸起結構310’的寬度W與高度H比亦是介於1：2和2：1之間，且複數個凸起結構310’的寬度與高度亦分別介於100奈米和1000奈米之間。另外，由於複數個凸起結構310’的側壁是傾斜設置，因此複數個凸起結構310’的底部之間的間隔P是介於0奈米和2000奈米之間。
在上述實施例中，凸起結構310、310’的形狀(或剖面)及配置只是舉例，本創作凸起結構的形狀(或剖面)及配置不限於上述實施例。
請參考第4圖，第4圖是本發明無膠膠帶的製造方法的流程圖400。本發明無膠膠帶的製造方法的流程如下列步驟：
步驟410：提供一離型膜；
步驟420：提供一模具對該離型膜進行一熱壓印製程，以於該離型膜上形成複數個凹陷結構；
步驟430：塗佈一高分子材料於該離型膜上；以及
步驟440：對該高分子材料進行固化以形成一無膠膠帶，其中該無膠膠帶上形成有複數個凸起結構對應於該複數個凹陷結構，該離型膜是可從該無膠膠帶剝離，該複數個凸起結構用以和一物體之表面接觸以產生凡得瓦力，而使該無膠膠帶藉由凡得瓦力貼附於該物體之表面上。
相較於先前技術，本發明無膠膠帶的製造方法是先對離型膜進行熱壓印，再於離型膜上塗佈高分子材料以形成無膠膠帶，因此本發明無膠膠帶的製造方法不需要進行貼附離型膜於無膠膠帶上的製程，不僅可以簡化製程，也可以避免無膠膠帶的凸起結構於貼附離型膜時受到損壞，進而改善無膠膠帶的良率。 以上所述僅為本發明之較佳實施例，凡依本發明申請專利範圍所做之均等變化與修飾，皆應屬本發明之涵蓋範圍。
100 離型膜 110 凹陷結構 200 模具 300、300’ 無膠膠帶 310、310’ 凸起結構 A 高分子材料 H 凸起結構的高度 W 凸起結構的寬度 P 凸起結構的之間的間隔
第1圖是本發明無膠膠帶的製造方法的示意圖。 第2圖是本發明無膠膠帶的結構示意圖。 第3圖是本發明另一無膠膠帶的結構示意圖。 第4圖是本發明無膠膠帶的製造方法的流程圖。

Claims (10)

  1. 一種無膠膠帶的製造方法，包含： 提供一離型膜； 提供一模具對該離型膜進行一熱壓印製程，以於該離型膜上形成複數個凹陷結構； 塗佈一高分子材料於該離型膜上；以及 對該高分子材料進行固化以形成一無膠膠帶，其中該無膠膠帶上形成有複數個凸起結構對應於該複數個凹陷結構，該離型膜是可從該無膠膠帶剝離，該複數個凸起結構用以和一物體之表面接觸以產生凡得瓦力，而使該無膠膠帶藉由凡得瓦力貼附於該物體之表面上。
  2. 如請求項1所述的無膠膠帶的製造方法，其中提供該離型膜是提供聚丙烯或聚烯烴形成的離型膜。
  3. 如請求項1所述的無膠膠帶的製造方法，其中塗佈該高分子材料於該離型膜上是塗佈聚二甲基矽氧烷於該離型膜上。
  4. 如請求項1所述的無膠膠帶的製造方法，其中塗佈該高分子材料於該離型膜上是塗佈十八聚硬脂二甲基矽氧烷於該離型膜上。
  5. 如請求項1所述的無膠膠帶的製造方法，其中塗佈該高分子材料於該離型膜上是塗佈十六聚二甲基矽氧烷於該離型膜上。
  6. 如請求項1所述的無膠膠帶的製造方法，其中塗佈該高分子材料於該離型膜上是塗佈硬脂氫化聚二甲基矽氧烷於該離型膜上。
  7. 如請求項1所述的無膠膠帶的製造方法，其中該複數個凸起結構的寬度與高度比是介於1：2和2：1之間。
  8. 如請求項1所述的無膠膠帶的製造方法，其中該複數個凸起結構的寬度與高度分別介於100奈米和1000奈米之間。
  9. 如請求項1所述的無膠膠帶的製造方法，其中該複數個凸起結構的底部之間的間隔是介於0奈米和2000奈米之間。
  10. 如請求項1所述的無膠膠帶的製造方法，其中該無膠膠帶不包含黏著劑且該無膠膠帶之表面未施加黏著劑。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130101796A1 (en) * 2010-07-07 2013-04-25 Basf Se Method for Producing Finely Structured Surfaces

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