TWI637500B - 影像感測器 - Google Patents

影像感測器 Download PDF

Info

Publication number
TWI637500B
TWI637500B TW105136671A TW105136671A TWI637500B TW I637500 B TWI637500 B TW I637500B TW 105136671 A TW105136671 A TW 105136671A TW 105136671 A TW105136671 A TW 105136671A TW I637500 B TWI637500 B TW I637500B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
layer
infrared light
visible light
receiving portion
image sensor
Prior art date
Application number
TW105136671A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201813064A (zh
Inventor
謝於叡
陳柏男
Original Assignee
奇景光電股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 奇景光電股份有限公司 filed Critical 奇景光電股份有限公司
Publication of TW201813064A publication Critical patent/TW201813064A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI637500B publication Critical patent/TWI637500B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
    • H01L27/14649—Infrared imagers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/1462—Coatings
    • H01L27/14621—Colour filter arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/1462—Coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
    • H01L27/14627—Microlenses
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14632—Wafer-level processed structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Abstract

一種影像感測器，包含可見光接收部與紅外光接收部。可見光接收部用以接收可見光，紅外光接收部用以接收紅外光。可見光接收部包含紅外光截止濾光球層用以聚集可見光。在本發明的一些實施例中，紅外光接收部包含微透鏡層用以聚集紅外光。在本發明的一些其他實施例中，紅外光接收部包含紅外光穿透濾光球層用以聚集紅外光。

Description

影像感測器
本發明是有關於一種影像感測器，且特別是有關於一種具有紅外光感測功能的影像感測器。
隨著出入管制系統與保安系統的發展，使用人體特徵來確認個人身份的生物辨識(biometric)技術逐漸盛行。具有高可靠度的虹膜辨識技術便是其中一種普及的生物辨識技術。當虹膜辨識技術應用於電子裝置，如智慧型手機，智慧型手機需要能夠分別接收可見光與紅外光的影像感測器來實現虹膜辨識功能。傳統的影像感測器具有兩個不同的部份來分別接收可見光與紅外光。
本發明提出一種影像感測器，包含可見光接收部與紅外光接收部。可見光接收部用以接收可見光，紅外光接收部用以接收紅外光。可見光接收部包含紅外光截止濾光球層用以聚集可見光。在本發明的一些實施例中，紅外光接收部包含微透鏡層用以聚集紅外光。在本發明的一些其他實施例中，紅外光接收部包含紅外光穿透濾光球層用以聚集紅 外光。
100、200、300、400‧‧‧影像感測器
100A、100C‧‧‧元件
1000、3000‧‧‧方法
110、110A、210‧‧‧可見光接收部
1100、1200、1300、3100、3200、3300、3400、 3500‧‧‧步驟
112‧‧‧可見光感測層
114‧‧‧彩色濾光層
114a‧‧‧紅色濾光單元
114b‧‧‧藍色濾光單元
114c‧‧‧綠色濾光單元
116‧‧‧紅外光截止濾光球層
116A‧‧‧紅外光截止濾光層
120、120A、120B、220、320、320C、320D、 420‧‧‧紅外光接收部
122‧‧‧紅外光感測層
124、224、326C‧‧‧紅外光穿透濾光層
326‧‧‧紅外光穿透濾光球層
ML‧‧‧微透鏡層
ML1‧‧‧第一微透鏡層
ML2‧‧‧第二微透鏡層
PL1、PL2‧‧‧平坦層
WA‧‧‧晶圓層
從以下結合所附圖式所做的詳細描述，可對本揭露之態樣有更佳的了解。需注意的是，根據業界的標準實務，各特徵並未依比例繪示。事實上，為了使討論更為清楚，各特徵的尺寸都可任意地增加或減少。
[圖1]係繪示根據本發明的第一實施例之影像感測器的剖面圖。
[圖2]係繪示根據本發明的第二實施例之影像感測器的剖面圖。
[圖3]係繪示根據本發明的第三實施例之影像感測器的剖面圖。
[圖4]係繪示根據本發明的第四實施例之影像感測器的剖面圖。
[圖5]係繪示根據本發明的第一實施例之形成影像感測器的方法的流程圖。
[圖6a]至[圖6d]係繪示根據本發明的第一實施例之形成影像感測器的方法的步驟所對應的影像感測器的剖面圖。
[圖7]係繪示根據本發明的第三實施例之形成影像感測器的方法的流程圖。
[圖8a]至[圖8g]係繪示根據本發明的第三實施例之形成影像感測器的方法的步驟所對應的影像感測器的剖面圖。
本揭露提供了許多不同的實施例或例子，用以實作此揭露的不同特徵。為了簡化本揭露，一些元件與佈局的具體例子會在以下說明。當然，這些僅僅是例子而不是用以限制本揭露。例如，若在後續說明中提到了第一特徵形成在第二特徵上面，這可包括第一特徵與第二特徵是直接接觸的實施例；這也可以包括第一特徵與第二特徵之間還形成其他特徵的實施例，這使得第一特徵與第二特徵沒有直接接觸。此外，本揭露可能會在各種例子中重複圖示符號及/或文字。此重複是為了簡明與清晰的目的，但本身並不決定所討論的各種實施例及/或設置之間的關係。
再者，在空間上相對的用語，例如底下、下面、較低、上面、較高等，是用來容易地解釋在圖示中一個元件或特徵與另一個元件或特徵之間的關係。這些空間上相對的用語除了涵蓋在圖示中所繪的方向，也涵蓋了裝置在使用或操作上不同的方向。這些裝置也可被旋轉(例如旋轉90度或旋轉至其他方向)，而在此所使用的空間上相對的描述同樣也可以有相對應的解釋。
圖1係繪示根據本發明的第一實施例之影像感測器100的剖面圖。如圖1所示，影像感測器100包含可見光接收部110與紅外光接收部120。可見光接收部110用以接收可見光，紅外光接收部120用以接收紅外光。
如圖1所示，可見光接收部110包含可見光感測層112、彩色濾光層114以及紅外光截止(IR Cut)濾光球層 116。紅外光截止濾光球層116設置於彩色濾光層114上，且彩色濾光層114設置於可見光感測層112上，以提供彩色光給可見光感測層112。可見光感測層112用以接收可見光來相應地產生主影像訊號。在本實施例中，可見光感測層112包含至少一光二極體以感測彩色光。光二極體可為互補式金氧半導體(complementary metal oxide semiconductor，CMOS)二極體。然而，本發明的實施例不限於此。
彩色濾光層114用以提供彩色光。在本實施例中，彩色濾光層114包含紅色濾光單元114a、藍色濾光單元114b以及綠色濾光單元114c，但本發明的實施例不限於此。
紅外光截止濾光球層116形成於用於彩色濾光層114上以聚集可見光且截斷紅外光。換句話說，當光穿過紅外光截止濾光球層116時，紅外光截止濾光球層116可阻斷紅外光的傳輸。在本實施例中，紅外光截止濾光球層116阻斷波長大於850奈米的光，但本發明的實施例不限於此。
如圖1所示，紅外光接收部120包含紅外光光感測層122、紅外光穿透(IR Pass)濾光層124以及微透鏡層ML。微透鏡層ML設置於紅外光穿透濾光層124上，且紅外光穿透濾光層124設置於紅外光光感測層122上，以提供紅外光給紅外光光感測層122。紅外光光感測層122用以接收紅外光來相應地產生輔助影像訊號。在本實施例中，紅外光感測層122包含至少一光二極體以感測紅外光。光二極體可為互補式金氧半導體二極體。然而，本發明的實施例不限於 此。
紅外光穿透濾光層124用以截斷可見光。換句話說，當光穿過紅外光穿透濾光層124時，紅外光穿透濾光層124可阻斷可見光的傳輸。在本實施例中，紅外光穿透濾光層124阻斷波長小於850奈米的光，但本發明的實施例不限於此。
微透鏡層ML形成於紅外光穿透濾光層124上以聚集紅外光。具體而言，當影像感測器100用以感測物體(如虹膜)時，透過紅外光截止濾光球層116與微透鏡層ML來聚焦物體。再者，可透過改變紅外光截止濾光球層116的厚度與微透鏡層ML的厚度來調整影像感測器100的聚焦。應注意的是，在本實施例中，紅外光截止濾光球層116的厚度與微透鏡層ML的厚度實質上相等，但本發明的實施例不限於此。
應注意的是，微透鏡層ML的材料可為環氧樹脂、光學膠、壓克力材料(polymethylmethacrylates，PMMAs)、聚氨酯塑膠材料(polyurethanes，PUs)、矽膠材料(polydimethylsiloxane，PDMS)或其他熱硬化或光硬化之透光材料，但本發明的實施例不限於此。
如圖1所示，可見光接收部110與紅外光接收部120更包含晶圓層WA以及平坦層PL1。晶圓層WA形成於可見光感測層112與紅外光感測層122上以提供基板使平坦層PL1設置於其上。在本實施例中，晶圓層WA為玻璃晶圓，但本發明的實施例不限於此。
平坦層PL1用以提供平坦表面使彩色濾光層114與紅外光穿透濾光層124設置於其上。平坦層PL1亦提供良好界面以協助彩色濾光層114與紅外光穿透濾光層124貼附於平坦層PL1上。應注意的是，在本實施例中，彩色濾光層114的厚度與紅外光穿透濾光層124的厚度實質上相等。
紅外光感測層122所接收到的紅外光的光路徑是從微透鏡層ML開始延伸貫穿紅外光穿透濾光層124以及平坦層PL1。相較於傳統的影像感測器，影像感測器100因為紅外光的光路徑減少，故影像感測器100接收到的紅外光具有較小的光強度損失。所以影像感測器100所接收到的紅外光具有較佳的光強度以符合使用者的需求。
圖2係繪示根據本發明的第二實施例之影像感測器200的剖面圖。如圖2所示，影像感測器200包含可見光接收部210與紅外光接收部220，其中可見光接收部210包含平坦層PL2，且紅外光接收部220包含紅外光穿透濾光層224。應注意的是，平坦層PL2類似於平坦層PL1，且紅外光穿透濾光層224類似於紅外光穿透濾光層124。影像感測器200的結構類似於影像感測器100的結構，不同之處在於平坦層PL2僅位於可見光接收部210內。應注意的是，在本實施例中，彩色濾光層114的厚度與平坦層PL2的厚度的總和實質上相等於紅外光穿透濾光層224的厚度。類似於影像感測器100，影像感測器200所接收到的紅外光具有較佳的光強度以符合使用者的需求。
圖3係繪示根據本發明的第三實施例之影像感測器300的剖面圖。如圖3所示，影像感測器300包含可見光接收部110與紅外光接收部320，其中紅外光接收部320包含紅外光穿透濾光球層326。影像感測器300的結構類似於影像感測器100的結構，不同之處在於微透鏡層ML被紅外光穿透濾光球層326所取代。
紅外光穿透濾光球層326形成於用於紅外光穿透濾光層124上以聚集紅外光且截斷可見光。換句話說，當光穿過紅外光穿透濾光球層326時，紅外光穿透濾光球層326可阻斷可見光的傳輸。在本實施例中，紅外光穿透濾光球層326阻斷波長小於850奈米的光，但本發明的實施例不限於此。
具體而言，當影像感測器300用以感測物體(如虹膜)時，透過紅外光截止濾光球層116與紅外光穿透濾光球層326來聚焦物體。再者，可透過改變紅外光截止濾光球層116的厚度與紅外光穿透濾光球層326的厚度來調整影像感測器300的聚焦。應注意的是，在本實施例中，紅外光截止濾光球層116的厚度與紅外光穿透濾光球層326的厚度實質上相等，但本發明的實施例不限於此。
紅外光感測層122所接收到的紅外光的光路徑是從紅外光穿透濾光球層326開始延伸貫穿紅外光穿透濾光層124以及平坦層PL1。類似於影像感測器100，影像感測器300所接收到的紅外光具有較佳的光強度以符合使用者的需求。
應注意的是，在本發明的其他實施例中，可利用白色光阻層來取代紅外光穿透濾光層124，以降低紅外光的光強度損失。
圖4係繪示根據本發明的第四實施例之影像感測器400的剖面圖。如圖4所示，影像感測器400包含可見光接收部210與紅外光接收部420，其中可見光接收部210包含平坦層PL2，且紅外光接收部420包含紅外光穿透濾光層224與紅外光穿透濾光球層326。影像感測器400的結構類似於影像感測器300的結構，不同之處在於平坦層PL2僅位於可見光接收部210內。應注意的是，在本實施例中，彩色濾光層114的厚度與平坦層PL2的厚度的總和實質上相等於紅外光穿透濾光層224的厚度。類似於影像感測器300，影像感測器400所接收到的紅外光具有較佳的光強度以符合使用者的需求。
請參照圖5與圖6a至圖6d，圖5係繪示根據本發明的第一實施例之形成影像感測器100的方法1000的流程圖。圖6a至圖6d係繪示根據本發明的第一實施例之形成影像感測器100的方法1000的步驟1100-1300所對應的影像感測器100的剖面圖。方法1000開始於步驟1100。於步驟1100中，如圖6a所示的元件100A包含可見光感測層112、紅外光感測層122、晶圓層WA、平坦層PL1、彩色濾光層114、紅外光穿透濾光層124、紅外光截止濾光層116A以及第一微透鏡層ML1，其中第一微透鏡層ML1形成於紅外光截止濾光層116A上以作為紅外光截止濾光層116A的光 罩，且紅外光截止濾光層116A其位於紅外光穿透濾光層124上的部分係暴露的。應注意的是，第一微透鏡層ML1類似於微透鏡層ML。
如圖6b所示，於方法1000的步驟1200中，透過蝕刻製程來蝕刻元件100A。具體而言，蝕刻第一微透鏡層ML1與紅外光截止濾光層116A的暴露的部分，以使得剩餘的紅外光截止濾光層116A具有與第一微透鏡層ML1的上表面實質上相同的上表面，藉此形成如圖6c中所示的元件100C的紅外光截止濾光球層116。應注意的是，紅外光截止濾光層116A的暴露的部分於步驟1200被移除。
如圖6d所示，於方法1000的步驟1300中，微透鏡層ML形成於紅外光穿透濾光層124上，藉此形成影像感測器100。
請參照圖7與圖8a至圖8g，圖7係繪示根據本發明的第三實施例之形成影像感測器300的方法3000的流程圖。圖8a-8g係繪示根據本發明的第三實施例之形成影像感測器300的方法3000的步驟3100-3500所對應的影像感測器300的剖面圖。如圖7所示的方法3000的步驟3100-3200係分別相同於如圖5所示的方法1000的步驟1100-1200，且如圖8a-8c所示的剖面圖係分別相同於如圖6a-6c所示的剖面圖。因此，關於其描述在此不贅述。
於方法3000的步驟3300中，如圖8d所示，於後續步驟中將被處理的另一紅外光穿透濾光層326C形成於紅外光穿透濾光層124上。應注意的是，紅外光穿透濾光層 326C類似於紅外光穿透濾光層124。
於方法3000的步驟3400中，如圖8e所示，第二微透鏡層ML2形成於將被處理的紅外光穿透濾光層326C上。此外，紅外光截止濾光球層116被另一光罩(圖未示)所保護。應注意的是，第二微透鏡層ML2類似於微透鏡層ML。
如圖8f所示，於方法3000的步驟3500中，處理紅外光穿透濾光層326C。具體而言，蝕刻第二微透鏡層ML2以使得紅外光穿透濾光層326C具有與第二微透鏡層ML2的上表面實質上相同的上表面，藉此形成如圖8g中所示的紅外光穿透濾光球層326。應注意的是，紅外光截止濾光球層116於步驟3500中因為被另一光罩(圖未示)所保護而並未受影響。如此，形成影像感測器300。
由上述可知，本發明的影像感測器的結構可有效地提高影像感測器所接收到的紅外光的光強度以符合使用者的需求，藉此降低後續在其他儀器上分析光學訊號(如影像訊號)時的困難度。
以上概述了數個實施例的特徵，因此熟習此技藝者可以更了解本揭露的態樣。熟習此技藝者應了解到，其可輕易地把本揭露當作基礎來設計或修改其他的製程與結構，藉此實現和在此所介紹的這些實施例相同的目標及/或達到相同的優點。熟習此技藝者也應可明白，這些等效的建構並未脫離本揭露的精神與範圍，並且他們可以在不脫離本揭露精神與範圍的前提下做各種的改變、替換與變動。

Claims (16)

  1. 一種影像感測器，包含：一可見光接收部，用以接收一可見光，其中該可見光接收部包含一紅外光截止濾光球層與一彩色濾光層，其中該紅外光截止濾光球層用以聚集該可見光，其中該紅外光截止濾光球層貼附於該彩色濾光層上，其中該可見光接收部更包含一可見光光二極體，其中該彩色濾光層設置於該可見光光二極體上；一紅外光接收部，用以接收一紅外光，其中該紅外光接收部包含一微透鏡層用以聚集該紅外光，其中該紅外光接收部更包含一紅外光光二極體與一紅外光穿透濾光層，其中該紅外光穿透濾光層設置於該紅外光光二極體上；以及一晶圓層，位於該可見光光二極體與該紅外光光二極體上，其中該晶圓層的一第一部份位於該可見光接收部內，且該晶圓層的一第二部份位於該紅外光接收部內，其中該晶圓層的該第一部份位於該彩色濾光層與該可見光光二極體之間，且該晶圓層的該第二部份位於該紅外光穿透濾光層與該紅外光光二極體之間。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之影像感測器，其中該可見光穿過該紅外光截止濾光球層以及該彩色濾光層而被該可見光光二極體所接收。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之影像感測器，其中該微透鏡層設置於該紅外光穿透濾光層上，該紅外光穿過該微透鏡層以及該紅外光穿透濾光層而被該紅外光光二極體所接收。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之影像感測器，其中該彩色濾光層包含一紅色濾光單元、一綠色濾光單元以及一藍色濾光單元。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之影像感測器，更包含一平坦層，用以提供一平坦表面，其中該彩色濾光層設置於該平坦表面上，其中該晶圓層係設置於該平坦層與該可見光光二極體之間。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之影像感測器，其中該平坦層位於該可見光接收部與該紅外光接收部內。
  7. 如申請專利範圍第5項所述之影像感測器，其中該平坦層位於該可見光接收部內。
  8. 一種影像感測器，包含：一可見光接收部，用以接收一可見光，其中該可見光 接收部包含一紅外光截止濾光球層用以聚集該可見光；以及一紅外光接收部，用以接收一紅外光，其中該紅外光接收部包含一紅外光穿透濾光球層用以聚集該紅外光且截斷該可見光。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之影像感測器，其中該可見光接收部更包含：一可見光光二極體；以及一彩色濾光層，設置於該可見光光二極體上；其中該紅外光截止濾光球層設置於該彩色濾光層上，且該可見光穿過該紅外光截止濾光球層以及該彩色濾光層而被該可見光光二極體所接收。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之影像感測器，其中該紅外光接收部更包含：一紅外光光二極體；以及一紅外光穿透濾光層，設置於該紅外光光二極體上；其中該紅外光穿透濾光球層設置於該紅外光穿透濾光層上，該紅外光穿過該紅外光穿透濾光球層以及該紅外光穿透濾光層而被該紅外光光二極體所接收。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之影像感測器，更包含一晶圓層，位於該可見光光二極體與該紅外光 光二極體上，其中該晶圓層的一第一部份位於該可見光接收部內，且該晶圓層的一第二部份位於該紅外光接收部內。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之影像感測器，其中該晶圓層的該第一部份位於該彩色濾光層與該可見光光二極體之間，且該晶圓層的該第二部份位於該紅外光穿透濾光層與該紅外光光二極體之間。
  13. 如申請專利範圍第9項所述之影像感測器，其中該彩色濾光層包含一紅色濾光單元、一綠色濾光單元以及一藍色濾光單元。
  14. 如申請專利範圍第9項所述之影像感測器，更包含一平坦層，用以提供一平坦表面，其中該彩色濾光層設置於該平坦表面上。
  15. 如申請專利範圍第14項所述之影像感測器，其中該平坦層位於該可見光接收部與該紅外光接收部內。
  16. 如申請專利範圍第14項所述之影像感測器，其中該平坦層位於該可見光接收部內。
TW105136671A 2016-09-10 2016-11-10 影像感測器 TWI637500B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US15/261,872 2016-09-10
US15/261,872 US10714530B2 (en) 2016-09-10 2016-09-10 Image sensor

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201813064A TW201813064A (zh) 2018-04-01
TWI637500B true TWI637500B (zh) 2018-10-01

Family

ID=61560355

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW105136671A TWI637500B (zh) 2016-09-10 2016-11-10 影像感測器

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10714530B2 (zh)
CN (1) CN107818996B (zh)
TW (1) TWI637500B (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US12009379B2 (en) * 2017-05-01 2024-06-11 Visera Technologies Company Limited Image sensor
US10295482B1 (en) * 2017-12-22 2019-05-21 Visera Technologies Company Limited Spectrum-inspection device and method for forming the same
CN112291539A (zh) * 2020-10-29 2021-01-29 维沃移动通信有限公司 成像装置和电子设备

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1819248A (zh) * 2004-12-30 2006-08-16 东部亚南半导体株式会社 Cmos图像传感器及其制造方法
US20080131992A1 (en) * 2004-08-24 2008-06-05 Micron Technology, Inc. Image sensor having integrated infrared-filtering optical device and related method
US20150311239A1 (en) * 2012-12-04 2015-10-29 Siliconfile Technologies Inc. Cmos image sensor including infrared pixels having improved spectral properties, and method of manufacturing same
CN204887163U (zh) * 2014-06-26 2015-12-16 半导体元件工业有限责任公司 图像像素阵列和照相机模块
TW201627461A (zh) * 2015-01-21 2016-08-01 Jsr 股份有限公司 固體攝像裝置、紅外線吸收性組成物及平坦化膜形成用硬化性組成物

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4079630B2 (ja) * 2001-11-28 2008-04-23 オリンパス株式会社 撮像レンズ及びそれを備えた撮像装置
JP2004139035A (ja) * 2002-09-25 2004-05-13 Seiko Epson Corp 赤外カットフィルタ付レンズ及びその製造方法並びに小型カメラ
JP2006237737A (ja) * 2005-02-22 2006-09-07 Sanyo Electric Co Ltd カラーフィルタアレイ及び固体撮像素子
US20060256428A1 (en) * 2005-05-16 2006-11-16 Lake Shore Cryotronics, Inc. Long wave pass infrared filter based on porous semiconductor material and the method of manufacturing the same
KR100720457B1 (ko) * 2005-11-10 2007-05-22 동부일렉트로닉스 주식회사 이미지 센서 및 이의 제조 방법
US20110310472A1 (en) * 2009-02-13 2011-12-22 Takahiko Hirai Infrared optical filter and manufacturing method of the infrared optical filter
TWI457631B (zh) * 2009-12-25 2014-10-21 Hon Hai Prec Ind Co Ltd 鏡頭模組之製備方法
KR101790164B1 (ko) * 2010-02-05 2017-10-26 삼성전자 주식회사 빛을 수신하는 면에 곡률이 있는 포토다이오드를 구비하는 백사이드 일루미네이션 ｃｍｏｓ 이미지센서 및 상기 이미지센서의 형성방법
KR101736330B1 (ko) * 2010-09-03 2017-05-30 삼성전자주식회사 픽셀, 이미지 센서, 및 이를 포함하는 이미지 처리 장치들
US9692992B2 (en) * 2013-07-01 2017-06-27 Omnivision Technologies, Inc. Color and infrared filter array patterns to reduce color aliasing
US9825073B2 (en) * 2014-05-23 2017-11-21 Omnivision Technologies, Inc. Enhanced back side illuminated near infrared image sensor
US9374538B2 (en) * 2014-09-15 2016-06-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Image sensor with embedded infrared filter layer
US9929198B2 (en) * 2014-10-02 2018-03-27 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Infrared image sensor
CN104409624B (zh) * 2014-12-05 2016-09-07 上海新微技术研发中心有限公司 封装方法和半导体器件

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080131992A1 (en) * 2004-08-24 2008-06-05 Micron Technology, Inc. Image sensor having integrated infrared-filtering optical device and related method
TWI370542B (en) * 2004-08-24 2012-08-11 Aptina Imaging Corp Image sensor having integrated electrical optical device and related method
CN1819248A (zh) * 2004-12-30 2006-08-16 东部亚南半导体株式会社 Cmos图像传感器及其制造方法
US20150311239A1 (en) * 2012-12-04 2015-10-29 Siliconfile Technologies Inc. Cmos image sensor including infrared pixels having improved spectral properties, and method of manufacturing same
CN204887163U (zh) * 2014-06-26 2015-12-16 半导体元件工业有限责任公司 图像像素阵列和照相机模块
TW201627461A (zh) * 2015-01-21 2016-08-01 Jsr 股份有限公司 固體攝像裝置、紅外線吸收性組成物及平坦化膜形成用硬化性組成物

Also Published As

Publication number Publication date
TW201813064A (zh) 2018-04-01
US20180076253A1 (en) 2018-03-15
CN107818996B (zh) 2021-01-05
CN107818996A (zh) 2018-03-20
US10714530B2 (en) 2020-07-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI728752B (zh) 積體化光學感測器及其製造方法
TWI637500B (zh) 影像感測器
US10235555B2 (en) Optical fingerprint recognition sensor package
US20170047455A1 (en) Sensing chip package and a manufacturing method thereof
TW201813117A (zh) 積體化感測模組、積體化感測組件及其製造方法
TWI646676B (zh) 影像感測器
US10768751B2 (en) Electronic device including optical image sensor having metallization layers and related methods
US11156796B2 (en) Optical sensor package module
TWI753775B (zh) 感測裝置
TW201735335A (zh) 覆晶式影像感測器封裝
KR20100079088A (ko) 이미지 센서 및 그 제조 방법
TW201944585A (zh) 光學感測器及其形成方法
TWI639242B (zh) 影像感測器及其形成方法
TWI622166B (zh) 影像感測器
US20180070028A1 (en) Image sensor
TWI630711B (zh) 影像感測器
CN107994014B (zh) 影像感测器
US10600833B2 (en) Image sensor
US20160336365A1 (en) Semiconductor device and manufacturing method thereof
TWI612344B (zh) 影像感測器
CN108666328B (zh) 影像感测器
US20070026564A1 (en) Method for forming microlenses of different curvatures and fabricating process of solid-state image sensor
CN108666330B (zh) 影像感测器
TWI790019B (zh) 生物特徵辨識裝置
CN108666329A (zh) 影像感测器