TWI633412B - Memory device and substrate - Google Patents

Abstract

本發明之實施形態之記憶裝置包含基板與記憶體電路。上述基板包含端子部、第1固定部、及第2固定部。上述端子部可連接於外部機器之連接器。上述第1固定部位於與上述端子部相反側之上述基板之端部，且可安裝將上述基板固定於上述外部機器之固定構件。上述第2固定部位於上述端子部與上述第1固定部之間，且至少可於沿該第2固定部切斷上述基板之情形時安裝上述固定構件。上述記憶體電路係於上述端子部與上述第2固定部之間設置於上述基板。

Description

記憶裝置及基板 相關申請案

本申請案係享有以美國臨時專利申請案第62/252,139號(申請日期：2015年11月6日)為基礎申請案之優先權。本申請案藉由參照該基礎申請案，而包含基礎申請案之所有內容。

本發明之實施形態係關於一種記憶裝置及基板。

已知有包含半導體記憶體零件之記憶裝置。

本發明之實施形態係提供一種可對應於複數種標準長度之記憶裝置及基板。

實施形態之記憶裝置包含基板與記憶體電路。上述基板包含端子部、第1固定部、及第2固定部。上述端子部可連接於外部機器之連接器。上述第1固定部位於與上述端子部相反側之上述基板之端部，且可安裝於上述外部機器固定上述基板之固定構件。上述第2固定部位於上述端子部與上述第1固定部之間，且至少可於沿該第2固定部切斷上述基板之情形時安裝上述固定構件。上述記憶體電路係於上述端子部與上述第2固定部之間設置於上述基板。

1‧‧‧記憶裝置

2‧‧‧電子機器

2A‧‧‧電子機器

2B‧‧‧電子機器

2C‧‧‧電子機器

2D‧‧‧電子機器

4‧‧‧殼體

5‧‧‧電路基板

6‧‧‧連接器

7‧‧‧固定構造

11‧‧‧基板

11a‧‧‧第1端部

11b‧‧‧第2端部

11c‧‧‧側端部

12‧‧‧記憶體零件

21‧‧‧端子部

21a‧‧‧端子(金屬端子)

22A‧‧‧第1固定部

22B‧‧‧第2固定部

22C‧‧‧第3固定部

22D‧‧‧第4固定部

22T‧‧‧端子側固定部

23A‧‧‧第1導電圖案

23B‧‧‧第2導電圖案

23C‧‧‧第3導電圖案

23D‧‧‧第4導電圖案

24‧‧‧接地圖案

31A‧‧‧第1凹部(缺口)

31B‧‧‧第2凹部(缺口)

31C‧‧‧第3凹部

31D‧‧‧第4凹部

31s‧‧‧內周面

35‧‧‧支持部(載置部、突起)

35a‧‧‧支持面(頂面、載置面)

35b‧‧‧安裝孔(扣合孔)

36‧‧‧固定構件(緊固構件)

36a‧‧‧軸部

36b‧‧‧頭部

39a‧‧‧第1面

39b‧‧‧第2面

41‧‧‧第1部分(第1區域)

42‧‧‧第2部分(第2區域)

45‧‧‧第1絕緣層(絕緣體)(芯材)

46‧‧‧第2絕緣層(絕緣體)

47‧‧‧第3絕緣層(絕緣體)

51‧‧‧第1導電層

52‧‧‧第2導電層

53‧‧‧第3導電層

54‧‧‧第4導電層

56‧‧‧第1接地層

57‧‧‧第2接地層

61‧‧‧第1部分(第1區域)

62‧‧‧第2部分(第2區域)

63‧‧‧第3部分(第3區域)

64‧‧‧第4部分(第4區域)

65‧‧‧連接部

71‧‧‧非揮發性記憶體零件

72‧‧‧記憶體控制器

73‧‧‧電源零件

74‧‧‧塑模樹脂

75‧‧‧配線圖案

81A‧‧‧孔

81B‧‧‧孔

85‧‧‧掛鉤

91‧‧‧脆弱部(低剛性部、切斷引導部、切縫部、邊界部)

91A‧‧‧第1脆弱部

91B‧‧‧第2脆弱部

91C‧‧‧第3脆弱部

93‧‧‧長孔(狹縫)

93s‧‧‧內表面

94A‧‧‧缺口

94B‧‧‧缺口

94s‧‧‧內表面

101‧‧‧集合基板(基板組)

102‧‧‧框架

111‧‧‧第1孔

111a‧‧‧端部

111b‧‧‧端部

112‧‧‧第2孔

112a‧‧‧端部

112b‧‧‧端部

115a‧‧‧中央部

115b‧‧‧第1突出部

115c‧‧‧第2突出部

115d‧‧‧狹小部

121‧‧‧電子機器(用戶端電腦)

F6-F6‧‧‧線

G‧‧‧接地件

L1‧‧‧第1標準長度

L2‧‧‧第2標準長度

L3‧‧‧第3標準長度

L4‧‧‧第4標準長度

MR‧‧‧零件安裝區域

N‧‧‧網路

+X‧‧‧方向

-X‧‧‧方向

Y‧‧‧方向

Z‧‧‧方向

圖1係顯示供搭載第1實施形態之記憶裝置之電子機器之一例之立體圖。

圖2(a)、(b)係顯示第1實施形態之記憶裝置、及電子機器之內部構造之圖。

圖3係顯示第1實施形態之記憶裝置之俯視圖。

圖4(a)-(d)係顯示供搭載第1實施形態之記憶裝置之複數種電子機器之俯視圖。

圖5係顯示第1實施形態之記憶裝置之剖視圖。

圖6係沿圖5中所顯示之記憶裝置之F6-F6線之剖視圖。

圖7係顯示第1實施形態之記憶裝置之第1變化例之俯視圖。

圖8(a)、(b)係顯示第1實施形態之記憶裝置之第2變化例之圖。

圖9係顯示第2實施形態之記憶裝置之俯視圖。

圖10係顯示第2實施形態之記憶裝置之剖視圖。

圖11係顯示第2實施形態之集合基板之俯視圖。

圖12係顯示第2實施形態之記憶裝置之第1變化例之俯視圖。

圖13係放大顯示圖12中所顯示之記憶裝置之一部分之俯視圖。

圖14係顯示第2實施形態之記憶裝置之第2變化例之俯視圖。

圖15係顯示第1及第2實施形態之電子機器之另一例之立體圖。

以下，參照圖式對實施形態之記憶裝置及基板進行說明。另，於以下之說明中，對具有相同或類似之功能之構成標註相同符號。且，有時省略其等之重複說明。

(第1實施形態)

參照圖1至圖6，對第1實施形態進行說明。

圖1顯示供搭載本實施形態之記憶裝置1之電子機器2之一例。

電子機器2係例如便攜式電腦。另，供搭載記憶裝置1之電子機器並非限於上述例。供搭載記憶裝置1之電子機器係包含例如、平板終端、智慧型電話、伺服器、電視接收機、遊戲機等之各種電子機器 皆適宜符合。電子機器2為「外部機器」及「主機裝置」之各者之一例。另，本案所言之「外部機器」係廣泛意指位於記憶裝置(例如記憶裝置1)之外部之機器。即，本案所言之「外部機器」亦包含於該外部機器之內部收容記憶裝置之機器。

如圖1所示，電子機器2具備殼體4、與收容於該殼體4之電路基板5(例如主板)。於電路基板5，設置有供記憶裝置1安裝之連接器6、及固定記憶裝置1之固定構造7(參照圖2)。記憶裝置1係藉由安裝於連接器6，而與電路基板5電性連接。又，記憶裝置1係藉由利用固定構造7固定，而不會自連接器6脫落。另，關於固定構造7，於後詳述。

其次，對本實施形態之記憶裝置1進行詳細說明。

本實施形態之記憶裝置1係半導體記憶裝置、例如固態驅動器(Solid State Drive，SSD)。

圖2顯示安裝於電子機器2之連接器6之記憶裝置1。圖3顯示自連接器6拆卸之記憶裝置1。

此處，對+X方向、-X方向、Y方向、及Z方向進行定義。+X方向、-X方向、及Y方向係沿後述之基板11之表面之方向。+X方向係記憶裝置1對連接器6之安裝方向(後述之端子部21之安裝方向)，例如基板11之長度方向。+X方向為「第1方向」之一例。-X方向係+X方向之相反方向。Y方向係與+X方向交叉(例如大致正交)之方向，例如基板11之寬度方向。Y方向為「第2方向」之一例。Z方向係與+X方向及Y方向交叉(例如大致正交)之方向，例如基板11之厚度方向。

如圖2及圖3所示，本實施形態之記憶裝置1具備基板11、與記憶體零件12。

基板(配線基板、印刷基板)11具有以絕緣材料形成之絕緣體、與設置於絕緣體之內層及表層之導電圖案(配線圖案)。另，關於基板11之內部構造(積層構造)，於後詳述。

基板11具有第1端部11a、與第2端部11b。第1端部11a係+X方向側之端部。第2端部11b係-X方向側之端部，且位於與第1端部11a相反側。另，本案所言之「端部」係除了嚴格意義上所言之端部以外，亦包含位於端部附近之區域。

此處，本實施形態之記憶裝置1係對應於由規範化組織規範化之標準之記憶裝置。例如，本實施形態之記憶裝置1係對應於M.2標準之記憶裝置。因此，基板11之外形、或後述之固定構造7等成為依據M.2標準者。關於M.2標準之細節，係由PCI-SIG(Peripheral Component Interconnect Special Interest Group：互連外圍設備專業組)及SATA-IO(Serial ATA International Organization：國際序列式ATA組織)等規範化組織規定。另，記憶裝置1依據之標準並非限定於M.2標準。記憶裝置1亦可為依據mPCIe標準或其他標準者。另，於以下，將記憶裝置1對應(依據)之標準簡稱為「特定標準」。

於本實施形態中，特定標準係規定有複數個標準長度(標準尺寸)，作為基板11之+X方向之長度(即第1端部11a與第2端部11b之間之長度)。例如，M.2標準係規定有30mm、42mm、60mm、80mm、110mm之標準長度，作為基板11之+X方向之長度。

本實施形態之記憶裝置1係例如相對於如上述之複數個標準長度，提高製品應用之自由度者。即，本實施形態之記憶裝置1係可於以基板外形包含(涵蓋)複數個標準長度之大小提供之後，藉由將基板11於任意之位置(所需位置)切斷，而對應於選自上述複數個標準長度之所需之標準長度者。以下，對用於實現該功能之記憶裝置1之構成詳細敘述。

如圖2及圖3所示，基板11具有：端子部21，第1至第4固定部22A、22B、22C、22D，第1至第4導電圖案23A、23B、23C、23D，及接地圖案24(參照圖5)。

端子部21設置於基板11之第1端部11a。端子部21係連接於電子機器2之連接器6之介面。端子部21包含於基板11之表面露出之複數個端子(金屬端子)21a。本實施形態之複數個端子21a係對應於例如M.2標準者。本案所言之「端子部」意指複數個端子(例如端子21a)之集合體(或設置有複數個端子之區域)。換言之，即「端子部」意指插入於連接器(例如連接器6)之內部之插入部(連接部)。

第1至第4固定部22A、22B、22C、22D相互包含大致相同形狀。因此，此處首先對第1固定部22A、與固定第1固定部22A之電子機器2之固定構造7進行詳細說明。另，本案所言之「固定部」意指，面向為不同構件之固定構件(例如固定構件36)之部分。即，本案所言之「固定部」意指，於記憶裝置1將要位置偏移之情形時，藉由為不同構件之固定構件支持之部分(例如，固定構件相接之部分)。又，「可於固定部安裝固定構件」意指，於記憶裝置(例如記憶裝置1)將要位置偏移之情形時，可以可限制記憶裝置之位置之方式安裝固定構件。例如，「可於固定部安裝固定構件」意指可沿固定部之形狀(外形)安裝固定構件。另，「固定部」係只要為藉由固定構件限制記憶裝置之位置之形狀，則不限定於特定之構造或形狀。

如圖3所示，第1固定部22A設置於基板11之第2端部11b。即，第1固定部22A於基板11中，位於與端子部21相反側之端部。於第1固定部22A，可安裝於電子機器2固定基板11之固定構件36(參照圖2)。本實施形態之第1固定部22A包含與基板11之第2端部11b相鄰設置之第1凹部(缺口)31A。第1凹部31A為可供固定構件36於基板11之厚度方向插通之「插通部」之一例。另，本案所言之「插通部」意指，於基板(例如基板11)之厚度方向上貫通基板之孔或缺口。另，本案所言之「缺口」意指，設置於基板之端部，且到達至基板之端部而向基板之外部開放之空間部。

固定構件36具有例如設置有螺紋之軸部36a(參照圖2)。第1凹部31A形成為沿固定構件36之軸部36a之外形之圓弧狀。即，第1凹部31A具有沿固定構件36之軸部36a之外形之圓弧狀之內周面31s。第1凹部31A形成為例如-X方向側開放之半圓狀。另，本案所言之「凹部」意指凹槽，意指例如向+X方向凹陷之凹槽。本案所言之「凹部」未必形成為圓弧狀。

另一方面，如圖2所示，電子機器2之固定構造7具有支持部35、與固定構件36。本實施形態之固定構造7係對應(依據)於第1標準長度L1而設置。

支持部(載置部、突起)35係例如、設置於電路基板5(或殼體4)之圓柱狀之凸台。支持部35自電路基板5(或殼體4)朝向記憶裝置1突出。支持部35具有支持面(頂面、載置面)35a、與安裝孔(扣合孔)35b。支持面35a與記憶裝置1之基板11相接，而支持基板11。安裝孔35b係朝支持面35a開口。安裝孔35b係例如設置有螺紋之螺紋孔。安裝孔35b係對應於第1凹部31A之內周側而定位。另，本案所言之「支持部」意指，與記憶裝置(例如記憶裝置1)相接，且於自記憶裝置朝向支持部之方向支持記憶裝置(限制記憶裝置之位置)之部分。另，「支持部」係只要為與記憶裝置相接之構造物(或構造物之一部分)即可，並不限定於特定之形狀等。支持部亦並非限定於突起，亦可為殼體之平面狀之內表面等。

固定構件(緊固構件)36係例如扣合於安裝孔35b之螺紋構件。固定構件36具有軸部36a、與頭部36b。

如圖2所示，軸部36a通過第1固定部22A之第1凹部31A。軸部36a於例如+X方向及Y方向，面向第1凹部31A之內周面31s。藉由使軸部36a通過第1凹部31A，而確定基板11之+X方向及Y方向之位置。於軸部36a之周面，設置有螺紋。軸部36a為「螺紋部」之一例。軸部36a 係扣合於支持部35之安裝孔35b，而固定於支持部35。另，本案所言之「軸部」意指，固定構件36之中、與頭部(例如頭部36b)相比外徑較細之部分。

頭部36b係自支持部35之與支持面35a相反側與記憶裝置1之基板11相接，而支持基板11。換言之，即基板11被支持部35之支持面35a、與固定構件36之頭部36b所挾持。藉此，基板11之Z方向之位置確定。另，本案所言之「頭部」意指，於基板(例如基板11)之厚度方向上面向基板之部分(例如按壓基板之部分)。

藉由如以上之構成，將記憶裝置1固定於電子機器2。

此處，如圖3所示，本實施形態之記憶裝置1可對應於第1至第4標準長度(第1至第4標準尺寸)L1、L2、L3、L4，作為由上述特定標準規定之複數個標準長度。第1至第4標準長度係例如基板11之+X方向之長度。第1標準長度L1為例如80mm。第2標準長度L2為例如60mm。第3標準長度L3為例如42mm。第4標準長度L4為例如30mm。且，基板11作為可對應於上述第1至第4標準長度L1、L2、L3、L4之基板，於製品提供時(製品販賣時)具有上述第1至第4標準長度L1、L2、L3、L4中最大之第1標準長度L1。

如圖3所示，第1固定部22A設置於對應於第1標準長度L1之位置。另，「第1固定部設置於對應於第1標準長度之位置」意指，依據以上述特定標準規定之第1標準長度L1，設置有電子機器2之連接器6及固定機構7之情形時，記憶裝置1之端子部21及第1固定部22A可藉由電子機器2之連接器6及固定機構7固定(可支持、可扣合)。又，就不同觀點來看，「第1固定部設置於對應於第1標準長度之位置」意指，於自基板11之第1端部11a向第1標準長度L1之位置拉伸通過Y方向之假想線(基準線)之情形時，第1固定部22A與假想線相鄰(或位於附近)。進而就不同觀點而言，「第1固定部設置於對應於第1標準長度 之位置」意指，於基板11具有第1標準長度L1之情形時，第1固定部22A位於基板11中位於與端子部21相反側之端部11b。另，該等定義係對於第2至第4固定部22B、22C、22D亦相同。即，對於第2至第4固定部22B、22C、22D，只要於上述說明中，將「第1固定部22A」換成第2至第4固定部22B、22C、22D之各者，且將「第1標準長度L1」換成第2至第4標準長度L2、L3、L4之各者即可。

如圖3所示，第2固定部22B位於端子部21與第1固定部22A之間。第2固定部22B設置於對應於第2標準長度L2之位置。第2固定部22B至少於將基板11切斷為第2標準長度L2之情形時，可安裝上述固定構件36。換言之，即第2固定部22B係於將基板11切斷為第2標準長度L2之情形時，可藉由對應(依據)於第2標準長度L2設置之電子機器2之固定構造7固定(可支持、可扣合)。

例如、第2固定部22B為設置於基板11之中途之半圓狀之孔。第2固定部22B係至少於將基板11切斷為第2標準長度L2之情形時，包含與第1固定部22A大致相同之形狀。即，第2固定部22B係至少於將基板11切斷為第2標準長度L2之情形時，包含與第1凹部31A大致相同形狀之第2凹部(缺口)31B。第2凹部31B為可供固定構件36(參照圖2)於基板11之厚度方向插通之「插通部」之一例。第2凹部31B形成為沿固定構件36之軸部36a之外形之圓弧狀。即，第2凹部31B具有沿固定構件36之軸部36a之外形之圓弧狀之內周面31s。另，「將基板切斷為第2標準長度之情形」亦可稱為「將基板沿第2固定部切斷之情形」。另，本案所言之「將基板沿第2固定部切斷之情形」並非限於在與第2固定部相接之位置切斷基板之情形，亦包含於第2固定部附近之位置切斷基板之情形。又，切斷基板11之方法為例如開槽切割，但並非限於此。

同樣，第3固定部22C位於端子部21與第2固定部22B之間。第3固 定部22C設置於對應於第3標準長度L3之位置。

又，第4固定部22D位於端子部21與第3固定部22C之間。第4固定部22D設置於對應於第4標準長度L4之位置。

另，第3及第4固定部22C、22D之細節與上述第2固定部22B大致相同。因此，對於第3及第4固定部22C、22D之細節，只要於上述第2固定部22B之說明中，將「第2固定部22B」換成第3及第4固定部22C、22D之各者，且將「第2標準長度L2」換成第3及第4標準長度L3、L4之各者，並將「第2凹部31B」換成第3及第4凹部31C、31D之各者即可。

圖4顯示搭載記憶裝置1之複數種電子機器2A、2B、2C、2D。電子機器2A、2B、2C、2D之各者相當於上述之電子機器2。即，電子機器2A、2B、2C、2D之各者係除了具有例如設置固定構造7之位置以外，具有與上述之電子機器2相同之構成。

圖4中之(a)顯示對應(依據)於第1規格長度L1而設置有連接器6及固定構造7之電子機器2A。於電子機器2A，可安裝具有第1規格長度L1之基板11之記憶裝置1。記憶裝置1係藉由使固定構件36通過第1固定部22A之第1凹部31A(即，藉由將固定構件36安裝於第1凹部31A)，而利用固定構件36固定。

圖4中之(b)顯示對應於第2規格長度L2而設置有連接器6及固定構造7之電子機器2B。記憶裝置1係於將基板11切斷為第2規格長度L2之情形時，可安裝於電子機器2B。記憶裝置1係藉由使固定構件36通過第2固定部22B之第2凹部31B(即，藉由將固定構件36安裝於第2凹部31B)，而利用固定構件36固定。

圖4中之(c)顯示對應於第3規格長度L3而設置有連接器6及固定構造7之電子機器2C。記憶裝置1係於將基板11切斷為第3規格長度L3之情形時，可安裝於電子機器2C。記憶裝置1係藉由使固定構件36通過 第3固定部22C之第3凹部31C(即，藉由將固定構件36安裝於第3凹部31C)，而利用固定構件36固定。

圖4中之(d)顯示對應於第4規格長度L4而設置有連接器6及固定構造7之電子機器2D。記憶裝置1係於將基板11切斷為第4規格長度L4之情形時，可安裝於電子機器2D。記憶裝置1係藉由使固定構件36通過第4固定部22D之第4凹部31D(即，藉由將固定構件36安裝於第4凹部31D)，而利用固定構件36固定。

其次，就第1至第4導電圖案23A、23B、23C、23D進行說明。

如圖2所示，第1至第4導電圖案23A、23B、23C、23D設置於基板11之表面，且露出於基板11之外部。此處，基板11具有：面向固定構件36之頭部36b之第1面39a，及位於與該第1面39a相反側且面向電子機器2之電路基板5(或殼體4之內表面)之第2面39b。第1至第4導電圖案23A、23B、23C、23D之各者包含：設置於基板11之第1面39a之第1部分(第1區域)41，及設置於基板11之第2面39b之第2部分(第2區域)42。另，第1至第4導電圖案23A、23B、23C、23D係於後述之第3導電層53及第4導電層54(參照圖5)之上，藉由施加例如鍍金等而形成。

如圖2所示，第1導電圖案23A係沿第1固定部22A設置。具體而言，第1導電圖案23A之第1部分41及第2部分42之各者形成為沿第1凹部31A之圓弧狀。

此處，固定構件36為例如金屬製之螺紋構件。固定構件36經由固定構造7之支持部35與電子機器2之接地件G電性連接。第1導電圖案23A之第1部分41係於將固定構件36安裝於第1固定部22A之情形時，與固定構件36之頭部36b相接。第1導電圖案23A之第1部分41與固定構件36電性連接，且經由固定構件36與接地件G電性連接。

又，支持部35具有例如金屬製之表面層。該金屬製之表面層係 藉由例如金屬鍍敷或導電塗裝等形成。另，取而代之，支持部35亦可使該支持部35本身為金屬製。支持部35與電子機器2之接地件G電性連接。第1導電圖案23A之第2部分42係於將固定構件36安裝於第1固定部22A之情形時，與支持部35之支持面35a相接。第1導電圖案23A之第2部分42與支持部35電性連接，且經由支持部35與接地件G電性連接。

以上，雖針對第1導電圖案23A進行說明，但對於第2至第4導電圖案23B、23C、23D亦相同。即，對於第2至第4導電圖案23B、23C、23D，只要於上述第1導電圖案23A之說明中，將「第1導電圖案23A」換成第2至第4導電圖案23B、23C、23D之各者，且將「第1固定部22A」換成第2至第4固定部22B、22C、22D之各者，並將「第1凹部31A」換成第2至第4凹部31B、31C、31D之各者即可。

其次，對接地圖案24進行說明。

圖5係顯示本實施形態之基板11之剖視圖。

如圖5所示，基板11係例如所謂4層基板。即，基板11包含：第1至第3絕緣層(絕緣體)45、46、47，與第1至第4導電層51、52、53、54。第1至第3絕緣層45、46、47係以例如玻璃環氧樹脂之絕緣材料形成。第1至第4導電層51、52、53、54係以例如銅之導電材料形成。

第1絕緣層(芯材)45係於Z方向位於基板11之中央部。於第1絕緣層45，積層有第1導電層51。第1導電層51形成第1內層圖案。又，於第1絕緣層45，自與第1導電層51相反側，積層有第2導電層52。第2導電層52形成第2內層圖案。

第2絕緣層46係中間夾隔第1導電層51及未圖示之接著層，而積層於第1絕緣層45。另一方面，第3絕緣層47係中間夾隔第2導電層52及未圖示之接著層，而積層於第1絕緣層45。

第3導電層53自與第1導電層51相反側，積層於第2絕緣層46。第 3導電層53形成第1表層圖案。第3導電層53係由保護層(抗蝕塗層)所覆蓋。

第4導電層54自與第2導電層52相反側，重疊於第3絕緣層47。第4導電層54形成第2表層圖案。第4導電層54係由保護層(抗蝕塗層)所覆蓋。

如圖5所示，第3導電層53及第4導電層54之各者之至少一部分係所謂固體層，且擴展為沿+X方向及Y方向之板狀。例如，第3導電層53之殘銅率高於第1導電層51之殘銅率或第2導電層52之殘銅率。又，第4導電層54之殘銅率高於第1導電層51之殘銅率或第2導電層52之殘銅率。例如，第3導電層53之殘銅率與第4導電層54之殘銅率之間之差小於第3導電層53之殘銅率與第1導電層51之殘銅率之間之差、第3導電層53之殘銅率與第2導電層52之殘銅率之間之差、第4導電層54之殘銅率與第1導電層51之殘銅率之間之差、及第4導電層54之殘銅率與第2導電層52之殘銅率之間之差之任一者(或至少1者)。另，「殘銅率」係將圖案部分(導電部分)之面積除以基板之總面積所得之值。

本實施形態之接地圖案24係藉由第3導電層53之至少一部分、及第4導電層54之至少一部分形成。換言之，即接地圖案24具有藉由第3導電層53之至少一部分形成之第1接地層56、及藉由第4導電層54之至少一部分形成之第2接地層57。即，第2接地層57相對於基板11之Z方向之中心，位於與第1接地層56相反側。第1接地層56與第2接地層57之各者係於+X方向，遍及第1固定部22A與第2固定部22B之間之區域、及第2固定部22B與端子部21之間之區域而延伸(參照圖6)。例如，第1接地層56與第2接地層57之各者係沿+X方向，遍及基板11之大致全長而延伸。

第1導電層51及第2導電層52係由接地圖案24(第1接地層56及第2接地層57)自兩側覆蓋。因此，可抑制自流通於第1導電層51及第2導 電層52之高頻信號產生之無用輻射之影響、及來自外部之無用輻射對第1導電層51及第2導電層52之影響。

端子部21之複數個端子21a包含經由連接器6與電子機器2之接地件G電性連接之接地端子。接地圖案24連接於上述接地端子，且經由上述連接器6與電子機器2之接地件G電性連接。又，接地圖案24係遍及基板11之大致全長而設置，且與第1至第4導電圖案23A、23B、23C、23D之各者電性連接。即，接地圖案24經由第1至第4導電圖案23A、23B、23C、23D之任一者與電子機器2之固定構造7，而與電子機器2之接地件G電性連接。

圖6係沿圖5所示之F6-F6線之剖視圖。

如圖6所示，第2接地層57包含第1至第4部分61、62、63、64。第1部分(第1區域)61係於第1固定部22A與第2固定部22B之間擴展。第2部分(第2區域)62係於第2固定部22B與第3固定部22C之間擴展。第3部分(第3區域)63係於第3固定部22C與第4固定部22D之間擴展。第4部分(第4區域)64係於第4固定部22D與端子部21(基板11之第1端部11a)之間擴展。第1至第4部分61、62、63、64分別擴展為沿+X方向及Y方向之板狀，且相互相連。例如，第2接地層57之第1至第4部分61、62、63、64之各者之面積大於第1導電圖案23A(或第2至第4導電圖案23B、23C、23D之任一者)之面積。「大於第1導電圖案23A之面積」意指，例如、大於第1導電圖案23A之第1部分41與第2部分42之面積之合計。該定義對於第2至第4導電圖案23B、23C、23D亦相同。另，第1接地層56亦可與第2接地層57同樣，具有第1至第4部分61、62、63、64。第1接地層56之第1至第4部分61、62、63、64之各者之面積係例如大於第1導電圖案23A(或第2至第4導電圖案23B、23C、23D之任一者)之面積。

其次，對記憶體零件12進行說明。

如圖2所示，記憶體零件(記憶體晶片零件)12係將複數個要件零件藉由塑模樹脂晶片化之封裝零件。記憶體零件12為「記憶體電路」及「SSD電路」之各者之一例。若詳細敘述，則記憶體零件12包含：複數個非揮發性記憶體零件71、記憶體控制器72、電源零件73、及將其等一體地覆蓋之塑模樹脂74。

非揮發性記憶體零件71為「半導體記憶體零件」之一例。非揮發性記憶體零件71為例如NAND型快閃記憶體。另，「半導體記憶體零件」並非限定於上述例者。

記憶體控制器(控制電路)72與端子部21電性連接，且可經由端子部21與電子機器2通信。記憶體控制器72自電子機器2接收對非揮發性記憶體零件71之寫入請求、讀取請求、及抹除請求，並基於該等請求控制非揮發性記憶體零件71。

電源零件(電源電路)73基於自電子機器2供給之電源，而產生適於記憶體零件12所包含之要件零件(例如非揮發性記憶體零件71及記憶體控制器72)之電壓。且，電源零件73將產生之電壓供給至各要件零件。

此處為了便於說明，而將複數個固定部(例如第1至第4固定部22A、22B、22C、22D)中最接近端子部21之固定部(例如第4固定部22D)稱為端子側固定部22T。基板11係於端子側固定部22T與端子部21之間，具有零件安裝區域MR。記憶體零件12設置於零件安裝區域MR。又，將記憶體零件12與端子部21之間電性連接，而流通信號之配線圖案75(參照圖5)僅設置於零件安裝區域MR。換言之，即基板11係於端子側固定部22T與基板11之第2端部11b之間，未設置與記憶體零件12之動作相關聯之零件或配線圖案。於端子側固定部22T與基板11之第2端部11b之間，僅設置有接地圖案24。因此，記憶體零件12係即使於以第2至第4標準長度L2、L3、L4之任一者切斷基板11之情形 時，亦可通過連接器6與電子機器(主機裝置)2通信。

藉由此種構成，可藉由1個記憶裝置1對應於特定標準所包含之複數個標準長度。例如，於對應於M.2標準之記憶裝置1之製品開發中，將標準長度不同之複數個(30mm、42mm、62mm、80mm、110mm)之陣容之製品針對各者之每一標準進行基板設計。於該情形時，有難以抑制開發成本之情形。

另一方面，本實施形態之記憶裝置1具備基板11、與記憶體零件(記憶體電路)12。基板11具有端子部21、第1固定部22A、及第2固定部22B。端子部21可連接於電子機器2之連接器6。第1固定部22A位於與端子部21相反側之基板11之端部11b，且可安裝於電子機器2固定基板11之固定構件36。第2固定部22B位於端子部21與第1固定部22A之間，且至少可於沿第2固定部22B切斷基板11之情形時安裝固定構件36。

藉由此種構成，可藉由1個記憶裝置1對應於特定標準所包含之複數個標準長度。即，購買記憶裝置1之使用者可藉由於所需之位置切斷基板11，而獲得對應於所需之標準長度之記憶裝置1。因此，無須針對複數個標準長度分別開發製品。藉此，可藉由共通化抑制開發費用，且藉由數量擴大降低製品單價。又，若無須針對複數個標準長度分別開發製品，則可縮短製品之開發時間。

於本實施形態中，記憶體零件(記憶體電路)12係於端子部21與第2固定部22B之間設置於基板11。藉由此種構成，即使於例如沿第2固定部22B切斷基板11之情形時，記憶體零件12相關之電性特性亦不會改變。即，記憶體零件12即使於將基板11沿第2固定部22B切斷之情形時，亦可通過連接器6與電子機器2通信。因此，即使於將基板11於中途切斷之情形時，亦可確保記憶裝置1之動作之穩定性。

於本實施形態中，記憶裝置1對應之標準係至少規定有第1標準 長度L1、與第2標準長度L2，作為基板11之長度。基板11具有第1標準長度L1。第2固定部22B係於將基板11切斷為第2標準長度L2之情形時，位於基板11之端部11b(新的端部11b)。藉由此種構成，可如上述般，藉由1個記憶裝置1對應於特定標準所包含之複數個標準長度。

於本實施形態中，第1固定部22A包含可於基板11之厚度方向插通固定構件36之插通部(例如第1凹部31A)。第2固定部22B包含至少於沿第2固定部22B切斷基板11之情形時，可於基板11之厚度方向插通固定構件36之插通部(例如第2凹部31B)。

藉由此種構成，可藉由通過上述插通部之固定構件36將基板11較牢固地固定。又，藉由此種構成，於包含於基板11之厚度方向插通之固定構件36之標準中，可藉由1個記憶裝置1對應於上述標準所包含之複數個標準長度。

於本實施形態中，固定構件36包含設置有螺紋之軸部36a。第1固定部22A及第2固定部22B之各者之上述插通部包含沿軸部36a之外形之圓弧狀之內周面31s。藉由此種構成，可藉由固定構件36將基板11更穩定地固定。

於本實施形態中，基板11具有第1導電圖案23A、第2導電圖案23B、及接地圖案24。第1及第2導電圖案23A、23B露出於基板11之外部。第1導電圖案23A係於將固定構件36安裝於第1固定部22A之情形時，與固定構件36相接而與固定構件36電性連接。第2導電圖案23B係於將固定構件36安裝於第2固定部22B之情形時，與固定構件36相接而與固定構件36電性連接。接地圖案24電性連接於第1導電圖案23A與第2導電圖案23B。

藉由此種構成，即使於將固定構件36安裝於第1固定部22A之情形時、或將固定構件36安裝於第2固定部22B之情形時，亦可經由固定構件36使接地圖案24與電子機器2之接地件G電性連接。藉此，可 進一步提高記憶裝置1之動作之穩定性。

於本實施形態中，基板11具有第3固定部22C。第3固定部22C位於端子部21與第2固定部22B之間且包含與第1固定部22A及第2固定部22B大致相同之形狀。第3固定部22C至少可於沿第3固定部22C切斷基板11之情形時安裝固定構件36。藉由此種構成，可利用1個記憶裝置1對應3個以上之規格長度。

於本實施形態中，記憶裝置1所對應之規格，作為基板11之長度，規定有第3規格長度L3。第3固定部22C係於將基板11之長度切斷為第3規格長度L3之情形時，位於基板11之端部11b(新的端部11b)。藉由此種構成，可如上述般，利用1個記憶裝置1對應3個以上之規格長度。

於本實施形態中，基板11具有第3導電圖案23C。第3導電圖案23C露出於基板11之外部。第3導電圖案23C係於將固定構件36安裝於第3固定部22C之情形時，與固定構件36相接而與固定構件36電性連接。接地圖案24電性連接於第3導電圖案23C。藉由此種構成，即使於將固定構件36安裝於第3固定部22C之情形時，亦可經由固定構件36使接地圖案24與電子機器2之接地件G電性連接。藉此，可進一步提高記憶裝置1之動作之穩定性。

於本實施形態中，接地圖案24包含位於第1固定部22A與第2固定部22B之間之第1部分61，及位於第2固定部22B與端子部21之間之第2部分62。藉由此種構成，可使第1固定部22A與第2固定部22B之間之區域之殘銅率，接近第2固定部22B與端子部21之間之區域之殘銅率。藉此，於製造基板時，可使第1固定部22A與第2固定部22B之間之區域之狀態(例如翹曲)，接近第2固定部22B與端子部21之間之區域之狀態(例如翹曲)。藉此，可於基板11之多個區域使狀態變均一，而容易管理基板11之製造時之狀態。藉此，可提高基板11之製造性。若 可提高基板11之製造性，便可謀求基板11之低成本化。

此處，形成第1至第4導電層51、52、53、54之導電材料，與形成第1至第3絕緣層45、46、47之絕緣材料係熱膨脹係數相互不同。因此，若於基板11之厚度方向將接地層偏離設置，則容易成為基板11之翹曲之原因。

因此，於本實施形態中，接地圖案24包含第1接地層56、與第2接地層57。第1接地層56遍及第1固定部22A與第2固定部22B之間之區域、及第2固定部22B與端子部21之間之區域而延伸。第2接地層57係相對於基板11之厚度方向之中心位於與第1接地層56相反側。第2接地層57係遍及第1固定部22A與第2固定部22B之間之區域、及第2固定部22B與端子部21之間之區域而延伸。

藉由此種構成，相對於基板11之厚度方向之中心，第1接地層56與第2接地層57分開位於兩側。又，第1接地層56與第2接地層57之兩者亦設置於第1固定部22A與第2固定部22B之間之區域。因此，相對於基板11之厚度方向之中心於基板11之正背面起作用之力容易變均一，而可抑制基板11之製造時之翹曲。藉此，可進一步提高基板11之製造性。

於本實施形態中，於第1固定部22A與第2固定部22B之間之第1接地層56之面積(即第1接地層56之第1部分61之面積)、及第1固定部22A與第2固定部22B之間之第2接地層57之面積(即第2接地層57之第1部分61之面積)之各者大於第1導電圖案23A之面積。

藉由此種構成，相對較大之接地圖案24設置於第1固定部22A與第2固定部22B之間。藉此，可使第1固定部22A與第2固定部22B之間之區域之殘銅率更加接近第2固定部22B與端子部21之間之區域之殘銅率。藉此，可於基板11之多個區域使狀態變均一，而容易管理基板11之製造時之狀態。藉此，可提高基板11之製造性。

其次，對本實施形態之若干變化例進行說明。另，以下說明以外之構成係與上述第1實施形態相同。

(第1變化例)

圖7顯示第1變化例之記憶裝置1。

如圖7所示，本變化例之記憶裝置1可對應於第1至第3標準長度(第1至第3標準尺寸)L1、L2、L3，作為複數個標準長度。基板11作為可對應於上述第1至第3標準長度L1、L2、L3之基板，於製品提供時(製品販賣時)具有上述第1至第3標準長度L1、L2、L3中最大之第1標準長度L1。又，本變化例之基板11係與上述第1實施形態同樣具有：端子部21，第1至第3固定部22A、22B、22C，第1至第3導電圖案23A、23B、23C，及接地圖案24。

於本變化例中，第1至第3固定部22A、22B、22C之各者包含分開設置於基板11之Y方向之兩端部之2個孔81A、81B。2個孔81A、81B之各者為可於基板11之厚度方向插通固定構件36之「插通部」之一例。又，2個孔81A、81B之各者包含沿固定構件36之軸部36a之外形之圓弧狀之內周面31s。

(第2變化例)

圖8顯示第2變化例之記憶裝置1。另，以下說明以外之構成係與上述第1變化例相同。

如圖8所示，本變化例之電子機器2具有掛鉤85，而非螺紋構件，作為固定構造7之固定構件36。

第1固定部22A設置於基板11之第2端部11b，且具有可扣合掛鉤85之第1凹部31A。此處，掛鉤85具有例如導電性之表面層，而與電子機器2之接地件G電性連接。第1導電圖案23A設置於第1凹部31A之周圍。第1導電圖案23A與掛鉤85相接，且經由掛鉤85與電子機器2之接地件G電性連接。

同樣，第2及第3固定部22B、22C包含於以第2標準長度L2或第3標準長度L3切斷基板11之情形時，可扣合掛鉤85之第2或第3凹部31B、31C。又，基板11具有於將掛鉤85安裝於第2及第3固定部22B、22C之情形時，與掛鉤85相接且與掛鉤85電性連接之第2及第3導電圖案23B、23C。

於該等變化例之構成中，亦可提供可對應於複數個標準長度之記憶裝置1。

(第2實施形態)

其次，參照圖9至圖11，對第2實施形態進行說明。

本實施形態之記憶裝置1係於在基板11設置有脆弱部91之方面，與上述第1實施形態不同。另，第2實施形態之其他構成與上述第1實施形態相同。

圖9係顯示本實施形態之記憶裝置1之俯視圖。

如圖9所示，本實施形態之基板11具有脆弱部(低剛性部、切斷引導部、切縫部、邊界部)91。另，「脆弱部(低剛性部、切斷引導部、切縫部、邊界部)」意指，與基板11之其他部分(例如第2端部11b、第1端部11a、或端子部21)相比，基板11之剛性(例如Z方向之彎曲剛性)較小之部分。脆弱部之一例為藉由具有設置於基板11之孔或缺口，而剛性變小。另，脆弱部並非限定於具有孔或缺口者，亦可為例如藉由使基板11之厚度與其他部分相比形成為較薄而剛性變小之部分。又，脆弱部亦可為藉由使基板11之材料或內部構造(內層構造)與其他部分不同而剛性變小之部分。

如圖9所示，本實施形態之脆弱部91包含第1至第3脆弱部91A、91B、91C。另，第1至第3脆弱部91A、91B、91C亦可分別稱為第1至第3低剛性部、切斷引導部、切縫部、或邊界部。另，本所言之「切縫」意指複數個區域之邊界部(區劃)。即，本案所言之「切縫」不限 於實際上包含切斷部分者。

第1脆弱部91A係於第1固定部22A與第2固定部22B之間，與第2固定部22B相鄰(或於附近)設置。第1脆弱部91A係沿Y方向設置。第1脆弱部91A設置於對應於第2標準長度L2之位置。另，「第1脆弱部設置於對應於第2標準長度之位置」意指，於沿第1脆弱部91A切斷基板11之情形時，基板11形成為第2標準長度L2。另，該定義係對於第2及第3脆弱部91B、91C亦相同。即，對於第2及第3脆弱部91B、91C，只要於上述說明中，將「第1脆弱部91A」換成第2及第3脆弱部91B、91C之各者，且將「第2標準長度L2」換成第3及第4標準長度L3、L4之各者即可。

第2脆弱部91B係於第2固定部22B與第3固定部22C之間，與第3固定部22C相鄰(或於附近)設置。第2脆弱部91B係沿Y方向設置。第2脆弱部91B設置於對應於第3標準長度L3之位置。

同樣，第3脆弱部91C係於第3固定部22C與第4固定部22D之間，與第4固定部22D相鄰(或於附近)設置。第3脆弱部91C係沿Y方向設置。第3脆弱部91C設置於對應於第4標準長度L4之位置。

於本實施形態中，第1至第3脆弱部91A、91B、91C之各者具有長孔(狹縫)93、與一對缺口94A、94B。

長孔93設置於基板11之Y方向之中央部，且沿Y方向延伸。第1至第3脆弱部91A、91B、91C之長孔93分別與上述之第2至第4固定部22B、22C、22D之凹部31B、31C、31D相連。例如，第1至第3脆弱部91A、91B、91C之長孔93之+X方向側之內表面93s分別對應於上述之第2至第4標準長度L2、L3、L4之位置。另，本案中「孔之內表面(或缺口之內表面)對應於某一個標準長度」包含如下情形：於沿該孔之內表面(或缺口之內表面)切斷基板之後，對基板11之切斷面進行如打磨之二次加工之情形時，基板11成為上述標準長度。

一對缺口94A、94B係於Y方向設置於長孔93之兩側。一對缺口94A、94B設置於基板11之側端部11c。一對缺口94A、94B係沿Y方向延伸。例如，第1至第3脆弱部91A、91B、91C之缺口94A、94B之+X方向側之內表面94s分別對應於上述之第2至第4標準長度L2、L3、L4之位置。

圖10顯示本實施形態之基板11之接地圖案24。

如圖10所示，本實施形態之接地圖案24之第1接地層56及第2接地層57之各者係與第1實施形態同樣，具有第1至第4部分61、62、63、64。於本實施形態中，第1部分61位於第1固定部22A與第1脆弱部91A之間。第2部分62位於第2固定部22B與第2脆弱部91B之間。第3部分63位於第3固定部22C與第3脆弱部91C之間。第4部分64與上述第1實施形態同樣，位於第4固定部22D與端子部21(基板11之端部11a)之間。且，第1接地層56之第1至第4部分61、62、63、64之各者之面積大於第1導電圖案23A(或第2至第4導電圖案23B、23C、23D之任一者)之面積。又，第2接地層57之第1至第4部分61、62、63、64之各者之面積大於第1導電圖案23A(或第2至第4導電圖案23B、23C、23D之任一者)之面積。

又，於本實施形態中，第1接地層56及第2接地層57之各者具有通過第1至第3脆弱部91A、91B、91C之長孔93與缺口94A、94B之間而連接第1至第4部分61、62、63、64之連接部65。即，第1至第4部分61、62、63、64藉由連接部65相互電性連接。

圖11係顯示包含複數個基板11之集合基板101之俯視圖。

如圖11所示，集合基板(基板組)101係將複數個基板11藉由框架102相互相連者。複數個基板11係以集合基板101之狀態形成積層構造及配線圖案。基板11係於集合基板101之狀態下，具有記憶裝置1之主要構成要件中例如除了記憶體零件12以外幾乎全部之要件。另，記憶 體零件12係於基板11為集合基板101之狀態下安裝於基板11。且，藉由將各基板11自框架102切離而獲得各個記憶裝置1。另，上述第1實施形態之記憶裝置1之基板11亦與本實施形態同樣作為集合基板101之一部分形成。

藉由此種構成，可與上述第1實施形態同樣，藉由1個記憶裝置1對應於特定標準所包含之複數個標準長度。

又，於本實施形態中，基板11係於第1固定部22A與第2固定部22B之間具有沿Y方向設置、且與基板11之端部11b相比剛性較小之脆弱部91。藉由此種構成，可藉由不使用例如開槽切割之方法、例如人手之力，於對應於所需之標準長度之位置將基板11容易地切斷。藉此，可提高記憶裝置1之便利性。

又，於本實施形態中，脆弱部91包含沿Y方向之長孔93。藉由此種構成，因容易沿長孔93折斷基板11，故可更容易地切斷基板11。藉此，可進一步提高記憶裝置1之便利性。

於本實施形態中，接地圖案24具有位於第1固定部22A與第1脆弱部91A之間之第1部分61。接地圖案24之第1部分61之面積大於第1導電圖案23A之面積。藉由此種構成，可使第1固定部22A與第1脆弱部91A之間之區域之殘銅率接近第2固定部22B與端子部21之間之區域之殘銅率。藉此，於基板製造時，可使第1固定部22A與第1脆弱部91A之間之區域之狀態(例如翹曲)接近第2固定部22B與端子部21之間之區域之狀態(例如翹曲)。藉此，可於基板11之多個區域使狀態變均一，而容易管理基板11之製造時之狀態。藉此，可提高基板11之製造性。

於本實施形態中，接地圖案24具有位於第1脆弱部91A與端子部21之間之第2部分62，及通過第1脆弱部91A之長孔93與缺口94A、94B之間而連接第1部分61與第2部分62之連接部65。藉由此種構成，於設置有包含孔93或缺口94A、94B之第1脆弱部91A之基板11中，可將接 地圖案24之第1部分61與第2部分62電性良好地連接。

其次，對本實施形態之若干變化例進行說明。另，以下說明以外之構成係與上述第2實施形態相同。

(第1變化例)

圖12顯示第1變化例之記憶裝置1。

如圖12所示，於本變化例中，第1至第3脆弱部91A、91B、91C之各者具有複數個孔93、111、112。複數個孔93、111、112係沿Y方向排列。

圖13放大顯示1個脆弱部91。

如圖13所示，複數個孔93、111、112係除了長孔93之外，包含第1孔111、與第2孔112。

第1孔111具有中央部115a、第1突出部115b、及第2突出部115c。中央部115a、第1突出部115b、及第2突出部115c相互相連。第1突出部115b係相對於中央部115a位於基板11之側端部11c側(Y方向側)。第1突出部115b係自中央部115a向+X方向突出。另一方面，第2突出部115c係相對於中央部115a位於與第1突出部115b相反側(基板11之中央側)。第2突出部115c係自中央部115a向+X方向突出。

一對第2孔112係於Y方向分開配置於第1孔111之兩側。於一對第2孔112中，一個第2孔112位於第1孔111與長孔93之間。於一對第2孔112中，另一個第2孔112位於長孔93與基板11之側端部11c之間。第2孔112之各者與第1孔111相比較小。第2孔112之+X方向側之端部112a與第1孔111之+X方向側之端部111a於Y方向大致對齊。另一方面，第2孔112之-X方向側之端部112b與第1孔111之-X方向側之端部111b相比，位於+X方向側(即端子部21附近)。就不同觀點而言，第1孔111包含+X方向之寬度局部變細之狹小部115d。一對第2孔112較第1孔111之狹小部115d，位於+X方向側(即端子部21附近)。

藉由此種構成，可與上述第2實施形態同樣，於對應於所需之標準長度之位置將基板11容易地切斷。

於本實施形態中，脆弱部91包含於Y方向排列之複數個孔93、111、112。藉由此種構成，因容易沿複數個孔93、111、112折斷基板11，故可更容易地切斷基板11。藉此，可進一步提高記憶裝置1之便利性。

此處，根據設置於脆弱部91之孔之形狀，有難以設想(難以控制)於孔之什麼位置折斷基板11(切斷基板11)之情況。並且，根據基板11之切斷位置，有於作為記憶裝置1使用之基板11殘留較多個無用部分之情形。於該情形時，必須將該等無用部分藉由打磨等去除。

因此，於本變化例中，例如第1脆弱部91A之複數個孔93、111、112包含第1孔111、與第2孔112。第2孔112小於第1孔111。並且，第2孔112之第1固定部22A側之端部112b與第1孔111之第1固定部22A側之端部111b相比，位於第2固定部22B附近。藉由此種構成，於切斷基板11之情形時，因基板11係沿連結第1孔111與第2孔112之線折斷，故容易控制基板11之切斷位置。因此，可抑制於作為記憶裝置1使用之基板11殘留多個無用部分。藉此，可減少於基板11之切斷後必要之打磨等作業。藉此，可進一步提高記憶裝置1之便利性。

於本變化例中，接地圖案24具有位於第1脆弱部91A與端子部21之間之第2部分62，及通過第1脆弱部91A之複數個孔93、111、112之間而連接第1部分61與第2部分62之連接部65。藉由此種構成，於設置有包含複數個孔93、111、112之第1脆弱部91A之基板11中，可將接地圖案24之第1部分61與第2部分62電性良好地連接。

(第2變化例)

圖14顯示第2變化例之記憶裝置1之脆弱部91。另，以下說明以外之構成係與上述第1變化例相同。

如圖14所示，於本變化例中，第2孔112之+X方向側之端部112a與第1孔111之+X方向側之端部111a相比，位於+X方向側。

藉由此種構成，可進一步抑制於作為記憶裝置1使用之基板11殘留多個無用部分。藉此，可減少於基板11之切斷後必要之打磨等作業。藉此，可進一步提高記憶裝置1之便利性。

以上，對第1及第2實施形態以及其等之變化例進行了說明。然而，實施形態之構成並非限定於上述例。例如，如上述，供搭載記憶裝置1之電子機器2亦可為伺服器。

圖15顯示作為伺服器使用之電子機器2。

如圖15所示，電子機器2係例如主機電腦。電子機器2經由網路N連接於其他複數個電子機器(用戶端電腦)121。電子機器2具有殼體4、與收容於該殼體4之電路基板5。於電路基板5，與第1實施形態同樣，設置有供安裝記憶裝置1之連接器6、及固定記憶裝置1之固定構造7。

根據以上說明之至少1個實施形態，記憶裝置具有基板、與記憶體電路。上述基板具有端子部、第1固定部、及第2固定部。上述端子部可連接於外部機器之連接器。上述第1固定部位於與上述端子部相反側之上述基板之端部，且可安裝於上述外部機器固定該基板之固定構件。上述第2固定部位於上述端子部與上述第1固定部之間，且至少可於沿該第2固定部切斷該基板之情形時安裝上述固定構件。上述記憶體電路係於上述端子部與上述第2固定部之間設置於上述基板。藉由此種構成，可藉由1個記憶裝置對應於複數個標準長度。

雖然已說明本發明之若干實施形態，但該等實施形態係作為例子而提示者，並非意欲限定發明之範圍。該等之新穎實施形態可以其他各種形態實施，且可在不脫離發明之主旨之範圍內，進行各種省略、置換、及變更。該等實施形態及其變化包含於發明之範圍及主 旨，且包含於申請專利範圍所記載之發明及其等效之範圍。

Claims (19)

1. 一種記憶裝置，其係包含基板、及記憶體電路者；且上述基板包含端子部、第1固定部、第1導電圖案、第2固定部、第2導電圖案、及接地圖案；上述端子部可連接於外部機器之連接器；上述第1固定部位於與上述端子部相反側之上述基板之端部，且可安裝將上述基板固定於上述外部機器之固定構件；上述第1導電圖案露出於上述基板之外部，且於將上述固定構件安裝於上述第1固定部之情形時，與上述固定構件相接而與上述固定構件電性連接；上述第2固定部位於上述端子部與上述第1固定部之間，且包含與上述第1固定部大致相同之形狀，並至少可於沿上述第2固定部切斷上述基板之情形時安裝上述固定構件；上述第2導電圖案露出於上述基板之外部，且於將上述固定構件安裝於上述第2固定部之情形時，與上述固定構件相接而與上述固定構件電性連接；上述接地圖案電性連接於上述第1導電圖案與上述第2導電圖案；上述記憶體電路包含記憶體控制器、與藉由上述記憶體控制器控制之半導體記憶體零件；上述記憶體控制器係於上述端子部與上述第2固定部之間設置於上述基板，且與上述端子部電性連接。
2. 如請求項1之記憶裝置，其中：上述記憶體電路即使於沿上述第2固定部切斷上述基板之情形時，亦可通過上述連接器與上述外部機器通信。
3. 如請求項2之記憶裝置，其中：上述記憶裝置所對應之規格，作為上述基板之長度，係至少規定有第1規格長度、與第2規格長度；且上述基板具有上述第1規格長度；上述第2固定部係於將上述基板切斷為上述第2規格長度之情形時，位於上述基板之端部。
4. 如請求項3之記憶裝置，其中：上述第1固定部包含可於上述基板之厚度方向上插通上述固定構件之插通部；且上述第2固定部包含至少可於沿上述第2固定部切斷上述基板之情形時，於上述基板之厚度方向上插通上述固定構件之插通部。
5. 如請求項4之記憶裝置，其中：上述固定構件包含設置有螺紋之軸部；且上述第1固定部及上述第2固定部之各者之上述插通部，包含沿上述軸部之外形之圓弧狀之內周面。
6. 如請求項5之記憶裝置，其中：上述基板包含第3固定部、及第3導電圖案；且上述第3固定部位於上述端子部與上述第2固定部之間，且包含與上述第1固定部及上述第2固定部大致相同之形狀，並至少可於沿上述第3固定部切斷上述基板之情形時安裝上述固定構件；上述第3導電圖案露出於上述基板之外部，且於將上述固定構件安裝於上述第3固定部之情形時，與上述固定構件相接而與上述固定構件電性連接；上述接地圖案電性連接於上述第3導電圖案。
7. 如請求項1之記憶裝置，其中：上述基板係於上述第1固定部與上述第2固定部之間，包含沿與上述端子部對上述連接器之插入方向即第1方向交叉之第2方向設置，且與上述基板之上述端部相比剛性較小之脆弱部。
8. 如請求項7之記憶裝置，其中：上述脆弱部包含沿上述第2方向之長孔。
9. 如請求項7之記憶裝置，其中：上述脆弱部包含於上述第2方向排列之複數個孔。
10. 如請求項9之記憶裝置，其中：上述複數個孔包含第1孔、與第2孔；且上述第2孔小於上述第1孔；上述第2孔之上述第1固定部側之端部，與上述第1孔之上述第1固定部側之端部相比，位於上述第2固定部附近。
11. 如請求項9之記憶裝置，其中：上述接地圖案包含位於上述第1固定部與上述脆弱部之間之第1部分；且上述接地圖案之上述第1部分之面積，大於上述第1導電圖案之面積。
12. 如請求項11之記憶裝置，其中：上述接地圖案包含位於上述脆弱部與上述端子部之間之第2部分；及通過上述脆弱部之上述複數個孔之間，連接上述第1部分與上述第2部分之連接部。
13. 如請求項1之記憶裝置，其中：上述接地圖案包含位於上述第1固定部與上述第2固定部之間之第1部分；及位於上述第2固定部與上述端子部之間之第2部分。
14. 如請求項13之記憶裝置，其中：上述接地圖案包含：第1接地層，其遍及上述第1固定部與上述第2固定部之間之區域、及上述第2固定部與上述端子部之間之區域而延伸；及第2接地層，其相對於上述基板之厚度方向之中心而位於與上述第1接地層相反側，且遍及上述第1固定部與上述第2固定部之間之區域、及上述第2固定部與上述端子部之間之區域而延伸。
15. 如請求項14之記憶裝置，其中：上述第1固定部與上述第2固定部之間之上述第1接地層之面積、及上述第1固定部與上述第2固定部之間之上述第2接地層之面積之各者，大於上述第1導電圖案之面積。
16. 一種記憶裝置，其係包含基板、及記憶體電路者；且上述基板包含端子部、第1固定部、及第2固定部；上述端子部可連接於外部機器之連接器；上述第1固定部位於與上述端子部相反側之該基板之端部，且可安裝於將該基板固定於上述外部機器之固定構件；上述第2固定部位於上述端子部與上述第1固定部之間，且至少可於沿該第2固定部切斷該基板之情形時安裝上述固定構件；上述記憶體電路係於上述端子部與上述第2固定部之間設置於上述基板；上述第1固定部包含可於上述基板之厚度方向上插通上述固定構件之插通部；且上述第2固定部包含至少可於沿上述第2固定部切斷上述基板之情形時，於上述基板之厚度方向上插通上述固定構件之插通部。
17. 如請求項16之記憶裝置，其中： 上述記憶裝置所對應之規格，作為上述基板之長度，係至少規定有第1規格長度、與第2規格長度；且上述基板具有上述第1規格長度；上述第2固定部係於將上述基板切斷成上述第2規格長度之情形時，位於上述基板之端部。
18. 如請求項16之記憶裝置，其中：上述固定構件包含設置有螺紋之軸部；且上述第1固定部及上述第2固定部之各者之上述插通部，包含沿上述軸部之外形之圓弧狀之內周面。
19. 一種基板，其係包含端子部、第1固定部、及第2固定部者；且上述端子部包含複數個端子；上述第1固定部位於與上述端子部相反側之該基板之端部，且至少可於自包含複數個基板之集合基板切離上述基板之狀態下，安裝對外部機器固定上述基板之固定構件；上述第2固定部位於上述端子部與上述第1固定部之間，且至少可於沿該第2固定部切斷上述基板之情形時，安裝上述固定構件；上述第1固定部包含可於上述基板之厚度方向上插通上述固定構件之插通部；且上述第2固定部包含至少可於沿上述第2固定部切斷上述基板之情形時，於上述基板之厚度方向上插通上述固定構件之插通部。