TWI616550B - 用於物理氣相沉積之濺射系統的靶材 - Google Patents

用於物理氣相沉積之濺射系統的靶材 Download PDF

Info

Publication number
TWI616550B
TWI616550B TW103107466A TW103107466A TWI616550B TW I616550 B TWI616550 B TW I616550B TW 103107466 A TW103107466 A TW 103107466A TW 103107466 A TW103107466 A TW 103107466A TW I616550 B TWI616550 B TW I616550B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
target
inches
diameter
substrate processing
processing apparatus
Prior art date
Application number
TW103107466A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201439356A (zh
Inventor
尼古言善Ｘ
邱永
拉許德幕哈瑪德
唐先敏
Original Assignee
應用材料股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 應用材料股份有限公司 filed Critical 應用材料股份有限公司
Publication of TW201439356A publication Critical patent/TW201439356A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI616550B publication Critical patent/TWI616550B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/3414—Targets
    • H01J37/3423—Shape
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32403—Treating multiple sides of workpieces, e.g. 3D workpieces
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/3414—Targets
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/3414—Targets
    • H01J37/3417—Arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/3435—Target holders (includes backing plates and endblocks)
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/21—Circular sheet or circular blank

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Abstract

一種用於基板處理系統中的靶材組件，可包括：板，具有第一側與相對的第二側，其中該第二側包含靶材支撐表面，該靶材支撐表面從該第二側以正交該第二側的方向延伸，其中該靶材支撐表面具有第一直徑，且由第一邊緣所限定；以及靶材，具有直徑，該靶材的該直徑大於該靶材支撐表面之該第一直徑，且該靶材具有第一側，該靶材的該第一側平行於該板之該第二側，其中該靶材的該第一側包含中央部分與周邊部分，該中央部分接合該靶材支撐表面，該周邊部分向外延伸通過該板的該第一邊緣，且在該靶材的該周邊部分與該板的該第二側之間具有約0.040英吋至約0.080英吋之間的距離。

Description

用於物理氣相沉積之濺射系統的靶材
本發明的實施例大體上關於物理氣相沉積處理裝備。
在物理氣相沉積(PVD)腔室中，暗區(dark space)之區域存於充電的電極(諸如濺射靶材)與接地遮罩之間，該接地遮罩亦稱為暗區遮罩，配置在靶材邊緣附近。現存的PVD腔室中，暗區遮罩一般裝設至PVD腔室的主體，且靶材一般裝設在PVD腔室的蓋上。發明人已發現，靶材與暗區遮罩之間的距離在控制電漿不規則性與電弧事件上是相當重要的，電漿不規則性與電弧事件可能會負面地影響PVD腔室中的沉積品質。
因此，發明人已提供用於PVD處理的改良設備。
在此提供用於物理氣相沉積的設備的實施例。一些實施例中，一種用於基板處理系統中以處理基板的靶材組件包括：板，具有第一側與相對的第二側，其中該第二側包含靶材支撐表面，該靶材支撐表面從該第二側以正交(normal) 該第二側的方向延伸，其中該靶材支撐表面具有第一直徑，且由第一邊緣所限定(bounded)；以及靶材，具有直徑，該靶材的該直徑大於該靶材支撐表面之該第一直徑，且該靶材具有第一側，該靶材的該第一側平行於該板之該第二側，其中該靶材的該第一側包含中央部分與周邊部分，該中央部分接合該靶材支撐表面，該周邊部分向外延伸通過該板的該第一邊緣，且在該靶材的該周邊部分與該板的該第二側之間具有約0.040英吋至約0.080英吋之間的距離。
一些實施例中，一種基板處理設備包括：腔室主體，具有基板支座，該基板支座配置在該腔室主體中；電源，耦接該腔室主體，以在該腔室主體內形成電漿；靶材組件，耦接該腔室主體而與該基板支座相對，以及暗區遮罩，具有內壁，該內壁繞該靶材組件之靶材的外邊緣配置，其中該暗區遮罩的該內壁與該靶材的該外邊緣平行，且界定該靶材之該外邊緣與該暗區遮罩之該內壁之間的間隙，該間隙具有約0.040英吋至約0.090英吋的距離。該靶材組件包括：板，具有第一側與相對的第二側，其中該第二側包含靶材支撐表面，該靶材支撐表面從該第二側以正交該第二側的方向延伸，其中該靶材支撐表面具有第一直徑且由第一邊緣與溝槽限定，該溝槽沿著該第二側的外周邊配置；以及靶材，具有：直徑，大於該靶材支撐表面之該第一直徑；第一側，平行該板之該第二側；相對的第二側，平行該靶材之該第一側且面對該基板支座；以及該靶材之外邊緣，垂直(perpendicular)該靶材之該第一側與該靶材之該第二側，其中該靶材的該第 一側包含中央部分與周邊部分，該中央部分接合該靶材支撐表面，該周邊部分向外延伸通過該板的該第一邊緣，且在該靶材的該周邊部分與該板的該第二側之間具有約0.040英吋至約0.080英吋之間的距離。
本發明的其他與進一步實施例於下文中描述。
100‧‧‧靶材組件
102‧‧‧板
104‧‧‧靶材
106‧‧‧第一側
108‧‧‧第二側
110‧‧‧第一表面
112‧‧‧第一直徑
114‧‧‧第一邊緣
116‧‧‧溝槽
118‧‧‧第一側
120‧‧‧直徑
122‧‧‧距離
124‧‧‧第二側
126‧‧‧周邊部分
200‧‧‧處理腔室
202‧‧‧基板支座
204‧‧‧電源
206‧‧‧暗區遮罩
208‧‧‧內壁
210‧‧‧外邊緣
212‧‧‧間隙
214‧‧‧距離
216‧‧‧處理遮罩
218‧‧‧基板
220‧‧‧蓋環
222‧‧‧內側部分
224‧‧‧外殼壁
藉由參考描繪在附圖中的本發明之示意性實施例，可理解於上文中簡要總結且於下文中更詳加探討的本發明之實施例。然而應注意附圖僅說明此發明的典型實施例，因而不應將該等附圖視為限制本發明之範疇，因為本發明可容許其他等效實施例。
第1圖描繪根據本發明之一些實施例的靶材組件。
第2圖描繪根據本發明之一些實施例的處理腔室之概略視圖。
為了助於瞭解，如可能則已使用同一元件符號指定各圖共用的同一元件。該等圖式並未按照比例尺繪製，且可能為了簡明起見而經過簡化。應考量一個實施例的元件與特徵可有利地併入其他實施例而無需贅述。
在此提供用於改良物理氣相沉積(PVD)處理裝備的方法與設備。本發明提供改良的靶材組件設計，該靶材組件設計可與PVD腔室中用於濺射沉積的一定射頻頻率範圍及/或源材料一併使用。本發明之靶材組件的實施例可透過提供改善的暗區遮罩與靶材材料之間的間距，而有利地減少或防 止靶材材料與暗區遮罩之間的電弧放電現象，且改善晶圓沉積的對稱性。
第1圖描繪根據本發明一些實施例的靶材組件100。靶材組件100包含板102與裝設至板102的靶材104。板102包含第一側106與相對的第二側108。一些實施例中，板102可包含導電材料，諸如銅鋅、銅鉻、或與靶材104相同的材料，使得射頻與直流電力可經由板102耦接靶材104。或者，板102可以是非導電性，且可包括諸如電饋通件或類似物的導電元件(圖中未示)。板102也可改善靶材104的結構穩定性。
板102的第二側108包含靶材支撐表面110，該靶材支撐表面110從第二側108以正交第二側108的方向延伸。該靶材支撐表面110具有第一直徑112且由第一邊緣114所限定。第一直徑112將取決於待支撐的靶材之尺寸而有所不同。舉例而言，靶材支撐表面110的第一直徑112比靶材之直徑小約1%至約3%(即，該靶材直徑的約97%至約99%)。一些實施例中，靶材支撐表面110的第一直徑112具有約17.38英吋至約17.58英吋的直徑。一些實施例中，靶材支撐表面110的第一直徑112是約17.488英吋。
靶材104裝設至靶材支撐表面110。一些實施例中，靶材支撐表面110可經噴砂(grit blast)，以改善靶材104對靶材支撐表面110的附著。靶材104可以是濺射期間待沉積在基板上的材料，諸如金屬或金屬氧化物。一些實施例中，靶材104可以是諸如鋁、矽、鈮、鉭、鈦、鈷、銅、或類似 物之材料。一些實施例中，靶材104的厚度是約0.1英吋至約0.35英吋。一些實施例中，靶材104的厚度是約0.25英吋。一些實施例中，靶材104擴散接合至靶材支撐表面110。
靶材104具有第一側118，該第一側118實質上平行板102的第二側108。靶材104具有與第一側118相對的第二側124。靶材104的第二側124實質上平行靶材104的第一側118且面向顯示於第2圖中的基板支座202。靶材104的第一側118包含中央部分與周邊部分126，該中央部分接合靶材支撐表面110，而該周邊部分126向外延伸橫越板102的第一邊緣114。靶材104的周邊部分126離板102的第二側108一距離122，該距離是約0.040英吋至約0.080英吋。靶材104的直徑120大於靶材支撐表面110的第一直徑112。一些實施例中，靶材104的直徑是約17.4英吋至約17.6英吋，然而可使用其他靶材尺寸。一些實施例中，靶材的直徑為約17.508英吋。發明人已觀察到，上文所述之介於靶材104之第一側118與板102之第二側108之間的距離122以及擁有比靶材支撐表面110之第一直徑112還大的靶材104之直徑藉由防止間隙212內電漿形成與再濺射，而有利地減少電弧放電現象且增進沉積製程的均勻度。
溝槽116沿著板102的第二側108的外周邊配置。密封件232(描繪於第2圖中)配置在溝槽116中，以產生板102與板102裝設所之相對表面(例如，如第2圖中所繪)之間的密封。一些實施例中，溝槽116包含以碳化矽紋理化的表面。一些實施例中，溝槽116之表面具有約200微米至約 300微米的表面粗糙度。
第2圖描繪根據本發明之一些實施例的物理氣相沉積腔室(或處理腔室200)的示意性剖面視圖。適合的PVD腔室的範例包括ENDURA® PVD處理腔室，此腔室可購自美國加州Santa Clara的應用材料公司。來自應用材料公司或其他製造商的其他處理腔室也可受惠於在此揭露的本發明之設備。
一些實施例中，處理腔室200具有腔室蓋226，該腔室蓋226配置在腔室主體228頂上。腔室主體228具有內部空間230。處理腔室200進一步包含處理遮罩216，該處理遮罩216配置在腔室主體228的內部空間230內且位在靶材組件100下方。該處理遮罩216防止濺射的靶材材料沉積在腔室主體228的側壁上。一些實施例中，處理遮罩216由導電材料製成，諸如不鏽鋼、鋁、或類似物。
腔室主體228也含有基板支座202，以在該基板支座202上接收基板218。基板支座202可位於接地外殼壁224內，該外殼壁224可以是腔室壁(如圖所示)或接地遮罩。
處理遮罩216沿著腔室主體228之壁向下延伸至基板支座202的頂表面下方，且向上迴轉直到抵達基板支座202的頂表面為止。當基板支座202位在該基板支座202之較低的裝載位置時，蓋環220安置在處理遮罩216的向上延伸內部分222的頂部上，但當基板支座位在較高的沉積位置時，該蓋環220安置在基板支座202的外周邊上，以保護基板支座202避免受到濺射沉積。
腔室蓋226可從腔室主體228移除，以例如安裝或置換靶材組件100或以執行處理腔室200上的維護。一些實施例中，腔室蓋226包括上文所述之靶材組件100與暗區遮罩206。一些實施例中，電源204耦接腔室蓋226以將射頻電力(例如射頻電源)以及視情況任選的直流電力(例如直流電源)耦接靶材。
暗區遮罩206具有內壁208，該暗區遮罩206大體上配置在靶材104之外邊緣210周圍。一些實施例中，暗區遮罩206由介電材料製成，諸如陶瓷。暗區遮罩206的內壁208與靶材104的外邊緣210平行，且界定靶材104之外邊緣210與暗區遮罩206之內壁208之間的間隙212，該間隙212具有約0.040英吋至約0.090英吋之距離。發明人已觀察到，暗區遮罩206的內壁208與靶材104的外邊緣210之間的距離214透過防止間隙212內電漿形成與再濺射，而有利地進一步減少電弧放電現象與增進沉積製程之均勻性。
腔室主體228含有基板支座202，以在該基板支座202上接收基板218。基板支座202可位在接地外殼壁224內，該外殼壁224可以是腔室壁(如圖所示)或接地遮罩。
處理遮罩216沿著腔室主體228之壁向下延伸至基板支座202的頂表面下方，且向上迴轉直到抵達基板支座202的頂表面為止。當基板支座202位在該基板支座之較低的裝載位置時，蓋環220安置在處理遮罩216的向上延伸內部分222的頂部上，但當基板支座位在較高的沉積位置時，該蓋環220安置在基板支座202的外周邊上，以保護基板支座202 避免受到濺射沉積。
雖然前述內容涉及本發明之實施例，但可不背離本發明之基本範疇而設計本發明之其他與進一步之實施例。
100‧‧‧靶材組件
102‧‧‧板
104‧‧‧靶材
106‧‧‧第一側
108‧‧‧第二側
110‧‧‧第一表面
112‧‧‧第一直徑
114‧‧‧第一邊緣
116‧‧‧溝槽
118‧‧‧第一側
120‧‧‧直徑
122‧‧‧距離
124‧‧‧第二側
126‧‧‧周邊部分

Claims (20)

  1. 一種用於基板處理系統中的靶材組件，包括：一板，具有一第一側與一相對的第二側，其中該第二側包含一靶材支撐表面，該靶材支撐表面從該第二側以正交(normal)該第二側的一方向延伸，其中該靶材支撐表面具有一第一直徑，且由一第一邊緣所限定(bounded)；以及一靶材，具有一直徑，該靶材的該直徑大於該靶材支撐表面之該第一直徑，且該靶材具有一第一側，該靶材的該第一側平行該板之該第二側，其中該靶材的該第一側包含一中央部分與一周邊部分，該中央部分接合該靶材支撐表面，該周邊部分向外延伸通過該板的該第一邊緣，且在該靶材的該周邊部分與該板的該第二側之間具有約0.040英吋至約0.080英吋之間的一距離。
  2. 如請求項1所述之靶材組件，其中該靶材支撐表面的該第一直徑為該靶材的該直徑的約97%至約99%。
  3. 如請求項1所述之靶材組件，其中該靶材是鋁、矽、鈮、鉭、鈦、鈷、或銅之其中一者。
  4. 如請求項1至3任一項所述之靶材組件，其中該靶材的一厚度是約0.10至約0.35英吋。
  5. 如請求項1至3任一項所述之靶材組件，進一步包含一 溝槽與一密封件，該溝槽沿著該板的該第二側的一外周邊配置，且該密封件配置在該溝槽中。
  6. 如請求項5所述之靶材組件，其中該溝槽進一步包含一表面，該表面是以碳化矽紋理化。
  7. 如請求項6所述之靶材組件，其中該溝槽的該表面具有約200微米至約300微米的一表面粗糙度。
  8. 如請求項1至3任一項所述之靶材組件，其中該靶材的該直徑是約17.40英吋至約17.60英吋。
  9. 如請求項1至3任一項所述之靶材組件，其中該靶材支撐表面的該第一直徑是約17.38英吋至約17.58英吋。
  10. 一種基板處理設備，包括：一腔室主體，具有一基板支座，該基板支座配置在該腔室主體中；一電源，耦接該腔室主體，以在該腔室主體內形成一電漿；一靶材組件，耦接該腔室主體而與該基板支座相對，其中該靶材組件包含：一板，具有一第一側與一相對的第二側，其中該第二側包含一靶材支撐表面，該靶材支撐表面從該第二側以正 交該第二側的一方向延伸，其中該靶材支撐表面具有一第一直徑且由一第一邊緣限定；以及一靶材，具有：一直徑，大於該靶材支撐表面之該第一直徑；一第一側，平行該板之該第二側；一相對的第二側，平行該靶材之該第一側且面對該基板支座；以及該靶材之一外邊緣，垂直(perpendicular)該靶材之該第一側與該靶材之該第二側，其中該靶材的該第一側包含一中央部分與一周邊部分，該中央部分接合該靶材支撐表面，該周邊部分向外延伸通過該板的該第一邊緣，且在該靶材的該周邊部分與該板的該第二側之間具有約0.040英吋至約0.080英吋之間的一距離；以及一暗區遮罩，具有一內壁，該內壁繞該靶材之該外邊緣配置，其中該暗區遮罩的該內壁與該靶材的該外邊緣平行，且界定該靶材之該外邊緣與該暗區遮罩之該內壁之間的一間隙。
  11. 請求項10所述之基板處理設備，其中該靶材之該外邊緣與該暗區遮罩之該內壁之間的該間隙為約0.040英吋至約0.090英吋。
  12. 請求項10所述之基板處理設備，其中該靶材支撐表面的該第一直徑為該靶材的該直徑的約97%至約99%。
  13. 如請求項10所述之基板處理設備，其中該靶材是鋁、矽、鈮、鉭、鈦、鈷、或銅之其中一者。
  14. 如請求項10至13任一項所述之基板處理設備，其中該靶材的一厚度是約0.10至約0.35英吋。
  15. 如請求項10至13任一項所述之基板處理設備，進一步包含一溝槽與一密封件，該溝槽沿著該板的該第二側的一外周邊配置，且該密封件配置在該溝槽中。
  16. 如請求項15所述之基板處理設備，其中該溝槽進一步包含一表面，該表面是以碳化矽紋理化。
  17. 如請求項15所述之基板處理設備，其中該溝槽的該表面具有約200微米至約300微米的一表面粗糙度。
  18. 如請求項10至13任一項所述之基板處理設備，其中該電源是一RF電源或DC電源之至少一者。
  19. 如請求項10至13任一項所述之基板處理設備，其中該靶材的該直徑是介於約17.40英吋至約17.60英吋之間。
  20. 如請求項10至13任一項所述之基板處理設備，其中該靶材支撐表面的該第一直徑是約17.38英吋至約17.58英吋。
TW103107466A 2013-03-05 2014-03-05 用於物理氣相沉積之濺射系統的靶材 TWI616550B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US13/785,866 US9633824B2 (en) 2013-03-05 2013-03-05 Target for PVD sputtering system
US13/785,866 2013-03-05

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201439356A TW201439356A (zh) 2014-10-16
TWI616550B true TWI616550B (zh) 2018-03-01

Family

ID=51486235

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW103107466A TWI616550B (zh) 2013-03-05 2014-03-05 用於物理氣相沉積之濺射系統的靶材

Country Status (3)

Country Link
US (1) US9633824B2 (zh)
TW (1) TWI616550B (zh)
WO (1) WO2014137745A1 (zh)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10100399B2 (en) * 2015-03-31 2018-10-16 Ulvac, Inc. Cathode assembly
US10655212B2 (en) 2016-12-15 2020-05-19 Honeywell Internatonal Inc Sputter trap having multimodal particle size distribution
TWI788618B (zh) * 2019-01-25 2023-01-01 美商應用材料股份有限公司 物理氣相沉積靶材組件
US10854416B1 (en) * 2019-09-10 2020-12-01 Applied Materials, Inc. Thermally isolated repeller and electrodes
US11127558B1 (en) 2020-03-23 2021-09-21 Applied Materials, Inc. Thermally isolated captive features for ion implantation systems

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW360717B (en) * 1996-03-07 1999-06-11 Applied Materials Inc Improved target and dark space shield for a physical vapor deposition system
TW460601B (en) * 1998-11-12 2001-10-21 Applied Materials Inc Copper sputtering target
TW200529298A (en) * 2004-01-07 2005-09-01 Hoya Corp Mask blank manufacturing method and sputtering target for manufacturing the same
TW201038757A (en) * 2009-04-03 2010-11-01 Applied Materials Inc Sputtering target for PVD chamber

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0061553B1 (de) * 1981-03-30 1984-09-12 MANNESMANN Aktiengesellschaft Verfahren zur Oberflächenbehandlung von Gewinden
JPH0853757A (ja) 1994-08-10 1996-02-27 Fujitsu Ltd スパッタ用ターゲットの製造方法、スパッタ方法、及び、スパッタ装置
US5690795A (en) 1995-06-05 1997-11-25 Applied Materials, Inc. Screwless shield assembly for vacuum processing chambers
US5824197A (en) 1996-06-05 1998-10-20 Applied Materials, Inc. Shield for a physical vapor deposition chamber
US6013159A (en) 1997-11-16 2000-01-11 Applied Materials, Inc. Particle trap in a magnetron sputtering chamber
JP3993721B2 (ja) 1999-06-09 2007-10-17 東ソー株式会社 スパッタリングターゲット
US6416634B1 (en) 2000-04-05 2002-07-09 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for reducing target arcing during sputter deposition
KR100342395B1 (ko) 2000-06-28 2002-07-02 황인길 반도체 소자 제조 장치
US20020162741A1 (en) 2001-05-01 2002-11-07 Applied Materials, Inc. Multi-material target backing plate
US6841050B2 (en) 2002-05-21 2005-01-11 Applied Materials, Inc. Small planetary magnetron
US7431195B2 (en) 2003-09-26 2008-10-07 Praxair S.T. Technology, Inc. Method for centering a sputter target onto a backing plate and the assembly thereof
US7674360B2 (en) 2003-12-12 2010-03-09 Applied Materials, Inc. Mechanism for varying the spacing between sputter magnetron and target
KR20050069452A (ko) 2003-12-31 2005-07-05 동부아남반도체 주식회사 스퍼터링 장치의 실드구조
EP1711646A4 (en) 2004-02-03 2008-05-28 Honeywell Int Inc TARGET STRUCTURES FOR VAPOR PHYSICAL DEPOSITION
US9127362B2 (en) 2005-10-31 2015-09-08 Applied Materials, Inc. Process kit and target for substrate processing chamber
US7981262B2 (en) 2007-01-29 2011-07-19 Applied Materials, Inc. Process kit for substrate processing chamber
KR101432562B1 (ko) 2007-12-31 2014-08-21 (주)소슬 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US20100055298A1 (en) 2008-08-28 2010-03-04 Applied Materials, Inc. Process kit shields and methods of use thereof
US9834840B2 (en) 2010-05-14 2017-12-05 Applied Materials, Inc. Process kit shield for improved particle reduction
US8702918B2 (en) 2011-12-15 2014-04-22 Applied Materials, Inc. Apparatus for enabling concentricity of plasma dark space
US9695502B2 (en) 2012-03-30 2017-07-04 Applied Materials, Inc. Process kit with plasma-limiting gap

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW360717B (en) * 1996-03-07 1999-06-11 Applied Materials Inc Improved target and dark space shield for a physical vapor deposition system
TW460601B (en) * 1998-11-12 2001-10-21 Applied Materials Inc Copper sputtering target
TW200529298A (en) * 2004-01-07 2005-09-01 Hoya Corp Mask blank manufacturing method and sputtering target for manufacturing the same
TW201038757A (en) * 2009-04-03 2010-11-01 Applied Materials Inc Sputtering target for PVD chamber

Also Published As

Publication number Publication date
WO2014137745A1 (en) 2014-09-12
US20140251217A1 (en) 2014-09-11
US9633824B2 (en) 2017-04-25
TW201439356A (zh) 2014-10-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI618172B (zh) 在基板處理腔室中使用的準直儀
TWI616550B (zh) 用於物理氣相沉積之濺射系統的靶材
US9689070B2 (en) Deposition ring and electrostatic chuck for physical vapor deposition chamber
TWI702636B (zh) 用於pvd濺射腔室的可偏壓通量優化器/準直器
TWI537410B (zh) 可調整式處理間距、置中及改良的氣體傳導
JP5931055B2 (ja) 基板を処理する装置及び当該装置に含まれるプロセスキットシールド
JP6130304B2 (ja) 保護されたバッキングプレートを有するｐｖｄスパッタリングターゲット
US9991101B2 (en) Magnetron assembly for physical vapor deposition chamber
JP6238963B2 (ja) プロセスキットシールドおよびプロセスキットシールドを有する物理的気相堆積チャンバ
US20170145553A1 (en) Pre-coated shield using in vhf-rf pvd chambers
US10283334B2 (en) Methods and apparatus for maintaining low non-uniformity over target life
WO2010123680A2 (en) Wafer processing deposition shielding components
WO2016099804A1 (en) Particle reduction in a deposition chamber using thermal expansion coefficient compatible coating
JP2012224921A (ja) 成膜装置
JP7504938B2 (ja) Ｐｖｄスパッタチャンバ向けのバイアス可能なフラックスオプティマイザ／コリメータ
TWI537406B (zh) 具有旋轉磁性組件與中央饋送射頻能量之物理氣相沉積腔室
KR20210040120A (ko) 스퍼터링 디바이스, 증착 장치, 및 스퍼터링 디바이스를 작동시키는 방법