TWI616023B - 固定傳輸線特性阻抗值任意輸出比枝幹耦合器 - Google Patents

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TWI616023B
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辜建竣
何岱鑫
林宜賢
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Abstract

本發明係為一種固定傳輸線特性阻抗值任意輸出比枝幹耦合器，其包含覆設於基板的傳輸線組，傳輸線組包含第一傳輸線、第二傳輸線、第三傳輸線及第四傳輸線。第一傳輸線延伸二端具有第一延伸段及第二延伸段。第三傳輸線具有第三延伸段及第四延伸段。傳輸線組呈矩形連接的四個內邊角各自設有接地區塊，各接地區塊分別與個電容電性連接；其中，第一傳輸線至第一延伸段的上緣向上延伸有一呈梯形的第五延伸段。第一傳輸線至第二延伸段的上緣向上延伸有一呈梯形的第六延伸段。第三傳輸線至第三延伸段的下緣向下延伸有一呈梯形的第七延伸段。第三傳輸線至第四延伸段的下緣向下延伸有一呈梯形的第八延伸段，俾使枝幹耦合器輸出功率達到任意比例的輸出功效，而可適用於不同中心頻率的微波系統。

Description

固定傳輸線特性阻抗值任意輸出比枝幹耦合器
本發明係有關一種固定傳輸線特性阻抗值任意輸出比枝幹耦合器，尤指一種可以使枝幹耦合器輸出功率達到任意比例之輸出功效而可適用於不同中心頻率之微波系統的枝幹耦合器技術。
隨著科技不斷的演進之下，近年來，數位通訊系統已成為現代生活不可或缺的一部分，為了滿足消費者的使用需求，現今通訊朝高效能、輕薄短小、製作容易及低成本的方向發展，無線通訊已成為現代發展的趨勢，不管是在數位電視系統、全球衛星系統、或是手機通訊系統，人們生活對於無線資訊傳輸已密不可分，而枝幹耦合器在上述系統中也是扮演著一個重要的腳色，因此，如何製作一個新式電路架構的枝幹耦合器，確實是相關產、官學界所關注的重點技術課題。
再者，枝幹耦合器(如參考文獻[1-2])在微波和射頻電路上應用於功率分配(如參考文獻[3-4])或天線陣列(如參考文獻[5])的一部分，並為使能更彈性使用在通訊系統上，可調整輸出功率比例的功能成為用於射頻部件的開發重要的優點。傳統的枝幹耦合器是由四個四分之一波長的傳輸線所組成，電路輸出埠|S21|與耦合埠|S31|之輸出功率比由傳輸線阻抗值決定，兩輸出訊號相位相差90度，且|S11|與|S41|兩埠能達到-15dB以下；然而，以此來設計耦合器會造成尺寸過大及輸出功率比無法轉換的狀況，使用電感器或電容 器(如參考文獻[6])可以將尺寸縮小及達到轉換比率的特性，因此，如何開發出一套可以使枝幹耦合器輸出功率達到任意比例之輸出功效的微波系統枝幹耦合器技術，實已成為相關產學業界所急欲解決與挑戰的技術課題。
依據目前所知，尚未有一種可使枝幹耦合器輸出功率達到任意比例之輸出功效的專利或是論文被提出，而且基於電子產業的迫切需求下，本發明創作人等乃經不斷的努力研發之下，終於研發出一套有別於上述文獻之技術概念的本發明。
本發明主要目的，在於提供一種固定傳輸線特性阻抗值任意輸出比枝幹耦合器，主要是以電路的四個傳輸線皆為給定特性阻抗值為架構，並透過改變傳輸線之電氣長度及接地電容的電容值，使枝幹耦合器輸出的功率達到任意比例，故電路結構確實可適用於不同中心頻率的微波系統，因而具有電路具高度支援性、製作簡易以及可大幅地降低系統建置與支出成本等特點。達成上述目的採用之技術手段，係包含覆設於基板的傳輸線組，傳輸線組包含第一傳輸線、第二傳輸線、第三傳輸線及第四傳輸線。第一傳輸線二端具有第一延伸段及第二延伸段。第三傳輸線具有第三延伸段及第四延伸段。傳輸線組呈矩形連接的四個內邊角各自設有接地區塊，各接地區塊分別與個電容電性連接；其中，第一傳輸線至第一延伸段的上緣向上延伸有一呈梯形的第五延伸段。第一傳輸線至第二延伸段的上緣向上延伸有一呈梯形的第六延伸段。第三傳輸線至第三延伸段的下緣向下延伸有一呈梯形的第七延伸段。第三傳輸線至第四延伸段的下緣向下延伸有一呈梯形的第八延伸段。
10‧‧‧基板
20‧‧‧傳輸線組
21‧‧‧第一傳輸線
210‧‧‧第一延伸段
211‧‧‧第二延伸段
212‧‧‧第五延伸段
212a‧‧‧第一斜切邊
213‧‧‧第六延伸段
213a‧‧‧第二斜切邊
22‧‧‧第二傳輸線
23‧‧‧第三傳輸線
230‧‧‧第三延伸段
231‧‧‧第四延伸段
232‧‧‧第七延伸段
232a‧‧‧第三斜切邊
233‧‧‧第八延伸段
233a‧‧‧第四斜切邊
234‧‧‧第九延伸段
234a‧‧‧第五斜切邊
235‧‧‧第十延伸段
235a‧‧‧第六斜切邊
24‧‧‧第四傳輸線
25‧‧‧內邊角
30‧‧‧接地區塊
40‧‧‧輸入埠
41‧‧‧輸出埠
42‧‧‧耦合埠
43‧‧‧隔離埠
C‧‧‧電容
圖1係本發明耦合器電路結構示意圖。
圖2係本發明耦合器對稱結構示意圖。
圖3係本發明四種不同對稱面條件的等效電路示意圖。
圖4係本發明傳輸線電氣長度(θ 1,θ 2)與電容值對應輸出功率比(f=2.45GHz,Z1=75Ω,Z2=50Ω)曲線示意圖。
圖5係本發明1：2功率Z1=75Ω,Z2=50Ω的成型電路示意圖。
圖6係本發明1：2功率Z1=75Ω,Z2=50Ω的實體電路示意圖。
圖7係本發明第一具體實施例的模擬與量測數據示意圖。
圖8係本發明1：5功率Z1=75Ω,Z2=50Ω的成型電路示意圖。
圖9係本發明1：5功率Z1=75Ω,Z2=50Ω)的實體電路示意圖。
圖10係本發明第二具體實施例的模擬與量測數據示意示意圖。
為讓 貴審查委員能進一步瞭解本發明整體的技術特徵與達成本發明目的之技術手段，玆以具體實施例並配合圖式加以詳細說明：簡言之，本發明是一種固定傳輸線特性阻抗值任意輸出功率之枝幹耦合器設計，主要是以電路四個傳輸線皆為給定特性阻抗值為架構，並透過改變傳輸線的電氣長度及接地電容的電容值，而使枝幹耦合器輸出的功率達到任意比例。電路以雕刻機實現，使用FR-4基板，厚度為1.6mm，相對介電質系數為4.3，本發明電路經由電磁模擬軟體證實，於工作頻率上，其輸出功率比可適用於任意比例輸出功率之需求，實際電路經向量網路分析儀量測，於工作頻段之模擬數據與實作確實有良好的一致性。可見，本發明電路結構設計確實可以適用於不同中心頻率的微波系統， 因而本發明電路確實具高度支援性、製作簡易以及大幅地降低系統建置的成本支出等諸多特點。
請配合參看圖5、6、8及圖9所示，為達成本發明主要目的之實施例，係包含一基板10及一覆設於基板10上的傳輸線組20等技術特徵。此傳輸線組20包含四段依序垂直環繞呈一矩形連接而可分別產生特性阻抗的一第一傳輸線21、一第二傳輸線22、一第三傳輸線23及一第四傳輸線24。第一傳輸線21一端往一方向延伸有一第一延伸段210，其另端往反向方向延伸有一第二延伸段211。第三傳輸線23一端往該方向延伸有一第三延伸段230，其另端往該反向方向延伸有一第四延伸段231。傳輸線組20垂直環繞呈矩形連接的四個內邊角25各自設有一呈斜向間隔設置的接地區塊30，此四個接地區塊30分別與四個電容C一端電性連接，而四個電容C另端各自與傳輸線組20對應的內邊角25電性連接；其中，第一傳輸線21一端至第一延伸段210的上緣向上延伸有一呈梯形的第五延伸段212，第一傳輸線21另端至第二延伸段211的上緣向上延伸有一呈梯形的第六延伸段213，第五延伸段212與第六延伸段213各自具有呈左右對稱的一第一斜切邊212a及一第二斜切邊213a。第三傳輸線23一端至第三延伸段230的下緣向下延伸有一呈梯形的第七延伸段232，第三傳輸線23另端至第四延伸段231的下緣向下延伸有一呈梯形的第八延伸段233，第七延伸段232與第八延伸段233各自具有呈左右對稱的一第三斜切邊232a及一第四斜切邊233a。
具體來說，如圖5、8所示之實施例中，第五延伸段212之下底邊與第一斜切邊212a形成的底角係靠近或對準第一傳輸線21與第四傳 輸線24所形成的內邊角25。另，第六延伸段213之下底邊與第二斜切邊213a形成的底角係靠近或對準第三傳輸線23與第四傳輸線24所形成的內邊角25；第七延伸段232之下底邊與第三斜切邊232a形成的底角係靠近或對準第三傳輸線23與第四傳輸線24所形成的內邊角25。第八延伸段233之下底邊與第四斜切邊233a形成的底角係靠近或對準第二傳輸線22與第三傳輸線23所形成的內邊角25。
具體的，如圖5所示之第五延伸段212之第一斜切邊212a係往第二延伸段211的方向逐漸向下傾斜；第六延伸段213之第二斜切邊213a係往第一延伸段210的方向逐漸向下傾斜。第七延伸段232之第三斜切邊232a係往第四延伸段231的方向逐漸向上傾斜；第八延伸段233之第四斜切邊233a係往第三延伸段230的方向逐漸向上傾斜。第五延伸段212、第六延伸段213、第七延伸段232及第八延伸段233各自的底角皆介於30~45度之間，第五延伸段212、第六延伸段213、第七延伸段232及第八延伸段233各自的頂角皆介於140~160度之間。
請配合參看圖5、6所示為本發明的第一具體實施例，上述四個電容C的電容值介於2.5~4pF之間，較佳電容值為C=3.37pF。第一傳輸線21與第三傳輸線23的阻抗皆為Z1=75Ω；第二傳輸線22與第四傳輸線24的阻抗皆為Z2=50Ω；第一傳輸線21與第三傳輸線23的電氣長度θ1=22.6°，第二傳輸線22與第四傳輸線24的電氣長度θ 2=45°；輸出埠比為P2：P3=1：2。第五延伸段212、第六延伸段213、第七延伸段232及第八延伸段233各自之上底邊的長度皆為L1=L2=L3=L4=12.2mm；第一延伸段210加上第五延伸段212的寬度、第二延伸段211加上第六延伸段213的寬度、 第三延伸段230加上第七延伸段232的寬度以及第四延伸段231加上第八延伸段233的寬度皆為W1=W2=W3=W4=3.1mm；傳輸線組20呈矩形連接的上內邊與下內邊的長度為L5=L6=6.7mm；第一傳輸線21的長度為L5+L7+L8=12.9mm，寬度為W5=1.4mm；第二傳輸線21與第四傳輸線24的長度W7=W8=11.5mm，寬度皆為L7=L8=3.1m；第三傳輸線23的長度為L6+L7+L8=12.9mm，寬度為W6=1.4mm。
請配合參看圖8、9所示，為本發明的第二具體實施例，第七延伸段232末端延伸有一呈縱向分佈之梯形的第九延伸段234，第九延伸段234具有一第五斜切邊234a，第九延伸段234之下底邊上半段銜接第三延伸段230及第七延伸段232的末端上。第八延伸段233末端向下延伸有一呈縱向分佈之梯形的第十延伸段235，第十延伸段235具有一第六斜切邊235a；第十延伸段235之下底邊上半段銜接第四延伸段231及第八延伸段233的末端上。第九延伸段234異於第五斜切邊234a之一腰邊的長度為L4=3.1mm，其上底邊的長度為W4=3.1mm；第十延伸段235異於第六斜切邊235a之一腰邊的長度為L3=3.1mm，其上底邊的長度為W3=3.1mm。
於第二具體實施例中，上述四個電容C的電容值皆介於5~6pF之間，較佳電容值為C=5.66F。第一傳輸線21與第三傳輸線23的阻抗皆為Z1=75Ω；第二傳輸線22與第四傳輸線24的阻抗皆為Z2=50Ω；第一傳輸線21與第三傳輸線23的電氣長度θ1=15.79°，第二傳輸線22與第四傳輸線24的電氣長度θ 2=26.5°；輸出埠比為P2：P3=1：5。
上述第五延伸段212、第六延伸段213、第七延伸段232及第八延伸段233各自之上底邊的長度皆為L1=L2=L3=L4=9.2mm。第一延伸 段210加上第五延伸段212的寬度、第二延伸段211加上第六延伸段213的寬度、第三延伸段230加上第七延伸段232的寬度以及第四延伸段231加上第八延伸段233的寬度皆為W1=W2=W3=W4=3.1mm；傳輸線組20呈矩形連接的上內邊與下內邊的長度為L5=L6=5.8mm；第一傳輸線21的長度為L5+L7+L8=12mm，寬度為W5=1.6mm；第二傳輸線22與第四傳輸線24的長度W7=W8=11.5mm，寬度皆為L7=L8=3.1m；第三傳輸線23的長度為L6+L7+L8=12mm，寬度為W6=1.6mm。
本發明主要是一種電路以四個傳輸線的阻抗值都為固定為架構，透過改變傳輸線的電氣長度及兩端接地的電容值，使電路功率比達到任意比例的輸出功率(如參考文獻[7-9])，且維持良好的特性。透過公式的計算可實現不同輸出比例之耦合器(如參考文獻[10-11])的優點，在系統的建置上相當便利，電路僅須依此設計方式，即可適用多種不同中心頻率的微波系統，電路不僅具備高度的系統支援性，且能減少整個系統建置的成本支出。
本發明提出一種給定傳輸線阻抗值之任意比例輸出功率枝幹耦合器設計，其電路結構如圖1所示，Port 1為輸入埠40，Port 2為輸出埠41，Port 3為耦合埠42，Port 4為隔離埠43，Z1、Z2為傳輸線特性阻抗，C為並聯接地電容，θ 1、θ 2為電氣長度，其中θ1<90°、θ2<90°。利用該結構的二重對稱性進行分析，其結構如圖2，選擇適當的激發使對稱平面AA’做出相對應的電場牆(短路)或磁場牆(開路)，對稱平面BB’也相對應的做出電場牆(短路)或磁場牆(開路)。當BB’平面對應電場牆時，在耦合線的傳播模式有奇函數的特性阻抗導納Y o 和傳播常數β o ；BB’平面對應磁場牆時，在 耦合線的傳播模式有偶函數的特性阻抗導納Y e 和傳播常數β e ，d為傳輸線的長度，其中β．d=θ，為傳輸線的電氣長度，c為電容值，Y o 、Y1、Y2是傳輸線導納值，對應公式如公式(1)到(4)，(1)為對稱面AA’和對稱面BB’都是磁場牆、(2)為對稱面AA’是電場牆，對稱面BB’是磁場牆、(3)為對稱面AA’是磁場牆，對稱面BB’是電場牆、(4)為對稱面AA’和對稱面BB’都是電場牆。在對稱情況下，等效電路圖如圖3(a)-(d)。由圖3(a)(b)(c)(d)四個不同對稱面條件(圖3(a)為對稱面AA’和BB’都是磁場牆、圖3(b)為對稱面AA’是電場牆，對稱面BB是磁場牆、圖3(c)為對稱面AA’是磁場牆，對稱面BB’是電場牆、圖3(d)為對稱面AA’和對稱面BB’都是電場牆。)。依散射係數(S 11、S 12、S 13、S 14)的定義與四種條件下的反射係數(Γ a 、Γ b 、Γ c 、Γ d )在設計枝幹耦合器的公式要求為，S 11=0、S 14=0，其中|S 11|的關係式為公式(5)、|S 21|的關係式為公式(6)、|S31|的關係式為公式(7)、|S41|的關係式為公式(8)，其中
Figure TWI616023BD00001
，ω=2πf，f為工作頻率。
V 1 +=V 2 +=V 3 +=V 4 +=V + AA’：磁場牆 BB’：磁場牆 (1)
V 1 +=V 4 +=V +,V 2 +=V 3 +=-V + AA’：電場牆 BB’：磁場牆 (2)
V 1 +=-V 4 +=V +,V 2 +=-V 3 +=V + AA’：磁場牆 BB’：電場牆 (3)
V 1 +=-V 4 +=V +,V 2 +=-V 3 +=-V + AA’：電場牆 BB’：電場牆 (4)
Figure TWI616023BD00002
Figure TWI616023BD00003
Figure TWI616023BD00004
 (7)
Figure TWI616023BD00005
在給定特性阻抗Zc=50Ω、中心頻率f=2.45GHz、傳輸線阻抗值設定為Z1=75Ω、Z2=50Ω頻率為2.45GHz及散射參數|S 21|為想要設計的功率比值，即可得到相對應的電氣長度θ 1、θ 2及電容值C如圖4。圖4中橫軸X軸為電氣長度θ 1的數值，單位為角度、縱軸左側Y軸為電氣長度θ 2的數值，單位為角度、縱軸右側Y軸為電容C的數值，單位為pF，圖中方點曲線為P2：P3功率比的比值曲線，三角點曲線為電容C的比值曲線。從圖4中之中心頻率f=2.45GHz、Zc=50Ω、傳輸線阻抗值為Z1=75Ω、Z2=50Ω的情況下找出兩組案例分別為P2：P3=1：2比例(Z1=75Ω、Z2=50Ω)、P2：P3=1：5比例(Z1=75Ω、Z2=50Ω)進行模擬與實作。
本發明針對第一具體實施例所做的實驗例如下所示：本實驗例輸出比為P2：P3=1：2比例，給定Z1=75Ω、Z2=50Ω，頻率為2.45GHz,Z o =50Ω。電路結構如圖(1)所示，依據圖4中的數據進行電路設計，因為給定輸出埠比為P2：P3=1：2，由圖4方點曲線的A點對照橫軸X軸與縱軸Y軸左側得知電氣長度θ1=22.6°與電氣長度θ 2=45°角度，並利用三角點曲線的A'點對照右側Y軸得知電容值C=3.37pF，經由電磁模擬軟體，選用板材為FR4(1.6mm)，相對介電系數為4.3。結構經最佳化調整如圖5，電路尺寸：L1=12.2mm，W1=3.1mm,L2=12.2mm,W2=3.1mm,L3=12.2mm,W3=3.1mm,L4=12.2mm,W4=3.1mm,L5=6.7mm,W5=1.4mm,L6=6.7mm,W6=1.4mm,L7=3.1mm,7=11.5mm,L8=3.1mm,W8=11.5mm，並將電容值微調 使電路輸出功率比達到預期的比例。電路經雕刻機加工後如圖6，由Anritsu-MS2034A網路分析儀量測，與模擬結果進行比較，得模擬結果與實體電路頻率響應如圖7，量測頻率皆由0到4GHz，大小由0至-50dB，於工作頻段(fo=2.45GHz)，反射係數|S11|與隔離度|S41|皆在-15dB以下，兩端之輸出功率比|S 21|2與|S 31|2為1：2功率，上述模擬與量測結果與預期相當接近。
本發明針對第二具體實施例所做的實驗例如下所示：本實驗例輸出比為P2：P3=1：5比例，給定Z1=75Ω、Z2=50Ω，頻率為2.45GHz,Z o =50Ω。電路結構如圖(1)所示，依據圖4中的數據進行電路設計，因為給定輸出埠比為P2：P3=1：5，由圖4方點曲線的B點對照橫軸X軸與縱軸Y軸左側得知電氣長度θ1=15.79°與電氣長度θ 2=26.5°，並利用三角點曲線的B'點對照右側Y軸得知電容值C=5.66F，經由電磁模擬軟體，選用板材為FR4(1.6mm)，相對介電系數為4.3。結構經最佳化調整如圖8，電路尺寸：L1=9.2mm,W1=3.1mm,L2=9.2mm,W2=3.1mm,L3=3.1mm,W3=3.1mm,L4=3.1mm,W4=3.1mm,L5=5.8mm,W5=1.6mm,L6=5.8mm,W6=1.6mm,L7=3.1mm,W7=7.1,mm,L8=3.1mm,W8=7.1mm，並將電容微調使電路輸出功率比達到預期的比例。電路經雕刻機加工後如圖9，由Anritsu-MS2034A網路分析儀量測，與模擬結果進行比較，得模擬結果與實體電路頻率響應如圖10，量測頻率皆由0到4GHz，大小由0至-40dB，於工作頻段(fo=2.45GHz)，|S11|與|S41|也都有-15dB以下的良好數值，兩端之輸出功率比f為1：5功率，以上模擬與量測結果與預期相當接近。
經由上述具體實施例說明，本發明所提出的一種固定傳輸線特性阻抗值任意輸出比枝幹耦合器設計，電路以固定傳輸線的阻抗值為架 構，利用二重對稱性，推導出該結構的散射參數公式，透過改變傳輸線的電氣長度及兩端接地的電容，可使耦合器輸出的功率達到任意比例。文內給定兩種不同電氣長度、兩種不同比例做為條件：阻抗值Z1=75Ω、Z2=50Ω的P2：P3=1：2比例(Z1=75Ω、Z2=50Ω、C=3.37pF)及P2：P3=1：5比例(Z1=75Ω、Z2=50Ω、C=5.66pF)，進行電路模擬與實際製作，經電磁模擬軟體驗證，並以雕刻機實現電路，最後由網路分析儀量測其結果，由兩種不同電氣長度、兩種不同輸出功率比例的條件電路設計得知其數值與模擬頻率響應相近，由此結果得知電路可行性，且可應用此設計方式在不同頻段之系統。
以上所述，僅為本發明之可行實施例，並非用以限定本發明之專利範圍，凡舉依據下列請求項所述之內容、特徵以及其精神而為之其他變化的等效實施，皆應包含於本發明之專利範圍內。本發明所具體界定於請求項之結構特徵，未見於同類物品，且具實用性與進步性，已符合發明專利要件，爰依法具文提出申請，謹請 鈞局依法核予專利，以維護本申請人合法之權益。
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20‧‧‧傳輸線組
21‧‧‧第一傳輸線
210‧‧‧第一延伸段
211‧‧‧第二延伸段
212‧‧‧第五延伸段
212a‧‧‧第一斜切邊
213‧‧‧第六延伸段
213a‧‧‧第二斜切邊
22‧‧‧第二傳輸線
23‧‧‧第三傳輸線
230‧‧‧第三延伸段
231‧‧‧第四延伸段
232‧‧‧第七延伸段
232a‧‧‧第三斜切邊
233‧‧‧第八延伸段
233a‧‧‧第四斜切邊
24‧‧‧第四傳輸線
25‧‧‧內邊角
30‧‧‧接地區塊
C‧‧‧電容

Claims (10)

  1. 一種固定傳輸線特性阻抗值任意輸出比枝幹耦合器，其包含一基板及一覆設於該基板上的傳輸線組，該傳輸線組包含四段依序垂直環繞呈一矩形連接而可分別產生特性阻抗的一第一傳輸線、一第二傳輸線、一第三傳輸線及一第四傳輸線；該第一傳輸線一端往一方向延伸有一第一延伸段，其另端往反向方向延伸有一第二延伸段；該第三傳輸線一端往該方向延伸有一第三延伸段，其另端往該反向方向延伸有一第四延伸段；該傳輸線組垂直環繞呈矩形連接的四個內邊角各自設有一呈斜向間隔設置的接地區塊，該四個接地區塊分別與四個電容一端電性連接，該四個電容另端各自與該傳輸線組對應的該內邊角電性連接；其中，該第一傳輸線近前半段至該第一延伸段的上緣向上延伸有一呈梯形的第五延伸段；該第一傳輸線近後半段至該第二延伸段的上緣向上延伸有一呈梯形的第六延伸段，該第五延伸段與該第六延伸段各自具有呈左右對稱的一第一斜切邊及一第二斜切邊；該第三傳輸線近前半段至該第三延伸段的下緣向下延伸有一呈梯形的第七延伸段；該第三傳輸線近後半段至該第四延伸段的下緣向下延伸有一呈梯形的第八延伸段，該第七延伸段與該第八延伸段各自具有呈左右對稱的一第三斜切邊及一第四斜切邊。
  2. 如請求項1所述之固定傳輸線特性阻抗值任意輸出比枝幹耦合器，其中，該第五延伸段之下底邊與該第一斜切邊形成的底角靠近或對準該第一傳輸線與該第四傳輸線所形成的該內邊角；該第六延伸段之下底邊與該第二斜切邊形成的底角靠近或對準該第三傳輸線與該第四傳輸線所形成的該內邊角；該第七延伸段之下底邊與該第三斜切邊形成的底角靠近或對準該第三傳輸線與該第四傳輸線所形成的該內邊角；該第八延伸段之下底邊 與該第四斜切邊形成的底角靠近或對準該第二傳輸線與該第三傳輸線所形成的該內邊角。
  3. 如請求項1所述之固定傳輸線特性阻抗值任意輸出比枝幹耦合器，其中，該第五延伸段之該第一斜切邊係往該第二延伸段的方向逐漸向下傾斜；該第六延伸段之該第二斜切邊係往該第一延伸段的方向逐漸向下傾斜；該第七延伸段之該第三斜切邊係往該第四延伸段的方向逐漸向上傾斜；該第八延伸段之該第四斜切邊係往該第三延伸段的方向逐漸向上傾斜。
  4. 如請求項1或2所述之固定傳輸線特性阻抗值任意輸出比枝幹耦合器，其中，該第五延伸段、該第六延伸段、該第七延伸段及該第八延伸段各自的底角皆介於30~45度之間，該第五延伸段、該第六延伸段、該第七延伸段及該第八延伸段各自的頂角介於140~160度之間。
  5. 如請求項1所述之固定傳輸線特性阻抗值任意輸出比枝幹耦合器，其中，該第七延伸段末端延伸有一呈縱向分佈之梯形的第九延伸段，該第九延伸段具有一第五斜切邊，該第九延伸段之下底邊上半段銜接該第三延伸段及該第七延伸段的末端上；該第八延伸段末端向下延伸有一呈縱向分佈之梯形的第十延伸段，該第十延伸段具有一第六斜切邊，該第十延伸段之下底邊上半段銜接該第四延伸段及該第八延伸段的末端上。
  6. 如請求項5所述之固定傳輸線特性阻抗值任意輸出比枝幹耦合器，其中，該第九延伸段異於該第五斜切邊之一腰邊的長度為L4=3.1mm，其上底邊的長度為W4=3.1mm；該第十延伸段異於該第六斜切邊之一腰邊的長度為L3=3.1mm，其上底邊的長度為W3=3.1mm。
  7. 如請求項1所述之固定傳輸線特性阻抗值任意輸出比枝幹耦合器，其中，該四個電容的電容值介於2.5~4pF之間；該第一傳輸線與該第三傳輸 線的阻抗皆為Z1=75Ω；該第二傳輸線與該第四傳輸線的阻抗皆為Z2=50Ω；該第一傳輸線與該第三傳輸線的電氣長度θ1=22.6°，該第二傳輸線與該第四傳輸線的電氣長度θ 2=45°；輸出埠比為P2：P3=1：2。
  8. 如請求項1所述之固定傳輸線特性阻抗值任意輸出比枝幹耦合器，其中，該第五延伸段、該第六延伸段、該第七延伸段及該第八延伸段各自之上底邊的長度皆為L1=L2=L3=L4=12.2mm；該第一延伸段加上該第五延伸段的寬度、該第二延伸段加上該第六延伸段的寬度、該第三延伸段加上該第七延伸段的寬度以及該第四延伸段加上該第八延伸段的寬度皆為W1=W2=W3=W4=3.1mm；該傳輸線組呈矩形連接的上內邊與下內邊的長度為L5=L6=6.7mm；該第一傳輸線的長度為L5+L7+L8=12.9mm，寬度為W5=1.4mm；該第二傳輸線與該第四傳輸線的長度W7=W8=11.5mm，寬度皆為L7=L8=3.1m；該第三傳輸線的長度為L6+L7+L8=12.9mm，寬度為W6=1.4mm。
  9. 如請求項1所述之固定傳輸線特性阻抗值任意輸出比枝幹耦合器，其中，該四個電容的電容值皆介於5~6pF之間；該第一傳輸線與該第三傳輸線的阻抗皆為Z1=75Ω；該第二傳輸線與該第四傳輸線的阻抗皆為Z2=50Ω；該第一傳輸線與該第三傳輸線的電氣長度θ1=15.79°，該第二傳輸線與該第四傳輸線的電氣長度θ2=26.5°；輸出埠比為P2：P3=1：5。
  10. 如請求項1所述之固定傳輸線特性阻抗值任意輸出比枝幹耦合器，其中，該第五延伸段、該第六延伸段、該第七延伸段及該第八延伸段各自之上底邊的長度皆為L1=L2=L3=L4=9.2mm；該第一延伸段加上該第五延伸段的寬度、該第二延伸段加上該第六延伸段的寬度、該第三延伸段加上該第七延伸段的寬度以及該第四延伸段加上該第八延伸段的寬度皆為W1=W2=W3=W4=3.1mm；該傳輸線組呈矩形連接的上內邊與下內邊的長度 為L5=L6=5.8mm；該第一傳輸線的長度為L5+L7+L8=12mm，寬度為W5=1.6mm；該第二傳輸線與該第四傳輸線的長度W7=W8=11.5mm，寬度皆為L7=L8=3.1m；該第三傳輸線的長度為L6+L7+L8=12mm，寬度為W6=1.6mm。
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