TWI615988B - 具有抗反射頻譜增加結構的光電元件 - Google Patents

Abstract

一種具有抗反射頻譜增加結構的光電元件，至少包含複數抗反射層，其中複數抗反射層形成於光電元件之一面上，複數抗反射層形至少包含第一抗反射層、第二抗反射層及第三抗反射層，分別為氟化鎂層、氧化鈮層及薄膜，其中第二反射層之折射率介於第一抗反射層與第三抗反射層之間，藉由加入折射率介於氟化鎂層和氧化鈮層之薄膜結構，以增加光電元件的抗反射頻譜範圍，因此當使用在不同特性的光電元件時，能有效提升光電轉換效率或發光效率。

Description

具有抗反射頻譜增加結構的光電元件

一種具有抗反射頻譜增加結構的光電元件，尤其是一種藉由增加抗反射頻譜範圍的抗反射多層結構，當配置於將光能轉換為電能的光電元件時能提高光電轉換效率，當配置於將電能轉換為功能的光電元件時能提高出光效率。

太陽能是一種永不耗盡且無污染的能源，在面對目前石化能源所面臨的污染與短缺的問題時，一直是各國及各太陽能廠致力研究開發的一項替代能源技術。

由於太陽能電池的發電原理，主要是利用光電效應將太陽的光能直接轉換為電能，因此如何有效提昇太陽能電池的抗反射率，進而減少光損耗以提高光電轉換效率，實為增進太陽能電池效率的重要課題。

目前常用來提昇太陽能電池之抗反射率的方法主要有兩種，一種是在矽基板的表面被覆抗反射層(antireflection coating)，另一種是在矽基板表面製作粗糙化結構(texturization)。

請參閱台灣發明專利公開號201545364之多接面太陽能電池之抗反射多層結構的發明專利申請案(下稱364案)，以及請參閱第一圖，第一圖為現有技術之太陽能電池上設置反射層與未設置反射層之抗反射率與波長的比較圖，其中第一圖中有兩條曲線，在上方的曲線(虛線)為太陽能電池上未設置反射層之反射率曲線，在下方的曲線(細實線)則為太陽能電池上設置有反射層之反射率曲線，下方的曲線則是以364案來量測到的反射率曲線，364案也是本案發明人所申請的發明，在364案中是在多接面太陽能電池之表面上形成複數抗反射層，其中在第一抗反射層與第三抗反射層之間配置有一第二抗反射層，第二抗反射層的折射率介於第一抗 反射層與第二抗反射層之間，當時藉由不停的試驗與驗證，當加入折射率介於氟化鎂層和硫化鋅層之薄膜結構，確實有效增加多接面太陽能電池的抗反射頻譜範圍，使得反射率從30%得以大幅降至10%左右。

雖然本案發明人先前提出的本創作確實將有效吸收多達90%的太陽光，但是還是有10%的光會被抗反射層反射至太陽能電池之外，而無法被太陽能電池轉換成電能，眾所周知，如要提高光電轉換效率，從源頭(太陽光)及太陽能電池內部的光電轉換效率缺一不可，目前太陽能電池自身的光電轉換效率的提升已呈牛步化趨勢，因此仍然必須盡可能提供能完全的接收太陽能光線的抗反射層結構，使太陽能電池得以完全接收及利用太陽光以轉換成更多的電能。

此外當光電元件是發光元件時，發光元件也有因光子無法被有效導出而在發光元件或設有發光元件的裝置造成全反射的問題，使得發光元件的出光效率無法進一步優化，亟待改進。

本發明的主要目的在於提供一種具有抗反射頻譜增加結構的光電元件，至少包含複數抗反射層，形成於一光電元件之一面上，至少包含一第一抗反射層、一第二抗反射層及一第三抗反射層，該第一抗反射層為該等抗反射層中最靠近該光電元件的部份，該第三抗反射層為該等抗反射層中最遠離於該光電元件的部份，該第二抗反射層則介於該第一抗反射層與該第三抗反射層之間，其中該第一抗反射層為一氟化鎂層，該第三抗反射層為一氧化鈮層，其中該第二抗反射層為一薄膜，其中該第二抗反射層之折射率介於該第一抗反射層與該第三抗反射層之間。

其中，該第二抗反射層的材料至少包括氮化矽(Si₃N₄)、氧化鋁(Al₂O₃)、五氧化二鉭(Ta₂O₅)、二氧化矽(SiO₂)及二氧化鈦(TiO₂)之至少其中之一。該第一抗反射層31之厚度介於50~90nm之間，該第二抗反射層之厚度介於30~70nm之間，該第三抗反射層之厚度介於20~40nm之間。

在本發明的一實施例中，該光電元件由下至上依序至少包含一基板、一第一p-n接面、一第一緩衝層、一第一穿隧接面、一第二p-n接 面、一第二穿隧接面及一第三p-n接面。。

本發明的特點在於，以氧化鈮薄膜材料配合其他適當介質薄膜材料來做為短波長效率提升之三五族太陽能電池抗反射膜層設計，如氧化鋁、氧化矽、或氟化美等，確實將三五族太陽能電池在短波長入射光之反射率有效降低，且對不同入射角的入射光容忍度較高，其中在600-800nm的範圍中反射率只在1%上下，400-600nm的範圍中反射率也只在2.5%上下，也就是太陽光中高達98%甚至99%的光子能被本發明的抗反射層吸收並被太陽能電池利用，而達成光電轉換效率據以提升的效果。

本發明適合應用於三五族太陽能電池上，針對InGaP/InGaAs/Ge三五族多接面太陽能電池，其在三個子電池(sub-cell)所產生之短路電流密度中最小者為吸收短波長的InGaP子電池，但因串接型太陽能電流匹配的條件，總電池的電流密度會由Ge和InGaAs兩子電池主導，導致最底層的Ge子電池有電流的損失，而本發明能提升InGaP子電池之電流，以達到效率提升之功能。

綜上所述，本發明藉由加入折射率介於氟化鎂層和氧化鈮層之薄膜結構，尤其以氧化鈮薄膜材料配合其他適當介質薄膜材料，確實將三五族太陽能電池在短波長入射光之反射率有效降低，且對不同入射角的入射光容忍度較高，本發明的抗反射層能吸收太陽光中絕大部份的光子，眾所周知光耗損越小光電轉換效率則越高，因此本發明具有本發明的抗反射層的光電元件能提高光電轉換效率。

本發明的另一主要目的在於提供一種具有抗反射頻譜增加結構的光電元件，至少包含複數抗反射層，配置於將電能轉換成光能的一光電元件的出光路徑上，至少包含一第一抗反射層、一第二抗反射層及一第三抗反射層，該第一抗反射層為最遠離於該光電元件的部份，該第三抗反射層為最靠近該光電元件的部份，該第二抗反射層則介於該第一抗反射層與該第三抗反射層之間，其中該第一抗反射層為一氟化鎂層，該第三抗反射層為一氧化鈮層，其中該第二抗反射層為一薄膜，其中該第二抗反射層之折射率介於該第一抗反射層與該第三抗反射層之間。

承上段，具有本發明的該等抗反射層的發光元件(光電元件) 由於能減少光子在發光元件內的反射率，使得自發光元件發射出的絕大部份的光子都被導向於發光元件外，而有效提高出光效率及出光均勻度。

〔習知〕

1a‧‧‧多接面太陽能電池

11a‧‧‧第一子電池

12a‧‧‧緩衝層

13a‧‧‧第一穿隧接面

14a‧‧‧第二子電池

15a‧‧‧第二穿隧接面

16a‧‧‧第三子電池

3a、3b‧‧‧抗反射層

〔本發明〕

100、200‧‧‧具有抗反射頻譜增加結構的光電元件

1‧‧‧多接面太陽能電池

3‧‧‧複數抗反射層

31‧‧‧第一抗反射層

32‧‧‧第二抗反射層

33‧‧‧第三抗反射層

11‧‧‧基板

12‧‧‧第一p-n接面

13‧‧‧第一緩衝層

14‧‧‧第一穿隧接面

141‧‧‧第一N型穿隧層

143‧‧‧第一P型穿隧層

15‧‧‧第二緩衝層

16‧‧‧第二p-n接面

17‧‧‧第一窗層

18‧‧‧第二穿隧接面

181‧‧‧第二N型穿隧層

183‧‧‧第二P型穿隧層

19‧‧‧第三緩衝層

20‧‧‧第三p-n接面

21‧‧‧第二窗層

210‧‧‧光電元件

300、400‧‧‧發光裝置

301‧‧‧基板

303‧‧‧封裝體

305‧‧‧導線架

307‧‧‧燈罩

301a‧‧‧反射部

401‧‧‧反射罩

403‧‧‧透鏡

第一圖為現有技術之太陽能電池上設置反射層與未設置反射層之抗反射率與波長的比較圖。

第二a圖為本發明具有抗反射頻譜增加結構的光電元件的第一較佳實施例示意圖。

第二b圖為本發明與習知技術之抗反射層的反射率曲線比較圖。

第三圖為本發明具有抗反射頻譜增加結構的光電元件的第二較佳實施例示意圖。

第四圖為本發明具有抗反射頻譜增加結構的光電元件的第三較佳實施例示意圖。

第五圖為本發明具有抗反射頻譜增加結構的光電元件的第四較佳實施例示意圖。

第六圖為本發明具有抗反射頻譜增加結構的光電元件的第五較佳實施例示意圖。

第七圖為本發明具有抗反射頻譜增加結構的光電元件的第六較佳實施例示意圖。

第八圖為本發明具有抗反射頻譜增加結構的光電元件的第七較佳實施例示意圖。

以下配合圖式及元件符號對本發明之實施方式做更詳細的說明，俾使熟習該項技藝者在研讀本說明書後能據以實施。

本發明主要是提供一種具有抗反射頻譜增加結構的光電元件，本發明的抗反射頻譜增加結構適用於將光能轉換成電能的光電元件，也適用於將電能轉換成光能的光電元件，當然也適用於具有光電元件的裝置中，在下文中，分別以上述提到之光電元件中較常見之光電元件做為示 範性的實施例來詳細說明本發明之實施方式。

參閱第二a圖，本發明具有抗反射頻譜增加結構的光電元件的第一較佳實施例示意圖，參閱第二b圖，第二b圖為本發明與習知技術之抗反射層的反射率曲線比較圖，在本發明的第一較佳實施例中，其中是先以多接面太陽能電池做為光電元件的示範性實施例，也就是如第二a圖所示，本發明具有抗反射頻譜增加結構的光電元件100至少包含一多接面太陽能電池1與複數抗反射層3，該等抗反射層3係形成於一多接面太陽能電池1之一面上。

該等抗反射層3至少包含一第一抗反射層31、一第二抗反射層32及一第三抗反射層33，該第一抗反射層31為該等抗反射層3中最靠近該多接面太陽能電池1(光電元件)的部份，該第三抗反射層33為該等抗反射層3中最遠離於該多接面太陽能電池1(光電元件)的部份，亦即該第三抗反射層33為面光的一側，該第二抗反射層32則介於該第一抗反射層31與該第三抗反射層33之間，其中該第一抗反射層31為氟化鎂層(MgF 2)，該第三抗反射層33為氧化鈮層(Nb₂O₅)，其中該第二抗反射層32為一薄膜，其中該第二反射層32之折射率介於該第一抗反射層31與該第三抗反射層33之間。

其中，該第二抗反射層32的材料包括氮化矽(Si₃N₄)、氧化鋁(Al₂O₃)、五氧化二鉭(Ta₂O₅)、二氧化矽(SiO₂)及二氧化鈦(TiO₂)之至少其中之一，該第二抗反射層32的材料並不限定於上述的材料，只要與特性類似於上述材料的材質亦落在本發明的範圍之內。

在本發明的一較佳實施例中，該第一抗反射層31之厚度介於50~90nm之間，該第二抗反射層之厚度介於30~70nm之間，該第三抗反射層之厚度介於20~40nm之間。

該多接面太陽能電池1由下至上依序至少包含一基板11、一第一p-n接面12、一第一緩衝層13、一第一穿隧接面14、一第二p-n接面16、一第二穿隧接面18及一第三p-n接面20。。

如第二b圖所示，未設置抗反射層的多接面太陽能電池其於短波長的範圍中反射率平均約為30%(虛線)，而以習知技術之具有抗反射 層的多接面太陽能電池其反射率平均皆在5%以上(細實線)，而本發明透過在氟化鎂層和氧化鈮層之間加入折射率介於上述兩者之間薄膜結構，反射率於短波長的範圍中平均僅僅只2.5%上下(粗實線)，此表明確顯示本發明的抗反射層在可見光範圍具有優異的吸收效果，第二b圖證明了本發明在量測波長範圍內(350nm~800nm)的反射率低，表示抗反射層能有效吸收絕大部份的光子，使多接面太陽能電池100因獲得更多的光子而提升光電轉換效率。

本發明的特點在於，以氧化鈮薄膜材料配合其他適當介質薄膜材料來做為短波長效率提升之三五族太陽能電池抗反射膜層設計，如氧化鋁、氧化矽、或氟化美等，確實將三五族太陽能電池在短波長入射光之反射率有效降低，且對不同入射角的入射光容忍度較高，其中在600-800nm的範圍中反射率只在1%上下，400-600nm的範圍中反射率也只在2.5%上下，也就是太陽光中高達98%甚至99%的光子能被本發明的抗反射層吸收並被太陽能電池利用，而達成光電轉換效率據以提升的效果。

本發明適合應用於三五族太陽能電池上，針對InGaP/InGaAs/Ge三五族多接面太陽能電池，其在三個子電池(sub-cell)所產生之短路電流密度中最小者為吸收短波長的InGaP子電池，但因串接型太陽能電流匹配的條件，總電池的電流密度會由Ge和InGaAs兩子電池主導，導致最底層的Ge子電池有電流的損失，而本發明能提升InGaP子電池之電流，以達到效率提升之功能。

參閱第三圖，本發明具有抗反射頻譜增加結構的光電元件的第二較佳實施例示意圖。如第三圖所示，該第一穿隧接面14包含一第一N型穿隧層141及一第一P型穿隧層143，該第一N型穿隧層141位於該第一緩衝層13之，該第一P型穿隧層143位於該第一N型穿隧層141之上。

該第二穿隧接面181包含一第二N型穿隧層181及一第二P型穿隧層183，該第二N型穿隧層181位於該第二p-n接面16之上，該第二P型穿隧層183位於該第二N型穿隧層181之上。

參閱第四圖，本發明具有抗反射頻譜增加結構的光電元件的第三較佳實施例示意圖。如第四圖所示，本發明更形成有一第二緩衝層15 及一第三緩衝層19，該第二緩衝層15位於該第一穿隧接面14與該第二p-n接面16之間，該第三緩衝層19介於該第二穿隧接面18與該第三p-n接面20之間。

參閱第五圖，本發明具有抗反射頻譜增加結構的光電元件的第四較佳實施例示意圖。如第五圖所示，本發明更形成有一第一窗層17及一第二窗層21，該第一窗層17位於該第二p-n接面16與該第二穿隧接面18之間，該第二窗層21位於該第三p-n接面20之上。

參閱第六圖，本發明具有抗反射頻譜增加結構的光電元件的第五較佳實施例示意圖，如第六圖所示的具有抗反射頻譜增加結構的光電元件200係至少包含複數抗反射層3，該等抗反射層3配置於將電能轉換為光能的一光電元件210的出光路徑上，因此與前文的實施例有所不同，前文的光電元件為將光能轉換成電能，比如各種太陽能電池或光感測器等元件，本發明的第五較佳實施例中的光電元件210是指如發光二極體、雷射二極體等將電能轉換為光能的發光元件。

承前段，該等抗反射層3至少包含一第一抗反射層31、一第二抗反射層32及一第三抗反射層33，該第一抗反射層31為最遠離於該光電元件210的部份，該第三抗反射層33為最靠近該光電元件210的部份，該第二抗反射層32則介於該第一抗反射層31與該第三抗反射層33之間，其中該第一抗反射層31為一氟化鎂層，該第三抗反射層33為一氧化鈮層，其中該第二抗反射層32為一薄膜，其中該第二抗反射層32之折射率介於該第一抗反射層31與該第三抗反射層33之間，其餘關於該等抗反射層3的敘述，請參前文所述，在此不再贅述。

參閱第七圖，本發明具有抗反射頻譜增加結構的光電元件的第六較佳實施例示意圖。如第七圖所示，第六較佳實施是具有該光電元件的一發光裝置300，該光電元件210為發光元件，該發光裝置300的主要結構通常更包含有一基板301、一封裝體303、一導線架305及一燈罩307，該基板301上配置有光電元件210，該封裝體303並形成有反射部301a呈斜面，另主要結構間的配置方式及相對設置關係屬現有技術之範疇，在此不再贅述。

原則上本發明的該等抗反射層3係配置於光電元件210的出光路徑上，比如該等抗反射層3係配置於光電元件210的一出光面之上(參第六圖)、該封裝體303的內壁面之上或該燈罩307的一表面上，第七圖的實施例是該等抗反射層3係配置於該燈罩307的一表面上。

參閱第八圖，本發明具有抗反射頻譜增加結構的光電元件的第七較佳實施例示意圖。如第八圖所示，第七較佳實施也是具有該光電元件的一發光裝置400，該光電元件210為發光元件，該發光裝置400的主要結構係包括反射罩401、安裝於反射罩401底側之光電元件210及安裝於反射罩401上且對應光電元件210之透鏡403。上述的光電元件210為發光二極體晶粒或其他具有發光功能的元件。

原則上本發明的該等抗反射層3係配置於光電元件210的出光路徑上，比如該等抗反射層3係配置於光電元件210的一出光面之上(參第六圖)、該反射罩401的內壁面之上或該透鏡403的一表面之上，第八圖的實施例是該等抗反射層3係配置於該透鏡403的一表面之上。

其中，該等抗反射層更進一步包含有一第四抗反射層(圖未顯示)，該第四抗反射層為一二氧化鈦(TiO2)層，該第四抗反射層係形成於該第三抗反射層之上，該第四抗反射層的折射率大於該第二抗反射層的折射率。

本發明的另一特點在於，利用高能隙的適當材料組合及厚度選擇，使開路電壓得以有效提高。

綜上所述，本發明藉由加入折射率介於氟化鎂層和氧化鈮層之薄膜結構，尤其以氧化鈮薄膜材料配合其他適當介質薄膜材料，確實將三五族太陽能電池在短波長入射光之反射率有效降低，且對不同入射角的入射光容忍度較高，本發明的抗反射層能吸收太陽光中絕大部份的光子，眾所周知光耗損越小光電轉換效率則越高，因此本發明具有本發明的抗反射層的光電元件能提高光電轉換效率。

而具有本發明的抗反射層的發光元件(光電元件)由於能減少光子在發光元件內的反射率，使得自發光元件發射出的絕大部份的光子都被導向於發光元件外，而有效提高出光效率及出光均勻度。

以上所述者僅為用以解釋本發明之較佳實施例，並非企圖據以對本發明做任何形式上之限制，是以，凡有在相同之發明精神下所作有關本發明之任何修飾或變更，皆仍應包括在本發明意圖保護之範疇。

100‧‧‧具有抗反射頻譜增加結構的光電元件

1‧‧‧多接面太陽能電池

3‧‧‧複數抗反射層

31‧‧‧第一抗反射層

32‧‧‧第二抗反射層

33‧‧‧第三抗反射層

11‧‧‧基板

12‧‧‧第一p-n接面

13‧‧‧第一緩衝層

14‧‧‧第一穿隧接面

16‧‧‧第二p-n接面

18‧‧‧第二穿隧接面

20‧‧‧第三p-n接面

Claims (16)

1. 一種具有抗反射頻譜增加結構的光電元件，至少包含：複數抗反射層，形成於一光電元件之一面上，至少包含一第一抗反射層、一第二抗反射層及一第三抗反射層，該第一抗反射層為該等抗反射層中最靠近該光電元件的部份，該第三抗反射層為該等抗反射層中最遠離於該光電元件的部份，該第二抗反射層則介於該第一抗反射層與該第三抗反射層之間，其中該第一抗反射層為一氟化鎂層，該第三抗反射層為一氧化鈮層，其中該第二抗反射層為一薄膜，其中該第二抗反射層之折射率介於該第一抗反射層與該第三抗反射層之間。
2. 依據申請專利範圍第1項所述之具有抗反射頻譜增加結構的光電元件，其中該第二抗反射層的材料至少包括氮化矽、氧化鋁、五氧化二鉭、二氧化矽及二氧化鈦之至少其中之一。
3. 依據申請專利範圍第1項所述之具有抗反射頻譜增加結構的光電元件，其中該第一抗反射層之厚度介於50~90nm之間。
4. 依據申請專利範圍第1項所述之具有抗反射頻譜增加結構的光電元件，其中該第二抗反射層之厚度介於30~70nm之間。
5. 依據申請專利範圍第1項所述之具有抗反射頻譜增加結構的光電元件，其中該第三抗反射層之厚度介於20~40nm之間。
6. 依據申請專利範圍第1項所述之具有抗反射頻譜增加結構的光電元件，其中該光電元件由下至上依序包含：一基板，位於該多接面太陽能電池之底層；一第一p-n接面，位於該基板之上，；一第一緩衝層，位於該第一p-n接面之上；一第一穿隧接面，位於該第一緩衝層之上；一第二p-n接面，位於該第一穿隧接面之上；一第二穿隧接面，位於該第二p-n接面之上；以及一第三p-n接面，位於該第二穿隧接面之上。
7. 依據申請專利範圍第6項所述之具有抗反射頻譜增加結構的光電元件，其中該第一穿隧接面包含一第一N型穿隧層及一第一P型穿隧層，該第一N型穿隧層位於該第一緩衝層之上，該第一P型穿隧層位於該第一N型穿 隧層之上。
8. 依據申請專利範圍第6項所述之具有抗反射頻譜增加結構的光電元件，其中該第二穿隧接面包含一第二N型穿隧層及一第二P型穿隧層，該第二N型穿隧層位於該第二p-n接面之上，該第二P型穿隧層位於該第二N型穿隧層之上。
9. 依據申請專利範圍第6項所述之具有抗反射頻譜增加結構的光電元件，其中更形成有一第二緩衝層及一第三緩衝層，該第二緩衝層位於該第一穿隧接面與該第二p-n接面之間，該第三緩衝層介於該第二穿隧接面與該第三p-n接面之間。
10. 依據申請專利範圍第6項所述之具有抗反射頻譜增加結構的光電元件，其中更形成有一第一窗層及一第二窗層，該第一窗層位於該第二p-n接面與該第二穿隧接面之間，該第二窗層位於該第三p-n接面之上。
11. 依據申請專利範圍第1或6項所述之具有抗反射頻譜增加結構的光電元件，其中該光電元件為多接面太陽能電池。
12. 依據申請專利範圍第1或6項所述之具有抗反射頻譜增加結構的光電元件，其中該等抗反射層更進一步包含有一第四抗反射層，該第四抗反射層為一二氧化鈦層，該第四抗反射層係形成於該第三抗反射層之上，該第四抗反射層的折射率大於該第二抗反射層的折射率。
13. 一種具有抗反射頻譜增加結構的光電元件，至少包含：複數抗反射層，配置於將電能轉換成光能的一光電元件的出光路徑上，至少包含一第一抗反射層、一第二抗反射層及一第三抗反射層，該第一抗反射層為最遠離於該光電元件的部份，該第三抗反射層為最靠近該光電元件的部份，該第二抗反射層則介於該第一抗反射層與該第三抗反射層之間，其中該第一抗反射層為一氟化鎂層，該第三抗反射層為一氧化鈮層，其中該第二抗反射層為一薄膜，其中該第二抗反射層之折射率介於該第一抗反射層與該第三抗反射層之間。
14. 依據申請專利範圍第13項所述之具有抗反射頻譜增加結構的光電元件，其中該第二抗反射層的材料至少包括氮化矽、氧化鋁、五氧化二鉭、二氧化矽及二氧化鈦之至少其中之一，該第一抗反射層之厚度介於50~90nm之間，該第二抗反射層之厚度介於30~70nm之間該第三抗反射層 之厚度介於20~40nm之間，該發光元件為發光二極體。
15. 依據申請專利範圍第13項所述之具有抗反射頻譜增加結構的光電元件，其中更包含具有該光電元件的一發光裝置，該光電元件為一發光元件，該發光裝置更包含一封裝體及一燈罩，該等抗反射層係形成於該光電元件的一出光面之上，該封裝體的內壁面之上或該燈罩的一表面之上或者更包含具有該光電元件的一發光裝置，該光電元件為一發光元件，該發光裝置更包含一反射罩及一透鏡，該等抗反射層係形成於該光電元件的一出光面之上、該反射罩的內壁面之上或該透鏡的一表面之上。
16. 依據申請專利範圍第13或15項所述之具有抗反射頻譜增加結構的光電元件，其中該等抗反射層更進一步包含有一第四抗反射層，該第四抗反射層為一二氧化鈦層，該第四抗反射層係形成於該第三抗反射層之上，該第四抗反射層的折射率大於該第二抗反射層的折射率。