TWI611466B - 砷及磷的叢集離子佈植法 - Google Patents
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Abstract
一種離子佈植方法，其中摻雜劑源成分係經游離以形成摻雜劑離子，且摻雜劑離子係佈植至基材中。摻雜劑源成分包括叢集磷或叢集砷化合物，用於在摻雜製品生產之時完成P-摻雜及/或As-摻雜，摻雜製品例如為用於製造微電子學裝置之矽晶圓或前驅物結構。
Description
本發明係關於離子佈植方法，且更特定而言係關於利用對砷及磷有效的摻雜劑成分之砷及磷的叢集離子佈植法。
在離子佈植領域，例如，半導體裝置之製造領域，對改良佈植製程之效率存在持續之興趣。砷及磷為常用摻雜劑物種。
在習知實務中，用於摻雜劑物種之源化合物係以氣體形式提供。該源化合物，若非氣相，可能藉由昇華或汽化技術從固態形式或液態形式源化合物揮發。所得摻雜氣接著經受游離形成離子物種，該等離子物種藉由電極陣列分離以形成含有所需類型離子之離子束。離子束內離子藉由梁線(beamline)結構加速並衝擊至基材以影響基材內離子之佈植。
就用於此離子佈植之源化合物而言，此等化合物必須滿足特定準則。第一，此等化合物必須為氣體形式或可揮發至氣體形式，且所得氣相化合物必須具有適當之傳輸特性，以便經由管線被傳導至離子佈植器之離子源而不過早分解、冷凝或發生其他不利事件，該等不利事件將致使氣相源化合物不適合於離子佈植用法。第二，此等化合物必須可游離以形成用於佈植之適當離子物種。
因為離子係基於離子的質量電荷比被選取用於佈植，所以該源化合物必須可游離以形成所需離子物種，該等離子物種能藉由萃取及聚焦電極而分離形成所需離子物種之光束，該光束不被非所需之離子污染。第三，此等化合物必須在包括適當電壓條件之適當處理條件下及在離子源真空室內獲取之處理狀態下可遊離。第四，此等化合物必須提供足夠數量的用於佈植之所需離子物種。
多數情況下，該摻雜劑源化合物在經遊離以構成用於佈植之離子物種之原子內係單原子的。從必須提供、儲存及處理摻雜劑源化合物之量的觀點來看，利用經遊離以構成用於佈植之離子物種的原子內為多原子的摻雜劑源化合物係較佳。藉由使用多原子摻雜劑源化合物，每單位體積之該摻雜劑源化合物可獲得的摻雜劑離子之數量實質多於單原子摻雜劑源化合物，源化合物內摻雜劑原子之數目增加大體而言係更佳。
因此，高階摻雜劑源化合物(每分子源化合物具有較多數目摻雜劑原子)通常係更優於低階摻雜劑源化合物(每分子源化合物具有較少數目摻雜劑原子)。在該相關的語境下，相較於其他習知源化合物，具有顯著較多數目的摻雜劑原子的摻雜劑源化合物係稱為「叢集」化合物，該術語「叢集」代表較多數目摻雜劑原子之事實，例如兩個、三個、四個、五個、六個、七個、八個、九個、十個或更多個摻雜劑原子存在於感興趣之特定化合物內。
按照前述論述，對諸如磷或砷之離子物種之摻雜劑源化合物有濃厚興趣，其中該源化合物含有多於一個摻雜劑物種原子，例如，含有多於兩個磷原子之磷源化合物及含有多於兩個砷原子之砷源化合物。
本揭示案係關於離子佈植，且更特定而言係利用含有多個砷或磷原子之摻雜劑源化合物的砷及磷之離子佈植。
本文使用之碳數範圍之識別，例如在C1-C12烷基內，意欲包括此範圍內組分碳數部份之每一者，以便包含在該闡明之範圍內各介於中間之碳數及任何其他闡明或介於中間之碳數數值，應進一步理解在本發明之範疇內的指定碳數範圍內之碳數子範圍可獨立地被歸入較小碳數範圍，且特定而言本發明包括排除一個碳數或多個碳數之碳數範圍，本發明亦包括排除指定範圍內之碳數限制之一者或二者的子範圍。因此，C1-C12烷基意欲包括甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基、十一基及十二基，包括此等類型之直鏈及分支基團。因此應理解碳數範圍之識別，例如廣泛應用至取代部份之C1-C12，在本發明之特定實施例中能夠進一步限制碳數範圍為具有取代部份之更廣泛規格內的碳數範圍之部份的子群組。舉例而言，在本發明之特定實施例中，例如C1-C12烷基之碳數範圍，將更限制性地被規
定為包含諸如C1-C4烷基、C2-C8烷基、C2-C4烷基、C3-C5烷基之子範圍或在該廣泛碳數範圍內之其他任何子範圍。換言之，碳數範圍被認為肯定地闡述關於取代基、部份或此範圍應用化合物在該範圍內之碳數物種之每一者，作為可從中選擇選擇群組成員之特定成員的選擇群組，也可作為順序碳數子範圍，或者作為此選擇群組內之特定碳數物種。
相同結構及選擇靈活性可適用於關於以下指定原子、功能基團、離子或部份之數目的化學計量係數及數值：指定範圍、數值約束(例如不等式、大於、小於約束)，以及氧化態及決定特定形式、電荷狀態及可應用於摻雜劑源、佈植物種及在本揭示案之廣泛範疇內之化學實體之成分之其他可變因素。
在一態樣中，本揭示案係關於一種離子佈植方法，該方法包含遊離摻雜劑源成分以形成摻雜劑離子，及佈植摻雜劑離子於基材內，其中摻雜劑源成分包含選自由以下組成之群組之成分：(i)由化學式PnHx表示之磷化氫，其中n係具有自2至22之數值之整數，且x係具有自2至11之數值之整數；(ii)由化學式AsnHy表示之砷化氫，其中n係具有自2至5之數值之整數，且y係具有自2至10之數值之整數；(iii)磷及二磷鹵化物及鹵氧化物；(iv)砷及二砷鹵化物及鹵氧化物；(v)由化學式PnHxRy表示之經取代磷烷，其中R係選自
烷基、烷氧基、O、NR及其他含有H、C、O及N原子之官能基團，n係具有自2至22之數值之整數，x係整數，該整數具有自2至22之數值，且y係具有自1至22之數值之整數；(vi)由化學式AsnHxRy表示之經取代胂，其中R係選自烷基、O、NR及其他含有H、C、O及N原子之官能基團，n係具有自2至22之數值之整數，x係具有自2至22之數值之整數，且y係具有自1至22之數值之整數；(vii)由化學式R2P-PR'2表示之二磷烷，其中R2及R'2係各自獨立選自C1-6烷基、芳基及其他含有H、C、O及N原子之官能基團；(viii)由化學式R2As-AsR'2表示之二砷，其中R2及R'2係各自獨立選自C1-6烷基、芳基及其他含有H、C、O及N原子之官能基團；(ix)結合還原劑之磷源化合物，該等還原劑可原位導致具有P-P鍵結的產物化合物之形成；(x)結合還原劑之砷源化合物，該等還原劑可原位導致具有As-As鍵結的產物化合物之形成；(xi)具有P-P鍵結之磷源化合物，作為磷鹵化物及磷化氫之反應產物而產生；(xii)具有As-As鍵結之砷源化合物，產生砷鹵化物及砷化氫之反應產物；(xiii)聚磷6員及7員環化合物、叢集鹵化物及籠形化合物；及
(xiv)聚砷6員及7員環化合物、叢集鹵化物及籠形化合物。
本揭示案在另一態樣中係關於包括前述組成物種之任一個或多個的摻雜劑源成分。
本揭示案之其他態樣、特徵結構及實施例將自緊隨之描述及隨附之申請專利範圍更加明白。
本揭示案係關於離子佈植，且更特定而言係關於砷及摻雜劑源成分。在各種態樣中，本揭示案係關於砷離子之離子佈植，其中該等離子由含有多個砷原子之砷摻雜劑源成分得到。在其他態樣中，本揭示案係關於磷離子之離子佈植，其中該等離子由含有多個磷原子之磷摻雜劑源成分得到。
本文使用的關於本揭示案之化合物之術語「聚磷」意謂含有兩個或兩個以上磷原子之化合物。關於本揭示案之化合物的術語「聚砷」意謂含有兩個或兩個以上砷原子之化合物。
本揭示案之特定摻雜劑源成分包括下列成分：(i)由化學式PnHx表示之磷化氫，其中n係具有自2至22之數值之整數，且x係具有自2至11之數值之整數，例如P2F4；(ii)由化學式AsnHy表示之砷化氫，其中n係具有自2至5之數值之整數，且y係具有自2至10之數值之整數，
例如As2F4；(iii)磷及二磷鹵化物(包括混合鹵化物，例如P2Cl2F2)及鹵氧化物，例如P2I4、POCl3、PF3及P2F4；(iv)砷及二砷鹵化物(包括混合鹵化物，例如As2Cl2F2)及鹵氧化物，例如As2I4、AsOCl3、AsF3及As2F4；(v)由化學式PnHxRy表示之經取代磷烷，其中R選自烷基、烷氧基、O、NR及其他含有H、C、O及N原子之官能基團，例如CH3、OCH3、N(CH3)2等等，n係具有自2至22之數值之整數，x係具有自2至22之數值(較佳係自1至11之數值)之整數，且y係具有自1至22、自2至22-x或自1至11之數值之整數；(vi)由化學式AsnHxRy表示之經取代胂，其中R選自烷基、O、NR及其他含有H、C、O及N原子之官能基團，例如CH3、OCH3、N(CH3)2等等，n係具有自2至22之數值之整數，x係具有自2至22之數值(較佳係自1至11之數值)之整數，且y係具有自1至22、自2至22-x或自1至11之數值之整數；(vii)由化學式R2P-PR'2表示之二磷烷，其中R2及R'2係各自獨立選自C1-6烷基、芳基及其他含有H、C、O及N原子之官能基團，例如CH3、OCH3、N(CH3)2等等；(viii)由化學式R2As-AsR'2表示之二砷，其中R2及R'2係各自獨立選自C1-6烷基、芳基及其他含有H、C、O及N原子之官能基團，例如CH3、OCH3、N(CH3)2等等；(ix)結合還原劑之磷源化合物，該等還原劑可原位導致
具有P-P鍵結的產物化合物之形成；(x)結合還原劑之砷源化合物，該等還原劑可原位導致具有As-As鍵結的產物化合物之形成；(xi)具有P-P鍵結之磷源化合物，作為磷鹵化物及磷化氫之反應產物而產生；(xii)具有As-As鍵結之砷源化合物，產生砷鹵化物及砷化氫之反應產物；(xiii)聚磷6員及7員環化合物、叢集鹵化物及籠形化合物；及(xiv)聚砷6員及7員環化合物、叢集鹵化物及籠形化合物。
應注意前述摻雜劑源化合物可能用於摻雜劑源化合物中之兩個或兩個以上之各種組合，以提供用於產生佈植離子之多砷及/或磷成分。本揭示案亦預期提供砷及磷化合物之同位素富集形式，藉此由此等化合物遊離產生之砷及磷離子具有特定之預先決定同位素成分。
本揭示案之摻雜劑源化合物係有用地以氣相形式提供，當該摻雜劑源化合物呈固態或液態形式時首先揮發或汽化，並傳送至離子佈植器之離子源腔室用於腔室中之遊離。隨後該遊離摻雜劑源可利用萃取及聚焦電極被處理以產生離子束，例如經由加速柱或梁線結構加速離子束，且離子束衝擊在基材上以佈植大量離子。基材可能為矽晶圓或其他對製造微電子裝置有用之基材。
亦可利用本揭示案之摻雜劑源化合物採用除梁線離子
佈植製程之外的其他離子佈植方法。因此，本揭示案之摻雜劑源化合物亦可用於電漿浸入離子佈植、濺射遊離離子佈植、電漿源離子佈植、熱蒸發離子佈植、電子束蒸發離子佈植及陰極電弧離子佈植製程。雖然本文之揭示案基本係導向梁線離子佈植製程，但應理解該揭示案不因此受限制，而是意欲擴大範圍，並包括任何其他已知技術或此後發現可用於實現利用摻雜劑源成分的離子佈植的技術。
經受遊離產生用於佈植之離子的摻雜劑源氣體成分在下文中有時被稱為摻雜劑原料氣體。可提供摻雜劑原料氣體並採用處理條件以利用磷及砷形成氣相四聚物之能力，並利用高溫下磷及砷化合物根據特定溫度及壓力位準形成二聚物及單體之趨勢。
在各種實施例中本揭示案之離子佈植製程包含在遊離條件下于真空室中游離汽化摻雜劑物種以產生離子並藉由電場加速離子以佈植離子至裝置基材。該裝置基材可係矽晶圓或其他半導體製造基材，或者可包含用於製造平板顯示器之基材，或用於製造太陽電池板製品之基材。
本揭示案之摻雜劑源成分首先可以包裝形式提供。若在標準條件(25℃，一個大氣壓力)下該摻雜劑源成分係氣體形式，則該摻雜劑源成分以習知高壓儲氣瓶內供給，或為在包含於儲氣及分配容器內適當物理吸附劑媒體上的吸附形式，該儲氣及分配容器諸如為可購自ATMI,Inc.(Danbury,Connecticut,USA)之商標為SDS之容器類
型。若該摻雜劑源成分係液態形式，可以包裝形式提供，且包含於可購自ATMI,Inc.(Danbury,Connecticut,USA)之商標為VAC類型之液體儲存及氣體分配容器中，其中該容器配備內部安置氣體壓力調節器。若該摻雜劑源成分係固態成分，則可提供於汽化器容器中，加熱汽化器容器以揮發，例如昇華該固體源材料以形成摻雜劑原料氣體。此類型之固體源容器事實上可購自ATMI,Inc.(Danbury,Connecticut,USA)的ProE-Vap商標產品。
摻雜劑源供給容器可能提供於離子佈植器內之氣體盒中，或可能位於佈植器罩內之氣體盒之外部，或在佈植器罩之外部，且可能被安排以任何適當方式供給摻雜劑原料氣體至離子源。
在還原劑係與摻雜劑源化合物共同流動以形成相應含有P-P或As-As鍵結之反應產物化合物之實施例中，該還原劑可被引入至流程線、混合室或其他適合實現還原劑及摻雜劑源化合物之混合的混合地點內之摻雜劑源化合物，用於反應以形成反應產物化合物。
該摻雜劑原料氣體可利用諸如氬、氙、氦或其他載體氣體媒體之載體氣體流向載體氣體流內之離子室。
因此本揭示案預期一種離子佈植方法，該方法包含遊離摻雜劑源成分以形成摻雜劑離子，及佈植摻雜劑離子於基材內，其中摻雜劑源成分包含選自由以下構成之群組之成分：(i)由化學式PnHx表示之磷化氫，其中n係具有自2至
22之數值之整數，且x係具有自2至11之數值之整數，例如P2F4；(ii)由化學式AsnHy表示之砷化氫，其中n係具有自2至5之數值之整數，且y係具有自2至10之數值之整數，例如As2F4；(iii)磷及二磷鹵化物(包括混合鹵化物，例如P2Cl2F2)及鹵氧化物，例如P2I4、POCl3、PF3及P2F4；(iv)砷及二砷鹵化物(包括混合鹵化物，例如As2Cl2F2)及鹵氧化物，例如As2I4、AsOCl3、AsF3及As2F4；(v)由化學式PnHxRy表示之經取代磷烷，其中R選自烷基、烷氧基、O、NR及其他含有H、C、O及N原子之官能基團，例如CH3、OCH3、N(CH3)2等等，n係整數，該整數具有自2至22之數值，x係具有自2至22之數值(較佳係自1至11之數值)之整數，，且y係整數，該整數具有自1至22，自2至22-x或自1至11之數值；(vi)由化學式AsnHxRy表示之經取代胂，其中R選自烷基、O、NR及其他含有H、C、O及N原子之官能基團，例如CH3、OCH3、N(CH3)2等等，n係具有自2至22之數值之整數，x係具有自2至22之數值(較佳係自1至11之數值)之整數，且y係具有自1至22，自2至22-x或自1至11之數值之整數；(vii)由化學式R2P-PR'2表示之二磷烷，其中R2及R'2係各自獨立選自C1-6烷基、芳基及其他含有H、C、O及N原子之官能基團，例如CH3、OCH3、N(CH3)2等等；
(viii)由化學式R2As-AsR'2表示之二砷，其中R2及R'2係各自獨立選自C1-6烷基、芳基及其他含有H、C、O及N原子之官能基團，例如CH3、OCH3、N(CH3)2等等；(ix)結合還原劑之磷源化合物，該等還原劑可原位導致具有P-P鍵結的產物化合物之形成；(x)結合還原劑之砷源化合物，該等還原劑可原位導致具有As-As鍵結的產物化合物之形成；(xi)具有P-P鍵結之磷源化合物，作為磷鹵化物及磷化氫之反應產物而產生；(xii)具有As-As鍵結之砷源化合物，產生為砷鹵化物及砷化氫之反應產物；(xiii)聚磷6員及7員環化合物、叢集鹵化物及籠形化合物；及(xiv)聚砷6員及7員環化合物、叢集鹵化物及籠形化合物。
在此離子佈植方法之一實施例中，該摻雜劑成分包含一成分，該成分選自由磷化氫組成之群組，該等磷化氫由化學式PnHx表示，其中n為整數，該整數具有自2至22之數值，且x係具有自2至11之數值之整數，例如P2F4。
在另一實施例中，該摻雜劑成分包含一成分，該成分選自由砷化氫組成之群組，該砷化氫由化學式AsnHy表示，其中n係具有自2至5之數值之整數，且y係具有自2至10之數值之整數，例如As2F4。
在又一實施例中，該摻雜劑源成分包含選自由以下組成之群組之成分：磷及二磷鹵化物(包括混合鹵化物，例如P2Cl2F2)及鹵氧化物，例如P2I4、POCl3、PF3及P2F4。
在另一實施例中之摻雜劑源成分包含一成分，該成分選自由砷及二砷鹵化物(包括混合鹵化物，例如As2Cl2F2)及鹵氧化物(例如As2I4、AsOCl3、AsF3及As2F4)組成之群組。
另一實施例中之方法使用摻雜劑源成分，該摻雜劑源成分包含選自由化學式PnHxRy表示之經取代磷烷組成之群組的成分，其中R選自烷基、烷氧基、O、NR及其他含有H、C、O及N原子之官能基團，例如CH3、OCH3、N(CH3)2等等，n係具有自2至22之數值之整數，x係具有自2至22之數值(較佳係自1至11之數值)之整數，且y係具有自1至22，自2至22-x或自1至11之數值之整數。
本方法之另一實施例包括利用摻雜劑源成分，該摻雜劑源成分包含選自由化學式AsnHxRy表示之經取代胂組成之群組之成分，其中R選自烷基、O、NR及其他含有H、C、O及N原子之官能基團，例如CH3、OCH3、N(CH3)2等等，n係具有自2至22之數值之整數，x係具有自2至22之數值(較佳係自1至11之數值)之整數，且y係具有自1至22，自2至22-x或自1至11之數值之整數。
另一實施例中之離子佈植方法使用摻雜劑源成分，該摻雜劑源成分包含選自由化學式R2P-PR'2表示之二磷烷組成的群組的一成分，其中R2及R'2係各自獨立選自C1-6烷基、芳基及其他含有H、C、O及N原子之官能基團，例如CH3、OCH3、N(CH3)2等等。
另一實施例中之方法使用摻雜劑源成分，該摻雜劑源成分包含選自由化學式R2As-AsR'2表示之二砷組成的群組之一成分，其中R2及R'2係各自獨立選自C1-6烷基、芳基及其他含有H、C、O及N原子之官能基團，例如CH3、OCH3、N(CH3)2等等。
在又一實施例中，該摻雜劑源成分包含選自由結合還原劑之磷源化合物組成之群組之一成分，該等還原劑可以原位導致具有P-P鍵結之產物化合物之形成。
在另一實施例中之摻雜劑源包含摻雜劑源成分之使用，該摻雜劑源成分包含選自由結合還原劑之砷源化合物組成之群組的成分，該等還原劑可以原位導致具有As-As鍵結之產物化合物之形成。
在又一實施例中，該摻雜劑源成分包含一成分，該成分選自由具有P-P鍵結之磷源化合物組成的群組，該磷源化合物作為磷鹵化物及磷化氫之反應產物產生。
本揭示案之方法之另一實施例包含摻雜劑源成分之使用，該摻雜劑源成分包含選自由具有As-As鍵結之砷源化合物組成之群組之成分，且該等砷源化合物作為砷鹵化物及砷化氫之反應產物產生。
在又一實施例中，該方法使用摻雜劑源成分，該摻雜劑源成分包含一成分，該成分選自由聚磷6員及7員環化合物、叢集鹵化物及籠形化合物組成之群組。
本方法之另一實施例採用摻雜劑源成分，該摻雜劑源成分包含一成分，該成分選自由聚砷6員及7員環化合物、叢集鹵化物及籠形化合物組成之群組。
在其他實施例中，該摻雜劑源成分包含一成分，該成分選自由P2H4、As2H4、P2I4、POCl3、PF3、P2F4、As2I4、AsOCl3、AsF3及As2F4組成之群組。
在其他實施例中，該摻雜劑源成分包含一成分，該成分選自由本文較早描述之混合鹵化物組成之群組，該等混合鹵化物例如為P2Cl2F2及As2Cl2F2。
在本揭示案之方法的各自相應的特定實施例中，前述化合物中之每一者用作摻雜劑源成分。
摻雜劑源成分可因此包含聚砷化合物，或者聚磷化合物。
摻雜劑源成分之遊離可在此項技術中基於本文之揭示案以任何適當方式進行。在各種實施例中，摻雜劑源成分係在遊離條件下經游離形成離子束。該離子束可被組成並安排以便加速朝向基材行進，基材例如包含矽晶圓之基材或用於微電子裝置之基材。
在各種實施例中，摻雜劑源成分係同位素富集超過天然豐度成分。
在其他實施例中，摻雜劑源成分在載體氣體內流向用
於上述遊離之離子源，載體氣體例如為選自由氬、氙及氦組成之群組的氣體。
在各種實施例中，本揭示案之摻雜劑源成分或彼等摻雜劑源成分之遊離產物，可藉由排除以下物種之任一個或多個而受到限制：AsnHx +，其中對於N型叢集n=3或4且0≦x≦n+2，及或者對於P-型叢集為B10Hx +或者B10Hx -；As3Hx +及As4Hx +；PnHx +，其中n為2、3或4且0≦x≦6；PnHx +，其中n為2、3或4且0≦x≦6；及AnHx +或AnRHx +，其中n≧4、x≧0、A=As或P，且R係不含有磷並對該佈植製程無害之分子。
應注意本揭示案預期使用各種摻雜劑源化合物及叢集源性質之進氣成分，用於產生高濃度磷及砷離子。
雖然本文已經參閱特定態樣、特徵及說明性實施例陳述本揭示案，應注意本揭示案之利用不如此受限，而是擴大範圍並包含許多其他變動、修改及替代性實施例，並本揭示案之領域的普通技術者基於本文之描述瞭解該等變動、修改及替代性實施例。相應地，下文中所主張之本發明意欲廣泛地揭示及解讀為包括在本發明之精神及範疇內的所有此等變動、修改及替代性實施例。
Claims (20)
- 一種離子佈植方法，該方法包含以下步驟：游離一摻雜劑源組成物以形成摻雜劑離子，及佈植該等摻雜劑離子於一基材內，其中該摻雜劑源組成物包含選自由以下構成之群組之組成物：(i)二磷鹵氧化物；(ii)二砷鹵化物及鹵氧化物；(iii)由化學式PnHxRy表示之經取代磷烷，其中R係選自烷基、烷氧基、O、NR及其他含有H、C、O及N原子之官能基團，n係具有自2至22之數值之整數，x係具有自2至22之數值之整數，且y係具有自1至22之數值之整數；(iv)由化學式AsnHxRy表示之經取代胂，其中R係選自烷基、O、NR及其他含有H、C、O及N原子之官能基團，n係具有自2至22之數值之整數，x係具有自2至22之數值之整數，且y係具有自1至22之數值之整數；(v)由化學式R2P-PR'2表示之二磷烷，其中R2及R'2係各自獨立選自C1-6烷基、芳基及其他含有H、C、O及N原子之官能基團；(vi)由化學式R2As-AsR'2表示之二砷，其中R2及R'2係各自獨立選自C1-6烷基、芳基及其他含有H、C、O及N原子之官能基團；(vii)具有P-P鍵結之磷源化合物，其係產自磷鹵化物及磷 化氫之反應產物；(viii)具有As-As鍵結之砷源化合物，其係產自砷鹵化物及砷化氫之反應產物；(ix)聚磷6員及7員環化合物、叢集鹵化物及籠形化合物；及(x)聚砷6員及7員環化合物、叢集鹵化物及籠形化合物。
- 如請求項1之離子佈植方法，其中該摻雜劑源組成物包含選自由二磷鹵氧化物組成之群組的組成物。
- 如請求項1之離子佈植方法，其中該摻雜劑源組成物包含選自由二砷鹵化物及鹵氧化物組成之群組的組成物。
- 如請求項1之離子佈植方法，其中該摻雜劑源組成物包含選自由化學式PnHxRy表示之經取代磷烷組成之群組的組成物，其中R係選自烷基、烷氧基、O、NR及其他含有H、C、O及N原子之官能基團，n係具有自2至22之數值之整數，x係具有自2至22之數值之整數，且y係具有自1至22之數值之整數。
- 如請求項1之離子佈植方法，其中該摻雜劑源組成物包含選自由化學式AsnHxRy表示之經取代胂組成的群組的組成物，其中R係選自烷基、O、NR及其他含有H、C、O及N原子之官能基團，n係具有自2至22之數值之整 數，x係具有自2至22之數值之整數，且y係具有自1至22之數值之整數。
- 如請求項1之離子佈植方法，其中該摻雜劑源組成物包含選自由化學式R2P-PR'2表示之二磷烷組成的群組的組成物，其中R2及R'2係各自獨立選自C1-6烷基、芳基及其他含有H、C、O及N原子之官能基團。
- 如請求項1之離子佈植方法，其中該摻雜劑源組成物包含選自由化學式R2As-AsR'2表示之二砷組成的群組的組成物，其中R2及R'2係各自獨立選自C1-6烷基、芳基及其他含有H、C、O及N原子之官能基團。
- 如請求項1之離子佈植方法，其中該摻雜劑源組成物包含選自由具有P-P鍵結之磷源化合物組成之群組的組成物，該等磷源化合物係產自磷鹵化物及磷化氫之反應產物。
- 如請求項1之離子佈植方法，其中該摻雜劑源組成物包含選自由具有As-As鍵結之砷源化合物組成之群組的組成物，該等砷源化合物係產自砷鹵化物及砷化氫之反應產物。
- 如請求項1之離子佈植方法，其中該摻雜劑源組成物包 含選自由聚磷6員及7員環化合物、叢集鹵化物及籠形化合物組成之群組的組成物。
- 如請求項1之離子佈植方法，其中該摻雜劑源組成物包含選自由聚砷6員及7員環化合物、叢集鹵化物及籠形化合物組成之群組的組成物。
- 如請求項1之離子佈植方法，其中該摻雜劑源組成物包含選自由As2I4及As2F4組成之群組的組成物。
- 如請求項1之離子佈植方法，其中該摻雜劑源組成物包含As2Cl2F2。
- 如請求項1之離子佈植方法，其中該摻雜劑源組成物係於游離條件下游離以形成離子束。
- 如請求項14之離子佈植方法，其中該離子束係朝向該基材加速。
- 如請求項1之離子佈植方法，其中該基材包含矽晶圓。
- 如請求項1之離子佈植方法，其中該基材包含用於微電子裝置之基材。
- 如請求項1之離子佈植方法，其中該摻雜劑源組成物係同位素富集超過天然豐度成分。
- 如請求項1之離子佈植方法，其中該摻雜劑源組成物於載體氣體內流向用於該游離之離子源。
- 如請求項19之離子佈植方法，其中該載體氣體包含選自由氬、氙及氦組成之群組的氣體。
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