TWI610214B - 感測裝置 - Google Patents

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TWI610214B
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Abstract

一種感測裝置，其包括一基板，一感測組件及一屏蔽裝置。該感測組件係用以偵測回應於在該感測裝置上的一觸碰事件的一觸碰電容。該屏蔽裝置係在該基板與該感測組件之間、用以分布電能、且使該基板屏蔽於該感測組件。

Description

感測裝置
本揭露係一般關於電子裝置，且尤其是關於感測裝置。
現今，觸控裝置係廣泛地搭配電子裝置使用。例如，觸控裝置已應用於智慧型手機及膝上型電腦。有了觸控裝置，使用者可以輕易地操作智慧型手機或膝上型電腦。在觸控裝置帶來使用者介面新世紀的同時，觸碰靈敏度在開發先進觸控裝置中一直是令人感興趣的主題。
本揭露的實施例提供一種感測裝置，其包括一基板，一感測組件及一屏蔽裝置。該感測組件係用以偵測回應於在該感測裝置上的一觸碰事件的一觸碰電容。該屏蔽裝置係在該基板與該感測組件之間、用以分布電能、且使該基板屏蔽於該感測組件。
在一實施例中，該感測組件與該屏蔽裝置係用以界定一電容，以儲存電能。
在另一實施例中，該屏蔽裝置包括一第一導電組件，在該基板上方；以及一第二導電組件，在該基板與該第一導電組件之間。該第二導電組件係用以與該第一導電組件一起界定一電容，以儲存電能。
在又一實施例中，該感測組件係藉由該第一及第二導電組件完全屏 蔽於該基板。
在一實施例中，在該第一導電組件與該感測組件之間的一距離係小於在該第一導電組件與該第二導電組件之間所具者。
在又一實施例中，該第一導電組件係用以與該感測組件之一部份重疊。
在一實施例中，該感測組件係以一重疊率K被該第一導電組件重疊。在有偵測到該觸碰電容下該感測組件的一第一電壓位準與沒有偵測到該觸碰電容下該感測組件的一第二電壓位準之間的一差異係隨K變動。
在一實施例中，該差異可如下表示。
Figure TWI610214BD00001
其中△V1代表在該第一電壓位準與該第二電壓位準之間的該差異，VDD代表一電源電壓，CF代表該觸碰電容，D1代表在該第一導電組件與該第二導電組件之間的一距離，及D3代表在該感測組件與該基板之間的一距離。
在另一實施例中，該第一及第二導電組件係設置在該基板與該感測組件之間。
在又一實施例中，回應於該屏蔽裝置分布電能的一事件，該第一導電組件的一電壓位準係與該感測組件所具者相同。
在又更一實施例中，該第二導電組件及該基板係耦合至一參考電壓。
在一實施例中，該屏蔽裝置包括一第一導電組件。該導電組件係用以使該基板屏蔽於該感測組件。該導電組件與該基板係用以界定一電容、 以儲存電能。
在另一實施例中，該感測組件係藉由該導電組件完全屏蔽於該基板。
再次，在一實施例中，其中該導電組件係設置在該感測組件與該基板之間。
在另一實施例中，該導電組件係用以與該感測組件之一部份重疊。
在一實施例中，該感測組件係以一重疊率K被該導電組件重疊，其中在有偵測到該觸碰電容下該感測組件的一第一電壓位準與沒有偵測到該觸碰電容下該感測組件的一第二電壓位準之間的一差異係隨K變動。
本發明的該感測裝置藉由降低用於偵測回應於一觸碰事件之一感測組件與一基板所界定之一電容來提供一更佳的觸控靈敏度。
前文廣泛地概述本發明的特徵及技術優點，以使後續之本發明詳細說明能更好理解。下將於後文中描述本發明額外的特徵及優點。所屬技術領域中具有通常知識者應了解，為了實現本發明之相同目的，可輕易地利用所揭示之概念及特定實施例作為用以修改或設計其它結構或製程之基礎。所屬技術領域中具有通常知識者也應理解，此等均等架構不悖離如所附申請專利範圍中陳述之本發明的精神及範疇。
1‧‧‧感測裝置
2‧‧‧感測裝置
3‧‧‧感測裝置
4‧‧‧感測裝置
10‧‧‧感測單元
11‧‧‧物體
12‧‧‧鈍化層
14‧‧‧感測組件
16‧‧‧基板
20‧‧‧感測單元
22‧‧‧屏蔽裝置
24‧‧‧感測組件
28‧‧‧偵測裝置
30‧‧‧感測單元
32‧‧‧屏蔽裝置
36‧‧‧第一導電組件
38‧‧‧第二導電組件
40‧‧‧感測單元
42‧‧‧屏蔽裝置
44‧‧‧導電組件
A24‧‧‧表面
A36‧‧‧表面
A38‧‧‧表面
b1‧‧‧電容
CA‧‧‧電容器
CF‧‧‧觸碰電容
Csub‧‧‧電容
C‧‧‧電容器
Csub'‧‧‧電容器
C1‧‧‧第一電容
C2‧‧‧第二電容
C4‧‧‧電容
C5‧‧‧電容
D1‧‧‧距離
D2‧‧‧距離
D3‧‧‧距離
D4‧‧‧距離
D5‧‧‧距離
SA‧‧‧開關
SB‧‧‧開關
SC‧‧‧開關
S1‧‧‧開關
S2‧‧‧開關
S3‧‧‧開關
VDD‧‧‧電源電壓
GND‧‧‧參考電壓
n1‧‧‧節點
nA‧‧‧節點
nB‧‧‧節點
本揭露的一或多個實施例的詳情係陳述於隨附圖式及下文說明中。本揭露的其他特徵與優點可由說明書、圖式及申請專利範圍更形彰顯。
圖1A係感測裝置的俯視圖。
圖1B係圖1A所顯示之先前技術中的感測裝置的例示性感測單元的示意圖。
圖1C係操作於第一階段之該例示性感測單元的等效電路的電路圖。
圖1D係在無觸碰電容下，操作於第二階段之該例示性感測單元的等效電路的電路圖。
圖1E係在觸碰電容發生時，操作於第二階段之該例示性感測單元的等效電路的電路圖。
圖2係根據本揭露的一些實施例，感測裝置的例示性感測單元的示意圖。
圖3A係根據本揭露的一些實施例，感測裝置的例示性感測單元的示意圖。
圖3B係根據本揭露的一些實施例，操作於第一階段之該例示性感測單元的等效電路的電路圖。
圖3C係根據本揭露的一些實施例，在無觸碰電容下，操作於第二階段之該例示性感測單元的等效電路的電路圖。
圖3D係根據本揭露的一些實施例，在觸碰電容發生時，操作於第二階段之該例示性感測單元的等效電路的電路圖。
圖4係根據本揭露的一些實施例，感測裝置的感測單元的示意圖。
為了使本揭露可被完全理解，詳細的步驟以及結構係提供在下面說明中。明顯地，本揭露的實施方案不去限制所屬技術領域中具有通常知識者已知的專門細節。此外，未對已知結構以及步驟加以詳述，以免不必要地限制本揭露。將於下面詳細描述本揭露的較佳實施例。然而，除了該詳細說明外，本揭露也可廣泛地實施在其它實施例中。本揭露的範疇不限於該詳細說明，而是被申請專利範圍所界定。
圖1A係例示性感測裝置1的俯視圖。感測裝置1係適合於與電子裝置一起工作，諸如智慧型手機、膝上型電腦、及個人數位助理。參考圖1A，感測裝置1包括感測陣列，該感測陣列具有複數個被鈍化層12覆蓋的感測單元10。感測單元10係用以感測物體11，諸如手指或觸控筆經由鈍化層12觸碰感測裝置1的觸碰事件。
圖1B係圖1A所顯示之先前技術中的感測裝置1的例示性感測單元10的示意性電路圖。參考圖1B，感測裝置1包括基板16，其上被放置感測單元10。為了例示說明，僅一個感測單元10被顯示於圖1B中。
感測單元10包括感測組件14、電容器CA及開關SA、SB、及SC。感測組件14偵測回應於在感測裝置1上的觸碰事件之與物體11相關的觸碰電容CF。再者，感測組件14及基板16界定在其等之間的電容Csub，Csub係寄生電容。基板16係實質上維持於參考電壓GND。
在本揭露全文中，為了方便，相同參考符號或標籤係用來指稱電容器，或當合適時用來指稱其電容，且反之亦然。例如，當如上所述之參考標籤"CA"係指稱電容器時，它可代表具有該電容器的值。
當當開關SA被導通時，電容器CA係被電源電壓VDD充電，且相應地儲存電能。耦合在電源電壓VDD與參考電壓GND之間的電容器CA可不與感測組件14及開關SA、SB及SC積體在單一晶片或積體電路中。例如，電容器CA係安裝在母板上，以與感測組件14及開關SA、SB及SC連通(或耦合至感測組件14及開關SA、SB及SC)。此種電容器CA可能消耗相對大面積，因而面積上不經濟。
感測單元10的操作包括兩個階段。於第一階段，當開關SA被導通電時，電容器CA係被電源電壓VDD充電，且相應地儲存電能。於此同時， 開關SB不被導通，而開關SC係被導通。結果，感測組件14的電壓位準係重新設定成參考電壓GND。操作於第一階段的感測單元10之等效電路係繪示於圖1C中。
於第二階段，開關SA及SC不被導通，而開關SB係被導通。於第一階段，儲存在電容器CA中的電能係分佈於電容器CA、電容Csub及觸碰電容CF之間。操作於第二階段的感測單元10之等效電路係繪示於圖1D及1E中。
圖1C係例示性感測單元10操作於第一階段的等效電路的電路圖。參考圖1C，電容器CA係被電源電壓VDD充電，且電能係儲存在電容器CA中。在電容器CA中的電荷可以下列方程式(1)表示。
Q1(PH1)=VDD×CA (1)
其中Q1(PH1)代表在電容器CA中的電荷。
圖1D係在無觸碰電容CF下，操作於第二階段之該例示性感測單元10的等效電路的電路圖。參考圖1D，儲存在電容器CA中的電能係分佈在電容器CA與Csub之間，其滿足下列方程式(2)。
Q1(PH2)=Vn1(PH2)×(Csub+CA) (2)
其中Q1(PH2)代表於第2階段在電容器CA與Csub中的總電荷，且Vn1(PH2)代表於第2階段在節點n1的電壓位準。
基於電荷守恆定律，第1階段之電荷Q1(PH1)等於第2階段之電荷Q1(PH2)。基於方程式(1)及(2)，於第2階段在節點n1的電壓位準Vn1(PH2)可以下列方程式(3)表示。
Figure TWI610214BD00002
圖1E係在觸碰電容CF發生時，操作於第二階段之該例示性感測單元10的等效電路的電路圖。參考圖1E，儲存在電容器CA中的電能係分佈在電容器CA、Csub及CF之間。由於與圖1D之說明中提供之相似原因，有偵測到觸碰電容CF下，於第2階段在節點n1的電壓位準Vn1'(PH2)可以下列方程式(4)表示。
Figure TWI610214BD00003
藉由將電壓位準Vn1'(PH2)減去電壓位準Vn1(PH2)係可判定觸碰靈敏度。在電壓位準Vn1(PH2)與電壓位準Vn1'(PH2)之間的差異(△V)可以下列方程式(5)表示。
Figure TWI610214BD00004
由於差異△V與感測裝置的觸碰靈敏度有關，為了達成較高觸碰靈敏度，想要的是具有較大的差異△V。即，相對較大的差異促進觸碰事件的偵測。鑒於方程式(5)，增加差異△V的可能方式係降低分母中的電容Csub。
圖2係根據本揭露的一些實施例，感測裝置2的例示性感測單元20的示意圖。感測裝置2包括複數個感測單元20以及偵測裝置28。為了方便說明，僅一個感測單元20被顯示於圖2中。參考圖2，感測單元20包括感測組件24及屏蔽裝置22。耦合至複數個感測單元20的偵測裝置28係用以偵測在感測單元20的感測組件24的電壓位準，並基於電壓位準的改變判定在感測裝置2上是否有觸碰事件。偵測裝置28包括，例如處理器或中央處理器(central processing unit，CPU)。
感測組件24係用以回應於在感測裝置2上的觸碰事件偵測與物體11 相關的觸碰電容CF。又者，感測組件24可置放在基板16上方的金屬1(M1)層、金屬2(M2)層或其他合適的導電層中。
屏蔽裝置22操作於電源電壓VDD及參考電壓GND的電力域中。再者，屏蔽裝置22係用以使基板16屏蔽或遮蔽於感測組件24，或反之亦然。具體地，如將進一步討論者，在實體結構中屏蔽裝置22與感測組件24重疊，以致在感測組件24與基板16之間的有效電容下降，進而增加觸碰靈敏度。在一些實施例中，屏蔽裝置22完全與感測組件24重疊。在一些實施例中，屏蔽裝置22與感測組件24的一部份重疊，並使感測組件24的未屏蔽部份暴露於基板16。
又者，當屏蔽裝置22被電源電壓VDD充電時，屏蔽裝置22及感測組件24係用以界定電容器C，以儲存電能。再者，電容器Csub'係界定在感測組件24與基板16之間。所儲存的電能被分佈在電容器C與Csub'之間。
由於感測組件24的至少一部份被屏蔽裝置22重疊且因此係屏蔽於基板16，故有效電容Csub'係低於參考圖1B時所描述與繪示之電容Csub。在該情況中，在感測組件24中的電壓變化變得更為顯著並且電壓差異變得更為敏感。有效地，如先前關於方程式(5)的討論，觸碰事件可更容易偵測，其將在參考圖3A至3D下詳細描述。
圖3A係根據本揭露的一些實施例，感測裝置3的例示性感測單元30的示意圖。參考圖3A，感測裝置3係相似於參考圖2時所描述與繪示之感測裝置2，除了例如感測單元30包括第一導電組件36、第二導電組件38、及開關S1、S2及S3之外。第一導電組件36與第二導電組件38作為在感測組件24與基板16之間的屏蔽裝置32。再者，第一導電組件36及第二導電組件38可分別設置在例如金屬2(M2)層即金屬1(M1)層中，或在其他不同 的導電層中。在一實施例中，第一導電組件36具有與第二導電組件38實質上相同的大小。
第一導電組件36與第二導電組件38係用以界定第一電容C1，以儲存電能。第一導電組件36係與第二導電組件38分隔開距離D1，其係判定第一電容C1的因子。第一電容C1可以下列方程式(6)表示。
Figure TWI610214BD00005
其中ε代表在第一導電組件36與第二導電組件38之間的材料的介電常數，及A1代表第一導電組件36的表面A36的面積(及也代表第二導電組件38的表面A38的面積)。
再者，第一導電組件36與感測組件24係用以界定第二電容C2，以儲存電能。第一導電組件36係與感測組件24分隔開距離D2，其係判定第二電容C2的因子。在一實施例中，距離D2係短於距離D1。如將進一步討論者，鑒於在感測組件24與基板16之間的距離D3係固定，距離D1隨著距離D2降低而增加，進而降低第一電容C1並因此增加觸碰靈敏度。
另外，第二導電組件38係耦合至參考接地GND。因此，在第二導電組件38與基板16之間的電壓係理想上等於零。故，在第二導電組件38與基板16之間的空間係沒有任何電容。
另外，感測組件24與基板16係用以界定電容b1。感測組件24係與基板16分隔開距離D3，其係判定電容b1的因子。
第一導電組件36與第二導電組件38係用以使基板16屏蔽於感測組件24，反之亦然。據此，電容b1可以下列方程式(7)表示。
Figure TWI610214BD00006
，其中
Figure TWI610214BD00007
Figure TWI610214BD00008
其中A2代表感測組件24的表面A24的面積，用語(A2-A1)代表有效面積，其意指未被第一導電組件36或第二導電組件38屏蔽且因此暴露於基板16之表面A24的面積，且K係第一導電組件36之表面A36的面積對感測組件24之表面A24所具者的比。具有不大於一值的K代表感測組件24被第一導電組件36重疊或屏蔽的百分比。具體地，感測組件24係以重疊率K被第一導電組件36重疊。當K小於1，感測組件24之表面A24的一部份係被屏蔽。當K等於1，感測組件24係整個被第一導電組件36或第二導電組件38屏蔽。
基於方程式(6)及(7)，電容b1可重排成下列方程式(8)。
Figure TWI610214BD00009
在本實施例中，第一導電組件36係用以使感測組件24的一部份屏蔽於基板16，且感測組件24之的未屏蔽部份係暴露於基板16。
當開關S3不被導通時，開關S1及S2係用以導通，且反之亦然。開關S1、S2及S3之各者包括例如，場效電晶體(field-effect transistor，FET)、或金屬氧化物半導體場效電晶體(metal-Oxide-Semiconductor field-effect transistor，MOSFET)。
感測單元30的操作包括兩個階段。於第一階段，開關S1被導通，且第一及第二電容器C1及C2係被電源電壓VDD充電，且相應地儲存電能。於此同時，由於開關S3不被導通且開關S2被導通，感測組件24係重新設定成參考電壓GND。操作於第一階段的感測單元30之等效電路係繪示於圖3B中。
於第二階段，開關S1及S2不被導通，而開關S3係被導通。於第一階段，儲存在電容器C1與C2中的電能係分佈於電容器C1、b1及CF之間。由於開關S3被導通，在感測組件24的電壓位準係與在第一導電組件36所具者相同。操作於第二階段的感測單元30之等效電路係繪示於圖3C及3D中。
圖3B係操作於第一階段之例示性感測單元30的等效電路的電路圖。參考圖3B，當第一及第二電容器C1及C2被電源電壓VDD充電時，儲存在第一及第二電容器C1及C2中的電荷可以下列方程式(9)及(10)表示。
QNA (PH1)=VDD×(C1)+VDD×(C2) (9)
QNB (PH1)=-VDD×(C2) (10)
其中QNA(PH1)代表於第1階段儲存在節點nA側的第一及第二電容器C1及C2中的正電荷，及QNB(PH1)代表於第1階段儲存在節點nA側的C2中的負電荷。
圖3C係在無觸碰電容CF下，操作於第二階段之該例示性感測單元30的等效電路的電路圖。參考圖3C，因為於第二階段中開關S3的導通狀態，在節點nA的電壓位準係與在節點nB所具者相同。結果，跨第二電容器C2的電壓係零，且因此電能不再儲存在第二電容器C2中。於第一階段，儲存在第一及第二電容器C1及C2中的電能係分佈在於第一電容器C1與電容器b1之間，其見於下列方程式(11)。
QNA (PH2)=VnA (PH2)×(b1+C1) (11)
其中QNA(PH2)代表於第2階段儲存在第一電容器C1及電容器b1中的電荷，以及VnA(PH2)代表在無觸碰電容CF下，於第2階段在節點nA的電壓位準。
基於電荷守恆定律，得出下列方程式(12)。
QNA (PH2)=QNA (PH1)+QNB (PH1) (12)
基於方程式(9)、(10)、(11)及(12)，於第2階段在節點nA的電壓位準VnA(PH2)可以下列方程式(13)表示。
Figure TWI610214BD00010
圖3D係在觸碰電容CF發生時，操作於第二階段之該例示性感測單元30的等效電路的電路圖。參考圖3D，儲存在第一及第二電容器C1及C2中的電能係分佈在第一電容器C1、電容器b1、與觸碰電容器CF之間。由於與圖3C之說明中提供之相似原因，有偵測到觸碰電容CF下，於第2階段在節點nA的電壓位準可以下列方程式(14)表示。
Figure TWI610214BD00011
其中VnA'代表有偵測到觸碰電容CF下，於第2階段二在節點n1的電壓位準。
藉由電壓位準VnA'減去電壓位準VnA係可判定觸碰靈敏度。在電壓位準VnA與電壓位準VnA'之間的差異(△V1)可以下列方程式(15)表示。
Figure TWI610214BD00012
比較方程式(15)與和方程式(5)，△V1至少因下面理由大於△V。首先，對界定在感測組件與基板之間的電容而言，方程式(5)中的Csub係大於方程式(15)中的b1。如先前所討論者，在圖3A的實施例中，感測組件24係被第一導電組件36及第二導電組件38屏蔽。因此，方程式(15)中的電容b1係低於方程式(5)中的電容Csub。結果，圖3A實施例中所描述的差異 (△V1)係大於參考圖1B時所描述與繪示之差異(△V)。由於較大的差異導致較高的敏感度，觸碰事件可更容易被圖3A所顯示實施例的感測單元30偵測。
次而，對被電源電壓充電的電容而言，方程式(5)中的CA係大於方程式(15)中的C1。一般來說，未積體在感測單元中的電容器CA的電容係大於界定在積體電路中的電容C1所具者。再者，如先前所討論者，藉由第一導電組件36及第二導電組件38在感測單元30之布局設計中的適當配置，相對小或想要的第一電容C1可被達成。有了相對小的電容C1，圖3A實施例中所描述的差異(△V1)係大於參考圖1B時所描述與繪示之差異(△V)。結果，觸碰事件可更容易被圖3A所顯示實施例的感測單元30偵測。
進一步，藉由將方程式(8)中的b1取代到方程式(15)中，差異(△V1)可進一步以方程式(16)表示如下：
Figure TWI610214BD00013
基於方程式(16)，可發現差異(△V1)係隨K變動。
圖4係根據本揭露的一些實施例，感測裝置4的例示性感測單元40的示意圖。參考圖4，感測單元40係與參考圖3A時所描述與繪示之感測單元30相似，除了例如感測裝置40包括藉由單一導電組件44形成的屏蔽裝置42。又者，導電組件44可置放在例如在基板16上方的金屬1(M1)層、或另 一導電層中。為了例示說明，僅一個感測單元40被顯示於圖4中。
設置在感測組件24與基板16之間的導電組件44係用以使基板16屏蔽於感測組件24，反之亦然。在一些實施例中，基板16係藉由導電組件44完全屏蔽於感測組件24。在其它實施例中，導電組件44係用以屏蔽或遮蔽感測組件24之一部份。
再者，導電組件44與感測組件24係用以界定電容C4，以儲存電能。導電組件44係與感測組件24分隔開距離D4，其係判定電容C4的因子。
導電組件44與基板16係用以界定電容C5，以儲存電能。導電組件44係與基板16分隔開距離D5，其係判定電容C5的因子。在一些實施例中，距離D5係長於距離D4。在該例子中，如先前所討論者，電容C5係相對小，其促進觸碰事件的偵測。與圖3A的實施例相比較，由於在本實施例中僅一個導電組件(亦即，導電組件44)出現在導電組件44與基板16之間，在感測組件24與基板16之間的距離D5可在布局設計上被調整成相對長。結果，電容C5可係相對小。
基於圖3A之實施例的相似討論，在有偵測到觸碰電容CF下感測組件44的電壓位準與沒有偵測到觸碰電容CF下感測組件44的電壓位準之間的差異(△V2)可以下列方程式(17)表示。
Figure TWI610214BD00014
比較方程式(17)與和方程式(15)，鑒於導電組件44具有與第一導電組件36及第二導電組件38相同的大小，用以儲存電能的電容，方程式(15)中的C1及方程式(17)中的C5係不同。因為相對為長的距離D5，方程式(17)中的電容C5係較小，導致較高的敏感度。
雖然於語言上對標的的特定結構特徵及/或方法學作動加以描述，應理解所附申請專利範圍不是必需限制於上述特定特徵或作動所界定的標的。反而是，上述特定特徵或作動作為係作為實施專利範圍之實例形式被揭露。
實施例的各種操作係於本文中提供。該等操作的一些或全部被描述的順序不應被解釋成暗示這些操作係必需依賴順序。鑒於本說明的權益，替代順序將被理解。進一步，將了解非所有的操作係必需出現在本文中所提供的各實施例中。也將了解，在一些實施例中，非所有的操作係必需。
應理解，例如為了簡單與易於了解之目的，本文中描繪的層、特徵、元件、等等係以相對於彼此的特定尺寸來說明，諸如結構尺寸或方位，且應理解在一些實施例中，本文中描繪的層、特徵、元件、等等之實際尺寸實質上不同於本文中所繪示者。
雖然係關於一個或多個實施方案顯示並描述本揭露，所屬技術領域中具有通常知識者基於閱讀及理解本說明書與附圖將能想到等效替代以及修改。本揭露包括所有此等修改及替代且僅受下面申請專利範圍所限制。尤其就上述組件(如元件、資源等等)所實施的不同功能而言，除非另行指明，用於描述此等組件的用語係意圖對應實施所述組件之特定功能的任何組件(如，在功能上等效者)，即便不是結構上等效於所揭示結構。另外，雖然本揭露之特別特徵可能僅關於幾個實施方案中的一者揭露，當係想要者且有益於任何已知或特別的應用時，此等特徵可與其他實施方案的一個或多個其他特徵組合。
2‧‧‧感測裝置
12‧‧‧鈍化層
14‧‧‧感測組件
16‧‧‧基板
20‧‧‧感測單元
22‧‧‧屏蔽裝置
24‧‧‧感測組件
28‧‧‧偵測裝置
CF‧‧‧觸碰電容
C‧‧‧電容器
Csub'‧‧‧電容器
VDD‧‧‧電源電壓

Claims (13)

  1. 一種感測裝置，包含：一基板；一感測組件，用以偵測回應於在該感測裝置上的一觸碰事件的一觸碰電容；及一屏蔽裝置，在該基板與該感測組件之間、用以分布電能、且使該基板屏蔽於該感測組件，其中該屏蔽裝置包含：一第一導電組件，於該基板上方；及一第二導電組件，在該基板與該第一導電組件之間且用以與該第一導電組件一起界定一電容，以儲存電能，其中在該第一導電組件與該感測組件之間的一距離係小於在該第一導電組件與該第二導電組件之間所具者。
  2. 如請求項1之感測裝置，其中該感測組件與該屏蔽裝置係用以界定一電容，以儲存電能。
  3. 如請求項1之感測裝置，其中該感測組件係藉由該第一及第二導電組件完全屏蔽於該基板。
  4. 如請求項1之感測裝置，其中該第一導電組件係用以與該感測組件之一部份重疊。
  5. 如請求項1之感測裝置，其中該感測組件係以一重疊率K被該第一導電組件重疊，其中在有偵測到該觸碰電容下該感測組件的一第一電壓位準與沒有偵測到該觸碰電容下該感測組件的一第二電壓位準之間的一差異係隨K變動。
  6. 如請求項5之感測裝置，其中該差異可如下表示：
    Figure TWI610214BC00001
     其中△V1代表在該第一電壓位準與該第二電壓位準之間的該差異，VDD代表一電源電壓，CF代表該觸碰電容，D1代表在該第一導電組件與該第二導電組件之間的一距離，及D3代表在該感測組件與該基板之間的一距離。
  7. 如請求項1之感測裝置，其中該第一及第二導電組件係設置在該基板與該感測組件之間。
  8. 如請求項1之感測裝置，其中回應於該屏蔽裝置分布電能的一事件，該第一導電組件的一電壓位準係與該感測組件所具者相同。
  9. 如請求項1之感測裝置，其中該第二導電組件及該基板係耦合至一參考電壓。
  10. 一種感測裝置，包含：一基板； 一感測組件，用以偵測回應於在該感測裝置上的一觸碰事件的一觸碰電容；及一屏蔽裝置，在該基板與該感測組件之間、用以分布電能、且使該基板屏蔽於該感測組件，其中該屏蔽裝置包含：一導電組件，用以使該基板屏蔽於該感測組件，其中該導電組件與該基板係用以界定一電容，以儲存電能，該感測組件係以一重疊率K被該導電組件重疊，其中在有偵測到該觸碰電容下該感測組件的一第一電壓位準與沒有偵測到該觸碰電容下該感測組件的一第二電壓位準之間的一差異係隨K變動。
  11. 如請求項10之感測裝置，其中該感測組件係藉由該導電組件完全屏蔽於該基板。
  12. 如請求項10之感測裝置，其中該導電組件係設置在該感測組件與該基板之間。
  13. 如請求項10之感測裝置，其中該導電組件係用以與該感測組件之一部份重疊。
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