TWI607423B

TWI607423B - 畫素結構

Info

Publication number: TWI607423B
Application number: TW105133755A
Authority: TW
Inventors: 李及元; 法蘭契伊恩; 林勝隆; 梁廣恆; 蔡淑芬; 陳家弘
Original assignee: 元太科技工業股份有限公司
Priority date: 2016-10-19
Filing date: 2016-10-19
Publication date: 2017-12-01
Also published as: TW201816751A

Description

畫素結構

本揭示內容是一種畫素技術，且特別是有關於一種畫素結構。

於大型面板中，為了縮減邊框的寬度而增加資料選擇線的數目，導致畫素之間的間距過大。藉由橋接方式使畫素電極的面積增加以降低畫素之間的間距，卻也因此導致資料選擇線的電場影響畫素電極，因此降低畫素的顯示品質。

本揭示內容的一態樣是提供一種畫素結構，其包含畫素電極、至少一資料選擇線與至少一隔離線。至少一隔離線沿該畫素電極排列。畫素電極用以儲存畫素電壓。至少一資料選擇線用以傳遞至少一資料訊號。至少一隔離線用以降低該至少一資料訊號之電場對畫素電極之畫素電壓之影響。至少一隔離線之投影區域與畫素電極之投影區域重疊。

於本揭示內容之一實施例中，畫素電極包含第一電極與第二電極。第二電極電性耦接第一電極。至少一隔離線之投影區域與第二電極之投影區域重疊。

於本揭示內容之一實施例中，至少一隔離線與至少一資料選擇線設置於相同層。

於本揭示內容之一實施例中，至少一隔離線設置於畫素電極與至少一資料選擇線之間。

於本揭示內容之一實施例中，至少一隔離線與畫素電極間隔第一距離。第一距離不大於畫素電極與至少一資料選擇線之距離。

於本揭示內容之一實施例中，第一距離介於3微米(μm)至7微米的範圍。

於本揭示內容之一實施例中，至少一隔離線與至少一資料選擇線間隔第二距離。第二距離小於畫素電極與至少一資料選擇線之距離。

於本揭示內容之一實施例中，第二距離介於3微米(μm)至7微米的範圍。

於本揭示內容之一實施例中，至少一隔離線電性耦接至固定電壓。

於本揭示內容之一實施例中，至少一隔離線電性耦接至接地端。

綜上所述，本揭示內容可透過耦接固定電壓(例如接地端)的隔離線來降低資料訊號的電場對畫素電極(尤其是第二電極)的影響。因此，可降低亮度不均(Mura)的現象，有效地提升畫素結構的顯示品質。

以下將以實施方式對上述之說明作詳細的描述，並對本揭示內容之技術方案提供更進一步的解釋。

為讓本揭示內容之上述和其他目的、特徵、優點與實施例能更明顯易懂，所附符號之說明如下：

100、200、300‧‧‧畫素結構

110、210‧‧‧畫素電極

111、112、211、212‧‧‧電極

120、220‧‧‧資料選擇線

130、230、330‧‧‧隔離線

240‧‧‧共同電極

250、260‧‧‧半導體層

d1‧‧‧第一距離

d2‧‧‧第二距離

d‧‧‧距離

E‧‧‧電場

為了讓本發明之上述和其他目的、特徵、優點與實施例更明顯易懂，所附圖示之說明如下：第1圖係說明本揭示內容一實施例之畫素結構之俯視示意圖；第2圖係說明本揭示內容一實施例之畫素結構之截面示意圖；以及第3圖係說明本揭示內容一實施例之畫素結構之截面示意圖。

為了使本揭示內容之敘述更加詳盡與完備，可參照附圖及以下所述之各種實施例。但所提供之實施例並非用以限制本發明所涵蓋的範圍；步驟的描述亦非用以限制其執行之順序，任何由重新組合，所產生具有均等功效的裝置，皆為本發明所涵蓋的範圍。

於實施方式與申請專利範圍中，除非內文中對於冠詞有所特別限定，否則「一」與「該」可泛指單一個或複數個。將進一步理解的是，本文中所使用之「包含」、「包括」、「具有」及相似詞彙，指明其所記載的特徵、區域、整數、步驟、操作、元件與/或組件，但不排除其所述或額外的其一個或多個其它特徵、區域、整數、步驟、操作、元件、組件，與/或其中之群組。

關於本文中所使用之「約」、「大約」或「大致約」一般通常係指數值之誤差或範圍約百分之二十以內，較好地是約百分之十以內，而更佳地則是約百分五之以內。文中若無明確說明，其所提及的數值皆視作為近似值，即如「約」、「大約」或「大致約」所表示的誤差或範圍。

另外，關於本文中所使用之「耦接」及「連接」，均可指二或多個元件相互直接作實體接觸或電性接觸，相互間接作實體接觸或電性接觸，或是透過無線連接，而「耦接」還可指二或多個元件相互操作或動作。

請參考第1圖。第1圖係說明本揭示內容一實施例之畫素結構100之俯視示意圖。畫素結構100包含畫素電極110、至少一資料選擇線120與至少一隔離線130。隔離線130沿該畫素電極110排列，並且隔離線130的投影區域與畫素電極110的投影區域重疊。資料選擇線120用以傳遞資料訊號以供畫素顯示。

具體而言，畫素電極110包含電極111、112，並且電極112電性耦接電極111。於一實施例中，電極112透過橋接方式電性耦接電極111。於本實施例中，傳遞資料訊號的資料選擇線120數目為三，為了減少畫素結構100與鄰近畫素結構之間的距離，因而設置電極112以增加畫素電極110的整體面積。然而，資料選擇線120上傳遞的資料訊號所形成的電場可能對電極112造成影響，導致畫素顯示品質降低(例如產生亮度不均(Mura))。

針對上述問題，隔離線130(例如金屬資料選擇線)用以降低資料選擇線120上資料訊號的電場對畫素電極110的影響。具體而言，隔離線130可電性耦接至固定電位(例如接地端)，因此可有效地降低畫素電極110(尤其是電極112)所受到的資料選擇線120上資料訊號的電場影響。

為了進一步說明隔離線130於畫素結構100內的位置，請參考第2、3圖。第2、3圖係說明本揭示內容一些實施例之畫素結構200、300之截面示意圖。

於一實施例中，如第2圖所示，隔離線230與資料選擇線220、共同電極240設置於相同層(例如第一金屬層)。畫素電極210(包含電極211、212)設置於第三金屬層，並且半導體層250、260設置於畫素電極210與資料選擇線220(與隔離線230)之間。由於設置隔離線230，資料選擇線220傳遞資料訊號時產生的電場E對電極211、212的影響因而有效地降低。

或者，於另一實施例中，如第3圖所示，資料選擇線220、共同電極240設置於第一金屬層。隔離線330設置於第二金屬層，並且半導體層250設置於隔離線330與資料選擇線220之間。畫素電極210(包含電極211、212)設置於第三金屬層，並且半導體層260設置於畫素電極210與隔離線330之間。換言之，隔離線330設置於資料選擇線220與畫素電極210之間。類似地，由於設置隔離線330，資料選擇線220傳遞資料訊號時產生的電場E對電極211、212的影響因而有效地降低。

為了說明隔離線130、230、330的設置改善顯示品質的效果，請參考表一。於不同灰階與溫度的條件下，含有隔離線130、230、330的畫素結構100、200、300均具有較低的光學數值L*。須說明的是，光學數值L*為一畫素與鄰近畫素的對比度比值，並且光學數值L*越小則表示畫素的顯示品質越佳。因此，含有隔離線130、230、330的畫素結構100、200、300可有效地改善亮度不均(Mura)的問題。

須說明的是，為了有效地隔離資料選擇線220上資料訊號對畫素電極210的影響，隔離線230、330可沿著畫素電極210設置。具體而言，由於資料選擇線220對電極212的影響較大，因此隔離線230可沿電極212設置以減低資料選擇線220上資料訊號的電場E的影響。

於進一步的實施例中，隔離線230(或隔離線330)與資料選擇線220間隔的第二距離d2(例如介於3微米(μm)至7微米的範圍)小於畫素電極210與資料選擇線220的距離d。此外，隔離線230(或隔離線330)與畫素電極210間隔的第一距離d1(例如介於3微米至7微米的範圍)不大於畫素電極210與資料選擇線220的距離d。此外，隔離線230(或隔離線330)的寬度與數目可依實際情況調整，以達到良好的電場隔離效果。

實作上，隔離線130、230、330與資料選擇線120、220可以是金屬導線，然而本揭示內容不以此為限。

綜上所述，本揭示內容可透過耦接固定電壓(例如接地端)的隔離線130、230、330來降低資料選擇線120、220上資料訊號的電場E對畫素電極110、210(尤其是電極112、212)的影響。因此，可降低亮度不均(Mura)的現象，有效地提升畫素結構100、200、300的顯示品質。

雖然本揭示內容已以實施方式揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本揭示內容之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視申請專利範圍所界定者為準。

100‧‧‧畫素結構

110‧‧‧畫素電極

111、112‧‧‧電極

120‧‧‧資料選擇線

130‧‧‧隔離線

Claims

一種畫素結構，包含：一畫素電極，用以儲存一畫素電壓；至少一資料選擇線，用以傳遞至少一資料訊號；以及至少一隔離線，沿該畫素電極排列並用以降低該至少一資料訊號之電場對該畫素電極之該畫素電壓之影響，其中該至少一隔離線之投影區域與該畫素電極之投影區域重疊，該至少一隔離線電性耦接至一固定電壓或一接地端。
如請求項1所述之畫素結構，其中該畫素電極包含：一第一電極；以及一第二電極，電性耦接該第一電極，其中該至少一隔離線之投影區域與該第二電極之投影區域重疊。
如請求項1所述之畫素結構，其中該至少一隔離線與該至少一資料選擇線設置於相同層。
如請求項1所述之畫素結構，其中該至少一隔離線設置於該畫素電極與該至少一資料選擇線之間。
如請求項1所述之畫素結構，其中該至少一隔離線與該畫素電極間隔一第一距離，該第一距離不大於該畫素電極與該至少一資料選擇線之距離。
如請求項5所述之畫素結構，其中該第一距離介於3微米(μm)至7微米的範圍。
如請求項1所述之畫素結構，其中該至少一隔離線與該至少一資料選擇線間隔一第二距離，該第二距離小於該畫素電極與該至少一資料選擇線之距離。
如請求項7所述之畫素結構，其中該第二距離介於3微米(μm)至7微米的範圍。