TWI600622B - Method of manufacturing glass plate and glass plate manufacturing apparatus - Google Patents

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TWI600622B
TWI600622B TW101134863A TW101134863A TWI600622B TW I600622 B TWI600622 B TW I600622B TW 101134863 A TW101134863 A TW 101134863A TW 101134863 A TW101134863 A TW 101134863A TW I600622 B TWI600622 B TW I600622B
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Kimihiko Nakashima
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Avanstrate Korea Inc
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Description

玻璃板之製造方法及玻璃板製造裝置
本發明係關於一種玻璃板之製造方法及玻璃板製造裝置。
先前，有使用下拉(down draw)法等各種方法而製造玻璃板之方法。例如，於作為製造玻璃板之方法之一的溢流下拉(overflow down draw)法中，首先，供給熔融玻璃至配置於成形爐內之成形體。然後，使所供給之熔融玻璃自成形體溢流。然後，使溢流之熔融玻璃於成形體之下端部合流而成形為連續之片材狀玻璃(片材玻璃)。再者，於成形體之下端部合流之片材玻璃係進而向下方搬送，並藉由緩冷爐緩冷。然後，經緩冷之片材玻璃係於切斷空間中被切斷為所期望之大小，從而成為玻璃板。
於製造玻璃板之情形時，要求穩定地生產滿足特定品質之玻璃板。例如，於專利文獻1所揭示之技術中，於使用溢流下拉法製造玻璃板之情形時，藉由加壓成形爐及/或緩冷爐之外側空間之氣壓，而減少沿緩冷爐內之片材玻璃產生之上升氣流，從而抑制緩冷爐內之溫度變動。而且，藉此減少平面應變。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2009-173525號公報
然而，存在若僅加壓成形爐及/或緩冷爐之外側空間之氣壓，無法充分穩定地生產滿足特定品質之玻璃板之問題。例如，存在無法充分地抑制向成形爐或緩冷爐內之片材玻璃、或玻璃板之微粒附著之問題。若微粒附著於玻璃板，則存在於玻璃板產生劃傷等之問題。又，近年來，伴隨玻璃板之大型化，玻璃板之最終加工步驟(研磨、捆包等)、或顯示器製造步驟中之玻璃板之撓曲量變大。因此，由於因微粒造成之玻璃板之劃傷，而於玻璃板之最終加工步驟或顯示器製造步驟中，使玻璃板破損之問題變得顯著。
因此，本發明之課題在於提供一種可解決如上述之問題、穩定地生產滿足特定品質之玻璃板的玻璃板之製造方法及玻璃板之製造裝置。
本發明之第1樣態係一種玻璃板之製造方法。該製造方法包括：熔解步驟，其熔解玻璃原料而製成熔融玻璃；供給步驟，其供給上述熔融玻璃至配置於藉由成形爐之爐壁即成形爐壁而包圍之成形空間中的成形體；成形步驟，其使用下拉法而於上述成形體中由熔融玻璃成形片材玻璃；緩冷步驟，其於位於上述成形空間下方之空間、且藉由緩冷爐之爐壁即緩冷爐壁而包圍之緩冷空間中緩冷上述片材玻璃；及切斷步驟，其於位於上述緩冷爐下方之切斷空間中切斷經緩冷之上述片材玻璃而製成玻璃板。
以爐外部空間之氣壓相對於上述建築物外側之氣壓變得較大之方式進行氣壓控制，該爐外部空間係藉由收容上述成形空間、上述緩冷空間、及上述切斷空間之建築物之內壁面、上述成形爐壁之外表面及上述緩冷爐壁之外表面而劃出之建築物內空間內的位於上述切斷空間上方者。
本發明之第2樣態係一種玻璃板之製造裝置。該製造裝置包含：成形爐，其係藉由利用成形爐壁包圍由熔融玻璃成形片材玻璃之成形空間而形成；緩冷爐，其係藉由以位於上述成形爐下方之方式藉由緩冷爐壁包圍緩冷上述片材玻璃之緩冷空間而形成；切斷裝置，其配置於位於上述緩冷爐下方之切斷空間，且切斷經緩冷之上述片材玻璃；及控制機構，其以爐外部空間之氣壓相對於上述建築物外側之氣壓變得較大之方式進行氣壓控制；該爐外部空間係藉由收容上述成形空間、上述緩冷空間、及上述切斷空間之建築物之內壁面、上述成形爐壁之外表面及上述緩冷爐壁之外表面而劃出之建築物內空間內的位於上述切斷空間上方者。
又，作為較佳之第1形態，於上述氣壓控制中，於將爐外部空間之氣壓設為P1、將建築物外側之氣壓設為P2之情形時，以使0<P1-P2≦40 Pa之關係成立之方式控制爐外部空間之氣壓。
又，作為較佳之第2形態，於氣壓控制中，於將切斷空間之氣壓設為P3之情形時，以使0<P3-P2≦40 Pa之關係成立之方式進而控制切斷空間之氣壓。
又，作為較佳之第3形態，於氣壓控制中，以緩冷空間之氣壓相對於切斷空間之氣壓變得較大之方式，控制切斷空間之氣壓。
又，作為較佳之第4形態，於氣壓控制中，以爐外部空間之氣壓越靠片材玻璃之流動方向上游側變得越大之方式，控制爐外部空間之氣壓。
又，作為較佳之第5形態，於上述緩冷步驟或上述緩冷空間中，於上述片材玻璃之寬度方向中央部中，為了使張力作用於片材玻璃之流動方向，
於至少上述片材玻璃之寬度方向中央部之溫度自玻璃之緩冷點溫度加上150℃之溫度成為玻璃之應變點溫度減去200℃之溫度的溫度區域中，以上述片材玻璃之寬度方向中央部之冷卻速度比上述寬度方向兩端部之冷卻速度快之方式進行溫度控制。
又，作為較佳之第6形態，於上述成形步驟或上述成形空間中，於上述片材玻璃之寬度方向中央部之溫度為玻璃之軟化點溫度以上之區域中，以上述片材玻璃之寬度方向兩端部比夾持於上述兩端部之中央部之溫度低、且使上述中央部之溫度均勻之方式控制上述片材玻璃之溫度。進而，於上述緩冷步驟或上述緩冷空間中，為了使片材玻璃流動方向之張力作用於上述片材玻璃之寬度方向中央部，於上述片材玻璃之上述中央部之溫度為未達玻璃之軟化點溫度且玻璃之應變點溫度以上的區域中，以上述片材玻璃之寬度方向之溫度分佈自上述中央部朝向上述兩端部變低 之方式控制上述片材玻璃之溫度。進而，於上述片材玻璃之上述中央部之溫度成為玻璃之應變點溫度的溫度區域中，以上述片材玻璃之寬度方向之上述兩端部與上述中央部之溫度斜率消失之方式控制上述片材玻璃之溫度。
於第6形態中，可將用以控制上述溫度之溫度調整單元設置於包含上述成形空間及上述緩冷空間之爐內空間。
又，作為較佳之第7形態，於上述緩冷步驟或上述緩冷空間中，為了使片材玻璃流動方向之張力作用於上述片材玻璃之寬度方向中央部，於上述片材玻璃之上述中央部之溫度未達玻璃之應變點溫度之區域中，以自上述片材玻璃之上述兩端部朝向上述中央部變低之方式控制上述片材玻璃之溫度。
又，作為較佳之第8形態，於上述緩冷步驟或上述緩冷空間中，使搬送上述片材玻璃之傳送輥中、較上述片材玻璃之溫度成為玻璃之緩冷點溫度之位置設置於更下游側的傳送輥之周速度比設置於上述片材玻璃之溫度成為玻璃之轉移點溫度以上且玻璃之軟化點溫度以下之溫度區域的傳送輥之周速度快0.03~2%。
上述第1~第8較佳之形態之各者可應用於上述第1樣態之玻璃板之製造方法及第2樣態之玻璃板之製造裝置之各者，進而，關於組合上述第1~第8較佳形態中之至少2個之複合形態，亦可應用於第1樣態之玻璃板之製造方法及第2樣態之玻璃板之製造裝置之各者。
於本發明中，可抑制微粒附著於玻璃板。
本說明書中之下述語句如下規定。
所謂片材玻璃之中央部係指片材玻璃寬度方向之寬度中之片材玻璃寬度方向之中心。
所謂片材玻璃之端部係指自片材玻璃寬度方向之邊緣起100 mm以內之範圍。
所謂應變點溫度係指將玻璃黏度設為η時，logη為14.5之玻璃板之溫度。
所謂緩冷點溫度係指logη為13之玻璃之溫度。
所謂軟化點溫度係指logη為7.6之玻璃之溫度。
所謂玻璃轉移點溫度係指過冷液體轉變為玻璃狀態時之玻璃之溫度。
本發明之發明者發現，僅加壓成形爐及/或緩冷爐之外側空間之氣壓無法充分地實現穩定之生產之原因在於建築物內與建築物外側之間的氣壓之大小關係。更詳細而言，發現使玻璃板之品質下降之原因在於，於建築物內之氣壓小於建築物外側之氣壓之情形時，空氣會自建築物外側流入建築物內。此處，為了防止空氣自建築物外側流入建築物內，考慮提高建築物之氣密性，但完全消除建築物之間隙而使氣密性完美一事極其困難。由於空氣會自氣壓較高處向較低處流動，因此於建築物內之氣壓小於建築物外側之氣壓之情形時，建築物外側之空氣會經由建築物之間隙等流入建築物內。由於經由該建築物之間隙等自建築物外 側流入之空氣會引起向玻璃板之微粒附著、或成形爐及緩冷爐內之溫度控制之精度降低，因此無法穩定地生產滿足特定品質之玻璃板。因此，本發明之發明者獲得如下見解：為了解決玻璃板之微粒附著之問題，只要藉由將建築物內之氣壓設為高於建築物外側之氣壓，而抑制建築物外側之空氣流入建築物內即可。又，獲得如下見解：為了抑制成形爐或緩冷爐內之溫度控制之精度降低，只要控制建築物內之氣壓與建築物外側之氣壓之差即可。
以下，一面參照圖式，一面對使用本實施形態之玻璃板製造裝置100而製造玻璃板的玻璃板之製造方法進行說明。
(玻璃板之製造方法之概要)
圖1係本實施形態之玻璃板之製造方法之一部分之流程圖。以下，使用圖1對玻璃板之製造方法進行說明。
玻璃板係藉由於建築物B內中經由各種步驟而製造。具體而言，玻璃板係如圖1所示，經由包含熔解步驟ST1、澄清步驟ST2、均質化步驟ST3、供給步驟ST4、成形步驟ST5、緩冷步驟ST6、及切斷步驟ST7之各種步驟而製造。以下，對該等步驟進行說明。
於熔解步驟ST1中，藉由加熱並熔解玻璃原料而製成熔融玻璃。於澄清步驟ST2中，使熔融玻璃澄清。於均質化步驟ST3中，使熔融玻璃均質化。
於供給步驟ST4中，將熔融玻璃供給至進行成形之成形裝置300(參照圖2)。於成形步驟ST5中，使熔融玻璃成形 為片材狀之片材玻璃SG。較佳為熔融玻璃係藉由下拉法、尤其是溢流下拉法而成形為片材狀之片材玻璃SG。於緩冷步驟ST6中，將於成形步驟ST5中成形之片材玻璃SG緩冷。於切斷步驟ST7中，每隔特定之長度切斷經緩冷之片材玻璃SG(參照圖3)從而製成玻璃板G(參照圖3)。
再者，每隔特定之長度切斷之玻璃板G於其後進而被切斷，並進行研削、研磨、洗淨、及檢查而成為玻璃板(未標註記號而僅表述為玻璃板者意指最終製造之玻璃板)。
(玻璃板製造裝置100之概要)
圖2係主要表示玻璃板製造裝置100所包含之熔解裝置200之模式圖。圖3係表示收容或安裝有玻璃板製造裝置100所包含之各種裝置等的建築物B之內部之模式圖(再者，於圖3中藉由概略之剖面模式圖表示成形裝置300、成形爐40及緩冷爐50等)。以下，對玻璃板製造裝置100進行說明。
玻璃板製造裝置100係配置於建築物B內，主要包含熔解裝置200、成形裝置300、及切斷裝置400。
(熔解裝置200之構成)
熔解裝置200係用以進行熔解步驟ST1、澄清步驟ST2、均質化步驟ST3、及供給步驟ST4之裝置。熔解裝置200係如圖2所示，包含熔解槽201、澄清槽202、及攪拌槽203。
熔解槽201係用以熔解玻璃原料之槽。於熔解槽201中，進行熔解步驟ST1。澄清槽202係用以自於熔解槽201中經熔解之熔融玻璃除去泡之槽。於澄清槽202中，進行澄清 步驟ST2。攪拌槽203係攪拌熔融玻璃。於攪拌槽203中，進行均質化步驟ST3。熔解槽201、澄清槽202、攪拌槽203、及成形裝置300之間係藉由包含第1配管204及第2配管205之玻璃供給管而連接。
(成形裝置300之構成)
圖4係表示成形裝置300之概略之側視圖。圖5係用以說明建築物內空間S之表示建築物B之內部之模式圖。
成形裝置300係用以進行成形步驟ST5、及緩冷步驟ST6之裝置。
成形裝置300主要包含成形體310、環境分隔構件320、冷卻輥330、冷卻用溫度調整單元330a、傳送輥340a~340h、及溫度調整單元350a~350g(參照圖4)。
以下，對該等構成進行說明。
(成形體310)
成形體310係如圖3所示，位於成形裝置300之上方部分，且具有使自熔解裝置200流動而來之熔融玻璃(於圖3、4中以符號MG表示)成形為片材狀之片材玻璃之功能。成形體310沿垂直方向切斷之剖面形狀具有楔形形狀，且包含磚。
(環境分隔構件320)
如圖3及圖4所示，環境分隔構件320係配置於成形體310之下端部313附近之板狀構件。環境分隔構件320係大致水平地配置於在成形體310之下端部313合流並向第1方向之下游側流動的熔融玻璃之厚度方向之兩側。環境分隔構件 320係作為隔熱材而發揮功能。即，環境分隔構件320係藉由分隔其上下之空間，而抑制熱自環境分隔構件320之上側向下側移動。
(冷卻輥330)
冷卻輥330係配置於環境分隔構件320之下方。又，冷卻輥330係配置於在成形體310之下端部313合流並向第1方向之下游側流動的熔融玻璃厚度方向之兩側、且其寬度方向之兩側部分之附近。冷卻輥330藉由與在成形體310之下端部313合流之熔融玻璃寬度方向之兩側部分接觸，而冷卻該熔融玻璃。更具體而言，冷卻輥330藉由將熔融玻璃向第1方向之下游側下拉，而以所期望之厚度成形片材玻璃SG並且進行冷卻。再者，於本說明書中，將片材玻璃SG流動之方向稱為第1方向。
此處，成形體310、環境分隔構件320、及冷卻輥330係配置於成形空間S1(圖5之左斜線所示之空間)中。所謂成形空間S1，係指藉由成形爐40之爐壁即成形爐壁41之內表面與包含分隔構件42之上表面之平面FS1而包圍之空間。再者，所謂分隔構件42，係指分隔成形爐40(成形爐壁41之第1方向之下游端)與下述緩冷爐50(下述緩冷爐壁51之第1方向之上游端)之構件，例如使用平板形狀之構件。所謂成形爐壁41，係指成形爐40之爐壁，沿第1方向切斷之剖面形狀具有字形狀。於成形爐40內，進行成形步驟ST5。將包含成形空間S1及下述緩冷空間S2之空間稱為爐內空間。
(傳送輥340a~340h)
傳送輥340a~340h係在第1方向上具有特定之間隔地配置於冷卻輥330之下方。又，傳送輥340a~340h係分別配置於片材玻璃SG之厚度方向之兩側。傳送輥340a~340h將片材玻璃SG向第1方向之下游側牽引。
(溫度調整單元350a~350g、冷卻用溫度調整單元330a)
溫度調整單元350a~350g係調整片材玻璃SG之溫度、準確而言為片材玻璃SG附近之環境溫度(具體而言為升溫)之機器，於第1方向上配置有複數個且於片材玻璃SG之寬度方向上配置有複數個。冷卻用溫度調整單元330a係配置於冷卻輥330之第1方向之下方，且調整片材玻璃SG之溫度、準確而言為片材玻璃SG附近之環境溫度。冷卻用溫度調整單元330a以使剛成形後之高溫狀態之片材玻璃SG之厚度或翹曲降低之方式進行冷卻。
此處，冷卻用溫度調整單元330a係配置於成形空間S1(圖5之左斜線所示之空間)內。
又，傳送輥340a~340h、與溫度調整單元350a~350g係配置於緩冷空間S2(圖5之右斜線所示之空間)。所謂緩冷空間S2，係指藉由配置於成形爐40下方之緩冷爐50而形成之空間。更具體而言，為藉由緩冷爐50之爐壁即緩冷爐壁51之內表面、包含分隔構件42之下表面之平面FS2、及包含緩冷爐壁51之第1方向下游端面之平面FS3而包圍的空間。
於緩冷空間S2中，藉由利用傳送輥340a~340h將片材玻璃SG向第1方向之下游側牽引，而進行緩冷片材玻璃 SG(自黏性域經過黏彈性域而向彈性域推移)之緩冷步驟ST6。於緩冷步驟ST6中，溫度調整單元350a~350g以抑制片材玻璃SG之平面應變及熱收縮率之方式調整片材玻璃SG之溫度。再者，於溫度調整單元350a~350g各者之附近，沿片材玻璃SG之寬度方向配置有作為檢測片材玻璃SG附近環境溫度之環境溫度檢測機構的複數個溫度感測器。此處，將該複數個溫度感測器稱為溫度感測器單元380(參照圖6)。
(切斷裝置400)
於切斷裝置400中，進行切斷步驟ST7。切斷裝置400係配置於位於緩冷爐50下方之切斷空間S3(下文敍述)內。切斷裝置400係自相對於片材玻璃SG之長度面垂直之方向切斷於成形裝置300中向第1方向之下游側流下之片材玻璃SG。藉此，片材玻璃SG成為具有特定長度之複數片玻璃板G。
(建築物內空間S)
所謂建築物內空間S係指藉由建築物B之內表面包圍之空間中除成形爐壁41及成形空間S1與緩冷爐壁51及緩冷空間S2以外的空間(參照圖5之網格之陰影部分)。建築物內空間S係藉由收容成形空間S1、緩冷空間S2、及切斷空間S3之建築物B之內表面(內壁面)、成形爐壁41之外表面及緩冷爐壁51之外表面而劃出的空間。
建築物內空間S係藉由配置於建築物B內之板411、412、413而分割為複數個空間。板411、412、413具有作為用以 將建築物內空間S分割為複數個空間之分隔構件之功能。具體而言，建築物內空間S係藉由板411、412、413而被分割為成形爐外部上方空間S5、成形爐外部下方空間S6、緩冷爐外部空間S7、及切斷空間S3。然而，板數(建築物內空間之分割數)或設置有板之第1方向上之高度位置並無特別限定。
成形爐外部上方空間S5係於建築物內空間S中藉由板411與建築物B上部之下表面而夾持之空間。板411係配置於其高度位置接近成形體310上部之位置且與成形爐壁41之上部為大致相同高度之位置。
成形爐外部下方空間S6係較成形爐外部上方空間S5形成於更靠第1方向之下游側之空間。具體而言，成形爐外部下方空間S6係於建築物內空間S中藉由板411與板412而夾持之空間。板412係以其高度位置位於成形爐壁41之第1方向下游端之方式配置。成形爐外部下方空間S6包含與成形體310相對應之(具體而言與成形體310之設置位置為相同高度位置)區域A1。
緩冷爐外部空間S7係較成形爐外部下方空間S6形成於更靠第1方向之下游側之空間。緩冷爐外部空間S7係於建築物內空間S中藉由板412與板413而夾持之空間。板413係配置於其高度位置接近緩冷爐壁51之第1方向下游端附近之位置。
又，緩冷爐外部空間S7係使在與緩冷爐外部空間S7高度位置相同之(即，相當於自板412之下表面起至板413之上 表面為止之距離)緩冷空間S2中流動之玻璃板G之環境溫度例如成為800℃~110℃的空間，或者，緩冷爐外部空間S7係包含使在緩冷空間S2中流動之玻璃板G自(緩冷點溫度+5℃)成為(應變點溫度-50℃)之空間的空間。
切斷空間S3係形成於緩冷爐外部空間S7之第1方向下游側之空間。具體而言，切斷空間S3係於建築物內空間S中藉由板413與建築物B下部之上表面而夾持之空間。
此處，成形爐壁41或緩冷爐壁51係例如包含耐火材或隔熱材等。又，於建築物B中，亦可應用通常建設建築物時所使用之眾所周知之耐火物等。
(控制裝置500)
圖6係控制裝置500之控制方塊圖。
控制裝置500包含CPU(中央處理單元，Central Processing Unit)、ROM(唯讀記憶體，Read Only Memory)、RAM(隨機存取記憶體，Random Access Memory)、及硬碟(hard disk)等，作為進行玻璃板製造裝置100所包含之各種機器之控制的控制部而發揮功能。
具體而言，控制裝置500係如圖6所示，進行第1驅動單元390與第2驅動單元450之驅動控制，該第1驅動單元390進行溫度調整單元350a~350g之溫度調整控制；該第2驅動單元450係用以驅動冷卻輥330、傳送輥340a~340h、及切斷裝置400等。再者，冷卻用溫度調整單元330a之溫度調整控制係基於藉由設置於成形空間S1之溫度感測器單元所檢測之片材玻璃SG附近之環境溫度而進行。又，溫度調整 單元350a~350g之溫度調整控制係基於藉由溫度感測器單元380所檢測之片材玻璃SG附近之環境溫度而進行。
又，控制裝置500進而控制藉由建築物B之內表面而形成之建築物內空間S之氣壓。關於此於下文敍述。又，關於圖6中記載之各種感測器亦於下文敍述。
(成形裝置300中之片材玻璃SG之成形)
以下，說明於成形裝置300中成形片材玻璃SG之過程。
首先，自熔解裝置200經由供給口311而供給至成形體310之熔融玻璃係流動至向成形體310之上方開放之槽部312(參照圖3)。然後，於槽部312中溢流。於槽部312中溢流之熔融玻璃係沿成形體310之兩側面而向第1方向之下游側流動，如圖3所示，於下端部313中合流。於下端部313中合流之熔融玻璃向第1方向之下游側流下。離開成形體310而開始流下之時間點之玻璃之黏度係例如105.7~107.5 poiSe。
向第1方向之下游側流下之熔融玻璃係藉由配置於厚度方向兩側之冷卻輥330而被夾持於寬度方向之兩端部且向第1方向之下游側下拉。此時，熔融玻璃係成形為片材狀之片材玻璃SG並且冷卻(急冷)。藉由利用冷卻輥330進行急冷，而片材玻璃之兩端部之黏度成為例如109.0~1010.5 poise。藉由冷卻輥330而下拉之片材玻璃SG係藉由傳送輥340a~340h進而向下方下拉並且進行緩冷。
再者，藉由傳送輥340a~340h而下拉之片材玻璃SG於其後係藉由切斷裝置400而每隔特定長度地被切斷從而成為 複數片玻璃板G。
(建築物內空間S之氣壓之控制)
於本實施形態中，進行爐外部空間S4之氣壓控制。所謂爐外部空間S4係指藉由成形爐壁41之外表面、緩冷爐壁51之外表面、及建築物B之內表面而包圍之空間，且為位於切斷空間S3之上方空間之空間，換言之，為自建築物內空間S除去切斷空間S3之空間(即，包含成形爐外部上方空間S5、成形爐外部下方空間S6、及緩冷爐外部空間S7之空間)。
進行爐外部空間S4之氣壓控制之氣壓控制步驟係例如於進行均質化步驟ST3之時期開始。即，氣壓控制步驟係於成形步驟ST5及緩冷步驟ST6之前進行。
於本實施形態中，為了進行氣壓控制，而於成形爐外部上方空間S5、成形爐外部下方空間S6、及緩冷爐外部空間S7之外側(即，介隔建築物B之壁之外側)配置有用以對各個空間進行加壓之送風機421、422、423。又，為了進行氣壓控制，而於各個空間配置有檢測成形爐外部上方空間S5、成形爐外部下方空間S6、及緩冷爐外部空間S7之氣壓的檢測機構即第1壓力感測器431、第2壓力感測器432、及第3壓力感測器433(參照圖6)。再者，進行氣壓控制之方法並不限定於進行送風者，亦可應用組合進行送風與抽風之方法、或藉由風門(damper)等調整壓力差之方法等。
於氣壓控制中，藉由使用各種壓力感測器431、432、433檢測各空間S5、S6、S7之氣壓，而以爐外部空間S4之 氣壓P1相對於建築物B外側之氣壓(大氣壓)P2變得較大之方式，控制用以驅動送風機421、422、423之第2驅動單元450(例如馬達)之動作(例如於馬達之情形時為旋轉數)從而控制爐外部空間S4之氣壓。
具體而言，以P1減去P2而得之值大於0且小於等於40 Pa之方式進行控制。即，以使以下之式1之關係成立之方式控制第2驅動單元450。
(式1)0<P1-P2≦40 Pa
再者，P1減去P2而得之值更佳為1~40 Pa，進而較佳為2~35 Pa，進而較佳為3~25 Pa，進而較佳為4~15 Pa。
進而，於氣壓控制步驟中，較佳為以爐外部空間S4之氣壓越靠片材玻璃SG之流動方向上游側變得越大之方式，控制爐外部空間S4之氣壓。更具體而言，較佳為成為成形爐外部上方空間S5之氣壓>成形爐外部下方空間S6之氣壓>緩冷爐外部空間S7之氣壓。
(片材玻璃SG之冷卻之控制)
於本實施形態中，可於成形空間S1及緩冷空間S2內進行片材玻璃SG之冷卻之控制。具體而言，可使冷卻用溫度調整單元330a、溫度調整單元350a~350g、傳送輥340a~340h、及冷卻輥330依照控制裝置500之指示，進行如下之片材玻璃SG之冷卻。
例如，當使用冷卻輥330及傳送輥340a~340h使片材玻璃SG於緩冷空間S2內向下游側流動時，藉由有效地使張力作用於片材玻璃SG之流動方向(第1方向)，而可抑制片材 玻璃SG之翹曲。又，亦可抑制在與夾持於各輥而流動之部分鄰接的鄰接區域中產生波形狀之變形。
為了有效地使張力作用於片材玻璃SG之流動方向(第1方向)，例如於成形空間S1內、且於片材玻璃SG之寬度方向中央部之溫度為玻璃軟化點溫度以上之區域中，以片材玻璃SG之寬度方向兩端部(耳部)比中央部之溫度低、且使中央部之溫度均勻之方式控制片材玻璃SG之溫度。進而，於緩冷空間S2內，為了使搬送方向之拉伸應力作用於片材玻璃SG之寬度方向中央部而於片材玻璃SG之寬度方向中央部之溫度未達軟化點溫度未達且為應變點溫度以上的區域中，以片材玻璃SG之寬度方向之溫度分佈自中央部朝向兩端部變低之方式控制片材玻璃SG之溫度。進而，於片材玻璃SG之寬度方向中央部之溫度成為玻璃之應變點溫度的溫度區域中，以消除片材玻璃SG之寬度方向兩端部(耳部)與中央部之溫度斜率之方式控制片材玻璃SG之溫度。藉此，使搬送方向之拉伸應力施加於片材玻璃SG之寬度方向之中央部。
於上述片材玻璃SG之溫度控制中，係以片材玻璃SG之溫度為軟化點溫度以上之區域存在於成形空間S1為前提。因此，為了進行上述溫度控制，而於成形空間S1內設置有冷卻用溫度調整單元330a。然而，亦存在片材玻璃SG之溫度為軟化點溫度以上之區域存在於緩冷空間S2之情形。於該情形時，為了進行上述溫度控制，而於緩冷空間S2內設置有冷卻用溫度調整單元330a。
又，亦可於緩冷空間S2內，為了使搬送方向之張力作用於片材玻璃SG之寬度方向中央部而於片材玻璃SG之寬度方向之中央部之溫度為玻璃應變點溫度附近且未達玻璃應變點之區域中，以自片材玻璃SG之寬度方向之兩端部(耳部)朝向片材玻璃SG之寬度方向中央部而降低之方式控制片材玻璃SG之溫度。藉此，於片材玻璃SG之寬度方向之中央部之應變點溫度附近且未達應變點溫度之區域中，可始終於搬送方向上施加拉伸應力於片材玻璃SG之寬度方向之中央部。
於本實施形態中，如下所述可減少玻璃板之熱收縮率之不均，但藉由進而調整經成形之片材玻璃SG之冷卻速度，除抑制熱收縮率之不均以外，亦可抑制玻璃板之變形，抑制翹曲，並降低熱收縮率之絕對值。
具體而言，於緩冷空間S2內，當一面使用傳送輥340a~340h搬送片材玻璃SG一面進行緩冷時，規定自片材玻璃SG之緩冷點溫度加上150℃而得之溫度至片材玻璃SG之應變點溫度減去200℃而得之溫度為止的溫度區域。此時，較佳為於至少上述溫度區域中，片材玻璃SG之寬度方向之中央部之冷卻速度快於片材玻璃SG之兩端部之冷卻速度，使片材玻璃SG自片材玻璃SG之寬度方向之中央部之溫度高於片材玻璃SG之兩端部的狀態變化為中央部之溫度低於兩端部之狀態。藉此，可於片材玻璃SG之流動方向(第1方向)上使拉伸應力作用於片材玻璃SG之寬度方向之中央部。藉由使拉伸應力作用於片材玻璃SG之流動方向 上，可進一步抑制片材玻璃SG、甚至玻璃板之翹曲。
於緩冷步驟中，在鄰接於夾持於片材玻璃SG之各輥而流動之部分的鄰接區域中，如上所述自抑制產生波形狀之變形之方面而言，較佳為將較片材玻璃SG中央部分之溫度成為緩冷點溫度之位置設置於更下游側的傳送輥之周速度設為比設置於片材玻璃SG中央部分之溫度成為玻璃轉移點溫度以上、軟化點溫度以下之溫度區域中的傳送輥之周速度快，例如設為快0.03~2%。如此，藉由調整傳送輥之周速度，而可使拉伸應力作用於片材玻璃SG之流動方向(第1方向)。
(玻璃板之較佳之形態)
以下對使用本實施形態之玻璃板製造裝置及玻璃板之製造方法而製造的玻璃板之較佳形態進行說明。再者，並不限定於下述形態。
本實施形態較佳用於製造玻璃板之厚度為0.01 mm~1.5 mm之玻璃板。由於玻璃板越薄，玻璃之保有熱量越小，因此緩冷空間中之片材玻璃之溫度控制(此處不僅為片材玻璃之第1方向之溫度控制，亦包含片材玻璃之寬度方向上之溫度控制)變難。因此，於板厚為0.01~0.5 mm之玻璃板之製造中，應用可使成形空間S1及緩冷空間S2穩定化之本發明之優點較大。又，根據上述原因，本發明亦較佳用於製造玻璃保有熱極其小之0.01 mm~0.1 mm之玻璃膜。
玻璃板越大，越易產生平面應變而使上述片材玻璃SG之溫度控制變難。因此，於寬度方向之長度為2000 mm以 上且長度方向之長度為2000 mm以上之玻璃板中，本發明之效果變得顯著。
又，較佳為玻璃板係應用於品質要求嚴格之液晶顯示器、有機EL(Organic Electro-Luminescence，有機電致發光)顯示器。另外，亦可應用於覆蓋玻璃、移動終端等之顯示器或框體用覆蓋玻璃、觸控面板、及太陽電池之玻璃板。尤其，較佳用於使用對玻璃板要求嚴格之低溫多晶矽(LTPS：Low Temperature Poly Silicon)-TFT(Thin Film Transistor，薄膜電晶體)之液晶顯示器。
又，使玻璃板自50℃以10℃/分升溫至550℃為止，於550℃下保持1小時後，以10℃/分降溫至50℃為止，再次以10℃/分升溫至550℃為止，於550℃下保持1小時後，以10℃/分降溫至50℃為止，此時之熱收縮率較佳為100 ppm以下。更佳為0~60 ppm，進而較佳為0~40 ppm，進而更佳為0~20 ppm。
再者，熱收縮率係由伸長量/初始之長度×106(ppm)而計算出。作為熱收縮率之測定方法，有以下之方法。首先，於玻璃板之兩端使用金剛石筆(diamond pen)劃出平行之標記線。繼而，以垂直於標記線之方式將玻璃板一分為二地切斷，對其中1個進行熱處理(如上所述，係反覆進行2次於550℃下保持1小時之處理的熱處理)。然後，核對熱處理後之玻璃板與另一玻璃板，測定標記線之偏移量。
熱收縮率之不均尤其在於顯示器之製作中於玻璃板形成TFT之情形時，較熱收縮率之高低更易成為顯示器面板之 顯示不良之原因。自該方面而言，抑制熱收縮率之不均較為重要。
實施形態中所製造之玻璃板之熱收縮率之不均較佳為±2.85%以下。此處所謂熱收縮率之不均係指，於玻璃板寬度方向之3個部位之位置(例如中央部之位置及寬度方向兩端部附近之位置)藉由上述方法測定熱收縮率時，該等位置之測定值相對於該等平均值變動之上限(+)及下限(-)。熱收縮率之不均較佳為未達±2.80%，更佳為±2.75%以下，進而較佳為±2.65%以下。
又，玻璃板之平面應變之最大值較佳為0~1.7 nm。較佳為0~1.5 nm，更佳為0~1.0 nm，進而較佳為0~0.7 nm。再者，平面應變可藉由UNIOPT公司製造之雙折射測定裝置而測定。
此處，由於液晶顯示器及有機EL顯示器要求高精度之組裝，因此可降低液晶顯示器或有機EL顯示器所使用之玻璃板之熱收縮率不均的本發明尤其較佳用於液晶顯示器用玻璃板或有機EL顯示器用玻璃板之製造。
玻璃板之翹曲於藉由下述方法進行測定之情形時，翹曲之最大值為自0至0.2 mm為止之範圍，較佳為0~0.15 mm，更佳為0~0.1 mm，進而較佳為0~0.05 mm，進而更佳為0~0.05 mm。
翹曲之測定係首先自玻璃板切出複數片小板(約400 mm見方)。其次，對於各小板，於表背面分別測定角4個部位與中央部4個部位之翹曲(即，測定共計16個部位之翹曲)。 例如，於測定8片小板之翹曲之情形時，獲得16個部位×8枚共128部位之翹曲之測定資料。然後，假定該測定資料中之最大值為上述範圍。再者，於本實施形態中，將測定複數片小板中之翹曲之最大值設為玻璃板之翹曲。
又，作為平板顯示器(液晶顯示器或電漿顯示器等)用玻璃板，例示有玻璃板以質量%表示含有以下成分者。
SiO2：50~70質量%、Al2O3：5~25質量%、B2O3：0~15質量%、MgO：0~10質量%、CaO：0~20質量%、SrO：0~20質量%、BaO：0~10質量%、ZrO2：0~10質量%。
有機EL顯示器所使用之玻璃板、形成有LTPS-TFT之玻璃板、或形成有氧化物半導體之玻璃板較形成有α-Si(amorphous silicon，非晶矽)-TFT之玻璃板更要求熱收縮率較小。為了使熱收縮率較小，可使玻璃板之緩冷步驟之時間變長，或使玻璃之應變點溫度變高。然而，若使玻璃板之緩冷步驟之時間變長則需要使製造裝置大型化，故不佳。作為熱收縮率較小之玻璃板，例如可列舉具有如下所述之組成及特性之玻璃板。
SiO2：52~78質量%、Al2O3：3~25質量%、 B2O3：1~15質量%、RO(其中，RO係MgO、CaO、SrO及BaO中玻璃板所含有之總成分之合量)：3~20質量%，且應變點為680℃以上，且藉由上述方法測定之熱收縮率為60 ppm以下之玻璃板。
或者，SiO2：57~75質量%、Al2O3：8~25質量%、B2O3：3~11質量%(除11質量%)、CaO：0~20質量%、MgO：0~15質量%、之玻璃板。
此時，若設為滿足下述條件中之一項或複數項，則更佳用作LTPS-TFT用玻璃板。
為了使應變點溫度進一步上升， 較佳為將(SiO2+Al2O3)/B2O3設為8~20及/或將SiO2+Al2O3設為75質量%以上。
又，較佳為將CaO/B2O3設為0.6以上。
進而，為了使應變點溫度進一步上升，較佳為質量比(SiO2+Al2O3)/RO係7.5以上。
或者，為了使玻璃之比電阻下降，較佳為含有Fe2O3 0.01~1質量%。
進而，為了使玻璃板實現較高之應變點溫度並防止失透溫度之上升，較佳為將CaO/RO設為0.65以上。
又，若考慮應用於如行動通信端末之行動機器等，則自輕量化之觀點而言，較佳為SrO及BaO之合計含有率為0~3.3%。
再者，R2O(其中，R2O係Li2O、Na2O及K2O之中玻璃板所含有之總成分之合量)從有自玻璃溶出而使TFT特性劣化之虞之方面而言，於用作液晶顯示器用玻璃板之情形時，較佳為實際上未含有(無鹼玻璃)。然而，藉由反而使玻璃中含有特定量上述成分，而可抑制TFT特性之劣化，並且可提高玻璃之鹼性度，使價數變動之金屬之氧化容易，並發揮澄清性。又，由於亦可使玻璃之比電阻降低，因此亦可抑制熔解步驟中之熔解槽之破損。因此，R2O為0~2.0%，更佳為0.1~1.0%，進而較佳為0.2~0.5%。再者，於R2O中，較佳為含有最不易自玻璃溶出而使TFT特性劣化之K2O。K2O之含有量為0~2.0%，更佳為0.1~1.0%，進而較佳為0.2~0.5%。
又，實施化學強化後，作為適合用作覆蓋玻璃或太陽電池用玻璃板之玻璃板，例如，例示有玻璃板以質量%表示含有以下成分者。
SiO2：50~70質量%、Al2O3：5~20質量%、Na2O：6~30質量%、Li2O：0~8質量%、B2O3：0~5質量%、K2O：0~10質量%、 MgO：0~10質量%、CaO：0~20質量%、ZrO2：0~10質量%。
(特徵)
由於經由建築物之間隙等而自建築物外側流入建築物內之空氣含有灰塵等微粒，因此考慮若附著於緩冷爐內之片材玻璃或切斷後之玻璃板，則會成為產生劃傷之原因。又，考慮若上述微粒流入沿緩冷爐內之沿片材玻璃產生之上升氣流，則微粒會附著於片材玻璃，於片材玻璃表面形成氣泡或突起物。於此種情形時，由於會引起玻璃板之表面品質惡化，因此存在難以穩定地生產玻璃板之虞。
又，雖藉由加熱器以成形爐或緩冷爐內不產生溫度變動之方式進行控制，但於成形爐或緩冷爐中，於切斷片材玻璃之區域以外亦存在間隙，且完全消除該間隙一事極其困難。因此，若建築物外側之空氣流入建築物內，則存在爐外部空間與爐內部空間之氣壓差之關係崩潰，爐外部空間之空氣經由成形爐或緩冷爐之間隙而流入成形爐或緩冷爐內，導致成形爐或緩冷爐內之溫度管理控制之精度下降之虞。此時，流入成形爐或緩冷爐之空氣之溫度低於經溫度管理之成形爐或緩冷爐內之溫度。即，熔融玻璃或片材玻璃之中，僅與流入上述成形爐或緩冷爐之空氣接觸之區域被急冷。例如，若於成形爐中熔融玻璃之某區域被局部地急冷，則僅該區域之黏度變高，而成形為片材玻璃後，於下游中藉由輥進行拉伸時，僅片材玻璃中之黏度較高之區 域無法充分地拉伸，而導致產生玻璃板之板厚之偏差。又，如上所述，於緩冷爐內，為了降低翹曲、平面應變、及熱收縮率，而控制片材玻璃之寬度方向之溫度分佈。因此，於緩冷爐內，若片材玻璃之某區域被局部地急冷，則僅該區域之熱收縮率局部地變大，因此導致產生熱收縮率之不均。
為了解決上述問題，較佳為藉由將建築物內之氣壓設為高於建築物外側之氣壓而抑制建築物外側之空氣流入建築物內。然而，若將建築物內之氣壓設得過度高於建築物外側之氣壓，則成為建築物內之空氣大量地流出至建築物外側，而存在建築物內之氣壓或溫度變動之情況。或者，若爐外部空間及/或切斷空間之氣壓變得過高，則自爐外部空間及/或切斷空間向爐內部空間之空氣流入量增加，易產生沿片材玻璃之上升氣流。因此，建築物內之氣壓與建築物外側之氣壓之差較佳為大於0~40 Pa。即，於本實施形態之氣壓控制中，較佳為以爐外部空間S4之氣壓P1減去建築物B外側之氣壓P2而得之值成為大於0且40 Pa以下之方式控制送風機。
而且，藉由進行如上之控制，除可抑制因微粒引起之品質惡化以外，亦可抑制翹曲、熱收縮之不均等玻璃板之品質惡化，從而可穩定地製造滿足微粒、翹曲、及熱收縮不均之品質之玻璃板。
又，藉由抑制成形空間S1之溫度之變動，而可抑制玻璃板之板厚之不均等。
又，緩冷空間S2係包含片材玻璃SG之溫度自緩冷點溫度附近成為應變點溫度附近之溫度之區域的空間，但藉由抑制緩冷空間S2之溫度變動，可降低熱收縮率之不均。再者，於緩冷空間S2中，由於可抑制成為緩冷點以上之片材玻璃SG附近之環境溫度之變動，因此可抑制玻璃板之變形或翹曲。又，於緩冷空間S2中，由於可抑制成為應變點溫度以下之片材玻璃SG附近之環境溫度之變動，因此可抑制玻璃板之翹曲等。此處，片材玻璃SG至被切斷為止係一片連續之板。因此，於片材玻璃之溫度成為應變點溫度以下之區域中若片材玻璃之翹曲形狀變化，則亦會對成為應變點溫度以上之區域之片材玻璃產生影響，而產生熱收縮率之不均。另一方面，於本實施形態中，藉由抑制片材玻璃SG之溫度成為應變點溫度以下之區域之環境溫度之變動，而可抑制翹曲、平面應變、及熱收縮之不均。
難以自建築物之壁完全消除間隙。因此，考慮藉由煙囪效果使爐外部空間中亦產生上升氣流。再者，由於越靠爐壁附近環境溫度越高，因此易產生上升氣流。又，藉由使溫度較高之氣體於溫度較低之區域中流動亦產生對流。考慮其原因在於與爐壁側相比建築物內壁側之環境溫度較低。即，藉由沿建築物之內壁產生下降氣流，並沿爐壁產生上升氣流，而產生較大之對流。
因此，於本實施形態中，以爐外部空間S4之氣壓越靠第1方向之上游側氣壓越大之方式控制送風機。藉此，於爐外部空間S4中，可抑制沿成形爐40之成形爐壁41或緩冷爐 50之緩冷爐壁51之外表面上升的空氣流。因此，可儘量使成形爐壁41或緩冷爐壁51之外表面之溫度穩定。因此，可抑制成形空間S1或緩冷空間S2之溫度變動。
爐外部空間S4係分割為成形爐外部上方空間S5、成形爐外部下方空間S6、及緩冷爐外部空間S7。因此，即便產生沿成形爐壁41或緩冷爐壁51之外表面上升之空氣流，亦可使該空氣流之第1方向之範圍狹窄(即，可將該空氣流限制於各空間S5~S7內)。即，由於使爐外部空間S4之氣壓分佈於複數個空間之間且設為越靠上游側越大，因此可抑制產生遍及複數個空間而上升之(例如，遍及空間S5~S7之至少2個以上空間之)較大之空氣流。
藉此，成形爐壁41或緩冷爐壁51之外表面之溫度更加穩定。因此，可降低對成形空間S1或緩冷空間S2中之溫度之影響，從而使成形空間S1或緩冷空間S2之溫度更加穩定。
(變形例)
以上，基於圖式說明了本實施形態，但具體之構成並不限定於上述實施形態，可於不脫離發明之主旨之範圍內進行變更。
(變形例1A)
圖7係表示本變形例1A之建築物B之內部之模式圖。
沿片材玻璃產生之上升氣流會揚起切斷片材玻璃時產生之玻璃切屑或自建築物外側流入建築物內之空氣所包含之灰塵，而導致使其等附著於在成形空間或緩冷空間中流動之片材玻璃。附著於片材玻璃之玻璃切屑會於片材玻璃表 面形成氣泡或突起物，而使玻璃板表面之品質下降。又，灰塵亦會使玻璃板表面之品質下降。又，由於自建築物外側流入建築物內空間之空氣根據建築物外側之狀況(溫度、風速等)而較大地變動，因此因空氣自建築物外側流入建築物內空間而導致難以控制建築物內空間之氣壓及溫度。
因此，於氣壓控制步驟之氣壓控制中，較佳為以切斷空間S3之氣壓P3相對於建築物B外側之氣壓P2變得較大之方式進行控制。藉此，可防止含有灰塵等之空氣自建築物外側流入切斷空間，甚至可抑制玻璃板之表面品質之降低。
於該情形時，於切斷空間S3之外側配置有用以對切斷空間S3加壓之送風機424。又，於切斷空間S3中設置有用以檢測切斷空間S3之氣壓P3之第4壓力感測器(未圖示)。
再者，若切斷空間之氣壓成為特定壓力以上，則易產生向爐(成形爐及緩冷爐)流動之空氣流，令人擔心對成形空間及緩冷空間之溫度產生影響。
因此，較佳為以切斷空間S3之氣壓P3減去建築物B外側之氣壓P2而得之值成為大於0且小於等於40Pa之方式進行切斷空間S3之氣壓控制。即，較佳為以使以下之式2成立之方式進行氣壓控制。
(式2)0<P3-P2≦40Pa
藉此，由於可抑制空氣自建築物B外側流入建築物B內，因此可精度良好地進行切斷空間S3、甚至建築物內空間S之溫度控制及氣壓控制。又，由於可抑制灰塵等流入 切斷空間S3，因此可防止玻璃板之表面品質惡化。
又，除上述實施形態以外，亦可於氣壓控制中藉由監視由第4壓力感測器及第5壓力感測器(未圖示)所檢測之值而控制送風機424(即，控制切斷空間S3之氣壓)，而使緩冷空間S2之氣壓P4相對於切斷空間S3之氣壓P3變得較大。再者，所謂第5壓力感測器係指檢測緩冷空間S2之氣壓P4之壓力感測器。
藉此，可抑制自切斷空間S3向緩冷空間S2流動之空氣流。又，亦能夠以緩冷空間S2之氣壓越靠第1方向之上游側越大之方式進行氣壓控制。藉此，可抑制成形空間S1及緩冷空間S2之溫度變動。
(變形例1B)
於上述實施形態中，藉由配置作為物理分隔構件而發揮功能之板411、412、413，而形成有複數個空間，但並不限定於此，只要以越靠第1方向之上游側氣壓越大之方式進行氣壓控制，即發揮與上述實施形態相同之效果。
(變形例1C)
於上述實施形態中，對爐外部空間S4加壓。然而，未必必須將爐外部空間S4之氣壓設為大於成形空間S1或緩冷空間S2之氣壓。例如，即便使成形空間S1或緩冷空間S2之氣壓與爐外部空間S4之氣壓差較小，亦可降低自成形空間S1或緩冷空間S2漏出之空氣量，並可抑制沿玻璃板G產生之上升氣流，因此有效。
(變形例1D)
圖8係表示本變形例1D之建築物B之內部之模式圖。如圖8所示，爐外部空間S4亦可分割為包含成形爐外部上方空間S5與成形爐外部下方空間S6之成形爐外部空間S10、與緩冷爐外部空間S7之3空間。於該情形時，亦發揮與上述實施形態相同之效果。
又，未必必需將爐外部空間S4之氣壓設為越靠第1方向上游側氣壓越大，藉由將至少成形爐外部空間S10之氣壓設為高於緩冷爐外部空間S7之氣壓，即可抑制產生於爐外部空間之上升氣流之產生。其原因在於，由於成形爐壁41之溫度與緩冷爐壁51之溫度差尤其大，因此自緩冷爐壁51至成形爐壁41易產生較大之上升氣流。又，其原因在於如上所述為了提高玻璃板之品質，尤佳為降低成形爐40與緩冷爐50內之溫度變動。
[實施例]
以下，對本發明之實施例進行說明。
(實施例1)
以爐外部空間S4之氣壓與建築物B外側之氣壓P2之差成為5Pa之方式控制爐外部空間S4之氣壓。然後，進行厚度為0.7mm、大小為2200mm×2500mm之液晶顯示器用玻璃板之製造。玻璃板之各成分之含有率如下所述。
SiO2 60質量%
Al2O3 19.5質量%
B2O3 10質量%
CaO 5質量%
SrO 5質量%
SnO2 0.5質量%
(實施例2)
除爐外部空間S4之氣壓P1與建築物B外側之氣壓P2之差為20Pa以外，藉由與實施例1相同之方法進行液晶顯示器用玻璃板之製造。
(實施例3)
除爐外部空間S4之氣壓P1與建築物B外側之氣壓P2之差為35Pa以外，藉由與實施例1相同之方法進行液晶顯示器用玻璃板之製造。
(實施例4)
除爐外部空間S4之氣壓P1與建築物B外側之氣壓P2之差為50Pa以外，藉由與實施例1相同之方法進行液晶顯示器用玻璃板之製造。
(比較例1)
除爐外部空間S4之氣壓P1與建築物B外側之氣壓P2之差為-5Pa(即，建築物B外側之氣壓P2高於爐外部空間S4之氣壓)以外，藉由與實施例1相同之方法進行液晶顯示器用玻璃板之製造。
然後，於如上之條件下，藉由上述方法((7)玻璃板之較佳之形態中記載之方法)測定製造之液晶顯示器用玻璃板之熱收縮之不均。又，藉由目視觀察液晶顯示器用玻璃板之表面，未確認有劃傷之情形時設為OK，確認有劃傷之情形時設為NG而進行評價。於以下之表1中表示有實施例 1~4及比較例1各者之測定結果。
如上所述，若以成為0<P1-P2之方式控制爐外部空間S4之氣壓，則可抑制於玻璃板表面產生劃傷。又，若以成為0<P1-P2≦40 Pa之方式控制爐外部空間S4之氣壓，則可進一步抑制熱收縮率之不均。再者，即便玻璃板之各成分之含有率(質量%)為SiO2 61%、Al2O3 19.5%、B2O3 10%、CaO 9%、SnO2 0.3%、R2O 0.2%，結果亦與上述相同。
40‧‧‧成形爐
41‧‧‧成形爐壁
50‧‧‧緩冷爐
51‧‧‧緩冷爐壁
100‧‧‧玻璃板製造裝置
300‧‧‧成形裝置
310‧‧‧成形體
312‧‧‧槽部
313‧‧‧下端部
320‧‧‧環境分隔構件
330‧‧‧冷卻輥
330a‧‧‧冷卻用溫度調整單元
340a~340h‧‧‧傳送輥
400‧‧‧切斷裝置
411‧‧‧板
412‧‧‧板
413‧‧‧板
421‧‧‧送風機
422‧‧‧送風機
423‧‧‧送風機
B‧‧‧建築物
FS1‧‧‧平面
FS2‧‧‧平面
FS3‧‧‧平面
G‧‧‧玻璃板
MG‧‧‧熔融玻璃
S‧‧‧建築物內空間
S1‧‧‧成形空間
S2‧‧‧緩冷空間
S3‧‧‧切斷空間
S5‧‧‧成形爐外部上方空間
S6‧‧‧成形爐外部下方空間
S7‧‧‧緩冷爐外部空間
SG‧‧‧片材玻璃
圖1係本實施形態之玻璃板之製造方法之一部分之流程圖。
圖2係主要表示玻璃板製造裝置所包含之熔解裝置之模式圖。
圖3係表示建築物之內部之模式圖。
圖4係成形裝置之概略之側視模式圖。
圖5係用以說明建築物內空間之表示建築物之內部之模式圖。
圖6係控制裝置之控制方塊圖。
圖7係表示變形例1A之建築物之內部之模式圖。
圖8係表示變形例1F之建築物之內部之模式圖。
40‧‧‧成形爐
41‧‧‧成形爐壁
50‧‧‧緩冷爐
51‧‧‧緩冷爐壁
300‧‧‧成形裝置
310‧‧‧成形體
312‧‧‧槽部
313‧‧‧下端部
320‧‧‧環境分隔構件
330‧‧‧冷卻輥
340a~340h‧‧‧傳送輥
400‧‧‧切斷裝置
411‧‧‧板
412‧‧‧板
413‧‧‧板
421‧‧‧送風機
422‧‧‧送風機
423‧‧‧送風機
B‧‧‧建築物
FS1‧‧‧平面
FS2‧‧‧平面
FS3‧‧‧平面
G‧‧‧玻璃板
MG‧‧‧熔融玻璃
S‧‧‧建築物內空間
S1‧‧‧成形空間
S2‧‧‧緩冷空間
S3‧‧‧切斷空間
S5‧‧‧成形爐外部上方空間
S6‧‧‧成形爐外部下方空間
S7‧‧‧緩冷爐外部空間
SG‧‧‧片材玻璃

Claims (4)

  1. 一種玻璃板之製造方法，其包括：熔解步驟，其熔解玻璃原料而製成熔融玻璃；供給步驟，其將上述熔融玻璃供給至配置於藉由成形爐之爐壁即成形爐壁所包圍之成形空間中的成形體；成形步驟，其使用下拉法而於上述成形體中由熔融玻璃成形片材玻璃；緩冷步驟，其於位於上述成形空間下方之空間、且藉由緩冷爐之爐壁即緩冷爐壁所包圍之緩冷空間中緩冷上述片材玻璃；及切斷步驟，其於位於上述緩冷爐下方之切斷空間中切斷經緩冷之上述片材玻璃而製成玻璃板；以爐外部空間之氣壓相對於建築物外側之氣壓變得較大之方式進行氣壓控制，該爐外部空間係藉由收容上述成形空間、上述緩冷空間、及上述切斷空間之上述建築物之內壁面、上述成形爐壁之外表面、及上述緩冷爐壁之外表面而劃出之建築物內空間內的位於上述切斷空間之上方者；且於上述氣壓控制步驟中，令上述爐外部空間之氣壓為P1、上述建築物外側之氣壓為P2時，以使0<P1-P2≦40Pa之關係成立之方式控制上述爐外部空間之氣壓。
  2. 如請求項1之玻璃板之製造方法，其中 於上述氣壓控制步驟中，令上述切斷空間之氣壓為P3、上述建築物外側之氣壓為P2時，以使0<P3-P2≦40Pa之關係成立之方式進而控制上述切斷空間之氣壓。
  3. 如請求項2之玻璃板之製造方法，其中於上述氣壓控制步驟中，以上述爐外部空間之氣壓越靠上述片材玻璃之流動方向上游側越大之方式控制上述爐外部空間之氣壓。
  4. 一種玻璃板之製造裝置，其包含：成形爐，其係藉由利用成形爐壁包圍由熔融玻璃成形片材玻璃之成形空間而形成；緩冷爐，其係以位於上述成形爐下方之方式藉由利用緩冷爐壁包圍緩冷上述片材玻璃之緩冷空間而形成；切斷裝置，其配置於位於上述緩冷爐下方之切斷空間，且切斷經緩冷之上述片材玻璃；及氣壓控制機構，其以爐外部空間之氣壓相對於建築物外側之氣壓變得較大之方式進行氣壓控制，該爐外部空間係藉由收容上述成形空間、上述緩冷空間、及上述切斷空間之上述建築物之內壁面、上述成形爐壁之外表面、及上述緩冷爐壁之外表面而劃出之建築物內空間內的位於上述切斷空間之上方者；於上述氣壓控制機構中，令上述爐外部空間之氣壓為P1、上述建築物外側之氣 壓為P2時，以使0<P1-P2≦40Pa之關係成立之方式控制上述爐外部空間之氣壓。
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