TWI597543B - 顯示面板 - Google Patents

Description

顯示面板

本發明提出一種顯示面板，特別是一種液晶顯示面板。

於眾多顯示面板中，液晶顯示面板因僅需少許電力即可顯示高畫質之影像而被廣泛地運用在電視、監視器、筆記型電腦、平板電腦、智慧型手機等之電子產品上。

習知的液晶顯示面板，例如扭轉向列型（twisted nematic，TN）液晶顯示面板因具有視角狹窄之問題，而使得其可應用之範圍受到了限制。因此，後有多種應用不同廣視角技術製造之液晶顯示面板不斷推出，例如，多區域垂直配向型（multi-domain vertical alignment，MVA）液晶顯示面板，透過額外的配向突起物來協助於每個畫素內分割出多個配向區，且可使的位於不同配向區內的液晶分子於施加電壓的情況下會朝向不同的方向傾倒，藉以獲得更廣的視角。

然而，近年來，消費者更加追求於顯示器所提供之顯像品質，以提升其視覺享受，因此對於液晶顯示面板之顯像品質，如色彩飽和度、解析度（resolution）、對比度（contrast ratio）等之規格要求日益嚴苛。

因此，如何開發出具有更佳之顯像品質的液晶顯示面板實為本領域技術人員所欲琢磨的重要課題。

有鑑於此，本發明提出一種顯示面板，透過圖案化絕緣層與畫素電極之圖案設計所造成的地形起伏變化以及邊緣電場來傾倒顯示介質，並改善顯示面板之暗態漏光，藉以提升顯示面板之對比度，並提高穿透率。

在一實施例中，一種顯示面板，包含主動元件陣列基板、對向基板、遮光層、圖案化絕緣層、複數畫素電極以及顯示介質層。對向基板與主動元件陣列基板相對設置。遮光層配置於對向基板，且遮光層具有複數開口區。圖案化絕緣層配置於主動元件陣列基板，且圖案化絕緣層包含複數凸起部與複數交叉凸條。其中，複數凸起部分別沿對應之開口區的周緣設置於遮光層下方，且複數交叉凸條分別位於複數開口區中。複數畫素電極分別對應複數開口區設置於圖案化絕緣層與主動元件陣列基板上，且各畫素電極重疊於凸起部。顯示介質層設置於主動元件陣列基板與對向基板之間。

在一實施例中，一種顯示面板，包含主動元件陣列基板、對向基板、遮光層、圖案化絕緣層、複數畫素電極以及顯示介質層。對向基板與主動元件陣列基板相對設置。遮光層配置於對向基板，且遮光層具有複數開口區。圖案化絕緣層配置於主動元件陣列基板，且圖案化絕緣層包含複數凸起部。其中，複數凸起部分別沿對應之開口區的周緣設置於遮光層下方。複數畫素電極分別對應複數開口區設置於主動元件陣列基板上，且各畫素電極重疊於凸起部。其中，各畫素電極具有位於對應之開口區內的交叉開口。顯示介質層設置於主動元件陣列基板與對向基板之間。

在一實施例中，一種顯示面板，包含主動元件陣列基板、對向基板、遮光層、圖案化絕緣層、複數畫素電極以及顯示介質層。對向基板與主動元件陣列基板相對設置。遮光層配置於對向基板，且遮光層具有複數開口區。圖案化絕緣層配置於主動元件陣列基板，且圖案化絕緣層包含複數凸起塊。其中，複數凸起塊分別位於複數開口區中，且各凸起塊分別具有交叉溝槽。複數畫素電極分別對應複數開口區設置於圖案化絕緣層與主動元件陣列基板上。顯示介質層設置於主動元件陣列基板與對向基板之間。

綜上所述，本發明一實施例之顯示面板，藉由絕緣層之與畫素電極之圖案設計並搭配邊緣電場（fringe field）的效應來控制顯示介質層中之顯示介質的傾倒方向，並改善顯示面板之暗態漏光，藉以提升顯示面板之對比度以及穿透率。

以下在實施方式中詳細敘述本發明之詳細特徵及優點，其內容足以使任何熟習相關技藝者瞭解本發明之技術內容並據以實施，且根據本說明書所揭露之內容、申請專利範圍及圖式，任何熟習相關技藝者可輕易地理解本發明相關之目的及優點。

以下，為了彰顯本發明之特色，各圖式中僅繪出顯示面板之畫素陣列的其中一個畫素單元，且本發明所屬技術領域中具有通常知識者應可理解顯示面板之畫素陣列實際上即是由多個畫素單元組成之陣列所構成。

圖1為本發明第一實施例之顯示面板的局部爆炸概要示意圖，圖2為圖1中圖案化絕緣層的俯視概要示意圖，圖3為圖2疊上畫素電極後的俯視概要示意圖，圖4為圖3疊上遮光層後的俯視概要示意圖，圖5為圖4中沿11剖線的剖面概要示意圖，圖6為圖5中之局部放大概要示意圖，且圖7為本發明第一實施例之顯示面板之顯示介質的傾倒方向概要示意圖。

請參閱圖1至圖7，一種顯示面板100包含主動元件陣列基板110、對向基板120、遮光層130、圖案化絕緣層140、複數畫素電極150以及顯示介質層160。於此，如圖5所示，圖案化絕緣層140、畫素電極150、顯示介質層160、遮光層130與對向基板120係依序疊置於主動元件陣列基板110上。換言之，主動元件陣列基板110與對向基板120間隔設置，而顯示介質層160位於主動元件陣列基板110與對向基板120之間。遮光層130位於對向基板120上。圖案化絕緣層140位於主動元件陣列基板110上。畫素電極150位於圖案化絕緣層140上。

於此，對向基板120具有一配置面120a。對向基板120係以其配置面120a朝向主動元件陣列基板110而相對於主動元件陣列基板110設置。在一實施態樣中，對向基板120可為玻璃基板、石英基板、藍寶石基板或其他合適之硬質基板或可撓式基板等。

遮光層130可用以將顯示面板100之非顯示區域遮擋住而僅留下顯示面板100中用以顯示畫面的顯示區域。因此，遮光層130開設有開口區130c，且此些開口區130c即為所述之顯示區域。其中，各開口區130c可於主動元件陣列基板110上界定出一畫素區域P1的範圍，且此畫素區域P1亦為所述之顯示區域。由於，複數開口區130c係以矩陣形式排列，故遮光層130又可稱為黑矩陣（black matrix，BM）。

於此，開口區130c舉例而言概呈矩形。在一些實施態樣中，開口區130c之長寬比可為2：1。但本發明並非以此為限，開口區130c之長寬比亦可為1:1，此皆端視設計而定。

在一些實施態樣中，遮光層130之材料可為黑色樹脂、有機遮光材料或其他合適的遮光材料。

在一些實施態樣中，主動元件陣列基板110可為彩色濾光陣列（COA）基板或AOC（array on cell）基板。在一實施態樣中，主動元件陣列基板110包含第一基板111、主動元件陣列（圖未示）以及彩色濾光層（圖未示）。在COA基板之架構中，主動元件陣列與彩色濾光層係依序配置於第一基板111上，而使得彩色濾光層位於主動元件陣列之上；而在AOC基板之架構中，彩色濾光層與主動元件陣列係以此順序配置於第一基板111上，而使得彩色濾光層位於主動元件陣列之下。然而，本發明並非僅限於此， 主動元件陣列基板亦可為非彩色濾光陣列（non-COA）基板，包含基板110以及配置於其上的主動元件陣列（圖未示）。

在另一些實施態樣中，主動元件陣列基板110可為非彩色濾光陣列（non-COA）基板，即不包含彩色濾光層；此時，對向基板120更可包含一彩色濾光層（圖未示），並且此彩色濾光層配置於其配置面120a上。

其中，彩色濾光層可包含紅色、綠色、藍色之光阻彩色層，且每一光阻彩色層可依據設計配置於遮光層130之對應的開口區130c中。

在一些實施態樣中，第一基板111可為玻璃基板、塑膠基板、石英基板、藍寶石基板或其他合適之硬質基板或可撓式基板。在一些實施態樣中，主動元件陣列可為由頂部閘極型薄膜電晶體或底部閘極型薄膜電晶體所構成之陣列。由於主動元件陣列之材料、結構與配置已為本領域之技術人員所周知，故於此不再贅述。

在一實施例中，圖案化絕緣層140包含複數凸起部141以及複數交叉凸條142。其中，複數凸起部141分別對應於複數開口區130c，並且複數交叉凸條142亦分別對應於複數開口區130c。在一實施態樣中，圖案化絕緣層140可由全面覆蓋於主動元件陣列基板110上的一絕緣材料層進行圖案化而形成。在一實施態樣中，圖案化絕緣層140之材料可為無機介電材料，如氧化矽、氮化矽、氮氧化矽等、有機介電材料或有機/無機混合材料。

如圖1與圖4所示，從俯視主動元件陣列基板110之角度來看，各凸起部141沿著對應之開口區130c的周緣而設置於主動元件陣列基板110上。換言之，各凸起部141位於遮光層130之下方，且環設於對應之畫素區域P1的外周緣。在一些實施態樣中，複數凸起部141可以大部分位在遮光層130的下方，僅少部分深入開口區130c。在一些實施態樣中，複數凸起部141可完全位在遮光層130的下方。換言之，在上述態樣中，複數凸起部141並不深入開口區130c對於主動元件陣列基板110的正投影中。

各交叉凸條142則根據對應之開口區130c設置於主動元件陣列基板110上，並且暴露於對應的開口區130c中。換言之，各交叉凸條142係位於對應之畫素區域P1中。

在一實施態樣中，如圖3所示，複數畫素電極150可分別為一整面電極（full-surfaced），而不具有圖案設計，以避免於圖案製作時之製程誤差而形成透鏡缺陷（lens mura），然而本發明並非以此為限。換言之，複數畫素電極150是由全面覆蓋於圖案化絕緣層140上的一透明導電材料層來實現。在一實施態樣中，畫素電極150之材料可為氧化銦錫（ITO）、氧化銦鋅（IZO）或氧化銦鎵（IGO）等。

在此實施例中，各畫素電極150可分別根據對應之開口區130c設置主動元件陣列基板110上之畫素區域P1中，且每一畫素電極150可與位於畫素區域P1之外圍的凸起部141重疊。於此，每一畫素電極150之外圈周緣部分可覆蓋於凸起部141上，換言之，每一畫素電極150之外圈周緣部分可延伸至遮光層130之下。

顯示介質層160包含複數顯示介質161，且複數顯示介質161夾設於主動元件陣列基板110與對向基板120之間。在一實施態中，顯示介質161可為液晶分子。在一實施態中，顯示介質161可選用負型垂直配向的液晶分子，以有效提升顯示面板100之對比度。

在一實施態樣中，各畫素電極150覆蓋於凸起部141上之寬度實質上至少為2微米（μm）。換言之，各畫素電極150之外圈周緣部分延伸至遮光層130底下之寬度實質上至少為2微米（μm），以提高顯示介質層160中位於畫素區域P1之周緣的顯示介質161的液晶效率，藉以提高顯示面板100於畫素區域P1之周緣的穿透率以及顯示面板100的顯示效果。

在一實施態樣中，凸起部141至畫素區域P1的最短距離實質上可介在0微米（μm）至5微米（μm）之間。凸起部141之一側可與畫素區域P1之邊緣切齊，而並不延伸進入畫素區域P1中。如此一來，透過調整凸起部141至畫素區域P1的最短距離可改善顯示面板100之暗態漏光，進而可提高顯示面板100之對比度。此外，由於畫素區域P1之開口率亦相對提高，故亦可達到提高顯示面板100之穿透率的效果。

在本實施例中，如圖2所示，圖案化絕緣層140之每一凸起部141可包含複數分支1411。複數分支1411沿著開口區130c之周緣對應設置於主動元件陣列基板110上，而環設於畫素區域P1之外圍。其中，每一分支1411可為一凸條。但本發明並非以此為限。

在一實施態樣中，分支1411可呈平行四邊形，但本發明並非僅限於此，分支1411亦可呈長條形或長橢圓形等。

於此，各分支1411彼此間隔配置，且分別指向暴露於開口區130c中之交叉凸條142，以使顯示介質層160中鄰近於此些分支1411的顯示介質161可沿分支1411的指向而朝向位於畫素區域P1內部之交叉凸條142傾倒，進而藉由骨牌效應推壓與其鄰近的其他顯示介質161，而使得顯示介質層160中的複數顯示介質161可知其傾倒趨勢係由外部朝向內部傾倒。

在本實施例中，如圖2與圖7所示，畫素區域P1可根據交叉凸條142分成四個配向區（以下，分別稱之為第一配向區P11、第二配向區P12、第三配向區P13與第四配向區P14）；複數分支1411可分成四組（以下，分別稱之為第一分支組A1、第二分支組A2、第三分支組A3與第四分支組A4），且每一分支組A1-A4可分別沿不同方向延伸。

第一分支組A1位於第一配向區P11之外側，並且可沿第一方向D1延伸，以使位於第一配向區P11的複數顯示介質161沿第一方向D1傾倒；第二分支組A2位於第二配向區P12之外側，並且可沿第二方向D2延伸，以使位於第二配向區P12的複數顯示介質161沿第二方向D2傾倒；第三分支組A3位於第三配向區P13之外側，並且可沿第三方向D3延伸，以使位於第三配向區P13的複數顯示介質161沿第三方向D3傾倒；且第四分支組A4位於第四配向區P14之外側，並且可沿第四方向D4延伸，以使位於第四配向區P14的複數顯示介質161沿第四方向D4傾倒。其中，第一方向D1、第二方向D2、第三方向D3與第四方向D4為四個指向配向區P11-P14所形成之中心交界點Q的不同方向。

於此，若以X軸為基準，並且以順時針方向為正向，則第一方向D1與X軸的夾角可為介於0度到90度之間任何角度；第二方向D2與X軸的夾角可為介於90度到180度之間任何角度；第三方向D3與X軸的夾角可為介於180度到270度之間任何角度；且第四方向D4與X軸的夾角可為介於270度到360度之間任何角度。舉例而言，第一方向D1、第二方向D2、第三方向D3及第四方向D4與X軸的夾角實質上可分別為45度、135度、225度與315度，但本發明並非以此為限。

此外，各分支組A1-A4內的所有分支1411亦非僅限定皆沿同一方向延伸。換言之，各分支組A1-A4內的各分支1411亦可沿兩個以上的方向延伸。舉例而言，假設第一分支組A1包含四個分支1411，且分別沿四個第一方向D1延伸時，此四個第一方向D1與X軸的夾角可分別為20度、45度、60度與75度，但本發明並非以此為限。又假設第二分支組A2包含四個分支1411，且分別沿二個第二方向D2延伸時，此二個第二方向D2與X軸的夾角可分別為120度與150度，但本發明並非以此為限。同樣地，第三分支組A3與第四分支組A4亦同，故於此不再舉例。

於此，各分支組A1-A4中任一相鄰二分支1411之間可相隔一分支間距S1，且各分支1411具有一分支寬度L1。

圖8為第一實施例中分支寬度為3微米且分支間距為3微米時於光學顯微鏡下所拍攝的顯示畫面，圖9為第一實施例中分支寬度為4微米且分支間距為2微米時於光學顯微鏡下所拍攝的顯示畫面，圖10為第一實施例中分支寬度為4微米且分支間距為4微米時於光學顯微鏡下所拍攝的顯示畫面，圖11為第一實施例中分支寬度為5微米且分支間距為3微米時於光學顯微鏡下所拍攝的顯示畫面，圖12為第一實施例中分支寬度為5微米且分支間距為5微米時於光學顯微鏡下所拍攝的顯示畫面，且圖13為第一實施例中分支寬度為3微米且分支間距為5微米時於光學顯微鏡下所拍攝的顯示畫面。請參閱圖8至圖13，在一實施態樣中，分支寬度L1與分支間距S1的總和實質上可介於6微米（μm）至10微米（μm）之間，以使鄰近之顯示介質161可有較穩定之倒向。此外，分支寬度L1與分支間距S1的比值實質上可介在0.6至2之間，以使顯示面板100可獲得較好的顯示效果。其中，如圖13所示，當分支間距S1大於分支寬度L1時，顯示面板100在畫素區域P1之邊緣處可具有較高的穿透率以及液晶效率。

如圖3與圖4所示，圖案化絕緣層140之交叉凸條142位於畫素區域P1中，以使顯示面板100於各畫素區域P1中因四個配向區P11-P14之交界所產生之交叉暗紋線可鎖在各交叉凸條142之所在處。

交叉凸條142可包含第一支部1421與第二支部1422，且第一支部1421相交第二支部1422。於此，第一支部1421與第二支部1422的交會點實質上可位在畫素區域P1之中心，但本發明並非以此為限。在一實施態樣中，如圖14所示，第一支部1421與第二支部1422的交會點亦可偏離畫素區域P1之中心。

此外，如圖1所示，第一支部1421可沿平行於畫素區域P1之第一邊L11延伸，且第二支部1422可沿平行於畫素區域P1之第二邊L12延伸。其中，畫素區域P1之第一邊L11平行於開口區130c之第一邊L21，畫素區域P1之第二邊L12平行於開口區130c之第二邊L22，且開口區130c之第一邊L21垂直於第二邊L22。換言之，交叉凸條142之第一支部1421係可垂直於第二支部1422。

在本實施例中，第一支部1421與第二支部1422可為單純的直條狀結構。然而，本發明並非僅限於此，在一實施態樣中，如圖15所示，於第一支部1421與第二支部1422之直條狀結構的周緣更可具有棘齒結構之設計。而在另一實施態樣中，如圖16與圖17所示，第一支部1421之寬度與第二支部1422之寬度可分別自其交會處朝其二末端處逐漸縮減。於此，第一支部1421之寬度與第二支部1422之寬度縮減可為一連續態樣，如圖16所示，但本發明並非以此為限，第一支部1421之寬度與第二支部1422之寬度縮減亦可為一不連續態樣，而使得其周緣呈現階梯狀，如圖17所示。然而，無論第一支部1421與第二支部1422之變化態樣為何（例如，如圖15至圖17所示之變化態樣），顯示面板100之顯示介質161於各畫素區域P1中仍可有穩定的傾倒方向。換言之，顯示面板100對於交叉凸條142於製程變異上之容忍度是相當大的。

圖18為第一實施例中第一支部與第二支部之寬度為2微米時於光學顯微鏡下所拍攝的顯示畫面，圖19為第一實施例中第一支部與第二支部之寬度為4微米時於光學顯微鏡下所拍攝的顯示畫面，圖20為第一實施例中第一支部與第二支部之寬度為6微米時於光學顯微鏡下所拍攝的顯示畫面，且圖21為第一實施例中第一支部與第二支部之寬度為8微米時於光學顯微鏡下所拍攝的顯示畫面。請參閱圖18至圖21，在一實施態樣中，第一支部1421之寬度與第二支部1422之寬度實質上可介在2微米（μm）至8微米（μm）之間，以使得於畫素區域P1中所產生之交叉暗紋線可顯得較不明顯，藉以提升顯示面板100的穿透率。其中，如圖18所示，當第一支部1421之寬度與第二支部1422之寬度實質上為2微米（μm）時，所產生之交叉暗紋線的寬度最小。

圖22為第一實施例中圖案化絕緣層之高度為0.1微米時於光學顯微鏡下所拍攝的顯示畫面，圖23為第一實施例中圖案化絕緣層之高度為0.3微米時於光學顯微鏡下所拍攝的顯示畫面，圖24為第一實施例中圖案化絕緣層之高度為0.5微米時於光學顯微鏡下所拍攝的顯示畫面，且圖25為第一實施例中圖案化絕緣層之高度為0.8微米時於光學顯微鏡下所拍攝的顯示畫面。請參閱圖22至圖25，在一實施態樣中，圖案化絕緣層140之高度（厚度）實質上大於0且小於或等於0.5微米（μm），以使顯示面板100可獲得較好的顯示效果。其中，如圖23所示，當圖案化絕緣層140之高度（厚度）實質上為0.3微米（μm）時，顯示面板100之顯示效果可優於其他高度下的顯示效果。

復參閱圖6，圖案化絕緣層140之側邊與主動元件陣列基板110之間可具有傾角θ。在一實施態樣中圖案化絕緣層140中各交叉凸條142之側邊的傾角θ實質上大於70度且小於或等於90度，以使顯示面板100可獲得較好之顯示效果。

圖26為本發明第二實施例之顯示面板的局部爆炸概要示意圖，圖27為圖26中圖案化絕緣層與畫素電極的俯視概要示意圖，圖28為本發明第二實施例之顯示面板沿圖27中22剖線的剖面概要示意圖，且圖29為本發明第二實施例之顯示面板之顯示介質的傾倒方向概要示意圖。

請參閱圖26至圖29，一種顯示面板200包含主動元件陣列基板210、對向基板220、遮光層230、圖案化絕緣層240、複數畫素電極250以及顯示介質層260。於此，如圖28所示，圖案化絕緣層240、畫素電極250、顯示介質層260、遮光層230與對向基板220係依序疊置於主動元件陣列基板210上。

其中，主動元件陣列基板210、對向基板220、遮光層230以及顯示介質層260的結構態樣大致上與第一實施例中之主動元件陣列基板110、對向基板120、遮光層130以及顯示介質層160的結構態樣相同，故不再贅述。

圖案化絕緣層240配置於主動元件陣列基板210上。其中，圖案化絕緣層包含複數凸起部241，且複數凸起部241可分別沿遮光層230中對應之開口區230c的周緣而設置於主動元件陣列基板210上。因此，如圖26所示，各凸起部241係環設於對應之畫素區域P2的外周緣，且因各凸起部241之厚度而可於畫素區域P2的外圍處形成斷差面。

圖30為第二實施例中凸起部高度為0.5微米時於光學顯微鏡下所拍攝的顯示畫面，且圖30為第二實施例中凸起部高度為0.8微米時於光學顯微鏡下所拍攝的顯示畫面。請參閱圖30與圖31，在一實施態樣中，圖案化絕緣層240之高度（厚度）實質上至少大於或等於0.5微米（μm），以使更多鄰近於凸起部241之顯示介質261可因此斷差面的高度變化而傾倒，進而可使得顯示面板200於此畫素區域P2之周緣的穿透率可較高。於此，當圖案化絕緣層240之高度實質上為0.8微米（μm）時，顯示面板200所獲得的顯示效果較圖案化絕緣層240之高度實質上為0.5微米（μm）時更好。

復參閱圖27，凸起部241可包含至少四幹部（以下分別稱之為第一幹部2411、第二幹部2412、第三幹部2413與第四幹部2414）。其中，第一幹部2411、第二幹部2412、第三幹部2413與第四幹部2414依序相接，且分別對應於遮光層230之開口區230c之周緣設置於畫素區域P2之外圍。

於此，第一幹部2411、第二幹部2412、第三幹部2413與第四幹部2414可為直條狀結構，而構成概呈矩形框體之凸起部241。然而，本發明並非僅限於此，第一幹部2411、第二幹部2412、第三幹部2413與第四幹部2414除可為直條狀結構外，更可具有漸變設計。

圖32為第二實施例中凸起部呈漸變設計的概要示意圖。請參閱圖32，凸起部241可呈漸變之態樣，例如：凸起部241由兩端至中段漸縮（如圖示中虛線所示之凸起部241的內邊緣由中段向兩端朝遠離外邊緣的方向傾斜）。於此，第一幹部2411、第二幹部2412、第三幹部2413與第四幹部2414之寬度分別可自其中央處至其二端處逐漸增加。

在一實施態樣中，第一幹部2411之中央處之寬度與其二端處之寬度的差實質上可為3微米（μm），同樣地，第二幹部2412、第三幹部2413與第四幹部2414之中央處之寬度與其二端處之寬度的差可與第一幹部2411相同。

圖33為第二實施例中凸起部具有週期性島狀結構的概要示意圖。請參閱圖33，凸起部241之內周緣更可設有週期性的島狀結構243（如圖示中虛線所示之凸起部241的內邊緣），以提高顯示面板200之液晶效率以及透光度。在一實施態樣中，島狀結構243可呈平行四邊形，且此具有週期性島狀結構243的凸起部241可以對角線為軸線而呈線對稱，但本發明並非以此為限。

在一實施態樣中，每一島狀結構243的深度實質上可介在2微米（μm）至4微米（μm）間。

圖34為第二實施例中凸起部之側邊的傾角為45度時於光學顯微鏡下所拍攝的顯示畫面，圖35為第二實施例中凸起部之側邊的傾角為70度時於光學顯微鏡下所拍攝的顯示畫面，且圖36為第二實施例中凸起部之側邊的傾角為83度時於光學顯微鏡下所拍攝的顯示畫面。請參閱圖34至圖36，在一實施態樣中，當凸起部241之側邊的傾角（即，凸起部241與主動元件陣列基板210之設置面之間的夾角）實質上大於45度且小於或等於90度時，顯示面板200可獲得較好之顯示效果。其中，如圖36所示，當凸起部241之側邊的傾角實質上等於83度時，顯示面板200之顯示效果可優於其他角度下的顯示效果。

圖37為第二實施例中凸起部具有倒角的概要示意圖。請參閱圖37，在一實施態樣中，凸起部241於對應於開口區230c之內緣角落處可具有倒角244之設計結構（如圖示中虛線所示之凸起部241的內邊緣）。於此，倒角244可設置於第一幹部2411與第二幹部2412之相接處、第二幹部2412與第三幹部2413之相接處、第三幹部2413與第四幹部2414之相接處及/或第四幹部2414與第一幹部2411之相接處。於此，當倒角244之角度實質上介在35度至55度之間時，並不會影響到位於畫素區域P2中之顯示介質261的倒向。此外，於倒角244之倒角面上更可具有鋸齒結構。

圖38為第二實施例中凸起部具有角槽的概要示意圖。請參閱圖38，在一實施態樣中，凸起部241於對應於開口區230c之至少一內緣角落處更可具有角槽245之設計結構（如圖示中虛線所示之凸起部241的內邊緣），以優化位於畫素區域P2角落之顯示介質261的倒向，來使得顯示面板200可獲取較好之顯示效果。同樣地，於角槽245之內壁上亦可設有鋸齒結構。

複數畫素電極250可分別對應遮光層230之開口區230c設置於主動元件陣列基板210上之畫素區域P2中，且畫素電極250之外圈周緣部分可重疊於凸起部241。於此，畫素電極250之外圈周緣部分至少需覆蓋過凸起部241之斷差面。換言之，畫素電極250覆蓋於凸起部241上之寬度實質上可介在0微米（μm）至8微米（μm）之間。

圖39為第二實施例中畫素電極覆蓋於凸起部上之寬度為0微米時於光學顯微鏡下所拍攝的顯示畫面，圖40為第二實施例中畫素電極覆蓋於凸起部上之寬度為2微米時於光學顯微鏡下所拍攝的顯示畫面，圖41為第二實施例中畫素電極覆蓋於凸起部上之寬度為4微米時於光學顯微鏡下所拍攝的顯示畫面，且圖42為第二實施例中畫素電極覆蓋於凸起部上之寬度為8微米時於光學顯微鏡下所拍攝的顯示畫面。請參閱圖39至圖42，當畫素電極250覆蓋於凸起部241上之寬度越大時，其顯示面板200之顯示效果越好。

在第二實施例中，各畫素電極250可為整面電極，且其在對應於開口區230c之處開設有交叉開口251。然而，本發明並非以此為限，畫素電極250亦可由四個分離之區塊電極所組成，且四個區塊電極彼此相隔一間距，以於其間形成所述之交叉開口251。

於此，顯示面板200可於畫素電極250之交叉開口251處產生強烈而均勻的邊緣電場，以使得顯示介質261於受到邊緣電場驅動時，可自交叉開口251之交會處朝外部傾倒，如圖29所示，藉以使得顯示面板200於畫素區域P2中對應於交叉開口251處所形成之交叉暗紋線的寬度可縮小。

交叉開口251可包含第一剖縫2511與第二剖縫2512，且第一剖縫2511相交於第二剖縫2512。於此，第一剖縫2511可沿平行於畫素區域P2之第一邊L31延伸，第二剖縫2512可沿平行於畫素區域P2之第二邊L32延伸。其中，畫素區域P2之第一邊L31平行於開口區230c之第一邊L41，畫素區域P2之第二邊L32平行於開口區230c之第二邊L42，且開口區230c之第一邊L41垂直於第二邊L42。換言之，第一剖縫2511係可垂直於第二剖縫2512。

於此，第一剖縫2511與第二剖縫2512之交會處可位在畫素區域P2之中心，但本發明並非以此為限。

圖43為第二實施例中剖縫寬度為3微米時於光學顯微鏡下所拍攝的顯示畫面，圖44為第二實施例中剖縫寬度為5微米時於光學顯微鏡下所拍攝的顯示畫面，且圖45為第二實施例中剖縫寬度為8微米時於光學顯微鏡下所拍攝的顯示畫面。請參閱圖43至圖45，在一實施態樣中，第一剖縫2511之寬度與第二剖縫2512之寬度實質上可介在3微米（μm）至8微米（μm）之間。其中，如圖43所示，當第一剖縫2511之寬度與第二剖縫2512之寬度實質上為3微米（μm）時，顯示面板200於畫素區域P2上所產生之交叉暗紋線可具有最小寬度。

圖46為第二實施例中主區塊與至少一突出部的概要示意圖。請參閱圖46，畫素電極250可包含主區塊M1以及至少一突出部M2。於此，以四個突出部M2為例，但本發明並非僅限於此。主區塊M1概呈矩形且位於畫素區域P2中，並開設有交叉開口251。其中，主區塊M1部分大致上與前述之態樣相同。而突出部M2則分別位於主區域M1之四角落而突出於主區塊M1，且位於凸起部241之上，以將位於畫素區域P2角落處之顯示介質261推至更外圍，藉以提高畫素區域P2角落處之液晶效率。

圖47為第二實施例中凸起部具有溝槽的概要示意圖。請參閱圖47，凸起部241更可包含複數溝槽242，分別相對於第一剖縫2511之二端以及第二剖縫2512之二端處設置，以增加顯示介質261於此處的穩定性。於此，開設有複數溝槽242之凸起部241概呈四個L型角框。換言之，凸起部241可由四個呈L型角框之第一幹部2411、第二幹部2412、第三幹部2413以及第四幹部2414所構成，且此四個呈L型角框之第一幹部2411、第二幹部2412、第三幹部2413以及第四幹部2414彼此相隔之間距即為所述之複數溝槽242。

圖48為第二實施例中未開設溝槽時於光學顯微鏡下所拍攝的顯示畫面，圖49為第二實施例中溝槽寬度為3微米時於光學顯微鏡下所拍攝的顯示畫面，且圖50為第二實施例中溝槽寬度為8微米時於光學顯微鏡下所拍攝的顯示畫面。請參閱圖48至圖50，就顯示效果而言，於凸起部241開設有溝槽242之顯示面板200更能增加顯示節點鎖住的穩定性。在一實施態樣中，溝槽242之寬度實質上可介在3微米（μm）至8微米（μm）之間。

圖51為本發明第三實施例之顯示面板的局部爆炸概要示意圖，圖52為圖51中圖案化絕緣層與畫素電極的俯視概要示意圖，且圖53為本發明第三實施例之顯示面板沿圖52中33剖線的剖面概要示意圖。請參閱圖51至圖53，一種顯示面板300包含主動元件陣列基板310、對向基板320、遮光層330、圖案化絕緣層340、複數畫素電極350以及顯示介質層360。於此，如圖50所示，圖案化絕緣層340、畫素電極350、顯示介質層360、遮光層330與對向基板320係依序疊置於主動元件陣列基板310上。

其中，主動元件陣列基板310、對向基板320、遮光層330以及顯示介質層360的結構態樣大致上與第一實施例中之主動元件陣列基板110、對向基板120、遮光層130以及顯示介質層160的結構態樣相同，故不再贅述。

圖案化絕緣層340包含複數凸起塊341。各凸起塊341概呈矩形塊體，且分別根據遮光層330中對應之開口區330c配置於主動元件陣列基板310上之畫素區域P3中。在一實施態樣中，凸起塊341之大小可實質上與開口區330c（或畫素區域P3）之大小相同。

各凸起塊341上可開設有交叉溝槽342，以使圖案化絕緣層340可於畫素區域P3中具有地形起伏之變化。於此，此交叉溝槽342可使得凸起塊341被分割成四個分離塊體3411-3414。在一實施態樣中，交叉溝槽342可使得凸起塊341上被分隔成四個大小實質上相等的分離塊體3411-3414，但本發明並不以此為限。

圖54為第三實施例中圖案化絕緣層之高度為0.5微米時於光學顯微鏡下所拍攝的顯示畫面，且圖55為第三實施例中圖案化絕緣層之高度為0.8微米時於光學顯微鏡下所拍攝的顯示畫面。請參閱圖54與圖55，在一實施態樣中，凸起塊341之高度（厚度）實質上至少大於或等於0.5（μm）時，顯示面板300可獲得較好的顯示效果。

在一實施態樣中，凸起塊341之側邊的傾角（即，凸起塊341與主動元件陣列基板310之設置面之間的夾角）實質上大於83度且小於或等於90度，顯示面板300可獲得較好之顯示效果。

如圖51與圖52所示，複數畫素電極350可分別為一整面電極（full-surfaced），而不具有圖案設計，以避免於圖案製作時之製程誤差而形成透鏡缺陷（lens mura），然而本發明並非以此為限。

各畫素電極350可根據遮光層330中對應之開口330c設置，而疊置於位在畫素區域P2中之凸起塊341上。其中，如圖53所示，因凸起塊341上開設有交叉溝槽342，故畫素電極350於對應交叉溝槽342之部分會凹陷於交叉溝槽342之中。

於此，畫素電極350之外部周緣部分可突出於凸起塊341之周緣，以使顯示面板300可獲得較好之顯示效果。其中，當畫素電極350之外部周緣部分突出於凸起塊341之周緣時，畫素電極350於其外部周緣部分以及對應於交叉溝槽342之部分會呈現凹下之地形，而其餘部分則會呈現凸起之地形。然而，本發明並非以此為限，畫素電極350之外部周緣部分亦可實質上與凸起塊341之周緣切齊，如圖56所示。

圖57為第三實施例中畫素電極突出於凸起塊之寬度為0微米時於光學顯微鏡下所拍攝的顯示畫面，且圖58為第三實施例中畫素電極突出於凸起塊之寬度為2微米時於光學顯微鏡下所拍攝的顯示畫面。請參閱圖57與圖58，當畫素電極350之外部周緣部分突出於凸起塊341之上時，其顯示效果會較畫素電極350之外部周緣部與凸起塊341之周緣切齊的顯示效果更好。

在本實施例中，由於畫素電極350於對應於交叉溝槽342之部分係呈凹下地形，故當顯示介質361被驅動時，位於此畫素區域P3中之複數顯示介質361可朝向交叉溝槽342之交會處傾倒，如圖59所示，其中箭頭方向用以表示顯示介質361的傾倒方向。

綜上所述，本發明一實施例之顯示面板，藉由絕緣層之與畫素電極之圖案設計並搭配邊緣電場（fringe field）的效應來控制顯示介質層中之顯示介質的傾倒方向，並改善顯示面板之暗態漏光，藉以提升顯示面板之對比度以及穿透率。

本發明之技術內容已以較佳實施例揭示如上述，然其並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神所做些許之更動與潤飾，皆應涵蓋於本發明之範疇內，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

100‧‧‧顯示面板

110‧‧‧主動元件陣列基板

111‧‧‧第一基板

120‧‧‧對向基板

130‧‧‧遮光層

130c‧‧‧開口區

140‧‧‧圖案化絕緣層

141‧‧‧凸起部

1411‧‧‧分支

142‧‧‧交叉凸條

1421‧‧‧第一支部

1422‧‧‧第二支部

150‧‧‧畫素電極

160‧‧‧顯示介質層

161‧‧‧顯示介質

200‧‧‧顯示面板

210‧‧‧主動元件陣列基板

220‧‧‧對向基板

230‧‧‧遮光層

230c‧‧‧開口區

240‧‧‧圖案化絕緣層

241‧‧‧凸起部

2411‧‧‧第一幹部

2412‧‧‧第二幹部

2413‧‧‧第三幹部

2414‧‧‧第四幹部

242‧‧‧溝槽

243‧‧‧島狀結構

244‧‧‧倒角

245‧‧‧角槽

250‧‧‧畫素電極

251‧‧‧交叉開口

2511‧‧‧第一剖縫

2512‧‧‧第二剖縫

260‧‧‧顯示介質層

261‧‧‧顯示介質

300‧‧‧顯示面板

310‧‧‧主動元件陣列基板

320‧‧‧對向基板

330‧‧‧遮光層

330c‧‧‧開口區

340‧‧‧圖案化絕緣層

341‧‧‧凸起塊

342‧‧‧交叉溝槽

3411-3414‧‧‧分離塊體

350‧‧‧畫素電極

360‧‧‧顯示介質層

361‧‧‧顯示介質

A1‧‧‧第一分支組

A2‧‧‧第二分支組

A3‧‧‧第三分支組

A4‧‧‧第四分支組

D1‧‧‧第一方向

D2‧‧‧第二方向

D3‧‧‧第三方向

D4‧‧‧第四方向

L1‧‧‧分支寬度

L11‧‧‧第一邊

L12‧‧‧第二邊

L21‧‧‧第一邊

L22‧‧‧第二邊

L31‧‧‧第一邊

L32‧‧‧第二邊

L41‧‧‧第一邊

L42‧‧‧第二邊

P1‧‧‧畫素區域

P11‧‧‧第一配向區

P12‧‧‧第二配向區

P13‧‧‧第三配向區

P14‧‧‧第四配向區

P2‧‧‧畫素區域

P3‧‧‧畫素區域

Q‧‧‧中心交界點

S1‧‧‧分支間距

θ‧‧‧傾角

120a‧‧‧配置面

M1‧‧‧主區塊

M2‧‧‧突出部

[圖1]為本發明第一實施例之顯示面板的局部爆炸概要示意圖。 [圖2]為圖1中圖案化絕緣層的俯視概要示意圖。 [圖3]為圖2疊上畫素電極後的俯視概要示意圖。 [圖4]為圖3疊上遮光層後的俯視概要示意圖。 [圖5]為圖4中沿11剖線的剖面概要示意圖。 [圖6]為圖5中之局部放大概要示意圖。 [圖7]為本發明第一實施例之顯示面板之顯示介質的傾倒方向概要示意圖。 [圖8]為第一實施例中分支寬度為3微米且分支間距為3微米時於光學顯微鏡下所拍攝的顯示畫面。 [圖9]為第一實施例中分支寬度為4微米且分支間距為2微米時於光學顯微鏡下所拍攝的顯示畫面。 [圖10]為第一實施例中分支寬度為4微米且分支間距為4微米時於光學顯微鏡下所拍攝的顯示畫面。 [圖11]為第一實施例中分支寬度為5微米且分支間距為3微米時於光學顯微鏡下所拍攝的顯示畫面。 [圖12]為第一實施例中分支寬度為5微米且分支間距為5微米時於光學顯微鏡下所拍攝的顯示畫面。 [圖13]為第一實施例中分支寬度為3微米且分支間距為5微米時於光學顯微鏡下所拍攝的顯示畫面。 [圖14]為第一實施例中交叉凸條之交會點偏離畫素區域之中心的概要示意圖。 [圖15]為第一實施例中交叉凸條之周緣具有棘齒結構的概要示意圖。 [圖16]為第一實施例中交叉凸條自交會處至各末端逐漸縮減的概要示意圖。 [圖17]為第一實施例中交叉凸條之周緣呈階梯狀的概要示意圖。 [圖18]為第一實施例中第一支部與第二支部之寬度為2微米時於光學顯微鏡下所拍攝的顯示畫面。 [圖19]為第一實施例中第一支部與第二支部之寬度為4微米時於光學顯微鏡下所拍攝的顯示畫面。 [圖20]為第一實施例中第一支部與第二支部之寬度為6微米時於光學顯微鏡下所拍攝的顯示畫面。 [圖21]為第一實施例中第一支部與第二支部之寬度為8微米時於光學顯微鏡下所拍攝的顯示畫面。 [圖22]為第一實施例中圖案化絕緣層之高度為0.1微米時於光學顯微鏡下所拍攝的顯示畫面。 [圖23]為第一實施例中圖案化絕緣層之高度為0.3微米時於光學顯微鏡下所拍攝的顯示畫面。 [圖24]為第一實施例中圖案化絕緣層之高度為0.5微米時於光學顯微鏡下所拍攝的顯示畫面。 [圖25]為第一實施例中圖案化絕緣層之高度為0.8微米時於光學顯微鏡下所拍攝的顯示畫面。 [圖26]為本發明第二實施例之顯示面板的局部爆炸概要示意圖。 [圖27]為圖26中圖案化絕緣層與畫素電極的俯視概要示意圖。 [圖28]為本發明第二實施例之顯示面板沿圖27中22剖線的剖面概要示意圖。 [圖29]為本發明第二實施例之顯示面板之顯示介質的傾倒方向概要示意圖。 [圖30]為第二實施例中凸起部高度為0.5微米時於光學顯微鏡下所拍攝的顯示畫面。 [圖31]為第二實施例中凸起部高度為0.8微米時於光學顯微鏡下所拍攝的顯示畫面。 [圖32]為第二實施例中凸起部呈漸變設計的概要示意圖。 [圖33]為第二實施例中凸起部具有週期性島狀結構的概要示意圖。 [圖34]為第二實施例中凸起部之側邊的傾角為45度時於光學顯微鏡下所拍攝的顯示畫面。 [圖35]為第二實施例中凸起部之側邊的傾角為70度時於光學顯微鏡下所拍攝的顯示畫面。 [圖36]為第二實施例中凸起部之側邊的傾角為83度時於光學顯微鏡下所拍攝的顯示畫面。 [圖37]為第二實施例中凸起部具有倒角的概要示意圖。 [圖38]為第二實施例中凸起部具有角槽的概要示意圖。 [圖39]為第二實施例中畫素電極覆蓋於凸起部上之寬度為0微米時於光學顯微鏡下所拍攝的顯示畫面。 [圖40]為第二實施例中畫素電極覆蓋於凸起部上之寬度為2微米時於光學顯微鏡下所拍攝的顯示畫面。 [圖41]為第二實施例中畫素電極覆蓋於凸起部上之寬度為4微米時於光學顯微鏡下所拍攝的顯示畫面。 [圖42]為第二實施例中畫素電極覆蓋於凸起部上之寬度為8微米時於光學顯微鏡下所拍攝的顯示畫面。 [圖43]為第二實施例中剖縫寬度為3微米時於光學顯微鏡下所拍攝的顯示畫面。 [圖44]為第二實施例中剖縫寬度為5微米時於光學顯微鏡下所拍攝的顯示畫面。 [圖45]為第二實施例中剖縫寬度為8微米時於光學顯微鏡下所拍攝的顯示畫面。 [圖46]為第二實施例中主區塊與至少一突出部的概要示意圖。 [圖47]為第二實施例中凸起部具有溝槽的概要示意圖。 [圖48]為第二實施例中未開設溝槽時於光學顯微鏡下所拍攝的顯示畫面。 [圖49]為第二實施例中溝槽寬度為3微米時於光學顯微鏡下所拍攝的顯示畫面。 [圖50]為第二實施例中溝槽寬度為8微米時於光學顯微鏡下所拍攝的顯示畫面。 [圖51]為本發明第三實施例之顯示面板的局部爆炸概要示意圖。 [圖52]為圖51中圖案化絕緣層與畫素電極的俯視概要示意圖。 [圖53]為本發明第三實施例之顯示面板沿圖52中33剖線的剖面概要示意圖。 [圖54]為第三實施例中圖案化絕緣層之高度為0.5微米時於光學顯微鏡下所拍攝的顯示畫面。 [圖55]為第三實施例中圖案化絕緣層之高度為0.8微米時於光學顯微鏡下所拍攝的顯示畫面。 [圖56]為第三實施例中複數電極之周緣與凸起塊之周緣切齊的概要示意圖。 [圖57]為第三實施例中畫素電極突出於凸起塊之寬度為0微米時於光學顯微鏡下所拍攝的顯示畫面。 [圖58]為第三實施例中畫素電極突出於凸起塊之寬度為2微米時於光學顯微鏡下所拍攝的顯示畫面。 [圖59]為本發明第三實施例之顯示面板之顯示介質的傾倒方向概要示意圖。

130‧‧‧遮光層

130c‧‧‧開口區

140‧‧‧圖案化絕緣層

141‧‧‧凸起部

1411‧‧‧分支

142‧‧‧交叉凸條

1421‧‧‧第一支部

1422‧‧‧第二支部

150‧‧‧畫素電極

160‧‧‧顯示介質層

L11‧‧‧第一邊

L12‧‧‧第二邊

L21‧‧‧第一邊

L22‧‧‧第二邊

P1‧‧‧畫素區域

Claims (12)

1. 一種顯示面板，包含：一主動元件陣列基板；一對向基板，與該主動元件陣列基板相對設置；一遮光層，配置於該對向基板，該遮光層具有複數開口區；一圖案化絕緣層，配置於該主動元件陣列基板，包含複數凸起部與複數交叉凸條，該複數凸起部分別沿對應之該開口區之周緣設置於該遮光層下，該複數交叉凸條分別位於該複數開口區中，其中各該交叉凸條與該凸起部彼此相隔，各該凸起部包含複數分支，該複數分支對應於該開口區之周緣間隔配置，該複數分支指向該交叉凸條；複數畫素電極，分別對應該複數開口區設置於該圖案化絕緣層與該主動元件陣列基板上，且各該畫素電極重疊於該凸起部；及一顯示介質層，設置於該主動元件陣列基板與該對向基板之間。
2. 如請求項1所述的顯示面板，其中各該交叉凸條之側邊的傾角大於70度且小於或等於90度。
3. 如請求項1至2任一項所述的顯示面板，其中各該交叉凸條包含一第一支部與一第二支部，且該第一支部垂直於該第二支部。
4. 如請求項3所述的顯示面板，其中各該第一支部與各該第二支部為直條狀結構。
5. 如請求項4所述的顯示面板，其中各該直條狀結構的周緣具有棘齒結構或呈階梯狀。
6. 如請求項4所述的顯示面板，其中在各該交叉凸條中，該第一支部之寬度從與該第二支部之交會處至該第一支部之各末端係逐漸縮減，且該第二支部之寬度從與該第一支部之交會處至該第一支部之各末端係逐漸縮減。
7. 如請求項3所述的顯示面板，其中各該第一支部分別平行於各該開口區之第一邊，各該第二支部分別平行於各該開口區之第二邊，該第二邊垂直於該第一邊。
8. 如請求項3所述的顯示面板，其中各該第一支部之寬度介在2微米至8微米間且各該第二支部之寬度介在2微米至8微米間。
9. 如請求項1所述的顯示面板，其中各該交叉凸條的交會點位在該開口區之中心。
10. 如請求項1所述的顯示面板，其中該複數凸起部完全位在該遮光層下。
11. 如請求項1所述的顯示面板，其中各該分支的寬度與該複數分支中相鄰二者的間距的和介在6微米至10微米之間，各該分支之該寬度與該複數分支中相鄰二者之該間距的比值介在0.6至2之間。
12. 如請求項1所述的顯示面板，其中各該凸起部高度大於0微米且小於0.5微米，各該交叉凸條之高度大於0微米且小於0.5微米。