TWI596756B - 用於顯示面板的母面板及使用該母面板製造顯示面板之方法 - Google Patents
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- TWI596756B TWI596756B TW102131808A TW102131808A TWI596756B TW I596756 B TWI596756 B TW I596756B TW 102131808 A TW102131808 A TW 102131808A TW 102131808 A TW102131808 A TW 102131808A TW I596756 B TWI596756 B TW I596756B
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 229
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 53
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 34
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 17
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 17
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 9
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 8
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 8
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 claims description 5
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 42
- 239000010408 film Substances 0.000 description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 description 13
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 11
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 8
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 3
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KCTAWXVAICEBSD-UHFFFAOYSA-N prop-2-enoyloxy prop-2-eneperoxoate Chemical compound C=CC(=O)OOOC(=O)C=C KCTAWXVAICEBSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 150000002118 epoxides Chemical class 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 2
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 2
- 125000001637 1-naphthyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C(*)=C([H])C([H])=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 1
- RDBHQZLQCUALTF-UHFFFAOYSA-N 4-(4-anilinophenyl)aniline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1C(C=C1)=CC=C1NC1=CC=CC=C1 RDBHQZLQCUALTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
- H10K59/8722—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/842—Containers
- H10K50/8426—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
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- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
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Description
相關申請案之交互參照
本申請案主張於2013年12月13日向韓國智慧財產局申請之韓國專利申請書號10-2012-0145709，且名稱為：”MOTHER PANEL FOR DISPLAY PANEL AND METHOD OF MANUFACTURING DISPLAY PANEL USING THE MOTHER PANEL”之效益，其揭露之全部內容係併入於此作為參照。
實施例係相關於一種用於顯示面板之母面板以及使用母面板製造顯示面板之方法
根據實施例，其提供一種用於顯示面板的母面板，母面板包含第一母基板和第二母基板，其係被配置為彼此分隔開以面對彼此，並且在其中之每一個母基板被定義有為顯示面板所使用之至少一可用區域、以及包圍可用區域之至少一不可用區域；複數個顯示面板圖樣，其係被配置在介於第一母基板和第二母基板之間，並且係被設置在可用區域中彼此分
隔開；密封圖樣，其係用於附著第一母基板與第二母基板，並且密合每一複數個顯示面板圖樣；以及蝕刻停止單元，其係用於防止蝕刻劑滲透於第一母基板和第二母基板之間，且避免第一母基板和第二母基板的至少其中之一的蝕刻靶表面之邊界區域被蝕刻。
密封圖樣可包含密封構件，其被配置以包圍每一複數個顯示密板圖樣；以及虛擬密封構件，其配置於不可用區域以增加介於第一母基板和第二母基板之間的黏合強度。
蝕刻停止單元可包含第一蝕刻停止構件，其用於形成密合於第一母基板和第二母基板之間；以及第二蝕刻停止構件，形成以自第一母基板和第二母基板的至少其中之一的側表面延伸到第一母基板和第二母基板的至少其中之一的蝕刻靶表面之邊界區域。
第二蝕刻停止構件之前端係可比虛擬密封構件之中心位在更靠近(或更遠離)母基板之端部的延伸線的位置。
第一母基板和第二母基板的至少其中之一的長度係可為約在730毫米至約1500毫米。
可用區域的數量係可為單一或複數個。
複數個可用區域可係被配置為彼此分隔開，並且母面板可進一步包含第二蝕刻停止單元，其形成在第一母基板和第二母基板的至少其中之一的蝕刻靶表面上之複數個可用區域之間。
第二蝕刻停止單元之寬度係可在約2毫米至約15毫米。
第一母基板和第二母基板的至少其中之一的長度係可為約1500毫米至約2500毫米。
蝕刻停止單元和第二蝕刻停止單元可由環氧樹脂所形成。
在第一母基板和第二母基板的至少其中之一中，不可用區域之厚度係可大於可用區域之厚度。
第一母基板和第二母基板的至少其中之一的可用區域可具有約在0.2毫米或更小之厚度。
每一複數個顯示面板圖樣可包含第一電極、第二電極、以及中間層，中間層係配置於第一電極和第二電極之間並且包含有機發光層。
每一複數個顯示面板圖樣可進一步包含薄膜電晶體，其係電性連接至第一電極，並且其包含主動層、閘極電極、源極電極、以及汲極電極。
根據另一實施例，其係提供一種顯示面板之製造方法，該方法包含提供用於顯示面板之母面板，母面板包含第一母基板和第二母基板，其係被配置為彼此分隔開以彼此面對，並且在其中的每一個母基板中係定義能夠為顯示面板所使用之至少一可用區域及包圍可用區域之至少一不可用區域、複數個顯示面板圖樣，其係配置在第一母基板和第二母基板之間且係被設置為彼此分隔開於可用區域中、以及密封圖樣，其係用於附著第一母基板和第二母基板，且密合每一複數個顯示面板圖樣；形成蝕刻停止單元，其係介於第一母基板和第二母基板之間、及從第一母基板和第二母基板的至少其中之一的側表面到第一母基板和第二母基板的至少其中之一的蝕刻靶表面之邊界區域；蝕刻第一母基板和第二母基板的至少其中之一的蝕刻靶表面；以及根據複數個顯示面板圖樣切割第一母基板和第二母基板。
在蝕刻步驟被蝕刻的母基板中，與蝕刻停止單元重疊之區域之厚度係可大於可用區域之厚度。
蝕刻停止單元之形成係可包含形成第二蝕刻停止單元，其係
在第一母基板和第二母基板的至少其中之一的蝕刻靶表面之複數個可用區域之間，若可用區域的數量為複數個。
切割步驟係可使用雷射切割方案。
第一母基板和第二母基板的至少其中之一的可用區域之最小厚度係可為約0.2毫米或更小。
每一複數個顯示面板圖樣係可包含第一電極、第二電極、以及中間層，其係配置在介於第一電極和第二電極之間並且包含有機發光層。
每一複數個顯示面板圖樣可進一步包含薄膜電晶體，其係電性連接至第一電極並且其包含主動層、閘極電極、源極電極、以汲極電極。
1、1A、1B、1C、1D‧‧‧母面板
10、100‧‧‧第一母基板
20‧‧‧第二母基板
10a、20a‧‧‧蝕刻靶表面
10b、20b‧‧‧側表面
30‧‧‧顯示面板圖樣
40‧‧‧密封圖樣
41‧‧‧密封構件
43‧‧‧虛擬密封構件
50、500‧‧‧蝕刻停止單元
51‧‧‧第一蝕刻停止構件
52A、52B‧‧‧第二蝕刻停止構件
60‧‧‧第二蝕刻停止單元
100a‧‧‧蝕刻靶表面
100b‧‧‧側表面
311‧‧‧緩衝層
313‧‧‧閘極絕緣膜
315‧‧‧層間絕緣膜
317‧‧‧平坦化膜
319‧‧‧像素定義層
320‧‧‧薄膜電晶體
321‧‧‧閘極電極
323‧‧‧源極和汲極電極
327‧‧‧主動層
330‧‧‧發光元件
331‧‧‧第一電極
333‧‧‧中間層
335‧‧‧第二電極
UUA‧‧‧不可用區域
UA、UA-1、UA-2、UA-3、UA-4、UA-5、UA-6、UA-7、UA-8‧‧‧可用區域
BA‧‧‧邊界區域
CA‧‧‧變化區域
X‧‧‧中心
Y‧‧‧前端
Z‧‧‧延伸線
N‧‧‧蝕刻噴嘴
E‧‧‧支撐區域
C‧‧‧裂痕
U‧‧‧雷射照射單元
L‧‧‧雷射
對於本技術領域具有通常知識者而言，特徵將藉由參閱附圖而詳細地描述例示性實施例而變得明顯，其中：第1圖係為根據實施例而示意性地說明母面板之結構之平面圖；第2圖係為示意性說明沿著根據實施例之第1圖之II-II沿線切割之剖面圖；第3圖係為示意性說明根據另一實施例之第1圖之II-II沿線切割之剖面圖；第4圖說明執行蝕刻於第2圖中所繪示之母面板一預定時間的狀態；
第5圖說明蝕刻停止單元沒有形成於邊界區域中之比較例；第6圖說明包含第5圖之蝕刻停止單元的母面板之平面圖；第7圖係為示意性說明根據實施例之第1圖之VII-VII沿線切割之剖面圖；第8圖係為示意性說明根據另一實施例之母面板的平面圖；第9A圖為說明第8圖之IXA-IXA沿線的剖面圖；第9B圖式係為說明第8圖之IXB-IXB沿線的剖面圖；第10A圖和第10B圖說明執行蝕刻於第9A圖及第9B圖中所繪示之母面板一預定時間時的狀態；第11A圖、第11B圖、以及第11C圖為示意性說明根據另一實施例之母面板的平面圖；以及第12A圖、第12B圖、以及第12C圖為示意性說明使用第1圖中所繪示之母面板製造顯示面板之製程的階段。
例示性實施例目前將會參考附圖而於下文中做更完整的敘述；然而，其係可體現為不同的形式並且不應被詮釋為侷限於此處所闡述之實施例。相反地，提供這些實施例係使得本公開內容將會透徹且完整，並且將完整地傳達例示性之實施方式給在本技術領域中具有通常知識者。
在附圖中，為了清楚地說明而可能使層和區域的尺寸被誇大。其也將被理解的是，當層或元件係被參考而於其他層或基板”之上(on)”時，其係直接地位於其他層或基板之上，或中間層也可能出現。此外，其
將被理解的是，當層係被稱為於其他層”之下(under)”時，其係可直接地位於下方，並且一個或多個中間層也可能出現。除此之外，其也將被理解為當層被稱為於兩層”之間(between)”時，其係可作為在兩層中的唯一層，或一個或多個中間層也可能出現。整篇說明書中，相似的參考符號表示相似的元件。
第1圖為示意性說明根據實施例之母面板的平面圖。第2圖為示意性說明根據實施例之第1圖之II-II沿線切割之剖面圖。參考第1圖與第2圖，母面板1可包含被配置成彼此間隔以彼此面對之第一母基板10和第二母基板20、配置在第一母基板10和第二母基板20之間之顯示面板圖樣30及密封圖樣40、以及蝕刻停止單元50。
第一母基板10或第二母基板20係可以具有以二氧化矽為主成分之透明玻璃材料所形成。第一母基板10或第二母基板20係不受限於其透明玻璃材料且也可由透明塑膠材料所形成。第一母基板10可為由複數個顯示面板圖樣30所構成之基板，並且第二母基板20可為用於保護顯示面板圖樣30之封裝基板，其係隔絕外部水份、空氣、以及其類似物。
每個第一母基板10以及第二母基板20可被分割成可用區域UA，其係可用為以作為完整的顯示面板(即，在一個完整的顯示面板中)、以及不可用區域UUA，其係包圍可用區域UA。在不可用區域UUA中，其係可配置為不被使用於最終產品之組件，但其在製造中係為必要的，例如，虛擬密封構件43以及蝕刻停止單元50，其將於以下敘述。不可用區域UUA可包含每個第一母基板10和第二母基板20之邊界區域BA。
儘管第一母基板10和第二母基板20係被說明為具有相同大小，但其係不受限於本說明。例如，第一母基板10之尺寸可大於或小於第二母基板20。在此情況下，第一母基板10的不可用區域UUA之尺寸係
可不同於第二母基板20之尺寸。
第一母基板10或第二母基板20可具有之尺寸，其係為完整的顯示面板之尺寸之數倍至數百倍(例如，約3至300倍)。例如，第一母基板10或第二母基板20可具有尺寸為約730x460至約1300x1500平方毫米。另舉一例，為了提升生產力，第一母基板10或第二母基板20之尺寸係可不超過約1300x1500平方毫米。第一母基板10或第二母基板20之一邊的長度係可為約730至約1500毫米或係可為約1500至約1500毫米。
顯示面板圖樣30係被配置為在第一母基板10和第二母基板20之間。在可用區域UA中，複數個顯示面板圖樣30係可被安排為彼此分隔開的。顯示面板圖樣30可包含發光元件330(見第7圖)，其係用於發光、以及薄膜電晶體(TFT)320(見第7圖)，其係用於驅動發光元件330，並且其詳細的結構將在後面參考第7圖描述之。
密封圖樣40可密封複數個顯示面板圖樣30，以保護配置在第一母基板10和第二母基板20之間之複數個顯示面板圖樣30免受外部水份或空氣的影響，並且可使第一母基板10和第二母基板20彼此黏合。
密封圖樣40可包含密封構件41以及虛擬密封構件43。分別地，密封構件41係分別地被配置以於可用區域UA中包圍複數個顯示面板圖樣30。虛擬密封構件43係被配置於第一母基板10和第二母基板20之間之不可用區域UUA中，以增加在第一母基板10和第二母基板20之間的黏合強度。虛擬密封構件43係被配置在不可用區域UUA中，使得其可在顯示面板之製程中被移除，其係以不包含於完整的顯示面板中。密封圖樣40可包含玻璃料或硬化樹脂以作為其材料。例如，密封構件41可包含玻璃料及空密封構件43可包含環氧樹脂，其係為一種硬化樹脂。環氧樹脂之例子可包含環脂族環氧化物(cycloaliphatic epoxide)、環氧丙烯酸酯
(epoxy acrylate)、乙烯基環氧樹脂(vinyl epoxy-based resin)、以及其類似物。
蝕刻停止單元50係避免當執行蝕刻於第一母基板10和第二母基板20的其中至少一個上時，蝕刻劑滲透在第一母基板10和第二母基板20之間。蝕刻停止單元50係保護第一與第二母基板10與20之作為蝕刻標靶的蝕刻靶表面10a和20a的邊界區域BA免於被蝕刻。在此，蝕刻靶表面10a和20a可為表面，其至少一部份係暴露於蝕刻劑，並且其係為相反地面對第一母基板10和第二母基板20之表面的表面。
因此，為了防止蝕刻劑滲透於第一母基板10和第二母基板20之間、以及蝕刻蝕刻靶表面10a和20a之邊界區域BA，蝕刻停止單元50可包含第一蝕刻停止構件51和第二蝕刻停止構件52A和52B。第一蝕刻停止構件51係形成以使彼此分隔之第一母基板10和第二母基板20密封。藉由使用第一蝕刻停止構件51，蝕刻劑可被防止滲透在第一母基板10和第二母基板20之間。第二蝕刻停止構件52A和52B係自第一母基板10及第二母基板20之至少其一之側表面10b和20b到蝕刻靶表面10a和20a之邊界區域BA，因此防止了於第一母基板10及第二母基板20之至少其一之側表面10b和20b以及蝕刻表面10a和20a之邊界區域BA被蝕刻。例如，第二蝕刻停止構件52A和52B可包含第二蝕刻構件52A，其係構成於第一母基板10之側表面10b至第一母基板10之上表面(10a)邊界、以及第二蝕刻停止構件52B，其係構成於第二母基板20之側表面20b至第二母基板20之下表面(20a)邊界(如第2圖中所示)。然而，第二蝕刻停止構件52A和52B的形狀係不受此說明所限制，且第二蝕刻停止構件52A係可構成於從第一母基板10之側表面10b到第一母基板10之蝕刻靶表面10a的邊界區域BA。在此情況下，第二蝕刻停止構件52A係可不構成於從第二母基板20之側表面20b到第二母基板20之蝕刻靶表面20a的邊界區域BA(如第3圖中所示)。
蝕刻劑可被噴塗至母基板上，其為第一母基板10和第二母基板20之其中之一，但當必要時其係也可被噴塗至第一母基板10和第二母基板20兩者上。為了方便起見，以下做出的敘述將基於下列假設，其為蝕刻劑係被噴塗至第一母基板10的上表面。
第4圖係說明執行蝕刻於第2圖中所繪示之母面板上一預定時間之狀態。參考第4圖，當蝕刻劑藉由噴嘴被噴塗至第一母基板10的上表面，蝕刻係已執行在第一母基板10之蝕刻靶表面10a(第4圖之上表面)上。在第一母基板10之蝕刻靶表面10a上，蝕刻係不會發生在重疊於第二蝕刻停止構件52A之區域上，且蝕刻發生在未重疊於第二蝕刻停止構件52A之區域上。因此，在第一母基板10中，不可用區域UUA之厚度係可大於可用區域UA。尤其，不可用區域UUA之邊界區域BA係可為厚的。例如，可用區域UA之厚度係可小於約0.2毫米，並且邊界區域BA之厚度係可約為0.5毫米。如此，可用區域UA之厚度係為最小化且同時，不可用區域UUA之邊界區域BA之厚度係大於預定之厚度，使得在母面板1之邊界區域BA上的裂痕可以被避免產生於傳送母面板1之過程或其他蝕刻之後的製程。
第5圖係為說明蝕刻停止單元500係沒有構成於邊界區域BA(不同於第4圖式)之比較例，以及第6圖說明包含繪示於第5圖之蝕刻停止單元500的母面板之平面圖。如第5圖，當蝕刻停止單元500係沒有構成於蝕刻靶表面100a之邊界區域BA、上表面(100a)以及側表面100b，即為，在第一母基板100之邊界區域BA的兩個表面係被暴露至蝕刻劑，使得蝕刻靶表面100a之邊界區域BA之蝕刻速度高於可用區域UA，並且因此邊界區域BA之厚度係小於可用區域UA。因此，邊界區域BA具有較小的厚度之第一母基板100，即便給予其很小的外部衝擊，其係可能會產生裂痕。例如，雖然並沒有在圖式中說明，在保持邊界區域BA以傳送母
面板的過程中，裂痕C係可能如第6圖所繪示而產生於邊界區域BA中並可延伸。
然而，藉由延伸蝕刻停止單元50至邊界區域BA，其係如第4圖中所示，側表面10b之邊界區域BA和第一母基板10之上表面10a係被防止於被蝕刻，使得邊界區域BA之厚度可相對地較大且因此可避免產生於邊界區域BA的裂痕。
第二蝕刻停止構件52A之前端Y(即，面向蝕刻靶表面10a之邊緣)係可位在介於第一母基板10的端部之延伸線Z(即，延伸平行於第一母基板10之側表面10b之線)和虛擬密封構件43之中心X(即，虛擬密封構件43之中心X係沿著與蝕刻停止構件52A延伸至邊界區域BA的相同方向)之間。例如，第二蝕刻停止構件52A之前端Y相較於虛擬密封構件43之中心X係可更接近(或遠離)第一母基板10的端部之延伸線Z。由於蝕刻係不會發生在與第二蝕刻停止構件52A重疊之區域上，且蝕刻發生在未重疊於第二蝕刻停止構件52A之區域上，朝向可用區域UA減少厚度之部分係存在於可用區域UA和與第二蝕刻停止構件52A與52B重疊的部分之間。厚度減少的部分，亦即，變化區域CA，係很難作為一個完整的顯示面板使用。因此，藉由設置第二蝕刻停止構件52A於虛擬密封構件43之中心X的外部，變化區域CA係可能會形成在不可用區域UUA中。
蝕刻停止單元50係可以不被蝕刻劑所蝕刻的材料而形成，諸如環氧樹脂。當包含用作刻蝕玻璃材料之氟化氫(HF)的蝕刻劑被使用以作為第一和第二母基板10和20之蝕刻劑時，環氧基樹脂係可適合作為蝕刻停止材料。環氧基樹脂的例子可包含環脂族環氧化物(cycloaliphatic epoxide)、環氧丙烯酸酯(epoxy acrylate)、乙烯基環氧樹脂(vinyl epoxy-based
resin)、以及其類似物。然而，蝕刻停止單元50之材料並不限於這些例子，並且可以使用任何材料，只要其能防止被氟化氫(HF)所蝕刻。
第7圖係為示意性地說明根據實施例之第1圖之VII-VII之剖面圖，其中說明了複數個顯示面板圖樣30之例子。參照第7圖，每個複數個顯示面板圖樣30可包括發光元件330和複數個薄膜電晶體320。
第一母基板10可包括薄膜電晶體320，其中每個包括閘極電極321、源極和汲極電極323、主動層327、閘極絕緣膜313、以及層間絕緣膜315。薄膜電晶體320的形式並不限於該例子，並且有各種的薄膜電晶體可使用，諸如其中之主動層327係提供為有機材料的有機薄膜電晶體、以及其中之主動層327係提供為矽的矽薄膜電晶體。當需要時，以氧化矽或氮化矽構成的緩衝層311可進一步地提供於薄膜電晶體320和第一母基板10之間。
發光元件330可包括第一電極331、第二電極335、以及中間層333，其係設置於第一電極331和第二電極335之間而至少包括發光層。
第一電極331可作用為陽極電極並且第二電極335可作用為陰極電極。第一電極331和第二電極335的極性可以彼此相反。
第一電極331可被提供而作為透明電極或反射電極。當被提供作為透明電極時，第一電極331可由氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)、或氧化銦(In2O3)構成；當其被提供而作為反射電極時，第一電極331可以包括由銀(Ag)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)、或其組合所形成之反射膜、及由氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)、或氧化銦(In2O3)所形成且形成於反射膜上之薄膜。
第二電極335也可以提供以作為透明電極或反射電極。當被提供作為透明電極時，第二電極335可包括鋰(Li)、鈣(CA)、氟化鋰(LiF)/鈣(Ca)、氟化鋰(LiF)/鋁(Al)、鋁(Al)、鎂(Mg)、或其組合直接朝向在第一電極331和第二電極335之中的中間層333而沉積之薄膜、及由例如氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)、或氧化銦(In2O3)之透明電極形成材料所形成的輔助電極和匯流排電極於膜之上或之下。當被提供以作為反射電極時，第二電極335可藉由沉積鋰(Li)、鈣(Ca)、氟化鋰(LiF)/鈣(Ca)、氟化鋰(LiF)/鋁(Al)、鋁(Al)、鎂(Mg)、或其組合而提供。
同時，像素定義層(PDL)319係被提供以覆蓋第一電極331的邊緣並且具有朝向外部之第一電極331的厚度。像素定義層(PDL)319不僅定義了發光區，也係擴大了在第一電極331和第二電極335之邊緣間的間隙，以防止在第一電極331的邊緣之電場聚集，從而防止在第一電極331和第二電極335之間的電路短路。
各種中間層333至少包括在第一電極331和第二電極335之間的發光層。中間層333係可由低分子量的有機材料或高分子有機材料所形成。發光元件330可以係有機發光元件。
當使用低分子量的有機材料時，電洞注入層(HIL)、電洞傳輸層(HTL)、有機發射層(EML)、電子傳輸層(ETL)、電子注入層(EIL)、以及其類似物可堆疊為單一的或複合的結構，並且也可能使用到各種有機材料，諸如銅酞青(copper phthalocyanine,CuPc)、N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基聯苯胺(N,N'-Di(naphthalene-1-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine,NPB)、三-8-羥基喹啉鋁(tris-8-hydroxyquinoline aluminum,Alq3)、以及其類似物。這些低分子量的有機材料係可以藉由使用遮罩之真空沉積而形成。
當使用高分子量有機材料時，一般係可以提供電洞傳輸層(HTL)和有機發射層(EML)，其中之PEDOT係使用於電洞傳輸層(HTL)，並且其中之高分子量的有機材料，基於諸如聚-亞苯基亞乙烯基(poly-phenylenevinylene-based)或聚芴基(polyfluorene-based)之材料係使用於有機發射層(EML)。
有機發光元件330係被電性連接到薄膜電晶體320。當平坦化膜317被提供以覆蓋薄膜電晶體320時，有機發光元件330係被設置在平坦化膜317上，並且有機發光元件330之第一電極331係被電性連接到薄膜電晶體320，經由平坦化膜317之接觸孔。
形成自第一母基板10的有機發光元件330係藉由第二母基板20而被密封。
第8圖為示意性地說明根據另一實施例之母面板1A之平面圖。第9A圖係為第8圖之IXA-IXA沿線的剖面圖，且第9B圖式係為第8圖之之IXB-IXB沿線的剖面圖。
參考第8圖至第9B圖，根據當前實施例之母面板1A係可進一步包括第二蝕刻停止單元60。在第8圖至第9B圖中，在前述實施例中之相同的部分，其被參考為相同的參考符號並且將不再重複對其描述之。
參考第8圖，可提供複數個可用區域UA-1和UA-2。複數個可用區域UA-1和UA-2係可被設置為彼此分隔。
第二蝕刻停止單元60可被配置於第一母基板10和第二母基板20的至少其中之一的蝕刻靶表面10a和20a上的複數個可用區域UA-1和UA-2之間。藉由包括第二蝕刻停止單元60，即使母面板1A的尺寸增加，母面板1A係可防止因母面板1A之負載而彎曲，使其避免因母面板1A之負載而彎曲所產生的裂痕。在必要時，虛擬密封構件43可被設置在
第二蝕刻停止單元60之下，如第8圖中所示。第二蝕刻停止單元60係可由不會被蝕刻劑所蝕刻的材料所形成，例如，環氧樹脂。第二蝕刻停止單元60可與蝕刻停止單元50以相同的材料形成。
第10A圖和第10B圖說明執行蝕刻在第9A圖及第9B圖中所繪示之母面板1A上一預定時間的狀態。由於在第10A圖中所示的第二蝕刻停止單元60，即使蝕刻係執行在第一母基板10之蝕刻靶表面10a上，蝕刻並不會發生在蝕刻靶表面10a與第二蝕刻停止單元60重疊之部分上。
因此，具有大於可用區域UA-1和UA-2之厚度的區域(其係被稱作為支撐區域E)係可形成在複數個可用區域UA-1和UA-2之間。當其上形成有支撐區域E之第一母基板10形成，母面板1A之負載係可被支撐。因此，即使母面板1A的尺寸增加，其係可避免因母面板1A之負載而彎曲所產生的裂痕，因為支撐區域E已由第二蝕刻停止單元60而構成。藉由設置第二蝕刻停止單元60於複數個可用區域UA-1和UA-2之間，即使在第一母基板10之一邊的長度係大於約1500毫米，第一母基板10係可以容易地被處理，從而提高生產力。第一母基板10之一邊的長度係可以小於約2500毫米。由於蝕刻係以與第4圖之相同的方式而執行於第10B圖，其將不會再被分別地重複描述。
第二蝕刻停止單元60可具有大於約2毫米之寬度，使得在第二蝕刻停止單元60下方的第一母基板10係用作為支撐區域E。然而，考慮在複數個顯示面板圖樣30之間的間隙或在複數個可用區域UA-1和UA-2之間的間隙，第二蝕刻停止單元60的寬度係可以小於約15毫米。
複數個可用區域UA可為兩個可用區域UA-2和UA-2，如第8圖中所示，但根據母面板1B、1C、或1D之大小，其可以係三個或更多的可用區域UA。例如，三個可用區域UA-1至UA-3、四個可用區域UA-1
至UA-4、以及八個可用區域UA-1至UA-8係可以被提供，分別地如第11A圖至第11C圖所示。第二蝕刻停止單元60係可以配置在複數個可用區域UA-1和UA-2、UA-1至UA-3、UA-1至UA-4、或UA-1至UA-8之間。
接著，將描述關於顯示面板之製造方法，其係藉由使用根據上述實施例之母面板1、1A、1B、1C、或1D。
第12A圖至第12C圖係示意性地說明使用第1圖中所繪示之母面板製造顯示面板之製造程序的階段。
參考第1和12A圖式，母面板1包括在第一和第二母基板10和20及複數個顯示面板圖樣30，以及密封圖樣40係已提供。
第一和第二母基板10和20係分別地具有可用區域UA和不可用區域UUA，並且複數個顯示面板圖樣30係被設置在第一母基板10和第二母基板20之間，且係被設置成彼此分隔開在可用區域UA中。每個密封圖樣40包括包圍顯示面板圖樣30之密封構件41、及形成在不可用區域UUA的虛擬密封構件43，以加強在第一母基板10和第二母基板20之間的黏合性。
在母面板1中，如第12A圖中所示，蝕刻停止單元50係形成在介於第一母基板10和第二母基板20之間之邊界區域BA中，並且從第一和第二母基板10和20的側表面10b和20b到蝕刻靶表面10a和20a之邊界區域BA。
參考第12B圖，蝕刻劑從設置以面向第一母基板10之蝕刻靶表面10a的蝕刻噴嘴N而噴塗，使得第一母基板10的蝕刻靶表面10a係被蝕刻。蝕刻靶表面10a之邊界區域BA係被蝕刻停止單元50所覆蓋，使得蝕刻發生在除了邊界區域BA以外的區域。其結果，與第二蝕刻停止構件52A重疊之邊界區域BA的厚度可大於可用區域UA的厚度。當第二
蝕刻停止單元60係進一步地構成在複數個可用區域UA-1和UA-2之間時，如第10A圖和第10B圖中所示，與第二蝕刻停止單元60重疊的區域之厚度可大於可用區域UA-1和UA-2的厚度。
參考第12C圖，第一母基板10和第二母基板20可根據顯示面板圖樣30而切割。
作為切割方案，例如，可使用雷射切割。藉由使用雷射切割，切割係可簡單地執行於母面板1，儘管其係不同高度。更具體地，在雷射照射單元U根據顯示面板圖樣30而在箭頭方向上做相對移動的路徑中，可用區域UA和不可用區域UUA係被設置(例如，切割)。第12C圖中的箭頭方向並非限制性的，雷射可能在一個或多個合適的方向移動，以切割第一母基板10和第二母基板20。不可用區域UUA，特別地，第二蝕刻停止構件52A設置之邊界區域BA，以及可用區域UA具有不同的高度，如圖中所示。雷射切割方案係藉由照射雷射L以切割母面板1並且不會藉由直接接觸摩擦而進行切割，使得其可能簡單地進行切割而無視高度變化。然而，使用接觸摩擦的切割方案，例如，使用刀片的切割方案可能產生問題，其係為由於第二蝕刻停止構件52A具有相對高的高度，使得刀片可能會被磨損或被損壞。雖然雷射照射單元U係被說明為聚焦於第一和第二母基板10和20的表面，隱形方案(stealth scheme)也可被使用，其係聚焦在第一和第二母基板10和20的內側。
雖然在圖式中未表示出，獨立的斷裂製程係可以執行在切割之後以分離其切割的顯示面板。
根據實施例，可提供能夠防止其邊界區域之損壞且在製造過程中易於處理的母面板。此外，儘管母面板的尺寸增加，由負載的母面板所產生之裂痕係被避免。使用母面板製造顯示面板之方法也可以被提供。
當有機發光顯示面板係被描述於前述之實施例中的顯示面板的例子時，其也可以使用包括液晶顯示面板之各種顯示面板而不限於上述的例子。
藉由總結和回顧之方式，當製造顯示面板時，母面板具有為顯示面板之尺寸的數倍至數百倍之尺寸，其係可以被使用於提高生產率。母面板可能被切割成個別的顯示面板單元，因而以製造完整的顯示面板。顯示面板可為攜帶式的薄型顯示面板。作為製造薄型或細長型顯示面板的幾種方法之一，蝕刻劑可被噴塗在母面板之母基板上以最小化其厚度。然而，在蝕刻過程中，蝕刻可能被集中於母基板之邊緣部分上，使得母基板之邊緣部分變得比母基板之其它部分還要更薄。其結果，在傳送或測試母面板的過程中(或其他過程中)，可能會產生裂痕於母基板的邊緣部分上，且裂痕甚至向母基板的中心延伸。由於裂痕的產生，顯示面板的批量生產率可能會下降。
本公開之實施例提供用於顯示面板的母面板(例如，用於薄型)和使用母面板製造顯示面板的方法，其可允許避免產生裂痕於母面板之邊緣部分上。此外，儘管增加其母面板之尺寸，母面板可允許避免由於母面板之負載而產生裂痕。
示例性實施例已在此公開，雖然採用了特定術語，其係為被使用並且只係解釋在一般性和描述性的意義上，而不係為了限制的目的。在某些情況下，當提交本申請案時，對於在本技術領域具有通常知識者而言將顯而易見的是，與特定實施例相關連之特徵、特性、及/或元件可單獨地使用或與跟其他實施例相關連之特徵、特性、及/或元件組和使用，除非其另有具體說明。因此，其將被本技術領域具有通常知識者理解的是，在不脫離後附申請專利範圍中所規定之本發明的精神和範圍的情況下，可以
做出在形式和細節上的各種改變。
1‧‧‧母面板
10‧‧‧第一母基板
30‧‧‧顯示面板圖樣
40‧‧‧密封圖樣
41‧‧‧密封構件
43‧‧‧虛擬密封構件
50‧‧‧蝕刻停止單元
BA‧‧‧邊界區域
UA‧‧‧可用區域
UUA‧‧‧不可用區域
Claims (19)
- 一種用於顯示面板之母面板，其包含：一第一母基板和一第二母基板，其係彼此分隔開以彼此面對，每一該第一母基板和該第二母基板包含至少一可用區域，其係能夠為該顯示面板所使用、及至少一不可用區域，其包圍該可用區域；複數個顯示面板圖樣，其在該第一母基板和該第二母基板之間，該複數個顯示面板圖樣係於該可用區域中彼此分隔開；一密封圖樣，其黏合該第一母基板與該第二母基板並且密封每一該複數個顯示面板圖樣；以及一蝕刻停止單元，其避免一蝕刻劑滲透於該第一母基板和該第二母基板之間，且避免該第一母基板和第二母基板的至少其中之一的一蝕刻靶表面之一邊界區域被蝕刻，其中該蝕刻停止單元包含：一第一蝕刻停止構件，其形成封合於該第一母基板與該第二母基板之間；以及一第二蝕刻停止構件，其覆蓋該第一母基板和該第二母基板的至少其中之一的一側表面，並且覆蓋該第一母基板和該第二母基板的至少其中之一的該蝕刻靶表面之該邊界區域，該蝕刻靶表面位於該母面板的外部並且與該側表面正交。
- 如申請專利範圍第1項所述之母面板，其中該密封圖樣包含：一密封構件，其包圍每一該複數個顯示面板圖樣；以及 一虛擬密封構件，其在該不可用區域中增加在該第一母基板與該第二母基板之間的黏合強度。
- 如申請專利範圍第2項所述之母面板，其中該第二蝕刻停止構件的一前端係在該第一母基板和該第二母基板的至少其中之一的該側表面，以及該虛擬密封構件之一中心之間。
- 如申請專利範圍第1項所述之母面板，其中該第一母基板和該第二母基板的至少其中之一的長度係為約730毫米至約1500毫米。
- 如申請專利範圍第1項所述之母面板，其中：至少一該可用區域係為複數個可用區該複數個可用區係彼此分隔開的，以及該母面板進一步包含一第二蝕刻停止單元，其係在該第一母基板和該第二母基板的至少其中之一之該蝕刻靶表面上的該複數個可用區之間。
- 如申請專利範圍第5項所述之母面板，其中該第二蝕刻停止單元之寬度係在約2毫米至約15毫米。
- 如申請專利範圍第5項所述之母面板，其中該第一母基板和該第二母基板的至少其中之一的長度係在約1500毫米至約2500毫米。
- 如申請專利範圍第5項所述之母面板，其中該蝕刻停止單元和該第二蝕刻停止單元係由環氧樹脂所形成。
- 如申請專利範圍第1項所述之母面板，其中，在該第一母基板和該第二母基板的至少其中之一中，該不可用區域之厚度係大 於該可用區域之厚度。
- 如申請專利範圍第1項所述之母面板，其中該第一母基板和該第二母基板的至少其中之一的該可用區域係具有約為0.2毫米或更小之厚度。
- 如申請專利範圍第1項所述之母面板，其中：每一該複數個顯示面板圖樣包含一第一電極、一第二電極、以及一中間層，其介在該第一電極與該第二電極之間，並且該中間層包含一有機發光層。
- 如申請專利範圍第11項所述之母面板，其中：每一該複數個顯示面板圖樣進一步包含一薄膜電晶體，其係電性連接至該第一電極，並且該薄膜電晶體包含一主動層、一閘極電極、一源極電極、以及一汲極電極。
- 一種顯示面板之製造方法，該方法包含：提供用於該顯示面板之一母面板，該母面板包含：一第一母基板和一第二母基板，其係彼此分隔開以彼此面對，每一該第一母基板和該第二母基板包含至少一可用區域，其係能夠為該顯示面板所使用、及至少一不可用區域，其包圍該可用區域；複數個顯示面板圖樣，其在該第一母基板和該第二母基板之間，該複數個顯示面板圖樣係彼此分隔開於該可用區域中；及一密封圖樣，其黏合該第一母基板與該第二母基板並且密封每一該複數個顯示面板圖樣； 形成一蝕刻停止單元，其介於該第一母基板和該第二母基板之間，及從該第一母基板與該第二母基板的至少其中之一的一側表面到該第一母基板與該第二母基板的至少其中之一的一蝕刻靶表面之一邊界區域；蝕刻該第一母基板與該第二母基板的至少其中之一的該蝕刻靶表面；以及根據該複數個顯示面板圖樣切割該第一母基板與該第二母基板。
- 如申請專利範圍第13項所述之方法，其中，在蝕刻步驟中被蝕刻之該第一母基板與該第二母基板的至少其中之一中，與該蝕刻停止單元重疊之一區域的厚度係大於該可用區域的厚度。
- 如申請專利範圍第13項所述之方法，其中：至少一該可用區域係複數個可用區，並且形成該蝕刻停止單元包含形成一第二蝕刻停止單元，其位於該第一母基板與該第二母基板的至少其中之一的該蝕刻靶表面上，該蝕刻靶表面係介在該複數個可用區之間。
- 如申請專利範圍第13項所述之方法，其中切割步驟包含一雷射切割。
- 如申請專利範圍第13項所述之方法，其中該第一母基板與該第二母基板的至少其中之一的該可用區域之最小厚度係約0.2毫米或更小。
- 如申請專利範圍第13項所述之方法，其中： 每一該複數個顯示面板圖樣包含一第一電極、一第二電極、以及一中間層，其位於該第一電極與該第二電極之間，並且該中間層包含一有機發光層。
- 如申請專利範圍第18項所述之方法，其中：每一該複數個顯示面板進一步包含一薄膜電晶體，其係電性連接至該第一電極，並且該薄膜電晶體包含一主動層、一閘極電極、一源極電極、以及一汲極電極。
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Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201423977A TW201423977A (zh) | 2014-06-16 |
| TWI596756B true TWI596756B (zh) | 2017-08-21 |
Family
ID=50910441
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW102131808A TWI596756B (zh) | 2012-12-13 | 2013-09-04 | 用於顯示面板的母面板及使用該母面板製造顯示面板之方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9076984B2 (zh) |
| KR (1) | KR102022393B1 (zh) |
| CN (1) | CN103872075B (zh) |
| TW (1) | TWI596756B (zh) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104635385B (zh) * | 2015-03-09 | 2017-07-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示母板、显示面板及其制作方法、显示装置 |
| KR102491118B1 (ko) | 2015-07-03 | 2023-01-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 패널 어셈블리 및 표시 패널 제조 방법 |
| TWI631695B (zh) * | 2017-08-14 | 2018-08-01 | 友達光電股份有限公司 | 顯示面板的製作方法 |
| TW202343485A (zh) * | 2017-11-29 | 2023-11-01 | 日商大日本印刷股份有限公司 | 配線基板及配線基板之製造方法 |
| CN109148716B (zh) * | 2018-08-14 | 2020-05-05 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种柔性oled显示面板的制备方法及其母板结构 |
| CN109683373A (zh) * | 2019-02-26 | 2019-04-26 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 液晶显示面板母板 |
| KR20220169172A (ko) * | 2021-06-18 | 2022-12-27 | 엘지디스플레이 주식회사 | 초박막 글라스의 제조 방법, 초박막 글라스 및 초박막 글라스를 포함하는 표시 장치 |
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| TW200947078A (en) * | 2008-02-26 | 2009-11-16 | Hitachi Displays Ltd | Method of manufacturing liquid crystal display device |
| US7944542B2 (en) * | 2003-04-07 | 2011-05-17 | Lg Display Co., Ltd. | Layout of liquid crystal display panels and size of mother substrate |
| US8038495B2 (en) * | 2006-01-20 | 2011-10-18 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic light-emitting display device and manufacturing method of the same |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101446226B1 (ko) * | 2006-11-27 | 2014-10-01 | 엘지디스플레이 주식회사 | 플렉서블 표시장치 및 그 제조 방법 |
| KR101341908B1 (ko) | 2009-05-29 | 2013-12-13 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법 |
| KR101104271B1 (ko) | 2009-09-04 | 2012-01-11 | 주식회사 네패스 | 디스플레이 패널 유리판의 초박형화를 위한 에칭방법 |
| CN102122102B (zh) * | 2010-01-11 | 2013-05-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 液晶显示面板的母板、基板以及基板制作方法 |
| KR101133538B1 (ko) | 2010-07-08 | 2012-04-05 | 주식회사 이코니 | 에칭공정용 유리기판 지지구조 및 이를 이용한 유리기판 에칭방법 |
| KR101739019B1 (ko) * | 2010-11-01 | 2017-05-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 레이저 결정화 시스템 및 이를 이용한 표시 장치 제조 방법 |
-
2012
- 2012-12-13 KR KR1020120145709A patent/KR102022393B1/ko active IP Right Grant
-
2013
- 2013-09-04 TW TW102131808A patent/TWI596756B/zh active
- 2013-09-04 US US14/017,736 patent/US9076984B2/en active Active
- 2013-09-13 CN CN201310418211.2A patent/CN103872075B/zh active Active
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| TW200947078A (en) * | 2008-02-26 | 2009-11-16 | Hitachi Displays Ltd | Method of manufacturing liquid crystal display device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN103872075A (zh) | 2014-06-18 |
| CN103872075B (zh) | 2018-05-29 |
| KR20140077021A (ko) | 2014-06-23 |
| US20140167004A1 (en) | 2014-06-19 |
| TW201423977A (zh) | 2014-06-16 |
| US9076984B2 (en) | 2015-07-07 |
| KR102022393B1 (ko) | 2019-09-19 |
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