TWI595804B - 有機發光二極體顯示器及其製造方法 - Google Patents

有機發光二極體顯示器及其製造方法 Download PDF

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TWI595804B
TWI595804B TW102139275A TW102139275A TWI595804B TW I595804 B TWI595804 B TW I595804B TW 102139275 A TW102139275 A TW 102139275A TW 102139275 A TW102139275 A TW 102139275A TW I595804 B TWI595804 B TW I595804B
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金勳
朴鎭宇
崔宰赫
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三星顯示器有限公司
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Description

有機發光二極體顯示器及其製造方法
相關申請案之交互參照
【0001】
本申請案係主張2012年12月14日提申於韓國智慧財產局之第10-2012-0146636號，且標題為「有機發光二極體顯示器及其製造方法(ORGANIC LIGHT EMITTING DIODES DISPLAY AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME)」之韓國專利申請案的優先權及效益，其整體係併於此以作為參考。
【0002】
實施例係關於一種有機發光二極體(OLED)顯示器及其製造方法。
 【0003】
由於有機發光二極體(OLED)顯示器特點在於優異的視角、對比度、響應速度、及功耗，其應用領域已從個人可攜式裝置如MP3播放器及手機擴展到電視。
 【0004】
實施例針對一種有機發光二極體顯示器，其包括基板；安排在基板上且包括第一電極、有機發光膜、及第二電極的層疊體的有機發光單元；形成在基板上以覆蓋有機發光單元的第一無機膜，該第一無機膜包括氧化錫(SnO2)；以及形成在第一無機膜上的第二無機膜，第二無機膜包括位在頂表面的氧化錫(SnO2)，且包括氧化亞錫(SnO)，氧化亞錫(SnO)的比例從第二無機膜的頂表面朝向第一無機膜的方向增加。
【0005】
第一無機膜及第二無機膜可進一步包括磷酸酐(P2O5)、磷酸硼(BPO4)，氟化亞錫(SnF2)及三氧化鎢(WO3)其中之一或多個。
【0006】
第二無機膜可形成以覆蓋第一無機膜及基板。
【0007】
第二無機膜可直接形成在第一無機膜上。
【0008】
第一無機膜及第二無機膜可具有從固體狀態至液體狀態的相變溫度，其低於有機發光膜的變性溫度。
【0009】
第一無機膜及第二無機膜可藉由熔化及固化處理。
【0010】
第一無機膜可具有約100奈米(nm)至約500奈米(nm)的厚度。
【0011】
實施例也針對一種製造有機發光二極體顯示器的方法，方法包括在基板上形成有機發光單元、藉由在含氧的條件下使用低溫相變(LPT)無機材料形成第一無機膜以覆蓋有機發光單元、及藉由在缺氧的條件下使用低溫相變(LPT)無機材料在第一無機膜上形成第二無機膜。
【0012】
第一無機膜可包括氧化錫(SnO2)。
【0013】
低溫相變(LPT)無機材料可包括氧化亞錫(SnO)；氧化亞錫(SnO)及磷酸酐(P2O5)；氧化亞錫(SnO)及磷酸硼(BPO4)；氧化亞錫(SnO)、氟化亞錫(SnF2)、及磷酸酐(P2O5)；氧化亞錫(SnO)、氟化亞錫(SnF2)、磷酸酐(P2O5)、及一氧化鈮(NbO)；或氧化亞錫(SnO)、氟化亞錫(SnF2)、磷酸酐(P2O5)、及三氧化鎢(WO3)。
【0014】
第一無機膜的形成及第二無機膜的形成可藉由濺鍍法、氣相沉積法、低溫沉積法、電漿增強化學氣相沉積法、電漿離子輔助沉積法、電子束塗層法、及離子鍍層法其中之一或多個進行。
【0015】
第一無機膜可使用濺鍍法形成，並且，在使用濺鍍法的第一無機膜的形成中，氧氣及氬氣的噴射量之間的比例可為約0.005至約1：1。
【0016】
第二無機膜的頂表面可因空氣中的氧氣而氧化。
【0017】
第一無機膜可具有約100奈米(nm)至約500奈米(nm)的厚度。
【0018】
方法可進一步包括，在形成第二無機膜後，藉由在高於其相變溫度的溫度下加熱第一無機膜及第二無機膜來進行對第一無機膜及第二無機膜提供流動性的癒合過程、及在有機發光二極體顯示器上進行的後處理過程。
【0019】
後處理過程可包括化學處理、電漿處理、高溫含氧腔處理、高溫水氣腔處理、及表層摻雜其中之一或多個。
10．．．基板
20．．．有機發光單元
22．．．第一電極
26．．．第二電極
24．．．有機發光膜
28．．．絕緣膜
30．．．第一無機膜
40、40’．．．第二無機膜
A．．．部份
【0020】
上述及其他特徵及優點將藉由參考附圖詳細說明例示性實施例而變得更加顯而易見。
【0021】
第1圖是根據實施例描繪有機發光二極體(OLED)顯示器的示意性剖面圖；
【0022】
第2圖是描繪第1圖中所示之部份A之局部剖面圖；以及
【0023】
第3圖為根據另一實施例描繪有機發光二極體(OLED)顯示器的示意性剖面圖。
 【0024】
現在將參考附圖在下文中更充分地描述例示性實施例；然而，其可以不同形式體現且不應該被解釋為限於這裡所闡述的實施例。相反的，提供這些實施例是為了使本公開將徹底及完整，並且將充分地傳達例示性實施例的範圍給本領域具有通常知識者。
【0025】
在附圖中，為了清楚起見可誇大尺寸。但將理解的是，當元件被稱為在另一元件「上」時，其可直接位於另一元件上，或者也可以存在一或多個中間元件。其亦將理解的是，當元件被稱為在另一元件「下」時，其可直接位於另一元件下，或者也可以存在一或多個中間元件。其亦將理解的是，當元件被稱為在兩個元件「之間」時，其可以是兩個元件之間唯一的元件，或者也可以存在一或多個中間元件。全文中類似的參考符號代表類似的元件。
【0026】
如本文所用，術語「及/或」包括一或多個相關所列項目的任何及所有組合。
【0027】
第1圖是根據實施例描繪有機發光二極體(OLED)顯示器的示意性剖面圖，且第2圖是描繪第1圖中所示之部份A之局部剖面圖。
【0028】
如第1圖及第2圖所示的例示性實施例，有機發光單元20在基板10的一側上形成，且包括第一無機膜30及第二無機膜40的層疊體以層疊體覆蓋有機發光單元20的此類方式形成在基板10上。配置層疊體以避免氧氣或水氣滲透至有機發光單元20。
【0029】
基板10可為由，例如，玻璃所形成之基板，但並不限於此，且可為由，例如，金屬或塑膠之其中之一所形成之基板。而且，基板10可以是可撓的(可彎曲的)基板。
【0030】
如第2圖所示形成在基板10上之有機發光單元20包括由第一電極22、第二電極26、及插設在第一電極22及第二電極26之間的有機發光膜24所形成的層疊體。
【0031】
有機發光單元20包括對各像素的一個像素電路且像素電路可包括至少一個薄膜電晶體(未示出)及一個電容(未示出) 。
【0032】
第一電極22電性連接薄膜電晶體。
【0033】
第一電極22及第二電極26彼此面對且藉由有機發光膜24而彼此電性絕緣。第一電極22的邊緣可由絕緣膜28覆蓋，且有機發光膜24及第二電極26形成在絕緣膜28及第一電極22的上方。第二電極26可形成作為共用電極以覆蓋整個像素，且第一電極22可對各像素形成為獨立結構。
【0034】
第一電極22及第二電極26可各別作用為陽極及陰極，或其極性可相互調換。
【0035】
當第一電極22用作為陽極時，其功函數具有高絕對值的材料係用作為第一電極22。當第二電極26作用為陰極時，其功函數具有絕對值低於第一電極22的材料係用來作為第二電極26。當第一電極22及第二電極26的極性調換時，可以調換使用之材料。在下文中，將描述其中第一電極22被用作為陽極且第二電極26用作為陰極的情況。
【0036】
第一電極22可形成以包括氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)、及氧化銦(In2O3)的至少一種透明金屬氧化物。第二電極26可形成以包括鋁(Al)、銀(Ag)、鎂(Mg)、及鉻(Cr)之至少一種金屬。
【0037】
在底部發光結構依基板10的方向顯示圖像的情況下，依基板10的方向提升發光效率這樣的方式來形成相對較大的第二電極26的厚度。
【0038】
在頂部發光結構依第一無機膜30的方向顯示圖像的情況下，第二電極26以第二電極26可作為半透射反射膜或由上述之外的透明導電材料所形成這樣的方式而形成為小厚度。在這種情況下，第一電極22可進一步包括反射膜。
【0039】
有機發光膜24形成作為包括發光層的複數個有機膜的堆疊結構。發光層及第二電極26之間，也可提供電子傳輸層、電子注入層等。
【0040】
在示於第1圖及第2圖中的本實施例中，有機發光單元20依序地由第一無機膜30及第二無機膜40覆蓋，從而被第一無機膜30及第二無機膜40的層疊體密封以屏蔽空氣。
【0041】
第一無機膜30形成在基板10及有機發光單元20上以覆蓋有機發光單元20 。
【0042】
第二無機膜40以提供第二無機膜40依平面方向接觸第一無機膜30的這種方式形成在第一無機膜30上。
【0043】
第一無機膜30及第二無機膜40包括低溫相變(low-temperature phase transition, LPT)無機材料。
【0044】
第一及第二無機膜30及40可由熔化及固化而形成。第一及第二無機膜30及40的相變溫度可低於有機發光膜24的變性溫度(modification temperature)。在這種情況下，第一及第二無機膜30及40的相變的發生係表示形成第一及第二無機膜30及40之低溫相變(LPT)無機材料成為具有粘度及/或流動性。因此，第一及第二無機膜30及40的相變溫度表示能夠提供第一及第二無機膜30及40粘度及/或流動性的至少一溫度。有機發光膜24的變性溫度表示引起有機發光膜24中所包括的材料的物理變性及/或化學變性的溫度。
【0045】
形成第一及第二無機膜30及40的低溫相變(LPT)無機材料可包括玻璃材料，其包括氧化亞錫(SnO)。玻璃材料除了氧化亞錫(SnO)以外可進一步包括磷酸酐(P2O5)、磷酸硼(BPO4)、氟化亞錫(SnF2)及三氧化鎢(WO3)中至少之一。
【0046】
第一無機膜30可形成以覆蓋有機發光單元20。第二無機膜40，如第1圖所示，可以其邊緣與基板10接觸的這種方式形成得比第一無機膜30更廣。因此，第一無機膜30可被第二無機膜40完全覆蓋。在這種情況下，由於第二無機膜40與基板10接觸，第二無機膜40及基板10之間的連接特性可得以改善，且可更穩固地屏蔽抵制空氣滲透進入有機發光單元20。
【0047】
第一無機膜30及第二無機膜40可以藉由使用如下方法製造。
【0048】
如第2圖所示，第一無機膜30及第二無機膜40形成在第二電極26上。
【0049】
在含氧(含有氧氣)條件下藉由使用低溫相變(LPT)無機材料可形成第一無機膜30，且在缺氧條件下藉由使用低溫相變(LPT)無機材料可形成第二無機膜40。低溫相變(LPT)無機材料可包括可包含氧化亞錫(SnO)的玻璃材料。玻璃材料除了氧化亞錫(SnO)以外可進一步包括磷酸酐(P2O5)、磷酸硼(BPO4)、氟化亞錫(SnF2)及三氧化鎢(WO3)中至少之一。
【0050】
作為詳細的實施例，可在含氧的條件下藉由使用100重量百分比(wt%)的氧化亞錫(SnO)形成第一無機膜30。在另一實施中，可在含氧的條件下藉由加入20重量百分比(wt%)的磷酸酐(P2O5)至80重量百分比(wt%)的氧化亞錫(SnO)以形成第一無機膜30。在另一實施中，可在含氧的條件下藉由加入10 重量百分比(wt%)的磷酸硼(BPO4)至90重量百分比(wt%)的氧化亞錫(SnO)以形成第一無機膜30。在另一個實施中，可在含氧的條件下藉由添加30至60重量百分比(wt%)的氟化亞錫(SnF2)及10至30重量百分比(wt%)的磷酸酐(P2O5)至20至50重量百分比(wt%)的氧化亞錫(SnO)以形成第一無機膜30。在另一個實施中，可在含氧的條件下藉由添加30至60重量百分比(wt%)的氟化亞錫(SnF2)、10至30重量百分比(wt%)的磷酸酐(P2O5)、及1至5重量百分比(wt%)的一氧化鈮(NbO)至20至50重量百分比(wt%)的氧化亞錫(SnO)以形成第一無機膜30。在另一個實施中，在含氧的條件下可藉由添加30至60重量百分比(wt%)的氟化亞錫(SnF2)、10至30重量百分比(wt%)的磷酸酐(P2O5)、及1至5重量百分比(wt%)的三氧化鎢(WO3)至20至50重量百分比(wt%)的氧化亞錫(SnO)以形成第一無機膜30。
【0051】
第一無機膜30可以藉由使用，例如，濺鍍法、氣相沉積、低溫沉積、電漿增強化學氣相沉積(PECVD)、電漿離子輔助沉積、電子束塗層(electron beam coating)、及離子鍍層法形成在第二電極26上。詳細地說，由氧化亞錫(SnO)-氟化亞錫(SnF2)-磷酸酐(P2O5)-三氧化鎢(WO3)組成的無機材料，可在定量氧氣的條件下藉由使用濺鍍形成。作為濺鍍方法，應用雙旋轉目標法(dual rotary target method)且可使用掃描移動基板之方法。可使用12千瓦(kw)及0.15至1帕(Pa)的氬電漿，注入氬氣的氧量可以是0.005至1：1，且可藉由重複進行複數次掃描以獲得所需的膜厚度。第一無機膜30的厚度可以是約100至約500奈米(nm)。在含氧的條件下第一無機膜30包括藉由使用低溫相變(LPT)無機材料所形成之氧化錫(SnO2)。
【0052】
第二無機膜40形成在第一無機膜30上，且可在缺氧條件下藉由使用低溫相變(LPT)無機材料形成。
【0053】
低溫相變(LPT)無機材料可包括玻璃材料，其可包括氧化亞錫(SnO)。玻璃材料可進一步包括氧化亞錫(SnO)以外的磷酸酐(P2O5)、磷酸硼(BPO4)、氟化亞錫(SnF2)、及三氧化鎢(WO3)。
【0054】
作為詳細的實施例，可在缺氧條件下藉由使用100重量百分比(wt%)的氧化亞錫(SnO)以形成第二無機膜40。在另一個實施中，可在缺氧條件下藉由加入20重量百分比(wt%)的磷酸酐(P2O5)至80重量百分比(wt%)的氧化亞錫(SnO)以形成第二無機膜40。在另一個實施中，可在缺氧條件下藉由加入10重量百分比(wt%)的磷酸硼(BPO4)至90重量百分比(wt%)的氧化亞錫(SnO)以形成第二無機膜40。在另一個實施中，可在缺氧條件下藉由加入30至60重量百分比(wt%)的氟化亞錫(SnF2)、及10至30重量百分比(wt%)的磷酸酐(P2O5)至20至50重量百分比(wt%)的氧化亞錫(SnO)以形成第二無機膜40。在另一個實施中，可在缺氧條件下藉由添加30至60重量百分比(wt%)的氟化亞錫(SnF2)、10至30重量百分比(wt%)的磷酸酐(P2O5)、及1至5重量百分比(wt%)的一氧化鈮(NbO)至20至50重量百分比(wt%)的氧化亞錫(SnO)以形成第二無機膜40。在另一個實施中，可在缺氧條件下藉由添加30至60重量百分比(wt%)的氟化亞錫(SnF2)、10至30重量百分比(wt%)的磷酸酐(P2O5)、及1至5重量百分比(wt%)的三氧化鎢(WO3)至20 至50重量百分比(wt%)的氧化亞錫(SnO)以形成第二無機膜40。
【0055】
第二無機膜40可藉由使用，例如，濺鍍、氣相沉積、低溫沉積、電漿增強化學氣相沉積(PECVD)、電漿離子輔助沉積、電子束塗層及離子鍍層法而形成在第二電極26上。詳細地說，由氧化亞錫(SnO)-氟化亞錫(SnF2)-磷酸酐(P2O5)-三氧化鎢(WO3) 所組成的無機材料可在缺氧條件下藉由濺鍍而形成。作為濺鍍方法，應用雙旋轉目標法且可使用掃描移動基板之方法。可使用12千瓦(kw)及0.15至1帕(Pa)的氬電漿，且可藉由重複進行複數次掃描以獲得所需的膜厚度。第二無機膜40的厚度可以是約500奈米(nm)或大於500奈米(nm)。
【0056】
雖然第二無機膜40在缺氧條件下藉由使用低溫相變(LPT)無機材料形成，低溫相變(LPT)無機材料仍可能與空氣中的氧結合。因此，第二無機膜40從頂表面到一定深度具有相對高比例的氧化錫(SnO2)，且在相鄰於第一無機膜30之界面的位置具有高比例的氧化亞錫(SnO)。換言之，在含氧的條件下所形成之第一無機膜30包括氧化錫(SnO2)，且藉著與空氣中的氧結合所形成之第二無機膜40之頂表面在其頂表面上包括氧化錫(SnO2)。從頂表面之氧化錫(SnO2)到第一無機膜30的界面，第二無機膜40可包括氧化亞錫(SnO)。靠近第二無機膜40與第一無機膜30之界面之氧化亞錫(SnO)相對於氧化錫(SnO2)的比例可大於相鄰於第二無機膜40的頂表面的氧化亞錫(SnO)相對於氧化錫(SnO2)的比例。在實施中，氧化亞錫(SnO)相對於氧化錫(SnO2)的濃度，可在第二無機膜40中形成梯度。藉由包括氧化錫(SnO2)，第一及第二無機膜30及40可具有緻密屏障特性，且可改善其光透射率。
【0057】
癒合過程(healing process)及後處理過程可選擇性地在第一及第二無機膜30及40上執行。
【0058】
癒合過程是以高於相變溫度的溫度加熱第一及第二無機膜30及40以提供流動性的一個製程。相變溫度是能夠提供低溫相變(LPT)無機材料流動性的至少一溫度，且為低於有機發光膜24的變性溫度的溫度。因此，在癒合過程中，施加於第一及第二無機膜30及40之溫度熱介於高於低溫相變(LPT)無機材料的相變溫度至溫度低於有機發光膜24的變性溫度的範圍內。對第一及第二無機膜30及40提昇的溫度可定為高於低溫相變(LPT)無機材料的相變溫度約0至約30℃，且可為，例如，在約40至約150℃的範圍內。
【0059】
癒合過程可在真空、氮氣大氣壓力或氬氣大氣壓力下之其一使用紅外線(IR)爐執行，且可執行1至3小時。
【0060】
如上所述的癒合過程可能非以一次操作完成，而是可通過複數個步驟進行。
【0061】
癒合過程後，後處理過程可藉由，例如，化學處理、電漿處理、高溫含氧腔處理(high-temperature oxygenic chamber treatment)、高溫水氣腔處理(high-temperature moisture chamber treatment)、及/或表層摻雜而執行。藉由後處理過程，可改善第一無機膜30及第二無機膜40之間的結合力及低溫相變(LPT)無機材料中的結合力。
【0062】
如上所述，在本實施例中，由於第一及第二無機膜30及40先是在含氧的條件下引起氧化反應以形成一定厚度的第一無機膜30且接著形成第二無機膜40，空氣中的氧氣在與第二電極26反應前會與第二無機膜40的低溫相變(LPT)無機材料反應。此外，由於先氧化的第一無機膜30形成在第二電極26上，能夠保護第二電極26免於被空氣中的氧氣所氧化或被在癒合過程期間滲透的氧氣所氧化。
【0063】
第3圖為根據另一實施例描繪有機發光二極體(OLED)顯示器的示意性剖面圖。
【0064】
參考第3圖，不同於第1圖，第二無機膜40’可以形成以直接安排在第一無機膜30上。第一無機膜30可包括先前在含氧的條件下形成的氧化錫(SnO2)，且第一無機膜30可作用為用於防止第二電極26與空氣中的氧進行氧化反應的屏障膜。
【0065】
通過總結及回顧之方式，有機發光二極體(OLED)顯示器由於氧氣或水氣滲透而可能會劣化。因此，可提供密封結構以避免氧氣或水氣的滲透。
【0066】
如上所述，實施例可提供具有優異密封特性的有機發光二極體(OLED)顯示器。
【0067】
儘管本發明已具體地展示且參考其例示性實施例而說明，本技術領域具有通常知識者將理解的是可對其進行形式及細節上的各種改變，而不脫離本發明由申請專利範圍所定義之精神及範圍。
10．．．基板
20．．．有機發光單元
30．．．第一無機膜
40．．．第二無機膜
A．．．部份

Claims (16)

  1. 【第1項】
    一種有機發光二極體顯示器，其包括：
    一基板；
    一有機發光單元，安排在該基板上且包括一第一電極、一有機發光膜、及一第二電極之一層疊體；
    一第一無機膜，形成在該基板上以覆蓋該有機發光單元，該第一無機膜包括氧化錫(SnO2)；以及
    一第二無機膜，形成在該第一無機膜上，該第二無機膜包括位在一頂表面之氧化錫(SnO2)，且包括氧化亞錫(SnO)，氧化亞錫(SnO)之比例從該第二無機膜之該頂表面朝向該第一無機膜之方向增加。
  2. 【第2項】
    如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體顯示器，其中該第一無機膜及該第二無機膜進一步包括磷酸酐(P2O5)、磷酸硼(BPO4)、氟化亞錫(SnF2)及三氧化鎢(WO3)其中之一或多個。
  3. 【第3項】
    如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體顯示器，其中該第二無機膜形成以覆蓋該第一無機膜及該基板。
  4. 【第4項】
    如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體顯示器，其中該第二無機膜直接形成在該第一無機膜上。
  5. 【第5項】
    如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體顯示器，其中該第一無機膜及該第二無機膜具有低於該有機發光膜之一變性溫度之從一固體狀態至一液體狀態之相變溫度。
  6. 【第6項】
    如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體顯示器，其中該第一無機膜及該第二無機膜藉由熔化及固化而處理。
  7. 【第7項】
    如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體顯示器，其中該第一無機膜具有約100奈米(nm)至約500奈米(nm)之厚度。
  8. 【第8項】
    一種製造有機發光二極體顯示器之方法，該方法包括：
    在一基板上形成一有機發光單元；
    藉由在含氧之條件下使用一低溫相變(LPT)無機材料形成一第一無機膜以覆蓋該有機發光單元；以及
    藉由在缺氧之條件下使用該低溫相變(LPT)無機材料在該第一無機膜上形成一第二無機膜。
  9. 【第9項】
    如申請專利範圍第8項所述之方法，其中該第一無機膜包括氧化錫(SnO2)。
  10. 【第10項】
    如申請專利範圍第8項所述之方法，其中該低溫相變(LPT)無機材料包括：
    氧化亞錫(SnO)；
    氧化亞錫(SnO)及磷酸酐(P2O5)；
    氧化亞錫(SnO)及磷酸硼(BPO4)；
    氧化亞錫(SnO)、氟化亞錫(SnF2)、及磷酸酐(P2O5)；
    氧化亞錫(SnO)、氟化亞錫(SnF2)、磷酸酐(P2O5)、及一氧化鈮(NbO)；或
    氧化亞錫(SnO)、氟化亞錫(SnF2)、磷酸酐(P2O5)、及三氧化鎢(WO3)。
  11. 【第11項】
    如申請專利範圍第8項所述之方法，其中該第一無機膜之形成及該第二無機膜之形成係藉由一濺鍍法、一氣相沉積法、一低溫沉積法、一電漿增強化學氣相沉積法、一電漿離子輔助沉積法、一電子束塗層法、及一離子鍍層法其中之一或多個來進行。
  12. 【第12項】
    如申請專利範圍第8項所述之方法，其中該第一無機膜使用一濺鍍法而形成，並且，在使用該濺鍍法之該第一無機膜之形成中，氧氣及氬氣之噴射量之間之比例為約0.005至約1：1。
  13. 【第13項】
    如申請專利範圍第8項所述之方法，其中該第二無機膜之一頂表面因空氣中之氧氣而氧化。
  14. 【第14項】
    如申請專利範圍第8項所述之方法，其中該第一無機膜具有約100奈米(nm)至約500奈米(nm)之厚度。
  15. 【第15項】
    如申請專利範圍第8項所述之方法，在形成該第二無機膜後，其進一步包括：
    藉由以高於該第一無機膜及該第二無機膜之相變溫度之溫度加熱該第一無機膜及該第二無機膜來進行對該第一無機膜及該第二無機膜提供流動性之一癒合過程；以及
    在該有機發光二極體顯示器上進行之一後處理過程。
  16. 【第16項】
    如申請專利範圍第15項所述之方法，其中該後處理過程包括一化學處理、一電漿處理、一高溫含氧腔處理，一高溫水氣腔處理、及一表層摻雜其中之一或多個。
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