TWI595541B - 工件的選擇性區域植入 - Google Patents
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- TWI595541B TWI595541B TW105136697A TW105136697A TWI595541B TW I595541 B TWI595541 B TW I595541B TW 105136697 A TW105136697 A TW 105136697A TW 105136697 A TW105136697 A TW 105136697A TW I595541 B TWI595541 B TW I595541B
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- 239000007943 implant Substances 0.000 title claims description 13
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims description 43
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 29
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005686 electrostatic field Effects 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3171—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation for ion implantation
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
- H01L21/26506—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation in group IV semiconductors
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/04—Means for controlling the discharge
- H01J2237/045—Diaphragms
- H01J2237/0455—Diaphragms with variable aperture
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/31701—Ion implantation
- H01J2237/31703—Dosimetry
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- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/31701—Ion implantation
- H01J2237/31706—Ion implantation characterised by the area treated
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/31701—Ion implantation
- H01J2237/31706—Ion implantation characterised by the area treated
- H01J2237/3171—Ion implantation characterised by the area treated patterned
- H01J2237/31711—Ion implantation characterised by the area treated patterned using mask
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Analytical Chemistry (AREA)
- Toxicology (AREA)
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Description
本發明的各實施例涉及一種對工件進行選擇性處理,且更具體而言,對半導體工件的外側部分進行選擇性植入的裝置及方法。
隨著對更高的工件利用率的需求持續增長,一個可改良的可能方面為對工件的外側部分進行的處理。通常,工件的外側部分不會被植入成或處理成與工件的其餘部分一樣的程度。舉例來說,旋塗(spin coating)製程可使得外側邊緣附近的材料的厚度由於向心力而更大。植入製程可在工件的邊緣附近提供不同的劑量,原因為外側邊緣處的溫度可略微不同於工件的其餘部分的溫度。在半導體製作製程中還存在其他不均勻性。這些不均勻性對工件的利用率造成負面影響,原因為工件的外側邊緣附近的區域可能最終被浪費掉。
已作出提高這些各種半導體製程的均勻性的努力。然而,通過這些製程可實現的均勻性的程度可能受到限制。
因此,若存在一種對工件的外側部分進行選擇性植入的裝置及方法,則將有益處。此外,若這種選擇性植入在不對半導體製作製程的生產能力(throughput)造成負面影響的同時提高工件的總體製程均勻性,則將有所助益。
本發明公開了對工件的外側部分進行選擇性植入的裝置及方法。遮罩安置於離子束與所述工件之間,所述遮罩具有供所述離子束穿過的開孔。所述開孔可具有凹的第一邊緣,所述凹的第一邊緣是使用與所述工件的所述外側部分的內徑半徑相等的半徑形成。此外,所述遮罩固定至多軸機械手臂,使得所述平臺在裝載/卸載位置與工作位置之間自由旋轉而不會使所述遮罩移動。在某些實施例中,所述遮罩固定至所述多軸機械手臂的基座且具有第一部分及第二部分,所述第一部分從所述基座垂直地向上延伸並具有開孔,所述第二部分被造型成不干涉所述平臺的旋轉。在其他實施例中,所述遮罩可固定至所述多軸機械手臂的手臂。
根據一個實施例,本發明公開了一種對工件的外側部分進行處理的裝置。所述裝置包括多軸機械手臂、平臺以及遮罩。所述多軸機械手臂包括:基座;手臂,從所述基座向上延伸;以及可旋轉的組件,安置於所述手臂之間,其中所述可旋轉的組件繞軸線在裝載/卸載位置與工作位置之間旋轉。所述平臺,安置於
所述可旋轉的組件上,被配置成繞所述平臺的中心旋轉。所述遮罩,固定至所述多軸機械手臂、,所述遮罩具有供離子束穿過的開孔,其中所述遮罩被造型成使得當所述可旋轉的組件在所述裝載/卸載位置與所述工作位置之間旋轉時所述遮罩不干涉所述平臺。在某些實施例中,所述開孔具有凹的第一邊緣,其中所述凹的第一邊緣是使用與所述工件的所述外側部分的內徑半徑相等的半徑形成。在某些實施例中,所述遮罩固定至所述基座並在所述可旋轉的組件處於所述工作位置時阻擋所述平臺的底部部分不被所述離子束照射。在這一實施例中,所述遮罩可包括第一部分及第二部分,所述第一部分包括所述開孔,其中所述第二部分被造型成不干涉所述平臺的運動。所述第一部分可從所述基座垂直地向上延伸。所述第二部分可向外彎曲,使得所述遮罩與所述平臺之間的水平距離隨著距所述基座的垂直距離的增大而增大。在某些實施例中,所述第二部分包括一個或多個傾斜的區段,所述一個或多個傾斜的區段被配置成使得所述遮罩與所述平臺之間的水平距離隨著距所述基座的垂直距離的增大而增大。在某些實施例中,所述第二部分包括一個或多個水平區段及一個或多個垂直區段,所述一個或多個水平區段及所述一個或多個垂直區段被配置成使得所述遮罩與所述平臺之間的水平距離隨著距所述基座的垂直距離的增大而逐步增大。在某些實施例中,所述遮罩固定至所述手臂並在所述可旋轉的組件處於所述工作位置時阻擋所述平臺的頂部部分不被所述離子束照射。在這一實施例中,所述遮罩可包括:延伸體,
從所述手臂向上延伸;橫向部件,從所述延伸體垂直地延伸;以及第一部分,從所述橫向部件向下延伸,以在所述可旋轉的組件處於所述工作位置時阻擋所述平臺的頂部部分不被所述離子束照射。
根據第二實施例,本發明公開了一種對工件的外側部分進行處理的裝置。所述裝置包括多軸機械手臂、平臺、以及遮罩。所述多軸機械手臂包括:基座;手臂,從所述基座向上延伸;以及可旋轉的組件,安置於所述手臂之間,其中所述可旋轉的組件繞軸線在裝載/卸載位置與工作位置之間旋轉。所述平臺安置於所述可旋轉的組件上、被配置成繞所述平臺的中心旋轉。所述遮罩固定至所述多軸機械手臂,並延伸以在所述可旋轉的組件處於所述工作位置時阻擋所述平臺的一部分不被離子束照射,其中所述遮罩包括供所述離子束穿過的開孔,所述開孔具有凹形的第一邊緣,所述凹形的第一邊緣是使用與所述工件的所述外側部分的內徑半徑相等的半徑形成。
根據另一實施例,本發明公開了一種對工件的外側部分進行植入的方法。所述方法包括:在可旋轉地附著至多軸機械手臂的平臺處於水平取向的同時,將所述工件安置於所述平臺上,所述多軸機械手臂包括固定至所述多軸機械手臂的遮罩;將所述平臺從所述水平取向旋轉至垂直取向;在所述平臺處於所述垂直取向的同時,經由所述遮罩中的開孔朝所述工件引導離子束;以及在朝所述開孔引導所述離子束的同時,繞所述平臺的中心旋轉所述平臺,以在不對所述工件的其他部分進行植入的同時對所述工件的所述外側部分進行植入;其中所述遮罩固定至所述多軸機械手臂,使得當所述平臺從所述水平取向旋轉至所述垂直取向時,所述遮罩不干涉所述平臺。
如上所述,半導體製作製程可具有某些固有的不均勻性,所述不均勻性可致使工件的外側部分受到與工件的其餘部分不同的程度的處理。本發明闡述了對工件的外側部分進行選擇性植入以補償這些不均勻性所可採用的裝置及方法。這種選擇性處理僅用於在不影響工件的其餘部分的同時對工件的外側部分進行處理。所述工件的外側部分可為孔環(annular ring),其中所述孔環的外側尺寸是由所述工件的直徑界定。舉例來說,若工件具有為286 毫米的直徑,則孔環可具有為143 毫米的外徑半徑及略小於143 毫米的內徑半徑。孔環的寬度可為幾十毫米或可僅為幾毫米。在某些實施例中,孔環可具有3 毫米的寬度。然而,孔環的寬度可變化,且不受此公開內容限制。
圖1A示出根據一個實施例的對工件的外側部分進行選擇性處理的裝置100。裝置100包括也被稱為多軸機械手臂120的多軸機器人。多軸機械手臂120包括基座130,基座130連通兩個彼此間隔開的向上延伸的手臂140。可旋轉的組件150安置於所述兩個向上延伸的手臂140之間的空間中並可旋轉地附著至所述兩個向上延伸的手臂140。可旋轉的組件150包括用以容置工件(圖中未示出)的平臺160。平臺160可為能夠通過使用靜電力而將工件裝夾於定位上的靜電夾頭。第一電動機(圖中未示出)可安置於可旋轉的組件150內以使得平臺160能夠繞軸線161旋轉,其中軸線161垂直於平臺160的平面並穿過平臺160的中心。
第二電動機(圖中未示出)可安置於多軸機械手臂120內,例如安置於可旋轉的組件150內或向上延伸的手臂140內。第二電動機使得可旋轉的組件150能夠繞第二軸線162旋轉。第二軸線162可為水平的。可旋轉的組件150可能夠旋轉至少90°。具體來說,多軸機械手臂120具有圖1A中所示的被稱為裝載/卸載位置的第一位置,其中可旋轉的組件150被取向成使平臺160水平或實質上水平。當處於這一裝載/卸載位置時,工件可被放置於平臺160上,且隨後在進行處理之後可從平臺160被移除。多軸機械手臂120還具有圖1B中所示的被稱為工作位置的第二位置,其中可旋轉的組件150被取向成使平臺160垂直或實質上垂直。在這一工作位置中,平臺160及所裝夾的工件面對朝平臺160引導的離子束190。換句話說,在多軸機械手臂120處於這一位置時,由平臺160的表面形成的平面垂直於離子束190。
遮罩170固定至多軸機械手臂120的基座130。遮罩170可由石墨、鋁或其他合適的材料構成。遮罩170具有第一部分171,第一部分171包括供離子束190穿過以對工件進行植入的開孔180。在多軸機械手臂120處於工作位置時,這一第一部分171在工件的外側部分附近安置。遮罩170的剩餘部分可構成遮罩170的第二部分172。由於離子束190穿過開孔180,因此在某些實施例中,遮罩170的第一部分171被設計成使得在處於工作位置時,第一部分171緊密接近平臺160。舉例來說,儘管也可使用其他距離,但遮罩170的第一部分171可與平臺160相距15 毫米以內。此外,遮罩170用以下方式固定至基座130:平臺160自由地繞第二軸線162旋轉而不接觸遮罩170。在某些實施例中,為實現這兩個目標,遮罩170被設計成使遮罩170的第一部分171比遮罩170的第二部分172更靠近平臺160。舉例來說,隨著平臺160繞第二軸線162從裝載/卸載位置(參見圖1A)旋轉至工作位置(參見圖1B),平臺160的外側邊緣沿弧165移動。為避免與平臺160接觸,遮罩170不處於由這一弧165界定的體積內。因此,在圖1A至圖1B中所示的實施例中,遮罩170的第一部分171是垂直的,而遮罩170的所述第二部分向外彎曲以避開平臺160的弧165。遮罩170的第二部分172被彎曲成使得平臺160與遮罩170之間的水平距離隨著距基座130的垂直距離的增大而增大。
在圖1B中所示的工作位置,朝工件,且具體來說朝遮罩170中的開孔180引導離子束190。離子束190僅在被開孔180暴露出的區中對工件進行植入。為對工件的整個外側部分進行植入,在朝開孔180引導離子束190的同時使平臺160繞軸線161旋轉。
圖5示出說明用於對工件的外側部分進行植入的過程的流程圖。首先,如過程500中所示,在多軸機械手臂120處於裝載/卸載位置的同時將工件放置於平臺160上。一旦放置完,則可如過程510中所示,由平臺160生成靜電場從而將工件裝夾於定位上。當然,也可採用其他技術將工件裝夾於定位上。接著如過程520中所示,使可旋轉的組件150繞第二軸線162旋轉至工作位置。一旦到位,則可如過程530中所示,朝遮罩170中的開孔180引導離子束190以開始對工件的外側部分進行植入。接著如過程540中所示,使平臺160繞軸線161旋轉以使得通過離子束190而對工件的整個外側部分進行植入。在某些實施例中,可在朝開孔180引導離子束190之前旋轉平臺160。如過程550中所示,在植入完成之後,可使多軸機械手臂120旋轉回裝載/卸載位置,從而可使得工件被移除。可接著對後續的工件重複進行所述順序。
可以各種方式來控制植入至工件的外側部分的劑量。舉例來說,在一個實施例中,對平臺160繞軸線161的旋轉速度進行設定以在單次旋轉中實現所期望的植入劑量。可基於先前測量的離子束電流來確定旋轉速度。舉例來說,可在執行圖5中所示的順序之前實行校準製程。在這一校準製程中,可例如使用法拉第杯(Faraday cup)來測量離子束電流。基於所測量的離子束電流,可確定平臺160的旋轉速度。如以上所陳述,在某些實施例中,旋轉速度被確定成使得在平臺160的一次旋轉期間植入所期望的劑量。然而,在其他實施例中,可結合所期望的平臺旋轉次數來確定旋轉速度。舉例來說,若在兩次旋轉期間對工件進行植入,則可以角速度的兩倍來旋轉平臺160。
在某些實施例中,可僅能夠以略微大於360°的範圍繞軸線161來旋轉平臺160。在這一實施例中,可通過以下步驟來實現多次旋轉:首先在第一方向(例如,順時針)上旋轉平臺160來完成第一次旋轉,接著在相反的第二方向(例如,逆時針)上實行第二次旋轉。可重複進行這一交替模式來完成所期望的旋轉次數。
儘管圖1A至圖1B示出其中遮罩的一部分為彎曲的遮罩,然而,其他實施例也是可能的。
圖2A示出裝置200的第二實施例的透視圖。這一實施例與圖1A至圖1B所示實施例相似,且相同的元件被給定為相同的參考指示符且不再進行贅述。在這一實施例中,遮罩270包括其中安置有開孔280的第一部分271。與圖1A至圖1B所示實施例相同,第一部分271垂直地取向。然而,遮罩270的第二部分272不彎曲。確切來說,遮罩270具有排列成樓梯形狀的多個臺階,其中遮罩270與平臺160之間的水平距離隨著距基座130的垂直距離的增大而以逐步的方式增大。儘管圖2A將遮罩270示出為一系列水平區段及垂直區段,然而應理解,也可使用其他形狀及構型來使開孔能夠保持在平臺160附近,同時仍使平臺160在裝載/卸載位置與工作位置之間旋轉。舉例來說,遮罩的第一部分可為垂直的,而遮罩的第二部分包括一個或多個傾斜的部分。
圖2B示出裝置200的前視圖。遮罩270用於阻擋平臺160的一部分不被離子束照射。應注意,遮罩270僅須覆蓋平臺160的可能會暴露至離子束的部分。換句話說,若離子束是點狀束或帶狀束,則遮罩270僅阻擋平臺160的原本將暴露至離子束的部分。在圖2B中,遮罩270阻擋平臺160的大致一半不被離子束照射;然而,在其他實施例中,遮罩270可將平臺160阻擋得更多或更少。如以上所注明,遮罩270的大小可基於離子束的大小及形狀來確定且不受此公開內容限制。
開孔280安置於遮罩270的第一部分271上,使得離子束撞擊工件的外側部分。圖2C示出開孔280的放大圖。開孔280可被定位成使離子束的第一部分撞擊裝夾於平臺160上的工件,而離子束的第二部分在工件下方穿過。此外,開孔280可具有被界定為最靠近平臺160的中心的邊緣的第一邊緣281。換句話說,第一邊緣281安置於開孔的與平臺160的外側邊緣相對的一側上。第一邊緣281可以凹的方式彎曲成使得第一邊緣281的端部為弧狀。換句話說,第一邊緣281可為新月形的。在某些實施例中,第一邊緣281可利用第一邊緣281的與從平臺160的中心到第一邊緣281的距離相等的半徑形成。這一半徑也可與代表欲進行植入的工件的外側部分的孔環的內徑半徑相同。
所述開孔的剩餘部分可具有任何合適的形狀。舉例來說,圖2C示出開孔280的剩餘部分大致為圓形。然而,也可能為其他形狀且本發明並不限於任何特定形狀。儘管圖2C所示的開孔280被示出為與圖2A所示的遮罩270相組合,然而應理解,本文中所闡述的實施例中的任一實施例可為具有如上所述的形狀及第一邊緣的開孔。
因此,圖1A至圖1B及圖2A至圖2C示出其中遮罩固定至多軸機械手臂120的基座130的兩個不同的實施例。所述遮罩從基座130向上延伸。所述遮罩具有其中安置有開孔的第一部分。在某些實施例中,所述遮罩的所述第一部分垂直地取向。所述遮罩的第二部分被造型成使得當平臺在裝載/卸載位置與工作位置之間旋轉時不處於平臺160的路徑中。第二部分可以各種方式進行造型。舉例來說,第二部分可向外彎曲。在另一實施例中,第二部分可包括一個或多個向外傾斜的區段。在又一實施例中,第二部分可包括形成樓梯形狀的多個水平區段及垂直區段。
所述裝置的其他實施例也是可能的。圖3A至圖3C示出裝置300的其中遮罩370附著至多軸機械手臂120的手臂140的實施例。這一裝置300的元件中的許多元件與圖1A至圖1B中所示的元件相似,且因此已被給定以相同的參考指示符。圖3A示出處於工作位置的裝置300的側視圖,其中平臺160垂直地取向。圖3B示出處於裝載/卸載位置的裝置300的側視圖,其中平臺160水平地取向。圖3C示出處於這一工作位置的裝置300的俯視圖。遮罩370的延伸體372從手臂140向上延伸。橫桿374(參見圖3C)可在兩個延伸體372的遠端處連接所述兩個延伸體372。延伸體372的近端附著至手臂140。橫向部件373的近端例如垂直地附著至延伸體372的遠端。遮罩370的第一部分371從橫向部件373的遠端向下延伸。開孔380安置於第一部分371中。不同於先前的實施例,遮罩370不包括向外彎曲的第二部分。這是因為遮罩370不干涉由平臺160的旋轉形成的弧365,因為遮罩370從多軸機械手臂320的頂部懸垂。
為裝載工件,如圖3B中所示,裝置300被放置於裝載/卸載位置。工件可接著從左側或右側移動至平臺160上,從而使得工件在各延伸體372之間穿過。遮罩370的第一部分371可從橫向部件373向下延伸任意量;然而,在處於裝載/卸載位置時,第一部分371不得向下延伸超過平臺160的平面。
這一實施例的開孔380也可包括與上述第一邊緣相似的第一邊緣。然而,由於遮罩370從平臺160的頂部向下延伸,因此第一邊緣將為開孔380的底部邊緣。應注意,在所有實施例中,在平臺處於工作位置時,開孔的第一邊緣被定位成最靠近平臺的中心。
其他實施例也是可能的。舉例來說,圖1A至圖1B及圖2A至圖2C示出固定至多軸機械手臂120的基座130以阻擋平臺160的底部部分不被離子束照射的遮罩。圖3A至圖3C示出固定的且從所述兩個手臂140向上延伸以阻擋平臺160的頂部部分不被離子束照射的遮罩。在這些實施例中的每一者中,所述遮罩被造型成且被配置成當多軸機械手臂從裝載/卸載位置旋轉至工作位置時不干涉平臺。
遮罩(例如本文中所公開的任一遮罩)的使用使得沿工件的外側部分生成植入區。圖4示出代表植入至工件中的劑量隨著工件的半徑而變化的曲線表。線400示出遮罩對植入劑量的影響。在這一測試中,遮罩被安置在工件前面從而使得開孔的第一邊緣的半徑為135 毫米。所述曲線圖示出這一半徑附近的植入劑量急速且急劇地增長。這是由於第一邊緣的形狀以及開孔在植入期間接近工件。
在本申請中的上述實施例可具有許多優點。將遮罩固定至多軸機械手臂(固定在基座處或手臂處)具有幾點益處。首先,由於遮罩不會相對於多軸機械手臂而移動,因此遮罩恒久地與所述平臺對齊。此外,通過以不干涉平臺的旋轉的方式固定遮罩,生產能力可得到提高。舉例來說,能對多個工件重複地執行圖5中所說明的順序而無須在各植入之間使遮罩移動或對齊。此外,由於遮罩不移動,因此可存在較少的顆粒。此外,第一邊緣被造型成與工件的外側部分的內徑半徑對應。這使得能夠實現在植入的外側區與工件的其餘區之間更加急劇的過渡。
本發明在範圍上不受本文中所闡述的具體實施例限制。實際上,通過閱讀以上說明及附圖,對所屬領域中的普通技術人員來說,除本文中所闡述的實施例及潤飾外,本發明的其他各種實施例及對本發明作出的各種潤飾也將顯而易見。因此,這些其他實施例及潤飾都旨在落於本發明的範圍內。此外,儘管本文中已在用於具體目的的具體環境中的具體實作方式的上下文中闡述了本發明,然而所屬領域中的普通技術人員將認識到本發明各實施例的有用性並不僅限於此且本發明可出於任意數目的目的而有益地實作於任意數目的環境中。因此,以下提出的權利要求應慮及如本文中所闡述的本發明的全部廣度及精神來進行解釋。
100、200、300:裝置 120、320:多軸機械手臂 130:基座 140:手臂 150:可旋轉的組件 160:平臺 161:軸線 162:第二軸線 165、365:弧 170、270、370:遮罩 171、271、371:第一部分 172、272:第二部分 180、280、380:開孔 190:離子束 281:第一邊緣 372:延伸體 373:橫向部件 374:橫桿 400:線 500、510、520、530、540、550:過程
參照併入本文供參考的附圖來更好的理解本發明,在附圖中: 圖1A示出處於裝載/卸載位置的用於對工件的外側部分進行選擇性植入的裝置的實施例的側視圖。 圖1B示出處於工作位置的圖1A所示裝置的側視圖。 圖2A示出用於對工件的外側部分進行選擇性植入的裝置的另一實施例的透視圖。 圖2B示出圖2A所示裝置的前視圖。 圖2C示出圖2B所示裝置中的開孔的放大圖。 圖3A示出處於工作位置的用於對工件的外側部分進行選擇性植入的裝置的另一實施例的側視圖。 圖3B示出處於裝載/卸載位置的圖3A所示裝置的側視圖。 圖3C示出處於工作位置的圖3A所示裝置的俯視圖。 圖4示出在使用本文中所公開的裝置進行選擇性植入之後的沿工件的外側部分的劑量。 圖5是說明使用本文中所闡述的裝置對工件進行選擇性植入的製程的流程圖。
200:裝置 130:基座 140:手臂 150:可旋轉的組件 160:平臺 161:軸線 162:第二軸線 270:遮罩 271:第一部分 272:第二部分 280:開孔
Claims (19)
- 一種對工件的外側部分進行處理的裝置,包括:多軸機械手臂,包括:基座;手臂,從所述基座向上延伸;以及可旋轉的組件,安置於所述手臂之間,其中所述可旋轉的組件繞軸線在裝載或卸載位置與工作位置之間旋轉;平臺,安置於所述可旋轉的組件上,被配置成繞所述平臺的中心旋轉;以及遮罩,固定至所述多軸機械手臂,所述遮罩具有供離子束穿過的開孔,其中所述遮罩被造型成使得當所述可旋轉的組件在所述裝載或卸載位置與所述工作位置之間旋轉時所述遮罩不干涉所述平臺。
- 如申請專利範圍第1項所述之裝置,其中所述開孔具有凹的第一邊緣,其中所述凹的第一邊緣是使用與所述工件的所述外側部分的內徑半徑相等的半徑形成。
- 如申請專利範圍第1項所述之裝置,其中所述遮罩固定至所述基座並在所述可旋轉的組件處於所述工作位置時阻擋所述平臺的底部部分不被所述離子束照射。
- 如申請專利範圍第3項所述之裝置,其中所述遮罩包括第一部分及第二部分,所述第一部分包括所述開孔,其中所述第二部分被造型成不干涉所述平臺的運動。
- 如申請專利範圍第4項所述之裝置,其中所述第一部分從所述基座垂直地向上延伸。
- 如申請專利範圍第4項所述之裝置,其中所述第二部分向外彎曲,使得所述遮罩與所述平臺之間的水平距離隨著距所述基座的垂直距離的增大而增大。
- 如申請專利範圍第4項所述之裝置,其中所述第二部分包括一個或多個傾斜的區段,所述一個或多個傾斜的區段被配置成使得所述遮罩與所述平臺之間的水平距離隨著距所述基座的垂直距離的增大而增大。
- 如申請專利範圍第4項所述之裝置,其中所述第二部分包括一個或多個水平區段及一個或多個垂直區段,所述一個或多個水平區段及所述一個或多個垂直區段被配置成使得所述遮罩與所述平臺之間的水平距離隨著距所述基座的垂直距離的增大而逐步增大。
- 如申請專利範圍第1項所述之裝置,其中所述遮罩固定至所述手臂並在所述可旋轉的組件處於所述工作位置時阻擋所述平臺的頂部部分不被所述離子束照射。
- 如申請專利範圍第9項所述之裝置,其中所述遮罩包括:延伸體,從所述手臂向上延伸;橫向部件,從所述延伸體垂直地延伸;以及 第一部分,從所述橫向部件向下延伸,以在所述可旋轉的組件處於所述工作位置時阻擋所述平臺的所述頂部部分不被所述離子束照射。
- 一種對工件的外側部分進行處理的裝置,包括:多軸機械手臂,包括:基座;手臂,從所述基座向上延伸;以及可旋轉的組件,安置於所述手臂之間,其中所述可旋轉的組件繞軸線在裝載或卸載位置與工作位置之間旋轉;平臺,安置於所述可旋轉的組件上,被配置成繞所述平臺的中心旋轉;以及遮罩,固定至所述多軸機械手臂,並延伸以在所述可旋轉的組件處於所述工作位置時阻擋所述平臺的一部分不被離子束照射,其中所述遮罩包括供所述離子束穿過的開孔,所述開孔具有凹形的第一邊緣,所述凹形的第一邊緣是使用與所述工件的所述外側部分的內徑半徑相等的半徑形成。
- 如申請專利範圍第11項所述之裝置,其中所述遮罩固定至所述基座並在所述可旋轉的組件處於所述工作位置時阻擋所述平臺的底部部分不被所述離子束照射。
- 如申請專利範圍第12項所述之裝置,其中所述遮罩包括第一部分及第二部分,所述第一部分包括所述開孔,其中所述第二部分被造型成不干涉所述平臺的運動。
- 如申請專利範圍第13項所述之裝置,其中所述第一部分從所述基座向上延伸。
- 如申請專利範圍第13項所述之裝置,其中所述第二部分向外彎曲,使得所述遮罩與所述平臺之間的水平距離隨著距所述基座的垂直距離的增大而增大。
- 如申請專利範圍第13項所述之裝置,其中所述第二部分包括一個或多個傾斜的區段,所述一或多個傾斜的區段被配置成使得所述遮罩與所述平臺之間的水平距離隨著距所述基座的垂直距離的增大而增大。
- 如申請專利範圍第13項所述之裝置,其中所述第二部分包括一個或多個水平區段及一個或多個垂直區段,所述一個或多個水平區段及所述一個或多個垂直區段被配置成使得所述遮罩與所述平臺之間的水平距離隨著距所述基座的垂直距離的增大而逐步增大。
- 一種對工件的外側部分進行植入的方法,包括:在可旋轉地附著至多軸機械手臂的平臺處於水平取向的同時,將所述工件安置於所述平臺上,所述多軸機械手臂包括固定至所述多軸機械手臂的遮罩;將所述平臺從所述水平取向旋轉至垂直取向;在所述平臺處於所述垂直取向的同時,經由所述遮罩中的開孔朝所述工件引導離子束;以及 在朝所述開孔引導所述離子束的同時,繞所述平臺的中心旋轉所述平臺,以在不對所述工件的其他部分進行植入的同時對所述工件的所述外側部分進行植入,其中所述遮罩固定至所述多軸機械手臂,使得當所述平臺從所述水平取向旋轉至所述垂直取向時,所述遮罩不干涉所述平臺。
- 如申請專利範圍第18項所述之方法,其中所述開孔具有凹的第一邊緣,所述凹的第一邊緣是使用與所述工件的所述外側部分的內徑半徑相等的半徑形成。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US14/972,602 US9583309B1 (en) | 2015-12-17 | 2015-12-17 | Selective area implant of a workpiece |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201724207A TW201724207A (zh) | 2017-07-01 |
TWI595541B true TWI595541B (zh) | 2017-08-11 |
Family
ID=58056711
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW105136697A TWI595541B (zh) | 2015-12-17 | 2016-11-10 | 工件的選擇性區域植入 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9583309B1 (zh) |
TW (1) | TWI595541B (zh) |
WO (1) | WO2017105910A1 (zh) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN206692727U (zh) * | 2017-04-28 | 2017-12-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种基板承载组件及磁控溅射装置 |
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JP5211328B2 (ja) * | 2011-02-02 | 2013-06-12 | 日新イオン機器株式会社 | イオン注入方法およびイオン注入装置 |
US10081861B2 (en) * | 2015-04-08 | 2018-09-25 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Selective processing of a workpiece |
-
2015
- 2015-12-17 US US14/972,602 patent/US9583309B1/en active Active
-
2016
- 2016-11-10 TW TW105136697A patent/TWI595541B/zh not_active IP Right Cessation
- 2016-12-06 WO PCT/US2016/065061 patent/WO2017105910A1/en active Application Filing
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2017105910A1 (en) | 2017-06-22 |
US9583309B1 (en) | 2017-02-28 |
TW201724207A (zh) | 2017-07-01 |
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