TWI581025B - 產生寬帶光學輸出的技術 - Google Patents

產生寬帶光學輸出的技術 Download PDF

Info

Publication number
TWI581025B
TWI581025B TW104116071A TW104116071A TWI581025B TW I581025 B TWI581025 B TW I581025B TW 104116071 A TW104116071 A TW 104116071A TW 104116071 A TW104116071 A TW 104116071A TW I581025 B TWI581025 B TW I581025B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
optical
output
integrated circuit
input
photonic integrated
Prior art date
Application number
TW104116071A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201614298A (en
Inventor
海生 榮
徐晟波
強納森 朵藍
Original Assignee
英特爾股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 英特爾股份有限公司 filed Critical 英特爾股份有限公司
Publication of TW201614298A publication Critical patent/TW201614298A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI581025B publication Critical patent/TWI581025B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4204—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
    • G02B6/4215—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms the intermediate optical elements being wavelength selective optical elements, e.g. variable wavelength optical modules or wavelength lockers
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
    • G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
    • G02B6/12007—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind forming wavelength selective elements, e.g. multiplexer, demultiplexer
    • G02B6/12009—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind forming wavelength selective elements, e.g. multiplexer, demultiplexer comprising arrayed waveguide grating [AWG] devices, i.e. with a phased array of waveguides
    • G02B6/12016—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind forming wavelength selective elements, e.g. multiplexer, demultiplexer comprising arrayed waveguide grating [AWG] devices, i.e. with a phased array of waveguides characterised by the input or output waveguides, e.g. tapered waveguide ends, coupled together pairs of output waveguides
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
    • G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
    • G02B6/12004—Combinations of two or more optical elements
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
    • G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
    • G02B6/12007—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind forming wavelength selective elements, e.g. multiplexer, demultiplexer
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
    • G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
    • G02B6/122—Basic optical elements, e.g. light-guiding paths
    • G02B6/1225—Basic optical elements, e.g. light-guiding paths comprising photonic band-gap structures or photonic lattices
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4249—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details comprising arrays of active devices and fibres
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
    • G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
    • G02B2006/12035—Materials
    • G02B2006/12061—Silicon
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
    • G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
    • G02B2006/12083—Constructional arrangements
    • G02B2006/12104—Mirror; Reflectors or the like
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
    • G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
    • G02B2006/12083—Constructional arrangements
    • G02B2006/12107—Grating
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/26—Optical coupling means
    • G02B6/28—Optical coupling means having data bus means, i.e. plural waveguides interconnected and providing an inherently bidirectional system by mixing and splitting signals
    • G02B6/293—Optical coupling means having data bus means, i.e. plural waveguides interconnected and providing an inherently bidirectional system by mixing and splitting signals with wavelength selective means
    • G02B6/29379—Optical coupling means having data bus means, i.e. plural waveguides interconnected and providing an inherently bidirectional system by mixing and splitting signals with wavelength selective means characterised by the function or use of the complete device
    • G02B6/2938—Optical coupling means having data bus means, i.e. plural waveguides interconnected and providing an inherently bidirectional system by mixing and splitting signals with wavelength selective means characterised by the function or use of the complete device for multiplexing or demultiplexing, i.e. combining or separating wavelengths, e.g. 1xN, NxM
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S2301/00—Functional characteristics
    • H01S2301/02—ASE (amplified spontaneous emission), noise; Reduction thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/026—Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors, drivers
    • H01S5/0268—Integrated waveguide grating router, e.g. emission of a multi-wavelength laser array is combined by a "dragon router"
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/4012—Beam combining, e.g. by the use of fibres, gratings, polarisers, prisms
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
    • H01S5/4031—Edge-emitting structures
    • H01S5/4062—Edge-emitting structures with an external cavity or using internal filters, e.g. Talbot filters
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
    • H01S5/4087—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar emitting more than one wavelength

Description

產生寬帶光學輸出的技術
本發明係關於一種產生寬帶光學輸出的技術。
典型的寬帶光學源產生具有相對寬之頻寬的光學輸出並且被使用於許多變化的應用。例如，寬頻光學源發現使用於光譜學、光同調斷層掃描、光學通訊測試及測量、以及寬頻譜光線為必要或者另外令人期待的其他應用。典型在市場上可買到的寬頻光學源係從發光二極體(LED)陣列形成。在此些裝置中，各LED的光學輸出係使用光纖或無空間的光學組件來組合。因為LED電路彼此獨立且需要額外的對準軟體，所以就一些應用而言，標準寬頻光學源的總尺寸則會過大(例如，典型的寬頻光學源可具有數十公分的尺寸)。
光子或光學積體電路結合多重光學組件來提供各種光學功能，包括但不限於光學放大、光學過濾、光學路由選擇、以及光學調變。該等光學組件包括例如光學放大器、光學過濾器、雷射、光學偵測器、以及用於路由選擇光學 訊號的波導。光子積體電路可使用許多材料來形成。最近，光子積體電路已經以矽形成。此些矽基光子積體電路可使用傳統的矽製造技術(譬如光微影)來形成。
100‧‧‧光子積體電路
102(102a-102f)‧‧‧光學源
104(104a-104f)‧‧‧輸入光學波導
106‧‧‧光學多工器
108‧‧‧輸入光學波導
110‧‧‧光學耦合器
120(120a-120f)‧‧‧非反射性散射器
200‧‧‧矽晶絕緣體基板
202‧‧‧頂部表面
210(210a-210f)‧‧‧輸入端
212(212a-212f)‧‧‧輸出端
220‧‧‧前內牆
222‧‧‧齒狀物
230‧‧‧圓圈
232‧‧‧圓圈
240(240a-240f)‧‧‧入射角
242‧‧‧標稱直徑
250‧‧‧輸入端
252‧‧‧輸出端
260‧‧‧寬度
262‧‧‧長度
300‧‧‧溝槽
302‧‧‧溝槽
310‧‧‧矽層
312‧‧‧絕緣體
500‧‧‧圖
502‧‧‧第一光學輸出
504‧‧‧第二光學輸出
506‧‧‧第三光學輸出
508‧‧‧第四光學輸出
510‧‧‧第五光學輸出
512‧‧‧第六光學輸出
520‧‧‧寬帶光學輸出
本文中所說明的概念係藉助實例且沒有藉助在附圖中的限制來繪示。為了繪示的簡單明瞭，在該等圖式中所繪示的元件不一定按照比例繪製。在認為適當之處，參考標號會在該等圖式之中重複，以指示對應或類似的元件。
圖1係為具有寬帶光學輸出之光子積體電路之至少一項實施例的簡化方塊圖；圖2係為具有寬帶光學輸出之光子積體電路之至少另一項實施例的簡化平面圖；圖3係為圖1與圖2之光子積體電路的簡化部份截面圖，其顯示矽肋部輸入光學波導與相關III-V化合物光學源的至少一項實施例；圖4係為用於產生寬帶光學輸出之方法之至少一項實施例的簡化流程圖；以及圖5係為繪示圖4之方法之模擬結果的簡化圖。
【發明內容與實施方式】
雖然本揭露的概念易受許多修改與替代形式所影響，但是其具體實施例卻藉助在圖式中的實例來顯示且將於本文中詳細地說明。不過，應該理解的是，無意限制本揭露 的概念於所揭露的特定形式，但相反地，卻意圖涵蓋與本揭露及附加申請專利範圍一致的所有修改、等同物、以及替代物。
在說明書中，提及「一項實施例」、「一實施例」、「一示範性實施例」等等意指所說明的實施例可包括特定的特徵、結構或特性，但是各實施例可能一定或不一定包括那特定特徵、結構、或特性。更者，此些片語不一定意指相同實施例。進一步，當說明相關於一實施例的特定特徵、結構、或特性時，據指出，它是在所屬技術領域中具有通常知識者的知識範圍內，以影響與其他實施例相關的此特徵、結構、或特性，不管是否被明確地說明。此外，應該理解的是，被包括在一表中、呈「至少一個A、B、及C」之形式的項目可意味著(A)；(B)；(C)；(A及B)；(A及C)；(B及C)；或(A、B、及C)。類似地，呈「A、B、或C中之至少一個」之形式而陳列的項目可意味著(A)；(B)；(C)；(A及B)；(A及C)；(B及C)；或(A、B、及C)。
在一些情形中，所揭露的實施例可呈硬體、韌體、軟體、或其任何組合來實施。所揭露的實施例亦可以藉由暫態或非暫態機械可讀取(例如，電腦可讀取)儲存媒體來實行或儲存在暫態或非暫態機械可讀取儲存媒體上的指令來實施，該暫態或非暫態機械可讀取儲存媒體則可藉由一個或多個處理器來讀取與執行。機械可讀取儲存媒體可以任何儲存裝置、機械、或其它物理結構來實施，以用於儲存 或傳輸呈可由機械(例如，揮發性或非揮發性記憶體、媒體光碟、或其它媒體裝置)讀取之形式的資訊。
在圖式中，一些結構性或方法特徵可呈具體排列及/或排序來顯示。不過，應該理解的是，此些具體排列及/或排序可能不被需要。更確切地說，在一些實施例中，此些特徵可能以與在示範性圖中所顯示的不同方式及/或次序來排列。此外，在特定圖中之一結構性或方法特徵的包含不意味著意指此些特徵在全部實施例中是必要的，而且在一些實施例中，此些特徵可能不被包括或與其他特徵一起結合。
現在參考圖1，在一示範性實施例中，藉由將由對應的窄帶光學源所產生的複數個、分離的窄帶光學輸出結合，光子積體電路100產生寬帶光學輸出。示範性光子積體電路100係以矽基光子積體電路來實施且包括形成在矽晶絕緣體基板(SOI)上或中的許多光學積體組件。因為光學積體電路100為矽基，所以標準的半導體製造技術(例如，光微影)則可被使用來形成光子積體電路100的各別光學積體組件。就這點而論，各別光學積體組件的配向係由半導體製造技術的容差所決定，而不是由機械封裝所決定，以容許光子積體電路100之總尺寸的減少。正如下文更詳細的討論，由光子積體電路100所產生的寬帶光學輸出可具有達到800奈米或更大的頻寬。
示範性光子積體電路100包括兩個或多個光學源102、兩個或多個輸入光學波導104、光學多工器106、以 及輸出光學波導108。例如，在圖1的示範性實施例中，光子積體電路100包括六個光學源102(102a-102f)以及六個對應的輸入光學波導104(104a-104f)。當然，在其他實施例中，光子積體電路100可包括額外或更少的光學源102以及對應的輸入光學波導104，其係依據例如寬帶光學輸出的希望頻寬以及光子積體電路100的尺寸限制。
光學源102的各個被設計用以產生對應的窄帶光學輸出，以回應激勵訊號。在本文中所說明的示範性實施例中，各光學源102以III-V化合物增益元件實施。亦即是，各光學源102係從三元與四元化合物所形成。例如，在示範性實施例中，各光學源102包括磷化銦(InP)基板，在該基板上，額外的III-V化合物可使用典型的半導體製造技術來建立(例如，額外的III-V化合物可使用化學蒸汽沈積技術而在InP基板上生長)。如下文更詳細的討論，各光學源102示範性地建立在對應的輸入光學波導104上之光子積體電路100之矽晶絕緣體基板的頂部表面上，以使得在激勵期間內各光學源的窄帶光學輸出能夠被注射到對應的輸入光學波導104內。
選擇使用以製造各光學源102之III-V化合物的特定組合，以使得各光學源102的窄帶光學輸出能夠不同。例如，在示範性實施例中，各窄帶光學輸出具有不同的中心頻率。此外，各窄帶光學輸出可具有類似或不同的頻寬(亦即，3db頻寬)。雖然光學源102的輸出在本文中被說明為「窄帶」光學輸出，但是應該理解的是，此指定與光 學積體電路100的寬帶光學輸出有關。在示範性實施例中，光學源102(例如，III-V化合物增益元件)經組態以產生放大的自發發射(ASE)光學輸出，其相對於以雷射模式操作的光學源具有更寬的頻寬(雖然更低的振幅)。示範性地，光學源102被組態用於以在矽晶絕緣體基板頂部上之III-V化合物的製造為基礎之放大的自發發射。
在一些實施例中，光子積體電路100亦可包括耦合到各輸入光學波導104之輸入端的非反射性散射器120(120a-120f)。非反射性散射器120將在各輸入光學波導104之輸入端上所接收的窄帶光學輸出散射，以確保窄帶光學輸出沒有反射回到光學源102，其可導致光學源102雷射發光。在示範性實施例中，非反射性散射器120的各個以形成在各輸入光學波導104之輸入端上的錐形來實施。在其他實施例中，其他機制可被使用來確保光學源102不會雷射發光，或者另外減少相似度。例如，在一些實施例中，光學吸收元件可取代非反射性散射器120。在仍其他的實施例中，非反射性散射器120可被省略。
如上文所討論，各光學源102形成在對應的輸入光學波導104上並且將它的窄帶光學輸出注射到對應的輸入光學波導104內。各輸入光學波導104將所接收的窄帶光學輸出路由選擇到光學多工器106，其中它結合其他的窄帶光學輸出以產生寬帶光學輸出。輸入光學波導104以能夠路由或引導光學訊號或輸出的任何類型的光學波導來實施。在示範性實施例中，輸入光學波導104以矽肋部光學 波導來實施，其係可藉由蝕刻在所希望波導之任一側上的溝槽(例如，蝕刻到埋藏的氧化物)、藉由沈積或建立矽波導於基板上、或經由其他製造製程來形成。由於矽的光學特性，光學訊號或輸出可以低耗損傳播通過矽，其類似光纖纜線。
光學多工器106接收藉由各輸入光學波導104所路由選擇的窄帶光學輸出且結合各窄帶光學輸出(或者各窄帶光學輸出的一部份)以在該輸出光學波導108上產生寬帶光學輸出。在示範性實施例中，光學多工器106以經組態以將各窄帶光學輸出的一部份反射到輸出光學波導108的中階梯光柵鏡來實施。中階梯光柵鏡可藉由將中階梯光柵鏡蝕刻到矽晶絕緣體基板內(例如，蝕刻到埋藏的氧化物)、藉由沈積或建立中階梯光柵鏡於基板上、或經由其他製造製程而來形成。中階梯光柵鏡包括內牆，由於矽基板的特性，該內牆的作用類似鏡子，用以反射光束。
由光學多工器106所反射之窄帶光學輸出的部份係由輸出光學波導108所接收。因為窄帶光學輸出的各個被反射到輸出光學波導108內，所以各別的窄帶光學輸出則被結合以形成光子積體電路100的寬帶光學輸出。輸出光學波導108則將寬帶光學輸出路由選擇到光子積體電路100的輸出。例如，光學耦合器110可被耦合到輸出光學波導以因而將(複數個)光纖纜線耦合到光子積體電路100。在一些實施例中，光學耦合器110可形成光子積體電路100的一部份。
與輸入光學波導104類似地，在示範性實施例中，輸出光學波導108以矽肋部光學波導來實施。輸出光學波導108可使用與使用以形成輸入光學波導類似的製造技術(例如，藉由蝕刻溝槽在希望波導的任一側上，藉由沈積或建立矽波導於基板上，或經由其他製造技術)來形成。再者，由於矽的光學特性，寬帶光學輸出以低耗損路由選擇到光子積體電路100的輸出。
現在參考圖2，在特定實施例中，光子積體電路100包括矽晶絕緣體(SOI)基板200，其具有六個光學源102(102a-102f)形成於其上的頂部表面202。在圖2的示範性實施例中，光學源102的各個以經組態以產生放大的自發發射(ASE)光學輸出以回應激勵訊號的III-V化合物增益元件來實施。圖2的光子積體電路100亦包括被蝕刻入SOI基板200之矽層內的六個輸入光學波導104(104a-104f)，且各光學源102被建立在對應的輸入光學波導104的一部份上。例如，如圖3所示，輸入光學波導104(以及輸出光學波導108)的各個可藉由蝕刻溝槽300、302到SOI基板200的矽層310內所形成，其係形成在絕緣體312上。溝槽300、302可完全蝕刻通過過在圖3所示的矽層310，或者在其他實施例中，僅僅部份蝕刻通過矽層310。對應的III-V化合物增益元件光學源102建立在輸入光學波導104的一部份上以將光學輸出(亦即，ASE光學輸出)注射到相關的輸入光學波導104內。
雖然基板200在本文中以具有矽層310形成在絕緣體 312上的矽晶絕緣體(SOI)基板來說明，但是在其他實施例中，基板200則可由其他材料形成。例如，基板200的層310可由矽化合物所形成或在其他實例中由除了矽以外的材料所形成。
往回參考圖2，各輸入光學波導102包括位於相關光學源102之一側上的輸入端210(210a-210f)以及位於相關光學源102之另一側上的輸出端212(212a-212f)。非反射性散射器120(120a-120f)形成在各輸入光學波導104的各輸入端210上。如上文所討論的，非反射性散射器120的各個示範性地以對應的輸入光學波導104的錐形端來實施，且經組態以將在輸入端210上所接收的ASE光學輸出散射。類似地，各輸出端212以錐形實施並且形成在SOI基板中，使得各輸出端212能夠被瞄準或引導向光學多工器106。
圖2之光子積體電路100的光學多工器106係以被蝕刻到SOI基板200之矽層310內的中階梯光柵鏡來實施。如圖2所示，示範性中階梯光柵鏡106具有大致彎曲的形狀，其包括具有複數個齒狀物222的前內牆220。複數個齒狀物222的各個以一角度對著輸出光學波導108，以將從輸入光學波導104所接收之ASE光學輸出的至少一部份反射。示範性地，中階梯光柵鏡106被設計用以使用全內反射，但是在其他實施例中卻沒有如此。或者，中階梯光柵鏡106的反射特性可藉由在內牆220上的界面所決定，其亦可塗層以譬如金屬塗層的反射性材料。如圖2所 示，示範性中階梯光柵鏡106通常沿著所具有之半徑大於圓圈232半徑之圓圈230的弧長來形成，各輸入光學波導的輸出端212則定義在圓圈232上(一般稱為羅蘭圓)。在一些實施例中，圓圈230的半徑為圓圈232半徑的兩倍。當然，在其他實施例中，光學多工器106可具有其他組態與結構。
如上文所討論，中階梯光柵鏡106將各輸入光學波導104之ASE光學輸出的至少一部份反射到輸出光學波導108以產生寬帶光學輸出。為了增加或最大化被反射的ASE光學輸出，輸入光學波導104的輸出端212相對於中階梯光柵鏡106被放置在基板200中，以使得相對於圓圈232的標稱直徑242，各輸入光學波導104的入射角240(240a-240f)能夠大於用於中階梯光柵鏡106之全內反射的角度。應該理解的是，通常由圓圈232所指示的空間會形成無矽的空間區域，在該空間區域中，各輸入光學波導104的ASE光學輸出不會在側向被加邊界(不像在各別輸入光學波導104裡面)。
如上文所討論，輸出光學波導108經組態以接收由中階梯光柵鏡106所反射之ASE光學輸出的部份。如圖2所示，示範性輸出光學波導108包括位於圓圈232上的輸入端250(類似輸入光學波導104的輸出端212)與輸出端252。輸出光學波導208的輸入端250係以引導向中階梯光柵鏡106的錐形來實施，以接收被反射的ASE光學輸出，其係由中階梯光柵鏡106所組合以形成寬帶光學輸 出。輸出光學波導108將寬帶光學輸出路由選擇到輸出端252，其係可耦合到光耦合器或其它裝置或互連件，以有助於寬帶光學輸出的使用。
再者，應該理解的是，圖2的光子積體電路100可使用典型的半導體製造技術來製造。就這一點而論，光子積體電路100可建立在具有相當小尺寸的SOI基板200上。例如，在圖2的特定實施例中，光子積體電路100會被製造以使得SOI基板200能夠具有小於大約兩公分的寬度260與長度262。光子積體電路100的此種尺度標示有助於它在廣範圍應用中的使用，尤其是那些具有尺寸限制者。
現在參考圖4，在一實施例中，光子積體電路100可施行方法400以產生寬帶光學輸出。方法400以方塊402開始，在該方塊中，各窄帶光學源102產生窄帶光學輸出。如上文所討論，在一些實施例中，窄帶光學源102可被製造或者另外經組態用以產生ASE光學輸出。在方塊404中，各窄帶光學輸出係由對應的輸入光學波導104所接收，其將所接收的窄帶光學輸出路由選擇到光子積體電路100內。在方塊406中，各輸入光學波導104將它的窄帶光學輸出引導到光學多工器106。多工器106則將各窄帶光學輸出的至少一部份反射到輸出光學波導108以產生寬帶光學輸出。輸出光學波導108收集寬帶光學輸出且將寬帶光學輸出路由選擇到光子積體電路的輸出。以此方式，寬帶光學輸出則可從矽基光子積體電路100產生。
現在參考圖5，圖500繪示由圖1與圖2之光子積體電路100之示範性實施例所產生的模擬結果。在圖5的示範性實施例中，光子積體電路100包括經組態以產生具有不同中心頻率之窄帶光學輸出的六個光學源102。特別地，光學源102經組態以產生具有中心頻率大約1500奈米與頻寬大約60奈米(亦即，3dB頻寬)的第一光學輸出502、具有中心頻率大約1540奈米與頻寬大約60奈米的第二光學輸出504、具有中心頻率大約1580奈米與頻寬大約60奈米的第三光學輸出506、具有中心頻率大約1620奈米與頻寬大約60奈米的第四光學輸出508、具有中心頻率大約1660奈米與頻寬大約60奈米的第五光學輸出510、以及具有中心頻率大約1700奈米與頻寬大約60奈米的第六光學輸出512。亦如在圖500中所示，結果所得之光子積體電路100的寬帶光學輸出520具有頻寬大約200奈米，其範圍從大約1500奈米至大約1700奈米。此外，如所示，模擬的寬帶光學輸出520具有小於0.2dB的波紋，小於3dB的光學損耗。
當然，應該理解的是，根據在上文關於圖5所說明的細節，圖5的模擬結果係以光子積體電路100之示範性設計與組態為基礎來產生。更者，應該理解的是，本文中所說明的科技與技術可使用以依據所使用的III-V化合物材料來建構能夠產生具有達到800奈米頻寬之寬帶光學輸出的光子積體電路100。亦即是，圖1與圖2之光子積體電路的寬帶光學輸出通常僅僅受限於可接合到矽晶絕緣體輸 入光學波導的窄帶增益元件。就這點而論，窄帶增益元件改善，產生從1250奈米至大於2000奈米之窄帶光學輸出的窄帶增益元件可被使用於光子積體電路100中，以產生具有頻寬大於800奈米的寬帶光學輸出。
實例
本文中所揭露之科技的示範性實例係於下文提供。該等科技的實施例可包括任一項或多項下文所說明的實例，以及其任何組合。
實例1包括一種用於產生一寬帶光學輸出的光子積體電路，該光子積體電路包含：一矽基板；複數個窄帶光學源，各窄帶光學源用以產生一窄帶光學輸出以回應一激勵訊號；複數個輸入光學波導，其中各輸入光學波導形成在該矽基板中用以接收來自一對應窄帶光學源的該窄帶光學輸出；一光學多工器，其形成在該矽基板中；以及一輸出光學波導，其形成在該矽基板中，其中(i)該複數個輸入光學波導的各者將從該對應的窄帶光學源所接收的該窄帶光學輸出引導到該光學多工器以及(ii)該光學多工器將各窄帶光學輸出的至少一部份引導到該輸出光學波導，用以產生該寬帶光學輸出。
實例2包括實例1之標的，且其中該矽基板係為一矽晶絕緣體基板。
實例3包括實例1與實例2之任一項的標的，且其中該複數個窄帶光學源包含形成在該矽基板之一頂部表面上 的複數個III-V化合物光學增益元件。
實例4包括實例1至實例3之任一項的標的，且其中該複數個III-V化合物光學增益元件的各個包含一磷化銦基板。
實例5包括實例1至實例4之任一項的標的，且其中該複數個窄帶光學源的各個用以產生一放大的自發發射，以回應一激勵訊號。
實例6包括實例1至實例5之任一項的標的，且其中各窄帶光學輸出具有不同的中心頻率以及大約60奈米的頻寬。
實例7包括實例1至實例6之任一項的標的，且其中複數個窄帶光學源包含：第一窄帶光學源，用以產生具有中心頻率大約1500奈米的第一窄帶光學輸出以回應激勵訊號；第二窄帶光學源，用以產生具有中心頻率大約1540奈米的第二窄帶光學輸出以回應激勵訊號；第三窄帶光學源，用以產生具有中心頻率大約1580奈米的第三窄帶光學輸出以回應激勵訊號；第四窄帶光學源，用以產生具有中心頻率大約1620奈米的第四窄帶光學輸出以回應激勵訊號；第五窄帶光學源，用以產生具有中心頻率大約1660奈米的第五窄帶光學輸出以回應激勵訊號；以及第六窄帶光學源，用以產生具有中心頻率大約1700奈米的第六窄帶光學輸出以回應激勵訊號。
實例8包括實例1至實例7之任一項的標的，且其中各輸入光學波導係為一矽晶絕緣體肋部輸入光學波導。
實例9包括實例1至實例8之任一項的標的，且其中各輸入光學波導包含引導向該光學多工器的一輸出端，且各輸入光學波導的該輸出端具有一錐形。
實例10包括實例1至實例9之任一項的標的，且其中各輸入光學波導進一步包含一輸入端，該輸入端相對於該輸出端位於該對應窄帶光學源的一相反側，以及其中該光子積體電路進一步包含一非反射性散射器，該散射器則位於各輸入光學波導的該輸入端上。
實例11包括實例1至實例10之任一項的標的，且其中該光學多工器包含在該矽基板中形成的一中階梯光柵鏡。
實例12包括實例1至實例11之任一項的標的，且其中該中階梯光柵鏡包括被施加到該中階梯光柵鏡之一內牆的一反射塗層。
實例13包括實例1至實例12之任一項的標的，且其中各輸入光學波導包含引導向該中階梯光柵鏡的一輸出端，以及其中各輸入光學波導的該輸出端相對於該中階梯光柵鏡被放置，以使得各輸入光學波導到該中階梯光柵鏡的一入射角大於用於該中階梯光柵鏡之全內反射的該角度。
實例14包括實例1至實例13之任一項的標的，且其中該輸出光學波導包含一輸入端，該輸入端具有一錐形用以接收該複數個輸入光學波導之各窄帶光學輸出的該部份。
實例15包括實例1至實例14之任一項的標的，且進一步包括電性耦合到各窄帶光學源的一驅動器電路，該驅動器電路用以產生該激勵訊號。
實例16包括實例1至實例15之任一項的標的，且其中該寬帶光學輸出具有至少200奈米的頻寬。
實例17包括實例1至實例16之任一項的標的，且其中該寬帶光學輸出具有介於200奈米與800奈米之間的頻寬。
實例18包括實例1至實例17之任一項的標的，且其中該寬帶光學輸出具有範圍從大約1500奈米至大約1700奈米的頻寬。
實例19包括實例1至實例18之任一項的標的，且其中該矽基板具有小於兩釐米的最大尺寸。
實例20包括一種用於產生一寬帶光學輸出的矽基光子積體電路，該光子積體電路包含：一矽晶絕緣體基板；一中階梯光柵鏡，其形成在該矽晶絕緣體基板上；複數個III-V化合物光學增益元件，其形成在該矽晶絕緣體基板的一頂部表面上，各III-V化合物光學增益元件用以產生一放大的自發發射光學輸出，以回應一激勵訊號；複數個輸入光學波導，其形成在該矽晶絕緣體基板上，其中(i)各輸入光學波導的一部份形成在該複數個III-V化合物光學增益元件的一對應的增益元件下面用以接收由該對應增益元件所產生的該放大的自發發射光學輸出以及(ii)各輸入光學波導包括引導向該中階梯光柵鏡的一錐形輸出端，以 將該放大的自發發射光學輸出引導到該中階梯光柵鏡；以及一輸出光學波導，其形成在該矽基板中，其中該輸出光學波導包括一輸入端，該輸入端具有一錐形以接收由該中階梯光柵鏡所反射之各放大的自發發射光學輸出的至少一部份，用以產生該寬帶光學輸出。
實例21包括實例20的標的，且其中該複數個III-V化合物光學增益元件的各個包含一磷化銦基板。
實例22包括實例20與實例21之任一項的標的，且其中各放大的自發發射光學輸出具有不同的中心頻率以及大約60奈米的頻寬。
實例23包括實例20至實例22之任一項的標的，且其中該複數個III-V化合物光學增益元件包含：第一III-V化合物光學增益元件，用以產生具有中心頻率大約1500奈米之第一放大的自發發射光學，以回應激勵訊號；第二III-V化合物光學增益元件，用以產生具有中心頻率大約1540奈米之第二放大的自發發射光學，以回應激勵訊號；第三III-V化合物光學增益元件，用以產生具有中心頻率大約1580奈米之第三放大的自發發射光學，以回應激勵訊號；第四III-V化合物光學增益元件，用以產生具有中心頻率大約1620奈米之第四放大的自發發射光學，以回應激勵訊號；第五III-V化合物光學增益元件，用以產生具有中心頻率大約1660奈米之第五放大的自發發射光學，以回應激勵訊號；以及第六III-V化合物光學增益元件，用以產生具有中心頻率大約1700奈米之第六放大 的自發發射光學，以回應激勵訊號。
實例24包括實例20至實例23之任一項的標的，且其中各輸入光學波導係為一矽晶絕緣體肋部輸入光學波導。
實例25包括實例20至實例24之任一項的標的，且其中各輸入光學波導進一步包含一輸入端，該輸入端相對於該錐形輸出端位於該對應III-V化合物光學增益元件的一相反側，以及其中該矽基光子積體電路進一步包含一非反射性散射器，該散射器位於各輸入光學波導的該輸入端上。
實例26包括實例20至實例25之任一項的標的，且其中該中階梯光柵鏡包括被施加到該中階梯光柵鏡之一內牆的一反射塗層。
實例27包括實例20至實例26之任一項的標的，且其中各輸入光學波導的該輸出端相對於該中階梯光柵鏡被放置，以使得各輸入光學波導到該中階梯光柵鏡的一入射角大於用於該中階梯光柵鏡之全內反射的該角度。
實例28包括實例20至實例27之任一項的標的，且進一步包括電性耦合到各III-V化合物光學增益元件的一驅動器電路，該驅動器電路用以產生該激勵訊號。
實例29包括實例20至實例28之任一項的標的，且其中該寬帶光學輸出具有至少200奈米的一頻寬。
實例30包括實例20至實例29之任一項的標的，且其中該寬帶光學輸出具有介於200奈米與800奈米之間的 頻寬。
實例31包括實例20至實例30之任一項的標的，且其中該寬帶光學輸出具有範圍從大約1500奈米至大約1700奈米的頻寬。
實例32包括實例20至實例31之任一項的標的，且其中該矽晶絕緣體基板具有小於兩釐米的最大尺寸。
實例33包括一種用於從一光子積體電路產生一寬帶光學輸出的方法，該方法包含：從該光子積體電路之複數個窄帶光學源的各個產生一窄帶光學輸出；將由該複數個窄帶光學源之各個所產生的該窄帶光學輸出路由選擇而通過該光子積體電路的一對應的輸入光學波導；將由各輸入光學波導所路由選擇的該窄帶光學輸出引導到該光子積體電路的一光學多工器上；藉由該光學多工器，將各窄帶光學輸出的至少一部份反射到該光子積體電路的一輸出光學波導；以及藉由該輸出光學波導，收集由該光學多工器所反射之各窄帶光學輸出的該部份，以產生該寬帶光學輸出。
實例34包括實例33的主題，且其中產生窄帶光學輸出包含從III-V化合物光學增益元件的各個產生放大的自發發射光學輸出。
實例35包括實例33與實例34之任一項的標的，且其中產生窄帶光學輸出包含產生複數個窄帶光學輸出，其中各窄帶光學輸出具有不同的中心頻率以及大約60奈米的頻寬。
實例36包括實例33至實例35之任一項的標的，且其中產生窄帶光學輸出，以回應由各窄帶光學源所接收的激勵訊號。
實例37包括實例33至實例36之任一項的標的，且其中路由選擇該窄帶光學輸出包含將由該複數個窄帶光學源之各個所產生的該窄帶光學輸出路由選擇而通過該光子積體電路的一對應的矽晶絕緣體肋部輸入光學波導。
實例38包括實例33至實例37之任一項的標的，且其中將各窄帶光學輸出的至少一部份反射包含藉由一中階梯光柵鏡來反射各窄帶光學輸出的至少一部份。
實例39包括實例33至實例38之任一項的標的，且其中收集各窄帶光學輸出的該部份包含收集由該光學多工器所反射之各窄帶光學輸出的該部份，以產生具有至少200奈米之頻寬的寬帶光學輸出。
實例40包括實例33至實例39之任一項的標的，且其中收集各窄帶光學輸出的該部份包含收集由該光學多工器所反射之各窄帶光學輸出的該部份，以產生具有介於200奈米與800奈米之間之頻寬的寬帶光學輸出。
實例41包括實例33至實例40之任一項的標的，且其中收集各窄帶光學輸出的該部份包含收集由該光學多工器所反射之各窄帶光學輸出的該部份，以產生具有範圍從大約1500奈米至大約1700奈米之頻寬的寬帶光學輸出。
100‧‧‧光子積體電路
102a-102f‧‧‧光學源
104a-104f‧‧‧輸入光學波導
106‧‧‧光學多工器
108‧‧‧輸入光學波導
110‧‧‧光學耦合器
120a-120f‧‧‧非反射性散射器

Claims (23)

  1. 一種用於產生一寬帶光學輸出的光子積體電路，該光子積體電路包含：一矽基板；一光學多工器，其形成在該矽基板中；複數個窄帶光學源，各窄帶光學源用以產生一窄帶光學輸出以回應一激勵訊號；複數個輸入光學波導，其中各輸入光學波導形成在該矽基板中用以接收來自一對應窄帶光學源的該窄帶光學輸出且包含引導到該光學多工器的一輸出端及相對於該輸出端而位於該對應窄帶光學源的相反側上的一輸入端；一輸出光學波導，其形成在該矽基板中；以及一非反射性散射器，位於各輸入光學波導的該輸入端，其中(i)該複數個輸入光學波導的各者從該對應的窄帶光學源所接收的該窄帶光學輸出引導到該光學多工器以及(ii)該光學多工器將各窄帶光學輸出的至少一部份引導到該輸出光學波導，用以產生該寬帶光學輸出。
  2. 如申請專利範圍第1項之光子積體電路，其中該矽基板係為一矽晶絕緣體基板。
  3. 如申請專利範圍第1項之光子積體電路，其中該複數個窄帶光學源包含形成在該矽基板之一頂部表面上的複數個III-V化合物光學增益元件。
  4. 如申請專利範圍第3項之光子積體電路，其中該複 數個III-V化合物光學增益元件的各個包含一磷化銦基板。
  5. 如申請專利範圍第1項之光子積體電路，其中用以產生一窄帶光學輸出的步驟包含用以產生一放大的自發發射，以回應一激勵訊號。
  6. 如申請專利範圍第1項之光子積體電路，其中各輸入光學波導係為一矽晶絕緣體肋部輸入光學波導。
  7. 如申請專利範圍第1項之光子積體電路，其中各輸入光學波導的該輸出端具有一錐形。
  8. 如申請專利範圍第1項之光子積體電路，其中該光學多工器包含在該矽基板中形成的一中階梯光柵鏡。
  9. 如申請專利範圍第8項之光子積體電路，其中該中階梯光柵鏡包括被施加到該中階梯光柵鏡之一內牆的一反射塗層。
  10. 如申請專利範圍第8項之光子積體電路，其中各輸入光學波導包含引導向該中階梯光柵鏡的一輸出端，以及其中各輸入光學波導的該輸出端相對於該中階梯光柵鏡被放置，以使得各輸入光學波導到該中階梯光柵鏡的一入射角大於用於該中階梯光柵鏡之全內反射的該角度。
  11. 如申請專利範圍第1項之光子積體電路，其中該輸出光學波導包含一輸入端，該輸入端具有一錐形用以接收該複數個輸入光學波導之各窄帶光學輸出的該部份。
  12. 如申請專利範圍第1項之光子積體電路，進一步包含電性耦合到各窄帶光學源的一驅動器電路，該驅動器 電路用以產生該激勵訊號。
  13. 如申請專利範圍第1項之光子積體電路，其中該寬帶光學輸出具有至少200奈米的一頻寬。
  14. 如申請專利範圍第1項之光子積體電路，其中該矽基板具有小於兩釐米的一最大尺寸。
  15. 一種用於產生一寬帶光學輸出的矽基光子積體電路，該光子積體電路包含：一矽晶絕緣體基板；一中階梯光柵鏡，其形成在該矽晶絕緣體基板上；複數個III-V化合物光學增益元件，其形成在該矽晶絕緣體基板的一頂部表面上，各III-V化合物光學增益元件用以產生一放大的自發發射光學輸出，以回應一激勵訊號；複數個輸入光學波導，其形成在該矽晶絕緣體基板中，其中(i)各輸入光學波導的一部份形成在該複數個III-V化合物光學增益元件的一對應的增益元件下面用以接收由該對應增益元件所產生的該放大的自發發射光學輸出以及(ii)各輸入光學波導包括引導向該中階梯光柵鏡的一錐形輸出端，以將該放大的自發發射光學輸出引導到該中階梯光柵鏡，以及(iii)各輸入光學波導包含相對於該錐形輸出端而位於該對應III-V化合物光學增益元件的相反側上的一輸入端；一輸出光學波導，其形成在該矽絕緣體基板中，其中該中階梯光柵將各放大的自發發射光學輸出之至少部分引 導到該輸出光學波導，用以產生該寬帶光學輸出，其中該輸出光學波導包括一輸入端，該輸入端具有一錐形以接收由該中階梯光柵鏡所反射之各放大的自發發射光學輸出的至少一部份；以及一非反射性散射器，位於各輸入光學波導的該輸入端。
  16. 如申請專利範圍第15項之矽基光子積體電路，其中該複數個III-V化合物光學增益元件的各個包含一磷化銦基板。
  17. 如申請專利範圍第15項之矽基光子積體電路，其中各輸入光學波導係為一矽晶絕緣體肋部輸入光學波導。
  18. 如申請專利範圍第15項之矽基光子積體電路，其中該中階梯光柵鏡包括被施加到該中階梯光柵鏡之一內牆的一反射塗層。
  19. 如申請專利範圍第15項之矽基光子積體電路，其中各輸入光學波導的該輸出端則相對於該中階梯光柵鏡被放置，以使得各輸入光學波導到該中階梯光柵鏡的一入射角大於用於該中階梯光柵鏡之全內反射的該角度。
  20. 如申請專利範圍第15項之矽基光子積體電路，其中該矽晶絕緣體基板具有小於兩釐米的一最大尺寸。
  21. 一種用於從一光子積體電路產生一寬帶光學輸出的方法，該方法包含：從該光子積體電路之複數個窄帶光學源的各個產生一窄帶光學輸出； 將由該複數個窄帶光學源之各個所產生的該窄帶光學輸出路由選擇而通過該光子積體電路的一對應的輸入光學波導；將由各輸入光學波導所路由選擇的該窄帶光學輸出從該對應輸入光學波導的一輸出端引導到該光子積體電路的一光學多工器上；藉由該光學多工器，將各窄帶光學輸出的至少一部份反射到該光子積體電路的一輸出光學波導；以及藉由該輸出光學波導，收集由該光學多工器所反射之各窄帶光學輸出的該部份，以產生該寬帶光學輸出，其中各輸入光學波導包含相對於該輸出端而位於該對應窄帶光學源的相反側上，且其中該光子積體電路更包含位於各輸入光學波導的該輸入端的一非反射性散射器。
  22. 如申請專利範圍第21項之方法，其中產生該窄帶光學輸出包含從一III-V化合物光學增益元件的各個產生一放大的自發發射光學輸出。
  23. 如申請專利範圍第21項之方法，其中將各窄帶光學輸出的該至少一部份反射包含藉由一中階梯光柵鏡來反射各窄帶光學輸出的至少一部份。
TW104116071A 2014-06-27 2015-05-20 產生寬帶光學輸出的技術 TWI581025B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US14/318,139 US9494736B2 (en) 2014-06-27 2014-06-27 Technologies for generating a broadband optical output

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201614298A TW201614298A (en) 2016-04-16
TWI581025B true TWI581025B (zh) 2017-05-01

Family

ID=54930277

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW104116071A TWI581025B (zh) 2014-06-27 2015-05-20 產生寬帶光學輸出的技術

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9494736B2 (zh)
EP (1) EP3161372A4 (zh)
JP (1) JP2017525991A (zh)
TW (1) TWI581025B (zh)
WO (1) WO2015199873A1 (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10197737B2 (en) * 2017-06-19 2019-02-05 Intel Corporation Low back reflection echelle grating
WO2020191259A1 (en) * 2019-03-21 2020-09-24 Event Capture Systems, Inc. Infrared and broad spectrum illumination for simultaneous machine vision and human vision
DE102021132134A1 (de) * 2021-12-07 2023-06-07 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Gefaltetes multi-laserpackage

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1460865A2 (en) * 2003-03-19 2004-09-22 Nortel Networks Limited Distributed space-time-space switch
TW201030402A (en) * 2008-09-17 2010-08-16 Intel Corp Method and apparatus for efficient coupling between silicon photonic chip and optical fiber
US20120237155A1 (en) * 2011-03-15 2012-09-20 Oracle International Corporation Scalable silicon photonic multiplexers and demultiplexers
JP2013519245A (ja) * 2009-09-25 2013-05-23 テルコーディア テクノロジーズ インコーポレイテッド 波長選択インタリーブフィルタリング技術（ｓｗｉｆｔ）ａｄｃのシステムおよび方法
TW201412042A (zh) * 2012-07-12 2014-03-16 Micron Technology Inc 提供具有主動式載波跳躍之分波多工光學通訊系統的方法及裝置

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004325999A (ja) * 2003-04-28 2004-11-18 Seiko Epson Corp 光ファイバ送受信モジュール及び電子機器
US7623235B2 (en) * 2004-03-20 2009-11-24 Seng-Tiong Ho Curved grating spectrometer with very high wavelength resolution
CN1997924B (zh) * 2004-04-15 2016-05-04 英飞聂拉股份有限公司 用于wdm传输网络的无制冷且波长栅格漂移的集成光路(pic)
CA2564658A1 (en) * 2005-10-19 2007-04-19 Mcgill University Integrated etched multilayer grating based wavelength demultiplexer
US7409123B1 (en) 2007-05-24 2008-08-05 Kotura, Inc. Grating having reduced mode dispersion
US8463093B2 (en) * 2010-05-18 2013-06-11 Kotura, Inc. Extension of steps in reflective optical gratings
US8670671B2 (en) * 2012-01-30 2014-03-11 Oracle International Corporation Energy-efficient optical source
US8885996B2 (en) * 2012-07-17 2014-11-11 Oracle International Corporation Optical device with a CMOS-compatible echelle grating
KR20140039584A (ko) * 2012-09-24 2014-04-02 한국전자통신연구원 단일 반사형 전반사 에첼 격자 필터를 갖는 광 필터 및 이를 포함하는 광도파로 소자
US20140169737A1 (en) * 2012-12-17 2014-06-19 Oracle International Corporation Transceiver with self-registered wavelengths

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1460865A2 (en) * 2003-03-19 2004-09-22 Nortel Networks Limited Distributed space-time-space switch
TW201030402A (en) * 2008-09-17 2010-08-16 Intel Corp Method and apparatus for efficient coupling between silicon photonic chip and optical fiber
JP2013519245A (ja) * 2009-09-25 2013-05-23 テルコーディア テクノロジーズ インコーポレイテッド 波長選択インタリーブフィルタリング技術（ｓｗｉｆｔ）ａｄｃのシステムおよび方法
US20120237155A1 (en) * 2011-03-15 2012-09-20 Oracle International Corporation Scalable silicon photonic multiplexers and demultiplexers
TW201412042A (zh) * 2012-07-12 2014-03-16 Micron Technology Inc 提供具有主動式載波跳躍之分波多工光學通訊系統的方法及裝置

Also Published As

Publication number Publication date
EP3161372A1 (en) 2017-05-03
JP2017525991A (ja) 2017-09-07
US20150378099A1 (en) 2015-12-31
US9494736B2 (en) 2016-11-15
EP3161372A4 (en) 2018-03-21
TW201614298A (en) 2016-04-16
WO2015199873A1 (en) 2015-12-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20210351562A1 (en) Optical device having a substrate and a laser unit that emits light into the substrate
US11079541B2 (en) Optical deflection device and LIDAR apparatus
US10663680B2 (en) Surface coupled laser and laser optical interposer
EP3803446B1 (en) Control of phase in steering of lidar output signals
JP3809167B2 (ja) モード変換用フォトニック結晶構造
JP5892875B2 (ja) 光電子集積モジュール
Matsumoto et al. Photonic crystal mmb k-Vector superprism
WO2015135454A1 (en) System and apparatus for free space optical coupling
TWI581025B (zh) 產生寬帶光學輸出的技術
CN109791251A (zh) 光束斑点尺寸转换器
ES2804123T3 (es) Sistema para acoplar una radiación en una guía de ondas
Singer et al. 3D-printed facet-attached optical elements for beam shaping in optical phased arrays
JP6404499B2 (ja) 反射が抑制された双方向フォトニック集積回路
JP2005317695A (ja) レーザ装置
US11199659B2 (en) Optical module
JP5099961B2 (ja) レーザ装置
Hainberger et al. CMOS-compatible silicon nitride waveguide photonic building blocks and their application for optical coherence tomography and other sensing applications
WO2020246042A1 (ja) 表面出射型光回路及びそれを適用した表面出射型光源
KR102503761B1 (ko) 메타표면 더블렛이 집적된 양방향 격자 안테나 및 이를 이용한 빔조향기
JP5772436B2 (ja) 光結合器及び光デバイス
Chae et al. Circular Bragg grating reflector suitable for integration with Narrow silicon nanowires
JP2016038446A (ja) 光回路
CN116338855A (zh) Isors光子芯片及无创组分检测系统
US20130343704A1 (en) Compact mode-size transition using a focusing reflector

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees