TWI578572B - 樹脂材料及包含該樹脂材料的發光二極體封裝 - Google Patents
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Description
本發明係關於一種發光二極體封裝。
當作一發光裝置的一發光二極體(light emitting diode，LED)係將一電子訊號轉換成紅外光(infrared light)、可見光(visible light)、或者是使用一化合物半導體(compound semiconductor)之特性的其他型態的光。發光二極體係使用在家電應用(electric home appliances)、遙控器(remote controllers)、電子告示板(electric bulletin boards)、不同種類之自動設備等等。發光二極體的應用範圍係持續擴展。
一般而言，一微型化的發光二極體係為一表面黏著型的(surface mount device type)，以便發光二極體直接地黏著在一印刷電路板(printed circuit board，PCB)上。結果，當作一顯示裝置使用的一發光二極體燈泡(LED lamp)係已發展成具有一表面黏著型結構。表面黏著裝置係可取代一已存在之簡易發光燈泡。表面黏著裝置係可應用到各式各樣彩色發光顯示器(colored lighting displays)、文字顯示器(text displays)、影像顯示器(image displays)等等。
包括有一發光裝置的一發光裝置封裝係包括一本體及一交錯連接的樹脂材料，本體係包括電性連接到發光裝置的一導線架，並具有形成在導線架上的一腔室，樹脂材料係設置在腔室中。
然而，當樹脂材料收縮及膨脹時，由引入的外來物質(foreign materials)所造成的腐蝕(corrosion)係發生在發光裝置封
裝中，其係在發光裝置的放射(emission)期間。
因此，近年來，阻擋外來物質進入到樹脂材料的流入或者是將外來物質從樹脂材料排出到在發光裝置封裝之外部的研究係已被探討。
本發明之實施例係提供一種發光裝置封裝，其係可避免外來物質藉由加強在包括有一乙烯基(-CH=CH2)的一主材料以及具有複數個矽羥基(Si-H)之一副材料之間的一黏著力(binding force)而被引入。
發光裝置封裝係包括一光源單元；一本體，係包括電性連接到該光源單元之一第一導線架及一第二導線架，並具有行程在該第一導線架與該第二導線架上之一腔室；以及一樹脂材料，係設置在該腔室中，並包括具有一乙烯基(-CH=CH2)的一主材料以及具有複數個矽羥基(Si-H)之一副材料，其中，該乙烯基(-CH=CH2)及該矽羥基(Si-H)係相互交錯連結而固化(curing)。依據一傅氏轉換紅外線頻譜訊號，未與乙烯基反應之矽羥基的光學密度(吸收度)，可在0.0002到0.01(任意單位，arb.unit)之範圍內。
100‧‧‧發光裝置封裝
10‧‧‧發光裝置
13‧‧‧第一導線架
14‧‧‧第二導線架
16‧‧‧絕緣屏障
17‧‧‧負極標誌
18‧‧‧樹脂材料
20‧‧‧封裝本體
22‧‧‧第一隔牆
24‧‧‧第二隔牆
30‧‧‧主材料
32‧‧‧乙烯基
40‧‧‧副材料
42‧‧‧矽羥基
50‧‧‧催化劑
300‧‧‧照明設備
310‧‧‧本體
330‧‧‧罩蓋
340‧‧‧發光裝置模組
342‧‧‧印刷電路板
344‧‧‧發光裝置封裝
350‧‧‧端蓋
352‧‧‧電源接腳
400‧‧‧側光式液晶顯示設備
410‧‧‧液晶顯示面板
412‧‧‧彩色濾光基板
414‧‧‧薄膜電晶體基板
417‧‧‧驅動膜
418‧‧‧印刷電路板
420‧‧‧發光裝置模組
422‧‧‧印刷電路板
424‧‧‧發光裝置封裝
430‧‧‧導光板
447‧‧‧反射片
450‧‧‧稜鏡膜
464‧‧‧保護膜
466‧‧‧擴散膜
470‧‧‧背光單元
500‧‧‧直下式液晶顯示設備
510‧‧‧液晶顯示面板
521‧‧‧印刷電路板
522‧‧‧發光裝置封裝
523‧‧‧發光裝置模組
524‧‧‧反射片
530‧‧‧低底盤
540‧‧‧擴散片
550‧‧‧稜鏡膜
560‧‧‧光學膜
564‧‧‧保護膜
566‧‧‧擴散膜
570‧‧‧背光單元
a‧‧‧第一波數範圍
b‧‧‧第二波數範圍
s‧‧‧腔室
X‧‧‧高度方向
Y‧‧‧水平方向
Z‧‧‧縱向方向
實施例的詳述係將從下列與附圖共同之詳細的描述中獲得更清楚地瞭解，其中：
第1圖係表示本發明一發光裝置封裝的透視圖。
第2圖係表示在第1圖中於熱固化之前及之後的一樹脂材料的一化學結構的視圖。
第3圖係表示在第1圖中樹脂材料的一傅氏轉換紅外線頻譜訊號之一波形的曲線圖。
第4圖係表示本發明包括有一發光裝置封裝之一照明設備的一實施例的透視圖。
第5圖係表示本發明第4圖中沿照明設備之線段A-A’的剖視圖。
第6圖係表示本發明包括有一發光裝置封裝之一液晶顯示器的一第一實施例的分解圖。
第7圖係表示本發明包括有一發光裝置封裝之一液晶顯示器的一第二實施例的分解圖。
雖然本發明使用了幾個較佳實施例進行解釋，但是下列所述之參考圖式及具體實施方式僅僅是本發明的較佳實施例；應說明的是，下面所揭示的具體實施方式僅僅是本發明的例子，並不表示本發明限於下列圖式及具體實施方式。
每一層的厚度係可被放大、忽略或是以示意表示，以方便及清楚說明。每一元件的尺寸可不一定表示實際尺寸。
所知道的是，當一元件提到另一元件之「上」(on)或「下」(under)時，其係可直接地在元件之上/下，及/或可有一或更多元件存在其間。
而且，當一元件提到在「上」(on)或「下」(under)時，「在元件之下」係與「在元件之上」一樣可包括所依據的該元件。
依據實施例而用於描述發光裝置封裝之結構的角度或方向，係以其所示的圖式為基礎。除非在說明書中沒有定義一參考點來描述在發光裝置封裝之結構中的角度位置關係，否則係可參考相關的圖式。
第1圖係表示本發明一發光裝置封裝之一實施例的透視圖。
第1圖係為發光裝置封裝的一部份透視圖。依據本實施例，發光裝置封裝係為一頂視型態。然而，一側視型態的發光裝置封裝係亦可被使用而無須限制。
請參考第1圖，一發光裝置封裝100係包括一發光裝置10以及供發光裝置10設置在其中的一封裝本體20。
封裝本體20係可包括設置在一第一方向(圖未示)的一第一隔牆22以及設置在一第二方向(圖未示)的一第二隔牆24，
第一方向係與第二方向相交(intersecting)。第一隔牆22及第二隔牆24係可一體成型。封裝本體20係可由射出成型或是蝕刻所形成；然而，其並不以此為限。
亦即，第一隔牆22及第二隔牆24係可由選自以下群組至少其一所構成的一樹脂材料所形成，例如：聚鄰苯二甲醯胺(polyphthalamide，PPA)、矽(silicon，Si)、鋁(aluminum，Al)、氮化鋁(aluminum nitride，AlN)、氧化鋁(AlOx)、液晶高分子(liquid crystal polymer)、感光玻璃(photo sensitive glass，PSG)、聚酰胺(polyamide9T，PA9T)、對位性聚苯乙烯(syndiotactic polystyrene，SPS)、一金屬材料(a metallic material)、藍寶石(sapphire，Al2O3)、氧化鈹(berylliurn oxide，BeO)、陶瓷或一印刷電路板(ceramic and a printed circuit board(PCB))。
第一隔牆22及第二隔牆24的上表面係可形成不同形狀，例如一三角形、一四角形、一多角形以及一圓形，其係以發光裝置10的使用或設計為基礎，但並不以此為限。
再者，第一隔牆22及第二隔牆24係可形成一腔室s，其係供發光裝置10設置在其中。腔室s係可形成截面為一杯形或者是一凹形容器。界定出腔室s之第一隔牆22及第二隔牆24的內側面係可向下傾斜。
另外，腔室s係可形成不同形狀，例如平面為一三角形、一四角形、一多角形以及一圓形，但並不以此為限。
第一導線架13及第二導線架14係可設置在封裝本體20的下表面處。第一導線架13及第二導線架14係可由選自以下群組至少其一之金屬所形成，其係包含鈦(titanium，Ti)、銅(copper，Cu)、鎳(nickel，Ni)、金(gold，Au)、鉻(chromium，Cr)、鉭(tantalum，Ta)、鉑(platinum，Pt)、錫(tin，Sn)、銀(silver，Ag)、磷(phosphorus，P)、鋁(aluminum，Al)、銦(indium，In)、鈀(palladium，Pd)、鈷(cobalt，Co)、矽(silicon，Si)、鍺(germanium，Ge)、鉿(hafnium，Hf)、釕(ruthenium，Ru)與鐵(iron，Fe)，以及其合金。
再者，第一導線架13及第二導線架14係可具有一單一層或多層結構，但並不以此為限。
第一隔牆22與第二隔牆24的內側面係可相對於第一導線架13及第二導線架14兩者其中之一而形成一預定傾斜角度。從發光裝置10所發射之光線的一反射角，係可依據第一隔牆22及第二隔牆24之內側面的傾斜角度而不同，藉此，以調整朝外發射之光線一方位角(orientation angle)。當光線的方位角降低時，從發光裝置10朝外發射之光線的集中係增加。另一方面，當光線的方位角增加時，從發光裝置10朝外發射之光線的集中係減少。
封裝本體20的內側面係可具有複數個傾斜角度，但並不以此為限。
第一導線架13及第二導線架係可電性連接到發光裝置10，並可連接到一外部電源(圖未示)的一陽極(正極)及一陰極(負極)，以提供電力給發光裝置10。
在實施例中，發光裝置10係安裝在第一導線架13上，且第二導線架14係與第一導線架13相間隔設置。發光裝置10係藉由晶粒黏著(die bonding)而連接到第一導線架13，並藉由使用一導線(圖未示)之焊線接合(wire bonding)而連接到第二導線架14。結果，電力係透過第一導線架13及第二導線架14而提供給發光裝置10。
在這一點上，發光裝置10係可以不同極性而接合到第一導線架13及第二導線架14。
而且，發光裝置10係可藉由焊線接合或是晶粒黏著方式而連接到第一導線架13及第二導線架14，但其連接方式並不以此為限。
在實施例中，發光裝置10係設置在第一導線架13上，但並不以此為限。
而且，發光裝置10係可藉由一黏著元件(adhesive member)(圖未示)而連接到第一導線架13。
在這一點上，為了避免在第一導線架13與第二導線架14之間短路的發生，一絕緣屏障(insulating dam)16係可形成在第一導線架13與第二導線架14之間。
在實施例中，絕緣屏障16的上部係可形成一半圓形，但並不以此為限。
一負極標誌(cathode mark)17係可形成在封裝本體20處。負極標誌17係可使用來識別發光裝置10的極性，亦即第一導線架13與第二導線架14的極性，以避免當第一導線架13及第二導線架14電性連接時的混淆。
發光裝置10係可為一發光二極體。舉例來說，發光二極體係可為一彩色發光二極體或一紫外光二極體，彩色發光二極體係可例如發射紅、綠、藍及白光，紫外光發光二極體係可發射紫外光，但並不以此為限。再者，複數個發光裝置10係可安裝在第一導線架13上，且至少一發光裝置10係可安裝在第一導線架13及第二導線架14上。然而，發光裝置10的數量及安裝位置係並不以此為限。
封裝本體20係可包括一樹脂材料18，其係填充在腔室2中。亦即，樹脂材料18係可形成為具有一雙模或三模結構(double or triple mold structure)，但並不以此為限。
樹脂材料18係亦可形成為一薄膜形狀，並可包括以下至少其一：一螢光物質、一光擴散材料、以及一光散射材料。
而且，不包括一螢光物質、一光擴散材料、以及一光散射材料的一透光材料係亦可被使用，並不受限制。
第2圖係表示在第1圖中於熱固化之前及之後的一樹脂材料的一化學結構之改變的視圖。第3圖係表示在第1圖中樹脂材料的一傅氏轉換紅外線頻譜訊號之一波形的曲線圖。
請參考第2圖及第3圖，樹脂材料18係可由一矽材料所形成。
在實施例中，包括矽(Si)的一有機聚矽氧高分子
(organic polysiloxane)係敘述如樹脂材料18。然而，係可使用不包括矽或包括不是矽之一元素的任何聚矽氧高分子，並不以此為限。
在熱固化之前，樹脂材料18係可包括一主材料30、一副材料40以及一催化劑50，主材料30矽包括一乙烯基32，副材料40係包括複數個矽羥基42，催化劑50係促進乙烯基32與矽羥基42之間的接合。
在這一點上，催化劑50係可包括其他材料，例如鉑(Pt)，其係促進乙烯基32與矽羥基42之間的接合，但並不以此為限。
在這一點上，主材料30係可具有一乙烯基32，並可包括(CH3)2HSiO(CHCH2)以當作是一重複單元(repeat unit)；且副材料40係可具有一矽羥基42，並可包括(CH3)SiO(SiH)以當作是一重複單元。
再者，包含在副材料40中的矽羥基42之內容物係為其乙烯基32之0.7到0.9倍的範圍內。因此，當在樹脂材料18之熱固化期間而乙烯基32與矽羥基42相互交錯連接時，係可降低未反應之矽羥基42的內容物。因此，係可增加交錯連接之樹脂材料18的硬度。上述內容物係可包括以下其中任一：質量比(mass ratio)、莫耳比(molar ratio)以及重量比(weight ratio)。
在熱固化之後，所有的矽羥基42係可接合到乙烯基32，或者是由於矽羥基42的內容物係少於乙烯基32的內容物，因此可餘留小量的未反應矽羥基42。
在這一點上，第3圖係繪製包含使用傅氏轉換紅外線頻譜(FT-IR)的紅外線頻譜，其係為紅外線吸收頻譜的一種型態。文中之後，紅外線頻譜係表示成一FT-IR訊號。
在這一點上，如第3圖所示，FT-IR訊號係可由矽羥基42的光學密度(吸收度)所界定，而此處的矽羥基42係並未與相對應波數(cm-1)的乙烯基32反應。
FR-IT訊號係表示依據未反應之矽羥基42的伸縮及
擺動振動之矽羥基42的第一及第二吸收峰值。
伸縮振動係為當矽羥基42的Si與H之間的距離增加或減少時所發生的一振動，而擺動振動係為當矽羥基42的Si與H的位置從其一接合軸(binding axis)脫離所發生的一振動。
依據如第3圖所示之FT-IR訊號，矽羥基42的光學密度係可在一第一波數範圍a中之0.0002到0.004(任意單元，arb.unit)的範圍內，且矽羥基42的光學密度係可在一第二波數範圍b中之0.005到0.01(任意單元，arb.unit)的範圍內。
未反應之矽羥基42的光學密度係可在0.0002到0.01(任意單元，arb.unit)的範圍內，其係接近0(任意單元，arb.unit)。
在這一點上，假若未反應之矽羥基42的光學密度係大於0.01(任意單元，arb.unit)的話，則在矽羥基42與外來物質之間接合是有高的可能性，例如來自電子元件或焊線(wire)的聚氯乙烯(PVC)以及產生在一外部裝置的鄰苯二甲酸酯(phthalate)，導致在第一導線架13與第二導線架！ˋ%表面上的腐蝕增加。
在本例中，第一波數範圍a係可在2100到2200cm-1的範圍內，而第二波數範圍b係可在870到930cm-1的範圍內。
就其本身而論，當未反應之矽羥基42的光學密度係接近0(任意單元，arb.unit)時，矽羥基42係可不會與外來物質(foreign materials)接合，且係可增加樹脂材料18之固化程度。因此，係可改善可靠度，此可靠度係為防備由發光裝置10所產生之熱能。
第4圖係表示本發明包括有一發光裝置封裝之一照明設備的一實施例的透視圖。第5圖係表示本發明第4圖中沿照明設備之線段A-A’的剖視圖。
在下列敘述中，照明設備300的形狀係將以照明設備300之一縱向方向Z、正交於縱向方向Z之一水平方向Y、以及正交於縱向方向Z及水平方向Y之一高度方向X進行詳細描述。
亦即，第5圖係為第4圖之照明設備300沿著Z-X平面所視的截面圖，並在水平方向Y所視。
請參考第4圖及第5圖，照明設備300係可包括一本體310、耦接到本體310的一罩蓋330、以及位在本體310兩端的二端蓋350。
一發光裝置模組340係耦接到本體310的下表面。本體310係可由具有極佳導電性及熱輻射效應的一金屬材料所形成，其熱輻射效應係為將從一發光裝置封裝344所產生之熱能從本體310的一上表面朝外消散。
在這一點上，發光裝置模組340係可包括一發光裝置陣列(圖未示)，發光裝置陣列係包括發光裝置封裝344及一印刷電路板342。
發射不同色彩的發光裝置封裝344係可安裝在印刷電路板上的多列(rows)中以架構成一陣列。發光裝置封裝344係可以相同間隔或者是所需的不同間隔安裝，以便調整照明設備300的亮度。一金屬核印刷電路板(MCPCB)或者是由FR4材料所形成的喔印刷電路板，係可當作印刷電路板342使用。
罩蓋330係可為一圓形，以圍繞本體310的下表面，但並不以此為限。
罩蓋330係保護發光裝置模組340不會有外部的外來物質等等。罩蓋330係可包括光擴散粒子，以達到從發光裝置封裝344所產生之光線的抗眩光效應以及均勻發射。再者，罩蓋330之內表面及外表面兩者至少其一係可提供有一稜鏡圖案。再者，一螢光物質係可塗佈在罩蓋330之內表面及外表面兩者至少其一上。
其間，從發光裝置封裝344所產生的光線係經由罩蓋330而朝外發射，罩蓋330係應具有高穿透率以及足以忍受從發光裝置封裝344所產生之熱能的高熱阻。因此，罩蓋330係可由聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate，PET)、聚碳酸酯
(polycarbonate、PC)、聚甲基丙烯酸甲酯(polymethyl methacrylate，PMMA)等等所形成。
端蓋350係可設置在本體310的兩端，並亦可使用於密封一電源單元(圖未示)。若干電源接腳(power pins)352係分別地形成在端蓋350處。因此，依據本實施例的照明設備300係可直接地連接到一端子(terminal)而無須一額外的裝置，一已存在的螢光燈炮係已從端子處移除。
第6圖係表示本發明包括有一發光裝置封裝之一液晶顯示器的一第一實施例的分解示意圖。
第6圖係繪示側光式(edge-light type)液晶顯示設備400。液晶顯示設備400係可包括一液晶顯示面板410以及用於提供光線給液晶顯示面板410的一背光單元470。
液晶顯示面板410係可顯示一影像，其係使用從背光單元470所提供的光線。液晶顯示面板410係可包括一彩色濾光基板412以及一薄膜電晶體基板414，彩色濾光基板412以及薄膜電晶體基板414係相互面對，且其間係插置有液晶。
彩色濾光基板412係可實現經由液晶顯示面板410顯示之一影像的色彩。
薄膜電晶體基板414係電性連接到一印刷電路板418，複數個電路元件係經由一驅動膜(drive film)417而安裝在印刷電路板418上。薄膜電晶體基板414係可驅動電壓給液晶，驅動電壓係由印刷電路板418所提供，液晶係響應從印刷電路板418所傳送的一驅動訊號。
薄膜電晶體基板414係可包括若干畫素電極以及若干薄膜電晶體，其係以薄膜型態形成在另一基板上，此另一基板係由如玻璃或塑膠的透明材料所形成。
背光單元470係包括發射光線的一發光裝置模組420、將從發光裝置模組420所發射之光線改變成平面光(planar lighr)並將平面光提供給液晶顯示面板410的一導光板430、加強從
導光板430所提供之光線的亮度分布及垂直光線入射的均勻度之複數個膜450、464、466、以及將從導光板430朝後發射之光線反射到導光板430的一反射片447。
發光裝置模組420係可包括複數個發光裝置封裝424以及一印刷電路板422，複數個發光裝置封裝424係安裝在印刷電路板422上已形成一陣列。
在這一點上，複數個發光裝置封裝424係可包括分別發射紅光、綠光以及藍光並設置在印刷電路板422的一中心區域的第一、第二以及第三發光裝置封裝(圖未示)，以及發射白光並設置在中心區域之左邊區域及右邊區域兩者至少其一處的一第四發光裝置封裝(圖未示)。
第四發光裝置封裝係可設置在導光板430的一側，以便擴散從第四發光裝置封裝放射出之白光。
這是因為從第四發光裝置封裝所發射的白光係可降低色差的分布及，此色差係當白光分別由第一到第四發光裝置封裝所發射之紅光、綠光及藍光所混合所造成之分布及散射。
同時，背光單元470係可包括一擴散膜466及一稜鏡膜450，擴散膜466係將從導光板430所發射之光線擴散到液晶顯示面板410，稜鏡膜450係將以擴散的光線聚集，藉此，以改善光線的垂直入射。背光單元470係可更進一步包括一保護膜464，以保護稜鏡膜450。
第7圖係表示本發明包括有一發光裝置封裝之一液晶顯示器的一第二實施例的分解圖。
在此，將不會重複與前述第6圖之相同元件。
第7圖係繪示一直下式(direct-light type)液晶顯示設備500。液晶顯示設備500係可包括一液晶顯示面板510以及一背光單元570，背光單元570係提供光線給液晶顯示面板510。
液晶顯示面板510係已於前述第6圖有所敘述，因此省略其敘述。
背光單元570係可包括複數個發光裝置模組523、一反射片524、供發光裝置模組523及反射片524安置的一低底盤(lower chassis)530、設置在發光裝置模組523之上的一擴散片540、以及複數個光學膜560。
發光裝置模組523係可包括複數個發光裝置封裝522以及一印刷電路板521，複數個發光裝置封裝522係安裝在印刷電路板521上已形成一陣列。
反射片524係將從發光裝置模組522所發射之光線反射到液晶顯示面板510，以改善光利用效率。
同時，從發光裝置模組523所發射之光線係入射在擴散片540上，且光學膜560係設置在擴散片540上。光學膜560係可包括一擴散膜566、一稜鏡膜550以及一保護膜564。
在這一點上，照明設備300及液晶顯示設備400與500係可被包括在一照明系統中，且其他用於照明並包括發光裝置封裝的設備係亦可被包括在照明系統中。
從上述內容係可明顯的得知，在本發明一實施例中的發光裝置封裝中，未與乙烯基(-CH=CH2)反應的矽羥基(Si-H)之光學密度(吸收度)係調整在包含於樹脂材料中之0.002到0.01(任意單位，arb.unit)之範圍內，以便當發光裝置發射光線時，在樹脂材料膨脹與收縮期間增加其間的黏結密度(binding density)。因此，係降低在未反應之矽羥基(Si-H)與外來物質之間的黏結，且降低電性連接到發光裝置之導線架表面的腐蝕(corrosion)，導致改善可靠度(reliability)。
雖然本發明以相關的較佳實施例進行解釋，但是這並不構成對本發明的限制。應說明的是，本領域的技術人員根據本發明的思想能夠構造出很多其他類似實施例，這些均在本發明的保護範圍之中。
100‧‧‧發光裝置封裝
10‧‧‧發光裝置
13‧‧‧第一導線架
14‧‧‧第二導線架
16‧‧‧絕緣屏障
17‧‧‧負極標誌
18‧‧‧樹脂材料
20‧‧‧封裝本體
22‧‧‧第一隔牆
24‧‧‧第二隔牆
s‧‧‧腔室
Claims (16)
- 一種發光二極體封裝，係包括：一光源單元；一本體，係包括電性連接到該光源單元之一第一導線架及一第二導線架，並具有行程在該第一導線架與該第二導線架上之一腔室；以及一樹脂材料，係設置在該腔室中，並包括具有一乙烯基(-CH=CH2)的一主材料、具有複數個矽羥基(Si-H)之一副材料、以及促進黏結在該乙烯基與該等矽羥基之間的一催化劑；其中，該等矽羥基在該副材料中的含量為該乙烯基在該主材料中的含量之0.7到0.9倍；其中，在該等矽羥基(Si-H)之中，未與該乙烯基(-CH=CH2)反應的該矽羥基(Si-H)之一傅氏轉換紅外線頻譜(FT-IR)訊號的一光學密度(吸收度)係在0.0002到0.01(任意單位)之範圍內；其中，該未反應之該等矽羥基(Si-H)的一光學密度係在0.0002到0.004(任意單位)之範圍內，其係在複氏轉換紅外線頻譜(FT-IR)訊號之一第一波數範圍。
- 根據申請專利範圍第1項之發光二極體封裝，其中，該催化劑係為鉑(Pt)。
- 根據申請專利範圍第1項之發光二極體封裝，其中，該未反應之該等矽羥基(Si-H)的一光學密度係在0.005到0.01(任意單位)之範圍內，其係在不同於第一波數範圍之複氏轉換紅外線頻譜(FT-IR)訊號的一第二波數範圍。
- 根據申請專利範圍第1項之發光二極體封裝，其中，該第一波數範圍係在2100到2200cm-1的範圍內。
- 根據申請專利範圍第4項之發光二極體封裝，其中，該第二波數範圍係在870到930cm-1範圍內。
- 根據申請專利範圍第1項之發光二極體封裝，其中，該未反應之該等矽羥基(Si-H)的一光學密度係符合依據在第一波數範圍 中之該未反應之該等矽羥基(Si-H)的Si-H之伸展振動(stretching vibration)的一峰值(peak value)。
- 根據申請專利範圍第3項之發光二極體封裝，其中，該未反應之該等矽羥基(Si-H)的一光學密度係符合依據在第二波數範圍中之該未反應之該等矽羥基(Si-H)的Si-H之擺動振動(bending vibration)的一峰值。
- 根據申請專利範圍第1項之發光二極體封裝，其中，該樹脂材料係包括選自以下群組中之至少一材料所構成：一螢光物質(fluorescent substance)、一光擴散材料(light diffusion material)、或者是一光散射材料(light dispersion material)。
- 根據申請專利範圍第1項之發光二極體封裝，其中，該光源單元係包括一發光裝置。
- 根據申請專利範圍第1項之發光二極體封裝，其中，該樹脂材料係包括一透光材料(light transmitting material)。
- 根據申請專利範圍第1項之發光二極體封裝，其中，該樹脂材料係包括一有機聚矽氧高分子(organic polysiloxane)。
- 根據申請專利範圍第1項之發光二極體封裝，其中，該樹脂材料係包括一聚矽氧高分子(polysiloxane)。
- 一種顯示裝置，其係使用根據申請專利範圍第1項到第12項其中任一項所述之發光二極體封裝。
- 一種樹脂材料，係包括：一主材料，具有一乙烯基(-CH=CH2)；一副材料，具有複數個矽羥基(Si-H)；以及一催化劑，用以促進在該乙烯基與該等矽羥基之間的黏結；其中，該等矽羥基在該副材料中的含量為該乙烯基在該主材料中的含量之0.7到0.9倍；其中，在該等矽羥基(Si-H)之中，未與該乙烯基(-CH=CH2)反應的該矽羥基(Si-H)之一傅氏轉換紅外線頻譜(FT-IR)訊號的一光學密度(吸收度)係在一第一波數範圍中為0.0002到0.004(任意單位)之範圍內，而在一第二波數範圍中為0.005 到0.01(任意單位)之範圍內，且該第二波數範圍不同於該第一波數範圍。
- 根據申請專利範圍第14項之樹脂材料，其中，該催化劑係為鉑(Pt)。
- 根據申請專利範圍第14項之樹脂材料，其中，該第一波數範圍係在2100到2200cm-1的範圍內，且該第二波數範圍係在870到930cm-1範圍內。
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