TWI575246B - 偵測裝置及偵測方法 - Google Patents

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TWI575246B
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宏達國際電子股份有限公司
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Description

偵測裝置及偵測方法
本發明係關於一種偵測裝置,特別係關於一種雷達偵測裝置。
傳統雷達系統可用於偵測一待測物,但若欲同時偵測待測物上之不同區域,則此雷達系統內必須配置多組天線和多個收發器,造成設計成本上升。另外,電磁波之多重路徑衰減(Multipath Fading)亦會影響雷達系統進行偵測時之準確度。有鑑於此,有必要設計一種全新的偵測裝置,以克服傳統雷達系統之缺點。
在較佳實施例中,本發明提供一種偵測裝置,適用於偵測一待測物,包括:一第一收發器,具有一第一發射埠和一第一接收埠;一第一天線元件,耦接至該第一發射埠;以及一第二天線元件,耦接至該第一接收埠;其中該第一收發器先透過該第一天線元件朝向該待測物發射一第一電磁信號,之後該第一收發器再透過該第二天線元件由該待測物處接收一第一反射信號;其中該第一電磁信號具有一第一極化方向,而該第一反射信號具有一第二極化方向。
在一些實施例中,該第一極化方向與該第二極化 方向恰好相反。在一些實施例中,該第一極化方向和該第二極化方向兩者為相反向之橢圓極化。在一些實施例中,該第一天線元件係以一第一入射角朝向該待測物上之一第一區域發射該第一電磁信號,而該第二天線元件係以一第一反射角由該待測物上之該第一區域處接收該第一反射信號。在一些實施例中,該第一電磁信號之軸比係隨著該第一入射角增加而明顯減少,並隨著該第一入射角減少而明顯增加,或是其中該第一電磁信號之軸比係隨著該第一入射角增加而明顯增加,並隨著該第一入射角減少而明顯減少。在一些實施例中,該第一反射信號之軸比係隨著該第一反射角增加而明顯增加,並隨著該第一反射角減少而明顯減少,或是其中該第一反射信號之軸比係隨著該第一反射角增加而明顯減少,並隨著該第一反射角減少而明顯增加。在一些實施例中,該偵測裝置更包括:一第二收發器,具有一第二發射埠和一第二接收埠,其中該第一天線元件更耦接至該第二接收埠,而該第二天線元件更耦接至該第二發射埠;其中該第二收發器先透過該第二天線元件朝向該待測物發射一第二電磁信號,之後該第二收發器再透過該第一天線元件由該待測物處接收一第二反射信號;其中該第二電磁信號具有一第三極化方向,而該第二反射信號具有一第四極化方向。在一些實施例中,該第三極化方向與該第四極化方向恰好相反。在一些實施例中,該第三極化方向和該第四極化方向兩者為相反向之橢圓極化。在一些實施例中,該第二天線元件係以一第二入射角朝向該待測物上之一第二區域發射該第二電磁信號,而該第一天線元件係以一第二反射角由該待測物上之該第二區 域處接收該第二反射信號。在一些實施例中,該第二電磁信號之軸比係隨著該第二入射角增加而明顯減少,並隨著該第二入射角減少而明顯增加,或是其中該第二電磁信號之軸比係隨著該第二入射角增加而明顯增加,並隨著該第二入射角減少而明顯減少。在一些實施例中,該第二反射信號之軸比係隨著該第二反射角增加而明顯增加,並隨著該第二反射角減少而明顯減少,或是其中該第二反射信號之軸比係隨著該第二反射角增加而明顯減少,並隨著該第二反射角減少而明顯增加。在一些實施例中,該第二區域係異於該第一區域。在一些實施例中,該第一天線元件和該第二天線元件之任一者包括:一接地面;以及一輻射金屬片,大致平行於該接地面,並耦接至該第一發射埠或該第一接收埠。在一些實施例中,該輻射金屬片大致為一矩形截去二相對角落部份。在一些實施例中,該輻射金屬片大致呈現一六邊形。在一些實施例中,該輻射金屬片更具有二槽孔,該等槽孔係相對且大致互相平行,而該等槽孔之二開口端係分別位於該輻射金屬片之相對二側邊。在一些實施例中,該等槽孔分別大致為一L字形。在一些實施例中,該輻射金屬片更具有二突出部,而該等突出部係分別耦接至該輻射金屬片之相對二角落。在一些實施例中,該等突出部分別大致為一直條形。在一些實施例中,該第一天線元件和該第二天線元件之任一者更包括:一第一延伸部,大致垂直於該接地面和該輻射金屬片,其中該第一發射埠或該第一接收埠係透過該第一延伸部耦接至該輻射金屬片。在一些實施例中,該第一天線元件和該第二天線元件之任一者更包括:一第二延伸部,大致垂直於該 接地面和該輻射金屬片,其中該第一延伸部和該第二延伸部係分別耦接至該輻射金屬片之相對二側邊。
在較佳實施例中,本發明提供一種偵測方法,包括下列步驟:提供一第一收發器、一第一天線元件,以及一第二天線元件,其中該第一天線元件係耦接至該第一收發器之一第一發射埠,而該第二天線元件係耦接至該第一收發器之一第一接收埠;使用該第一收發器,透過該第一天線元件朝向一待測物發射一第一電磁信號;以及使用該第一收發器,透過該第二天線元件由該待測物處接收一第一反射信號;其中該第一電磁信號具有一第一極化方向,而該第一反射信號具有一第二極化方向。
100、300‧‧‧偵測裝置
110‧‧‧第一收發器
120‧‧‧第一天線元件
130‧‧‧第二天線元件
140‧‧‧待測物
141‧‧‧第一區域
142‧‧‧第二區域
150‧‧‧第二收發器
400‧‧‧天線元件
410‧‧‧接地面
420‧‧‧輻射金屬片
422、424‧‧‧槽孔
426、428‧‧‧突出部
432‧‧‧第一延伸部
434‧‧‧第二延伸部
CC1‧‧‧第一曲線
CC2‧‧‧第二曲線
D1、D2‧‧‧長度
ST1‧‧‧第一電磁信號
SR1‧‧‧第一反射信號
ST2‧‧‧第二電磁信號
SR2‧‧‧第二反射信號
TX1‧‧‧第一發射埠
RX1‧‧‧第一接收埠
TX2‧‧‧第二發射埠
RX2‧‧‧第二接收埠
TP‧‧‧較佳軸比
θ‧‧‧較佳值
θ+△θ‧‧‧第一差值
θ-△θ‧‧‧第二差值
θT1‧‧‧第一入射角
θR1‧‧‧第一反射角
θT2‧‧‧第二入射角
θR2‧‧‧第二反射角
第1圖係顯示根據本發明一實施例所述之偵測裝置之示意圖;第2A圖係顯示根據本發明一實施例所述之第一入射角或第一反射角與其對應信號軸比之關係圖;第2B圖係顯示根據本發明一實施例所述之第一入射角或第一反射角與其對應接收信號強度之關係圖;第3圖係顯示根據本發明一實施例所述之偵測裝置之示意圖;第4A圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線元件之立體圖;第4B圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線元件之俯視 圖;第5圖係顯示根據本發明一實施例所述之偵測方法之流程圖。
為讓本發明之目的、特徵和優點能更明顯易懂,下文特舉出本發明之具體實施例,並配合所附圖式,作詳細說明如下。
第1圖係顯示根據本發明一實施例所述之偵測裝置100之示意圖。偵測裝置100可應用於雷達偵測領域及醫學領域。舉例而言,偵測裝置100可偵測一待測物(Objection Under Detection,OUD)140之位置或微小幅度之位移。如第1圖所示,偵測裝置100至少包括:一第一收發器(Transceiver)110、一第一天線元件120,以及一第二天線元件130。第一收發器110同時有傳送和接收之功能,其具有一第一發射埠TX1和一第一接收埠RX1。第一天線元件120和第二天線元件130可以是任意種類之天線,例如:單極天線(Monopole Antenna)、偶極天線(Dipole Antenna)、迴圈天線(Loop Antenna)、圓極化天線(Circular Polarization Antenna)、橢圓極化天線(Elliptical Polarization Antenna),或是螺旋天線(Helical Antenna)。第一天線元件120係耦接至第一收發器110之第一發射埠TX1,而第二天線元件130係耦接至第一收發器110之第一接收埠RX1。
當偵測裝置100執行一偵測程序時,第一收發器110先透過第一天線元件120朝向待測物140發射一第一電磁信號ST1,之後第一收發器110再透過第二天線元件130由待測物 140處接收一第一反射信號SR1,其中第一電磁信號ST1具有一第一極化方向,而第一反射信號SR1具有一第二極化方向。第一極化方向可與第二極化方向恰好相反。在一些實施例中,第一極化方向和第二極化方向兩者為相反向之橢圓極化。舉例而言,若第一極化方向為左手橢圓極化,則第二極化方向為右手橢圓極化;而若第一極化方向為右手橢圓極化,則第二極化方向為左手橢圓極化。更詳細而言,第一天線元件120係以一第一入射角θT1朝向待測物140上之一第一區域141發射第一電磁信號ST1,而第二天線元件130係以一第一反射角θR1由待測物140上之第一區域141處接收第一反射信號SR1。第一入射角θT1和第一反射角θR1係以第一區域141之反射面之法線方向為衡量基礎。根據反射定律,第一反射角θR1應恰等於第一入射角θT1。
第2A圖係顯示根據本發明一實施例所述之第一入射角θT1或第一反射角θR1與其對應信號軸比(Axial Ratio,AR)之關係圖。在第2A圖之實施例中,第一電磁信號ST1和第一反射信號SR1兩者為相反向之橢圓極化信號,其中第一天線元件120所發射的第一電磁信號ST1之軸比和第一入射角θT1之關係如一第一曲線CC1所示,而第二天線元件130所接收的第一反射信號SR1之軸比和第一反射角θR1之關係如一第二曲線CC2所示。當第一入射角θT1和第一反射角θR1皆等於一較佳值θ時,第一電磁信號ST1之軸比和第一反射信號SR1之軸比皆等於一較佳軸比TP。反之,第一入射角θT1和第一反射角θR1偏離較佳值θ時,經由第一天線元件120所發射的第一電磁信號ST1之 軸比和能夠被第二天線元件130所接收的第一反射信號SR1之軸比即會出現變化,而明顯偏離較佳軸比TP。
在第2A圖之實施例中,第一電磁信號ST1之軸比係隨著第一入射角θT1增加而明顯減少,並隨著第一入射角θT1減少而明顯增加;而第一反射信號SR1之軸比係隨著第一反射角θR1增加而明顯增加,並隨著第一反射角θR1減少而明顯減少。前述之軸比變化特性可藉由適當地設計第一天線元件120和第二天線元件130之結構而達成。在另一些實施例中,亦可改為第一電磁信號ST1之軸比係隨著第一入射角θT1增加而明顯增加,並隨著第一入射角θT1減少而明顯減少;而第一反射信號SR1之軸比係隨著第一反射角θR1增加而明顯減少,並隨著第一反射角θR1減少而明顯增加(可視為將第一曲線CC1和第二曲線CC2兩者對調)。第一電磁信號ST1之軸比和第一反射信號SR1之軸比分別對於第一入射角θT1之變化和第一反射角θR1之變化都非常敏感,它們於較佳值θ附近都具有較陡峭之斜率(斜率可定義為dAR/dθ)。因此,假設第一入射角θT1和第一反射角θR1偏離較佳值θ而等於一第一差值θ+△θ或是一第二差值θ-△θ,根據第2圖所示,以第二差值θ-△θ來做說明,此時由第一天線元件120所發射的第一電磁信號ST1之軸比為TP1,而第二天線元件130在此角度下所能接收第一反射信號SR1之軸比卻為TP2,故兩軸比間有明顯差異,亦即軸比不匹配(Axial Ratio Mismatch),其將會弱化偵測裝置100之接收信號強度。
第2B圖係顯示根據本發明一實施例所述之第一入射角θT1或第一反射角θR1與其對應接收信號強度之關係圖。如 第2B圖所示,當第一入射角θT1和第一反射角θR1皆等於較佳值θ時,因軸比匹配,偵測裝置100將具有最高之接收信號強度(亦即,第二天線元件130所接收之第一反射信號SR1之強度為最高)。反之,若第一入射角θT1和第一反射角θR1偏離較佳值θ而等於第一差值θ+△θ或是第二差值θ-△θ時,前述之接收信號強度將因軸比不匹配而明顯下滑。在此設計下,第一天線元件120和第二天線元件130以較佳值θ之外之其他入射角及接收角發射和接收之信號都會大幅衰減,因此本發明之偵測裝置100可具有濾除不必要方向雜訊之功能。在較佳實施例中,當偵測裝置100欲對待測物140上之第一區域141執行一偵測程序時(例如:偵測其位置或上下位移),第一天線元件120應以等於較佳值θ之第一入射角θT1朝向第一區域141發射第一電磁信號ST1,而第二天線元件130亦應以等於較佳值θ之第一反射角θR1由第一區域141處接收第一反射信號SR1。在此情況下,因軸比匹配,偵測裝置100將具有最大之接收信號強度,而其他因多重路徑傳播而產生之信號(例如:由牆壁反射之電磁波),由於其等效之入射角和反射角不等於較佳值θ,故不易被第二天線元件130所接收。是以在理想情況下,偵測裝置100將僅能發射及接收正對於第一區域141之方向之信號,其信噪比(Signal-to-Noise Ratio,SNR)可以有效地提高,對於偵測品質亦有很大助益。
第3圖係顯示根據本發明一實施例所述之偵測裝置300之示意圖。第3圖與第1圖類似。兩者之差異在於,偵測裝置300更包括一第二收發器150。第二收發器150具有一第二發射埠TX2和一第二接收埠RX2。第一天線元件120更耦接至第 二收發器150之第二接收埠RX2,而第二天線元件130更耦接至第二收發器150之第二發射埠TX2。第二收發器150可先透過第二天線元件130朝向待測物140發射一第二電磁信號ST2,之後第二收發器150可再透過第一天線元件120由待測物140處接收一第二反射信號SR2,其中第二電磁信號ST2具有一第三極化方向,而第二反射信號SR2具有一第四極化方向。第三極化方向可與第四極化方向恰好相反。在一些實施例中,第三極化方向和第四極化方向兩者為相反向之橢圓極化。另一方面,第三極化方向可與第二極化方向恰好相反,而第四極化方向可與第一極化方向恰好相反,使得每一天線元件不會同時發射及接收相同極化方向之信號,以增加其隔離度。舉例而言,第一天線元件120可以發射左手橢圓極化之第一電磁信號ST1並接收右手橢圓極化之第二反射信號SR2,而第二天線元件130可以發射左手橢圓極化之第二電磁信號ST2並接收右手橢圓極化之第一反射信號SR1,但不僅限於此。更詳細而言,第二天線元件130係以一第二入射角θT2朝向待測物140上之一第二區域142發射第二電磁信號ST2,而第一天線元件120係以一第二反射角θR2由待測物140上之第二區域142處接收第二反射信號SR2。第二入射角θT2和第二反射角θR2係以第二區域142之反射面之法線方向為衡量基礎。第二反射角θR2應恰等於第二入射角θT2。根據一些量測結果,以同一天線元件作為發射天線和接收天線時,其發射場型和接收場型仍略有不同,故前述之第二區域142可異於前述之第一區域141。換言之,本發明之偵測裝置100僅使用二支天線元件作信號發射及接收,即可對待測物140上之不 同區域同時進行雷達偵測,其大幅減低了傳統多區域偵測裝置所需之成本。必須注意的是,以上第二入射角θT2和第二反射角θR2與信號軸比、接收信號強度之關係可如第2A、2B圖之實施例所述,其差異僅在以第二入射角θT2和第二反射角θR2分別取代第2A、2B圖之第一入射角θT1和第一反射角θR1,故在此不再重複說明。
第4A圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線元件400之立體圖。第4B圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線元件400之俯視圖。請一併參考第4A、4B圖。天線元件400可以是前述之第一天線元件120和第二天線元件130之任一者。如第4A、4B圖所示,天線元件400至少包括一接地面410和一輻射金屬片420。接地面410和輻射金屬片420皆以導體材料製成,例如:銅、銀、鐵、鋁,或是其合金。接地面410可設置於一介質基板(Dielectric Substrate)上,例如:一FR4(Flame Retardant 4)基板或是一系統電路板。輻射金屬片420係大致平行於接地面410。輻射金屬片420可耦接至第一收發器110之第一發射埠TX1或第一接收埠RX1,或是耦接至第二收發器150之第二發射埠TX2或第二接收埠RX2。輻射金屬片420可以大致為一矩形截去二相對角落部份,以傳送或接收圓極化或橢圓極化之信號。舉例而言,前述角落部份可大致為等腰直角三角形,其截去使得輻射金屬片420大致呈現一六邊形。在一些實施例中,輻射金屬片420更具有二槽孔422、424,其中槽孔422、424係大致相對且互相平行,而槽孔422、424之二開口端係分別位於輻射金屬片420之相對二側邊。槽孔422、424可以分別大致 為一L字形。槽孔422、424之長度D1可以小於天線元件400之中心操作頻率之0.5倍波長(0.5λ)。在一些實施例中,輻射金屬片420更具有二突出部426、428,其中突出部426、428係分別耦接至輻射金屬片420之相對二角落,而此二角落係異於被截去部份之另外二角落。突出部426、428可以分別大致為一直條形。突出部426、428之長度D2可以小於天線元件400之中心操作頻率之0.25倍波長(0.25λ)。在一些實施例中,天線元件400更包括一第一延伸部432和一第二延伸部434,其中第一延伸部432和第二延伸部434係分別耦接至輻射金屬片420之相對二側邊,且第一延伸部432和第二延伸部434皆大致垂直於接地面410和輻射金屬片420。第一延伸部432和第二延伸部434可以分別大致為一錐形或一梯形。第一收發器110之第一發射埠TX1或第一接收埠RX1,或是第二收發器150之第二發射埠TX2或第二接收埠RX2可以透過第一延伸部432或第二延伸部434耦接至輻射金屬片420。在一些實施例中,天線元件400可以僅包括第一延伸部432或第二延伸部434兩者擇一,以形成一不對稱結構並調整其阻抗匹配。根據一些量測結果,天線元件400可作為一接收天線或一傳送天線,並可用於提供如第2A、2B圖所示之軸比變化特性,其具有能濾除不必要方向之雜訊、提高信噪比,還有增強偵測品質之功用。藉由將天線元件400鏡射翻轉、或是選擇適當饋入點或接收點,天線元件400可應用於本發明之偵測裝置100、300中,並能處理於各種方向之橢圓極化信號。
第5圖係顯示根據本發明一實施例所述之偵測方法之流程圖。此偵測方法可包括下列步驟。在步驟S510,提供 一第一收發器、一第一天線元件,以及一第二天線元件,其中第一天線元件係耦接至第一收發器之一第一發射埠,而第二天線元件係耦接至第一收發器之一第一接收埠。在步驟S520,使用第一收發器,透過第一天線元件朝向一待測物發射一第一電磁信號。在步驟S530,使用第一收發器,透過第二天線元件由待測物處接收一第一反射信號。第一電磁信號具有一第一極化方向,而第一反射信號具有一第二極化方向,其中第一極化方向可與第二極化方向恰好相反。第一極化方向和第二極化方向兩者可為相反向之橢圓極化。必須注意的是,第1-4B圖之實施例之任何一或複數項特徵均可套用至第5圖之偵測方法當中。
本發明之偵測裝置藉由利用天線極化方向匹配或不匹配之特性,可聚焦於待測物方向進行雷達偵測,並抑制其他不必要方向之雜訊,以提高整體偵測品質。若加入二組收發器,則本發明更可利用原有二支天線元件,對待測物上之不同區域進行偵測,其能有效降低整體設計成本。在實際應用方面,舉例而言,本發明之偵測裝置可同時以雷達原理監控一受試者於呼吸時,其胸部(例如第一區域)及腹部(例如第二區域)所產生之上下位移,而偵測裝置所取得之資料經分析後,有助於可進一步了解受試者之健康狀況,例如針對睡眠呼吸中止症之患者,藉由本發明之設計,可更容易更精確地獲取受試者睡眠時之呼吸狀況與資料。相較於傳統之複雜且不便的眾多儀器,本發明確實具有醫學上之應用價值。
值得注意的是,以上所述之元件形狀、元件參數皆非為本發明之限制條件。天線設計者可以根據不同需要調整 這些設定值。本發明之偵測裝置及偵測方法並不僅限於第1-5圖所圖示之狀態。本發明可以僅包括第1-5圖之任何一或複數個實施例之任何一或複數項特徵。換言之,並非所有圖示之特徵均須同時實施於本發明之偵測裝置及偵測方法當中。
在本說明書以及申請專利範圍中的序數,例如「第一」、「第二」、「第三」等等,彼此之間並沒有順序上的先後關係,其僅用於標示區分兩個具有相同名字之不同元件。
本發明雖以較佳實施例揭露如上,然其並非用以限定本發明的範圍,任何熟習此項技藝者,在不脫離本發明之精神和範圍內,當可做些許的更動與潤飾,因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100‧‧‧偵測裝置
110‧‧‧第一收發器
120‧‧‧第一天線元件
130‧‧‧第二天線元件
140‧‧‧待測物
141‧‧‧第一區域
ST1‧‧‧第一電磁信號
SR1‧‧‧第一反射信號
TX1‧‧‧第一發射埠
RX1‧‧‧第一接收埠
θT1‧‧‧第一入射角
θR1‧‧‧第一反射角

Claims (23)

  1. 一種偵測裝置,適用於偵測一待測物,包括:一第一收發器,具有一第一發射埠和一第一接收埠;一第一天線元件,耦接至該第一發射埠;以及一第二天線元件,耦接至該第一接收埠;其中該第一收發器先透過該第一天線元件朝向該待測物發射一第一電磁信號,之後該第一收發器再透過該第二天線元件由該待測物處接收一第一反射信號;其中該第一電磁信號具有一第一極化方向,而該第一反射信號具有一第二極化方向;其中該第一極化方向與該第二極化方向恰好相反。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之偵測裝置,其中該第一極化方向和該第二極化方向兩者為相反向之橢圓極化。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之偵測裝置,其中該第一天線元件係以一第一入射角朝向該待測物上之一第一區域發射該第一電磁信號,而該第二天線元件係以一第一反射角由該待測物上之該第一區域處接收該第一反射信號。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之偵測裝置,其中該第一電磁信號之軸比係隨著該第一入射角增加而明顯減少,並隨著該第一入射角減少而明顯增加,或是其中該第一電磁信號之軸比係隨著該第一入射角增加而明顯增加,並隨著該第一入射角減少而明顯減少。
  5. 如申請專利範圍第3項所述之偵測裝置,其中該第一反射信號之軸比係隨著該第一反射角增加而明顯增加,並隨著該 第一反射角減少而明顯減少,或是其中該第一反射信號之軸比係隨著該第一反射角增加而明顯減少,並隨著該第一反射角減少而明顯增加。
  6. 如申請專利範圍第3項所述之偵測裝置,更包括:一第二收發器,具有一第二發射埠和一第二接收埠,其中該第一天線元件更耦接至該第二接收埠,而該第二天線元件更耦接至該第二發射埠;其中該第二收發器先透過該第二天線元件朝向該待測物發射一第二電磁信號,之後該第二收發器再透過該第一天線元件由該待測物處接收一第二反射信號;其中該第二電磁信號具有一第三極化方向,而該第二反射信號具有一第四極化方向。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之偵測裝置,其中該第三極化方向與該第四極化方向恰好相反。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之偵測裝置,其中該第三極化方向和該第四極化方向兩者為相反向之橢圓極化。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之偵測裝置,其中該第二天線元件係以一第二入射角朝向該待測物上之一第二區域發射該第二電磁信號,而該第一天線元件係以一第二反射角由該待測物上之該第二區域處接收該第二反射信號。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之偵測裝置,其中該第二電磁信號之軸比係隨著該第二入射角增加而明顯減少,並隨著該第二入射角減少而明顯增加,或是其中該第二電磁信號之軸比係隨著該第二入射角增加而明顯增加,並隨著該第二 入射角減少而明顯減少。
  11. 如申請專利範圍第9項所述之偵測裝置,其中該第二反射信號之軸比係隨著該第二反射角增加而明顯增加,並隨著該第二反射角減少而明顯減少,或是其中該第二反射信號之軸比係隨著該第二反射角增加而明顯減少,並隨著該第二反射角減少而明顯增加。
  12. 如申請專利範圍第9項所述之偵測裝置,其中該第二區域係異於該第一區域。
  13. 如申請專利範圍第1項所述之偵測裝置,其中該第一天線元件和該第二天線元件之任一者包括:一接地面;以及一輻射金屬片,大致平行於該接地面,並耦接至該第一發射埠或該第一接收埠。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之偵測裝置,其中該輻射金屬片大致為一矩形截去二相對角落部份。
  15. 如申請專利範圍第14項所述之偵測裝置,其中該輻射金屬片大致呈現一六邊形。
  16. 如申請專利範圍第13項所述之偵測裝置,其中該輻射金屬片更具有二槽孔,該等槽孔係大致相對且互相平行,而該等槽孔之二開口端係分別位於該輻射金屬片之相對二側邊。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之偵測裝置,其中該等槽孔分別大致為一L字形。
  18. 如申請專利範圍第14項所述之偵測裝置,其中該輻射金屬 片更具有二突出部,而該等突出部係分別耦接至該輻射金屬片之相對二角落。
  19. 如申請專利範圍第18項所述之偵測裝置,其中該等突出部分別大致為一直條形。
  20. 如申請專利範圍第12項所述之偵測裝置,其中該第一天線元件和該第二天線元件之任一者更包括:一第一延伸部,大致垂直於該接地面和該輻射金屬片,其中該第一發射埠或該第一接收埠係透過該第一延伸部耦接至該輻射金屬片。
  21. 如申請專利範圍第20項所述之偵測裝置,其中該第一天線元件和該第二天線元件之任一者更包括:一第二延伸部,大致垂直於該接地面和該輻射金屬片,其中該第一延伸部和該第二延伸部係分別耦接至該輻射金屬片之相對二側邊。
  22. 一種偵測方法,包括下列步驟:提供一第一收發器、一第一天線元件,以及一第二天線元件,其中該第一天線元件係耦接至該第一收發器之一第一發射埠,而該第二天線元件係耦接至該第一收發器之一第一接收埠;使用該第一收發器,透過該第一天線元件朝向一待測物發射一第一電磁信號;以及使用該第一收發器,透過該第二天線元件由該待測物處接收一第一反射信號;其中該第一電磁信號具有一第一極化方向,而該第一反射 信號具有一第二極化方向;其中該第一極化方向與該第二極化方向恰好相反。
  23. 如申請專利範圍第22項所述之偵測方法,其中該第一極化方向和該第二極化方向兩者為相反向之橢圓極化。
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