TWI574426B - 太陽能電池及其製作方法 - Google Patents

Description

太陽能電池及其製作方法

本發明是有關於一種太陽能電池，特別是有關於一種背接觸太陽能電池及其製作方法。

太陽能電池，又稱為光伏電池，為一種將太陽能轉換成電能的裝置。太陽能電池通常以半導體製程製作於半導體晶圓或基板上，以在基板表面附近形成p-n接面。接著，利用太陽光照射在基板表面，以產生電子-電洞對。此些電子-電洞對分別遷移至基板的基極摻雜區、射極摻雜區，從而產生基極/射極摻雜區之間的電壓差，以引導電池的電流至一外部電路。

然而，在背面接觸式太陽能電池中，太陽能電池的效率與太陽能電池中少數電荷載子的橫向移動以及電子-電洞對的表面復合速率(surface recombination velocity)直接相關，因此，如何減少少數電荷載子的路徑長度，以及減少電子-電洞對的復合速率，以提高太陽能電池的效率，實為業界所欲解決的課題。此外，少數電荷載子也會受到背面電場的遮蔽作用(electrical shading effect)，不易或無法被收集在射極摻雜區中，而導致太陽 能電池的效率受到影響。

本發明係有關於一種太陽能電池及其製作方法，用以提高太陽能電池的效率。

根據本發明之一方面，提出一種太陽能電池，包括一基板、一第一摻雜區、一第二摻雜區、一前電場、一第一電極以及一第二電極。基板為第二導電型並具有一正面與一和正面相對之背面，正面包括一朝背面接近的一內凹面，背面包括一由背面往正面凹陷之一階梯結構，階梯結構包括一第一表面、一第二表面與一第三表面，其中第一表面與內凹面平行相對，第二表面比第一表面相對遠離內凹面，且第三表面位於第一表面與第二表面之間。第一摻雜區位於第一表面內，第一摻雜區為第一導電型，第一導電型與第二導電型的電性彼此相反。第二摻雜區位於第二表面內，第二摻雜區為第二導電型。前電場位於正面且沿內凹面延伸。第一電極配置於第一表面並與第一摻雜區連接。第二電極配置於第二表面並與第二摻雜區連接。

根據本發明之一方面，提出一種太陽能電池的製作方法，包括下列步驟。提供一基板，基板為第二導電型並具有一正面與一和正面相對之背面。於背面之一第二表面形成一第二摻雜區，第二摻雜區為第二導電型。於背面上之部份位置處進行蝕刻以形成一第三表面。於第三表面上不與第二摻雜區靠近之位置處進行蝕刻以形成一第一表面。於第一表面形成一第一摻雜區， 第一摻雜區為第一導電型，第一導電型與第二導電型的電性彼此相反。於正面對應第一表面處進行蝕刻以形成一內凹面。於正面形成一前電場，且前電場沿內凹面延伸。配置一第一電極於第一表面並與第一摻雜區連接。配置一第二電極於第二表面並與第二摻雜區連接。

為了對本發明之上述及其他方面有更佳的瞭解，下文特舉較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下：

100~103‧‧‧太陽能電池

110‧‧‧基板

111‧‧‧正面

112‧‧‧背面

113‧‧‧內凹面

114‧‧‧階梯結構

115‧‧‧第一表面

116‧‧‧第二表面

117‧‧‧第三表面

118‧‧‧間隔區

120‧‧‧第一摻雜區

121‧‧‧粗糙結構

122‧‧‧前電場

123、125‧‧‧粗糙結構

126、127‧‧‧圓弧導角

130‧‧‧第二摻雜區

131‧‧‧第一阻隔層

131’‧‧‧阻隔層

132‧‧‧第二阻隔層

133‧‧‧第三阻隔層

134‧‧‧第四阻隔層

135‧‧‧粗糙結構

136‧‧‧摻雜區

137‧‧‧電極

140‧‧‧第一電極

141‧‧‧摻雜區

142‧‧‧粗糙結構

143‧‧‧阻隔層

144‧‧‧電極

150‧‧‧第二電極

H1‧‧‧第一高度差

H2‧‧‧第二高度差

Hmin‧‧‧最小值

Hmax‧‧‧最大值

C1‧‧‧第一深度的凹槽(第一凹槽)

C2‧‧‧第二深度的凹槽(第二凹槽)

C3‧‧‧階梯結構

C4‧‧‧內凹面

L‧‧‧入射光

第1圖繪示依照本發明一實施例之太陽能電池的示意圖。

第2圖繪示基板的厚度呈階梯狀分佈的示意圖。

第3A圖，其繪示依照本發明一實施例之太陽能電池的示意圖。

第3B圖繪示依照本發明一實施例之太陽能電池及其局部放大示意圖。

第4圖繪示依照本發明一實施例之太陽能電池的示意圖。

第5A~5C圖繪示蝕刻基板的各個步驟的流程圖。

第6A~6E圖繪示以鋁漿做為摻雜源以形成射極摻雜區的各個步驟。

第7A~7D圖繪示依照一實施例於基板的背面局部形成一粗糙結構的各個步驟。

第8A~8D圖繪示依照一實施例於基板的背面局部形成一粗糙結構的各個步驟。

在本實施例之一範例中，揭露一種太陽能電池及其 製作方法，其藉由局部蝕刻基板以薄化基板，進而形成一由背面往正面凹陷的階梯結構，可使基板正面附近產生的少數電荷載子以較短的路徑長度移動至背面。另外，在本實施例之一範例中，揭露一種太陽能電池及其製作方法，其藉由局部蝕刻基板以薄化基板，進而形成一由正面朝背面凹陷的內凹面，可使基板正面附近產生的少數電荷載子以較短的路徑長度移動至背面。另外，在本實施例之一範例中，揭露一種太陽能電池及其製作方法，其背面的射極摻雜區、間隔區、基極摻雜區呈階梯狀，以使射極摻雜區與正面之間的距離小於基極摻雜區與正面之間的距離，進而減少少數電荷載子由基板的正面移動至射極摻雜區的路徑長度，並且可避免少數電荷載子受到基極摻雜區的背面電場的遮蔽作用，不易或無法被收集在射極摻雜區中的問題。

另外，在本實施例之一範例中，基板的背面例如以 鋁漿經快速熱處理可在較短時間內將P型摻質驅入至預先蝕刻的凹孔區域中，而獲得摻雜濃度較高的射極摻雜區，並可限制鋁漿在凹孔區域中，以精確定義射極摻雜區的位置。

另外，在本實施例之一範例中，基板的背面局部形 成一粗糙結構(例如金字塔形結構)，且粗糙結構接合於摻雜區與相對應的電極焊料之間，以使電極焊料與摻雜區之間的接觸阻 抗降低。此外，基板的背面未形成粗糙結構的區域例如以濕式蝕刻或平坦化處理的方式形成一非粗糙表面(例如平坦化表面)，以增加自正面入射之入射光線於基板內部之反射能力。

以下係提出實施例進行詳細說明，實施例僅用以作為範例說明，並非用以限縮本發明欲保護之範圍。

第一實施例

請參照第1圖，其繪示依照本發明一實施例之太陽能電池100的示意圖。太陽能電池100至少包括一基板110、一第一摻雜區120、一第二摻雜區130、一第一電極140以及一第二電極150。

基板110內包括植入一第一導電型或第二導電型之摻質，以使基板110成為n型基板或p型基板，若為n型基板，少數電荷載子為電洞，若為p型基板，少數電荷載子為電子。在本實施例中，以n型基板110為範例，第一摻雜區120為P+摻雜區，第二摻雜區130為N++摻雜區，但本發明不以此為限。第一摻雜區120可做為一射極區，而第二摻雜區130可做為一基極區。因此，在一前電場122的作用下，少數電荷載子將由靠近基板110正面111附近的生成點往第一摻雜區120移動，以收集往第一摻雜區120移動的少數電荷載子，而多數電荷載子將由靠近基板110正面111附近的生成點往第二摻雜區130移動，以收集往第二摻雜區130移動的多數電荷載子。

基板110為第二導電型並具有一正面111與一背面 112，正面111包括一朝背面112接近的一內凹面113，背面112包括一由背面112往正面111凹陷之一階梯結構114。在一實施例中，基板110的正面111形成內凹面113的區域約佔正面111的總面積2/3或3/4以上，與基板110的背面112形成階梯結構114的區域大致上相同。在一實施例中，內凹面113的深度為5μm~40μm。且於實施上，該內凹面的表面上更可具有複數個可降低入射光反射之粗糙結構，若採單晶矽基板時，此粗糙結構之形貌即為金字塔形貌；若採多晶矽基板，此粗糙結構之形貌即為不規則型之粗糙形貌。

在一實施例中，階梯結構114包括一第一表面115、一第二表面116與一第三表面117。第一表面115與內凹面113平行相對，而第二表面116比第一表面115相對遠離內凹面113。此外，第三表面117位於第一表面115與第二表面116之間，且第二表面116比第三表面117相對遠離內凹面113。

也就是說，背面112的表面輪廓是由階梯結構114的第一表面115延伸至第三表面117，再由第三表面117延伸至第二表面116。正面111的內凹面113相對於階梯結構114的第一表面115與第三表面117延伸，並與第三表面117平行相對。由於第一表面115、第三表面117與第二表面116依序呈階梯狀延伸，因而基板110的厚度也將呈階梯狀分佈。

請參照第2圖，其繪示基板110的厚度呈階梯狀分佈的示意圖。第二表面116相對於第一表面115具有一第一高度 差H1，第二表面116相對於第三表面117具有一第二高度差H2。第一高度差H1大於第二高度差H2，且第二高度差H2大於零。在一實施例中，基板110的厚度於第一表面115與內凹面113之間具有一最小值Hmin，以使少數電荷載子以較短的路徑長度移動至背面112的第一摻雜區120，而基板110的厚度於第二表面116與平行相對之正面111之間具有一最大值Hmax，可避免橫向移動的少數電荷載子受到第二摻雜區130的背面電場的遮蔽作用。

在一實施例中，由於基板110在射極區的厚度相對於在基極區的厚度較薄，且射極區的面積約為基極區的數倍，例如3~4倍，因此大部分的少數電荷載子幾乎沿著垂直方向移動至射極區，僅有一小部分的少數電荷載子需橫向移動至射極區，故能有效減少少數電荷載子於橫向移動時所受之干擾，以及減少因少數電荷載子橫向移動而造成電子-電洞對發生復合的損失。

在第1圖中，第一摻雜區120位於階梯結構114的第一表面115內。第一摻雜區120內包括植入之一第一導電型之摻質，例如是n型摻質(鋁或硼)或p型摻質(磷)。第二摻雜區130位於背面112的第二表面116內。第二摻雜區130內包括植入之一第二導電型之摻質，例如是n型摻質(鋁或硼)或p型摻質(磷)。第一導電型與第二導電型的電性相反。

此外，第一電極140配置於第一表面115並與第一摻雜區120連接。第二電極150配置於第二表面116並與第二摻雜區130連接。在一實施例中，第一摻雜區120與第二摻雜區130 例如為交錯排列的指叉狀區域，並藉由條狀或指叉狀的第一電極140連接至外部電路的一端部，以及藉由條狀或指叉狀的第二電極150連接至外部電路的另一端部，以使外部電路可接收來自太陽能電池100的電流。

另外，基板110的背面112更包括一間隔區118， 其對應於第三表面117所在的位置。間隔區118分隔於第一摻雜區120與第二摻雜區130之間。由於間隔區118與第二摻雜區130之間具有一高度差，利用此高度差之好處例如有可使網印金屬電極之對位機台精準地定位，以使第一電極140/第二電極150之電極漿料可分別準確被印刷於第一摻雜區120及第二摻雜區130內，此外，利用此高度差還可避免第一摻雜區120及第二摻雜區130的距離太近，從而防止重摻雜之雜質橫向擴散至輕摻雜區的情形發生。在一實施例中，間隔區118的寬度例如60微米左右，可依照製程的條件加以調整，本發明對此不加以限制。

第二實施例

請參照第3A圖，其繪示依照本發明一實施例之太陽能電池101的示意圖。本實施例與第一實施例的差異在於：基板110的正面111更包括一全面性形成的粗糙結構121，例如是採用單晶矽基板時之金字塔形結構或角錐結構，以增加太陽光從正面111入射的入射量。此外，太陽能電池101的前電場122形成在基板正面111之內，並沿著內凹面113延伸。

太陽能電池101於第一表面115與第一電極140接 觸的位置處可形成有複數個粗糙結構123，且於第二表面116與第二電極150接觸的位置處形成複數個粗糙結構123。當然，亦可僅於第一、第二電極中之一者處形成此粗糙結構。。粗糙結構123接合於第一摻雜區120與第一電極140之間，以使第一電極140與第一摻雜區120之間的接觸阻抗降低，而另一粗糙結構123接合於第二摻雜區130與第二電極150之間，以使第二電極150與第二摻雜區130之間的接觸阻抗降低。

此外，基板110於第一表面115或/及第二表面116 上未對應設有第一電極140或/及第二電極150的位置處例如以濕式蝕刻或其他平坦化處理的方式形成一非粗糙表面(例如平坦表面)，以增加自正面111入射之入射光L反射的能力。在一實施例中，由於基板110的背面112形成粗糙結構123的區域僅有一小部分，因此大部分的光線皆會被反射而在基板110內產生電子-電洞對。然而，本實施例並不排除全面性形成粗糙結構123於基板110的背面112，或是增加基板110的背面112形成粗糙結構123的區域使其大於電極140、150所在的區域。在一實施例中，太陽能電池101可藉由另外形成金屬層或反射層於基板110的背面112，以提高自正面111入射之入射光L反射的能力。

或是，請參照第3B圖，其繪示依照本發明一實施 例之太陽能電池102及其局部放大示意圖。在放大示意圖中，粗糙結構125各別朝向第一摻雜區120及第一電極140之上下兩側具有多個圓弧導角126、127，而另一粗糙結構125各別朝向第二 摻雜區130及第二電極150之上下兩側具有多個圓弧導角126、127。本實施例之太陽能電池102可利用此圓弧導角126、127之設計來使第一電極140以及第二電極150與基板110之連接強度提昇，以降低原本粗糙結構為金字塔型態時，於尖端處與金屬電極接觸效果不佳之問題。

接著，請參照第4圖，其繪示依照本發明另一實施 例之太陽能電池103的示意圖。本實施例與第一實施例/第二實施例的差異在於：太陽能電池103的內凹面113僅與階梯結構114的第一表面115平行相對，但內凹面113並未延伸至第三表面117的上方，因此內凹面113未與第三表面117平行相對。

接著，針對上述實施例中的太陽能電池的結構，以下介紹太陽能電池的製造方法，請同時參照第1圖之元件符號。首先，提供一基板110，基板110為第二導電型並具有一正面111與一背面112。於背面112之一第二表面116形成一第二摻雜區130，第二摻雜區130為第二導電型。於背面112上之部份位置處進行蝕刻以形成一第三表面117。於第三表面117上不與第二摻雜區130靠近之位置處進行蝕刻以形成一第一表面115。於第一表面115形成一第一摻雜區120，第一摻雜區120為第一導電型，第一導電型與第二導電型的電性彼此相反。於正面111對應第一表面115處進行蝕刻以形成一內凹面113。於正面111形成一前電場122，且前電場122沿內凹面113延伸。。配置一第一電極140於第一表面115並與第一摻雜區120連接。配置一第二電極 150於第二表面116並與第二摻雜區130連接。

請參照第5A~5C圖，其繪示蝕刻基板110的各個 步驟的流程圖。在第5A圖中，例如以雷射或溼蝕刻之方式蝕刻基板110的背面112，以形成第一深度的凹槽C1。在第5B圖中，例如以雷射或溼蝕刻之方式對基板110的背面112進行二次蝕刻，以形成一第二深度的凹槽C2。第二深度的凹槽C2以及未被蝕刻的第一深度的凹槽C1構成一由基板110的背面112往正面111凹陷的階梯結構C3。上述的階梯結構C3與第1圖中的階梯結構114大致上具有相同的表面形貌，請參照第1圖的說明。另外，在第5C圖中，對基板110的正面111進行蝕刻，使得基板110的正面111相對於基板110的背面112形成階梯結構C3的區域形成一內凹面C4。上述的內凹面C4與第1圖中的內凹面113大致上具有相同的表面形貌，請參照第1圖的說明。

接著，請參照第6A~6E圖，其繪示太陽能電池的 製造方法。在第6A圖中，先於正面形成一第一阻隔層131後，再對基板110背面進行一摻雜以形成例如一N型摻雜區(第二摻雜區130)。在第6B圖中，再於背面形成一第二阻隔層132並覆蓋已形成之N型摻雜區，接著以雷射對局部之第二阻隔層132(即對應所欲形成的射極區與間隔區之位置處)進行移除，並以例如KOH對所欲移除之區域進行蝕刻以形成一第一凹槽C1。在第6C圖中，接著於背面形成一第三阻隔層133以覆蓋所形成之第一凹槽C1(可先移除第二阻隔層132)，再以雷射對局部之第三阻隔 層133(即對應所欲形成射極區之位置處)進行移除，並以例如KOH對所欲移除之區域進行蝕刻以形成一第二凹槽C2。在第6D圖中，於第二凹槽C2(即第一表面)處形成一第一摻雜區120(即射極區)。在第6E圖中，可先移除第三阻隔層133，再於背面形成一第四阻隔層134以覆蓋所形成之第一摻雜區120以及第二摻雜區130(即BSF基極區)，接著以雷射移除正面上對應第一摻雜區120(即射極區)的局部材質，此時第一阻隔層131有可能已經被移除，再形成另一阻隔層131’於正面上，之後，再以例如KOH蝕刻以形成內凹面C4，其中於實施上並可使該內凹面深度為5μm~40μm。最後，雖未繪示於圖中，但太陽能電池通常會在基板110正面上形成一層抗反射層例如氮化矽，以及在背面上形成一鈍化層例如氮化矽。

在一實施例中，第6C圖中例如印刷一摻雜源(圖 未繪示)於第二凹槽C2內，並加熱摻雜源使其摻質被驅入至基板110中。摻雜源例如是鋁漿，加熱鋁漿至920度左右，以植入P型摻質於基板110中。形成P型摻雜區之後，再移除鋁漿。由於鋁漿的熱處理時間短，並能得到深度較深且摻雜濃度較高的射極區，且能精確地定位射極區的位置，相對於傳統以PECVD擴散法將硼離子植入於射極區，效果更好且時間縮短。當然，本發明不限制以鋁漿做為摻雜源，亦不排除以PECVD擴散法來形成射極區。

接著，請參照第7A~7D圖，其繪示依照一實施例 於基板110的背面局部形成一粗糙結構135的各個步驟。首先，在第7A圖中，以一阻隔層132覆蓋基板110的一表面，而未被阻隔層132覆蓋的區域形成一粗糙結構135。雖然在第7A圖中，並未繪示粗糙結構135位在一凹孔區域中，但由第6C圖可知，粗糙結構135可經由蝕刻而形成於第二凹槽C2中。在第7B圖中，移除阻隔層132。在第7C圖中，對應於基板110形成有粗糙結構135的區域進行熱擴散法或離子植入法，以形成一摻雜區136，例如是射極區或基極區。上述的熱擴散法包括第6C圖中對鋁漿進行熱處理。在第7D圖中，形成一電極137於相對應的摻雜區136上，且粗糙結構135接合於電極137與相對應的摻雜區136之間。上述的電極137例如是第3A及3B圖中的第一電極140或第二電極150。

接著，請參照第8A~8D圖，其繪示依照一實施例 於基板110的背面局部形成一粗糙結構142的各個步驟。首先，在第8A圖中，對應於基板110的一特定區域進行熱擴散法或離子植入法，以形成一摻雜區141，例如是射極區或基極區。上述的熱擴散法包括第6C圖中對鋁漿進行熱處理。在第8B圖中，先全面性形成一粗糙結構142於基板110的表面，後以一阻隔層143局部覆蓋基板110的一表面。雖然在第8B圖中，並未繪示粗糙結構142位在一凹孔區域中，但由第6C圖可知，粗糙結構142可經由蝕刻而形成於第二凹孔C2中。在第8C圖中，移除未被阻隔層143覆蓋的粗糙結構142。在第8D圖中，移除阻隔層143， 並形成一電極144於相對應的摻雜區141上，且粗糙結構142接合於電極與相對應的摻雜區141之間。上述的電極141例如是第3A及3B圖中的第一電極140或第二電極150。此外，上述第8A~8D圖中之步驟亦可先全面性形成一粗糙結構142於基板110的表面後，再進行擴散摻雜。

據此，本發明上述任一實施例所揭露之太陽能電池 及其製作方法，係藉由局部蝕刻基板以薄化基板，進而形成一由背面往正面凹陷的階梯結構，可使基板正面附近產生的少數電荷載子以較短的路徑長度移動至背面的射極區，以提高太陽能電池的效率。另外，在另一實施例中，基板的背面局部形成一粗糙結構(例如金字塔形結構)，且粗糙結構接合於摻雜區與相對應的電極焊料(例如銀膠)之間，以使電極焊料與摻雜區之間的接觸阻抗降低，並可使電極與基板之間的連接結構強度提昇。

綜上所述，雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明。本發明所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾。因此，本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

100‧‧‧太陽能電池

110‧‧‧基板

111‧‧‧正面

112‧‧‧背面

113‧‧‧內凹面

114‧‧‧階梯結構

115‧‧‧第一表面

116‧‧‧第二表面

117‧‧‧第三表面

118‧‧‧間隔區

120‧‧‧第一摻雜區

122‧‧‧前電場

130‧‧‧第二摻雜區

140‧‧‧第一電極

150‧‧‧第二電極

Claims (12)

1. 一種太陽能電池，包括：一基板，該基板為第二導電型並具有一正面與一和該正面相對之背面，該正面包括一朝該背面接近的一內凹面，該背面包括一由該背面往該正面凹陷之階梯結構，該階梯結構包括一第一表面、一第二表面與一第三表面，其中該第一表面與該內凹面平行相對，該第二表面比該第一表面相對遠離該內凹面，該第三表面與該內凹面平行，且該第三表面位於該第一表面與該第二表面之間；一第一摻雜區，位於該第一表面內，該第一摻雜區為第一導電型，第一導電型與第二導電型的電性彼此相反；一第二摻雜區，位於該第二表面內，該第二摻雜區為第二導電型；一前電場，位於該正面且沿該內凹面延伸；一第一電極，配置於該第一表面並與該第一摻雜區連接；以及一第二電極，配置於該第二表面並與該第二摻雜區連接。
2. 如申請專利範圍第1項所述之太陽能電池，其中該第一表面、第三表面與該第二表面依序呈階梯狀延伸。
3. 如申請專利範圍第1項所述之太陽能電池，其中該內凹面相對於該第一表面與該第三表面延伸。
4. 如申請專利範圍第1或3項所述之太陽能電池，其中該內凹面深度為5μm~40μm。
5. 如申請專利範圍第1項所述之太陽能電池，其中於該第一表面或/及該第二表面對應接觸於該第一電極或/及該第二電極的位置處設有複數個粗糙結構。
6. 如申請專利範圍第5項所述之太陽能電池，其中於該第一表面或/及第二表面上未對應設有該第一電極或/及該第二電極的位置處具有一平坦表面。
7. 一種太陽能電池的製作方法，包括：提供一基板，該基板為第二導電型並具有一正面與一和該正面相對之背面；於該背面之一第二表面形成一第二摻雜區，該第二摻雜區為第二導電型；於該背面上之部份位置處進行蝕刻以形成一第三表面；於該第三表面上不與該第二摻雜區靠近之位置處進行蝕刻以形成一第一表面；於該第一表面形成一第一摻雜區，該第一摻雜區為第一導電型，第一導電型與第二導電型的電性彼此相反；於該正面對應該第一表面處進行蝕刻以形成一內凹面，其中該第三表面與該內凹面平行，且該第三表面位於該第一表面與該第二表面之間；於該正面形成一前電場，且該前電場沿該內凹面延伸；配置一第一電極於該第一表面並與該第一摻雜區連接；以及配置一第二電極於該第二表面並與該第二摻雜區連接。
8. 如申請專利範圍第7項所述之太陽能電池的製作方法，其中該第一表面、第三表面與該第二表面依序呈階梯狀延伸。
9. 如申請專利範圍第7項所述之太陽能電池的製作方法，其中並使該內凹面相對於該第一表面與該第三表面延伸。
10. 如申請專利範圍第7或9項所述之太陽能電池的製作方法，其中並使該內凹面深度為5μm~40μm。
11. 如申請專利範圍第7項所述之太陽能電池的製作方法，其中於該第一表面或/及該第二表面對應接觸於該第一電極或/及該第二電極的位置處形成有複數個粗糙結構。
12. 如申請專利範圍第11項所述之太陽能電池的製作方法，其中於該第一表面或/及第二表面上未對應設有該第一電極或/及該第二電極的位置處分別形成一平坦表面。