TWI567383B - 利用條紋投影量測光滑物體的方法 - Google Patents

利用條紋投影量測光滑物體的方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI567383B
TWI567383B TW104105695A TW104105695A TWI567383B TW I567383 B TWI567383 B TW I567383B TW 104105695 A TW104105695 A TW 104105695A TW 104105695 A TW104105695 A TW 104105695A TW I567383 B TWI567383 B TW I567383B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
image
stripe
measuring
hologram
smooth object
Prior art date
Application number
TW104105695A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201631314A (zh
Inventor
蘇威宏
黃柏欽
Original Assignee
國立中山大學
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 國立中山大學 filed Critical 國立中山大學
Priority to TW104105695A priority Critical patent/TWI567383B/zh
Priority to US14/825,185 priority patent/US9739602B2/en
Publication of TW201631314A publication Critical patent/TW201631314A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI567383B publication Critical patent/TWI567383B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/24—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring contours or curvatures
    • G01B11/25—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring contours or curvatures by projecting a pattern, e.g. one or more lines, moiré fringes on the object

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Holo Graphy (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)

Description

利用條紋投影量測光滑物體的方法
本發明係關於一種量測物體形貌的方法，特別是關於一種利用條紋投影量測光滑物體形貌的方法。
目前的條紋投影裝置，僅適用於漫射效果佳的物體。對於遵守反射定律的光滑物體，則僅有部份表面的反射光，能投射至影像擷取系統而產生影像，其他區域的反射光，因無法投射至影像擷取系統，而造成部份影像資料的缺失。另一方面，能進入影像擷取系統的反射光，往往光強度過高，容易形成影像灰階值接近飽和的情況，進一步使得條紋的影像過亮、或是對比度太差。
故，有必要提供一種利用條紋投影量測光滑物體的方法，以解決習用技術所存在的問題。
本技術改良傳統的條紋投影輪廓儀的光學架構，能有效觀測條紋投影在光滑物體上的完整影像，而且能有效避免局部影像過亮、或是對比度太差的情況。另外，本技術亦適用於一般的漫射物體，不須作縱向掃瞄或深度變焦，即可進行全域的量測。
為達上述之目的，本發明提供一種利用條紋投影量測光滑物體的方法，其包含下述步驟：(S1)利用一漫射平面接收一內含條紋資訊的光束，並經該漫射平面的漫射作用生成一漫射光束；(S2)利用一全像片，接收一平行光束與該漫射光束，該平行光束與該漫射光束在該全像片上進行干涉，而形成一組干涉條紋並曝光於該全像片上；(S3)移動該漫射平面使其與該全像片之間增加一預定距離；(S4)重新執行步驟(S1)至(S2)至少一 次，以利用來自至少二個不同深度位置之漫射光束在該全像片上形成至少二組干涉條紋；(S5)對該全像片上的至少二組干涉條紋進行顯影及定影，以製得一繞射光柵；(S6)使該繞射光柵搭配一影像處理器、一共軛光源與一影像擷取裝置，以構成一條紋投影輪廓儀；(S7)由該共軛光源產生一共軛光穿射過該繞射光柵，以產生一光強度呈弦狀分佈的條紋圖案，並將此條紋圖案投影至一待測光滑物體上；(S8)利用該影像擷取裝置擷取該條紋圖案，在該待測光滑物體上的一具類似漫射效果的影像，以獲得一影像資料；及(S9)利用該影像處理器分析該影像資料，以辨識該待測光滑物體的形貌。
在本發明之一實施例中，其中該條紋圖案為光強度呈弦狀分佈的一長焦深、大收斂角度的條紋圖案。
在本發明之一實施例中，其中該步驟(S4)重新執行步驟(S1)至(S2)的次數係大於5，以在該全像片上形成至少6組干涉條紋。
在本發明之一實施例中，該步驟(S1)更包括步驟：(S11)利用一雷射光源發射一雷射光束；及(S12)利用一分光鏡將該雷射光束分為一第一雷射光束及一第二雷射光束。
在本發明之一實施例中，在該步驟(S12)之後，更包括步驟：(S13)使該第一雷射光束經一第一反射鏡反射後，再入射至一第一空間濾波器，以進行濾光與擴束。
在本發明之一實施例中，在該步驟(S13)後，更包括步驟(S14)：在穿過該第一空間濾波器後，該第一雷射光束生成一第一球面波，該第一球面波接著依序入射一第一透鏡及一預設條紋光柵，生成一條紋光束，該條紋光束藉由第二透鏡與第二反射鏡，於該漫射平面的位置上形成一倒立實像，該倒立實像在該漫射平面上的反射光，因漫射作用而生成該漫射光束。
在本發明之一實施例中，在該步驟(S12)之後，更包括步驟：(S21)使該第二雷射光束入射至一第二空間濾波器，以進行濾光與擴束；及(S22)該第二雷射光束在穿過該第二空間濾波器後，形成一第二球面波，接著入射一第三透鏡，形成一平面波，再透過一第三反射鏡之反射， 以形成該平行光束。
為達上述之目的，本發明另提供一種利用條紋投影量測光滑 物體的方法，其包含下述步驟：(P1)提供一全像片所攝製而成一繞射光柵，其具有由至少二組干涉條紋顯影製成；(P2)使該繞射光柵搭配一影像處理器、一共軛光源與一影像擷取裝置，以構成一條紋投影輪廓儀；(P3)由該共軛光源產生一共軛光穿射通過該繞射光柵，以產生一光強度呈弦狀強弱分佈的一條紋圖案，該條紋圖案為一實像，並將該條紋圖案投影至一待測物體上；(P4)利用一影像擷取裝置擷取該條紋實像在該待測物體上的一具類似漫射效果的影像，以獲得一影像資料；及(P5)利用該影像處理器分析該影像資料，以辨識該待測物體的形貌。
在本發明之一實施例中，其中該繞射光柵係由至少6組干涉 條紋依次曝光攝製而成。
在本發明之一實施例中，其中該待測物體係為一光滑物體。
如上所述，在光學工業如鏡面的形狀、表面粗糙度、曲率，及刮傷、瑕疵的檢測等，皆需要對光滑物體表面的形狀加以偵測，在光通信方面，例如光纖外貌、破斷點鑑定等，也與光滑物體形貌量測有關。而在金屬加工方面，需要對成品形狀，表面平整度作檢定。此外，半導體工業則需要測量晶圓(Wafer)或封裝(Package)之表面輪廓。其他的應用如電路板的錫球高度、輪廓、航太工業如機翼與螺旋槳的品質檢定等，都需要對光滑物體的外觀作量測或辨識。本技術所提出的利用條紋投影量測光滑物體的方法，均適用於上述情況，對於產業上之利用性具有相當貢獻。
110‧‧‧雷射光源
112‧‧‧分光鏡
114‧‧‧第一反射鏡
116‧‧‧第一空間濾波器
118‧‧‧第一透鏡
120‧‧‧第一預設條紋光柵
122‧‧‧第二透鏡
124‧‧‧第二反射鏡
126‧‧‧漫射平面
130‧‧‧全像片
140‧‧‧第二空間濾波器
142‧‧‧第三透鏡
150‧‧‧第三反射鏡
160‧‧‧待測物體
170‧‧‧影像擷取裝置
180‧‧‧影像處理器
190‧‧‧共軛光源
第1圖：本發明第一實施例之利用條紋投影量測光滑物體形貌的方法之全像片製作示意圖。
第2圖：本發明第一實施例之全像片記錄平行光束與漫射光束干涉的示意圖。
第3圖：本發明第一實施例之全像片記錄平行光束與不同漫射光束干涉的示意圖。
第4圖：本發明第一實施例之繞射光柵形成原理示意圖。
第5圖：本發明第一實施例之條紋投影量測形貌之裝置。
第6圖：本發明第一實施例之利用條紋投影量測光滑物體形貌的方法之實施構件局部放大圖。
為了讓本發明之上述及其他目的、特徵、優點能更明顯易懂，下文將特舉本發明較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下。再者，本發明所提到的方向用語，例如上、下、頂、底、前、後、左、右、內、外、側面、周圍、中央、水平、橫向、垂直、縱向、軸向、徑向、最上層或最下層等，僅是參考附加圖式的方向。因此，使用的方向用語是用以說明及理解本發明，而非用以限制本發明。
本發明所使用之關鍵投影元件，是一個尺寸甚大的全像片，其繞射光所重建的影像將收斂成實像，而且為一長焦深(large depth of focus)、具備漫射效果、光強度呈弦狀分佈的圖案。由於重建的影像焦深甚長，所以不須作縱向掃瞄或多次投影，即可將條紋完整地投影在光滑物體上。此外，由於重建的弦狀圖案具備漫射效果，所以將此弦狀圖案投影在光滑物體上，即可在任意位置上，擷取完整、無局部缺失的影像。
請參照第1圖所示，本發明所提出之關鍵投影元件，是一個尺寸甚大的全像片，第1圖即是本發明第一實施例之利用條紋投影量測光滑物體的方法之全像片製作示意圖。首先，本發明利用一雷射光源110發射一雷射光束，並利用一分光鏡112將該雷射光束分為一第一雷射光束及一第二雷射光束。其中，第一雷射光束經第一反射鏡114反射後，再入射至一第一空間濾波器116，進行濾光與擴束，以形成一第一球面波。該第一球面波接著依序入射一第一透鏡118及一預設條紋光柵120，生成一條紋光束，該條紋光束藉由第二透鏡122與第二反射鏡124，於該漫射平面126的位置上形成一倒立實像，該倒立實像在該漫射平面126上的反射光，因漫射作用而生成該漫射光束。其中，該漫射平面例如可以是一白色紙張。
此外，從分光鏡112所分出的第二雷射光束，入射至一第二 空間濾波器140，進行濾光與擴束，以形成一第二球面波。該第二球面波接著入射一第三透鏡142，成為一平面波，再透過一第三反射鏡150之反射，以形成一平行光束。
請參照第2圖所示，第2圖是本發明第一實施例之全像片記 錄平行光束與漫射光束干涉的示意圖。圖2中的全像片130，接收第一雷射光束所生成的漫射光束與該第二雷射光束所生成的平行光束。全像片130置於漫射光束與平行光束的干涉區域。換言之，該平行光束與該漫射光束在該全像片130上進行干涉，而形成一組干涉條紋曝光於該全像片上。
請參照第3圖所示，第3圖是本發明第一實施例之全像片記 錄平行光束與不同漫射光束干涉的示意圖。利用一移動機構(未繪示)以移動該漫射平面126，使其與該全像片之間增加一預定距離130。接著，再重新執行利用該全像片130，接收該平行光束與新生成的漫射光束，使該平行光束與該新生成的漫射光束在該全像片130上進行干涉，而形成另一組新的干涉條紋曝光於該全像片130上，以利用來自至少二個不同深度位置之漫射光束在該全像片130上形成至少二組干涉條紋。此外，移動漫射平面126以生成新的漫射光數，及重新執行全像片130接收該平行光束與新生成的漫射光束使其二者進行干涉的次數例如係大於5，以在該全像片130上總共形成至少6組干涉條紋。利用多次移動漫射平面126的方式，將各個來自不同深度位置的漫射光束，依次與相同的平行光束進行干涉，並逐次曝光在全像片130上。
請參照第4圖所示，第4圖是本發明第一實施例之攝製全像 片形成繞射光柵之原理示意圖。全像片具多種已知形式，常見的全像片有鹵化銀膠片、光聚合物(Photo-Polymer)、熱塑片等。以第4圖來做為一非限制性例子，其中一個全像片經光線照射(曝光)後造成全像片中的起始劑(initiators)解離產生自由基，導致全像片中的光反應單體(monomers)在亮區(被光線照射之區域)發生鏈聚合反應，並造成光反應單體由暗區(未被光線照射之區域)往亮區移動；同時，光反應不敏感的奈米(銀)粒子則反向由亮區往暗區移動。在完成曝光後，經顯影液顯影固定，即形成明顯的奈米(銀)粒子密度不同梯度分佈，使後續共軛光穿過全像片時，會有光線強弱之弦 狀分布，此時全像片即可形成一折射率呈弦狀分布之繞射光柵。本發明第一實施例與既有全像片曝光顯影程序之差異在於：本發明係如上所述利用多次移動漫射平面126的方式，將各個來自不同深度位置的漫射光束，依次與相同的平行光束進行干涉，並逐次曝光在全像片130上，接著對該全像片130上的至少二組干涉條紋進行顯影及定影，以製得一繞射光柵，進行後續條紋投影量測物體形貌的步驟。值得注意的是，以第4圖為例，該全像片130經上述製作後其材質本身仍是透明的，該全像片130內部吸收了至少二組干涉之後，並不會形成肉眼可見之亮暗條紋圖案，而是形成折射率隨干涉後的光強度分佈而改變的情況，其分佈週期與雷射光波長是相同的數量級，約在1μm(微米)，所以肉眼並無法看到。另外，本發明之全像片130並不限於第4圖，其中有些其他形式的全像片之感光聚合材料並不需要顯影過程，但需要進行定影；有些材料經過曝光、顯影、定影、與沖洗後，還需要漂白，例如鹵化銀膠片，所以上述的顯影及定影程序只適用於第4圖之非限制性例子，於此合先敘明。
請參照第5圖所示，第5圖是本發明第一實施例之條紋投影 量測裝置，實施物體的形貌量測。該繞射光柵130搭配一影像擷取裝置170、一影像處理器180及一共軛光源190，以構成該條紋投影量測裝置，其中，該繞射光柵130係由至少6組干涉條紋顯影製成。首先，由該共軛光源190產生一共軛光穿射通過該繞射光柵130，以產生一光強度呈弦狀強弱分佈的一條紋圖案，投影至一待測物體160上。在本實施例中，待測物體160為一光滑物體，而該條紋圖案為光強度呈弦狀分佈、成像焦深甚長、具備大角度收斂條紋圖案。
接著，利用該影像擷取裝置170擷取該條紋實像在該待測物 體160上的一具類似漫射效果的影像，以獲得一影像資料。並利用該影像處理器分析該影像資料，以辨識該待測光滑物體的形貌。
本發明利用設置一面積甚大的繞射光柵，再將共軛光入射全像片所產生的弦狀圖案，投影至光滑物體上，以進行光滑物體的形貌量測。繞射光柵是由全像片攝製而成，其中物光是來自漫射平面上的弦狀圖案，全像片以多次曝光的方式重複紀錄了漫射平面在不同位置所產生的漫射物 光、與相同一道參考光干涉之後的干涉條紋。一旦形成具穿透性質的光柵之後，讀取光將繞射成多個不同位置的實像，其效果等同於一成像焦深甚長、具備大角度收斂、光強度成弦狀分佈的圖案。故投影於光滑物體時，其反射光具備大角度發散的特性，形成各個觀察點都能看到條紋的情形，且利用多次曝光的方式，增加重建影像的焦深，故，將光滑待測物體置於成像範圍內，不需作深度方向的掃描即可進行全域式的形貌量測。此外，由於全像片的尺寸甚大，其條紋投影的方向來自不同角度的繞射光，所以恰好可解決傳統條紋投影系統因傾斜投影而產生陰影的問題。
本發明所提出的利用條紋投影量測光滑物體的方法，亦同時 適用於漫射物體。雖然漫射物體的影像可能有雷射光斑(Laser speckles)的干擾，但是光斑頻譜分佈與設計的條紋頻譜分佈並不相同，不致影響量測精確值。
如上所述，在光學工業如鏡面的形狀、表面粗糙度、曲率， 及刮傷、瑕疵的檢測等，皆需要對光滑物體表面的形狀加以偵測，在光通信方面，例如光纖外貌、破斷點鑑定等，也與光滑物體形貌量測有關。而在金屬加工方面，需要對成品形狀，表面平整度作檢定。此外，半導體工業則需要測量晶圓(Wafer)或封裝(Package)之表面輪廓。其他的應用如電路板的錫球高度、輪廓、航太工業如機翼與螺旋槳的品質檢定等，都需要對光滑物體的外觀作量測或辨識。本技術所提出的利用條紋投影量測光滑物體的方法，均適用於上述情況，對於產業上之利用性具有相當貢獻。
雖然本發明已以較佳實施例揭露，然其並非用以限制本發明，任何熟習此項技藝之人士，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種更動與修飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
126‧‧‧漫射平面
130‧‧‧全像片

Claims (9)

  1. 一種利用條紋投影量測光滑物體的方法，其包含步驟：(S1)利用一漫射平面接收一內含條紋資訊的光束，並經該漫射平面的漫射作用生成一漫射光束；(S2)利用一全像片，接收一平行光束與該漫射光束，該平行光束與該漫射光束在該全像片上進行干涉，而形成一組干涉條紋並曝光於該全像片上；(S3)移動該漫射平面使其與該全像片之間增加一預定距離；(S4)重新執行步驟(S1)至(S3)至少一次，以利用來自至少二個不同深度位置之漫射光束在該全像片上形成至少二組干涉條紋；(S5)對該全像片上的至少二組干涉條紋進行顯影及定影，以製得一繞射光柵；(S6)使該繞射光柵搭配一影像處理器、一共軛光源與一影像擷取裝置，以構成一條紋投影輪廓儀；(S7)由該共軛光源產生一共軛光穿射通過該繞射光柵，以重建一實像，此實像為光強度呈弦狀強弱分佈的條紋圖案，並將此條紋圖案投影至一待測光滑物體上；(S8)利用該影像擷取裝置擷取該條紋實像在該待測光滑物體上的一具類似漫射效果的影像，以獲得一影像資料；及(S9)利用該影像處理器分析該影像資料，以辨識該待測光滑物體的形貌。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之利用條紋投影量測光滑物體 的方法，其中該條紋圖案為光強度呈弦狀分佈的一長焦深條紋圖案。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之利用條紋投影量測光滑物體的方法，其中該步驟(S4)重新執行步驟(S1)至(S2)的次數係大於5，以在該全像片上形成至少6組干涉條紋。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之利用條紋投影量測光滑物體的方法，其中該步驟(S1)更包括步驟：(S11)利用一雷射光源發射一雷射光束；及(S12)利用一分光鏡將該雷射光束分為一第一雷射光束及一第二雷射光束。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之利用條紋投影量測光滑物體的方法，其中在該步驟(S12)之後更包括步驟：(S13)使該第一雷射光束經一第一反射鏡反射後，再入射至一第一空間濾波器，以進行濾光及擴束。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之利用條紋投影量測光滑物體的方法，其中在該步驟(S13)後更包括步驟：(S14)在穿過該第一空間濾波器後，該第一雷射光束生成一第一球面波，該第一球面波接著依序入射一第一透鏡及一預設條紋光柵，生成一條紋光束，該條紋光束藉由第二透鏡與第二反射鏡，於該漫射平面的位置上形成一倒立實像，該倒立實像在該漫射平面上的反射光，因漫射作用而生成該漫射光束。
  7. 如申請專利範圍第4項所述之利用條紋投影量測光滑物體的方法，其中在該步驟(S12)之後更包括步驟： (S21)使該第二雷射光束入射至一第二空間濾波器，以進行濾光與擴束；及(S22)該第二雷射光束在穿過該第二空間濾波器後，形成一第二球面波，接著入射一第三透鏡形成一平面波，再透過一第三反射鏡之反射，以形成該平行光束。
  8. 一種利用條紋投影量測光滑物體的方法，其包含步驟：(P1)提供一全像片所攝製而成的一繞射光柵，其具有由至少二組干涉條紋顯影製成；(P2)使該繞射光柵搭配一影像處理器、一共軛光源與一影像擷取裝置，以構成一條紋投影輪廓儀；(P3)由該共軛光源產生一共軛光穿射通過該繞射光柵，以產生一光強度呈弦狀分佈的一條紋圖案，該條紋圖案為實像，並將該條紋圖案投影至一待測物體上，其中該待測物體係為一光滑物體；(P4)利用一影像擷取裝置擷取該條紋圖案在該待測物體上的一具類似漫射效果的影像，以獲得一影像資料；及(P5)利用該影像處理器分析該影像資料，以辨識該待測物體的形貌。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之利用條紋投影量測光滑物體的方法，其中該繞射光柵係由至少6組干涉條紋依次曝光攝製而成。
TW104105695A 2015-02-17 2015-02-17 利用條紋投影量測光滑物體的方法 TWI567383B (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW104105695A TWI567383B (zh) 2015-02-17 2015-02-17 利用條紋投影量測光滑物體的方法
US14/825,185 US9739602B2 (en) 2015-02-17 2015-08-13 Method for measuring three-dimensional profile of specular object by fringe projection

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW104105695A TWI567383B (zh) 2015-02-17 2015-02-17 利用條紋投影量測光滑物體的方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201631314A TW201631314A (zh) 2016-09-01
TWI567383B true TWI567383B (zh) 2017-01-21

Family

ID=56622101

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW104105695A TWI567383B (zh) 2015-02-17 2015-02-17 利用條紋投影量測光滑物體的方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US9739602B2 (zh)
TW (1) TWI567383B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI696820B (zh) * 2018-02-22 2020-06-21 致茂電子股份有限公司 檢測裝置

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018091807A (ja) * 2016-12-07 2018-06-14 オルボテック リミテッド 欠陥良否判定方法及び装置
CN107526278B (zh) * 2017-08-09 2019-05-28 清华大学 一种基于衍射光栅的数字全息成像方法、系统
CN111965778B (zh) * 2018-09-17 2021-09-07 南通大学 提高工作效率的基于导轨、滑块的光学元件同轴等高的调节和判断方法
CN111207908B (zh) * 2018-11-21 2021-09-21 上海电缆研究所有限公司 光纤测试仪器校准用的校准光栅及校准方法
TWI720602B (zh) * 2019-08-27 2021-03-01 國立中央大學 重建物體表面的方法與光學系統
CN112525104B (zh) * 2020-12-18 2021-11-05 昆明理工大学 一种数字全息三维形貌测量装置及方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200806953A (en) * 2006-07-19 2008-02-01 Univ Nat Sun Yat Sen 3-D profile measuring system
CN101691997A (zh) * 2009-09-08 2010-04-07 南昌航空大学 基于旋转拼接的双频光栅投影三维轮廓测量的方法
WO2012099220A1 (ja) * 2011-01-21 2012-07-26 兵庫県 ３次元形状計測方法および３次元形状計測装置
CN102636131A (zh) * 2012-05-09 2012-08-15 丹阳市民杰光学仪器有限公司 用于微小非球面加工的在位测量装置
TW201341986A (zh) * 2012-04-13 2013-10-16 E Lon Optronics Co Ltd 全像影像的合成系統

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2250427A5 (zh) * 1973-07-19 1975-05-30 Electricite De France
US6509559B1 (en) * 2000-06-20 2003-01-21 Ppt Vision, Inc. Binary optical grating and method for generating a moire pattern for 3D imaging
US7605926B1 (en) * 2005-09-21 2009-10-20 Carl Zeiss Smt Ag Optical system, method of manufacturing an optical system and method of manufacturing an optical element
US7595894B2 (en) * 2006-06-02 2009-09-29 General Electric Company Profilometry apparatus and method of operation
FR2910123B1 (fr) * 2006-12-19 2009-01-23 Phosylab Sarl Procede optico-informatique de mesure 3d de la surface exterieure d'un objet en relief par projection de franges et utilisation d'une methode a decalage de phase, systeme correspondant
TW201331547A (zh) * 2011-11-01 2013-08-01 尼康股份有限公司 形狀測定裝置、構造物製造系統、形狀測定方法、構造物製造方法、程式及記錄媒體
US8941837B1 (en) * 2013-03-13 2015-01-27 Exelis, Inc. Phased array of computer generated holograms for waveform or surface measurement

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200806953A (en) * 2006-07-19 2008-02-01 Univ Nat Sun Yat Sen 3-D profile measuring system
CN101691997A (zh) * 2009-09-08 2010-04-07 南昌航空大学 基于旋转拼接的双频光栅投影三维轮廓测量的方法
WO2012099220A1 (ja) * 2011-01-21 2012-07-26 兵庫県 ３次元形状計測方法および３次元形状計測装置
TW201341986A (zh) * 2012-04-13 2013-10-16 E Lon Optronics Co Ltd 全像影像的合成系統
CN102636131A (zh) * 2012-05-09 2012-08-15 丹阳市民杰光学仪器有限公司 用于微小非球面加工的在位测量装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI696820B (zh) * 2018-02-22 2020-06-21 致茂電子股份有限公司 檢測裝置

Also Published As

Publication number Publication date
TW201631314A (zh) 2016-09-01
US20160238379A1 (en) 2016-08-18
US9739602B2 (en) 2017-08-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI567383B (zh) 利用條紋投影量測光滑物體的方法
TWI664586B (zh) 透過瑕疵複數光場之透明基板瑕疵檢測方法
Murata et al. Potential of digital holography in particle measurement
US10976152B2 (en) Method for defect inspection of transparent substrate by integrating interference and wavefront recording to reconstruct defect complex images information
TWI655522B (zh) 結構光照明數位全像之方法與裝置
CN105684127B (zh) 用于半导体目标的度量的差分方法及设备
CN108139682A (zh) 量测方法和设备、计算机程序及光刻系统
US20180144183A1 (en) Method for identifying a security pattern using an artificial 3d reconstruction
CN107683400A (zh) 用于测量在半导体晶片上的高度的方法及设备
KR20180116415A (ko) 동공 등화
US4000949A (en) Photomask inspection by optical spatial filtering
TW202117401A (zh) 使用雲紋元件及旋轉對稱配置以成像疊對目標
BR102016028266A2 (pt) Método e sistema para a inspeção automática de qualidade de materiais
US10634487B2 (en) Method and system for optical three dimensional topography measurement
TW201245895A (en) Inspection apparatus and method, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method
KR20130126037A (ko) 웨이퍼 검사 방법
KR101716452B1 (ko) 디지털 홀로그래피 마이크로스코프를 이용한 고단차 측정 방법
TWI601938B (zh) 即時檢測全場厚度的光學裝置
US20200182701A1 (en) Apparatus for measure of coherence of light source for holographic display and method thereof
TWI553291B (zh) 利用條紋投影量測透明物體的系統
CN1983079A (zh) 安全全息图及其使用和制造方法
JP5825622B2 (ja) 変位・ひずみ分布計測光学系と計測手法
De Backer In-plane displacement measurement by speckle interferometry
US20230104022A1 (en) Optical metrology with incoherent holography
KR102491887B1 (ko) 복원된 홀로그램을 이용하여 공정 상의 결함을 판단하는 방법