TWI559207B - 觸控顯示面板及其製造方法 - Google Patents

Description

觸控顯示面板及其製造方法

本揭露係關於一種觸控顯示面板；具體而言，係關於一種有機發光二極體觸控顯示面板。

近年來，觸控模組已被廣泛地應用在各式電子裝置中，如智慧型手機、平板電腦或筆記型電腦等。典型的觸控模組例如可設置於顯示螢幕上，包括複數個觸控電極。在物體(手指或觸碰筆等)接近或觸碰顯示螢幕時，相應的觸控電極產生電訊號，藉此達成觸控感測。

隨著電子裝置與觸控面板之演進，薄型化的需求亦不斷提升，近期發展將觸控電極整合地設置於顯示面板結構中，此種技術一般稱為內嵌式觸控技術。詳細而言，內嵌式觸控技術其中一種實施方式為，圖案化顯示面板的一電極層，以使得顯示面板的電極層亦可做為觸控電極。

然而，為了設置觸控電極的連接線或訊號傳輸線，需要額外設置絕緣結構以電性絕緣部分電極層與連接線或訊號傳輸線，例如，若觸控電極設計為單層結構，首先需在電極層靠近手指之一側設置絕緣層，再於絕緣層上設置連接線，連接線透過絕緣層上的穿孔電性連接部分觸控電極，以使得該些觸控電極在一軸向上電性連接。 如此，將複雜化觸控顯示面板的疊層結構，不利於薄型化設計且會增加生產成本。因此，如何配置內嵌式觸控電極的連接線或訊號傳輸線，以簡化觸控顯示面板的疊層結構，進而達到薄型化需求乃觸控面板產業之一項課題。

有鑑於此，本發明在於薄型化觸控顯示裝置。本揭露的第一態樣提供一種觸控顯示面板其包含一第一電極層、一第二電極層以及一自發光元件層。該第一電極層包含一導線，該第二電極層包含具有觸控功能的一第一部分及一第二部分。該自發光元件層設置於該第一電極層及該第二電極層之間，並包含一發光區以及一像素框環繞該發光區，而該第一部分沿伸貫穿該像素框並電性連接該導線。

本揭露的第二態樣提供一種觸控顯示面板，其包含一第一電極層，一第二電極層，以及一自發光元件層。該第一電極層包含複數個導線，該第二電極層包含觸控功能之複數個電極塊，而該自發光元件層設置於該第一電極層及該第二電極層之間，並且包含一發光區以及一像素框環繞該發光區。該些電極塊延伸貫穿該像素框並分別電性連接該些導線。

本揭露的第三態樣提供一種觸控顯示面板的製造方法，包含下列步驟：提供一第一基板；設置一薄膜電晶體層於該第一基板上；設置一第一電極層於該薄膜電晶體層上；圖案化該第一電極層，而形成一導線及一像素電極區；設置一像素框，該像素框覆蓋該導線並覆蓋部分該像素電極區而暴露一部分之該像素電極區；設置發光材料於該暴露部分之該像素電極區上而形成發光區；蝕刻一部分之該像素框而形成一孔洞，該孔洞暴露出該導線；設置一第二電極層於該自發光元件層上，該第二電極層延伸入該孔洞並電性連接該導線；圖案化該第二電極層，將該第二電極層分成複數個 第一部分及一第二部分，且該些第一部分之一者覆蓋該孔洞；其中該些第一部分之間係經由該導線電性耦接；以及設置一第二基板於該第二電極層之上。

本揭露之第二電極層用以做為顯示電極和觸控電極，利用時序控制區分顯示功能和觸控功能，並且利用第一電極層做為連接線或訊號傳輸線，由於顯示面板的第一與第二電極層在對應發光區以外的區域彼此電性絕緣，因此只需在兩者之間穿孔，不需額外設置絕緣層，如此能夠簡化觸控顯示裝置的結構，有利於薄型化設計。

再者，做為觸控電極的第二電極層設置於第一電極層與手指之間，可避免第一電極層對觸控訊號造成干擾，並且可減少外部電路干擾。此外，由於部分第二電極層與第一電極層的導線電性連接，因此，用以感測觸控現象的元件除了第二電極層的第一部分與第二部分之外，更包含位於第一電極層的導線，導線與部分第二電極層可相隔於像素框形成感測電容以供感測觸控信號。換言之，觸控接收區與觸控驅動區之間除了第二電極層同層內(XY平面)的電容耦合外，亦有不同層之間(Z方向)的電容耦合以供感測觸控現象。是故，本揭露之觸控靈敏度將大幅提高，亦可避免多層結構干擾觸控訊號。

本揭露之其他部分將在後續說明中陳述，而可由或本揭露之實施方式而得知。本揭露之各方面將可利用後附之申請專利範圍中所特別指出之元件及組合而理解並達成。需了解，先述的一般說明及下列詳細說明均僅作舉例之用，並非用以限制本揭露。

上文已相當廣泛地概述本揭露之技術特徵及優點，俾使下文之本揭露詳細描述得以獲得較佳瞭解。構成本揭露之申請專利範圍標的之其它技術特徵及優點將描述於下文。本揭露所屬技術領域中具有通常知識者應瞭解，可相當容易地利用下文揭示之概念與特定實施例可作為修改或設計其它結構或製程而實現與本揭露相同之目的 。本揭露所屬技術領域中具有通常知識者亦應瞭解，這類等效建構無法脫離後附之申請專利範圍所界定之本揭露的精神和範圍。

10‧‧‧觸控顯示面板

11、21‧‧‧第二電極層

111‧‧‧第一部分

211‧‧‧電極塊

112‧‧‧第二部分

12、22‧‧‧第一電極層

121、221‧‧‧像素電極區

122、222‧‧‧導線

123、223‧‧‧導線接點

13、23‧‧‧自發光元件層

131、231‧‧‧像素框

132、232‧‧‧發光區

14‧‧‧保護層

15‧‧‧第二基板

16‧‧‧第一基板

17‧‧‧薄膜電晶體層

1010~1100‧‧‧步驟

當併同各隨附圖式而閱覽時，即可更佳瞭解本揭露之前揭摘要以及上文詳細說明。為達本揭露之說明目的，各圖式裏圖繪有現屬較佳之各具體實施例。然應瞭解本揭露並不限於所繪之精確排置方式及設備裝置。

圖1顯示根據本揭露一實施例之觸控顯示面板之主要元件示意圖；圖2顯示根據本揭露一實施例之圖1所顯示之第二電極層放大圖；圖3顯示根據本揭露一實施例之圖1所顯示之第一電極層放大圖；圖4顯示根據本揭露一實施例之圖1所顯示之第一電極層及自發光元件層放大圖；圖5顯示根據本揭露一實施例之第一電極層、第二電極層及自發光元件層結合結構俯視圖；圖6顯示根據本揭露一實施例之圖5剖面線AA'之剖面圖；圖7顯示根據本揭露一實施例之圖5剖面線BB'之剖面圖；圖8顯示根據本揭露一實施例之圖5剖面線CC'之剖面圖；圖9顯示根據本揭露一實施例之第二電極層放大圖；圖10顯示根據本揭露一實施例之第一電極層局部放大圖； 圖11顯示根據本揭露一實施例之第一電極層、第二電極層及自發光元件層結合結構局部放大圖；圖12顯示根據本揭露一實施例之圖11剖面線DD'之剖面圖；圖13顯示根據本揭露一實施例之圖11剖面線EE'之剖面圖；圖14顯示根據本揭露一實施例之觸控顯示面板示意圖；以及圖15顯示根據本揭露又一實施例之觸控顯示面板製造方法流程圖。

在下文中本揭露的實施例係配合所附圖式以闡述細節。然而本揭露之實施例不必然需要全部的技術特徵才能實施。在其他實施例中，某些已知的方法、結構及技術將不會顯示而造成誤解。說明書所提及的「此實施例」及「其他實施例」等等，意指包含在本揭露之該實施例所述有關之特殊特性、序列、或特徵。說明書中各處出現之「在此實施例中」的片語，並不必然全部指相同的實施例。

此外，本揭露之申請專利範圍及發明說明描述的元件若無特別標示其數量時則為單數。若標示元件的量詞為一時，則量詞包含一單位或至少一單位。若標示元件的量詞為複數個時，則量詞包含兩個以上的單位。若標示元件的量詞未顯示時，則量詞包含一單位或兩個以上的單位。

在此說明書及申請專利範圍中的名詞「上」包含第一物件直接或間接地設置於第二物件的上方。例如，電極設置於基板上就包含，電極「直接」設置於基板上及電極「間接」設置於基板上，兩種意義。此處的「間接」係指兩個物件在某一方位的垂直方向中具 有上與下的關係，且兩者中間仍有其他物體、物質或間隔將兩者隔開。

圖1顯示根據本揭露一實施例之觸控顯示面板10之主要元件示意圖。如圖1所示，觸控顯示面板10之主要元件包含第一電極層12、第二電極層11以及自發光元件層13。在一實施例中，觸控顯示面板10係有機發光二極體(OLED)面板。此外，第二電極層11相較於第一電極層12更靠近使用者，以提供觸控功能。

圖2為圖1所顯示之第二電極層11的放大圖。第二電極層11包含第一部分111及第二部分112。在此實施例中，第一部分111與第二部分112相互分隔，因此第一部分111及第二部分112並無連接。具體而言，第一部分111與第二部分112彼此相鄰，但電性絕緣或電性不連接。此外，第一部分111與第二部分112係沿第一方向(X方向)交錯設置。例如，第二部分112設置於一第一部分111與一另一第一部分111之間。第二電極層11之材料係選自由氧化銦錫、氧化銦鋅及奈米銀線所組成之群。

如圖2所示，第一部分111可為觸控驅動區或觸控接收區。若第一部分111為觸控驅動區時，第二部分112則為觸控接收區，反之亦然。觸控驅動區(第一部分111)及觸控接收區(第二部分112)之間產生電容耦合以供感測觸控現象。第一部分111及第二部分112係利用時序訊號區分觸控功能及顯示功能，以供第二電極層11分別做為觸控電極感測觸控現象以及做為驅動電極以使自發光元件層13發光。具體而言，第二電極層11做為觸控電極時，第一部分111及第二部分112之間產生電容耦合以供感測觸控訊號。由於第二電極層11設置於第一電極層12上，也就是具有感測觸控功能的第二電極層11比較靠近使用者的手指，第二電極層11與使用者的手指之間沒有設置任何電極層，因此在感測觸控現象時，可避免受到介於使用者手指與第二電極層11 中間的電極層訊號干擾，進而提升觸控靈敏度。

圖3為圖1所顯示之第一電極層12的放大圖。第一電極層12包含相對應於第一部分111及第二部分112位置設置之像素電極區121及導線122。在此實施例中，係由一個單位之第一部分111對應四個單位之像素電極區121；然而在其他實施例(圖未示)中，一個單位之第一部分111所對應的像素電極區121單位數可依據不同的設計而調整。同樣地，一個單位之第二部分112所對應的像素電極區121單位數亦可依據不同的設計而調整。

如圖3所示，導線122相對應於第一部分111的位置佈線，並具有導線接點123。圖3所標示之導線接點123乃為用於標示導線122與第一部分111相接的位置，且其材料與形狀與導線122之其他部分可以相同。具體而言，導線122係相對應於第一方向(例如X方向)之第一部分111的位置佈線。換言之，導線122的延伸方向係與第二部分112所延伸的方向交錯呈現約90度的夾角。第一電極層12之像素電極區121係與第二電極層11之第一部分111及第二部分112共同驅動介於第一電極層12及第二電極層11之間的自發光元件層13，以使自發光元件層13顯示光線。具體而言，第二電極層11係利用時序訊號區分觸控功能及顯示功能。

第一電極層12為一金屬層，該金屬層之材料係選自由鋁、鎂、鉻、鋰、金、鉑、鉭、鈦、銀、銅及錫所組成之群。換言之，像素電極區121及導線122之材料係選自由鋁、鎂、鉻、鋰、金、鉑、鉭、鈦、銀、銅及錫所組成之群。

此外，像素電極區121在垂直方向(Z方向)上重疊於第一部分及第二部分，因此像素電極區121係相對應於第一部分111及第二部分112的位置設置。

如圖3所示，第一電極層12之導線122係沿第一方向(例 如X方向)延伸。然而在其他實施例(圖未示)中，導線122亦可沿第二方向(例如Y方向)延伸。在此實施例中，導線122相鄰於像素電極區121，而位於同一XY平面。然而在其他實施例(圖未示)中，導線122與像素電極區121亦可設置於不同平面上。此外，在其他實施例(圖未示)中，導線122同時沿X方向及Y方向延伸，而形成導線的網格結構，此網格結構環繞像素電極區121。

復參考圖1，自發光元件層13設置於第一電極層12及第二電極層11之間，且自發光元件層13電性連接第一電極層12及第二電極層11，以供自發光元件層13產生光線。

圖4顯示根據圖1所顯示之第一電極層12及自發光元件層13的放大圖。如圖4所示，自發光元件層13另包含像素框131。自發光元件層13的像素框131向下延伸至第一電極層12，以網格結構環繞於像素電極區121之四周。在此實施例中，全部導線122包覆於像素框131中，然而在其他實施例中，導線122之一部分可暴露於像素框131外，而沿第一方向(X方向)以穿出像素框131方式與其他訊號線連接，並將訊號傳遞至其他元件。

像素框131由絕緣材料製成，例如可包含但不限於聚乙烯(polyethylene)、聚丙烯(polypropylene)、聚苯乙烯(polystyrene)、聚四氟乙烯(polytetrafluoroethylene)及聚脂(polyester)。

圖5顯示第一電極層12、第二電極層11及自發光元件層13結合結構之俯視圖。如圖5所示，第二部分112係設置於自發光元件層13上並沿Y方向延伸。然而在其他實施例(圖未示)中，第二部分112亦可設計為沿X方向延伸。

圖6顯示圖5剖面線AA'之剖面圖。如圖6所示，像素框131向下延伸而環繞像素電極區121，而導線122(包含導線接點123)被包覆於像素框131之下，像素電極區121與導線122電性絕緣。此外， 自發光元件層13還包含一發光區132，其中發光區132被像素框131所包圍並且電性連接至第一電極層12的像素電極區121及第二電極層11的第一部分111，而使發光區132產生光線。發光區132為一多層結構，由有機發光材料堆疊而成，例如螢光或磷光材料。第二電極層11的第一部分111設置於自發光元件層13上，而延伸貫穿自發光元件層13並電性連接至導線122。具體而言，像素框131環繞像素電極區121，導線122設置於兩相鄰像素電極區121之間，位於導線接點123上的部分像素框131被去除而形成孔洞，以使第一部分111可經由孔洞貫穿像素框131而電性連接至導線122。經由此種設計，沿第一方向(X方向)設置而位於同一列之不同第一部分111可沿導線122延伸方向(X方向)電性耦接，並且不同之第一部分111可經由導線122電性連接。

圖7顯示圖5剖面線BB'之剖面圖。如圖7所示，第二電極層11之第二部分112及像素電極區121之間設置自發光元件層13。自發光元件層13之像素框131向第一電極層12延伸並包覆導線122並隔開導線122與像素電極區121。換言之，像素框131電性絕緣第二電極層11之第二部分112以及導線122。另一方面，像素框131電性絕緣發光區132以及導線122。發光區132被像素框131所包圍並且電性連接至第一電極層12的像素電極區121及第二電極層11的第二部分112，而使發光區132產生光線。

圖8顯示圖5剖面線CC'之剖面圖。如圖8所示，導線122設置於像素框131之下。兩相鄰之第一部分111中間經由第二部分112所隔開。沿導線122延伸方向之兩相鄰之第一部分111之間經由導線122電性耦接。因此，觸控驅動區(例如第一部分111)之導線122及觸控接收區(例如第二部分112)可相隔於像素框131而形成耦合電容以感測觸控信號。換言之，觸控接收區與觸控驅動區之間除了XY平面以外的電容耦合外，亦有Z方向上的電容耦合以供感測觸控現象。是 故，本揭露之觸控靈敏度將大幅提高，亦可避免多層結構干擾觸控訊號。在此實施例中，導線122另與一外部元件(圖未示)電性耦接，使得觸控信號輸出至外部元件，以供外部元件判斷觸控顯示面板10是否被觸碰。

圖9顯示根據本揭露一實施例所顯示之第二電極層21的放大圖。第二電極層21包含複數個電極塊211，其中不同電極塊211彼此分隔並且彼此電性絕緣。第二電極層21之材料係選自由氧化銦錫、氧化銦鋅及奈米銀線所組成之群。第二電極層21係利用時序訊號區分觸控功能及顯示功能，例如在一第一週期時做為一顯示電極，且在一第二週期時做為一觸控感測電極。

圖10顯示根據本揭露一實施例所顯示之第一電極層22的局部放大圖。第一電極層22包含像素電極區221及導線222，其中像素電極區221與第二電極層21之電極塊211係對應設置。此外，導線222包含導線接點223，並經由導線接點223以連接第二電極層21之電極塊211，而不同之電極塊211係各自電性連接至不同的導線222。

圖11顯示本案發明一實施例之第一電極層22、第二電極層21及一自發光元件層23結合結構之局部放大圖。自發光元件層23包含像素框231。在此實施例中，全部導線222包覆於像素框231中，然而在其他實施例中，導線222之一部分可暴露於像素框231外。如圖11所示，在此實施例中，一個單位之電極塊211對應36個單位之像素電極區221；然而在其他實施例(圖未示)中，一個單位之電極塊211所對應的像素電極區221單位數可依據不同的設計而調整。

圖12顯示圖11剖面線DD'之剖面圖。如圖12所示，像素框231向下延伸並環繞像素電極區221，而導線222(包含導線接點223)被包覆於像素框231之下。此外，自發光元件層23還包含一發光區232，其中發光區232被像素框231所包圍並且電性連接至第一電極 層22及第二電極層21，而使發光區232產生光線。

第二電極層21的之電極塊211設置於自發光元件層23上，而延伸貫穿自發光元件層23並各自電性連接至對應之導線222，不同電極塊211彼此電性絕緣。具體而言，像素框231環繞像素電極區221，導線222設置於兩相鄰像素電極區221之間，位於導線222上的部分像素框231被去除而形成孔洞，以使電極塊211可經由孔洞貫穿像素框231而經由導線接點223電性連接至導線222。在本實施例中，導線222係沿X方向延伸，然而導線222亦可以向Y方向延伸之方式設置，其可經由將第一電極層22旋轉90°而得到。

圖13顯示圖11剖面線EE'之剖面圖。如圖13所示，導線222設置於像素框231之下。相鄰之不同電極塊211彼此電性絕緣。在本實施例中，，位於右側之電極塊211經由導電接點223電性連接至導線222。

在本實施例中，藉由第二電極層21的電極塊211之間和電極塊211與使用者手指之間的感測電容變化產生感測觸控信號。由於第二電極層21設置於第一電極層22上，也就是第二電極層21比較靠近使用者的手指，因此可避免受到第一電極層22的訊號干擾進而提升觸控靈敏度。在此實施例中，導線222另與一外部元件(圖未示)電性耦接，使得觸控信號輸出至外部元件，以供外部元件判斷觸控顯示面板10是否被觸碰。

圖14顯示根據本揭露另一實施例之觸控顯示面板10之示意圖。如圖14所示，觸控顯示面板10另包含保護層14、第一基板16、第二基板15及薄膜電晶體層17。保護層14設置於第二電極層11上，且第一電極層12及第二電極層11設置於第一基板16及第二基板15之間。薄膜電晶體層17則設置於第一基板16與第一電極層12之間。

圖15顯示根據本揭露一實施例之觸控顯示面板製造方 法流程圖。如圖15所示之觸控顯示面板之製造方法包含下列步驟。

在步驟1010中，提供第一基板。

在步驟1020中，設置薄膜電晶體層於第一基板上。

在步驟1030中，設置第一電極層於薄膜電晶體層上。在此步驟中，第一電極層設置步驟係採用物理氣相沉積方法。

在步驟1040中，圖案化第一電極層，而形成導線及像素電極區。在此步驟中，第一電極層圖案化步驟係採用光阻顯影蝕刻方法。

在步驟1050中，設置像素框而覆蓋導線並覆蓋部分像素電極區而暴露另一部分之像素電極區。在此步驟中，像素框設置步驟係採用化學氣相沉積方法。

在步驟1060中，設置發光材料於該暴露部分之像素電極區上以形成發光區。在此步驟中，自發光元件層設置步驟係採用化學氣相沉積方法。

在步驟1070中，蝕刻一部分之像素框而形成一孔洞，該孔洞暴露出導線。此蝕刻步驟係利用雷射蝕刻該部分之像素框而形成孔洞。

在步驟1080中，設置第二電極層於自發光元件層上並延伸入孔洞中，而使第二電極層電性連接導線。此第二電極層設置步驟係採用物理氣相沉積方法。

在步驟1090中，圖案化第二電極層，將該第二電極層分成複數個第一部分及一第二部分，且該些第一部分之一者覆蓋該孔洞，而該些第一部分之間係經由該導線電性耦接。在此步驟中，第二電極層圖案化步驟係採用光阻顯影蝕刻方法。

在步驟1100中，設置第二基板於第二電極層之上。在步驟1090與1100之間另可包含設置保護層於第二電極層上之步驟。此 外，第二基板設置步驟係採用貼附方法。

此外，圖案化該第二電極層步驟1090係將該第二電極層分成一第一部分及一第二部分，該第一部分與該第二部分相鄰，且該第一部分覆蓋該孔洞；其中該第一部分之間係經由孔洞與該導線電性耦接。

本揭露之技術內容及技術特點已揭示如上，然而本揭露所屬技術領域中具有通常知識者應瞭解，在不背離後附申請專利範圍所界定之本揭露精神和範圍內，本揭露之教示及揭示可作種種之替換及修飾。例如，上文揭示之許多元件可以不同之實施或以其它相同功能的序列予以取代，或者採用上述二種方式之組合。

此外，本案之權利範圍並不侷限於上文揭示之特定實施例的序列。本揭露所屬技術領域中具有通常知識者應瞭解，基於本揭露教示及揭示序列，無論現在已存在或日後開發者，其與本案實施例揭示者係以實質相同的方式執行實質相同的功能，而達到實質相同的結果，亦可使用於本揭露。因此，以下之申請專利範圍係用以涵蓋此類序列。

10‧‧‧觸控顯示面板

11‧‧‧第二電極層

111‧‧‧第一部分

112‧‧‧第二部分

12‧‧‧第一電極層

122‧‧‧導線

123‧‧‧導線接點

13‧‧‧自發光元件層

131‧‧‧像素框

Claims (18)

1. 一種觸控顯示面板，包含：一第一電極層，包含一導線；一第二電極層，包含具有觸控功能的一第一部分及一第二部分；一自發光元件層，設置於該第一電極層及該第二電極層之間，該自發光元件層包含一發光區以及一像素框環繞該發光區；其中該第一部分延伸貫穿該像素框並電性連接該導線，其中該第二電極層還包含另一第一部分，該第一部分與該另第一部分沿該導線延伸方向電性耦接。
2. 根據請求項1所述之觸控顯示面板，其中該第二部分設置於該第一部分與該另第一部分之間，並且該第一部分與該第二部分電性絕緣。
3. 根據請求項1所述之觸控顯示面板，其中該像素框電性絕緣該第二部分及該導線。
4. 根據請求項1所述之觸控顯示面板，其中該第一部分為一觸控驅動區且該第二部分為一觸控接收區，該觸控驅動區及該觸控接收區之間產生電容耦合以供感測觸控現象。
5. 根據請求項1所述之觸控顯示面板，其中該第一電極層還包含像素電極區與該導線電性絕緣，該發光區電性連接該像素電極區及該第二電極層以產生光線。
6. 根據請求項1所述之觸控顯示面板，其中該第二電極層係利用時序訊號區分觸控功能及顯示功能。
7. 根據請求項1所述之觸控顯示面板，其中該第二電極層係選自由 氧化銦錫、氧化銦鋅及奈米銀線所組成之群。
8. 根據請求項1所述之觸控顯示面板，其中該第一電極層為一金屬層，該金屬層之材料係選自由鋁、鎂、鉻、鋰、金、鉑、鉭、鈦、銀、銅及錫所組成之群。
9. 根據請求項1所述之觸控顯示面板，其中該第一部分與該另一第一部分係經由該導線電性耦接。
10. 一種觸控顯示面板，包含：一第一電極層，包含複數個導線；一第二電極層，包含具觸控功能之複數個電極塊；以及一自發光元件層，設置於該第一電極層及該第二電極層之間，該自發光元件層包含一發光區以及一像素框環繞該發光區；其中該些電極塊延伸貫穿該像素框並分別電性連接該些導線。
11. 根據請求項10所述之觸控顯示面板，其中該像素框電性絕緣該發光區及該些導線。
12. 根據請求項10所述之觸控顯示面板，其中該第一電極層還包含像素電極區與該導線電性絕緣，該發光區電性連接該像素電極區及該第二電極層以產生光線。
13. 根據請求項10所述之觸控顯示面板，其中該第二電極層係利用時序訊號區分觸控功能及顯示功能；該第二電極層在一第一週期時做為一顯示電極，且在一第二週期時做為一觸控感測電極。
14. 一種觸控顯示面板的製造方法，包含：提供一第一基板；設置一薄膜電晶體層於該第一基板上；設置一第一電極層於該薄膜電晶體層上；圖案化該第一電極層，而形成一導線及一像素電極區； 設置一像素框，該像素框覆蓋該導線並覆蓋部分該像素電極區而暴露一部分之該像素電極區；設置發光材料於該暴露部分之該像素電極區上以形成發光區；蝕刻一部分之該像素框而形成一孔洞，該孔洞暴露出該導線；設置一第二電極層於該自發光元件層上，該第二電極層延伸入該孔洞並電性連接該導線；圖案化該第二電極層，將該第二電極層分成複數個第一部分及一第二部分，且該些第一部分之一者覆蓋該孔洞，該些第一部分之間係經由該導線電性耦接；以及設置一第二基板於該第二電極層之上。
15. 根據請求項14所述之製造方法，其中該蝕刻步驟係利用雷射蝕刻該部分之該像素框。
16. 根據請求項14所述之製造方法，其中該第一電極層和該第二電極層設置步驟係採用物理氣相沉積方法。
17. 根據請求項14所述之製造方法，其中該像素框設置步驟係採用化學氣相沉積方法。
18. 根據請求項14所述之製造方法，其中該第二部分設置於該些第一部分之間，並且該些第一部分與該第二部分電性絕緣。