TWI558976B

TWI558976B - 導電結構製造方法及盲孔關鍵尺寸資訊檢測方法

Info

Publication number: TWI558976B
Application number: TW104128991A
Authority: TW
Inventors: 汪秉龍; 陳桂標; 温子逵
Original assignee: 久元電子股份有限公司
Priority date: 2015-09-02
Filing date: 2015-09-02
Publication date: 2016-11-21
Also published as: TW201710640A

Description

導電結構製造方法及盲孔關鍵尺寸資訊檢測方法

本發明係有關於一種導電結構製造方法及盲孔二維及三維等關鍵尺寸檢測方法，特別是指在三維積體電路製程中，用來檢測矽穿孔(Through silicon via,TSV)關鍵尺寸的檢測方法及導電結構的製程。

在三維積體電路(3-Dimentional IC)中，包括多層相互堆疊的半導體層及形成於半導體層之間的線路層及元件，其中這些分別形成於不同半導體層上的元件，通常是藉由穿設於半導體層內的導電結構(conductive via)來相互電性連接，以進行訊號傳遞。

在形成導電結構時，通常會先在半導體層中形成盲孔(blind via)，再填入導電材料，之後再以化學研磨(Chemical Mechanical Polishing,CMP)方式研磨去除部分半導體層，以露出孔內的導電材料。若盲孔的深度未能符合預期時，導電材料無法由研磨後的半導體層底部暴露出來，而無法使元件之間建立電性連結，這將導致元件之間無法進行訊號傳遞。

因此，在三維積體電路中，盲孔的截面積、數量、深度、深寬比等形貌參數將影響最後產品的良率。然而，過去要有效地統計上述參數，必須在完成導電結構所有的製程後，才能作電性測試，接著再做「破壞性」的切片並觀察穿孔影像，相當耗時。

因此，若能在形成穿孔的過程中即時掌握盲孔的形貌參數，不僅能加速穿孔製程參數優化，也進一步確保產品的良率。然而，形成於半導體層中的盲孔的深寬比值一般約5到10，少部分特殊製程需超過10以上之高深寬比。

傳統的光學量測裝置是以入射光斜向入射孔洞內，再接收反射光的訊號，來量測盲孔的深度。然而，在前述的量測方式中，反射光容易被盲孔壁阻擋，無法有效量測盲孔中心點的深度甚至底部形貌。

據此，本發明實施例提供一種可用於檢測盲孔的三維形貌的檢測方法，以及導電結構的製造方法。導電結構的製造方法中整合盲孔的檢測方法，以即時獲得盲孔的形貌資訊。

本發明實施例提供一種盲孔三維形貌資訊參數的檢測方法，其包括提供一基材，其中所述基材具有形成於一表面的多個盲孔；通過一影像擷取裝置擷取多個所述盲孔在所述表面的盲孔影像，得到每一個盲孔的中心點的位置資訊；以及通過一彩色共焦干涉式顯微裝置，並根據位置資訊，以量測每一個所述盲孔在相對應的所述中心點上的盲孔深度。

本發明另一實施例並提供一種導電結構的製造方法，其包括：提供一基材，其中所述基材具有一表面及與所述表面相反的一底面；形成多個盲孔於所述基材的所述表面；通過一影像擷取裝置擷取多個所述盲孔在所述表面的多個盲孔影像，以得到每一個所述盲孔中心點的位置資訊；通過一彩色共焦干涉式顯微裝置，並根據位置資訊，以量測每一個所述盲孔在相對應的所述中心點上的盲孔深度；分別形成多個導電柱於每一個所述盲孔內於每一個所述盲孔內形成一導電柱；以及根據每一個所述盲孔在所述中心點的深度。

在本發明實施例所提供的盲孔關鍵尺寸資訊的檢測方法及導電結構的製造方法中，利用影像擷取裝置找出每一個盲孔在表面的中心點的位置後，再利用彩色共焦干涉式顯微裝置來量測每一個盲孔在相對應的中心點的深度。

前述的檢測方法可整合於導電結構的製程中，並實際應用於生產線上，以在形成導電柱之前，即時檢測盲孔的形貌參數，並確認深度是否符合預期，以提高產品良率。並且，取得盲孔的形貌參數，也有利於加快製程參數優化的速度。

此外，本發明實施例的檢測方式可對封裝過程中的晶片進行非破壞性的檢測，不需要額外製作試片，可簡化檢測流程，並縮短檢測時間。

為使能更進一步瞭解本發明的特徵及技術內容，請參閱以下有關本發明的詳細說明與附圖，然而所附圖式僅提供參考與說明用，並非用來對本發明加以限制者。

1、1’‧‧‧基材

1a‧‧‧表面

1b‧‧‧底面

102‧‧‧位置

100‧‧‧盲孔

100C‧‧‧中心點

D‧‧‧深度

R‧‧‧盲孔孔徑

P‧‧‧間距

VA‧‧‧待測區

2‧‧‧影像擷取裝置

20‧‧‧發光源

21‧‧‧影像感測單元

22‧‧‧處理單元

3‧‧‧彩色共焦干涉式顯微裝置

30‧‧‧光源模組

301‧‧‧光產生器

302‧‧‧整形元件

300‧‧‧寬頻光

31‧‧‧光調製模組

300a‧‧‧第一光束

300b‧‧‧第二光束

300R、300G、300B‧‧‧子光場

32‧‧‧色散物鏡

33‧‧‧非色散物鏡

34‧‧‧光處理模組

341‧‧‧空間濾波器

342‧‧‧光譜儀

343‧‧‧訊號處理單元

35‧‧‧參考平面鏡

300’‧‧‧重合光束

36‧‧‧位移平台

4、4’‧‧‧導電柱

5‧‧‧絕緣層

100’‧‧‧通孔

Ra‧‧‧紅光反射區

Ga‧‧‧綠光反射區

Ba‧‧‧藍光反射區

S100~S102、S200~S205‧‧‧流程步驟

圖1 為本發明實施例的盲孔關鍵尺寸資訊的檢測方法的流程圖。

圖2A 顯示影像擷取裝置對基材表面進行檢測的剖面示意圖。

圖2B 顯示基材表面於待測區的俯視示意圖。

圖3顯示本發明實施例的晶片封裝結構在圖1的步驟中的局部剖面示意圖。

圖4 顯示寬頻光色散之後投射至基材表面時的狀態示意圖。

圖5 顯示本發明實施例的導電結構製造方法的流程圖。

圖6A至6F 分別顯示本發明實施例的導電結構在不同步驟中的剖面示意圖。

請參閱圖1，其顯示本發明一實施例的盲孔關鍵尺寸資訊的檢測方法的流程圖。由於三維積體電路封裝的製程，或者是電路板製程中，通常會藉由導電通孔來連接位於不同層的線路。因此，在三維積體電路封裝的製程或者是電路板製程中，會根據需要在多層或單層基材上形成盲孔。據此，本發明實施例所提供的檢測方法，可應用於檢測前述製程中所形成的盲孔的二維或三維的關鍵尺寸及形貌資訊。

在步驟S100中，提供一基材，其中所述基材具有形成於一表面的多個盲孔。基材例如是半導體基材、金屬基材、絕緣基材或者是複合基材。半導體基材例如是矽基材、砷化鎵基材、氮化鎵(GaN)基材或碳化矽(SiC)基材。絕緣基材可以是環氧樹脂基材、玻璃纖維板、電木板或是其他塑膠材質構成的板材，而複合基材可以是絕緣材與金屬片相互壓合而形成的複合基材。

在本發明實施例中，基材具有形成於表面的多個盲孔。在本發明實施例中，盲孔具有較高的深寬比。在一實施例中，盲孔的深寬比至少大於5。

此外，基材的表面上已經完成元件及線路的製程，前述的元件可以是主動元件或被動元件。在其他實施例中，基材也可以是尚未製作任何元件的晶圓或是絕緣基材，本發明並不以此為限。

在步驟S101中，通過一影像擷取裝置擷取多個盲孔在表面的盲孔影像，以得到每一個盲孔位於表面上的中心點的位置資訊。另外，在本實施例中，於步驟S101中，也可得到每一個盲孔的寬度或直徑，以及任兩相鄰的盲孔之間的間距。

詳細而言，請配合參照圖2A及圖2B，其中圖2A顯示影像擷取裝置對基材表面進行檢測的剖面示意圖，圖2B顯示基材表面於待測區的俯視示意圖。如前所述，基材1具有一表面1a及與表面1a相反的底面1b。在基材1的表面1a上，具有多個盲孔100。

影像擷取裝置擷取基材1表面1a的影像之後，可通過影像處理技術判斷出每一個盲孔的邊緣，從而判定每一個盲孔的中心點位於表面上的位置。

影像擷取裝置2包括發光源20、影像感測單元21及處理單元22，其中影像感測單元21電性連接於處理單元22，並將所擷取的影像傳送至處理單元22進行影像處理。發光源20用以產生入射光線照射至基材1的表面1a上的一待測區VA，前述的入射光線可以是可見光(visible light)或不可見光(invisible light)，而此不可見光例如是紅外線。

影像感測單元21接收由待測區VA反射的反射光線，以擷取一待測區影像。影像感測單元21可為互補式金屬氧化物半導體感測元件(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Sensor，CMOS Sensor)或電荷耦合元件(Charge-Coupled Device，CCD)。

處理單元22存有辨識資料，以在接收影像感測單元21所擷取的待測區影像之後，進行影像處理及分析，並進一步判斷出位於待測區影像中的盲孔100的邊緣，從而決定盲孔100位於表面1a的中心點100C的位置資訊。

更進一步而言，在決定盲孔100的邊緣及中心點100C的位置資訊之後，處理單元22可決定盲孔100的邊緣至中心點100C的距離。當盲孔100在基材10表面1a的俯視形狀為圓形或方形，可以得到盲孔的孔徑R，並進一步得知盲孔100直徑或寬度。在另一實施例中，當盲孔100在基材10表面1a的俯視形狀為長條形，可以得到盲孔100的寬度。

另外，在本實施例中，處理單元22在得到每一個盲孔100的中心點100C的位置資訊之後，可更進一步計算每兩個相鄰的盲孔100的中心點100C之間的距離，以得到每兩個相鄰的盲孔100的間距(pitch)P。

接著，在步驟S102中，通過一彩色共焦干涉式顯微裝置，以量測每一個盲孔在相對應的中心點上的盲孔深度。通過檢測盲孔深度及盲孔的直徑或寬度，可獲得盲孔的關鍵尺寸資訊。

詳細而言，請配合參照圖3，顯示本發明實施例利用彩色共焦干涉式顯微裝置對基材表面進行檢測的剖面示意圖。

彩色共焦干涉式顯微裝置3包括光源模組30、光調製模組 31、色散物鏡32、非色散物鏡33及光處理模組34。

光源模組30用以產生一寬頻光300。寬頻光300可以是單一色彩的寬頻光，其具有一特定的頻寬範圍，例如：紅光(620nm~750nm)、綠光(495nm~570nm)、藍光(476nm~495nm)或者是其他色光。此外，在另一實施例中，寬頻光300也可以是由多種色彩複合的寬頻光，例如可見光(白光)，其波長介於380nm~750nm。在本實施例中，寬頻光300為白光。

具體而言，光源模組30包括光產生器301及整形元件302。光產生器301用以提供複合色彩的初始寬頻光，例如：白光。整形元件302則用以將光產生器301所產生的初始寬頻光調整形成一點寬頻光或者是線形寬頻光。在一實施例中，整形元件302可以是空間濾波元件，例如：狹縫結構或者是針孔結構，但本發明並不以此為限。在本實施例中，整形元件302為針孔，因此光產生器301所發出的初始寬頻光經過整形元件302調整後，寬頻光300為點寬頻光。

此外，要說明的是，如果要產生單一色彩的寬頻光，可以直接在光產生器301以及整形元件302之間設置僅允許單一色彩通過的彩色濾光片。如果要產生複合兩種或三種色彩的寬頻光，則可以使用對應該兩種或三種色彩的彩色濾光片。

光調製模組31可以是一分光鏡，以將寬頻光300分成一第一光束300a及一第二光束300b。

色散物鏡32用以使第一光束300a產生軸向色散，以形成複數個子光場300R、300G及300B(圖中繪示3個)，以投射至基材1表面1a，以對盲孔100進行檢測。值得注意的是，針對具有高深寬比的盲孔100，色散物鏡32具有較低數值孔徑，可加強第一光束300a軸向色散的效果。

另外，這些子光場300R、300G及300B分別具有不同的聚焦深度。並且，這些子光場300R、300G及300B可分別以不同量測深度聚焦至盲孔100內。此外，每一個子光場300R、300G及300B具有不同波長。在一實施例中，這些子光場300R、300G及300B可形成一連續光譜。

請參照圖4，其顯示寬頻光色散之後投射至基材表面時的狀態示意圖。在本發明實施例中，是以白光為例來進行說明。當白光被色散之後，由於白光光譜是由不同波長的色光所構成的連續光譜(圖中以紅光300R、綠光300G與藍光300B來代表)，被色散後的白光，其成份中的每一個波長的光之聚焦深度會不同。

一般而言，頻率高(波長小)的光聚焦深度較淺，頻率低(波長大)的光其聚焦深度則較深，因此當投射至基材1表面1a而被反射時，不同波長的反射光在基材1表面1a上反射的狀態也不相同。

以圖4為例，假設在基材1表面1a的位置102處，是綠光300G聚焦深度的位置，因此對於該點位置102而言，綠光300G的強度會集中在該位置上的一點，對於其他色光，則視反射所含的面積而有不同。圖4所顯示的Ga代表第一光束300a被反射後，綠光300G集中的區域，Ra代表第一光束300a反射後，紅光300R集中的區域，Ba代表第一光束300a反射後，藍光300B集中的區域。

基於上述原理，子光場300R、300G及300B在經待測區VA反射後形成一物光，且物光中所包含的不同波長的光會根據其被待測區VA反射的面積，以及在待測區VA的表面形貌的不同，而具有不同的強度。

另一方面，非色散物鏡33用以將第二光束300b聚焦至一參考平面鏡35上，使第二光束300b被參考平面鏡35反射而形成參考光。當參考光與物光返回光調製模組31時，參考光與物光重合並相互干涉，而形成一重合光束300’。

光處理模組34用以接收重合光束300’，並根據所接收的重合光束300’產生一訊號，再對訊號進行處理，以推算表面1a的三維形貌資訊，其中訊號例如是一彩色共焦干涉訊號。

詳細而言，光處理模組34包括一空間濾波器341、一光譜儀342及一訊號處理單元343。空間濾波器341設置於重合光束300’所通過的路徑上，以濾除非聚焦光。在本實施例中，空間濾波器341為針孔結構。

光譜儀342用以接收經空間濾波器341過濾後的重合光束300’，並將重合光束300’分散成多個具有不同波長的色光，並分別將這些色光的光強度轉換為對應的電信訊號。也就是說，在本實施例中，光譜儀342接收重合光束300’後，產生彩色共焦干涉訊號。

訊號處理單元343由光譜儀342接收並處理彩色共焦干涉訊號，以推算出待測區VA的三維形貌資訊。訊號處理單元343可透過去背景光強度、傅立葉轉換、濾波等演算法及光學訊號處理手段，推算出待測區VA的三維形貌資訊。

在本實施例中，基材1係設置於一位移平台36上。位移平台36至少需要可以進行Z軸方向的位移運動。此外，位移平台36亦可以搭配X與Y軸方向的驅動單元，例如螺桿、導軌與馬達的組合，以調整位移平台在XY平面上之位置，從而使子光場300R、300G及300B可偵測在基材1表面1a位於不同區域的三維形貌資訊。

進一步而言，在利用影像擷取裝置2擷取到基材1表面1a的影像，並得到盲孔100位於表面1a上的位置之後，可通過位移平台36移動基材1在XY平面上的位置，使子光場300R、300G及300B聚焦於盲孔100內。需特別說明的是，利用彩色共焦干涉式顯微裝置3對盲孔100進行深度量測時，可直接利用上述的寬頻光300中具有不同波長的子光場300R、300G及300B來得到盲孔100的深度D及底部形貌等三維形貌資訊。

也就是說，利用彩色共焦干涉技術，可以直接利用上述寬頻光獲得深度資訊，而不需要進行Z軸掃描。詳細而言，因為寬頻光包含波長400nm至700nm的多種色光，不同波長的色光會對應聚焦於不同的位置。據此，可以建立波長與深度的線性關係圖。

在利用寬頻光進行掃描時，寬頻光中僅會有一種色光的波長會對應於盲孔100的深度而聚焦於待測區VA的表面(如圖4所示)，從而在回饋訊號產生波峰。藉由分析回饋訊號，得到該色光的波長，再根據前述的線性關係圖，即可得知該波長所對應的深度，從而可得到盲孔100的深度資訊。

因此，利用彩色共焦干涉式顯微裝置3對基材1的表面1a進行掃描時，不需要通過移動位移平台36，來改變基材1在Z軸上的位置，從而可加快掃描的速度。

上述的方式可以通過一電性連接於位移平台36的控制單元(未圖示)來實現。具體而言，影像擷取裝置2在擷取待測區VA的影像，並判斷出盲孔100中心點100C的位置資訊之後，將中心點100C的位置資訊傳送至控制單元。控制單元再依據所接收的位置資訊，控制位移平台36將基材1調整基材1在XY平面上的位置，使子光場300R、300G及300B可以投射至盲孔100的中心點100C。

在另一實施例中，也可以使影像擷取裝置2的處理單元22電性連接至位移平台36，以直接根據盲孔100中心點100C的位置資訊控制位移平台36移動，從而使彩色共焦干涉式顯微裝置3可直接量測盲孔100在中心點100C的深度D。

因此，在一實施例中，影像擷取裝置2可和彩色共焦干涉式顯微裝置3整合成同一檢測設備。並且，先利用影像擷取裝置2決定盲孔100的位置之後，再利用彩色共焦干涉式顯微裝置3直接對盲孔100進行檢測，可節省量測時間。

須說明的是，利用彩色共焦干涉式顯微裝置3對每一個盲孔100進行量測時，子光場300R、300G及300B是垂直入射於盲孔100內，較不會受到盲孔100的孔壁限制。據此，本發明實施例中所提供的彩色共焦干涉式顯微裝置3可以量測盲孔100的深度D 及底部形貌。

本發明實施例並提供一種導電結構的製造方法，在導電結構的製造方法中，利用前述的影像擷取裝置及彩色共焦干涉式顯微裝置來進行檢測，以提高產品良率。

請參照圖5，顯示本發明實施例的導電結構製造方法的流程圖。另外，請一併參照圖6A至圖6F，分別顯示本發明實施例的導電結構在不同步驟中的剖面示意圖。

在步驟S200中，提供一基材。如圖6A所示，基材1具有一表面1a及與表面1a相反的一底面1b。

接著，在步驟S201中，形成多個盲孔於基材的表面。如圖6B所示。形成盲孔100的技術手段可以採用微影、蝕刻等習知的技術手段。並且，盲孔100的深寬比至少大於3。

隨後，在步驟S202中，通過一影像擷取裝置擷取多個所述盲孔在所述表面的多個盲孔影像，以得到每一個所述盲孔的中心點的位置資訊。圖6C所示利用影像擷取裝置擷取盲孔影像，並進行影像處理的方式和圖2所示的實施例相似，在此不再贅述。

另外，在一實施例中，在通過影像擷取裝置擷取多個盲孔在表面的盲孔影像的步驟中，可更進一步包括通過影像擷取裝置擷取盲孔的邊緣至中心點的距離，以得到盲孔的直徑或寬度。

在本實施例中，在量測到每一個盲孔及其所對應的中心點在表面的位置之後，可更進一步包括計算每兩個相鄰的所述盲孔的所述中心點之間的距離，以得到每兩個相鄰的所述盲孔的間距P。

接著，在步驟S203中，通過一彩色共焦干涉式顯微裝置，以量測每一個盲孔在相對應的所述中心點上的盲孔深度。彩色共焦干涉式顯微裝置例如是圖3所示的彩色共焦干涉式顯微裝置。此外，通過彩色共焦干涉式顯微裝置，可進一步量測每一個盲孔的底部形貌。也就是說，在步驟S202至步驟S203中，可取得每一個盲孔的關鍵尺寸資訊。

如圖6D所示，通過彩色共焦干涉式顯微裝置3測量盲孔100的盲孔深度D及底部形貌的方式，和圖3所示的實施例相似，在此不再贅述。

另外，根據每一個盲孔的關鍵尺寸資訊，可判別多個盲孔是否符合製程需求。詳細而言，可通過彩色共焦干涉式顯微裝置3的訊號處理單元343，判別盲孔的深度是否大於一預定深度。當盲孔的深度並未大於預定深度時，訊號處理單元343可記錄該盲孔的位置及深度，並通過螢幕顯示警示訊號，以通知檢測者對該盲孔進行進一步的處理。在另一實施例中，也可省略此步驟。

接著，在步驟S204中，於每一個所述盲孔內形成一導電柱。構成導電柱的材料例如是銅、銅合金或者是其他導電材料。請參照圖6E，在本實施例中，於每一個盲孔100中形成導電柱4之前，可先在盲孔100的內側壁面形成絕緣層5，之後再填入導電材料以形成導電柱4。

接著，在步驟S205中，根據盲孔在所述中心點的深度執行一薄化製程於所述底面，以使所述盲孔改變成一穿孔，並使所述導電柱的頂部與底部分別被所述穿孔的兩相反開口所裸露。

請繼續參照圖6E及圖6F。所述的薄化製程可以是利用化學機械研磨手段，由基材1的底面1b將基材1的厚度減薄，直到暴露導電柱4’的底部。據此，原本形成於基材1的盲孔100已改變為通孔100’，且導電柱4’的底部被通孔100’下方的開口所暴露出來，以使導電柱4’可作為連接基材1’的兩相反側元件的導線。

〔實施例的可能功效〕

綜上所述，本發明的有益效果可以在於，在本發明實施例所提供的檢測方法可整合於導電結構的製程中，並實際應用於生產線上，以在形成導電柱之前，即時檢測盲孔的關鍵尺寸，確認深度是否符合預期，以提高產品良率。並且，取得盲孔的形貌參數，也有利於加快製程參數優化的速度。

以上所述僅為本發明的較佳可行實施例，非因此侷限本發明的專利範圍，故舉凡運用本發明說明書及圖式內容所做的等效技術變化，均包含於本發明的保護範圍內。

S100~S102‧‧‧流程步驟

Claims

一種盲孔關鍵尺寸資訊的檢測方法，其包括：提供一基材，其中所述基材具有形成於一表面的多個盲孔；通過一影像擷取裝置擷取多個所述盲孔在所述表面的盲孔影像，以得到每一個所述盲孔的中心點的位置資訊；以及通過一彩色共焦干涉式顯微裝置，並根據所述位置資訊，以量測每一個所述盲孔在相對應的所述中心點上的盲孔深度。
如請求項1所述的盲孔關鍵尺寸資訊的檢測方法，其中在通過所述影像擷取裝置擷取多個所述盲孔在所述表面的所述盲孔影像的步驟中，更進一步包括：通過所述影像擷取裝置擷取所述盲孔的邊緣至所述中心點的距離，以得到所述盲孔的直徑或寬度。
如請求項2所述的盲孔關鍵尺寸資訊的檢測方法，其中每一個所述盲孔通過所述盲孔深度及所述盲孔的直徑或寬度，以獲得每一個所述盲孔的關鍵尺寸資訊。
如請求項1所述的盲孔關鍵尺寸資訊的檢測方法，其中在得到每一個所述盲孔的中心點的位置資訊步驟之後，更進一步包括：計算每兩個相鄰的所述盲孔的所述中心點之間的距離，以得到每兩個相鄰的所述盲孔的間距。
一種導電結構的製造方法，其包括：提供一基材，其中所述基材具有一表面及與所述表面相反的一底面；形成多個盲孔於所述基材的所述表面；通過一影像擷取裝置擷取多個所述盲孔在所述表面的多個盲孔影像，以得到每一個所述盲孔的中心點的位置資訊；通過一彩色共焦干涉式顯微裝置，並根據所述位置資訊，量測每一個所述盲孔在相對應的所述中心點上的盲孔深度；於每一個所述盲孔內形成一導電柱；以及根據所述盲孔在所述中心點的深度執行一薄化製程於所述底面，以使所述盲孔改變成一穿孔，並使所述導電柱的頂部與底部分別被所述穿孔的兩相反開口所裸露。
如請求項5所述的導電結構的製造方法，其中在通過所述影像擷取裝置擷取多個所述盲孔在所述表面的所述盲孔影像的步驟中，以及在量測每一個所述盲孔在所述中心點的深度的步驟之前，更進一步包括：通過所述影像擷取裝置擷取所述盲孔的邊緣至所述中心點的距離，以得到所述盲孔的直徑或寬度。
如請求項5所述的導電結構的製造方法，其中在得到每一個所述盲孔的中心點的位置資訊的步驟之後，更進一步包括：計算每兩個相鄰的所述盲孔的所述中心點之間的距離，以得到每兩個相鄰的所述盲孔的間距。