TWI552323B - 光電裝置以及用於製造光電裝置的方法 - Google Patents

光電裝置以及用於製造光電裝置的方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI552323B
TWI552323B TW101111806A TW101111806A TWI552323B TW I552323 B TWI552323 B TW I552323B TW 101111806 A TW101111806 A TW 101111806A TW 101111806 A TW101111806 A TW 101111806A TW I552323 B TWI552323 B TW I552323B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
posd
optoelectronic
posds
opaque
molding compound
Prior art date
Application number
TW101111806A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201334163A (zh
Inventor
塞夏莎伊Ｓ 安基瑞迪
林Ｋ 偉瑟
Original Assignee
英特希爾美國公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 英特希爾美國公司 filed Critical 英特希爾美國公司
Publication of TW201334163A publication Critical patent/TW201334163A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI552323B publication Critical patent/TWI552323B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/568—Temporary substrate used as encapsulation process aid
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01S—RADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
    • G01S17/00—Systems using the reflection or reradiation of electromagnetic waves other than radio waves, e.g. lidar systems
    • G01S17/02—Systems using the reflection of electromagnetic waves other than radio waves
    • G01S17/04—Systems determining the presence of a target
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01S—RADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
    • G01S7/00—Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00
    • G01S7/48—Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00 of systems according to group G01S17/00
    • G01S7/481—Constructional features, e.g. arrangements of optical elements
    • G01S7/4811—Constructional features, e.g. arrangements of optical elements common to transmitter and receiver
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3157—Partial encapsulation or coating
    • H01L23/3185—Partial encapsulation or coating the coating covering also the sidewalls of the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93—Batch processes
    • H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0203—Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93—Batch processes
    • H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L2224/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12042—LASER
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12043—Photo diode
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12044—OLED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Radar, Positioning & Navigation (AREA)
  • Remote Sensing (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)

Description

光電裝置以及用於製造光電裝置的方法
本發明的各實施例一般涉及光電子器件，以及用於製造光電子器件的方法。
優先權聲明
本申請聲明下列美國專利申請的優先權：2012年3月27日提交的美國專利申請No.13/431,466；以及2012年2月10日提交的美國臨時專利申請No.61/597,400。
諸如光學接近度感測器類型的設備之類的光電子器件可包括光源以及相鄰的光敏光檢測器。這樣的光學接近度感測器可以被用來基於從光源產生的並從物件反射並由光檢測器所檢測到的光的光度和/或相位，來檢測物件的存在、估計物件的接近度和/或檢測物件的運動。隨著諸如行動行動電話之類的電池驅動的掌上型設備的出現，這些感測器的價值變得更加重要。例如，行動電話電池的大多能量都被用來驅動顯示器，當行動電話或其他設備被置於用戶的耳朵邊時(在此處不管怎樣都無法看到它)，關閉顯示器或背光是有價值的。作為光電子器件的示例的光學接近度感測器被用於此，以及許多其他應用中。
作為其他示例，在許多其他的應用中利用光學接近度感測器來檢測物件的存在是有益處。這些應用範圍包括： 感應何時機器上的保護罩被打開，紙張已經被正確地置於印表機中，或者操作員的手位於工作中的機器附近的風險。光學接近度感測器也可以被用作簡單的觸摸或靠近觸摸啟動的開關，並可以實現在諸如這些的應用中：鍵盤、或具有塑膠外殼的設備(該塑膠外殼是密封的但是允許來自光源的光穿透其並由檢測器在返程中感應到光)。
由於越來越多的光電子器件正在被整合到諸如行動電話之類的產品中，因此，需要提供更小更便宜的光電子器件。優選地，光學接近度感測器以及其他光電子器件的製造應當相對簡單，並應提供高產量。
圖1A示出了示例性封裝光源半導體器件(PLSSD)112的透視圖，以及示例性封裝光檢測器半導體器件(PLDSD)132的透視圖。圖1B示出了圖1A所示出的示例性PLSSD 112的底面圖，以及圖1A所示出的示例性PLDSD 132的底面圖。如果PLSSD 112包括積體電路，那麽它可以可另選地被稱為封裝光源積體電路(PLSIC)。類似地，如果PLDSD 132包括積體電路，那麽它可以可另選地被稱為封裝光檢測器積體電路(PLDIC)。PLSSD 112和PLDSD 132兩者可以更一般地被稱為封裝光電子半導體器件(POSD)。
PLSSD 112被示為包括被封裝在透光塑模化合物122內的光源晶粒114。光源晶粒114被示為包括一個發光元件116，但是，可包括一個以上的發光元件116。發光元件116可以是發光二極體(LED)、有機LED(OLED)、塊狀的 發光LED、表面發光LED、垂直腔面發射雷射器(VCSEL)、超輻射發光二極體(SLED)、雷射二極體或圖元二極體，但是，不僅限於此。發光元件(諸如上文所提及的那些發光元件)是光電子元件的示例。
透光塑模化合物122可以是，例如，透光環氧樹脂(例如，透明的或著色的環氧樹脂)，或其他透光樹脂或聚合物。在某些實施例中，透光塑模化合物可以具有過濾掉不相關的某些波長的光且同時允許相關的波長的光通過的顏料或其他屬性。
光源晶粒114通過晶粒114下面的一個或多個晶粒焊墊115和/或一個或多個接合線120而連接到電接點118(可以替代地被稱為電連接器)。例如，電接點118中的一個可以為發光元件116的陽極提供接點，而電接點118中的另一個可以為發光元件116的陰極提供接點。光源晶粒114也可以包括放大器電路和/或其他類型的信號處理電路。
PLSSD 112包括頂表面124、底表面128和在頂表面124和底表面128之間延伸的周邊表面126。在此示例中，PLSSD 112的頂表面124由(封裝有發光元件116的)透光塑模化合物122的頂表面所構成，而周邊表面126由透光塑模化合物122的四面所構成。底表面128包括發光元件116的電接點118，如圖1B所最佳呈現的。電接點118可以是，例如，導電凸區、導電焊墊、或導電球，但是，不僅限於此。例如，電接點118可以是導電針腳或線路，這也是可能的。在此示例中，PLSSD 112包括底表面128上的兩個電 接點118。根據一個實施例，PLSSD 112是平坦的無引腳封裝。根據特定實施例，電接點118構成凸區網格陣列。
PLDSD 132被示為包括被封裝在透光塑模化合物142內的光檢測器晶粒134。光檢測器晶粒134被示為包括一個光檢測元件136，但是，可包括一個以上的光檢測元件136。光檢測元件136可以是光敏電阻器、光伏電池、光電二極體、光電電晶體或電荷耦合器件(CCD)，但是不僅限於此，並且優選地可以被用來產生表示檢測到的光的光量和/或相位的電流或電壓。諸如上文所提及的那些光檢測元件，也是光電子元件的示例。
透光塑模化合物142可以是，例如，透光環氧樹脂(例如，透明的或著色的環氧樹脂)，或其他透光樹脂或聚合物。在某些實施例中，透光塑模化合物可以具有過濾掉不相關的某些波長的光，而允許相關的波長的光通過的顏料或其他屬性。PLDSD 132的透光塑模化合物142可以與PLSSD 112的透光塑模化合物122相同，或者也可以不同。
光檢測器晶粒134通過晶粒134下面的一個或多個晶粒焊墊135和/或一個或多個接合線140而連接到電接點138(可以替代地被稱為電連接器)。例如，電接點138中的一個或多個可以為光檢測元件136的陽極提供接點，而一個或多個其他電接點138可以為光檢測元件136的陰極提供接點。光檢測器晶粒134也可以包括放大器電路、濾波器電路和/或其他類型的信號處理電路。
PLDSD 132包括頂表面144、底表面148和在頂表面 144和底表面148之間延伸的周邊表面146。在此示例中，PLDSD 132的頂表面144由(封裝有光檢測元件136的)透光塑模化合物142的頂表面所構成，而周邊表面146由透光塑模化合物142的四個側面所構成。底表面128包括光檢測元件136的電接點138，如圖1B所最佳呈現的。電接點138可以是，例如，導電凸區、導電焊墊、或導電球，但是，不僅限於此。例如，電接點138可以是導電針腳或線路也是可能的。在此示例中，PLDSD 112在底表面148上包括六個電接點138和一個暴露的熱焊墊139。暴露的焊墊139可以替代地，或另外是PLDSD 132的接地面。根據一個實施例，PLDSD 132是平坦的無引腳封裝。根據特定實施例，電接點138構成凸區網格陣列。
現在參考圖2A和2B，根據本發明的一實施例，光學接近度感測器設備202包括PLSSD 112、PLDSD 132和不透明塑模化合物212。更具體而言，圖2A是光學接近度感測器設備202的俯視透視圖，而圖2B是光學接近度感測器設備202的仰視透視圖。如從圖2A和2B可以理解的，不透明塑模化合物212包圍並封裝了PLSSD 112的周邊表面126和PLDSD 132的周邊表面146。如從圖2A可以理解的，不透明塑模化合物212構成了PLSSD 112和PLDSD 132之間的不透明光障壁214，不透明光障壁214光學地隔離了PLSSD 112的發光元件116與PLDSD 132的光檢測元件136。另外，不透明塑模化合物212在物理上將PLSSD 112和PLDSD 132彼此連接。在圖2A中還示出了在PLSSD 112 的發光元件上方形成的窗口222，以及PLDSD 132的光檢測元件上方形成的窗口242。從圖2B可以理解，PLSSD 112的電接點118和PLDSD 132的電接點138是暴露的，如此，可用於電連接到其他電路。除在PLSSD 112和PLDSD 132之間形成障壁214(其光學地將兩個半導體器件彼此隔離)之外，不透明塑模化合物212還在設備202的整個周邊周圍形成障壁，以便光學地將設備202與可能位於設備202的附近的一個或多個其他光電子器件相隔離。儘管窗口222和242被示為是簡單的孔或開口，但是，也可以形成更複雜的窗口，諸如包括百葉窗的窗口。不透明塑模化合物212可以是，例如，黑色或其他暗色的環氧樹脂，或對由PLSSD 112所生成的光是不透射的其他樹脂或聚合物。
圖2C是光學接近度感測器設備202的再一個透視圖，該圖示出了PLSSD 112和PLDSD 132的實際無法通過不透明塑模化合物212所查看到的元件(前面參考圖1A和1B所描述的)，但是，示出它們只是說明性目的。圖2D是圖2A-2C的光學接近度感測器設備202的沿著圖2C中的線條D-D的截面圖。
儘管光學接近度感測器設備202被示為包括參考圖1A和1B所描述的PLSSD 112和PLDSD 132，但是，光學接近度感測器設備202可包括替代的PLSSD和/或PLDSD，且屬於本發明的範圍內。根據本發明的一實施例的光電子器件也可能包括一個以上的PLSSD和/或一個以上的PLDSD，例如，以便設備可以被用於手勢識別等等。作為 另一個示例，根據本發明的一個實施例的光電子器件可包括與PLDSD 132相配對的用於進行接近度檢測的一個PLSSD 112、以及專用於環境光檢測的第二PLDSD 132。這些只是根據本發明的各實施例可以製造的光電子器件的類型的幾個示例。
光學接近度感測器設備202的一個有用特徵是，PLSSD 112和PLDSD 132在物理上彼此連接，無需至少部分地專用於提供這樣的連接的基板(例如，PCB)。此特徵的優點是，它可以降低所產生的光電子器件的總高度，體積和重量，並可以降低製造此光電子器件及其他光電子器件的成本。
光學接近度感測器設備202的另一個有用特徵是，被用來在物理上將PLSSD 112和PLDSD 132彼此連接的相同不透明塑模化合物212也被用來提供光學地將PLSSD 112的發光元件116與PLDSD 132的光檢測元件136相隔離的障壁。這也可以降低製造此光電子器件及其他光電子器件所需的成本以及時間量。
本發明的各實施例涉及光電子器件，包括接近度感測器設備202、類似的光學接近度感測器設備、以及其他類型的光電子器件。這樣的設備包括通過不透明塑模化合物彼此連接的多個封裝光電子半導體器件(POSD)，該不透明塑模化合物包圍POSD的周邊表面並光學地將POSD的諸個光電子元件彼此隔離。另外，POSD的底表面的一個的電接 點是暴露的，如此，可用於電連接到其他電路。本發明的各實施例涉及用於製造光學接近度感測器202、類似的光學接近度感測器設備、以及其他類型的光電子器件。現在將參考圖3A-3D和4A-4B說明這樣的製造方法。
圖3A示出了載體基板302上方的PLSSD 112和PLDSD 132。如上所述，PLSSD 112和PLDSD 132每一個均包括頂表面、底表面以及在頂表面和底表面之間延伸的周邊表面。也如上文所說明的，PLSSD 112和PLDSD 132每一個均在其底表面上包括電接點。根據一個實施例，在連接到載體底層302之前，測試PLSSD 112和PLDSD 132和/或其他類型的POSD。
根據一個實施例，載體基板302是具有黏合表面304的膠帶。載體基板302可以可另選地是具有黏合表面的膜或箔。如下面所說明的，由於將在連接到膠帶(或其他載體基板)的PLSSD 112和PLDSD 132的周圍模壓不透明塑模化合物(212)，因此，膠帶(或其他載體基板)需要能夠承受熔化塑模化合物的高溫，而不會被熔化或以別的方式被損壞。例如，膠帶可以用聚亞醯胺(PI)、聚氯乙烯(PVC)來製造，或者也可以是基於聚烯烴的材料，但是，不僅限於此。示例性聚亞醯胺膠帶和薄膜由杜邦公司製造(總部位於美國，特拉華州，威爾明頓市)，以商標KaptonTM銷售。替代地，載體基板302可以是具有黏合表面的某種其他類型的可移動基板。黏合劑可以是基於矽的黏合劑，但是，不僅限於此。
圖3B示出了PLSSD和PLDSD的底表面連接到載體基板302，以便在PLSSD 112和PLDSD 132之間有間隔。儘管在圖3B中只示出了一對PLSSD/PLDSD，但是，如上文所提及的，最有可能數十以及潛在地數百個這樣的對被連接到同一個載體基板302。例如，N行x M列(例如，15 x 20)這樣的對可以連接到同一載體基板(例如，膠帶)，以便可以同時製造N x M個設備(例如，15 x 20=300設備)，其中，N和M各自都是大於或等於1的整數，N和M可以彼此相同或不同。如上文所描述的，替代地，每一個設備中可以包括兩個以上的封裝光電子半導體器件。
儘管不是那麽切實際，有可能載體基板302沒有黏合表面，在這樣的情況下，PLSSD 112和PLDSD 132的底表面可以使用直接噴塗到PLSSD 112和PLDSD 132和/或載體基板302上的黏合劑來連接到載體基板302。
圖3C示出了在連接到載體基板302的PLSSD 112和PLDSD 132的某些部分的周圍模壓不透明塑模化合物212，以便PLSSD 112和PLDSD 132的周邊表面被不透明塑模化合物212所包圍。圖3C還示出了PLSSD 112和PLDSD 132之間的間隔用不透明塑模化合物212來填充，以形成不透光障壁214。還可以從圖3C理解，PLSSD 112和PLDSD 132彼此通過不透明塑模化合物212來連接。在參考圖3C所描述的實施例中，模具(向其中注入了塑模化合物212)的一部分接觸PLDSD 132的頂表面，以便在PLDSD 132的一個或多個光檢測元件上方形成窗口242。類 似地，模具的一部分接觸PLDSD 132的頂表面，以便在PLSSD 112的一個或多個發光元件上方形成窗口222。儘管在圖3C中只示出了一對PLSSD/PLDSD，但是，上文所描述的模壓最有可能對於全部都連接到同一個載體基板302的數十個以及潛在地數百個這樣的對同時執行。被用來使用不透明塑模化合物212執行模壓的模具可以被塗敷有諸如TeflonTM或矽橡膠之類的材料，以使得所產生的包膠模結構被更加輕鬆地從模具中去除。可以使用的模壓技術包括但不僅限於：注射模制、壓縮模制、轉移模制以及鑄模模制。
圖3D示出了在312處切穿不透明塑模化合物212(312也可以被稱為切割)，以將PLSSD 112和PLDSD 132與其他PLSSD/PLDSD對相分隔，以便所產生的光電子器件包括彼此連接的並且由不透明塑模化合物212光學地隔離的PLSSD 112和PLDSD 132。這樣的切割可以使用鋸、刀片或雷射來執行，但是，不僅限於此。根據一個實施例，可以如此執行切割：不透明塑模化合物212被切穿，而不切穿載體基板302，如圖3D所示。替代地，可以如此執行切割：不透明塑模化合物212和載體基板302兩者都被切穿。
圖3E示出了去除載體基板302。這會暴露PLSSD 112的底表面128上的電接點118(圖1B所示出的)，並暴露PLDSD 132的底表面148上的電接點138和熱焊墊和/或接地面139(圖1B所示出的)。可以使用溶劑來去除黏合劑或通過使用振動等等來簡單地剝離載體基板302(例如，膠 帶)以去除載體基板302，但是，不僅限於此。在替換實施例中，在上文所描述的切割之前去除載體基板302。根據一個實施例，在切割之前或之後，但是最有可能在去除載體基板之後，測試所產生的光電子器件(例如，202)，以便在測試期間可以更加輕鬆地訪問電接點。
如從圖4A可以理解，可以替代地執行模壓，以便PLSSD 112的一個或多個發光元件被不透明塑模化合物212所覆蓋，和/或PLDSD 132的一個或多個光檢測元件被不透明塑模化合物212所覆蓋。此後，去除覆蓋一個或多個發光元件的不透明塑模化合物的一部分，以在PLSSD 112的一個或多個發光元件上方形成窗口222，和/或去除覆蓋一個或多個光檢測元件的不透明塑模化合物的一部分，以在PLDSD 132的一個或多個光檢測元件上方形成窗口242，如從圖4B可以理解的。去除以形成窗口可以通過蝕刻、顯影、剝離或某種其他技術來執行。代替了參考圖3C所描述的步驟，可以執行參考圖4A和4B所描述的步驟。
回頭參考圖3C，所產生的光學感測器設備的截面可以替代地看起來像圖2D或4B所示出的截面。通過使用替代的模壓和/或去除塑模化合物以形成替代形狀的窗口，其他截面也是可以的。
用於製造包括一個以上的PLSSD和/或一個以上的PLDSD的(例如以便設備可以用於手勢識別等等)的光電子器件的方法也在本發明的實施例的範圍內。使用與上文所描述的方法相類似的方法來生產其他類型的光電子器件 (包括至少兩個封裝光電子半導體器件(POSD))也在本發明的各實施例的範圍內。
圖5是用來概括根據本發明的各實施例的用於製造光電子器件的方法的高層級流程圖。對於下列描述，假設光電子器件包括第一封裝光電子半導體器件(POSD)和第二POSD。然而，如上文所描述的，光電子器件可包括兩個以上的POSD。也如上文所描述的，每一個POSD都包括頂表面、底表面以及在頂表面和底表面之間延伸的周邊表面。另外，每一個POSD都包括通過由透光塑模化合物所封裝的一個或多個光電子元件。此外，每一個POSD都在其底表面上包括電接點。
參考圖5，在步驟502中，第一以及第二POSD的底表面被連接到載體基板(例如，具有黏合表面的膠帶)，使得在第一POSD和第二POSD之間有間隔。
在步驟504中，在連接到載體基板的第一和第二POSD的諸個部分的周圍模壓不透明塑模化合物，以便第一POSD和第二POSD的周邊表面被不透明塑模化合物所包圍，第一POSD和第二POSD之間的間隔用不透明塑模化合物來填充，且第一和第二POSD彼此通過不透明塑模化合物連接在一起。
在步驟506中，去除載體基板(例如，膠帶)，以便第一和第二POSD的底表面上的電接點被暴露。如上文所提及的，可以通過使用溶劑或使用振動來剝離載體基板以去除載體基板，但是不僅限於此。
在步驟508中，切穿不透明塑模化合物，以將第一和第二POSD與其他POSD相分隔，以便所產生的光電子器件包括彼此連接的並且由不透明塑模化合物光學地彼此隔離的第一和第二POSD。在替換實施例中，可以顛倒步驟506和508的順序。也如上文所說明的，每一個正在被製造的光電子器件都可包括兩個以上的POSD。
根據特定實施例，執行步驟504中的模壓，以便在第一POSD的一個或多個光電子元件上方形成第一窗口，在第二POSD的一個或多個光電子元件上方形成第二窗口。
在特定實施例中，參考圖5所描述的方法可以被用來產生光學接近度感測器類型的光電子器件。在這樣的實施例中，第一POSD的一個或多個光電子元件是一個或多個發光元件，而第二POSD的一個或多個光電子元件是一個或多個光檢測元件。此外，在這樣的實施例中，可以執行步驟504中的模壓，以便在第一POSD的一個或多個發光元件上方形成第一窗口，在第二POSD的一個或多個光檢測元件上方形成第二窗口。
如上文參考圖4A和4B所描述的，可以替代地執行步驟504中的模壓，以便第一POSD的一個或多個光電子元件被不透明塑模化合物所覆蓋。另外，或者替代地，可以執行步驟504中的模壓，以便第二POSD的一個或多個光電子元件被不透明塑模化合物所覆蓋。在這樣的實施例中，在步驟504之後並在步驟506之前，去除覆蓋第一POSD的一個或多個光電子元件的不透明塑模化合物的至少一部分， 以在第一POSD的一個或多個光電子上方形成窗口。另外，或者替代地，去除覆蓋第二POSD的一個或多個光電子元件的不透明塑模化合物的至少一部分，以在第二POSD的一個或多個光電子元件上方形成第二窗口。這樣的去除不透明塑模化合物以形成一個或多個窗口的動作可以通過蝕刻、顯影、剝離或某種其他技術來執行。
如上文所提及的，正在被製造的光電子器件也可以包括一個或多個額外的POSD。相應地，步驟502也可以包括將一個或多個額外的POSD的底表面連接到載體基板。步驟504也可以包括在連接到載體基板的一個或多個額外的POSD的某些部分周圍模壓不透明塑模化合物。步驟506也可以包括去除載體基板，以便一個或多個額外的POSD的底表面上的電接點被暴露。在這樣的實施例中，步驟508可包括切穿不透明塑模化合物以將第一、第二以及一個或多個額外的POSD與其他POSD相分隔，以便所產生的光電子器件包括彼此連接的並且通過不透明塑模化合物光學地彼此隔離的第一、第二以及一個或多個額外的POSD。
圖6是用來概括根據本發明的各實施例的用於同時製造多個光電子器件的方法的高層級流程圖。每一個這樣的光電子器件都包括一組(即，兩個或更多)光電子半導體器件(POSD)。
參考圖6，在步驟602中，將多組POSD的底表面連接到載體基板(例如，具有黏合表面的膠帶)，以便在每一個POSD以及其一個或多個相鄰POSD中的每一個之間有間 隔。
在步驟604中，在連接到載體基板的每一個POSD的某些部分周圍模壓不透明塑模化合物，以便每一個POSD的周邊表面都被不透明塑模化合物所包圍，每一個POSD和其一個或多個相鄰POSD中的每一個之間的間隔都用不透明塑模化合物來填充，並且通過不透明塑模化合物將每一個POSD與其一個或多個相鄰POSD中的每一個彼此連接。
在步驟606中，去除載體基板，以便POSD中的每一個的底表面上的電接點都被暴露。
在步驟608中，切穿不透明塑模化合物以由此提供多個分隔的光電子器件，每一個光電子器件都包括：一組通過不透明塑模化合物彼此連接的POSD、以及由不透明塑模化合物所形成的並光學地將該組的每一個POSD的光電子元件與該組的其他POSD相隔離的光障壁。在替換實施例中，可以顛倒步驟606和608。可以從上文所提供的描述中理解圖6的步驟以及圖5的步驟的附加細節。
圖7示出了多組POSD的示例性頂視圖，每一組POSD都包括一個封裝光源半導體器件(PLSSD)112和一個封裝光檢測器半導體器件(PLDSD)132。在每一個POSD(連接到載體基板302)的諸個部分周圍模壓不透明塑模化合物212，以便每一個POSD的周邊表面都被不透明塑模化合物212所包圍，每一個POSD及其一個或多個相鄰POSD中的每一個之間的間隔都用不透明塑模化合物212來填充，並且通過不透明塑模化合物212將每一個POSD與其一個或多 個相鄰POSD中的每一個彼此連接。在每一個PLSSD 112類型的POSD的發光元件上方形成窗口222，在每一個PLDSD 132類型的POSD的光檢測元件上方形成窗口242。
通過沿著水平虛線702和垂直虛線704進行切割，得到多個分隔的光電子器件，每一個光電子器件都一組POSD。如上文所提及的，這樣的切割可以使用鋸、刀片或雷射來執行，但是，不僅限於此。切割可以在去除載體基板(例如，302)之前或之後執行。在切割是在去除載體基板之前執行的情況下，可以如此執行切割：不透明塑模化合物212被切穿，而不切穿載體基板。替代地，可以如此執行切割：不透明塑模化合物212和載體基板兩者都被切穿。更一般而言，可以通過鋸切或另一種方法來將POSD分隔為諸個單獨子元件、或是子元件的諸個組，以產生最終產品。
在圖7的示例中，每一個分隔的光電子器件都是光學接近度感測器202，其包括通過不透明塑模化合物212彼此連接的一個PLSSD 112和一個PLDSD 132。由不透明塑模化合物212所構成的光障壁214將PLSSD 112的發光元件與PLDSD 132的光檢測元件光學地隔離。如上所述，可以使用此處所描述的技術來製造替代類型的光電子器件。
本發明的各實施例的光電子器件可以用於各種系統中，包括但不僅限於：行動電話、平板電腦、個人資料助理、膝上型電腦、筆記型電腦、其他掌上型裝置，以及非掌上型裝置。參考圖8的系統800，例如，光電子器件802 (例如，光學接近度感測器設備202)可以被用來控制子系統806(例如，觸控螢幕、顯示器、背光、虛擬滾輪、虛擬小鍵盤、導航板等等)是否被啟用或禁用。例如，光電子器件可以檢測諸如人的手指之類的物件何時正在接近，並基於檢測而啟用(或者禁用)子系統806。更具體而言，光電子器件(例如，光學接近度感測器設備202)的輸出可以被提供到比較器或處理器804，該比較器或處理器804可以例如將光學感測器的輸出與門檻值進行比較，以確定物件是否處於應該啟用(或禁用，取決於期望什麽)子系統806的範圍內。可以使用多個門檻值(例如，儲存的數位值)，基於檢測到的物件的接近度，可以產生一個以上的可能回應。例如，如果物件在第一接近度範圍內，則可以產生第一回應，如果物件在第二接近度範圍內，則可以產生第二回應。示例性回應可包括啟動或停止，或啟用或禁用各種系統和/或子系統。在光電子器件802用於環境光檢測的情況下，比較器或處理器804可以確定如何調整子系統806(例如，顯示器或背光)的亮度。圖8還示出了驅動器801可以有選擇地驅動光電子器件802的封裝光源半導體器件的一個或多個發光元件。
儘管上文描述了本發明的各實施例，但是，應該理解，它們只是作為示例來呈現的，而不作為限制。對那些精通本技術的人員顯而易見的是，在不偏離本發明的精神和範圍的情況下，可以對形式和細節進行各種更改。
本發明的範圍不應該受到上述示例性實施例的任一個 的限制，而只應根據下面的申請專利範圍和它們的等效內容進行定義。
112‧‧‧封裝光源半導體器件(PLSSD)
114‧‧‧光源晶粒
115,135‧‧‧晶粒焊墊
116‧‧‧發光元件
118,138‧‧‧電接點
120,140‧‧‧接合線
122,142‧‧‧透光塑模化合物
124,144‧‧‧頂表面
126,146‧‧‧周邊表面
128,148‧‧‧底表面
132‧‧‧封裝光檢測器半導體器件(PLDSD)
134‧‧‧光檢測器晶粒
136‧‧‧光檢測元件
139‧‧‧暴露的熱焊墊
202‧‧‧光學接近度感測器設備
212‧‧‧不透明塑模化合物
214‧‧‧不透明障壁
222,242‧‧‧窗口
302‧‧‧載體基板
304‧‧‧黏合表面
502,504,506,508,602,604,606,608‧‧‧步驟
702‧‧‧水平虛線
704‧‧‧垂直虛線
800‧‧‧系統
801‧‧‧驅動器
802‧‧‧光電子器件
804‧‧‧處理器
806‧‧‧子系統
圖1A示出了示例性封裝光源半導體器件(PLSSD)的透視圖，以及示例性封裝光檢測器半導體器件(PLDSD)的透視圖。
圖1B示出了圖1A所示出的示例性PLSSD的底面圖，以及圖1A所示出的示例性PLDSD的底面圖。
圖2A是根據本發明的一個實施例的光學接近度感測器設備的俯視透視圖。
圖2B是圖2A的光學接近度感測器設備的仰視透視圖。
圖2C是圖2A和2B的光學接近度感測器設備的進一步的透視圖。
圖2D是圖2A-2C的光學接近度感測器設備的截面圖。
圖3A-3E被用來描述根據本發明的某些實施例的用於製造光學接近度感測器設備的方法。
圖4A和4B被用來描述根據本發明的替換實施例的用於製造光學接近度感測器設備的方法。
圖5是用來概括根據本發明的各實施例的用於製造光電子器件的方法的高層級流程圖。
圖6是用來概括根據本發明的各實施例的用於同時製造多個光電子器件的方法的高層級流程圖。
圖7示出了根據本發明的各實施例的如何使用多組POSD來製造多個光電子器件。
圖8是根據本發明的一個實施例的系統的高層級區塊圖。
502-508‧‧‧步驟

Claims (22)

  1. 一種用於製造光電子器件的方法，該光電子器件包括第一和第二封裝光電子半導體器件(POSD)；其中，每一個POSD都包括被透光塑模化合物所封裝的一個或多個光電子元件；其中，每一個POSD都包括頂表面、底表面以及在該頂表面和該底表面之間延伸的周邊表面；其中，每一個POSD都在其底表面上包括電接點；該方法包括：(a)將該等第一和第二POSD的該底表面連接到載體基板，使得在該等第一和第二POSD之間有間隔；(b)在連接到該載體基板的該等第一和第二POSD的諸個部分的周圍模壓不透明塑模化合物，以使得：該等第一和第二POSD的該等周邊表面被該不透明塑模化合物所包圍；該等第一和第二POSD的之間的該間隔係用該不透明塑模化合物來填充；且該等第一和第二POSD通過該不透明塑模化合物彼此連接；以及(c)去除該載體基板，以使得該等第一和第二POSD的該等底表面上的電接點被暴露。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的方法，其中：在步驟(b)中執行該模壓，以便：在該第一POSD的該一個或多個光電子元件上方 形成第一窗口；以及在該第二POSD的該一個或多個光電子元件上方形成第二窗口。
  3. 如申請專利範圍第2項所述的方法，其中：該光電子器件包括光學接近度感測器；該第一POSD的該一個或多個光電子元件包括一個或多個發光元件；該第二POSD的該一個或多個光電子元件包括一個或多個光檢測元件；以及在步驟(b)中執行該模壓，以便：在該第一POSD的該一個或多個發光元件上方形成該第一窗口；且在該第二POSD的該一個或多個光檢測元件上方形成該第二窗口。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的方法，其中：在步驟(b)中執行該模壓，以使得：該第一POSD的該一個或多個光電子元件被該不透明塑模化合物所覆蓋；和/或該第二POSD的該一個或多個光電子元件被該不透明塑模化合物所覆蓋；以及還包括，在步驟(b)之後和在步驟(c)之前：去除覆蓋該第一POSD的該一個或多個光電子元件的該不透明塑模化合物的至少一部分，以在該第一POSD的該一個或多個光電子元件上方形成第一窗口；和/或 去除覆蓋該第二POSD的該一個或多個光電子元件的該不透明塑模化合物的至少一部分，以在該第二POSD的該一個或多個光電子元件上方形成第二窗口；其中，去除以形成該第一窗口和/或該第二窗口是通過蝕刻、顯影或剝離來執行的。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的方法，其中在步驟(b)之後，且在步驟(c)之前或之後，還包括：切穿該不透明塑模化合物，以將該等第一和第二POSD與其他POSD相分隔，以便所產生的光電子器件包括彼此連接的並且由該不透明塑模化合物光學地彼此隔離的該等第一和第二POSD。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的方法，其中：該載體基板包括具有黏合表面的膠帶；步驟(a)包括將該等第一和第二POSD的該等底表面連接到該膠帶的該黏合表面，以使得在該等第一和第二POSD之間有間隔；以及步驟(c)包括去除該膠帶，以便該等第一和第二POSD的該等底表面上的電接點被暴露。
  7. 如申請專利範圍第1項所述的方法，其中：正在被製造的該光電子器件還包括一個或多個額外的POSD；步驟(a)還包括將該一個或多個額外的POSD的該底表面或該等底表面連接到該載體基板；步驟(b)還包括在連接到該載體基板的該一個或多個額 外的POSD的諸個部分的周圍模壓該不透明塑模化合物；步驟(c)還包括去除該載體基板，以便該一個或多個額外的POSD的該底表面上的電接點被暴露；以及還包括，在步驟(b)之後，並且在步驟(c)之前或之後，切穿該不透明塑模化合物，以將該等第一、第二以及一個或多個額外的POSD與其他POSD相分隔，以使得所產生的光電子器件包括彼此連接的且由該不透明塑模化合物光學地彼此隔離的該等第一、第二以及一個或多個額外的POSD。
  8. 一種光電子器件，包括：第一和第二封裝光電子半導體器件(POSD)，各自包括：一個或多個光電子元件，其被透光塑模化合物封裝；頂表面，其係由封裝有該POSD的一個或多個光電子元件的該透光塑模化合物的頂表面所構成；底表面，其包括該POSD的該一個或多個光電子元件的電接點；及周邊表面，其在該頂表面和該底表面之間延伸；不透明塑模化合物，該不透明塑模化合物包圍該等第一和第二POSD的該等周邊表面，將該第一POSD的該一個或多個光電子元件與該第二POSD的該一個或多個光電子元件光學地隔離，並將該等第一和第二POSD彼此連接；第一窗口，其在該第一POSD的該一個或多個光電子元 件上方形成；以及第二窗口，其在該第二POSD的該一個或多個光電子元件上方形成；其中，包圍該等第一和第二POSD的該等周邊表面之該不透明塑模化合物沒有覆蓋該等第一和第二POSD的底表面，並且因此該第一POSD的該等電接點和該第二POSD的該等電接點是暴露的，且可用於電連接到其他電路。
  9. 如申請專利範圍第8項所述的光電子器件，其中：包括該POSD的該一個或多個光電子元件的該等電接點之每一個POSD的該底表面包括：印刷電路板(PCB)或引腳框的底表面，且該POSD的該一個或多個光電子元件連接到該PCB或引腳框的頂表面。
  10. 如申請專利範圍第8項所述的光電子器件，其中每一個POSD的該底表面上該等電接點都是由下列各項組成的組中選出的：導電凸區；導電焊墊；導電球；導電針腳；以及導電線路。
  11. 如申請專利範圍第8項所述的光電子器件，其中每一個POSD都包括平坦的無引腳封裝。
  12. 如申請專利範圍第8項所述的光電子器件，其中：該第一POSD包括封裝的光源半導體器件； 該第二POSD包括封裝的光檢測器半導體器件；該第一POSD的該一個或多個光電子元件包括一個或多個發光元件；該第二POSD的該一個或多個光電子元件包括一個或多個光檢測元件；在該第一POSD的該一個或多個發光元件上方形成該第一窗口；以及在該第二POSD的該一個或多個光檢測元件上方形成該第二窗口。
  13. 如申請專利範圍第12項所述的光電子器件，其中，該光電子器件是光學接近度感測器，其可以用來檢測一個物件在該光學接近度感測器的感應區域之內的存在、接近和/或運動。
  14. 如申請專利範圍第12項所述的光電子器件，還包括：至少一個額外的封裝光源半導體器件和/或至少一個額外的封裝光檢測器半導體器件；以及其中，該光電子器件包括：光學手勢識別感測器，其可以用來檢測多個不同的手勢；或光學接近度感測器和環境光感測器兩者，其中該光學接近度感測器可以被用來檢測一個物件在該光學接近度感測器的感應區域內的存在、接近和/或運動。
  15. 一種用於製造多個光電子器件的方法，每一個光電 子器件都包括：一組光電子半導體器件(POSD)，其中每一個POSD都包括：一個或多個光電子元件，其被透光塑模化合物所封裝；頂表面，其係由封裝有該POSD的一個或多個光電子元件的該透光塑模化合物的頂表面所構成；底表面，其包括該POSD的該一個或多個光電子元件的電接點；及周邊表面，其在該頂表面和該底表面之間延伸的；以及其中，每一組POSD包括至少兩個POSD，該方法包括：(a)將多組POSD的該等底表面連接到載體基板，以使得在每一個POSD以及其一個或多個相鄰POSD中的每一個之間有間隔；(b)在連接到該載體基板的該每一個POSD的諸個部分的周圍模壓不透明塑模化合物，以使得：該每一個POSD的該周邊表面被該不透明塑模化合物所包圍，每一個POSD以及其一個或多個相鄰POSD中的每一個之間的間隔係用該不透明塑模化合物來填充，及通過該不透明塑模化合物將每一個POSD與其一個或多個相鄰POSD中的每一個彼此連接；及 (c)去除該載體基板，以便該每一個POSD的該底表面上的電接點被暴露。
  16. 如申請專利範圍第15項所述的方法，其中，在步驟(b)之後，並且在步驟(c)之前或之後，還包括：切穿該不透明塑模化合物，以由此提供多個分隔的光電子器件，每一個光電子器件都包括：通過該不透明塑模化合物彼此連接的該POSD組；以及由該不透明塑模化合物所構成的並將該組的每一個POSD的光電子元件與該組的其他POSD光學地隔離的光障壁。
  17. 如申請專利範圍第16項所述的方法，其中，在步驟(b)中執行該模壓，以便在每一個POSD的該一個或多個光電子元件上方形成窗口。
  18. 如申請專利範圍第16項所述的方法，其中：在步驟(b)中執行該模壓，以使得該等POSD中的至少一個的該一個或多個光電子元件被該不透明塑模化合物所覆蓋；以及對於其一個或多個光電子元件被該不透明塑模化合物所覆蓋的每一個POSD，還包括，去除覆蓋該一個或多個光電子元件的該不透明塑模化合物的至少一部分，以在該POSD的該一個或多個光電子元件上方形成窗口。
  19. 一種具有光學接近度感應能力的系統，包括：光電子器件，包括： 封裝光源半導體器件，包括：一個或多個發光元件，其被透光塑模化合物所封裝；頂表面，其係由封裝有該一個或多個發光元件的該透光塑模化合物的頂表面所構成；底表面，其包括該一個或多個發光元件的電接點；及周邊表面，其在該頂表面和該底表面之間延伸；封裝光檢測器半導體器件，包括：一個或多個光檢測元件，其被透光塑模化合物所封裝的；頂表面，其係由封裝有該一個或多個光檢測元件的該透光塑模化合物的頂表面所構成；底表面，其包括該一個或多個光檢測元件的電接點；及周邊表面，其在該頂表面和該底表面之間延伸；不透明塑模化合物，其包圍該封裝光源半導體器件以及該封裝光檢測器半導體器件的該等周邊表面，將該封裝光源半導體器件的該一個或多個發光元件與該封裝光檢測器半導體器件的該一個或多個光檢測元件光學地隔離，並將該封裝光源半導體器件和該封裝光檢測器半導體器件彼此連接； 第一窗口，其在該封裝光源半導體器件的該一個或多個發光元件上方形成；及第二窗口，其在該封裝光檢測器半導體器件的該一個或多個光檢測元件上方形成；其中，包圍該封裝光源半導體器件以及該封裝光檢測器半導體器件之該不透明塑模化合物沒有覆蓋該封裝光源半導體器件和該封裝光檢測器半導體器件的底表面，並且因此該封裝光源半導體器件的該等電接點和該封裝光檢測器半導體器件的該等電接點是暴露的，且可用於電連接到其他電路進行存取。
  20. 如申請專利範圍第19項所述的系統，還包括：驅動器，其選擇地驅動該封裝光源半導體器件的一個或多個發光元件；處理器和/或電路，其用於檢測物件(如果有的話)相對於該光電子器件的接近度；以及子系統，其回應於物件(如果有的話)相對於該光電子器件的接近度，當該處理器和/或電路檢測到的時候。
  21. 如申請專利範圍第20項所述的系統，還包括：印刷電路板(PCB)；其中，該光電子器件、該驅動器、用於檢測物件的接近度的處理器和/或電路、以及該子系統中的每一個都連接到該PCB。
  22. 如申請專利範圍第19項所述的系統，還包括：至少一個額外的封裝光源半導體器件和/或至少一個額 外的封裝光檢測器半導體器件；以及驅動器，其選擇地驅動該一個或多個封裝光源半導體器件的一個或多個發光元件；其中該光電子器件包括：光學手勢識別感測器，其可以被用來檢測多個不同的手勢；或光學接近度感測器和環境光感測器兩者，其中該光學接近度感測器可以被用來檢測一個物件在該光學接近度感測器的感應區域內的存在、接近和/或運動。
TW101111806A 2012-02-10 2012-04-03 光電裝置以及用於製造光電裝置的方法 TWI552323B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201261597400P 2012-02-10 2012-02-10
US13/431,466 US8564012B2 (en) 2012-02-10 2012-03-27 Optoelectronic apparatuses and methods for manufacturing optoelectronic apparatuses

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201334163A TW201334163A (zh) 2013-08-16
TWI552323B true TWI552323B (zh) 2016-10-01

Family

ID=48944884

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW101111806A TWI552323B (zh) 2012-02-10 2012-04-03 光電裝置以及用於製造光電裝置的方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US8564012B2 (zh)
TW (1) TWI552323B (zh)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8987658B2 (en) * 2012-11-28 2015-03-24 Intersil Americas LLC Packaged light detector semiconductor devices with non-imaging optical concentrators for ambient light and/or optical proxmity sensing, methods for manufacturing the same, and systems including the same
USD731987S1 (en) * 2012-12-28 2015-06-16 Nichia Corporation Light emitting diode
SG11201601050PA (en) 2013-09-10 2016-03-30 Heptagon Micro Optics Pte Ltd Compact opto-electronic modules and fabrication methods for such modules
DE102013113185A1 (de) * 2013-11-28 2015-05-28 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils sowie optoelektronisches Halbleiterbauteil und optoelektronische Anordnung
JP6194859B2 (ja) * 2014-07-10 2017-09-13 株式会社デンソー 半導体装置およびその製造方法
CN104332524B (zh) * 2014-08-26 2018-01-09 日月光半导体制造股份有限公司 电子装置、光学模块及其制造方法
CN105679753B (zh) * 2014-11-20 2018-05-08 日月光半导体制造股份有限公司 光学模块、其制造方法及电子装置
DE102015107742A1 (de) * 2015-05-18 2016-11-24 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauteils und optoelektronisches Bauteil
WO2017023295A1 (en) * 2015-08-03 2017-02-09 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Optical modules
US10649156B2 (en) * 2016-12-23 2020-05-12 Avago Technologies International Sales Pte. Limited Optical sensing device having integrated optics and methods of manufacturing the same
DE102017106407A1 (de) * 2017-03-24 2018-09-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen
US10688916B2 (en) * 2018-05-10 2020-06-23 Dura Operating, Llc Multiple resin over-mold for printed circuit board electronics and light guide
DE102020119511A1 (de) * 2020-07-23 2022-01-27 Ic-Haus Gmbh Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
DE112022001152T5 (de) * 2021-06-01 2023-12-07 Ams-Osram Asia Pacific Pte. Ltd. Halbleitersensorbauteil und verfahren zur herstellung eines halbleitersensorbauteils

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5857050A (en) * 1996-02-28 1999-01-05 The Whitaker Corporation Packaging for optoelectronic device
US20030059178A1 (en) * 2001-09-21 2003-03-27 Citizen Electronics Co., Ltd. Bidirectional optical transmission device
US7268368B1 (en) * 2003-08-29 2007-09-11 Standard Microsystems Corporation Semiconductor package having optical receptacles and light transmissive/opaque portions and method of making same

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4013916A (en) 1975-10-03 1977-03-22 Monsanto Company Segmented light emitting diode deflector segment
US6003676A (en) 1997-12-05 1999-12-21 Tek Pak, Inc. Product carrier and method of making same
US6521916B2 (en) * 1999-03-15 2003-02-18 Gentex Corporation Radiation emitter device having an encapsulant with different zones of thermal conductivity
US6518600B1 (en) * 2000-11-17 2003-02-11 General Electric Company Dual encapsulation for an LED
US7775685B2 (en) 2003-05-27 2010-08-17 Cree, Inc. Power surface mount light emitting die package
US6682331B1 (en) 2002-09-20 2004-01-27 Agilent Technologies, Inc. Molding apparatus for molding light emitting diode lamps
TWI292630B (en) 2004-10-22 2008-01-11 Univ Nat Taiwan Light emitting device covered with reflective structure and method of making the same
KR101235460B1 (ko) 2006-02-14 2013-02-20 엘지이노텍 주식회사 측면 발광형 엘이디 및 그 제조방법
JP2007242856A (ja) 2006-03-08 2007-09-20 Rohm Co Ltd チップ型半導体発光素子
KR101488448B1 (ko) * 2007-12-06 2015-02-02 서울반도체 주식회사 Ｌｅｄ 패키지 및 그 제조방법
US20090166665A1 (en) * 2007-12-31 2009-07-02 Lumination Llc Encapsulated optoelectronic device
CN101540289B (zh) 2008-03-19 2012-12-19 飞思卡尔半导体公司 半导体集成电路封装及封装半导体集成电路的方法和模具
US20090289349A1 (en) * 2008-05-21 2009-11-26 Spatial Photonics, Inc. Hermetic sealing of micro devices
US7851818B2 (en) 2008-06-27 2010-12-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Fabrication of compact opto-electronic component packages
US8120250B2 (en) 2009-01-27 2012-02-21 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Light emitter
TW201031014A (en) 2009-02-03 2010-08-16 Everlight Electronics Co Ltd Light emitting device and fabrication method thereof
US8957380B2 (en) * 2009-06-30 2015-02-17 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Infrared attenuating or blocking layer in optical proximity sensor
US8143608B2 (en) 2009-09-10 2012-03-27 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Package-on-package (POP) optical proximity sensor
US8716665B2 (en) 2009-09-10 2014-05-06 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Compact optical proximity sensor with ball grid array and windowed substrate
JP5766411B2 (ja) * 2010-06-29 2015-08-19 日東電工株式会社 蛍光体層および発光装置
JP5778999B2 (ja) * 2010-08-06 2015-09-16 日亜化学工業株式会社 発光装置および画像表示ユニット
JPWO2012036281A1 (ja) * 2010-09-17 2014-02-03 ローム株式会社 半導体発光装置、その製造方法、および表示装置
US20120223231A1 (en) * 2011-03-01 2012-09-06 Lite-On Singapore Pte. Ltd. Proximity sensor having electro-less plated shielding structure

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5857050A (en) * 1996-02-28 1999-01-05 The Whitaker Corporation Packaging for optoelectronic device
US20030059178A1 (en) * 2001-09-21 2003-03-27 Citizen Electronics Co., Ltd. Bidirectional optical transmission device
US7268368B1 (en) * 2003-08-29 2007-09-11 Standard Microsystems Corporation Semiconductor package having optical receptacles and light transmissive/opaque portions and method of making same

Also Published As

Publication number Publication date
TW201334163A (zh) 2013-08-16
US20130207126A1 (en) 2013-08-15
US8564012B2 (en) 2013-10-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI552323B (zh) 光電裝置以及用於製造光電裝置的方法
US9570648B2 (en) Wafer level optical proximity sensors and systems including wafer level optical proximity sensors
US9065025B2 (en) Optoelectronic apparatuses with post-molded reflector cups
US9305967B1 (en) Wafer Level optoelectronic device packages and methods for making the same
US10684389B2 (en) Molded range and proximity sensor with optical resin lens
TWI718126B (zh) 用於製造複數個光電子器件之方法
US9190398B2 (en) Method for packaging an optical module
US9543282B2 (en) Optical sensor package
TWI521671B (zh) The package structure of the optical module
EP3762970B1 (en) Wafer-level method for manufacturing optoelectronic modules
CN103247610B (zh) 光电子器件和制造光电子器件的方法
CN107546194A (zh) 用于具有玻璃顶盖的混合式光学封装的结构和方法
US8946875B2 (en) Packaged semiconductor devices including pre-molded lead-frame structures, and related methods and systems
KR20130137993A (ko) 이미지 센서 패키지
KR20060114429A (ko) 이미지센서의 픽셀 어레이와 접촉발광센서가 직접 접촉된지문감지장치
KR20190106479A (ko) 반도체 패키지 및 반도체 모듈
KR20160020371A (ko) 디지털 방사 센서 패키지
KR102711354B1 (ko) 광 센서 모듈 및 광 센서 모듈 제조 방법