TWI536619B - 發光二極體 - Google Patents

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TWI536619B
TWI536619B TW102128838A TW102128838A TWI536619B TW I536619 B TWI536619 B TW I536619B TW 102128838 A TW102128838 A TW 102128838A TW 102128838 A TW102128838 A TW 102128838A TW I536619 B TWI536619 B TW I536619B
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胡必強
許時淵
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榮創能源科技股份有限公司
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item

Description

發光二極體
本發明涉及一種二極體,特別是指一種發光二極體。
發光二極體作為新興的光源,已被廣泛地應用於各種用途當中。為提升發光亮度,業界設計出集成多個晶片的發光二極體,以通過各晶片同時發光來輸出較高的光強。
習知的多晶片發光二極體通常是由殼體、嵌設於殼體內的二電極、安裝於電極上的多個晶片及封裝晶片的封裝體所組成。每一晶片通過打線的方式與二電極連接。然而,由於殼體內的晶片數量較多,需要打線的數量也相應地較多,而電極上可供打線的區域面積有限,導致在打線過程中容易發生打線不牢的情況發生,進而影響到產品良率。
因此,有必要提供一種良率較高的發光二極體。
一種發光二極體,包括殼體、第一電極、第二電極、第一發光晶片、第二發光晶片、導線及封裝體,第一電極的末端及第二電極的末端相向凸伸出打線區域,第一電極的打線區域與第二電極的打線區域通過絕緣區域錯開,第一發光晶片與第一電極電連接並通過導線電連接至第二電極的打線區域,第二發光晶片與第二電極電連接並通過導線電連接至第一電極的打線區域。
由於分別在第一電極及第二電極上形成凸出的二打線區域,使得第一電極及第二電極用於打線的區域面積得到增加,因此第一發光晶片及第二發光晶片的導線可方便、可靠地打在二打線區域上,從而防止出現打線不牢的情況,進而提升產品的良率。
10‧‧‧發光二極體
20‧‧‧殼體
22‧‧‧基座
220‧‧‧凹槽
222‧‧‧缺口
224‧‧‧絕緣區域
24‧‧‧反光杯
240‧‧‧反射面
300‧‧‧外接區域
302‧‧‧接合區域
304‧‧‧固晶區域
306‧‧‧打線區域
307‧‧‧第一側邊
308‧‧‧第二側邊
309‧‧‧內側邊
32‧‧‧第一電極
34‧‧‧第二電極
50‧‧‧第一發光晶片
52‧‧‧電極
54‧‧‧電極
60‧‧‧第二發光晶片
62‧‧‧電極
64‧‧‧電極
70‧‧‧導線
80‧‧‧封裝體
圖1為本發明一實施例的發光二極體的剖面示意圖。
圖2為圖1的發光二極體的俯視圖。
圖3與圖1相似,其中發光二極體的第一發光晶片及第二發光晶片被隱藏。
圖4為圖3的俯視圖。
請參閱圖1-2,示出了發明一實施例的發光二極體10。發光二極體10包括一殼體20、插設於殼體20內的一第一電極32及一第二電極34、安裝於第一電極32上的一第一發光晶片50、安裝於第二電極34上的一第二發光晶片60、連接第一發光晶片50及第二發光晶片60的導線70及覆蓋第一發光晶片50及第二發光晶片60的一封裝體80。
殼體20包括一基座22及形成於基座22上的一反光杯24。殼體20可採用塑膠材質一體成型,也可先分別成型基座22及反光杯24,然後再將反光杯24與基座22結合。基座22的底面中部向上凹陷形成一凹槽220,基座22的底面相對兩側向上凹陷分別形成二缺口222。該凹槽220與二缺口222相互隔開且彼此不連通。反光杯24位於基座22上方,其頂面中部開設一容腔。該容腔從反光杯24的頂部 延伸至反光杯24的底部,其直徑自上至下逐漸減小。由此,容腔的內側周面形成一錐形的反射面240。反射面240上可進一步形成一金屬反射膜(圖未示),以提升反光效率。
請一併參閱圖3-4,第一電極32及第二電極34分別插設於殼體20的左右兩端。本實施例中,第一電極32及第二電極34均為縱長型,且第二電極34的長度大於第一電極32的長度,寬度與第一電極32的寬度相同。每一第一電極32及第二電極34均包括一外接區域300、一接合區域302、一固晶區域304及一打線區域306。外接區域300位於殼體20的外部,其用於與外界的電路結構(圖未示)連接而將電流引入第一電極32及第二電極34內。接合區域302夾設於殼體20的基座22及反光杯24之間,其用於將第一電極32及第二電極34固接於殼體20上。固晶區域304及打線區域306均嵌入基座22的頂面並暴露於殼體20的容腔中,其中固晶區域304用於承載第一發光晶片50及第二發光晶片60,打線區域306用於供導線70連接。外接區域300、接合區域302及固晶區域304的寬度相同,打線區域306的寬度小於固晶區域304的寬度。第一電極32的打線區域306自其固晶區域304朝向第二電極34凸伸,第二電極34的打線區域306自其固晶區域304朝向第一電極32凸伸。打線區域306包括一第一側邊307及與第一側邊307連接的第二側邊308。打線區域306的第一側邊307連接固晶區域304的內側邊309,並從固晶區域304的內側邊309傾斜朝向第二側邊308延伸。第一電極32及第二電極34的每一打線區域306的第二側邊308平行於固晶區域304的內側邊309。第一電極32的打線區域306的第二側邊308相對於固晶區域304的內側邊309更遠離第一發光晶片50,第二電極34的打線區域306的第二側邊308相對於固晶區域304的內側邊309更 遠離第二發光晶片60。第一電極32的打線區域306的第一側邊307平行於第二電極34的打線區域306的第一側邊307。第一電極32的打線區域306的第二側邊308與第二電極34的固晶區域304的內側邊309正對,第二電極34的打線區域306的第二側邊308與第一電極32的固晶區域304的內側邊309正對。基座22在二打線區域306之間形成一絕緣區域224,以將第一電極32及第二電極34絕緣。絕緣區域224大致呈S形,其一側與第一電極32的打線區域306的第一側邊307、第二側邊308及固晶區域304的內側邊309連接,相對另一側與第二電極34的打線區域306的第一側邊307、第二側邊308及固晶區域304的內側邊309連接。
第一發光晶片50固定於第一電極32的固晶區域304上,第二發光晶片60固定於第二電極34的固晶區域304上。第一發光晶片50及第二發光晶片60可採用相同的半導體材料製造,從而發出相同顏色的光線;也可採用不同的半導體材料製造,以發出不同顏色的光線。第一發光晶片50的一電極52通過導線70連接至第一電極32的固晶區域304,另一電極54通過導線70連接至第二電極34的打線區域306。第二發光晶片60的一電極62通過導線70連接至第二電極34的固晶區域304,另一電極64通過導線70連接至第一電極32的打線區域306。由於在第一電極32及第二電極34上增加了額外的打線區域306,使得第一電極32及第二電極34上可供打線的面積增加,因此導線70可方便、可靠地固定連接於第一電極32及第二電極34上,從而避免由於打線面積太小而引發的連接不良的情況,進而提升發光二極體10在製造過程中的產品良率。
可以理解地,打線區域306只是為了增加第一電極32及第二電極 34的打線面積,使得在打線過程中不需要太過精準的定位就可實現方便、可靠的打線過程,因此,導線70並不一定要恰好打在打線區域306內,而是還可以打在打線區域306與固晶區域304的交界處,甚至於固晶區域304內。
上述實施例中的第一發光晶片50及第二發光晶片60均是橫嚮導通型發光晶片(即二電極處於發光晶片的同一側),可以理解地,二者還可以是垂直導通型發光晶片(即二電極處於發光晶片的相對兩側)。由此,第一發光晶片50及第二發光晶片60的底部電極可直接固接於第一電極32及第二電極34的固晶區域304上,而無需借助導線70。此種情況下第一發光晶片50及第二發光晶片60均僅需要一根導線70就可實現與第二電極34及第一電極32的電連接。
封裝體80填充於殼體20的容腔內並覆蓋第一發光晶片50、第二發光晶片60及導線70。封裝體80可採用透明的材料製造,如玻璃、環氧樹脂、矽膠等等。封裝體80用於保護第一發光晶片50及第二發光晶片60,防止二者受到外界環境的污染或侵蝕。
本發明之技術內容及技術特點已揭示如上,然而熟悉本項技術之人士仍可能基於本發明之教示及揭示而作種種不背離本發明精神之替換及修飾。因此,本發明之保護範圍應不限於實施例所揭示者,而應包括各種不背離本發明之替換及修飾,並為以下之申請專利範圍所涵蓋。
224‧‧‧絕緣區域
304‧‧‧固晶區域
306‧‧‧打線區域
32‧‧‧第一電極
34‧‧‧第二電極
50‧‧‧第一發光晶片
52‧‧‧電極
54‧‧‧電極
60‧‧‧第二發光晶片
62‧‧‧電極
64‧‧‧電極
70‧‧‧導線

Claims (9)

  1. 一種發光二極體,包括殼體、插設於殼體左右兩端的第一電極和第二電極、第一發光晶片、第二發光晶片、導線及封裝體,其改良在於:第一電極的末端及第二電極的末端相向凸伸出打線區域,第一電極的打線區域與第二電極的打線區域通過絕緣區域錯開,第一發光晶片與第一電極電連接並通過導線電連接至第二電極的打線區域,第二發光晶片與第二電極電連接並通過導線電連接至第一電極的打線區域,第一電極及第二電極均包括固晶區域,第一發光晶片固定於第一電極的固晶區域上,第二發光晶片固定於第二電極的固晶區域上。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體,其中打線區域與固晶區域連接。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之發光二極體,其中打線區域包括連接固晶區域內側邊的第一側邊及連接第一側邊的第二側邊,第一電極的打線區域的第二側邊與第二電極的固晶區域的內側邊正對,第二電極的打線區域的第二側邊與第一電極的固晶區域的內側邊正對。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之發光二極體,其中打線區域的第二側邊平行於固晶區域的內側邊,第一側邊相對第二側邊傾斜。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之發光二極體,其中第一電極的打線區域的第二側邊平行於第一電極的打線區域的第二側邊。
  6. 如申請專利範圍第4項所述之發光二極體,其中第一電極的打線區域的第二側邊相比第一電極的固晶區域的內側邊更遠離第一發光晶片。
  7. 如申請專利範圍第3項所述之發光二極體,其中絕緣區域呈S形。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體,其中第一電極及第二電極均包 括插設於殼體內的接合區域,固晶區域位於接合區域及接線區域之間。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之發光二極體,其中第一電極及第二電極還包括位於殼體之外的外接區域,接合區域連接外接區域。
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